KR101877236B1 - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 포함하는 몸체; 몸체의 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 홀 각각에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부의 홀에 형성되는 보강재; 그리고 반도체 발광소자 칩 및 보강재를 고정시키기 위해 몸체 내부에 채워지는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion formed with a plurality of holes in a longitudinal direction; And a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting device chip; A reinforcing member formed in a hole in a bottom portion located between the semiconductor light emitting device chips; And a sealing material filled in the body for fixing the semiconductor light emitting device chip and the reinforcing material.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 광 추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency and a manufacturing method thereof.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, directional indication such as up / down, up / down, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다.The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 포함하는 몸체; 몸체의 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 홀 각각에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부의 홀에 형성되는 보강재; 그리고 반도체 발광소자 칩 및 보강재를 고정시키기 위해 몸체 내부에 채워지는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom formed by a plurality of holes in a longitudinal direction; And a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting device chip; A reinforcing member formed in a hole in a bottom portion located between the semiconductor light emitting device chips; And a sealing material filled in the body for fixing the semiconductor light emitting device chip and the reinforcing material.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법의 일 예를 보여주는 도면,
도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
15 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
16 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
17 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'에 따른 단면도이다.Fig. 4 (a) is a perspective view, and Fig. 4 (b) is a sectional view along AA '.

반도체 발광소자(200)는 몸체(210), 반도체 발광소자 칩(220) 및 봉지재(230)를 포함한다.The semiconductor light emitting device 200 includes a body 210, a semiconductor light emitting device chip 220, and an encapsulant 230.

몸체(210)는 측벽(211) 및 바닥부(212)를 포함하고, 측벽(211) 및 바닥부(212)에 의해 형성된 캐비티(214)를 포함한다.The body 210 includes a sidewall 211 and a bottom 212 and includes a cavity 214 defined by the sidewall 211 and the bottom 212.

측벽(211)은 외측면(217)과 내측면(218)을 포함한다. 측벽(211)의 높이(H)는 바닥부(212)의 길이(L)보다 작을 수 있다. 예를 들어 측벽(211)의 높이(H)는 0.1mm 이상 내지 0.6mm 이하 일 수 있으며, 바닥부(212)의 길이(L)는 0.5mm 이상일 수 있다. 또한 측벽(211)은 필요에 따라 없을 수도 있다(미도시).The side wall 211 includes an outer surface 217 and an inner surface 218. The height H of the side wall 211 may be less than the length L of the bottom portion 212. [ For example, the height H of the side wall 211 may be 0.1 mm or more and 0.6 mm or less, and the length L of the bottom portion 212 may be 0.5 mm or more. The side wall 211 may also be omitted (not shown) if necessary.

바닥부(212)는 홀(213)을 포함한다. 홀(213)의 크기는 반도체 발광소자 칩(220)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(220)의 크기의 1.5배가 바람직하다. 또한 홀(213)을 형성하는 바닥부(212)의 내측면(240)은 광 추출 효율의 향상을 위해 경사진 것이 바람직하다.The bottom portion 212 includes a hole 213. The size of the hole 213 may be approximately the same as the size of the semiconductor light emitting device chip 220 or 1.5 times the size of the semiconductor light emitting device chip 220. Also, the inner surface 240 of the bottom portion 212 forming the hole 213 is preferably inclined to improve the light extraction efficiency.

반도체 발광소자 칩(220)은 홀(213)에 위치한다. 반도체 발광소자 칩(220)은 래터럴 칩, 수직 칩 및 플립 칩이 가능하다. 다만 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(220)의 전극(221)이 몸체(210) 바닥부(212)의 하면(216) 방향으로 노출되어 있는 점에서 플립 칩이 바람직하다. 바람직하게, 반도체 발광소자 칩(220)의 전극(221)은 바닥부(212)으로부터 돌출되어 있다.The semiconductor light emitting device chip 220 is located in the hole 213. The semiconductor light emitting device chip 220 may be a lateral chip, a vertical chip, and a flip chip. The flip chip is preferable in that the electrode 221 of the semiconductor light emitting device chip 220 is exposed in the direction of the lower surface 216 of the bottom portion 212 of the body 210 in the present disclosure. Preferably, the electrode 221 of the semiconductor light emitting device chip 220 protrudes from the bottom portion 212.

바닥부(212)의 높이(219)는 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 낮은 것이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 높은 경우 반도체 발광소자(200)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만 광 추출 효율이 떨어질 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이보다 높게 할 수도 있다.The height 219 of the bottom 212 is preferably lower than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220. If the height 219 of the bottom part 212 is higher than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 200 may deteriorate. However, the height 219 of the bottom part 212 may be higher than the height of the semiconductor light emitting device chip 220 in consideration of the optical path and the like.

바닥부(212)의 높이(219) 및 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 바닥부(212)의 하면(216)을 기준으로 측정할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있다. 바닥부(212)의 높이(219)는 0.08mm 이상 내지 0.4mm 이하 일 수 있다.The height 219 of the bottom portion 212 and the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 can be measured based on the bottom surface 216 of the bottom portion 212. The height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 may be 0.05 mm or more to 0.5 mm or less. The height 219 of the bottom portion 212 may be greater than or equal to 0.08 mm and less than or equal to 0.4 mm.

봉지재(230)는 캐비티(214)에 구비되어 반도체 발광소자 칩(220)을 덮고 있어서, 홀(213)에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩(220)을 몸체(210)에 고정시킬 수 있다. 봉지재(230)는 투광성을 갖고 있으며, 예를 들어 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 봉지재(230)는 파장 변환재(231)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자 칩(220)의 활성층으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.The encapsulant 230 is provided in the cavity 214 to cover the semiconductor light emitting device chip 220 so that the semiconductor light emitting device chip 220 located in the hole 213 can be fixed to the body 210. The sealing material 230 has a light-transmitting property, and may be made of one of, for example, an epoxy resin and a silicone resin. The sealing material 230 may include a wavelength conversion material 231 if necessary. The wavelength converting material 231 may be any material as long as it converts light generated from the active layer of the semiconductor light emitting device chip 220 into light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) For example, YAG, (Sr, Ba, Ca) 2 SiO 4 : Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength converting material 231 can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting element, and is well known to those skilled in the art.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 접합부(330)를 포함한다. 접합부(330)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 300 includes a bonding portion 330. Except for the junction 330, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

접합부(330)는 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312)에 위치한다. 접합부(330)는 는 바닥부(311)의 하면(312) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 이격되어 위치한다.The joining portion 330 is located on the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. The bonding portion 330 is spaced apart from the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 exposed in the direction of the lower surface 312 of the bottom portion 311.

