KR101754589B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 로드 포트 및 인덱스 로봇을 갖는 설비 전방 단부 모듈; 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 대해 상기 기판을 반입 또는 반출하는 반송 로봇을 갖는 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 설비 전방 단부 모듈 사이에 위치되고, 기판을 지지하는 기판 지지부와 상기 기판의 외측 둘레를 덮을 수 있는 덮개를 지지하는 덮개 지지부를 갖는 로드락 챔버를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a facility front end module having a load port and an index robot; A process chamber; A transfer chamber having a transfer robot for loading or unloading the substrate with respect to the process chamber; And a load lock chamber located between the transfer chamber and the facility front end module and having a substrate support for supporting the substrate and a lid support for supporting a lid that can cover the outer periphery of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로, 반도체 소자, 디스플레이 패널 등을 제조를 위해서는 식각, 애싱, 세정 등의 다양한 공정이 필요하다. 최근에는 플라즈마를 이용하여 위와 같은 공정을 수행하고 있다. 플라즈마 소스로는 유도 결합형 플라즈마 소스, 리모트 플라즈마 소스 등이 선택적으로 사용되고 있다.In general, various processes such as etching, ashing, and cleaning are required for manufacturing semiconductor devices, display panels, and the like. Recently, the above process is performed using plasma. As the plasma source, an inductively coupled plasma source and a remote plasma source are selectively used.

이 같은 공정 처리를 수행하는 장치로 클러스터 타입의 장치가 많이 사용되고 있다. 클러스터 타입의 장치는 반송 챔버의 둘레에 로드락 챔버와 공정 챔버들이 배치되는 구조를 가진다.Cluster-type devices are widely used as devices for performing such a process. The cluster type of device has a structure in which a load lock chamber and process chambers are disposed around the transfer chamber.

반송 챔버에는 로드락 챔버와 공정 챔버간에, 또는 하나의 공정 챔버와 다른 하나의 공정 챔버들 간에 웨이퍼를 이송하는 반송 유닛이 제공된다.The transfer chamber is provided with a transfer unit for transferring the wafer between the load lock chamber and the process chamber, or between one process chamber and another process chamber.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 외측 둘레를 덮은 상태로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing in a state of covering the outer periphery of the substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 로드 포트 및 인덱스 로봇을 갖는 설비 전방 단부 모듈; 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 대해 상기 기판을 반입 또는 반출하는 반송 로봇을 갖는 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 설비 전방 단부 모듈 사이에 위치되고, 기판을 지지하는 기판 지지부와 상기 기판의 외측 둘레를 덮을 수 있는 덮개를 지지하는 덮개 지지부를 갖는 로드락 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a facility front end module having a load port and an index robot; A process chamber; A transfer chamber having a transfer robot for loading or unloading the substrate with respect to the process chamber; There is provided a substrate processing apparatus including a load lock chamber positioned between the transfer chamber and the apparatus front end module and having a lid support for supporting a substrate support for supporting the substrate and a lid for covering the outer periphery of the substrate .

또한, 상기 기판 지지부는, 상기 기판의 저면을 지지하는 제1 기판 지지부를 포함할 수 있다.In addition, the substrate supporting part may include a first substrate supporting part for supporting the bottom surface of the substrate.

또한, 상기 기판 지지부는, 상기 기판의 외측 둘레를 지지하는 제2 기판 지지부를 포함할 수 있다.In addition, the substrate supporting part may include a second substrate supporting part for supporting an outer periphery of the substrate.

또한, 상기 덮개 지지부는, 상기 기판 지지부의 외측에 위치될 수 있다.Further, the lid support portion may be located outside the substrate support portion.

또한, 상기 덮개 지지부는 그 상단이 상기 기판 지지부의 상단보다 설정 길이 높게 위치될 수 있다.In addition, the lid support portion may be located at a position higher than the upper end of the substrate support portion by a predetermined length.

또한, 상기 기판 지지부의 외측에 위치되고, 상기 기판 지지부에 위치된 상기 기판의 측면 방향으로 이동 가능한 푸셔를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a pusher positioned outside the substrate support and movable in a lateral direction of the substrate positioned in the substrate support.

또한, 상기 푸셔는 상기 기판을 기준으로 서로 마주보도록 복수로 제공될 수 있다.In addition, the pushers may be provided in plural to face each other with respect to the substrate.

또한, 상기 공정 챔버는 복수가 제공되고, 상기 로드락 챔버는 각각 상기 기판 지지부 및 상기 덮개 지지부를 갖는 복수의 이송 구역들을 가질 수 있다.In addition, the process chamber may be provided with a plurality of load lock chambers, each of which may have a plurality of transfer zones having the substrate support and the lid support.

또한, 상기 이송 구역들 각각은 상기 기판이 상기 설비 전방 단부 모듈에서 상기 트랜스퍼 챔버로 반입되는 경로와, 상기 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공할 수 있다.In addition, each of the transfer zones may provide a path through which the substrate is transferred from the facility front end module to the transfer chamber and a path through which the transfer chamber leaves the facility front end module.

또한, 상기 이송 구역들의 개수는 상기 공정 챔버들의 개수 이상으로 제공될 수 있다.Also, the number of transfer zones may be provided by more than the number of process chambers.

또한, 상기 공정 챔버는 플라즈마를 통한 공정 처리를 수행할 수 있다.In addition, the process chamber can perform process processing through plasma.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 공정 처리 전의 기판을 로드락 챔버로 반입하는 단계; 상기 로드락 챔버 내에서 상기 기판의 외측 둘레에 덮개를 위치시키는 단계; 상기 덮개가 위치된 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 반출하는 단계; 및 상기 덮개가 위치된 상기 공정 처리 전의 기판을 공정 챔버로 반입하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: bringing a substrate before a processing process into a load lock chamber; Positioning a lid around an outer periphery of the substrate within the load lock chamber; Transferring the substrate before the processing process in which the cover is located from the load lock chamber to the transfer chamber; And bringing the substrate before the processing process in which the cover is placed into a process chamber.

또한, 상기 덮개를 위치시키는 단계는, 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 상기 덮개의 아래쪽에 위치된 상태에서 상하로 정렬하는 단계; 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 덮개 방향으로 상승 시키는 단계를 포함할 수 있다.Also, the step of positioning the cover may include: aligning the substrate before the processing process up and down in a state of being positioned below the cover placed in the load lock chamber; And elevating the substrate before the process processing in the lid direction.

