JP5481106B2 - ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル - Google Patents

ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル Download PDF

Info

Publication number
JP5481106B2
JP5481106B2 JP2009149776A JP2009149776A JP5481106B2 JP 5481106 B2 JP5481106 B2 JP 5481106B2 JP 2009149776 A JP2009149776 A JP 2009149776A JP 2009149776 A JP2009149776 A JP 2009149776A JP 5481106 B2 JP5481106 B2 JP 5481106B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
frame
pellicle frame
mask
upper side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009149776A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011007934A (ja
Inventor
享 白崎
キショーレ・チャクラボティ
デイビッド・ムッシェル
グレイス・ン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2009149776A priority Critical patent/JP5481106B2/ja
Priority to EP10166659.2A priority patent/EP2267526B1/en
Priority to US12/819,527 priority patent/US8221944B2/en
Priority to KR1020100059528A priority patent/KR101780063B1/ko
Priority to TW099120412A priority patent/TWI476510B/zh
Priority to CN2010102140130A priority patent/CN101930165B/zh
Publication of JP2011007934A publication Critical patent/JP2011007934A/ja
Priority to HK11102986.9A priority patent/HK1148827A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of JP5481106B2 publication Critical patent/JP5481106B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Description

本発明は、LSI、超LSIなどの半導体装置又は液晶表示板を製造する際のリソグラフィ用マスクのゴミよけとして使用される、リソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレームに関する。
LSI、超LSIなどの半導体製造又は液晶表示板などの製造においては、半導体ウエハ又は液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。なお、本発明において、「露光原版」とは、リソグラフィ用マスク(単に「マスク」ともいう。)及びレチクルの総称である。以下、マスクを例にして説明する。
これらの作業は通常クリーンルームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクルを貼り付ける方法が採られている。
ペリクルの基本的な構成は、ペリクルフレーム及びこれに張設したペリクル膜からなる。ペリクル膜は、露光に用いる光(g線、i線、248nm、193nm等)を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなる。ペリクルフレームの上辺部にペリクル膜の良溶媒を塗布し、ペリクル膜を風乾して接着するか、アクリル樹脂、エポキシ樹脂やフッ素樹脂などの接着剤で接着する。さらに、ペリクルフレームの下辺部には露光原版を装着するために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びシリコーン樹脂等からなる粘着層、及び粘着層の保護を目的としたレチクル粘着剤保護用ライナーを設ける。
ペリクルは、露光原版の表面に形成されたパターン領域を囲むように設置される。ペリクルは、露光原版上にゴミが付着することを防止するために設けられるものであるから、このパターン領域とペリクル外部とはペリクル外部の塵埃がパターン面に付着しないように隔離されている。
近年、LSIのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴い、露光光源の短波長化が進んでいる、すなわち、これまで主流であった、水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)から、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などに移行しつつある。微細化が進むとマスク及びシリコンウエハに要求される平坦性もますます厳しくなってきている。
ペリクルは、マスクが完成した後でパターンのゴミよけのためにマスクに貼り付けられる。ペリクルをマスクに貼り付けるとマスクの平坦度が変化することがある。マスクの平坦度が悪くなると、上記で述べたように、焦点ズレ等の問題が発生する可能性がある。また、平坦度が変化すると、マスク上に描かれたパターンの形状が変化し、マスクの重ね合わせ精度に問題がでるという支障もきたす。
ペリクル貼り付けによるマスク平坦度の変化の要因は、幾つかあるが、一番大きな要因は、ペリクルフレームの平坦度であることが分かってきた。
このペリクルフレームの変形に起因するマスクの変形を防止するために、特許文献1は、ペリクルフレームの断面積を6mm2以下にする、又は、ペリクルフレームにヤング率が50GPa以下である材料を用いることを開示している。
ペリクルフレームとしては、その断面形状が長方形のものが多いが、特許文献2には、ペリクルフレームの断面が、内周面の上端側が下端側より内方に突出している形状を有するペリクルフレームが開示されている。
