KR101920172B1 - 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

펠리클은 제조 과정에 있어서 다양한 원인으로 진애 등에 오염되지만, 특히, 트리밍 시나 펠리클막에 대한 각종 가공 시에, 진애 등이 부착될 리스크가 높다는 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 진애 등의 부착을 저감시키는 EUV용 펠리클의 제조 방법을 제공한다. 기판 위에 펠리클막을 형성하고, 기판을 트리밍하고, 트리밍한 후에 적어도 기판의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법이다. 또한, 기판의 일부를 제거하기 전에, 적어도 펠리클막면에 부착된 입자를 제거한다.

Description

펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법{PELLICLE FILM, PELLICLE FRAME, AND PELLICLE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

본 발명은 포토리소그래피용 마스크에 사용되는, 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 극단 자외광(Extreme Ultraviolet: EUV) 리소그래피용 극박막인 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

포토리소그래피 공정에서는, 마스크 또는 레티클 위에 진애 등의 티끌(파티클)이 부착되는 것을 방지하기 위해, 마스크 패턴을 둘러싸는 크기의 프레임의 일단부에 펠리클막을 걸친 펠리클이 사용되고 있다.

여기서, 애당초 펠리클은 진애 등의 티끌로부터 포토마스크를 보호하기 위해 사용되고 있는 점에서, 제조한 펠리클에 진애 등이 부착되어 있으면, 펠리클을 사용하는 의미가 감쇄되어 버린다. 따라서, 진애 등의 부착을 저감시키는 펠리클의 제조 방법은 현재 갈망되고 있는 기술이다.

여기서, 특히 EUV용 펠리클에서는, 특허문헌 1과 같이, 펠리클막은 먼저 실리콘 기판 등의 기판 위에 CVD 또는 스퍼터 또는 그 이외의 성막 방법을 사용하여 성막된 후, 기판만을, 주위의 프레임 형상 영역을 남기고 에칭 등으로 제거함(백 에칭)으로써 얻어지지만, 에칭에는 일반적으로는 기존의 반도체 제조 프로세스가 사용되므로, 원반 형상, 소위 웨이퍼 상태 그대로 행해진다. 그 결과, 펠리클막체를 얻기 위해서는, 펠리클막의 기판의 백 에칭 후에, 펠리클막의 트리밍을 실시하는 방법이 기재되어 있다. 단, 이 방법에 의해 펠리클막을 제조하면, 트리밍을 했을 때 발생한 파티클(입자)이 막 표면에 퇴적되어 버려, 펠리클막을 오염시켜 버린다는 문제가 있다.

일본 특허 공개 제2013-004893호 공보

펠리클은 제조 과정에 있어서 다양한 원인으로 진애 등에 오염되지만, 특히, 트리밍 시나 펠리클막에 대한 각종 가공 시에, 진애 등이 부착될 리스크가 높다는 문제가 있다.

여기서, 완성된 펠리클막을 세정하는 방법을 생각할 수 있지만, 극박막인 EUV용 펠리클막은 막 두께가 나노미터 오더여서 매우 찢어지기 쉽다. 스텔스 다이싱에 의해 트리밍을 행하는 방법도 생각할 수 있지만, 익스팬드 시에 입자가 발생하여 펠리클막에 부착되어 버리는 현상이 여전히 존재하여, 근본적 해결에는 이르지 못한다.

따라서, 본 발명은 진애 등의 부착을 저감시키는 EUV용 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 기판 위에 펠리클막을 형성하고, 펠리클막을 트리밍하고, 트리밍한 후에 펠리클막으로부터 기판의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법을 제공한다.

또한, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 기판 위에 펠리클막을 형성하고, 기판을 트리밍하고, 트리밍한 후에 펠리클막으로부터 기판의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법을 제공한다.

일 실시 형태에 있어서, 기판의 일부를 제거하기 전에, 적어도 펠리클막면에 부착된 입자를 제거해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 기판의 일부를 제거하기 전에, 기판의 단부를 모따기해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 입자를 제거하기 전에, 적어도 기판에 구멍을 형성해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 입자를 제거하기 전에, 적어도 펠리클막 및 기판에 구멍을 형성해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 입자를 제거하기 전에, 적어도 펠리클막에 구멍을 형성해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 구멍을 형성하기 위해서, 극단 펄스 레이저를 사용해도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 기판의 일부를 제거하는 공정은 습식 에칭 공정이며, 구멍은 습식 에칭 공정에 의해 형성되어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 극단 펄스 레이저를 사용하여 트리밍을 해도 된다.

본 발명에 따르면, 펠리클막과 제1 프레임체를 갖고, 펠리클막은 제1 프레임체에 걸쳐지고, 제1 프레임체의 단부에 적어도 하나의 만곡부를 갖는 펠리클 프레임체가 제공된다.

본 발명에 따르면, 펠리클막과 제1 프레임체를 갖고, 펠리클막은 제1 프레임체에 걸쳐지고, 제1 프레임체의 단부에 경사면을 갖고, 제1 프레임체의 상면과 경사면이 이루는 각이 100도 내지 170도인 펠리클 프레임체가 제공된다.

본 발명에 따르면, 펠리클 프레임체가 제2 프레임체에 접속되고, 제2 프레임체의 단부에 만곡부를 갖는 펠리클이 제공된다.

본 발명에 있어서, 제1 프레임체의 단부란, 측면, 모서리부, 코너부를 가리킨다. 구체적으로는, 기판(기판을 제1 프레임체로서 사용하는 경우에 있어서는 제1 프레임체)의 측면과 측면이 이루는 모서리부와, 기판의 상면(펠리클막과 접하는 측의 면)과 측면이 이루는 모서리부와, 기판의 상면과 2개의 측면이 교차하는 점을 포함하는 영역인 코너부를 포함한다.

