KR101946244B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 몸체 바닥부의 홀과 중첩되지 않게 몸체에 위치하는 적어도 하나 이상의 보강재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 대한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion, the body including at least one hole formed in a bottom portion thereof; A semiconductor light emitting device chip disposed in each hole, comprising: a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes, and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And at least one reinforcing member disposed on the body so as not to overlap the hole in the bottom of the body, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom of the body.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the substrate 10 side is electrically connected to the outside, it functions as a mounting surface.

도 2는 한국공개특허공보 제10-2015-0073521호에 기재된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2015-0073521. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it functions as a mounting surface. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다. 그러나 도 3에 기재된 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(150)과 리드 프레임(110, 120) 사이에 접합이 필요하며, 특히 도 2에 도시된 플립 칩을 사용하는 경우 리드 프레임(110, 120)에 접합하는 과정에서 플립 칩에서 나오는 광량이 접합물질(예 : solder paste)에 의해 손실될 가능성이 큰 문제가 있었다. 또한 반도체 발광소자(100)를 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)와 접합하는 SMT 공정 중 발생하는 열 때문에 반도체 발광소자 칩(150)과 리드 프레임(110, 120) 사이의 접합에 문제가 발생할 수 있었다. The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have. However, the semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 3 requires bonding between the semiconductor light emitting device chip 150 and the lead frames 110 and 120, and in particular, when the flip chip shown in FIG. 2 is used, , 120), there is a problem that the amount of light emitted from the flip chip is likely to be lost by a bonding material (for example, solder paste). Further, there is a problem in joining between the semiconductor light emitting device chip 150 and the lead frames 110 and 120 due to the heat generated during the SMT process of bonding the semiconductor light emitting device 100 to an external (e.g., PCB substrate, submount, .

본 개시는 반도체 발광소자에 사용된 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)와 접합하는 반도체 발광소자를 제공하고자 한다. 특히 플립 칩을 사용하였음에도 리드 프레임과 플립 칩 사이의 접합에 의해 플립 칩에서 나오는 광량에 손실이 없도록 리드 프레임과 플립 칩 사이에 접합이 필요없는 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.The present disclosure is intended to provide a semiconductor light emitting device in which an electrode of a semiconductor light emitting device chip used in a semiconductor light emitting device is directly bonded to the outside (for example, a PCB substrate, a submount, or the like). In particular, it is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device which does not require a junction between a lead frame and a flip chip so that there is no loss in the amount of light emitted from the flip chip due to bonding between the lead frame and the flip chip.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 몸체의 길이 방향으로 홀과 중첩되지 않게 몸체에 위치하는 적어도 하나 이상의 보강재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a body including a bottom portion, the body including at least one hole formed in a bottom portion thereof; A semiconductor light emitting device chip disposed in each hole, comprising: a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes, and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And at least one reinforcing member disposed on the body so as not to overlap the hole in the longitudinal direction of the body, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom of the body, do.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국공개특허공보 제10-2015-0073521호에 기재된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 보강재의 다양한 실시 예를 보여주는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 사용되는 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 보여주는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법을 보여주는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0073521,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing various embodiments of a stiffener in a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip used in a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 is a view showing a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
15 is a view showing another manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
16 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자(200)에 대한 사시도이며, 도 4(b)는 AA'에 따른 단면도이다.4 (a) is a perspective view of the semiconductor light emitting device 200 according to the present disclosure, and FIG. 4 (b) is a sectional view along AA '.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(200)는 몸체(210), 반도체 발광소자 칩(220) 및 봉지재(230)를 포함하고 있다.The semiconductor light emitting device 200 according to the present disclosure includes a body 210, a semiconductor light emitting device chip 220, and an encapsulant 230.