特開2009−25562号公報 特開平9−68793号公報
近年、マスクに要求される平坦性も、パターン面で平坦度2μmの要求から徐々に厳しくなっており、65nmノード以降では0.5μm以下、好ましくは0.25μmという要求が出てきている。
一般に、ペリクルフレームの平坦度は20〜80μm程度であるが、このように平坦度が劣るフレームを用いたペリクルをマスクに貼り付けると、フレームの形状がマスクに転写されマスクの変形を生じてしまう。ペリクルは、貼り付けの時、約200〜400N(20〜40kg重)の大きな力でマスクに押し付けられる。マスク表面の平坦度は、ペリクルフレームの平坦度より良いから、ペリクルのマスクへの押し付けが終わると、ペリクルフレームは元の形状に戻ろうとするために、ペリクルフレームがマスクを変形させてしまう。
マスクが変形した場合、マスクの平坦度が悪くなる場合があり、その場合露光装置内でデフォーカスの問題が発生する。一方でマスクが変形し平坦度が良くなる場合もあるが、この場合でもマスク表面に形成されたパターンが歪み、その結果露光したときにウエハに転写されたパターン像が歪んでしまうという問題が発生する。このパターンの歪みは平坦度が悪くなる場合も発生するので、結局ペリクルを貼り付けることによりマスクが変形する場合は、必ずパターン像が歪んでしまうという問題が発生する。
本発明が解決しようとする課題は、第1に、ペリクルを露光原版に貼り付けても、ペリクルフレームの変形に起因する露光原版の変形を極力低減することができるようなペリクルフレームを提供することである。本発明が解決しようとする課題は、第2に、このようなペリクルフレームを有するリソグラフィ用ペリクルを提供することである。
本発明の上記課題は、以下の手段(1)及び(11)により達成された。好ましい実施態様である(2)〜(10)と共に列記する。
(1)ペリクルフレームバーの断面が、上辺及び下辺が平行な基本四辺形の両側辺に、四辺形状の窪みを有した形状であることを特徴とするペリクルフレーム、
(2)前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な辺を有した長方形である、(1)に記載のペリクルフレーム、
(3)前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な上辺を有した台形である、(1)に記載のペリクルフレーム、
(4)前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と垂直な上辺を有した台形である、(1)に記載のペリクルフレーム、
(5)前記基本四辺形が台形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な上辺を有した台形である、(1)に記載のペリクルフレーム、
(6)前記基本四辺形の面積が20mm2以下である、(1)〜(5)いずれか1つに記載のペリクルフレーム、
(7)前記ペリクルフレームバーの断面積が6mm2以下である、(1)〜(6)いずれか1つに記載のペリクルフレーム、
(8)ヤング率が1〜80GPaである材料で構成された、(1)〜(7)いずれか1つに記載のペリクルフレーム、
(9)アルミニウム合金で構成された、(1)〜(8)いずれか1つに記載のペリクルフレーム、
(10)ペリクルフレームの平坦度が20μm以下である、(1)〜(9)いずれか1つに記載のペリクルフレーム、
(11)(1)〜(10)いずれか1つに記載のペリクルフレームの一端面にペリクル膜接着剤を介してペリクル膜が張設され、他端面に露光原版接着剤を設けたリソグラフィ用ペリクル。
本発明によれば、ペリクルフレームの変形に起因する露光原版の変形を極力低減することができるようなペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクルを提供することができた。
ペリクルの構成例を示す概念断面図の一例である。 ペリクルフレームバーの断面形状の一例を示す図である。 ペリクルフレームバーの断面形状の変形例を示す図である。
図1に示したように、本発明のリソグラフィ用のペリクル10は、ペリクルフレーム3の上端面にペリクル膜貼り付け用接着層2を介してペリクル膜1を張設したもので、この場合、リソグラフィ用のペリクル10を露光原版(マスク又はレチクル)5に粘着させるための接着用粘着層4が通常ペリクルフレーム3の下端面に形成され、該接着用粘着層4の下端面にライナー(不図示)を剥離可能に貼着してなるものである。また、ペリクルフレーム3には不図示の気圧調整用穴(通気口)が設置されていて、さらにパーティクル除去の目的でこの通気口に除塵用フィルター(不図示)が設けられていてもよい。
ペリクルフレームには、ジグ穴を設けてもよい。ジグ穴の深さ方向の形状は、特定されず、貫通さえしなければ、円柱の先にテーパーを有する凹みであってもよい。
前記気圧調整用穴を設ける箇所の断面形状は、気圧調整用フィルターを貼り付ける外側面が平面であることが好ましく、内側のみは窪みを有していてもよい。また、ジグ穴を設ける箇所の断面形状は、窪みを有しない基本四辺形のままであることが好ましく、矩形であることが好ましい。
図2に示したように、本発明のペリクルフレーム3は、ペリクルフレームバーの断面が、上辺12及び下辺14が平行な、基本となる四辺形(「基本四辺形」ともいう。四辺12、17、14、19により構成される。)の対向する両側辺17、19に、四辺形状の窪み18を有した形状であることを特徴とする。言い換えると、中間部16により上辺12を含む上辺部13及び下辺14を含む下辺部15が接続された形状を有する。
上述したように、ペリクルをマスクに貼り付けることによるマスクの歪みは、ペリクルのペリクルフレームの歪みに起因することが大きいと考えられる。貼付時にペリクルフレームが変形し、それが元に戻ろうとする変形応力がマスクを変形させている。この変形応力は、ペリクルフレームを構成する材料のヤング率及びその変形量に依存する。本発明によれば、ペリクルフレームの断面積を基本四辺形よりも縮小することにより変形応力の小さいペリクルフレームにすることが可能となった。すなわち、ペリクルフレームの上辺は、ペリクル膜を張設するため、また下辺は粘着剤を設けてマスクに接着することから、上辺部も下辺部もある程度の幅が必要である。しかしながら、上辺と下辺を接続する中央部は両側面に窪みを設けて上下両辺よりも狭い幅とすることが可能である。