본 발명에 따른 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법은, 구멍 형성이나 트리밍 등의 발진을 수반하는 공정을, 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 행함으로써, 발진을 수반하는 공정에 의해 펠리클막에 진애 등의 부착이 있었던 경우에도, 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 펠리클막을 세정함으로써, 완성된 펠리클의 진애 등의 부착을 극한까지 감소시킬 수 있어, 고품위의 펠리클을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 형태에서는, R면 가공 또는 C면 가공을 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 행함으로써, (제조 후에 있어서도) 진애 등의 부착을 저감시킬 수 있는 펠리클 프레임체 및 펠리클을 제공할 수 있다.

도 1은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 기판(100)의 단면도를, (b)는 기판(100)과 기판(100)에 적층된 펠리클막(102)의 단면도를 도시한다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b), (c)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a), (d)는 상면도를 도시하고, (b), (c)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b), (c), (d), (e), (f)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 8은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 9는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 10은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 11은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 12는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체 및 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를 도시한다.
도 13은 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체, 펠리클, 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 일부 확대도를, (c)는 A-A' 사이의 단면도를, (d)는 일부 확대도를 도시한다.
도 14는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체, 펠리클, 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이며, (a)는 상면도를 도시하고, (b)는 A-A' 사이의 단면도를, (c)는 일부 확대도를 도시한다.
도 15는 일 실시 형태에 따른 펠리클 프레임체, 펠리클, 펠리클의 제조 방법을 도시하는 모식도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면 등을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 많은 상이한 형태로 실시하는 것이 가능하며, 이하에 예시하는 실시 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해서, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 이미 나온 도면에 대하여 상술한 것과 마찬가지의 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재 또는 영역이, 다른 부재 또는 영역의 「위에(또는 아래에)」 있다고 하는 경우, 특별한 한정이 없는 한, 이것은 다른 부재 또는 영역의 바로 위(또는 바로 아래)에 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있는 경우를 포함하고, 즉, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있어서 그 사이에 다른 구성 요소가 포함되어 있는 경우도 포함한다.

또한, 본 명세서에 있어서, 펠리클막이란 펠리클에 사용되는 박막을 의미한다. 펠리클 프레임체란 펠리클막에 제1 프레임체를 접속한 것을 의미한다. 펠리클이란, 펠리클 프레임체에 제2 프레임체를 접속한 것을 의미한다.

트리밍이란, 기판, 또는 기판 및 그 위에 형성된 펠리클막을, 원하는 펠리클의 형상에 맞추어 절단하는 것이다. 펠리클의 형상은 대부분은 직사각형인 점에서, 본 명세서에서는 트리밍의 구체예로서 직사각형상으로 절단하는 예를 나타내고 있다.

본 명세서에서는, 펠리클막을 남기고 기판의 일부를 제거하는 공정을 백 에칭이라고 칭한다. 명세서 중, 백 에칭의 예로서 배면(기판의, 펠리클막이 형성된 곳과 반대측의 면)으로부터 에칭하는 것을 나타내고 있다.

본 명세서 중, 모따기란, R면 가공 및 C면 가공을 포함하는 개념이다. R면 가공이란, 기판, 제1 프레임체(기판을 백 에칭한 것을 포함), 제2 프레임체의 적어도 하나의 단부(측면, 모서리 또는 코너부 등을 가리킴)를 가공함으로써 만곡부를 형성하는 것을 말한다. C면 가공이란, 상기 적어도 하나의 단부를 비스듬히(135도에 한정되지 않음) 깎는 것을 말한다.

(실시 형태 1)

본 발명을 실시하는 형태에 대해서, 도 1 내지 도 5를 사용하여 설명한다.

본 발명에 따른 펠리클의 제조 방법에 의해 제조하려고 하는 펠리클은, 포토리소그래피용 펠리클이다.

도 1은 본 실시 형태에 따른 펠리클의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 2의 (a)는 기판의 단면도이다. 본 발명에서는, 먼저, 기판(100)(예를 들어 실리콘 웨이퍼) 위에 CVD법(Chemical Vapor Deposition)(예를 들어, LP-CVD 성막, PE-CVD 성막 등)이나 스퍼터 제막 등의 방법에 의해, 도 1에 도시하는 바와 같이 펠리클막(102)을 형성한다(S101). 도 3에서는 기판은 정원으로 되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 오리엔테이션 플랫이나 노치 등이 형성되어 있어도 된다. 또한, 기판의 종류에는 특별히 한정은 없다.

펠리클막의 재료로서는 폴리실리콘 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 실리콘계의 재료를 적층시킬 경우에는, 적층의 용이함 때문에, 기판으로서는 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것이 바람직하다.

EUV를 투과시킨다는 관점에서, 펠리클막의 두께는 10㎚ 이상 100㎚ 이하 정도이고, 바람직하게는 20㎚ 이상 60㎚ 이하이다. 펠리클막은 기판 전체에 형성되어 있지 않아도 된다.

또한, 펠리클막은 단층에 한정되지 않고, 적층 구조여도 된다. 예를 들어, 제1 질화실리콘층, 폴리실리콘층, 제2 질화실리콘층의 3층의 적층 구조를 취할 수도 있다. 펠리클막이 제1 질화실리콘층, 폴리실리콘층, 제2 질화실리콘층의 3층의 적층 구조를 취할 경우, 질화실리콘은 1㎚ 이상 5㎚ 이하, 폴리실리콘은 30㎚ 이상 60㎚ 이하, 질화실리콘은 1㎚ 이상 5㎚ 이하 형성할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 질화실리콘은 1.5㎚ 이상 3㎚ 이하, 폴리실리콘은 30㎚ 이상 50㎚ 이하, 질화실리콘은 1.5㎚ 이상 3㎚ 이하로서 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이 기판(100)에 1개 이상의 구멍(110)을 뚫어도 된다(S102). 도 3은 구멍(110)을 기판의 네 방향에 형성한 도면이다. 도 3의 (a)는 상면도, 도 3의 (b) 및 (c)는 상면도인 도 3의 (a)의 A-A' 사이의 단면도이다. 구멍은 기판(100)을 관통하고 있지 않아도 된다. 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 형성된 기판(100) 위의 펠리클막(102)에, 1개 이상의 구멍(110)을 뚫어도 된다(S102).