이와 같은 접합부(330)로 인하여 반도체 발광소자(300)가 외부 기판(미도시)과 접합될 때, 전극(321)만으로 접합하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다.When the semiconductor light emitting device 300 is bonded to an external substrate (not shown) due to the bonding portion 330, bonding strength can be improved as compared to bonding only with the electrode 321.

접합부(330)는 금속일 수 있다. 예를 들어 접합부(330)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 접합부(330)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 접합부(330)는 다양한 조합이 가능하다. 도 5(b)는 도 5(a)의 저면도이며, 전극(321)과 접합부(330)의 배치를 확인할 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 필요한 경우에는 접합부(330)가 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 접하여 위치함으로써, 전극 기능을 수행할 수도 있다.The junction 330 may be a metal. For example, the junction 330 may be one of silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). The abutment 330 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. Various combinations of junctions 330 are possible to the extent that those skilled in the art can easily modify them. 5 (b) is a bottom view of FIG. 5 (a), and the arrangement of the electrode 321 and the bonding portion 330 can be confirmed. Although not shown, if necessary, the bonding portion 330 may be disposed in contact with the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 to perform an electrode function.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(400)는 몸체(410)의 바닥부(411)와 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 반사물질(430)을 포함한다. 반사물질(430)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 400 includes a reflective material 430 between the bottom portion 411 of the body 410 and the semiconductor light emitting device chip 420. Except for the reflective material 430, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG.

반사물질(430)이 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에 위치함으로써 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에서 나오는 빛을 반사시켜, 반도체 발광소자(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The reflective material 430 is positioned on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to reflect the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 400.

반사물질(430)은 백색 반사 물질이 바람직하다. 예를 들어 백색 실리콘 수지일 수 있다.Reflective material 430 is preferably a white reflective material. For example, a white silicone resin.

또한 도 6(b)와 같이 반사물질(430)과 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 공간(431)이 형성되게 반사물질(430)이 위치할 수도 있다.The reflective material 430 may be positioned between the reflective material 430 and the semiconductor light emitting device chip 420 as shown in FIG. 6 (b).

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(500)는 몸체(510) 측벽(511)의 내측면(513) 및 바닥부(512)의 상면(514) 중 적어도 하나에 반사층(530)을 포함한다. 반사층(530)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 500 includes a reflective layer 530 on at least one of the inner surface 513 of the side wall 511 of the body 510 and the upper surface 514 of the bottom portion 512. Except for the reflective layer 530, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG.

반사층(530)은 몸체(510) 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사층(530)은 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등으로 될 수 있다. 특히 도 3과 같은 종래의 반도체 발광소자(100)에는 리드 프레임(110, 120)에 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되어야 하기 때문에, 반사효율이 좋은 금속의 반사층이 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되는 리드 프레임(110, 120) 상면 전체에 전기적 쇼트 문제로 인하여 형성될 수 없었다. 그러나 본 개시에서는 반도체 발광소자 칩(520)에 접합되는 리드 프레임이 없으며, 또한 바닥부(512)의 상면(514)에 반도체 발광소자 칩(520)이 위치하지 않기 때문에, 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)이 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)을 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(500)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 도시 하지는 않았지만, 반사층(530)은 홀의 측면에 위치할 수도 있다.The reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512 of the body 510. The reflective layer 530 may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), high reflective white reflective material, or the like. In particular, since the semiconductor light emitting device chip 150 must be bonded to the lead frames 110 and 120 in the conventional semiconductor light emitting device 100 as shown in FIG. 3, Can not be formed on the entire upper surface of the lead frames 110 and 120 to be bonded due to an electric short problem. However, in the present disclosure, since there is no lead frame bonded to the semiconductor light emitting device chip 520 and the semiconductor light emitting device chip 520 is not disposed on the upper surface 514 of the bottom portion 512, A reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 500 can be improved by forming the reflective layer 530 of high reflection efficiency on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. Although not shown, the reflective layer 530 may be located on the side of the hole.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(600)는 몸체(610)의 바닥부(611)에 복수개의 홀(612)을 포함하며, 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치한다. 복수개의 홀(612) 및 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치하는 것을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 도 8에는 복수개의 홀 (612)이 2개로 도시하였으나, 이에 한정하지 않고 2개 이상도 가능하다. 또한 각각의 홀(612)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(620)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다.The semiconductor light emitting device 600 includes a plurality of holes 612 in a bottom portion 611 of the body 610 and the semiconductor light emitting device chip 620 is positioned in each hole 612. The semiconductor light emitting device 300 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. 5 except that the semiconductor light emitting device chip 620 is located in the plurality of holes 612 and the holes 612. Although the number of holes 612 is shown in FIG. 8, the number of holes 612 is not limited to two. Further, the semiconductor light emitting device chips 620 located in the respective holes 612 can emit different colors.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 9(a)는 사시도이며, 도 9(b)는 BB'에 따른 단면도이다.9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 9 (a) is a perspective view, and Fig. 9 (b) is a sectional view along BB '.

반도체 발광소자(700)는 몸체(710)의 바닥부(712)에 장방향으로 형성된 복수개의 홀(713, 714)을 포함하며, 몸체(710)의 측벽(711)에 형성된 바닥부(712)의 제1 홀(713)에 형성된 반도체 발광소자 칩(720)과, 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 위치하는 바닥부(712)의 제2 홀(714)에 형성된 보강재(750)와, 보강재(750)가 형성된 제2 홀(714) 내부에 채워지는 반사물질(760)을 포함한다.The semiconductor light emitting device 700 includes a plurality of holes 713 and 714 formed in the bottom portion 712 of the body 710 in the longitudinal direction and a bottom portion 712 formed in the side wall 711 of the body 710, A stiffener 750 formed on the second hole 714 of the bottom portion 712 positioned between the semiconductor light emitting device chip 720 and the stiffener 750 formed on the first hole 713 of the semiconductor light emitting device chip 720, And a reflective material 760 filled in the second hole 714 formed with the first electrode 750.

본 예에서, 바닥부(712)는 장방향(x 방향)과 단방향(y 방향)을 가지며, 장방향은 단방향 대비 5배 이상의 크기를 가질 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고 바닥부(712)는 단방향보다 장방향으로 길게 형성되는 것이 바람직하다.In this example, the bottom portion 712 has a longitudinal direction (x direction) and a unidirectional direction (y direction), and the longitudinal direction may have a size of five times or more than a unidirectional direction. However, it is preferable that the bottom portion 712 is formed longer than the unidirectional portion in the longitudinal direction.