このようなペリクルフレームバーは、断面が基本四辺形の両側辺に四辺形状の窪みを設けることにより製造できる。なお、前述したように、前記気圧調整用穴を設ける箇所の外側面、及びジグ穴を設ける箇所の両側面は窪みをなくして、所定の貫通する孔又は非貫通のジグ穴を設けることが好ましい。
特許文献1(特開2009−25562号公報)に開示されているように、断面積を6mm2以下に小さくすることにより、材質を変更しなくてもペリクルフレームはより変形しやすくなる。ペリクルフレームバーの断面積を、基本四辺形の形状を保ったまま小さくするには、上下両辺を狭くするか、高さを低くする必要がある。しかし、上述したような理由で上辺も下辺もある程度の幅が必要である。一方で高さを低くし過ぎると、ペリクル膜とマスクのパターン面の距離が小さくなり、ペリクルのデフォーカス性能が劣化し、ペリクル膜上に付着する異物が転写パターンに移りこむ危険性が増す。またペリクルフレームの高さが低くなるとペリクルフレームのハンドリングが困難になるという問題も顕著化する。このように基本四辺形の形状を保ったまま断面積を小さくするのは色々と困難が伴う。
しかしながら、本発明によれば断面が基本四辺形の形状を有するペリクルフレームバーから両側辺に四辺形状の窪みを設けることにより、上下両辺の幅を確保し、かつ、ペリクルフレームの高さを確保しながら、ペリクルフレームの断面積を基本四辺形よりも縮小することが可能になった。
基本四辺形は、上辺及び下辺が平行である。この基本四辺形としては、正方形を含む矩形、台形、平行四辺形が含まれ、矩形が好ましい。台形としては上辺が下辺よりも短くても長くてもよい。
本発明のペリクルフレームは、上辺部及び下辺部がそれらの全幅にわたり一定の厚さを有することが好ましい。
また、本発明のペリクルフレームの断面は、基本四辺形の対向する両側辺に、四辺形状の窪みを有し、基本四辺形の片方の側辺にのみ四辺形状の窪みを有する、コの字状の形状は含まない。
本発明においてペリクルフレームバーは、その断面形状が、縦長の長方形の対向する両側辺に、矩形状の窪みを有することが好ましい。言い換えると、断面形状が、上辺及び下辺より幅の狭い中間部により上辺部及び下辺部が垂直に接続されたI字形状であることが好ましい。
図3を参照して以下本発明を説明する。
(a)の形状は、前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な辺を有した長方形であるペリクルフレームの一例である。前記窪みの両方が長方形であることが好ましい。この場合、上述のI字形状の一例として、全幅にわたり一定の厚さを有する上辺部13及び下辺部15を、それらの略中央において、一定幅を有する中間部16が接続する形状となる。
(b)の形状は、(a)の形状とは、中間部16が上辺及び下辺の中央から端方向にずれた形状である点で異なっている。
(c)の形状は、前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な上辺を有した台形である一例である。前記窪みの両方が台形であることが好ましい。この場合、中間部が、上辺部及び下辺部と垂直ではなくて傾斜を有している点で(a)及び(b)と異なっている。
(d)の形状は、前記基本四辺形が長方形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と垂直な上辺を有した台形である一例である。前記窪みの両方が、前記上辺と垂直な上辺を有した台形であることが好ましい。この場合には、(d)に示すように、中間部により上辺部及び下辺部が接続された形状であり、上辺部と下辺部はその中央寄りに厚くなっている。
(e)の形状は、前記基本四辺形が台形であり、前記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な上辺を有した台形の一例である。前記窪みの両方が前記上辺と平行な上辺を有した台形であることが好ましい。この場合、中間部により上辺部及び下辺部が接続された形状となる。
同様にして、ペリクルフレームバーの断面を、基本四辺形を平行四辺形として、その両側辺に四辺形状の窪みを有する形状とすることも可能である。
中間部は、その幅が一定であることが好ましいが、上辺部又は下辺部寄りに幅広であってもよい。
本発明のペリクルフレームは、マスクの形状に応じて適宜設計されるものであるが、通常ペリクル枠の平面形状はリング状あるいは矩形状、正方形状であり、マスクに設けられた回路パターン部を覆う大きさと形状とを備えている。矩形状(正方形状を含む。)のペリクル枠の角は丸みがついていても構わない。ペリクル枠の高さは、好ましくは約1〜10mmであり、より好ましくは約2〜7mmであり、特に好ましくは約3〜6mmである。ペリクルフレームの上辺及び下辺は、幅が約2mmであることが好ましい。
また、上辺部及び下辺部は共に0.1mm以上の厚さを有することが好ましく、0.3〜0.8mmの厚さを有することがより好ましい。
本発明のペリクルフレームは、基本四辺形の面積が20mm2以下であることが好ましく、4〜20mm2であることがより好ましい。
本発明のペリクルフレームの断面積は6mm2以下であることが好ましく、1〜6mm2であることがより好ましい。本発明のようにペリクルフレームの中央部を幅狭くすることにより、この小さな断面積が達成しやすくなる。このように断面積を小さくすると、変形応力を小さくして、その結果、マスクの変形も小さくすることができる。
ペリクルフレームを構成する材質としては、ヤング率が1〜80GPaである材料が好ましく、アルミニウム、マグネシウム合金、合成樹脂等を好ましく例示することができ、アルミニウムがより好ましく用いられる。
アルミニウムとしては、従来使用されているアルミニウム合金材が使用でき、好ましくは、JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052材等が用いられるが、上述した断面形状を有し、ペリクルフレームとしての強度が確保される限り特に制限はない。ペリクルフレーム表面は、ポリマー被膜を設ける前に、サンドブラストや化学研磨によって粗化することが好ましい。本発明において、このフレーム表面の粗化の方法については、従来公知の方法を採用できる。アルミニウム合金材に対して、ステンレス、カーボランダム、ガラスビーズ等によって表面をブラスト処理し、さらにNaOH等によって化学研磨を行い、表面を粗化する方法が好ましい。
本発明のペリクルフレームは、従来からの慣用されているアルミニウム合金材などヤング率が69GPaの材料を使用する代わりに、ヤング率が1以上50GPa以下である材料で構成することも好ましい。ヤング率が上記の範囲内である材料としては、マグネシウム合金の44GPa、アクリル樹脂の3GPa、ポリカーボネート樹脂の2.5GPaが例示できる。