구멍은 도 3의 (b)와 같이, 기판을 관통하지 않아도 된다. 물론, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 기판을 관통해도 된다. 도 3의 (b), (c)와 같이, 구멍은 펠리클막 및 기판에 형성되어 있어도 된다.

기판을 관통하는 구멍을 형성하는 경우로서, 후술하는 트리밍 공정에 있어서에칭에 의한 트리밍을 선택한 경우 및, 백 에칭을 행하는 경우에는, 구멍의 보호를 행하기 위해서 에칭을 행할 때 구멍을 일단 막거나, 또는, 레지스트에 의해 구멍 부분의 보호를 행하는 등의 공정을 마련해도 된다.

구멍(110)의 크기에는 한정이 없지만, 예를 들어 구멍이 대략 원형의 형상이라면, 직경 50㎛ 이상 2000㎛ 이하 정도의 구멍을 뚫는다. 바람직하게는, 직경 200㎛ 이상 700㎛ 이하 정도의 구멍을 뚫는다. 또한, 구멍(110)의 형상에는, 특별히 한정은 없고, 다각형(예를 들어 대략 사각형)이어도 된다. 대략 사각형의 경우, 1변의 길이에 한정은 없지만, 긴 변의 길이가 100㎛ 이상 3000㎛ 이하, 짧은 변의 길이가 50㎛ 이상 1000㎛ 이하인 구멍을 뚫을 수 있고, 바람직하게는 긴 변의 길이가 150㎛ 이상 2000㎛ 이하, 짧은 변의 길이가 100㎛ 이상 700㎛ 이하가 바람직하다.

구멍(110)은 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 펠리클의 코너부에 배치해도 되지만, 구멍을 형성하는 위치에 한정은 없다. 구멍(110)은 펠리클막을 포토마스크에 설치하거나 디마운트하거나 할 때의 지그 구멍이나 통기구로서 사용할 수 있지만, 펠리클에게 구멍이 필수적인 구성 요소라는 것은 아니다.

구멍(110)은 극단 펄스 레이저, 그 밖의 레이저, 에칭 등에 의해 형성한다. 레이저에 의해 형성하는 경우, 진애 등이 적은 고품질의 펠리클막을 제작하는 관점에서, 파편을 저감하여 가공 가능한, 극단 펄스 레이저(예를 들어, 피코초 레이저나, 나노초 레이저)를 사용하여 구멍을 형성하는 것이 바람직하다. 단, 이 시점에서 구멍을 형성하는 것은 아니고, 후술하는 기판의 백 에칭 시에 에칭에 의해 구멍(110)을 동시에 형성함으로써, 공정을 단순화하는 것이 가능하다. 즉, 트리밍을 행한 후에, 구멍 형성과 에칭이 동시에 행해진다는 순서이다.

나노초 레이저를 사용하는 경우의 조건으로서는, 반복 발진 주파수 5㎑ 이상 15㎑ 이하, 펄스 에너지 5W 이상 15W 이하, 스캔 매초 5㎜ 이상 30㎜ 이하, 스캔 횟수 40회 이상 300회 이하로 할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

또한, 극단 펄스 레이저를 사용하여 가공할 때에는, 레이저용 드로스 부착 방지제를 사용해도 된다. 예를 들어, 드로스 방지제로서는, 구멍을 형성하기 전에 기판 위에 이소프로필알코올(IPA)에 마이크로 그래파이트를 혼합한 CBX 등의 약제를 도포하는 것을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 드로스 부착 방지제를 사용한 경우에는, 구멍 형성 후에 이것을 세정에 의해 제거한다. 그 밖의 드로스 부착 방지법으로서는, 예를 들어 헬륨 가스를 가공 기판에 분사하면서 레이저 가공을 행함으로써 드로스 부착을 억제할 수 있다.

본 발명에서는 펠리클막을 트리밍한다(S103).

본 발명에서는 기판을 트리밍하고(S103), 또한 기판 위에 형성된 펠리클막을 기판과 함께 트리밍해도 된다(S103). 즉, 기판만을 트리밍해도 된다.

트리밍 후의 기판을 관통하고 있지 않은 구멍을 갖는 펠리클막의 모식도가 도 4의 (b)이며, 기판을 관통한 구멍을 갖는 펠리클막의 모식도가 도 4의 (c)이다. 트리밍의 예로서 직사각형 형상으로 트리밍하는 구체예를 기재하고 있지만, 임의의 형상으로 가공 가능하다. 트리밍 방법에 한정은 없다. 예를 들어, 기계적으로 힘을 가하여, 펠리클막 및 기판을 절단한다는 방법도 있고, 레이저 절단이나 레이저 하프컷(스텔스 다이싱)이나 블레이드 다이싱이나 샌드블라스트나 결정 이방성 에칭이나 건식 에칭에 의한 것도 가능하다. 바람직하게는, 트리밍할 때 이물 입자의 발진이 적은 수법이 바람직하다. 또한, 트리밍 후의 크기, 형상에는 한정이 없다.

예를 들어, 발진이 적은 트리밍 방법으로서, 신축성이 있고 외부로부터의 자극을 받으면 점착력이 저하되는 점착 시트(112)를 기판의 양면 측에 부착한 다음, 점착 시트가 부착된 부분의 기판 내부에 어떤 브리지(114)를 만들고(도 4의 (d)), 이 후, 이 브리지(114)에 절입을 넣음으로써 트리밍을 행해도 된다.

상기 설명에서는 구멍 형성(S102) 후에 트리밍(S103)을 행하고 있지만, 트리밍과 구멍을 뚫는 것은 순서가 바뀌어도 상관없고, 사이에 다른 공정을 끼워 넣어도 되는 것은 당연하다. 단, 실리콘 웨이퍼를 기판으로서 사용할 경우, 가공의 용이함 때문에, 구멍 형성, 트리밍, 에칭의 순으로 행해지는 것이 바람직하다고 할 수 있다.