반도체 발광소자(700)는 복수개의 홀(713, 714), 제1 홀(713)에 반도체 발광소자 칩(720)이 위치하고, 제2 홀(714)에 보강재(750) 및 반사물질(760)이 위치하는 것을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 도 9에는 복수개의 홀(713, 714)이 3개로 도시하였으나, 이에 한정하지 않고 3개 이상도 가능하다.The semiconductor light emitting device 700 has the plurality of holes 713 and 714 and the semiconductor light emitting device chip 720 in the first hole 713 and the reinforcing material 750 and the reflective material 760 in the second hole 714. [ The semiconductor light emitting device 200 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in Fig. In FIG. 9, the number of holes 713 and 714 is three, but the number of holes is not limited to three.

몸체(710)의 측벽(711)에 형성된 바닥부(712)의 제1 홀(713)에는 반도체 발광소자 칩(720)이 위치한다. 반도체 발광소자 칩(720)은 몸체(710)의 양쪽 측벽(711)에 형성된 바닥부(712)의 제1 홀(713)에 각각 형성된다. 여기서, 측벽(711)은 봉지재(730)의 댐(dam)으로 기능한다. 또한 각각의 제1 홀(713)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(720)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다.The semiconductor light emitting device chip 720 is positioned in the first hole 713 of the bottom portion 712 formed in the side wall 711 of the body 710. The semiconductor light emitting device chips 720 are formed in the first holes 713 of the bottom portion 712 formed on both side walls 711 of the body 710. Here, the side wall 711 functions as a dam of the sealing material 730. Further, the semiconductor light emitting device chips 720 located in the respective first holes 713 can emit different colors.

보강재(750)는 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 위치하는 바닥부(712)의 제2 홀(714)에 위치한다. 보강재(750)는 제1 홀(713)이 형성된 바닥부(712)와 중첩되지 않게 배치되는 것이 바람직하다.The stiffener 750 is located in the second hole 714 of the bottom portion 712 located between the semiconductor light emitting device chips 720. It is preferable that the reinforcing material 750 is disposed so as not to overlap with the bottom portion 712 in which the first hole 713 is formed.

보강재(750)의 하면(751)은 바닥부(712)의 하면(716) 방향으로 노출되어 있다. 몸체(710) 바닥부(712)의 하면(716) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(720)의 전극(721)과 떨어져 위치한다. 바람직하게, 반도체 발광소자 칩(720)의 전극(721)은 바닥부(712)으로부터 돌출되어 있다.The lower surface 751 of the reinforcing member 750 is exposed in the direction of the lower surface 716 of the bottom portion 712. And is spaced apart from the electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720 exposed in the direction of the lower surface 716 of the bottom portion 712 of the body 710. Preferably, the electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720 protrudes from the bottom portion 712.

보강재(750)의 높이(752)는 바닥부(712)의 높이(719)보다 낮게 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않고 보강재(750)의 높이(752)는 바닥부(712)의 높이(719)보다 높거나 동일하게 형성될 수 있다.The height 752 of the stiffener 750 may be less than the height 719 of the bottom portion 712 but the height 752 of the stiffener 750 may be less than the height 719 of the bottom portion 712 ). ≪ / RTI >

보강재(750)의 폭(753)은 제2 홀(714)의 폭(7140) 보다 작게 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않고 보강재(750)의 폭(753)은 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 위치하는 제2 홀(714)의 폭(7140)과 동일하게 형성될 수 있다.The width 753 of the stiffener 750 may be smaller than the width 7140 of the second hole 714. The width 753 of the stiffener 750 is not limited to the width 7140 of the second hole 714, And the width 7140 of the second hole 714 located in the second hole 714.

제2 홀(714)의 폭(7140)은 제1 홀(713)의 폭보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 깨짐을 방지하기 위해 제2 홀(714)은 제1 홀(713)보다 크게 형성되는 것이 바람직하지만, 이에 한정하지 않고 작거나 동일하게 형성될 수도 있다.The width 7140 of the second hole 714 is preferably larger than the width of the first hole 713. The second hole 714 may be formed to be larger than the first hole 713 in order to prevent the body 710 from being cracked due to bending or warping. However, the second hole 714 may be formed to be smaller or equal to the first hole 713.

바닥부(712)의 하면(716) 방향으로 돌출된 보강재(750)의 하면(751)의 길이는 반도체 발광소자 칩(720)의 전극(721)의 길이와 동일하게 위치하는 것이 바람직하다.The length of the lower surface 751 of the reinforcing member 750 protruding in the direction of the lower surface 716 of the bottom portion 712 is preferably equal to the length of the electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720.

도 9에 도시된 반도체 발광소자(700)는 장방향으로 형성됨으로써, SMT(Surface Mounter Technology) 장비를 이용하여 반도체 발광소자(700)와 외부 기판을 접합하기 위해 리플로우(Reflow) 공정을 수행하는 경우 열에 의해 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 위치하는 바닥부(712)가 휘어져 솔더링이 원활하게 이루어지지 않거나 휨이 발생하여 몸체(710)의 깨짐 문제가 발생하였다. 하지만, 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 보강재(750)가 위치함으로써, 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 깨짐 문제 등을 보완할 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(720) 사이에 위치하는 바닥부(712) 내에 제2 홀(714)이 위치함으로써, 열에 의한 압력이 종래보다 적어져 휨에 대한 문제가 완화될 수 있다.The semiconductor light emitting device 700 shown in FIG. 9 is formed in the longitudinal direction to perform a reflow process to bond the semiconductor light emitting device 700 and the external substrate using SMT (Surface Mounter Technology) equipment The bottom portion 712 located between the semiconductor light emitting device chips 720 is bent by the heat, so that the soldering is not performed smoothly or the semiconductor device 710 is bent. However, since the reinforcing member 750 is disposed between the semiconductor light emitting device chips 720, the problem of breaking due to warping or warping of the body 710 can be compensated. That is, since the second hole 714 is located in the bottom portion 712 located between the semiconductor light-emitting device chips 720, the pressure due to heat is smaller than that in the prior art, so that the problem of warping can be alleviated.

더욱이, 바닥부(712)의 하면(716) 방향으로 반도체 발광소자 칩(720)의 전극(721)의 길이만큼 돌출된 보강재(750)의 하면(751)으로 인하여 반도체 발광소자(700)가 외부 기판과 접합될 때, 반도체 발광소자 칩(720)의 전극(721)만으로 접하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다.The semiconductor light emitting element 700 is exposed to the outside due to the lower surface 751 of the reinforcing member 750 protruded by the length of the electrode 721 of the semiconductor light emitting element chip 720 in the direction of the lower surface 716 of the bottom portion 712. [ The bonding force can be improved as compared with the case of contacting only the electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720 with the substrate.

이와 같은 보강재(750)는 접합력이 높은 비도전성 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 보강재(750)는 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 보강재(750)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 보강재(750)는 다양한 조합이 가능하다.The reinforcing material 750 may be made of a non-conductive metal having a high bonding strength. For example, the stiffener 750 may be one of copper (Cu) and gold (Au). The stiffener 750 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. A variety of combinations of stiffeners 750 are possible to the extent that those skilled in the art can easily modify them.