또한, 상기 로드락 챔버에 위치된 상기 덮개는, 상기 로드락 챔버에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부의 외측에 위치된 덮개 지지부에 위치된 상태로 제공될 수 있다.In addition, the lid placed in the load lock chamber may be provided in a state of being located in a lid support positioned outside the substrate support for supporting the substrate in the load lock chamber.

또한, 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버로 반입하는 단계는 설비 전방 단부 모듈의 인덱스 로봇에 의해 이루어 지고, 상기 덮개를 위치시키는 단계 및 상기 공전 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에서 반출하는 단계는 상기 트랜스퍼 챔버의 반송 로봇에 의해 이루어 질 수 있다.In addition, the step of bringing the substrate before the processing step into the load lock chamber is performed by an index robot of the facility front end module, and the step of positioning the lid and taking out the substrate before the orbit processing from the load lock chamber Can be performed by the transfer robot of the transfer chamber.

또한, 상기 공정 챔버를 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리 할 수 있다.In addition, the process chamber can be treated with plasma using the substrate.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 외측 둘레에 덮개가 위치되고, 공정 처리 된 기판을 트랜스퍼 챔버에서 로드락 챔버로 반입하는 단계; 상기 덮개를 상기 로드락 챔버의 내측에 위치시키는 단계; 상기 공정 처리된 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 기판 지지부에 위치시키는 단계; 및 상기 기판을 설비 전방 단부 모듈로 반출하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising: bringing a processed substrate into a load lock chamber in a transfer chamber; Positioning the lid within the load lock chamber; Positioning the processed substrate in a substrate support positioned in the load lock chamber; And a step of removing the substrate to the facility front end module.

또한, 상기 덮개를 상기 로드락 챔버의 내측에 위치시키는 단계는, 상기 공정 처리 된 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 덮개 지지부위 위쪽에 위치시키는 단계; 상기 공정 처리 된 기판을 아래쪽으로 이동 시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of locating the lid within the load lock chamber further comprises: positioning the processed substrate above a lid support portion located in the load lock chamber; And moving the processed substrate downward.

또한, 상기 기판을 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출하는 단계는 상기 설비 전방 단부 모듈에 위치된 인덱스 로봇으로 이루어 지고, 상기 공정 처리 된 기판을 상기 로드락 챔버로 반입하는 단계 내지 상기 상기 기판을 지지부에 위치시키는 단계는 상기 트랜스퍼 챔버에 위치된 반송 로봇으로 이루어 질 수 있다.The step of transporting the substrate to the facility front end module may comprise the steps of bringing the processed substrate into the load lock chamber, which is made up of an index robot located in the facility front end module, The step of positioning may comprise a transfer robot positioned in the transfer chamber.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 외측 둘레를 덮은 상태로 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a substrate while covering the outer periphery of the substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 공정 챔버에 제공될 수 있는 플라즈마 모듈을 나타내는 도면이다.
도 4는 기판이 반입되기 전의 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.
도 5는 설비 전방 단부 모듈에서 로드락 챔버로 기판이 반입되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 푸셔가 기판의 위치를 수정하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 7은 기판에 덮개를 위치시키는 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 반송 로봇이 공정 챔버로 기판을 반입하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 서셉터에 기판이 위치된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a load lock chamber.
Figure 3 is a view of a plasma module that may be provided in the process chamber of Figure 1;
4 is a view showing a load lock chamber before a substrate is carried in.
5 is a view showing a state in which the substrate is brought into the load lock chamber from the facility front end module.
6 is a view showing a process in which the pusher corrects the position of the substrate.
7 is a view showing a state where a lid is placed on a substrate.
8 is a view showing a state in which the carrying robot loads a substrate into a process chamber.
9 is a view showing a state where the substrate is placed on the susceptor.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20), 공정 처리부(30) 및 제어기(70)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)가 배열된 방향을 제 1 방향(11)이라하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(11)에 수직인 방향을 제 2 방향(12)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an equipment front end module (EFEM) 20, a processing section 30, and a controller 70. The facility front end module 20 and the process processing section 30 are arranged in one direction. A direction in which the facility front end module 20 and the processing unit 30 are arranged is referred to as a first direction 11 and a direction perpendicular to the first direction 11 as viewed from the top is referred to as a second direction 12 ).

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송프레임(21)은 로드 포트(10)와 공정 처리실(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 공정 처리부(30)간에 기판(W)을 이송하는 인덱스 로봇(25)을 포함한다. 인덱스 로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 공정 처리실(30)간에 기판(W)을 이송한다.The apparatus front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21. [ The load port 10 is disposed in front of the facility front end module 20 in a first direction 11. The load port (10) has a plurality of support portions (6). Each support 6 is arranged in a row in a second direction 12 and is provided with a carrier 4 (e.g., a cassette, a cassette, etc.) in which a substrate W to be supplied to the process and a substrate W, FOUP, etc.) are located. In the carrier 4, a substrate W to be supplied to the process and a substrate W to which the process is completed are accommodated. The transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing chamber 30. The transfer frame 21 includes an index robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing unit 30. [ The index robot 25 moves along the conveyance rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing chamber 30.

공정 처리실(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 공정 챔버(60)를 포함한다.The process chamber 30 includes a load lock chamber 40, a transfer chamber 50, and a process chamber 60.

로드락 챔버(40)는 이송프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21. [ In one example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the equipment front end module 20. The load lock chamber 40 is a space in which the substrate W to be supplied to the process is transferred to the process chamber 60 or before the substrate W to be processed is transferred to the apparatus front end module 20 .

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 가질 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 공정 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 공정 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 반송 로봇(53)이 배치된다. 반송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 공정 챔버(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 공정 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 공정 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 트랜스퍼 챔버(50)의 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 트랜스퍼 챔버(50)의 측벽에는 공정 챔버(60)들이 배치된다. The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40. The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from the top. In one example, the transfer chamber 50 may have a pentagonal body when viewed from the top. On the outside of the body, a load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed along the periphery of the body. Each side wall of the body is provided with a passage (not shown) through which the substrate W enters and exits, and the passage connects the transfer chamber 50 to the load lock chamber 40 or the process chamber 60. Each passage is provided with a door (not shown) for opening and closing the passage to seal the inside thereof. A load lock chamber 40 and a transport robot 53 for transporting the substrate W between the process chambers 60 are disposed in the inner space of the transfer chamber 50. The transfer robot 53 transfers an unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 or transfers the processed substrate W to the load lock chamber 40. Then, the substrate W is transferred between the process chambers 60 to sequentially provide the plurality of process chambers 60 with the substrates W. A load lock chamber 40 is disposed on the sidewall of the transfer chamber 50 adjacent to the facility front end module 20 and the process chambers 60 are disposed on the side walls of the remaining transfer chamber 50.