본 발명에 있어서는 구멍 형성이나 트리밍 등의 발진을 수반하는 공정을, 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 행함으로써, 발진을 수반하는 공정에 의해 펠리클막에 진애 등의 입자의 부착이 있었던 경우에도, 펠리클막 아래 기판의 최종 제거 공정 전에 펠리클막을 세정하는 것 등에 의해 입자의 제거가 가능하다. 이 점이 종래의 펠리클 제조 방법과 크게 상이한 점이다.

본 발명에서는 입자를 제거하는 공정을 포함해도 된다(S104). 입자를 제거하는 방법으로서는, 예를 들어 습식 세정법, 기계적 세정법, 건식 세정법 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

습식 세정법으로서는, 예를 들어 순수에 의한 세정, 유기 용제에 의한 세정이 가능하다. 또한, 황산과수 세정(황산과 과산화수소의 혼합물), 버퍼드 불산(불화수소산과 불화암모늄의 혼합물), 불화수소산 등에 의한 세정이 가능하다. 또한, 임의의 순서로 세정을 조합해도 된다.

기계적 세정법으로서는 브러시 세정, 요동 세정, 초음파 세정 또는 아르곤 등의 에어로졸의 고압 분사에 의한 것이어도 된다.

건식 세정법으로서는 0₂ 플라즈마를 사용한 애싱 세정, 아르곤 스퍼터링 등이 있다.

본 발명에서는 기판의 일부를 제거하는 공정을 포함한다(S105). 도 5에 기판의 일부를 제거한 펠리클막의 모식도를 도시한다. 기판의 제거는, 기판을 프레임 형상으로 남기고 제거해도 된다. 이에 의해, 극박막인 EUV용 펠리클막이어도, 프레임 형상이 된 기판에 의해 지지되어, 파손을 방지할 수 있다.

기판의 제거는 습식 결정 이방성 에칭, 건식 이방성 에칭 또는 건식 등방성 에칭 등의 에칭을 이용해도 되고, 에칭 또는 연마를 이용해도 되고, 또는, 이것과 기판을 얇게 하는 방법(예를 들어, CMP 연마 등)을 조합해도 된다.

기판의 제거를 에칭으로 행하는 경우에는, 동일 공정에서 에칭에 의해 구멍(110)을 형성해도 된다.

기판을 얇게 하는 공정은, 구멍의 형성 전 내지 기판의 제거 전 등에 행해도 된다. 이 공정을 도입함으로써, 에칭에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 이 과정을 행하는 단계에 대해서는 특별히 한정은 없다.

도 5와 같이, 기판의 일부를 남기고 제거해도 된다. 남긴 부분은 펠리클막의 제1 프레임체(116)로서 이용할 수 있다. 프레임체로서 남기는 기판의 형상에는 특별히 한정은 없다. 강도를 높인다는 관점에서 프레임체로서 남기는 기판을 많게 할 수도 있다.

기판의 일부를 남기기 위해, 제거하지 않은 개소에 해당하는 기판의 배면 측을 마스크함으로써 패터닝한다. 마스크에는 통상 에칭 시에 사용되는 것을 사용하면 되고, 예를 들어 질화실리콘을 들 수 있다. 에칭에 의해 구멍을 형성하는 경우에는, 백 에칭의 해당 개소뿐만 아니라, 구멍의 해당 개소도 포함하여 패터닝을 행한다.

또한, 에칭 전에, 프레임체가 되는 부분에 다른 프레임체를 부착한 상태에서 에칭을 실시해도 된다. 별도의 프레임체를 부착함으로써, 프레임체를 보강할 수 있다. 별도의 프레임체로서는, 예를 들어 후술하는 제2 프레임체(118)를 사용해도 되고, 프레임체 및 제2 프레임체와는 상이한 보강 프레임을 사용해도 된다.

트리밍 후, 또한, 에칭 전에는 보호막을 형성해도 된다. 보호막은, 에칭 공정이나 레이저 가공에 의해 펠리클막 및 제1 프레임체가 오염되거나, 에칭되어 버리거나 하는 것을 방지하기 위해 형성된다. 보호막을 형성한 경우에는, 에칭 공정이나 레이저 가공 후에 애싱을 행할 필요가 있다.

예를 들어, 기판을 얇게 하는 공정을 도입했을 경우, 기판의 물리적 강도가 일시적으로 저하되어 버릴 우려가 있기 때문에, 보강 프레임을 사용함으로써 파손을 방지할 수 있다.

제작한 펠리클 프레임체에는, 접착제 내지 점착제 등에 의해 별도 제2 프레임체(118)를 접속해도 된다(도 5의 (c), (d)). 또한, 별도 접속하는 제2 프레임체의 형상, 크기, 재질에는 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 도 5와 같이 펠리클막을 대략 직사각형으로 트리밍하고, 백 에칭에 의해 제1 프레임체(116)를 제작한 것이라면, 제1 프레임체(116)와 대략 동일한 형상의 제2 프레임체를 별도 제작하여 제1 프레임체(116)에 접속해도 된다. 단, EUV용 펠리클은, 펠리클의 높이에 제한이 있기 때문에, 펠리클막과 프레임체의 합계의 높이가 2㎜ 이하가 되는 것이 바람직하다. 또한, 도 5의 (d)와 같이, 별도 접속하는 제2 프레임체에는 지그 구멍이 형성되어 있어도 되고, 도 5의 (c)와 같이, 형성되어 있지 않아도 된다.

또한, 도 5의 (e)와 같이, 관통 구멍을 갖지 않는 제2 프레임체를 별도 접속해도 되고, 도 5의 (f)와 같이, 관통 구멍을 갖는 제2 프레임체를 별도 접속해도 된다. 도 5의 (f)의 관통 구멍은 통기 구멍으로서 기능할 수 있다.

펠리클막이 형성된 프레임인 제1 프레임체는, EUV 레이저 환경에서 사용되는 점에서, ArF 레이저용 펠리클에서 사용되는 알루미늄 합금 등을 사용할 수도 있지만, 펠리클 전체로서의 열변형을 저감하기 위해, 펠리클막과 선열팽창률이 가까운 실리콘, 사파이어, 탄화규소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 실리콘이다.