보강재(750)가 형성된 제2 홀(714) 내부에 채워지는 반사물질(760)은 빛을 반사하는 물질로 형성된다. 예를 들어, 반사율이 높은 고반사 백색 반사 물질 즉, 백색 실리콘으로 형성될 수 있다.The reflective material 760, which is filled in the second hole 714 formed with the reinforcing material 750, is formed of a material that reflects light. For example, it can be formed of highly reflective white reflective material with high reflectance, that is, white silicon.

반사물질(760)이 보강재(750) 상면에 위치함으로써, 파장 변환재(731)에 의해 방사된 빛을 반사시켜 반도체 발광소자(700)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Since the reflective material 760 is positioned on the upper surface of the reinforcing material 750, the light emitted by the wavelength converting material 731 can be reflected to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 700.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(800)는 반도체 발광소자 칩(820) 사이에 위치하는 바닥부(812)의 제2 홀(814)에 형성된 보강재(850)의 전면 형성된 금속 반사층(880)을 포함한다. 금속 반사층(880)을 제외하고는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 800 includes a metal reflective layer 880 formed on the front surface of the stiffener 850 formed in the second hole 814 of the bottom portion 812 located between the semiconductor light emitting device chips 820. Except for the metal reflection layer 880, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 700 described in Fig.

금속 반사층(880)이 보강재(850)의 상면에 위치함으로써, 파장 변환재(831)에 의해 방사된 빛을 반사시켜 반도체 발광소자(800)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Since the metal reflection layer 880 is positioned on the upper surface of the stiffener 850, the light emitted by the wavelength conversion material 831 can be reflected to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 800.

금속 반사층(880)은 빛을 반사하는 효율이 높은 금속성 물질로 이루어진 것이 바람직하며 예를 들어 금속성 물질이 코팅, 도금 및 증착 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 금속 반사층(880)을 형성하는 금속성 물질에는 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al) 등으로 형성될 수 있다.The metal reflection layer 880 is preferably made of a metallic material having high efficiency of reflecting light. For example, a metallic material may be formed by a method such as coating, plating, and deposition. The metallic material forming the metal reflection layer 880 may be formed of, for example, silver (Ag), aluminum (Al), or the like.

또한, 금속 반사층(870)은 도 10(b)와 같이 보강재(850)의 하면에도 위치할 수 있다.Also, the metal reflection layer 870 may be positioned on the lower surface of the stiffener 850 as shown in FIG. 10 (b).

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(900)는 반도체 발광소자 칩(920) 사이에 위치하는 바닥부(912)가 서로 이격된 복수개의 제2 홀(914)을 포함하며, 각각의 제2 홀(914)에는 보강재(950) 및 반사물질(960)이 위치한다. 서로 이격된 복수개의 제2 홀(914) 및 각각의 제2 홀(914)에 보강재(950) 및 반사물질(960)이 위치하는 것을 제외하고는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 900 includes a plurality of second holes 914 spaced apart from each other by a bottom portion 912 positioned between the semiconductor light emitting device chips 920. Each second hole 914 is provided with a reinforcing member 950 and reflective material 960 are located. 9, except that a plurality of second holes 914 spaced apart from each other and a reinforcing member 950 and a reflective material 960 are located in the respective second holes 914. The semiconductor light emitting device 700 shown in FIG. .

도 11에는 복수개의 제2 홀(914)이 3개로 도시하였으나, 이에 한정하지 않고 3개 이상도 가능하다. 여기서, 복수개의 제2 홀(914)의 폭은 서로 상이하거나 동일하게 형성될 수 있다.11, the number of the plurality of second holes 914 is three, but it is not limited to three, and three or more are possible. Here, the widths of the plurality of second holes 914 may be different from or the same as each other.

또한 도시하지 않았지만, 필요한 경우에는 복수개의 제2 홀(914)내에 채워지는 반사물질(960) 대신 보강재(950)의 상면 또는 상하면에 금속 반사층이 위치함으로써, 파장 변환재(931)에 의해 방사된 빛을 반사시켜 반도체 발광소자(900)의 광 추출 효율을 향상시킬 수도 있다.Although not shown, a metal reflection layer is disposed on the upper surface or the upper and lower surfaces of the stiffener 950 instead of the reflection material 960 filled in the plurality of second holes 914, if necessary, The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 900 may be improved by reflecting the light.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(1000)는 반도체 발광소자 칩(1020)의 측면에서 나오는 빛을 효율적으로 반사하기 위해서 반사율이 높은 반사층(1070, 1071)을 포함한다. 반사층(1070, 1071)을 제외하고는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 1000 includes reflective layers 1070 and 1071 having high reflectance in order to efficiently reflect light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 1020. Except for the reflective layers 1070 and 1071, has the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 700 described in FIG.

반사층(1070, 1071)은 빛을 반사하는 효율이 높은 금속성 물질로 이루어진 것이 바람직하며 예를 들어 금속성 물질이 코팅, 도금 및 증착 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다.The reflective layers 1070 and 1071 are preferably made of a metal material having high efficiency of reflecting light, and for example, a metallic material may be formed by a method such as coating, plating and vapor deposition.

반사층(1070, 1071)을 형성하는 금속성 물질에는 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al) 등이 있지만 비용 및 효율을 고려했을 때 알루미늄(Al)이 바람직하다.For example, silver (Ag), aluminum (Al) or the like is used as the metallic material for forming the reflective layers 1070 and 1071, but aluminum (Al) is preferable considering cost and efficiency.

구체적으로 도 12(a)를 살펴보면, 반사층(1070)은 측벽(1017)의 내측면(1018), 바닥부(1012)의 상면(1015) 및 바닥부(1012)의 내측면(1040)의 일면에 형성된다. 여기서, 벽(1017)의 내측면(1018), 바닥부(1012)의 상면(1015) 및 바닥부(1012)의 내측면(1040)은 하나의 라인으로 연결되어 위치한다. 즉, 반사층(1070)은 반도체 발광소자 칩(1020)을 덮는 봉지재(1030)와 접속하는 몸체(1010)의 일면에 형성된다.12A, the reflection layer 1070 is formed on one side of the inner side surface 1018 of the side wall 1017, the upper surface 1015 of the bottom portion 1012 and the inner side surface 1040 of the bottom portion 1012 As shown in FIG. Here, the inner surface 1018 of the wall 1017, the upper surface 1015 of the bottom portion 1012, and the inner surface 1040 of the bottom portion 1012 are connected by one line. That is, the reflection layer 1070 is formed on one surface of the body 1010 connected to the sealing material 1030 covering the semiconductor light emitting device chip 1020.