このような低いヤング率の材料を使用すると、断面積が6mm2を超え12mm2のI字形状でも、変形応力を小さくして、マスクの変形も小さくすることができる。
ペリクルフレームの断面形状をI字形状にし、その断面積を3〜6mm2にした場合、低いヤング率の材料を使用する程、相乗効果によりマスクの変形も小さくすることができる。
本発明において、ペリクルフレームの露光原版接着面及び/又はペリクル膜接着面において、露光原版接着面及び/又はペリクル膜接着面とペリクルフレーム内外側面とのなす角部にC面取りをすることが好ましい。
平均的なペリクルフレームの平坦度は、約20〜80μm程度である。本発明において、ペリクルフレームの平坦度を20μm以下にすることが好ましく、10μm以下にすることがより好ましい。
ペリクルフレームの平坦度が良いと、ペリクルをマスクに貼り付けた場合に、ペリクルフレームの変形量を小さくすることができ、その結果ペリクルフレームの変形応力を小さくして、マスクの変形を小さく抑えることができる。
なお、上記のペリクルフレームの「平坦度」とは、ペリクルフレームの各コーナー4点と4辺の中央4点の計8点において高さを測定し、仮想平面を算出して、その仮想平面からの各点の距離のうち最高点から最低点を差引いた差により算出した値である。
ペリクルフレームの平坦度は、「XY軸プログラムステージを有するレーザー変位計」により測定することができ、本発明においては、自製の変位計を使用した。
なお、マスクの平坦度を、Tropel社のUltraFlatを使用して測定した。
また、マスクへのペリクル貼り付けによるマスクの最大変形レンジを、マスクの変形/歪みの指標として使用した。マスクの平坦度及び最大変形レンジの定義と測定方法は実施例に記載した。
本発明において、ペリクルフレームは、迷光を吸収するために、黒色酸化被膜及び/又は黒色ポリマー被膜を有することが好ましい。また、ペリクルフレームがアルミニウム合金製である場合には、黒色アルマイト被膜及び/又はポリマーの電着塗装膜を有するアルミニウム合金製ペリクルフレームであることが特に好ましい。
ペリクルフレーム表面の黒色アルマイト被膜の形成方法としては、一般的にNaOHなどのアルカリ処理浴で数十秒処理した後、希硫酸水溶液中で陽極酸化を行い、次いで黒色染色、封孔処理することで、表面に黒色の酸化被膜を設けることができる。
また、ポリマー被膜(ポリマーコーティング)は様々な方法によって設けることができるが、一般にスプレー塗装、静電塗装、電着塗装などが挙げられる。本発明では電着塗装によってポリマー被膜を設けることが好ましい。
電着塗装については、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂のいずれも使用できる。また、それぞれに対してアニオン電着塗装、カチオン電着塗装のいずれをも使用することができる。本発明では耐紫外線性能も求められるため、熱硬化型樹脂のアニオン電着塗装が、コーティングの安定性、外観、強度の点から好ましい。
本発明のリソグラフィ用ペリクルは、上記のペリクルフレームのいずれかに、上辺である一端面にペリクル膜接着剤を介してペリクル膜が張設され、下辺である他端面に露光原版接着剤を設けることにより製造することができる。
ペリクル膜の種類については特に制限はなく、例えば従来エキシマレーザー用に使用されている、非晶質フッ素ポリマー等が用いられる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ(旭硝子(株)製商品名)、テフロン(登録商標)AF(デュポン社製商品名)等が挙げられる。これらのポリマーは、そのペリクル膜作製時に必要に応じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えばフッ素系溶媒などで適宜溶解し得る。
以下に実施例により具体的に本発明を例示して説明する。なお、実施例及び比較例における「マスク」は「露光原版」の例として記載したものであり、レチクルに対しても同様に適用できることはいうまでもない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1)
サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により830rpmでウエハを回転させ、ウエハ上に広げた。その後、室温で30分間乾燥後、さらに180℃で乾燥し、均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミニウム枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。上記のサイトップCTX−S膜を必要枚数作製して、実施例1〜10及び比較例で使用した。
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状は図3(a)に示し、断面積3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。なお、断面形状は、高さ3.5mm、幅2.0mmの矩形の両側面から、高さ2.5mm、幅0.75mmの矩形をその中央部で取り除いた形状を有するI字状とした。上辺部及び下辺部の厚さは、0.5mmであり、中央帯部の幅も0.5mmであった。なお、ペリクルフレームの4つの角にC面取りを施した。
このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断し、ペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度ペリクル付きマスクの平坦度を測定したところ、0.26μmとなった。また、マスクの最大変形レンジは40nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度および最大変形レンジの測定結果を表1にまとめた。
なお、マスクの平坦度は、Tropel社のUltraFlatを使用して測定した。またフレームの平坦度はXY軸プログラムステージを有するレーザー変位計で測定した。
また、「マスクの最大変形レンジ」とは、マスクの形状を2回測定し、マスク各点の高さの差のうち、+/−側それぞれの最大変化量の絶対値の和と定義される。なおペリクル貼り付けによりマスクが変形した場合には、平坦度が変化していない場合でも最大変形レンジは大きな値となることがあるので、マスクの変形/歪みの指標として最大変形レンジは平坦度よりも有効である。