공정 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 공정 챔버(60)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 공정 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 공정 챔버(60)는 반송 로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 반송 로봇(53)으로 제공한다. 각각의 공정 챔버(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 상이할 수 있다. 공정 챔버(60)가 수행하는 공정은 기판(W)을 이용해 반도체 소자 또는 디스플레이 패널을 생산하는 과정 가운데 일 공정일 수 있다. 공정 챔버(60)가운데 하나 이상을 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 모듈(도 2의 200a)을 포함한다.The process chamber 60 is disposed along the periphery of the transfer chamber 50. A plurality of process chambers 60 may be provided. In each of the process chambers 60, the processing of the substrate W proceeds. The process chamber 60 transfers the substrate W from the transfer robot 53 to process the substrate W and supplies the processed substrate W to the transfer robot 53. The process processes in each of the process chambers 60 may be different from each other. The process performed by the process chamber 60 may be a process of producing a semiconductor device or a display panel using the substrate W. [ And a plasma module (200a in Fig. 2) that processes the substrate W using plasma using at least one of the process chambers 60. [

제어기(70)는 기판 처리 장치(1)의 구성들을 제어한다.The controller 70 controls the configurations of the substrate processing apparatus 1.

도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a load lock chamber.

도 2를 참조하면, 로드락 챔버(40)는 하우징(100), 기판(S) 지지부(110, 120), 덮개 지지부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the load lock chamber 40 includes a housing 100, substrate supports 110 and 120, and a cover support 130.

하우징(100)은 로드락 챔버(40)의 골격을 형성한다. 하우징(100)은 이송프레임(21) 및 트랜스퍼 챔버(50)와 연결되도록 제공된다. 하우징(100)과 이송프레임(21)을 연결하는 개구(미도시)는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 하우징(100)과 트랜스퍼 챔버(50)를 연결하는 개구(미도시)는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 하우징(100)은 내측에 기판(S)이 위치되는 이송 구역(41a, 41b)이 복수 형성될 수 있다. 일 예로, 하우징(100)의 내측에는 공정 챔버(60)의 개수 와 동일하거나 그보다 많은 수의 이송 구역(41a, 41b)이 형성될 수 있다. 이송 구역(41a, 41b)은 상하, 좌우 또는 상하 좌우로 배열될 수 있다. 각각의 이송 구역(41a, 41b)은 처리될 기판이 반입되고, 처리된 기판이 반출되는 경로를 제공한다.The housing 100 forms the framework of the load lock chamber 40. The housing 100 is provided to be connected to the transfer frame 21 and the transfer chamber 50. An opening (not shown) for connecting the housing 100 and the transfer frame 21 can be opened or closed by a door (not shown). An opening (not shown) for connecting the housing 100 and the transfer chamber 50 can be opened or closed by a door (not shown). The housing 100 may have a plurality of transfer zones 41a and 41b in which the substrate S is located. For example, the number of transfer zones 41a, 41b may be equal to or greater than the number of process chambers 60 on the inside of the housing 100. The transfer zones 41a and 41b may be arranged vertically, horizontally, or vertically and horizontally. Each transfer zone 41a, 41b provides a path through which the substrate to be processed is carried and the processed substrate is taken out.

기판 지지부(110, 120)는 각각의 이송 구역(41a, 41b)에서 로드락 챔버(40)로 반입된 기판(S)을 지지한다. 기판 지지부(110, 120)는 제1 기판 지지부(110) 및 제2 기판 지지부(120)를 포함한다.The substrate supports 110 and 120 support the substrate S loaded into the load lock chamber 40 in the respective transfer zones 41a and 41b. The substrate support 110, 120 includes a first substrate support 110 and a second substrate support 120.

제1 기판 지지부(110)는 기판(S)의 저면을 지지한다. 제1 기판 지지부(110)는 이송 구역(41a, 41b)의 하부에 위치될 수 있다. 제1 기판 지지부(110)는 이송로봇(25, 53)이 기판(S)을 반입 및 반출할 때, 이송로봇(25, 53)과 간섭이 방지되는 형상으로 제공된다. 일 예로, 제1 기판 지지부(110)는 복수의 로드 형상으로 제공되어, 기판(S)의 저면을 지지할 수 있다. The first substrate support 110 supports the bottom surface of the substrate S. The first substrate support 110 may be positioned below the transfer zones 41a and 41b. The first substrate supporting part 110 is provided in such a shape that interference with the transfer robot 25 and 53 is prevented when the transfer robot 25 and 53 carry the substrate S in and out. In one example, the first substrate support 110 may be provided in a plurality of rod configurations to support the bottom surface of the substrate S.

또한, 제1 기판 지지부(110)는 플레이트 형상으로 제공되어 기판(S)을 지지하는 부분과, 이송로봇(25, 53)과 기판(S)을 주고 받을 때 기판(S)을 설정 높이 상승 시키는 핀을 포함할 수 있다.The first substrate supporting part 110 is provided in a plate shape to support a part of the substrate S and a part for supporting the substrate S when the substrate S is transferred to and from the transferring robot 25, Pin.

제2 기판 지지부(120)는 기판(S)의 외측 둘레를 지지한다. 제2 기판 지지부(120)는 기판(S)의 외측 모서리에 대응되는 부분에 복수 개 위치될 수 있다. 일 예로, 기판(S)이 사각형으로 제공되는 경우, 제2 기판 지지부(120)는 기판(S)의 모서리에 위치되도록 2개 이상이 제공될 수 있다. 또한, 기판(S)이 원형으로 제공되는 경우, 제2 기판 지지부(120)는 기판(S)의 임의의 외측 저면에 대응하는 위치에 2개 이상이 제공될 수 있다. 이 때, 제2 기판 지지부(120)는 원주 방향을 따라 등간격으로 위치될 수 있다.The second substrate support 120 supports the outer periphery of the substrate S. A plurality of second substrate supporting portions 120 may be positioned at portions corresponding to the outer edges of the substrate S. For example, when the substrate S is provided in a quadrangular shape, two or more second substrate supports 120 may be provided at the edges of the substrate S. Further, when the substrate S is provided in a circular shape, the second substrate support 120 may be provided at two or more positions corresponding to any outer bottom surface of the substrate S. At this time, the second substrate supporting portions 120 may be positioned at regular intervals along the circumferential direction.