몸체(210)는 측벽(211) 및 바닥부(212)를 포함할 수 있다. 바닥부(212)는 홀(213)을 포함하고 있다. 또한 측벽(211) 및 바닥부(212)에 의해 형성된 캐비티(214)를 포함할 수 있다. 바닥부(212)는 상면(215)과 하면(216)을 포함할 수 있다. 측벽(211)은 외측면(217)과 내측면(218)을 포함할 수 있다. 측벽(211)의 높이(H)는 바닥부(212)의 길이(L)보다 작을 수 있다. 측벽(211)의 높이(H)는 0.1mm 이상 내지 0.6mm 이하 일 수 있으며, 바닥부(212)의 길이(L)는 0.5mm 이상일 수 있다. 또한 측벽(211)은 없을 수도 있다(미도시). 홀(213)의 크기는 반도체 발광소자 칩(220)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(220)의 크기의 1.5배가 바람직하다. 또한 홀(213)의 측면(240)은 광 추출 효율의 향상을 위해 경사진 것이 바람직하다.The body 210 may include a side wall 211 and a bottom 212. The bottom portion 212 includes a hole 213. And a cavity 214 formed by the side wall 211 and the bottom portion 212. The bottom portion 212 may include an upper surface 215 and a lower surface 216. The side wall 211 may include an outer surface 217 and an inner surface 218. The height H of the side wall 211 may be less than the length L of the bottom portion 212. [ The height H of the side wall 211 may be 0.1 mm or more to 0.6 mm or less and the length L of the bottom portion 212 may be 0.5 mm or more. The side wall 211 may also be absent (not shown). The size of the hole 213 may be approximately the same as the size of the semiconductor light emitting device chip 220 or 1.5 times the size of the semiconductor light emitting device chip 220. Further, the side surface 240 of the hole 213 is preferably inclined for improving the light extraction efficiency.

반도체 발광소자 칩(220)은 홀(213)에 위치하고 있다. 반도체 발광소자 칩(220)은 래터럴 칩, 수직 칩 및 플립 칩이 가능하다. 다만 본 개시에서 반도체 발광소자 칩의 전극(221)이 몸체(210) 바닥부(212) 하면(216) 방향으로 노출되어 있는 점에서 플립 칩이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)는 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 낮은 것이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 높은 경우 반도체 발광소자(200)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만 광 추출 효율이 떨어질 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이보다 높게 할 수도 있다. 바닥부(212)의 높이(219) 및 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 바닥부(212)의 하면(216)을 기준으로 측정할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있다. 바닥부(212)의 높이(219)는 0.08mm 이상 내지 0.4mm 이하 일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 220 is located in the hole 213. The semiconductor light emitting device chip 220 may be a lateral chip, a vertical chip, and a flip chip. However, the flip chip is preferable in that the electrode 221 of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the direction of the bottom surface 212 of the body 210 in the present disclosure. The height 219 of the bottom 212 is preferably lower than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220. If the height 219 of the bottom part 212 is higher than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 200 may deteriorate. However, the height 219 of the bottom part 212 may be higher than the height of the semiconductor light emitting device chip 220 in consideration of the optical path and the like. The height 219 of the bottom portion 212 and the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 can be measured based on the bottom surface 216 of the bottom portion 212. The height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 may be 0.05 mm or more to 0.5 mm or less. The height 219 of the bottom portion 212 may be greater than or equal to 0.08 mm and less than or equal to 0.4 mm.

봉지재(230)는 적어도 캐비티(214)에 구비되어 반도체 발광소자 칩(220)을 덮고 있어서, 홀(213)에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩(220)을 몸체(210)에 고정시킬 수 있다. 봉지재(230)는 투광성을 갖고 있으며, 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재(231)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자 칩(220)의 활성층으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.The encapsulant 230 is provided at least in the cavity 214 to cover the semiconductor light emitting device chip 220 so that the semiconductor light emitting device chip 220 located in the hole 213 can be fixed to the body 210. The sealing material 230 has light transmittance and may be made of one of an epoxy resin and a silicone resin. And may include a wavelength conversion material 231 if necessary. The wavelength converting material 231 may be any material as long as it converts light generated from the active layer of the semiconductor light emitting device chip 220 into light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) For example, YAG, (Sr, Ba, Ca) 2 SiO 4 : Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength converting material 231 can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting element, and is well known to those skilled in the art.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(300)는 접합부(330)를 포함할 수 있다.The semiconductor light emitting device 300 according to the present disclosure may include a bonding portion 330.