또한, 펠리클 프레임체(펠리클막에 제1 프레임체를 접속한 것)와, 제2 프레임체는 핀에 의해 접속되어도 된다. 즉, 펠리클 프레임체의 모서리나 변의 위 등에 핀 구멍을 형성하고, 이것과 오버랩되는 제2 프레임체의 개소에 핀 구멍을 형성하여, 이것들을 핀으로 접속해도 된다.

본 실시 형태에 따른 펠리클의 제조 방법은, 구멍 형성이나 트리밍 등의 발진을 수반하는 공정을, 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 행함으로써, 발진을 수반하는 공정에 의해 펠리클막에 진애 등의 부착이 있었던 경우에도, 펠리클막 아래 기판의 제거 공정 전에 펠리클막을 세정함으로써, 완성된 펠리클막의 진애 등의 부착을 극한까지 감소시킬 수 있어, 고품위의 펠리클막의 제조 방법을 제공할 수 있다.

(실시예 1)

도 6은 실시예 1에 따른 펠리클의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 7은 기판(200) 위에 펠리클막(202)을 형성한 상태를 도시하는 모식도이다. 본 실시 형태에서는, 먼저 725㎛ 두께, 8인치의 실리콘 웨이퍼(200) 위에 CVD법(Chemical Vapor Deposition)에 의해 질화실리콘(204)을 5㎚ 형성하고, 그 위에 폴리실리콘(206)을 60㎚ 형성하고, 그 위에 질화실리콘(208)을 5㎚ 형성함으로써, 펠리클막(202)을 제작했다(S201).

본 실시예에서는, 이어서, 구멍(210)을 합계 48개 형성했다(S202). 구멍은 짧은 변 200㎛, 긴 변 1500㎛의 대략 직사각형으로서, 8인치 웨이퍼의 긴 변 측에 14개, 짧은 변 측에 10개 형성했다(도 8의 (a)).

본 실시예에서는, 구멍은, 나노초의 극단 펄스 레이저를 사용하여 형성했다(S202). 극단 펄스 레이저는, 펄스 폭이 피코초 또는 나노초의 영역에 있는 레이저광이며, 펄스 폭이 매우 짧음으로써, 펠리클막에 열 영향을 거의 주지 않고, 문제(예를 들어 마이크로 크랙의 발생)를 회피하여 가공하는 것이 가능하게 되어 있다.

구멍을 형성하기 위해, 먼저, 펠리클막면에 레이저용 드로스 방지제를 도포하였다. 레이저용 드로스 방지제로서는, J 인터내셔널 제조 레이저 CBX(수용성 속건 타입, IPA에 마이크로 그래파이트를 함유)를 사용하였다. 레이저 CBX의 도포 후, 레이저 CBX를 건조시켰다.

건조 후, 나노초 레이저에 의해 구멍을 형성하였다. 나노초 레이저는, 나노초 2ω 레이저이며, 1064㎚ 파장의 YAG 광원을 파장 변환해 2배파인 532㎚ 파장광의 나노초 레이저광을 조사하는 것으로서, 반복 발진 주파수 10㎑, 펄스 에너지 9W, 스캔 매초 20㎜, 스캔 횟수 200회로서 사용하였다.

구멍 형성 방법에 의해, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 48개의 구멍을 형성한 후, 레이저 CBX를 세정하였다.

나노초 레이저를 사용하여, 실리콘 웨이퍼를 긴 변 145.4㎜, 짧은 변 112.6㎜로 트리밍을 행했다(S203). 도 9는 트리밍 후의 상태를 도시하는 모식도이다.

트리밍 후에, 초순수에 의한 세정에 의해 입자를 제거했다(S204).

입자를 제거한 후, 백 에칭에 의해, 펠리클막으로부터 실리콘 웨이퍼를 제거했다(S205). 이때, 실리콘 웨이퍼 전부를 제거하지 않고, 프레임체로서, 일부의 실리콘 웨이퍼를 잔존시켰다(도 10).

본 발명에 따른 펠리클의 제조 방법은, 입자의 제거 이전에, 구멍 형성이나 트리밍 등의 발진 과정을 모두 끝내 버림으로써, 완성된 펠리클의 진애 등의 부착을 극한까지 감소시킬 수 있어, 고품위의 펠리클의 제조 방법을 제공할 수 있다.

(실시 형태 2)

도 11을 참조하면서 실시 형태 2를 설명한다. 실시 형태 2는 제조 후(수송 시, 핸들링 시 등)에 있어서도 입자(파티클)가 발생하기 어려운 펠리클 프레임체, 펠리클을 제조하기 위한 실시 형태이다. 실시 형태 1에서 설명한 것과 같은 내용일 경우에는, 그 취지를 기재하고, 상세한 기재는 생략한다. 본 실시 형태에서는, 기판(300) 위에 펠리클막(302)을 형성한다(S301). 이 공정은 실시 형태 1의 S101에서 설명한 것과 마찬가지이다.

본 실시 형태에서는, 구멍(310)(도시 없음)을 형성해도 된다. 이 공정은 실시 형태 1의 S102에서 설명한 것과 마찬가지이다. 단, 도 11에서는 기판의 제거를 에칭으로 행하는 경우를 나타내고 있기 때문에, 후술하는 백 에칭 공정에 있어서 기판의 제거 공정이 구멍(310)의 형성 과정을 겸하고 있다.

본 실시 형태에서는 기판을 트리밍한다(S302). 이 공정은, 실시 형태 1의 S103에서 설명한 것과 마찬가지이다.

본 발명에서는 트리밍을 행한 후에, 측면의 모따기 가공을 행한다(S303). 측면의 모따기란, 상술한 바와 같이 R 형상으로 가공하는 것, 및 C 형상으로 가공하는 것을 포함한다. 모따기를 행하는 개소인 단부(측면, 모서리, 코너부 등을 말함)를 도 12에 도시한다. 도 12에 있어서 점선 영역(307)은 모따기를 행하는 구체적인 개소를 도시한다.