제2 기판 지지부(120)에는 기판(S)의 외측 저면 형상에 대응되는 지지홈(121)이 형성될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 제2 기판 지지부(120)와 상하로 정렬될 상태에서 아래로 이동되면, 지지홈(121)에 의해 지지되어 외측방향으로 이탈되는 것이 방지된다. 지지홈(121)들의 외측면과 외측면 사이의 거리는 기판(S)의 크기보다 설정 치수 크게 형성될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 제2 기판 지지부(120)와 상하로 정렬되는 과정에서 일부 오차가 발생하는 경우에도, 기판(S)은 지지홈(121)에 위치될 수 있다.The second substrate supporting part 120 may be formed with a supporting groove 121 corresponding to the shape of the outer bottom surface of the substrate S. Accordingly, when the substrate S is moved downward while being aligned with the second substrate supporting portion 120, the substrate S is prevented from being supported by the support groove 121 and deviating outwardly. The distance between the outer side surface and the outer side surface of the support grooves 121 may be set larger than the size of the substrate S. [ The substrate S can be positioned in the support groove 121 even if some error occurs in the process of aligning the substrate S up and down with the second substrate support 120. [

또한, 제1 기판 지지부(110)와 제2 기판 지지부(120) 가운데 하나는 생략되고, 기판(S)은 제1 기판 지지부(110) 또는 제2 기판 지지부(120)에 의해 지지될 수 도 있다.One of the first substrate support 110 and the second substrate support 120 may be omitted and the substrate S may be supported by the first substrate support 110 or the second substrate support 120 .

덮개 지지부(130)는 각각의 이송 구역(41a, 41b)에서 덮개(150)를 지지한다. 덮개 지지부(130)는 기판 지지부(110, 120)의 외측에 위치되어, 기판 지지부(110, 120)에 위치된 기판(S)과의 간섭이 방지된다. 덮개 지지부(130)는 기판(S)의 반입 또는 반출을 위해 출입하는 이송로봇(25, 53)과의 간섭이 방지되는 지점에서 위치된다. 일 예로, 덮개 지지부(130)는 기판 지지부(110, 120)의 외측에 위치되는 복수의 로드 또는 설정 폭을 갖는 플레이트로 제공될 수 있다. 덮개 지지부(130)의 상단은 기판 지지부(110, 120)의 상단 보다 설정 길이 높게 위치된다. 따라서, 덮개 지지부(130)에 의해 지지된 덮개(150)는 기판 지지부(110, 120)에 위치된 기판(S)보다 높게 위치된다.The lid support 130 supports the lid 150 in each of the transfer zones 41a and 41b. The lid support 130 is located outside the substrate supports 110 and 120 and is prevented from interfering with the substrate S located at the substrate supports 110 and 120. [ The lid support 130 is located at a position where interference with the transfer robots 25, 53 entering and leaving for loading or unloading of the substrate S is prevented. In one example, the lid support 130 may be provided with a plurality of rods or plates having a set width positioned outside the substrate supports 110, 120. The upper end of the lid support portion 130 is positioned higher than the upper end of the substrate support portions 110 and 120 by a predetermined length. Thus, the lid 150 supported by the lid support 130 is positioned higher than the substrate S positioned in the substrate support 110, 120.

기판 지지부(110, 120)의 외측에는 푸셔(140)가 위치될 수 있다. 푸셔(140)는 기판(S)의 측면과 마주보는 부분이 기판(S)을 향하는 방향으로 이동 가능하게 제공된다. 푸셔(140)는 기판(S)을 기준으로 서로 마주보도록 복수로 제공될 수 있다. 일 예로, 푸셔(140)는 기판(S)을 기준으로 마주보도록 2개가 제공되거나, 서로 교차하는 방향으로 4개가 제공될 수 있다.A pusher 140 may be positioned on the outside of the substrate support 110, 120. The pusher 140 is provided so that a portion of the pusher 140 facing the side surface of the substrate S is movable in the direction toward the substrate S. [ The pushers 140 may be provided to be opposed to each other with respect to the substrate S. For example, the pushers 140 may be provided so as to face each other with respect to the substrate S, or may be provided in a direction crossing each other.

도 3은 도 1의 공정 챔버에 제공될 수 있는 플라즈마 모듈을 나타내는 도면이다.Figure 3 is a view of a plasma module that may be provided in the process chamber of Figure 1;

도 3을 참조하면, 공정 챔버(60)은 챔버(2100), 서셉터(2200), 샤워 헤드(2300) 및 플라스마 여기부(2400)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the process chamber 60 includes a chamber 2100, a susceptor 2200, a showerhead 2300, and a plasma excitation portion 2400.

챔버(2100)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(2100)는 바디(2110)와 밀폐 커버(2120)를 가진다. 바디(2110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(2110)의 측벽에는 기판이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 개폐 부재는 챔버(2100) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 챔버(2100) 내부로 반입될 때와 챔버(2100) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다.The chamber 2100 provides a space in which process processing is performed. The chamber 2100 has a body 2110 and a sealing cover 2120. The upper surface of the body 2110 is opened and a space is formed therein. An opening (not shown) through which the substrate enters and exits is formed in a side wall of the body 2110, and the opening can be opened and closed by an opening and closing member such as a slit door (not shown). The opening and closing member closes the opening during the processing of the substrate W in the chamber 2100 and opens the opening when the substrate W is carried into the chamber 2100 and out of the chamber 2100 do.

바디(2110)의 하부벽에는 배기홀(2111)이 형성된다. 배기홀(2111)은 배기 라인(2112)과 연결된다. 배기 라인(2112)을 통해 챔버(2100)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 챔버(2100) 외부로 배출된다.An exhaust hole 2111 is formed in the lower wall of the body 2110. The exhaust hole 2111 is connected to the exhaust line 2112. The internal pressure of the chamber 2100 is controlled through the exhaust line 2112, and the reaction by-products generated in the process are discharged to the outside of the chamber 2100.