반사효율이 높은 금속의 반사층(1070)을 몸체(1010)의 내측면 전체에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(1000)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 1000 can be improved by forming the reflective layer 1070 having a high reflection efficiency on the entire inner surface of the body 1010. [

도 12(b)를 살펴보면, 반사층(1071)은 바닥부(1012)의 내측면(1040) 중 바닥부(1012)의 하면(1016) 방향의 일부분(1041)을 제외한 나머지 바닥부(1012)의 내측면(1040), 바닥부(1012)의 상면(1015) 및 측벽(1017)의 내측면(1018)에만 형성된다. 이에 따라, 반사층(1071)이 바닥부(1012)의 일부분(1041)을 제외한 부분에 형성됨으로써, 쇼트 위험성을 방지할 수 있다.12B, the reflection layer 1071 is formed on the bottom 1012 of the bottom 1012 except the part 1041 in the direction of the bottom 1016 of the bottom 1012 of the inner side 1040 of the bottom 1012 The inner surface 1040 of the side wall 1017 and the upper surface 1015 of the bottom portion 1012 and the inner surface 1018 of the side wall 1017 are formed. Accordingly, the reflective layer 1071 is formed on the portion except the portion 1041 of the bottom portion 1012, thereby preventing the risk of short-circuiting.

또한, 도시 하지는 않았지만 몸체(1010)의 상면에도 반사층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 몸체(1010)의 상면에 금속성 물질 또는 DBR 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 도포하여 반사층을 형성할 수 있다.Also, although not shown, a reflective layer may be formed on the upper surface of the body 1010. For example, a metallic material or a DBR distributed Bragg reflector (DBR) may be applied to the upper surface of the body 1010 to form a reflective layer.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.13 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(1100)는 반도체 발광소자 칩(1120) 사이에 위치하는 몸체(1110) 바닥부(1112)의 제2 홀(1114)에 위치하는 기능성 소자(2000)를 포함한다. 제2 홀(1114)에 형성된 기능성 소자(2000)를 제외하고는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 1100 includes a functional device 2000 positioned in the second hole 1114 of the bottom 1112 of the body 1110 located between the semiconductor light emitting device chips 1120. Except for the functional element 2000 formed in the second hole 1114. The semiconductor light emitting element 700 shown in FIG.

기능성 소자(2000)는 예를 들어, ESD(ElectroStatic Discharge) 및/또는 EOS(Electrical Over-Stress)로부터 반도체 발광소자 칩(1120)을 보호하는 보호 소자(protecting element: 예: zener diode)이다.The functional device 2000 is a protecting element (e.g., a zener diode) that protects the semiconductor light emitting device chip 1120 from electrostatic discharge (ESD) and / or electrical over-stress (EOS), for example.

기능성 소자(2000)의 전극(2001)은 발광소자 칩(1120)의 전극(1121)과 동일한 방향, 즉 몸체(1100) 바닥부(1112)의 하면(1116) 방향으로 노출되어 위치한다.The electrode 2001 of the functional device 2000 is exposed and positioned in the same direction as the electrode 1121 of the light emitting device chip 1120, that is, in the direction of the lower surface 1116 of the bottom portion 1112 of the body 1100.

기능성 소자(2000)가 형성된 제2 홀(1114)은 반사물질(1160)로 채워진다.The second hole 1114 in which the functional element 2000 is formed is filled with the reflective material 1160.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.14 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(1200)는 반도체 발광소자 칩(1220) 사이에 위치하는 바닥부(1212)가 서로 이격된 복수개의 제2 홀(1214)을 포함하며, 반도체 발광소자 칩(1220)과 인접한 바닥부(1212)의 제2 홀(1214)에는 보강재(1250) 및 반사물질(1260)이 위치하고, 보강재(1250) 및 반사물질(1260)이 위치하는 제2 홀(1214) 사이에는 기능성 소자(2100) 및 반사물질(1260)이 위치한다. 서로 이격된 복수개의 제2 홀(1214) 및 각각의 제2 홀(1214)에 보강재(1250) 및 반사물질(1260) 그리고 기능성 소자(2100) 및 반사물질(1260)이 위치하는 것을 제외하고는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 1200 includes a plurality of second holes 1214 spaced apart from each other with a bottom portion 1212 located between the semiconductor light emitting device chips 1220, The reinforcing member 1250 and the reflective material 1260 are positioned in the second hole 1214 of the first substrate 1212 and the functional device 2100 is disposed between the second hole 1214 where the reinforcing material 1250 and the reflective material 1260 are located. And reflective material 1260 are located. Except that a plurality of second holes 1214 spaced apart from each other and a stiffener 1250 and a reflective material 1260 and a functional element 2100 and a reflective material 1260 are located in each second hole 1214 Has the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 700 described in Fig.

서로 이격된 복수개의 제2 홀(1214)은 서로 상이한 폭으로 형성될 수 있지만, 이에 한정되지 않고 동일한 폭으로 형성될 수 있다.The plurality of second holes 1214 spaced apart from each other may be formed to have different widths, but they are not limited thereto and may be formed to have the same width.

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법의 일 예를 보여주는 도면이다.FIG. 15 is a view showing an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 16 is a view showing another example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저, 바닥부(1312)에 장방향으로 형성된 복수개의 홀(1313, 1314)을 포함하는 몸체(900)를 준비한다(S1). 여기서, 몸체(1310)는 사출성형을 통해 얻을 수 있다.First, a body 900 including a plurality of holes 1313 and 1314 formed in a longitudinal direction in a bottom portion 1312 is prepared (S1). Here, the body 1310 can be obtained through injection molding.

몸체(1310)는 임시 고정판인 베이스(1)에 의해 고정 및 지지될 수 있다. 베이스(1)는 일반 접착력 있는 테이프이면 가능하다. 예를 들어 블루 테이프일 수 있다.The body 1310 can be fixed and supported by the base 1, which is a temporary fixing plate. The base 1 can be made of a general adhesive tape. For example, a blue tape.

제1 홀(1313)은 몸체(1310)의 양쪽 측벽(1311)에 형성된 바닥부(1312)에 위치되고, 제2 홀(1314)는 제1 홀(1313) 사이의 바닥부(1312)에 위치한다.The first holes 1313 are located in bottom portions 1312 formed in both side walls 1311 of the body 1310 and the second holes 1314 are positioned in the bottom portion 1312 between the first holes 1313 do.