도 12의 (a)를 참조하면, 점선에 의해 둘러싸여 있는, 펠리클막면 측에서 볼 때 네 코너의 위치가 C면 가공되어 있음을 알 수 있다. 또한, 도 12의 (a)의 A-A'의 위치를 잘라낸 도 12의 (b)를 참조하면, 기판의 변(외주부)의 점선 영역(307)으로 둘러싼 개소가 C면 가공되어 있음을 알 수 있다.

C면 가공을 행한 경우, 제1 프레임체(기판)의 단부에 경사면이 형성된다. 제1 프레임체의 상면(펠리클막과 접하는 쪽의 면)과, 단부의 경사면이 이루는 각은 100도 내지 170도이며, 120도 내지 150도인 것이 바람직하다. 또한, 제1 프레임체의 하면(펠리클막과 접하는 쪽 면의 반대 면)과, 단부의 경사면이 이루는 각이 100도 내지 170도이면 바람직하다. 더욱 바람직하게는 120도 내지 150도이다. 또한, 모서리부에서, 측면과 측면이 이루는 각이 100도 내지 170도인 것이 바람직하다.

C면 가공에 있어서, 제1 프레임체의 상면과, 단부의 경사면이 이루는 각은 모두 동일한 각도가 아니어도 되고, 100도 내지 170도이면 된다. 제1 프레임체의 하면과 단부의 경사면이 이루는 각, 모서리부에서 측면과 측면이 이루는 각에 대해서도 마찬가지이다.

또한, 도 13의 (a)에 R면 가공을 행한 도면도 도시한다. 도 13의 (a)에서 점선에 의해 둘러싸여 있는, 펠리클막면 측에서 볼 때 네 코너의 위치(309)가 R면 가공되어 있음을 알 수 있다. 도 13의 (b)는 점선 영역(309)을 확대한 것이며, 본 명세서에 있어서의 반경 R1의 정의를 나타내기 위한 도면이다. 또한, 도 13의 (a)의 A-A'의 위치를 잘라낸 도 13의 (c)를 참조하면, 기판의 변(외주부)의 점선 영역(311)으로 둘러싼 개소의 기판의 모서리부가 R면 가공되어 있음을 알 수 있다. 도 13의 (d)는 점선 영역(311)을 확대한 것이며, 본 명세서에 있어서의 반경 R2의 정의를 나타내기 위한 도면이다.

도 13의 (a) 및 (b)에 기재된 바와 같이, 기판의 측면과 측면이 이루는 모서리부에 있어서의 만곡부, 및/또는, 기판의 상면과 2개의 측면이 교차하는 점을 포함하는 영역인 코너부에 있어서의 만곡부, 및/또는, 기판의 저면과 2개의 측면이 교차하는 점을 포함하는 영역인 코너부에 있어서의 만곡부의 곡률 반경이 반경 R1이다. 본 발명에서는, 반경 R1은 5㎛ 내지 10㎜이며, 바람직하게는 5㎛ 내지 4㎜이다.

도 13의 (c) 및 (d)에 기재된 바와 같이, 기판의 상면과 측면이 이루는 모서리부에 있어서의 만곡부, 및/또는, 기판의 저면과 측면이 이루는 모서리부에 있어서의 만곡부의 곡률 반경이 반경 R2이다. 본 발명에서는, 반경 R2는 5㎛ 내지 100㎛이며, 바람직하게는 10㎛ 내지 50㎛이다.

도 14는, 도 13에서 도시한 것과 상이한 R면 가공의 도면이다. 도 14의 (a)는 도 13의 (a)와 마찬가지이며, 점선에 의해 둘러싸여 있는, 펠리클막면 측에서 볼 때 네 코너의 위치가 R면 가공되어 있음을 알 수 있다. 또한, 도 14의 (a)의 A-A'의 위치를 잘라낸 도 14의 (b)를 참조하면, 기판의 변(외주부)의 점선 영역(312)으로 둘러싼 개소가, 기판의 측면 전체에 걸쳐서 전체 R면 가공되어 있음을 알 수 있다. 도 14의 (c)는 점선 영역(312)을 확대한 것이며, 본 명세서에 있어서의 반경 R3의 정의를 나타내기 위한 도면이다.

도 14의 (a), (b), (c)에 기재된 바와 같이, 기판의 측면 전체에 걸쳐서 전체 R면 가공되어 있는 경우에 있어서의 기판 측면의 만곡부의 곡률 반경이 반경 R3이다. 본 발명에서는, 반경 R3은 100㎛ 내지 500㎛이며, 바람직하게는 200㎛ 내지 400㎛이다.

모따기 가공은, 제조 과정에서의 파편(트리밍에 의한 파편, 다이싱에 의한 파쇄 자국 등)을 제거함과 함께, 제조 후의 수송 시나 핸들링 시에 어떠한 부재와 충돌해도 파편이 나오기 어렵게 하기 위해 뾰족한 부분(예각부)을 제거하기 위해 행해지는 것이다. 또한, 예각부의 제거라는 관점에서는, 모따기의 범위는 10㎛부터 3㎜ 정도의 범위에서 행할 필요가 있다.

R면 가공의 방법으로서는, 다이아몬드 연마 등의 기계적 연마, 엑시머 레이저(Excimer Laser) 가공, 습식 에칭, 건식 에칭(예를 들어 XeF₂ 등)에 의한 가공 등에 의해 행할 수 있다. 가공의 용이함 때문에, 다이아몬드 연마 등의 기계적 연마가 바람직하다. C면 가공의 방법으로서는, 다이아몬드 연마 등의 물리적 연마, 엑시머 레이저(Excimer Laser) 가공, 습식 에칭, 건식 에칭(예를 들어 XeF₂ 등)에 의한 것일 수 있다. 여기서, R면 가공과 C면 가공에 있어서는, C면 가공은 여전히 모서리가 남아 파티클 발생의 원인이 될 수 있는 점에서, 보다 파티클이 발생하기 어려운 R면 가공이 바람직하다. 특히, 실리콘 웨이퍼는 알루미늄에 비하여 경도가 높기 때문에, C면 가공으로는 모서리가 남고, 그 모서리가 이지러지는 등의 원인으로 파티클이 발생하기 쉽다. 또한 마찬가지의 이유에서, 완성된 펠리클, 제1 프레임체, 펠리클 프레임체는, C면 가공한 형상보다, 만곡부를 갖는 R 형상인 것이 바람직하다. 또한, 만곡부를 갖는 R 형상의 바람직한 곡률 반경의 값은 상기한 반경 R1, 반경 R2, 반경 R3의 바람직한 반경의 값이다.