(実施例2)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×115mm×3.0mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状は図3(a)に示し、断面積3.00mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、10μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度ペリクル付きマスクの平坦度を測定したところ、0.24μmとなった。また最大変形レンジは30nm変化したものの、後述の比較例に比べ非常に低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例3)
マグネシウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(a)であり、断面積が3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をマグネシウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断し、ペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに、荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.24μmとなった。また最大変形レンジは28nm変化したものの、後述の比較例に比べ非常に低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例4)
ポリカーボネート樹脂製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(a)であり、断面積3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をポリカーボネート樹脂製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断し、ペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後再度マスクの平坦度を測定したところ、0.25μmと変化しなかった。また最大変形レンジは20nm変化したものの、比較例に比べ非常に低い値に抑えることができた。なお、平坦度の測定結果を表1にまとめた。
(実施例5)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×115mm×4.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(a)であり、断面積3.75mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.27μmとなった。また最大変形レンジは50nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例6)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(b)であり、断面積3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの外側面側を1mmの深さで、また内側面側を0.5mmの深さで削った。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.24μmとなった。また最大変形レンジは40nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例7)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(c)であり、断面積3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの外側面から上辺が1mm、下辺が0.5mm、高さが2.5mmの台形形状を削り、内側からは上辺が0.5mm、下辺が1.0mm、高さが2.5mmの台形形状を削った。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.25μmと変化しなかった。また最大変形レンジは35nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例8)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(d)であり、断面積4.00mm2)のペリクルフレームを製作した。両内外側面から加工を行い、上辺と下辺を結ぶ中央部は幅が0.5mmで高さが1.5mmであった。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.27μmとなった。また最大変形レンジは45nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例9)
ポリカーボネート樹脂製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、上辺及び下辺の幅が2mm(断面形状が図3(d)であり、断面積4.00mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をポリカーボネート樹脂製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.25μmと変化しなかった。また最大変形レンジは25nm変化したものの、後述の比較例に比べ非常に低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(実施例10)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、幅が上辺が1.5mm、下辺が2.5mm(断面形状が図3(e)であり、断面積3.25mm2)のペリクルフレームを製作した。上辺は1.5mmで下辺は2.5mm、上辺と下辺を結ぶ中央部は0.5mm幅で高さは2.5mmであった。また上辺、下辺の厚みは0.5mmであった。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに荷重20kgで貼り付けた。その後、再度マスクの平坦度を測定したところ、0.26μmとなった。また最大変形レンジは40nm変化したものの、後述の比較例に比べ低い値に抑えることができた。なお、平坦度等の測定結果を表1にまとめた。