밀폐 커버(2120)는 바디(2110)의 상부벽과 결합하며, 바디(2110)의 개방된 상면을 덮어 바디(2110) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(2120)의 상단은 플라스마 여기부(2400)와 연결된다. 밀폐 커버(2120)에는 확산공간(2121)이 형성된다. 확산공간(2121)은 샤워 헤드(2300)에 가까워질수록 너비가 점차 넓어진다. 예를 들어, 확산공간(2121)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다.The sealing cover 2120 engages with the upper wall of the body 2110 and covers the open upper surface of the body 2110 to seal the inside of the body 2110. The upper end of the sealing cover 2120 is connected to the plasma excitation portion 2400. A diffusion space 2121 is formed in the sealing cover 2120. The diffusion space 2121 gradually gets wider as it gets closer to the shower head 2300. For example, the diffusion space 2121 may have an inverted funnel shape.

서셉터(2200)는 챔버(2100) 내부에 위치된다. 서셉터(2200)의 상면에는 기판이 놓여진다. 서셉터(2200)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 서셉터(2200)를 냉각한다. 서셉터(2200)에는 플라즈마에 의한 기판(W) 처리 정도를 조절하기 위해 바이어스 전원(2210)으로부터 전력이 인가될 수 있다. 바이어스 전원(2210)이 인가하는 전력은 라디오 주파수(radio frequency, RF) 전원일 수 있다. 서셉터(2200)는 바이어스 전원(2210)이 공급하는 전력에 의해 쉬즈를 형성하고, 그 영역에서 고밀도의 플라즈마를 형성하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다.The susceptor 2200 is located inside the chamber 2100. The substrate is placed on the upper surface of the susceptor 2200. A cooling passage (not shown) through which the cooling fluid circulates may be formed inside the susceptor 2200. The cooling fluid circulates along the cooling flow path and cools the susceptor 2200. Power may be applied to the susceptor 2200 from the bias power supply 2210 to control the degree of processing of the substrate W by the plasma. The power applied by the bias power supply 2210 may be a radio frequency (RF) power supply. The susceptor 2200 forms sheath by the electric power supplied by the bias power source 2210, and high-density plasma is formed in the region to improve the process capability.

서셉터(2200)의 내부에는 가열 부재(2220)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(222)는 열선으로 제공될 수 있다. 가열 부재(222)는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열한다.A heating member 2220 may be provided inside the susceptor 2200. According to one example, the heating member 222 may be provided as a hot wire. The heating member 222 heats the substrate W to a predetermined temperature.

샤워 헤드(2300)는 바디(2110)의 상부벽에 결합된다. 샤워 헤드(2300)는 원판 형상으로, 서셉터(2200)의 상면과 나란하게 배치될 수 있다. 샤워 헤드(2300)는 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(2300)에는 분배홀(2310)들이 형성된다. 분배홀(2310)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(2121)에서 확산된 플라스마는 분배홀(2310)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 샤워 헤드(2300)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 분배홀(2310)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 또한, 샤워 헤드는 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다.The shower head 2300 is coupled to the upper wall of the body 2110. The showerhead 2300 may have a disk shape and may be disposed in parallel to the upper surface of the susceptor 2200. The shower head 2300 may be provided with an aluminum material whose surface is oxidized. Discharge holes 2310 are formed in the shower head 2300. The distribution holes 2310 may be formed at regular intervals on the circumference of the concentric circle for uniform radical supply. The plasma diffused in the diffusion space 2121 flows into the distribution holes 2310. At this time, charged particles such as electrons or ions are confined in the showerhead 2300, and neutral particles, such as oxygen radicals, which are not charged, are supplied to the substrate W through the distribution holes 2310. Further, the showerhead may be grounded to form a passage through which electrons or ions move.

플라스마 여기부(2400)는 플라스마를 생성하여, 챔버(2100)로 공급한다. 플라스마 여기부(2400)는 챔버(2100)의 상부에 제공될 수 있다. 플라스마 여기부(2400)는 발진기(2410), 도파관(2420), 유전체 관(2430) 및 공정 가스 공급부(2440)를 포함한다.The plasma excitation portion 2400 generates a plasma and supplies it to the chamber 2100. [ The plasma excitation part 2400 may be provided on the upper part of the chamber 2100. The plasma excitation section 2400 includes an oscillator 2410, a waveguide 2420, a dielectric tube 2430, and a process gas supply section 2440.

발진기(2410)는 전자기파를 발생시킨다. 도파관(2420)은 발진기(2410)와 유전체 관(2430)을 연결하며, 발진기(2410)에서 발생된 전자기파가 유전체 관(2430) 내부로 전달되는 통로를 제공한다. 공정 가스 공급부(2440)는 챔버(2100)의 상부로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스는 공정 진행 과정에 따라 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스가 공급될 수 있다. 유전체 관(2430) 내부로 공급된 공정 가스는 전자기파에 의해 플라스마 상태로 여기 된다. 플라스마는 유전체 관(2430)을 거쳐 확산공간(2121)으로 유입된다.The oscillator 2410 generates an electromagnetic wave. The waveguide 2420 connects the oscillator 2410 and the dielectric tube 2430 and provides a path through which electromagnetic waves generated from the oscillator 2410 are transmitted into the dielectric tube 2430. A process gas supply 2440 supplies process gas to the top of the chamber 2100. The process gas may be supplied with the first process gas and the second process gas according to the process progress. The process gas supplied into the dielectric tube 2430 is excited into a plasma state by an electromagnetic wave. The plasma is introduced into the diffusion space 2121 through the dielectric tube 2430.

상술한 플라즈마 여기부(2400)는 전자기파를 이용하는 경우를 예로 들었으나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 여기부(2400)는 유도결합 플라즈마 여기부, 용량 결합 플라즈마 여기부로 제공될 수 도 있다.The plasma excitation unit 2400 may be provided as an inductively coupled plasma excitation unit or a capacitively coupled plasma excitation unit in another embodiment, although the plasma excitation unit 2400 described above uses an electromagnetic wave as an example.

도 4는 기판이 반입되기 전의 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a load lock chamber before a substrate is carried in.