제2 홀(1314)의 폭은 제1 홀(1313)의 폭보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 제1 홀(1313) 사이에 위치하는 제2 홀(1314)이 서로 이격되어 복수개로 위치하는 경우 제2 홀(1314)의 폭은 제1 홀(1313)의 폭과 동일하게 또는 작게 형성될 수 있다.The width of the second hole 1314 is preferably larger than the width of the first hole 1313. However, if the second holes 1314 located between the first holes 1313 are spaced apart from each other, the width of the second holes 1314 may be equal to or smaller than the width of the first holes 1313 .

다음으로, 제1 홀(1313) 각각에 반도체 발광소자 칩(1320)을 배치한다(S2). 소자 이송 장치(미도시)를 이용하여 제1 홀(1313)에 반도체 발광소자 칩(1320)을 배치한다. 여기서, 몸체(1310)는 소자 이송 장치가 반도체 발광소자 칩(220)을 놓을 위치나 각도를 보정하기 위한 패턴으로 인식될 수 있으며, 이와 함께 봉지재(1330)의 댐으로 기능한다.Next, the semiconductor light emitting device chip 1320 is disposed in each of the first holes 1313 (S2). The semiconductor light emitting device chip 1320 is disposed in the first hole 1313 using a device transferring device (not shown). Here, the body 1310 can be recognized as a pattern for correcting the position and angle of the semiconductor light emitting device chip 220 to be placed by the element transferring apparatus, and functions as a dam of the encapsulating material 1330.

다음으로, 제2 홀(1314)에 보강재(1350)를 배치한다(S3).Next, a stiffener 1350 is disposed in the second hole 1314 (S3).

다음으로, 보강재(1350)가 배치된 제2 홀(1314) 내부에 반사물질(1360)을 채운다(S4).Next, the reflective material 1360 is filled in the second hole 1314 in which the reinforcing material 1350 is disposed (S4).

다음으로, 반도체 발광소자 칩(1320) 및 보강재(1350)를 고정시키기 위해 몸체(1310) 내부에 봉지재(1330)를 투입한다(S5).Next, the sealing material 1330 is inserted into the body 1310 to fix the semiconductor light emitting device chip 1320 and the reinforcing material 1350 (S5).

한편, 보강재(1350)는 금속 반사층(1380)을 코팅되어 제2 홀(1314)내에 배치될 수 있다(S31).On the other hand, the reinforcing material 1350 may be disposed in the second hole 1314 coated with the metal reflection layer 1380 (S31).

금속 반사층(1380)이 형성된 보강재(1350)가 제2 홀(1314)에 배치되는 경우, 별도의 반사물질(1360) 형성 없이 바로 봉지재(1330)를 투입한다(S51).When the reinforcing material 1350 in which the metal reflection layer 1380 is formed is disposed in the second hole 1314, the sealing material 1330 is directly injected without forming a separate reflective material 1360 (S51).

다음으로, 베이스(1)를 제거하고, 반도체 발광소자 칩(1320)의 노출된 전극(1321)과, 보강재(1350)의 하면을 외부 기판에 접합한다. 반도체 발광소자 칩(1320)의 전극(1321) 및 보강재(1350)와 외부 기판의 접합은 솔더물질을 사용한 솔더링에 의해 접합할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(1320) 사이에 보강재(1350)가 위치함으로써, 몸체(1310)의 휨이나 휨에 의한 깨짐 문제 등을 보완하면서, 반도체 발광소자 칩(1320)의 전극(1321)만으로 접하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다.Next, the base 1 is removed, and the exposed electrode 1321 of the semiconductor light emitting element chip 1320 and the lower surface of the stiffener 1350 are bonded to the external substrate. The bonding of the electrode 1321 and the stiffener 1350 of the semiconductor light emitting device chip 1320 to the external substrate can be performed by soldering using a solder material. Since the reinforcing member 1350 is positioned between the semiconductor light emitting device chips 1320 and the semiconductor light emitting device chip 1320 is contacted with only the electrode 1321 of the semiconductor light emitting device chip 1320 while compensating for the problem of breakage due to bending or warping of the body 1310 The bonding force can be improved.

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.The order of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that those skilled in the art can easily change it.

도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 17(a)는 사시도이며, 도 17(b)는 CC'에 따른 단면도이고, 도 17(c)는 도 17(b)에 대한 다른 예의 단면도이고, 도 17(d)는 도 17(b)에 대한 또 다른 예의 단면도이다.17 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 17 (a) is a perspective view, Fig. 17 (b) is a sectional view along CC ', Fig. 17 (c) is a sectional view of another example of Fig. Lt; RTI ID = 0.0 > example). ≪ / RTI >

반도체 발광소자(1400)는 장방향으로 형성된 복수개의 홀(1413, 1414)을 포함하는 바닥부(1412), 2개의 개방 구간(1401, 1402)를 포함하는 측벽(1411), 바닥부(1412)의 제1 홀(1413)에 형성된 반도체 발광소자 칩(1420)과, 반도체 발광소자 칩(1420) 사이에 위치하는 바닥부(1412)의 제2 홀(1414)에 형성된 보강재(1450)와, 보강재(1450)가 형성된 제2 홀(1414) 내부에 채워지는 반사물질(1460)을 포함한다. 본 예에서, 바닥부(1412)는 장방향(x 방향)과 단방향(y 방향)을 가지며, 장방향은 단방향 대비 5배 이상의 크기를 가질 수 있다.The semiconductor light emitting device 1400 includes a bottom portion 1412 including a plurality of holes 1413 and 1414 formed in the longitudinal direction, a side wall 1411 including two opening portions 1401 and 1402, a bottom portion 1412, A stiffener 1450 formed in the second hole 1414 of the bottom portion 1412 positioned between the semiconductor light emitting device chip 1420 and the stiffener 1450 formed in the first hole 1413 of the semiconductor light emitting device chip 1420, And a reflective material 1460 that is filled in the second hole 1414 where the second electrode 1450 is formed. In this example, the bottom portion 1412 has a longitudinal direction (x direction) and a unidirectional direction (y direction), and the longitudinal direction may have a size of five times or more than a unidirectional direction.

측벽(1411)은 2개의 개방 구간(1401, 1402)을 포함한다. 2개의 개방 구간(1401, 1402)은 장방향 측에서 서로 마주보고 위치하는 것이 바람직하다.The side wall 1411 includes two open sections 1401 and 1402. It is preferable that the two open sections 1401 and 1402 are positioned facing each other on the longitudinal direction side.

이에 따라, 반도체 발광소자(1400)는 빛을 반도체 발광소자(1400)의 상측 및 개방 구간(1401, 1402)을 통해 발광할 수 있다. 이에 따라, 반도체 발광소자(1400)는 3면 발광이 가능하다.Accordingly, the semiconductor light emitting device 1400 can emit light through the upper and open sections 1401 and 1402 of the semiconductor light emitting device 1400. Accordingly, the semiconductor light emitting element 1400 can emit light in three planes.