(比較例)
アルミニウム合金製で、外寸が149mm×122mm×3.5mm、幅が2mm(断面形状は長方形であり、断面積7.0mm2)のペリクルフレームを製作した。このフレームの平坦度をマスク粘着剤を塗布する側から測定したところ、20μmであった。このフレームの片端面にマスク粘着剤を塗布し、もう一方の片端面に膜接着剤を塗布した。その後、先に剥離したペリクル膜をアルミニウム合金製フレームの膜接着剤側に貼り付け、フレームの外周の膜を切断し、ペリクルを完成させた。
完成したペリクルを、142mm角で平坦度が0.25μmであるマスクに、荷重20kgで貼り付けた。その後、再度ペリクル付きマスクの平坦度を測定したところ、0.29μmと変化してしまった。また最大変形レンジは100nmと大きく変化した。
以上の結果をまとめると、以下の表1に示すようになった。
Figure 0005481106
1:ペリクル膜
2:接着層
3:ペリクルフレーム
4:接着用粘着層
5:露光原版
10:ペリクル
12:上辺
13:上辺部
14:下辺
15:下辺部
16:中間部
17:側辺
18:四辺形状の窪み
19:側辺

Claims (9)

  1. ペリクルフレームバーの断面が、上辺及び下辺を含む縦長の長方形の両側辺の各々に台形状の一つの窪みを有した形状を有し、
    前記台形が、前記長方形の上辺と平行な上辺を有した台形であるか、又は、前記長方形の上辺と垂直な上辺を有した台形である、ことを特徴とする
    ペリクルフレーム。
  2. 記窪みの少なくとも一方が前記上辺と平行な上辺を有した台形である、請求項1記載のペリクルフレーム。
  3. 記窪み少なくとも一方が前記上辺と垂直な上辺を有した台形である、請求項1記載のペリクルフレーム。
  4. 前記長方形の面積が20mm2以下である、請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレーム。
  5. 前記ペリクルフレームバーの断面積が6mm2以下である、請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレーム。
  6. ヤング率が1〜80GPaである材料で構成された、請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレーム。
  7. アルミニウム合金で構成された、請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレーム。
  8. ペリクルフレームの平坦度が20μm以下である、請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレーム。
  9. 請求項1〜いずれか1つに記載のペリクルフレームの一端面にペリクル膜接着剤を介してペリクル膜が張設され、他端面に露光原版接着剤を設けたリソグラフィ用ペリクル。
JP2009149776A 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル Active JP5481106B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009149776A JP5481106B2 (ja) 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
US12/819,527 US8221944B2 (en) 2009-06-24 2010-06-21 Pellicle frame and lithographic pellicle
EP10166659.2A EP2267526B1 (en) 2009-06-24 2010-06-21 Pellicle frame and lithographic pellicle
TW099120412A TWI476510B (zh) 2009-06-24 2010-06-23 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
KR1020100059528A KR101780063B1 (ko) 2009-06-24 2010-06-23 펠리클 프레임 및 리소그래피용 펠리클
CN2010102140130A CN101930165B (zh) 2009-06-24 2010-06-24 防护膜框架及光刻用防护膜
HK11102986.9A HK1148827A1 (en) 2009-06-24 2011-03-24 Pellicle frame and lithographic pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009149776A JP5481106B2 (ja) 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011007934A JP2011007934A (ja) 2011-01-13
JP5481106B2 true JP5481106B2 (ja) 2014-04-23

Family

ID=42666394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009149776A Active JP5481106B2 (ja) 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8221944B2 (ja)
EP (1) EP2267526B1 (ja)
JP (1) JP5481106B2 (ja)
KR (1) KR101780063B1 (ja)
CN (1) CN101930165B (ja)
HK (1) HK1148827A1 (ja)
TW (1) TWI476510B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2174360A4 (en) 2007-06-29 2013-12-11 Artificial Muscle Inc CONVERTER WITH ELECTROACTIVE POLYMER FOR SENSOR REVIEW APPLICATIONS
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
WO2012118916A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Bayer Materialscience Ag Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