도 2 및 4를 참조하면, 설비 전방 단부 모듈(20)에서 로드락 챔버(40)로 기판(S)이 반입되기 전에, 덮개 지지부(130)에는 덮개(150)가 위치된다. 덮개(150)는 기판(S)의 외측 둘레에 대응되게 원형 또는 사각형 링 형상으로 제공된다. 따라서, 기판(S)의 상면에 덮개(150)가 위치되면, 기판(S)의 외측 둘레는 덮개(150)에 의해 덮이게 된다. 덮개(150)의 내측 저면은 기판(S)의 외측면에 대응되는 형상으로 수용홈(151)이 형성될 수 있다. 따라서 덮개(150)와 기판(S)의 밀착성이 형상될 수 있다. 덮개(150)에는 홈(152)이 형성될 수 있다. 홈(152)은 덮개 지지부(130)의 상단 형상에 대응되게 형성된다. 덮개 지지부(130)에 덮개(150)가 위치되면, 홈(152)에 덮개 지지부(130)의 상단이 위치되어, 덮개(150)가 덮개 지지부(130)에서 이탈되는 것이 방지될 수 있다.2 and 4, the lid 150 is positioned on the lid support 130 before the substrate S is carried into the load lock chamber 40 from the facility front end module 20. As shown in FIG. The cover 150 is provided in a circular or rectangular ring shape corresponding to the outer periphery of the substrate S. Accordingly, when the lid 150 is placed on the upper surface of the substrate S, the outer periphery of the substrate S is covered by the lid 150. The inner bottom surface of the lid 150 may be formed with a receiving groove 151 in a shape corresponding to the outer surface of the substrate S. [ Therefore, the adhesion between the lid 150 and the substrate S can be formed. A groove 152 may be formed in the cover 150. The groove 152 is formed to correspond to the top shape of the lid support portion 130. When the lid 150 is positioned on the lid support part 130, the upper end of the lid support part 130 is positioned in the groove 152, so that the lid 150 can be prevented from being detached from the lid support part 130.

도 5는 설비 전방 단부 모듈에서 로드락 챔버로 기판이 반입되는 상태를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a state in which the substrate is brought into the load lock chamber from the facility front end module.

도 5를 참조하면, 인덱스 로봇(25)은 공정 챔버(60)에서 처리될 기판(S)을 로드락 챔버(40)로 반입한다. 제어기(70)는 기판(S)이 기판 지지부(110, 120)에 의해 지지될 높이보다 위쪽으로 설정거리 이격된 높이로 반입되도록, 인덱스 로봇(25)을 제어한다. 이후, 기판(S)이 기판 지지부(110, 120)에 의해 지지될 위치와 상하로 정렬되면, 인덱스 로봇(25)은 아래쪽으로 이동하여, 기판(S)이 기판 지지부(110, 120)에 위치되도록 한다.Referring to FIG. 5, the index robot 25 transfers the substrate S to be processed in the process chamber 60 to the load lock chamber 40. The controller 70 controls the index robot 25 such that the substrate S is carried at a height spaced a predetermined distance above the height to be supported by the substrate supports 110 and 120. [ When the substrate S is vertically aligned with the position to be supported by the substrate supporters 110 and 120, the index robot 25 moves downward to move the substrate S to the substrate supporters 110 and 120 .

도 6은 푸셔가 기판의 위치를 수정하는 과정을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a process in which the pusher corrects the position of the substrate.

도 6을 참조하면, 설비 전방 단부 모듈(20)에서 기판(S)이 반입된 후 기판(S)의 위치는 푸셔(140)에 의해 수정될 수 있다. 인덱스 로봇(25)은 설정 위치에 기판(S)을 위치시키도록 세팅 되어 있다. 그러나, 기판(S)을 기판 지지부(110, 120)에 위치시키는 과정에서 기판(S)의 위치와 설정 위치에 차이가 발생될 수 있다. 제어기(70)는 푸셔(140)를 기판(S) 방향으로 설정 거리 이동 시켜, 올바른 곳에 위치되도록 기판(S)을 밀어 줄 수 있다. 이 후, 푸셔(140)는 기판(S) 반대 방향으로 이동하여 기판(S)의 전달 과정에서 다른 구성과 간섭이 방지될 수 있다.6, the position of the substrate S may be modified by the pusher 140 after the substrate S has been loaded in the apparatus front end module 20. As shown in FIG. The index robot 25 is set to position the substrate S at the set position. However, the position of the substrate S and the set position may be different in the process of positioning the substrate S on the substrate supporting portions 110 and 120. The controller 70 can move the pusher 140 in the direction of the substrate S by a set distance and push the substrate S to be positioned at the correct position. Thereafter, the pusher 140 moves in a direction opposite to the substrate S, and interference with other structures in the process of transferring the substrate S can be prevented.

도 7은 기판에 덮개를 위치시키는 상태를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a state where a lid is placed on a substrate.

도 7을 참조하면, 반송 로봇(53)은 기판(S)에 덮개(150)를 위치시킨 후 기판(S)을 로드락 챔버(40)에서 반출한다.7, the transport robot 53 moves the substrate S from the load lock chamber 40 after positioning the lid 150 on the substrate S.

먼저 반송 로봇(53)은 기판(S)의 아래쪽에 위치되도록 로드락 챔버(40)로 반입된 후 상승하여 기판(S)을 픽업한다. 이후, 반송 로봇(53)은 설정 높이만큼 더 상승하여, 기판(S)에 덮개(150)가 위치되도록 한다. 그리고 반송 로봇(53)은 트랜스퍼 챔버(50) 방향으로 이동하여 공정 처리될 기판(S)을 트랜스퍼 챔버(50) 측으로 이동 시킨다.First, the transport robot 53 is brought into the load lock chamber 40 so as to be located below the substrate S, and then ascends to pick up the substrate S. Thereafter, the transfer robot 53 is further raised by the set height so that the lid 150 is positioned on the substrate S. The transfer robot 53 moves in the direction of the transfer chamber 50 and moves the substrate S to be processed to the transfer chamber 50 side.

이송 구역(41a, 41b)들 가운데 기판(S)의 반입에 이용된 이송 구역(41a, 41b)은 덮개(150)가 기판(S)과 함께 반출되어, 덮개 지지부(130)는 비어 있는 상태가 된다. 제어기(70)는 기판(S)을 트랜스퍼 챔버(50)로 반입할 때, 덮개 지지부(130)가 비어 있는 이송 구역(41a, 41b)에 대한 정보를 저장한다.The transfer areas 41a and 41b used to transfer the substrate S among the transfer areas 41a and 41b are taken out together with the substrate S so that the lid supporting part 130 is in an empty state do. The controller 70 stores information about the transfer areas 41a and 41b where the lid support 130 is empty when the substrate S is transferred into the transfer chamber 50. [

도 8은 반송 로봇이 공정 챔버로 기판을 반입하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 9는 서셉터에 기판이 위치된 상태를 나타내는 도면이다.Fig. 8 is a view showing a state in which the carrying robot loads a substrate into a process chamber, and Fig. 9 is a view showing a state in which a substrate is placed in the susceptor.