본 실시 형태에서는, 트리밍 후, 에칭 전에 보호막(303)을 형성해도 된다(S304). 보호막(303)을 형성하는 공정은 에칭 전에 행할 필요가 있다. 보호막은, 에칭 공정이나 레이저 가공에 의해 펠리클막 및 제1 프레임체가 오염되거나, 에칭되어 버리거나 하는 것을 방지하기 위해 형성되기 때문이다.

본 실시 형태에서는, 백 에칭 전에 입자를 제거하는 세정을 행한다(S305). 입자의 제거에 대해서는 S104에서 설명한 것과 같다. 또한, 보호막 형성 전에 있어서도 추가적으로 기판을 세정해도 된다.

보호막(303)의 재료로서는, 레지스트, 불소계 중합체, 파라크실렌계 중합체(예를 들어 상용화되고 있는 파릴렌(등록 상표) 등) 등을 들 수 있다. 후술하는 애싱 공정을 백 에칭 후에 행하는 관계로, 애싱하기 쉬운 파라크실렌계 중합체인 것이 바람직하다. 보호막은 도포해도 되고, CVD 등의 증착에 의해 형성해도 된다.

보호막(303)은 상면뿐만 아니라, 측면에도 형성하는 것이 바람직하다(도 15의 (a)). 도 15의 (a)에는, 보호막을 형성한 상태의 펠리클 프레임체를 도시하고 있다. 또한, 기판의 배면 측에 대해서는, 후술하는 애싱으로 제거하는 것이 곤란하기 때문에, 보호막(303)은 형성되어 있지 않은 것이 바람직하다. 그로 인해, 보호막(303)이 형성되지 않도록 기판의 배면 측은 마스킹 필름(도시 없음)으로 양생하는 것이 바람직하다. 기판의 배면 측은 패터닝을 위해 마스크되어 있으므로, 마스크 위에서 마스킹 필름으로 양생한다. 보호층(303)을 형성한 후, 마스킹 필름을 제거한다.

이어서, 에칭액에 의해, 백 에칭 공정을 행한다(S306). 보호막(303)을 형성하여 백 에칭(기판의 중앙부를 에칭)한 후의 도면을 도 15의 (b)에 도시하고 있다. 도 15의 (b)에서는 도시하고 있지 않지만, 기판의 중앙부뿐만 아니라 통기 구멍 등의 관통 구멍에 해당하는 개소의 기판을 용해시켜서 제거해도 된다.

보호막을 형성하고 있는 경우에는 백 에칭 후에 보호막(303)을 애싱(O₂ 플라즈마 애싱, 대기압 플라즈마 애싱 등)에 의해 제거한다(S307, 도 15의 (c)).

실시 형태 1과 마찬가지로, 제1 프레임체에 대하여 제2 프레임체를 접속해도 된다. 제2 프레임체는 금속(예를 들어 알루마이트 가공된 알루미늄 등)을 사용할 수 있다. 또한, 제2 프레임체에 대해서도 모따기 가공을 해도 된다.

본 실시 형태에서는, 펠리클의 기판(기판을 프레임체로서 사용하는 경우에는 제1 프레임체를 가리킴)에 있어서의 모따기를, 백 에칭 전에 행했기 때문에 펠리클 프레임체 및 펠리클의 단부에 만곡부를 형성할 수 있고, 수송 시, 디마운트 시 등의 제조 후에 파티클이 발생하기 어려운 펠리클 프레임체 및 펠리클을 제조하는 것이 가능하다. 즉, 본 발명자들에 의해, 펠리클 제조 후에 기판 등의 단부에 모서리가 있으면, 수송 시, 핸들링 시 등에 모서리부로부터 파티클이 발생하는 것을 알 수 있었지만, 펠리클막은 박막이기 때문에 제조 후에는 세정하는 것이 어렵다. 제조 시에 펠리클의 모따기를 행한다고 하더라도, 펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에는, 역시 펠리클막이 박막이기 때문에, R면 가공, C면 가공을 행하면, 그때의 압력에 의해 펠리클막이 찢어져 버릴 가능성이 있다. 또한, R면 가공, C면 가공은 통상 발진 공정이며, 펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에 R면 가공, C면 가공을 행하는 것은 고품위의 펠리클이라는 관점에서는 매우 어렵다. 이에 반해, 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 백 에칭 전에 펠리클 프레임체 및 펠리클의 R면 가공 및 C면 가공을 행하기 때문에, 고품위의 펠리클을 제공하는 것이 가능하다.

펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에는 펠리클막이 박막이기 때문에, R면 가공, C면 가공을 행하면, 그때의 압력에 의해 펠리클막이 찢어져 버린다. 또한, R면 가공, C면 가공은 통상 발진 공정이며, 펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에 R면 가공, C면 가공을 행하는 것은 고품위의 펠리클이라는 관점에서는 매우 어렵다. 그로 인해, 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 R면 가공, C면 가공된 펠리클 프레임체 및 펠리클은, 본 제조 방법 특유의 제품이라고 할 수 있다.

(실시예 2)

공정 1 본 실시예에서는, 실시예 1과 마찬가지로 먼저 CVD법에 의해, 기판인 실리콘 웨이퍼 위(기판의 두께 400㎛)에 펠리클막을 제막하였다.

공정 2 이어서, 실리콘 웨이퍼의 이면(이하, 기판에 있어서, 펠리클막을 형성한 면과 반대측의 면을 이면이라 부름)에, CVD법에 의해 질화실리콘(두께 400㎚)을 제막했다(이하, 이 질화실리콘막을 프로세스막이라 부름).