또한 바닥부(1412)의 높이(1403)는 반도체 발광소자 칩(1420)의 높이(1421)보다 낮다. 바닥부(1412)의 높이(1403)가 반도체 발광소자 칩(1420)의 높이(1421)보다 낮기 때문에 도 17(a)에 표시된 화살표와 같이 3면 발광하는 반도체 발광소자(1400)의 광 추출 효율이 더욱 증가할 수 있다.The height 1403 of the bottom portion 1412 is lower than the height 1421 of the semiconductor light emitting device chip 1420. Since the height 1403 of the bottom portion 1412 is lower than the height 1421 of the semiconductor light emitting device chip 1420, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 1400, Can be further increased.

반도체 발광소자(1400)는 2개의 개방 구간(1401, 1402)을 포함하고 있지만, 이에 한정하지 않고 1개 또는 2개 이상의 개방 구간을 포함할 수 있다.The semiconductor light emitting device 1400 includes two open sections 1401 and 1402, but it is not limited thereto and may include one or two or more open sections.

또한, 도 12(c)를 참조하면 반도체 발광소자(1400)는 개방 구간(1401, 1402)의 측벽(1411)이 완전히 제거되는 것이 아니라 일부가 남아서 반도체 발광소자(1400)의 측면으로 나가는 빛의 각도 또는 빛의 양을 조절할 수 있다.12 (c), the side walls 1411 of the open sections 1401 and 1402 are not completely removed, but a portion of the side walls 1411 of the openings 1401 and 1402 is not completely removed, and the light emitted to the side of the semiconductor light emitting device 1400 You can adjust the angle or the amount of light.

또한, 도 12(d)를 참조하면 반도체 발광소자(1400)는 절단선(1404)에 따라 측벽(1411)을 제거하여 반도체 발광소자(1400)의 측면으로 빛을 발광할 수 있다.12D, the semiconductor light emitting device 1400 may emit light toward the side of the semiconductor light emitting device 1400 by removing the sidewall 1411 along the cut line 1404.

도 17에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(1400)는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 실질적으로 동일하다.Except as described in Fig. 17, the semiconductor light emitting element 1400 is substantially the same as the semiconductor light emitting element 700 described in Fig.

본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 포함하는 몸체; 몸체의 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 홀 각각에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부의 홀에 형성되는 보강재; 그리고 반도체 발광소자 칩 및 보강재를 고정시키기 위해 몸체 내부에 채워지는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion formed with a plurality of holes in a longitudinal direction; And a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting device chip; A reinforcing member formed in a hole in a bottom portion located between the semiconductor light emitting device chips; And a sealing material filled in the body for fixing the semiconductor light emitting device chip and the reinforcing material.

(2) 보강재가 형성된 홀 내부에 채워지는 반사물질;을 포함하는 반도체 발광소자.(2) a reflective material filled in the hole where the reinforcing material is formed.

(3) 보강재와 봉지재 사이에 위치하는 금속 반사층;을 포함하는 반도체 발광소자.(3) A semiconductor light emitting device comprising a metal reflective layer positioned between a reinforcing material and a sealing material.

(4) 보강재의 높이는 바닥부의 높이보다 작은 반도체 발광소자.(4) The height of the reinforcing member is smaller than the height of the bottom portion.

(5) 반도체 발광소자 칩이 형성된 홀의 폭은 보강재가 형성된 홀의 폭보다 작은 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting device in which the width of the hole in which the semiconductor light emitting device chip is formed is smaller than the width of the hole in which the reinforcing material is formed.

(6) 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부는 서로 이격된 복수개의 홀을 포함하고, 보강재는 서로 이격된 복수개의 홀 내에 각각 형성되는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the bottom portion positioned between the semiconductor light emitting device chips includes a plurality of holes spaced from each other, and the stiffener is formed in a plurality of holes spaced from each other.

(7) 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부는 서로 이격된 복수개의 홀을 포함하고, 서로 이격된 복수개의 홀 중 적어도 하나의 홀 내에 형성되는 보호소자인 기능성 소자;를 포함하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting device comprising: a functional element which is a protection element formed in at least one of a plurality of holes spaced apart from each other, wherein the bottom portion located between the semiconductor light emitting element chips includes a plurality of holes spaced apart from each other.

(8) 보강재는 기능성 소자가 형성되지 않는 나머지 홀에 형성되는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the reinforcing material is formed in the remaining hole in which the functional element is not formed.

(9) 보강재의 하면은 바닥부의 하면 방향으로 노출되는 반도체 발광소자.(9) The bottom surface of the reinforcing member is exposed in the bottom direction of the bottom portion.

(10) 보강재의 하면은 바닥부의 하면 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩의 전극과 떨어져 위치하는 반도체 발광소자.(10) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the lower surface of the stiffener is located apart from the electrode of the semiconductor light emitting device chip exposed in the bottom direction of the bottom portion.

(11) 반도체 발광소자 칩을 수용하는 바닥부의 내측면은 홀의 상측 개구의 폭이 홀의 하측 개구의 폭보다 크도록 경사진 반도체 발광소자.(11) The semiconductor light emitting device according to (11), wherein the inner side surface of the bottom portion accommodating the semiconductor light emitting device chip is inclined such that the width of the upper opening of the hole is larger than the width of the lower opening of the hole.

(12) 반도체 발광소자 칩을 수용하는 바닥부의 내측면은 반사층;을 포함하는 반도체 발광소자.(12) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the inner side surface of the bottom portion accommodating the semiconductor light emitting device chip comprises a reflective layer.

(13) 몸체는 측벽;을 포함하고, 측벽은 적어도 1개 이상의 개방 구간을 포함하고, 적어도 1개 이상의 개방 구간은 서로 마주보고 위치하는 반도체 발광소자.(13) The semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the body includes a side wall, the side wall includes at least one open section, and at least one open section is positioned facing each other.

(14) 몸체의 상측 개구의 폭은 반도체 발광소자 칩의 폭보다 큰 반도체 발광소자.(14) The semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the width of the upper opening of the body is larger than the width of the semiconductor light emitting device chip.

(15) 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 서로 상이한 폭을 갖는 복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 구비하는 몸체를 베이스에 배치하는 단계; 장방향으로 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 제1 홀 각각에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계; 반도체 발광소자 칩이 배치되지 않는 바닥부의 제2 홀에 보강재를 배치하는 단계; 그리고 몸체 내부에 봉지재를 투입하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(15) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising: disposing a body on a base, the body having a bottom formed in a longitudinal direction with a plurality of holes having different widths; Disposing the semiconductor light emitting device chips in the first holes of the bottom portion formed on both side surfaces in the longitudinal direction; Disposing a stiffener in a second hole at the bottom where the semiconductor light emitting device chip is not disposed; And injecting an encapsulating material into the inside of the body.