도 8 및 도 9를 참조하면, 로드락 챔버(40)에서 반출된 기판(S)은 공정 챔버(60)로 반입된다.8 and 9, the substrate S taken out of the load lock chamber 40 is transferred to the process chamber 60. [

공정 챔버(60)로 기판(S)이 반입 될 때, 서셉터(2200)에는 리프트 핀(2230)이 상승된 상태일 수 있다. 반송 로봇(53)은 기판(S)이 서셉터(2200)와 상하로 정렬 되도록 한 후, 아래쪽으로 이동한다. 이에 따라 기판(S)은 리프트 핀(2230)에 지지되고, 반송 로봇(53)은 트랜스퍼 챔버(50) 쪽으로 이동된다. 이 후, 리프트 핀(2230)이 하강하면 기판(S)은 서셉터(2200)의 상면에 위치된다.When the substrate S is carried into the process chamber 60, the susceptor 2200 may be in a raised state with the lift pins 2230. [ The transport robot 53 moves the substrate S downward after aligning the substrate S with the susceptor 2200 upside down. Thus, the substrate S is supported by the lift pins 2230, and the transfer robot 53 is moved toward the transfer chamber 50. Thereafter, when the lift pin 2230 is lowered, the substrate S is positioned on the upper surface of the susceptor 2200.

본 발명의 실시 예에 따르면, 공정 챔버(60)로 반입된 기판(S)은 외측 둘레가 덮개(150)로 덮인 상태로 제공된다. 따라서 공정 처리 중 기판(S)의 외측 둘레가 플라즈마 노출되어 발생되는 현상이 방지되거나 그 정도가 저감될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)이 서셉터(2200)에 위치되면, 기판(S)의 외측 둘레 저면이 완전한 평면을 이루지 못하는 등의 문제로 인해, 기판(S)의 외측 저면과 서셉터(2200)사이에 간극이 발생될 수 있다. 이와 같은 간극은 기판(S)이 처리되는 과정에서 아크를 발생시켜 기판(S)의 손상을 야기할 수 있다. 또한, 필요에 따라 기판(S)의 외측 둘레는 플라즈마에 의한 처리가 이루어 지는 것을 차단할 필요가 있을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate S carried into the process chamber 60 is provided with its outer perimeter covered with the lid 150. Accordingly, the phenomenon that the outer periphery of the substrate S is exposed due to the plasma exposure during the processing can be prevented or reduced. For example, if the substrate S is placed on the susceptor 2200, the outer peripheral bottom surface of the substrate S can not be perfectly flat, A gap may be generated. Such a gap may generate an arc in the course of processing the substrate S, and may cause the substrate S to be damaged. Further, it may be necessary to prevent the outer circumference of the substrate S from being processed by the plasma as necessary.

또한, 본 발명은 공정 챔버(60)의 내측에 기판(S)에 덮개(150)를 위치시키는데 필요한 구성이 제공되지 않아, 공정 챔버(60)의 유지 보수가 간편해 진다.Further, the present invention is not provided with a structure necessary for positioning the lid 150 on the substrate S inside the process chamber 60, so that the maintenance of the process chamber 60 is simplified.

기판(S)의 처리가 완료되면, 기판(S)은 반입 과정의 역순으로 반출이 이루어 진다. 먼저, 리프트 핀(2230)이 상승되면, 반송 로봇(53)은 덮개(150)가 위치된 기판(S)을 공정 챔버(60)에서 반출한다. 제어기(70)는 이송 구역(41a, 41b)들 가운데 덮개 지지부(130)가 비어 있는 이송 구역(41a, 41b)으로 기판(S)이 반입되도록 반송 로봇(53)은 제어한다. 반송 로봇(53)은 덮개(150)가 덮개 지지부(130)와 상하로 정렬 되도록 기판(S)을 로드락 챔버(40)로 반입한 후 하강하여, 덮개(150)와 기판(S)이 각각 덮개 지지부(130) 및 기판 지지부(110, 120)에 위치되도록 한다. 이 후, 반송 로봇(53)은 트랜스퍼 챔버(50)로 이동하고, 인덱스 로봇(25)이 로드락 챔버(40)로 들어와 처리된 기판(S)을 로드락 챔버(40)에서 반출한다.When the processing of the substrate S is completed, the substrate S is taken out in the reverse order of the carrying-in process. First, when the lift pins 2230 are lifted, the transfer robot 53 takes out the substrate S on which the lid 150 is placed, from the process chamber 60. The controller 70 controls the conveying robot 53 such that the substrate S is carried into the conveying sections 41a and 41b in which the lid supporting section 130 is empty among the conveying sections 41a and 41b. The transfer robot 53 transfers the substrate S to the load lock chamber 40 so that the lid 150 is vertically aligned with the lid supporter 130 and then descends so that the lid 150 and the substrate S To be positioned in the lid support 130 and the substrate supports 110,120. Thereafter, the transfer robot 53 moves to the transfer chamber 50, and the index robot 25 enters the load lock chamber 40 to take out the processed substrate S from the load lock chamber 40.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 로드 포트 20: 설비 전방 단부 모듈
25: 인덱스 로봇 30: 공정 처리실
40: 로드락 챔버 50: 트랜스퍼 챔버
53: 반송 로봇 60: 공정 챔버10: load port 20: equipment front end module
25: index robot 30: process processing room
40: load lock chamber 50: transfer chamber
53: transfer robot 60: process chamber

Claims (19)