공정 3 프로세스막에 있어서의, 장래 백 에칭되는 개소(즉, 기판의 중앙부 부근)와 통기 구멍 형성부에 해당하는 부분을, 레지스트를 사용하여 패터닝하였다.

공정 4 다이싱에 의해, 실리콘 웨이퍼를 펠리클에 사용하는 직사각형 형상, 펠리클에 사용하는 크기로 절단했다(트리밍 공정. 금회에는 긴 변 150㎜, 짧은 변 120㎜의 크기로 절단함).

공정 5 다이싱에 의한 파쇄 자국을 제거하기 위해, 절단부의 단부 주위 0.1㎜를 롤 연마로 제거했다(모따기 공정). 또한 모서리부를 제거하기 위해, 롤 연마로 R을 30㎛로 연마했다(모따기 공정).

공정 6 펠리클막 위에 보호막으로서 파릴렌을 제막하였다.

공정 7 펠리클막 및 프로세스막, 보호막을 형성한 실리콘 웨이퍼를 초순수로 습식 세정법에 의해 세정하였다.

공정 8 에칭액(TMAH, 수산화테트라메틸암모늄)에 의해, 실리콘 웨이퍼를 일부 제거하는 공정을 행하였다. 공정 3의 패터닝에 의해 형성한 패턴에 따라, 백 에칭부(기판 중앙부) 및 통기 구멍부의 실리콘 웨이퍼를 용해시켜서 제거하였다.

공정 9 보호막(파릴렌)을 애싱(O₂ 애싱)에 의해 제거하였다.

이상에 의해, 주위에 예각부가 없고 이물의 발생이 억제된, 통기 구멍이 있는 펠리클이 얻어졌다.

본 실시예에서는, 펠리클의 R면 가공을, 백 에칭 전에 행했기 때문에 펠리클 프레임체 및 펠리클의 단부에 만곡부를 형성할 수 있고, 고품위이며, 또한, 제조 후(수송 시, 디마운트 시 등)에 파티클이 발생하기 어려운 펠리클 프레임체 및 펠리클을 제조할 수 있었다. 펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에는 펠리클막이 박막이기 때문에, R면 가공, C면 가공을 행하면, 그때의 압력에 의해 펠리클막이 찢어져 버린다. 또한, R면 가공, C면 가공은 통상 발진 공정이며, 펠리클막 아래 기판의 제거를 행한 후에 R면 가공, C면 가공을 행하는 것은 고품위의 펠리클이라는 관점에서는 매우 어렵다.

(실시예 3)

실시예 3은 공정 5 이외(공정 1 내지 4 및 6 내지 9)에는 실시예 2와 동일하다. 실시예 3에서는, 공정 5에서, R이 1㎜인 곡률을 갖는 오목 형상 연마 롤에 의해, 측면을 롤 연마하였다.

본 실시예에서는, 펠리클의 R면 가공을, 백 에칭 전에 행했기 때문에 펠리클 프레임체 및 펠리클의 단부에 만곡부를 형성할 수 있고, 고품위이며, 또한, 제조 후(수송 시, 디마운트 시 등)에 파티클이 발생하기 어려운 펠리클 프레임체 및 펠리클을 제조할 수 있었다.

(실시예 4)

실시예 4는 공정 3, 6, 8 이외(공정 1, 2, 4 내지 5, 7, 9)에는 실시예 2와 동일하다. 본 실시예에서는, 공정 3에 있어서, 통기 구멍을 나노 펄스 레이저(YAG 고배율파)에 의해 관통하여 형성한 후, 이면의 프로세스막의 백 에칭 해당부를 패터닝하였다.

또한, 본 실시예에서는 공정 6에서 펠리클막 위, 및 통기 구멍에 보호막으로서 파릴렌을 제막하였다.

또한 본 실시예에서는 공정 8에서 에칭액(TMAH)에 의해 기판을 일부 제거하였다. 공정 3의 패턴에 따라, 중앙부(백 에칭 해당부)의 기판을 용해 제거하였다.

본 실시예에서는, 펠리클의 R면 가공을, 백 에칭 전에 행했기 때문에 펠리클 프레임체 및 펠리클의 단부에 만곡부를 형성할 수 있고, 고품위이며, 또한, 제조 후(수송 시, 디마운트 시 등)에 파티클이 발생하기 어려운 펠리클 프레임체 및 펠리클을 제조할 수 있었다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 의한 펠리클막의 제조 방법에 대하여 설명하였다. 그러나, 이것들은 단순한 예시에 지나지 않고, 본 발명의 기술적 범위는 그것들에는 한정되지 않는다. 실제로, 당업자라면 특허 청구범위에 있어서 청구되고 있는 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이, 각종 변경이 가능할 것이다. 따라서, 그들 변경도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속한다고 해석되어야 한다.

100: 기판
102: 펠리클막
110: 구멍
112: 점착 시트
114: 브리지부
116: 제1 프레임체
118: 제2 프레임체
200: 기판
202: 펠리클막
204, 208: 질화실리콘
206: 폴리실리콘
210: 구멍
300: 기판
302: 펠리클막
303: 보호막
316: 제1 프레임체

Claims (13)

1. 기판 위에 펠리클막을 형성하고,
   상기 기판을 트리밍하고,
   상기 트리밍한 후에 적어도 상기 펠리클막 면에 부착된 입자를 제거하고,
   상기 입자를 제거한 후에 적어도 상기 기판의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 일부를 제거하는 공정은 습식 에칭 공정인, 펠리클의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 입자를 제거하기 전에, 상기 기판의 단부를 모따기하거나, 적어도 상기 기판에 구멍을 형성하거나, 또는 적어도 상기 펠리클막 및 상기 기판에 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 구멍은, 극단 펄스 레이저를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
5. 제2항에 있어서, 상기 습식 에칭 공정에 의해 상기 기판에 구멍이 형성되는, 펠리클의 제조 방법.
6. 제1항에 있어서, 극단 펄스 레이저를 사용하여 상기 트리밍하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
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