WO2012129357A2 (en) 2011-03-22 2012-09-27 Bayer Materialscience Ag Electroactive polymer actuator lenticular system
US9876160B2 (en) 2012-03-21 2018-01-23 Parker-Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
JP5746661B2 (ja) * 2012-05-08 2015-07-08 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法
JP5746662B2 (ja) * 2012-05-11 2015-07-08 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム
KR20150031285A (ko) 2012-06-18 2015-03-23 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 연신 공정을 위한 연신 프레임
WO2014066576A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Bayer Intellectual Property Gmbh Polymer diode
JP5999843B2 (ja) * 2013-06-18 2016-09-28 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクルとその製造方法及び管理方法
JP6156998B2 (ja) * 2013-10-22 2017-07-05 信越化学工業株式会社 ペリクル
WO2015059783A1 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 日本軽金属株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
JP6304884B2 (ja) 2014-09-22 2018-04-04 信越化学工業株式会社 ペリクルの貼り付け方法
JP6274079B2 (ja) * 2014-11-04 2018-02-07 日本軽金属株式会社 ペリクル用支持枠および製造方法
US9395621B2 (en) * 2014-11-17 2016-07-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Pellicles and devices comprising a photomask and the pellicle
JP6293041B2 (ja) 2014-12-01 2018-03-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレームおよびこれを用いたペリクル
JP6347741B2 (ja) 2014-12-25 2018-06-27 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6491472B2 (ja) * 2014-12-25 2019-03-27 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法
JP6460778B2 (ja) * 2014-12-25 2019-01-30 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法
JP6519190B2 (ja) * 2015-01-16 2019-05-29 日本軽金属株式会社 ペリクル用支持枠
JP2016139103A (ja) * 2015-01-29 2016-08-04 日本軽金属株式会社 ペリクル用支持枠
KR101920172B1 (ko) * 2015-02-24 2018-11-19 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법
JP6632057B2 (ja) * 2016-01-07 2020-01-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6532428B2 (ja) * 2016-05-26 2019-06-19 信越化学工業株式会社 ペリクル
CN109416504B (zh) * 2016-07-12 2022-04-05 日本轻金属株式会社 防护膜框架和防护膜组件
KR102337616B1 (ko) 2016-07-12 2021-12-08 니폰게이긴조쿠가부시키가이샤 펠리클 프레임 및 펠리클
JP6706575B2 (ja) 2016-12-22 2020-06-10 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びこれを用いたペリクル
JP7357432B2 (ja) * 2017-10-10 2023-10-06 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法
WO2019081095A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 Asml Netherlands B.V. FILM FRAME AND FILM ASSEMBLY

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61121109A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Canon Inc 微動テ−ブル装置
JPS62164048A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Mitsubishi Electric Corp ホトマスクの保護具
JPS62251570A (ja) * 1986-04-25 1987-11-02 Hitachi Ltd 多重ベロ−ズ及びその製造方法
JPH01292343A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03235321A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Toshiba Corp X線露光用マスク