로드 포트 및 인덱스 로봇을 갖는 설비 전방 단부 모듈;
기판을 공정 처리하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버에 대해 상기 기판을 반입 또는 반출하는 반송 로봇을 갖는 트랜스퍼 챔버;
상기 트랜스퍼 챔버와 상기 설비 전방 단부 모듈 사이에 위치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판이 상기 공정 챔버에서 처리되기 위해 반입될 때 상기 기판의 외측 둘레에 위치된 후 상기 기판과 함께 상기 트랜스퍼 챔버로 이동되는 덮개를 지지하는 덮개 지지부를 갖는 로드락 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.A facility front end module having a load port and an index robot;
A process chamber for processing the substrate;
A transfer chamber having a transfer robot for loading or unloading the substrate with respect to the process chamber;
A substrate support positioned between the transfer chamber and the facility front end module for supporting the substrate; a substrate support positioned about an outer periphery of the substrate when the substrate is transported for processing in the process chamber, And a load lock chamber having a lid support for supporting a lid to be transferred to the transfer chamber. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지부는,
상기 기판의 저면을 지지하는 제1 기판 지지부를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate-
And a first substrate support for supporting a bottom surface of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판 지지부는,
상기 기판의 외측 둘레를 지지하는 제2 기판 지지부를 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The substrate-
And a second substrate support portion for supporting the outer periphery of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 덮개 지지부는,
상기 기판 지지부의 외측에 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The lid-
And wherein the substrate processing apparatus is located outside the substrate supporting section. 제1항에 있어서,
상기 덮개 지지부는 그 상단이 상기 기판 지지부의 상단보다 설정 길이 높게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And the upper end of the lid support portion is positioned higher than the upper end of the substrate supporting portion by a predetermined length. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지부의 외측에 위치되고, 상기 기판 지지부에 위치된 상기 기판의 측면 방향으로 이동 가능한 푸셔를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a pusher positioned outside the substrate support and movable in a lateral direction of the substrate positioned in the substrate support. 제6항에 있어서,
상기 푸셔는 상기 기판을 기준으로 서로 마주보도록 복수로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the plurality of pushers are provided so as to face each other with respect to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버는 복수가 제공되고,
상기 로드락 챔버는 각각 상기 기판 지지부 및 상기 덮개 지지부를 갖는 복수의 이송 구역들을 갖는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The process chamber is provided with a plurality,
Wherein the load lock chamber has a plurality of transfer zones each having the substrate support and the lid support. 제8항에 있어서,
상기 이송 구역들 각각은 상기 기판이 상기 설비 전방 단부 모듈에서 상기 트랜스퍼 챔버로 반입되는 경로와, 상기 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein each of the transfer zones provides a path through which the substrate is transferred from the facility front end module to the transfer chamber and a path through which the substrate is transferred from the transfer chamber to the facility front end module. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 이송 구역들의 개수는 상기 공정 챔버들의 개수 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the number of transfer zones is provided by more than the number of process chambers. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버는 플라즈마를 통한 공정 처리를 수행하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber performs process processing through plasma. 공정 처리 전의 기판을 로드락 챔버로 반입하는 단계;
상기 로드락 챔버 내에서 상기 기판의 외측 둘레에 덮개를 위치시키는 단계;
상기 덮개가 위치된 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 반출하는 단계; 및
상기 덮개가 위치된 상기 공정 처리 전의 기판을 공정 챔버로 반입하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Transferring the substrate before the process processing into the load lock chamber;
Positioning a lid around an outer periphery of the substrate within the load lock chamber;
Transferring the substrate before the processing process in which the cover is located from the load lock chamber to the transfer chamber; And
And bringing the substrate before the processing process in which the lid is located into the process chamber. 제12항에 있어서,
상기 덮개를 위치시키는 단계는,
상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 상기 덮개의 아래쪽에 위치된 상태에서 상하로 정렬하는 단계;
상기 공정 처리 전의 기판을 상기 덮개 방향으로 상승 시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The step of positioning the lid comprises:
Aligning the substrate before the processing process up and down in a state of being positioned below the cover placed in the load lock chamber;
And raising the substrate before the processing step in the lid direction. 제13항에 있어서,
상기 로드락 챔버에 위치된 상기 덮개는,
상기 로드락 챔버에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부의 외측에 위치된 덮개 지지부에 위치된 상태로 제공되는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Said cover located in said load lock chamber,
Wherein the substrate is provided in a state of being located at a lid support positioned outside the substrate support for supporting the substrate in the load lock chamber. 제12항에 있어서,
상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버로 반입하는 단계는 설비 전방 단부 모듈의 인덱스 로봇에 의해 이루어 지고,
상기 덮개를 위치시키는 단계 및 상기 공정 처리 전의 기판을 상기 로드락 챔버에서 반출하는 단계는 상기 트랜스퍼 챔버의 반송 로봇에 의해 이루어 지는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the step of bringing the substrate before the processing into the load lock chamber is performed by an index robot of the facility front end module,
Wherein the step of positioning the cover and removing the substrate before the process processing from the load lock chamber is performed by the transfer robot of the transfer chamber. 제12항에 있어서,
상기 공정 챔버를 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리 하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the processing chamber is treated with plasma. 외측 둘레에 덮개가 위치되고, 공정 처리 된 기판을 트랜스퍼 챔버에서 로드락 챔버로 반입하는 단계;
상기 덮개를 상기 로드락 챔버의 내측에 위치시키는 단계;
상기 공정 처리된 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 기판 지지부에 위치시키는 단계; 및
상기 기판을 설비 전방 단부 모듈로 반출하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Transferring the processed substrate from the transfer chamber to the load lock chamber;
Positioning the lid within the load lock chamber;
Positioning the processed substrate in a substrate support positioned in the load lock chamber; And
And transporting the substrate to the plant front end module. 제17항에 있어서,
상기 덮개를 상기 로드락 챔버의 내측에 위치시키는 단계는,
상기 공정 처리 된 기판을 상기 로드락 챔버에 위치된 덮개 지지부위 위쪽에 위치시키는 단계;
상기 공정 처리 된 기판을 아래쪽으로 이동 시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
The step of locating the cover inside the load lock chamber comprises:
Positioning the processed substrate above a lid support portion located in the load lock chamber;
And moving the processed substrate downward. 제17항에 있어서,
상기 기판을 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출하는 단계는 상기 설비 전방 단부 모듈에 위치된 인덱스 로봇으로 이루어 지고,
상기 공정 처리 된 기판을 상기 로드락 챔버로 반입하는 단계 내지 상기 상기 기판을 지지부에 위치시키는 단계는 상기 트랜스퍼 챔버에 위치된 반송 로봇으로 이루어 지는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the step of transporting the substrate to the facility front end module comprises an index robot located in the facility front end module,
Wherein the step of transferring the processed substrate to the load lock chamber or the step of positioning the substrate on the support part comprises a transfer robot positioned in the transfer chamber.
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