(16) 제2 홀 내부에 반사물질을 투입하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(16) injecting a reflective material into the second hole.

(17) 보강재를 금속 반사층으로 코팅하는 단계;를 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(17) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: coating a reinforcing material with a metal reflective layer.

본 개시에 따르면 장방향으로 형성된 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자 칩 사이에 보강재를 형성함으로써, 외부 기판과의 접합력을 유지하면서 반도체 발광소자의 휨 및 휨에 따른 깨짐 현상을 방지할 수 있다.According to the present disclosure, in the semiconductor light emitting device formed in the longitudinal direction, by forming the reinforcing member between the semiconductor light emitting device chips, it is possible to prevent the cracking due to the warping and the warping of the semiconductor light emitting device while maintaining the bonding force with the external substrate.

제1 홀 : 713, 813, 913, 1313, 1413
제2 홀 : 714, 814, 914, 1114, 1214, 1314, 1414
보강재 : 750, 850, 950, 1250, 1350, 1450
반사물질 : 760, 960, 1160, 1260, 1360, 1460
금속 반사층 : 880, 1380
개방 구간 : 1401, 1402First holes: 713, 813, 913, 1313, 1413
Second holes: 714, 814, 914, 1114, 1214, 1314, 1414
Stiffeners: 750, 850, 950, 1250, 1350, 1450
Reflective materials: 760, 960, 1160, 1260, 1360, 1460
Metal reflective layer: 880, 1380
Open section: 1401, 1402

Claims (17)

반도체 발광소자에 있어서,
복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 포함하는 몸체;
몸체의 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 홀 각각에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩;
반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부의 홀에 형성되는 보강재; 그리고
반도체 발광소자 칩 및 보강재를 고정시키기 위해 몸체 내부에 채워지는 봉지재;를 포함하며,
보강재의 높이는 바닥부의 높이보다 작은 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A body including a bottom formed by a plurality of holes in a longitudinal direction;
And a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting device chip;
A reinforcing member formed in a hole in a bottom portion located between the semiconductor light emitting device chips; And
And an encapsulating material filled in the body for fixing the semiconductor light emitting device chip and the reinforcing material,
And the height of the reinforcing member is smaller than the height of the bottom portion. 제1항에 있어서,
보강재가 형성된 홀 내부에 채워지는 반사물질;을 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a reflective material filled in the hole where the reinforcing material is formed. 제1항에 있어서,
보강재와 봉지재 사이에 위치하는 금속 반사층;을 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a metal reflective layer positioned between the reinforcing material and the sealing material. 삭제delete 제1항에 있어서,
반도체 발광소자 칩이 형성된 홀의 폭은 보강재가 형성된 홀의 폭보다 작은 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The width of the hole in which the semiconductor light emitting device chip is formed is smaller than the width of the hole in which the reinforcing material is formed. 제1항에 있어서,
반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부는 서로 이격된 복수개의 홀을 포함하고,
보강재는 서로 이격된 복수개의 홀 내에 각각 형성되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The bottom portion positioned between the semiconductor light emitting device chips includes a plurality of holes spaced from each other,
Wherein the reinforcing member is formed in each of a plurality of holes spaced from each other. 제1항에 있어서,
반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 바닥부는 서로 이격된 복수개의 홀을 포함하고,
서로 이격된 복수개의 홀 중 적어도 하나의 홀 내에 형성되는 보호소자인 기능성 소자;를 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The bottom portion positioned between the semiconductor light emitting device chips includes a plurality of holes spaced from each other,
And a functional element which is a protection element formed in at least one of a plurality of holes spaced apart from each other. 제7항에 있어서,
보강재는 기능성 소자가 형성되지 않는 나머지 홀에 형성되는 반도체 발광소자.8. The method of claim 7,
Wherein the reinforcing material is formed in the remaining hole in which the functional element is not formed. 제1항에 있어서,
보강재의 하면은 바닥부의 하면 방향으로 노출되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the lower surface of the reinforcing member is exposed in a bottom direction of the bottom portion. 제9항에 있어서,
보강재의 하면은 바닥부의 하면 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩의 전극과 떨어져 위치하는 반도체 발광소자.10. The method of claim 9,
And the bottom surface of the reinforcing member is located apart from the electrode of the semiconductor light emitting device chip exposed in the bottom direction of the bottom portion. 제1항에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 수용하는 바닥부의 내측면은 홀의 상측 개구의 폭이 홀의 하측 개구의 폭보다 크도록 경사진 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the inner surface of the bottom portion accommodating the semiconductor light emitting device chip is inclined such that the width of the upper opening of the hole is larger than the width of the lower opening of the hole. 제11항에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 수용하는 바닥부의 내측면은 반사층;을 포함하는 반도체 발광소자.12. The method of claim 11,
And the inner surface of the bottom portion, which receives the semiconductor light emitting device chip, comprises a reflective layer. 제1항에 있어서,
몸체는 측벽;을 포함하고,
측벽은 적어도 1개 이상의 개방 구간을 포함하고,
적어도 1개 이상의 개방 구간은 서로 마주보고 위치하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The body includes a sidewall,
The sidewall includes at least one open section,
Wherein at least one open section is located facing each other. 제1항에 있어서,
몸체의 상측 개구의 폭은 반도체 발광소자 칩의 폭보다 큰 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the width of the upper opening of the body is larger than the width of the semiconductor light emitting element chip. 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,
서로 상이한 폭을 갖는 복수개의 홀이 장방향으로 형성된 바닥부를 구비하는 몸체를 베이스에 배치하는 단계;
장방향으로 양쪽 측면에 형성된 바닥부의 제1 홀 각각에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;
반도체 발광소자 칩이 배치되지 않는 바닥부의 제2 홀에 보강재를 배치하는 단계;로서, 바닥부의 높이보다 작은 높이를 갖는 보강재를 배치하는 단계; 그리고
몸체 내부에 봉지재를 투입하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Disposing a body on a base, the body having a bottom portion formed in a longitudinal direction of the plurality of holes having different widths;
Disposing the semiconductor light emitting device chips in the first holes of the bottom portion formed on both side surfaces in the longitudinal direction;
Disposing a stiffener in a second hole in a bottom portion where the semiconductor light emitting device chip is not disposed, the method comprising: arranging a stiffener having a height smaller than a height of a bottom portion; And
And injecting an encapsulating material into the body. 제15항에 있어서,
제2 홀 내부에 반사물질을 투입하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.16. The method of claim 15,
And injecting a reflective material into the second hole. 제15항에 있어서,
보강재를 금속 반사층으로 코팅하는 단계;를 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.16. The method of claim 15,
And coating the reinforcing material with a metal reflective layer.
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