JPH052263A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Nikon Corp マスク保護装置
JPH0968793A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JPH09311436A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Miyazaki Oki Electric Co Ltd マスク保護部材
JPH1048813A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置
JP3347038B2 (ja) * 1997-12-01 2002-11-20 株式会社東芝 ペリクル及びペリクル付露光用マスク
JP4101206B2 (ja) * 2003-05-23 2008-06-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 大型ペリクルの支持装置および装着方法
JP4345882B2 (ja) * 2003-06-04 2009-10-14 旭化成イーマテリアルズ株式会社 大型ペリクル
JP2005157223A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Seiko Epson Corp レチクルおよび半導体装置の製造方法
JP2005308901A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム及びそれを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル
KR101164460B1 (ko) * 2006-04-07 2012-07-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클
JP2008083166A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Toppan Printing Co Ltd ペリクルフレーム
US8323855B2 (en) * 2007-03-01 2012-12-04 Nikon Corporation Pellicle frame apparatus, mask, exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2008256925A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP4931717B2 (ja) * 2007-07-19 2012-05-16 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクルの製造方法
JP2009025562A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
JP2009025559A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
JP5134436B2 (ja) * 2008-05-27 2013-01-30 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
US8349525B2 (en) * 2009-06-18 2013-01-08 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask fabricating method and conveying apparatus, and exposure apparatus
JP5411595B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5411596B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
TWI476510B (zh) 2015-03-11
EP2267526A2 (en) 2010-12-29
CN101930165B (zh) 2013-05-15
HK1148827A1 (en) 2011-09-16
US8221944B2 (en) 2012-07-17
US20100330466A1 (en) 2010-12-30
EP2267526B1 (en) 2020-07-08
KR101780063B1 (ko) 2017-09-19
JP2011007934A (ja) 2011-01-13
CN101930165A (zh) 2010-12-29
TW201111906A (en) 2011-04-01
EP2267526A3 (en) 2013-01-16
KR20100138821A (ko) 2010-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5481106B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5411596B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5411595B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP4889778B2 (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
JP5411200B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
JP2008256925A (ja) ペリクル
JP4974389B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5999843B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルとその製造方法及び管理方法
JP7347789B2 (ja) ペリクル枠体及びペリクル

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120502

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5481106

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250