접합부(330)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 접합부(330)는 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312)에 위치한다. 다만 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 떨어져 위치한다. 접합부(330)로 인하여 반도체 발광소자(300)가 외부(예 : PCB 기판, 서브 마운트)와 접합될 때, 전극(321)만으로 접합하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다. 접합부(330)는 금속일 수 있다. 예를 들어 접합부(330)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 접합부(330)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 접합부(330)는 다양한 조합이 가능하다. 도 5(b)는 도 5(a)의 저면도이며, 전극(321)과 접합부(330)의 배치를 확인할 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 필요한 경우에는 접합부(330)가 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 접하여 위치함으로써, 전극 기능을 수행할 수도 있다.Except for the junction 330, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG. The joining portion 330 is located on the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. But is spaced apart from the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 exposed in the direction of the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. When the semiconductor light emitting device 300 is bonded to the outside (e.g., a PCB substrate or a submount) due to the bonding portion 330, the bonding force can be improved as compared to bonding only with the electrode 321. [ The junction 330 may be a metal. For example, the junction 330 may be one of silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). The abutment 330 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. Various combinations of junctions 330 are possible to the extent that those skilled in the art can easily modify them. 5 (b) is a bottom view of FIG. 5 (a), and the arrangement of the electrode 321 and the bonding portion 330 can be confirmed. Although not shown, if necessary, the bonding portion 330 may be disposed in contact with the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 to perform an electrode function.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(400)는 몸체(410)의 바닥부(411)와 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 반사 물질(430)을 포함할 수 있다. 반사 물질(430)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사 물질(430)이 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에 위치함으로써 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에서 나오는 빛을 반사시켜, 반도체 발광소자(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 반사 물질(430)은 백색 반사 물질이 바람직하다. 예를 들어 백색 실리콘 수지일 수 있다. 또한 도 6(b)와 같이 반사 물질(430)과 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 공간(431)이 형성되게 반사 물질(430)이 위치할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 400 according to the present disclosure may include a reflective material 430 between the bottom portion 411 of the body 410 and the semiconductor light emitting device chip 420. Except for the reflective material 430, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective material 430 is positioned on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to reflect the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 400. Reflective material 430 is preferably a white reflective material. For example, a white silicone resin. The reflective material 430 may be positioned between the reflective material 430 and the semiconductor light emitting device chip 420 as shown in FIG. 6 (b).

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(500)는 몸체(510) 측벽(511)의 내측면(513) 및 바닥부(512)의 상면(514) 중 적어도 하나에 반사층(530)을 포함할 수 있다. 반사층(530)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사층(530)은 몸체(510) 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사층(530)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR : Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등이 될 수 있다. 특히 도 3과 같은 종래의 반도체 발광소자(100)에는 리드 프레임(110, 120)에 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되어야 하기 때문에, 반사효율이 좋은 금속의 반사층이 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되는 리드 프레임(110, 120) 상면 전체에 전기적 쇼트 문제로 인하여 형성될 수 없었다. 그러나 본 개시에서는 반도체 발광소자 칩(520)에 접합되는 리드 프레임이 없으며, 또한 바닥부(512)의 상면(514)에 반도체 발광소자 칩(520)이 위치하지 않기 때문에, 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)이 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)을 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(500)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 도시 하지는 않았지만, 반사층(530)은 홀의 측면에 위치할 수도 있다. The semiconductor light emitting device 500 according to the present disclosure may include a reflective layer 530 on at least one of the inner surface 513 of the sidewall 511 of the body 510 and the upper surface 514 of the bottom portion 512. Except for the reflective layer 530, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512 of the body 510. The reflective layer 530 may be aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), highly reflective white reflective material, or the like. In particular, since the semiconductor light emitting device chip 150 must be bonded to the lead frames 110 and 120 in the conventional semiconductor light emitting device 100 as shown in FIG. 3, Can not be formed on the entire upper surface of the lead frames 110 and 120 to be bonded due to an electric short problem. However, in the present disclosure, since there is no lead frame bonded to the semiconductor light emitting device chip 520 and the semiconductor light emitting device chip 520 is not disposed on the upper surface 514 of the bottom portion 512, A reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 500 can be improved by forming the reflective layer 530 of high reflection efficiency on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. Although not shown, the reflective layer 530 may be located on the side of the hole.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(600)는 몸체(610) 바닥부(611)에 복수개의 홀(612)을 포함하며, 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치할 수 있다. 복수개의 홀(612) 및 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치하는 것을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 도 8에는 2개의 홀이 기재되어 있으나, 2개 이상도 가능하다. 또한 각각의 홀(612)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(620)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다. The semiconductor light emitting device 600 according to the present disclosure includes a plurality of holes 612 in the bottom portion 611 of the body 610 and the semiconductor light emitting device chip 620 may be positioned in each of the holes 612 . The semiconductor light emitting device 300 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. 5 except that the semiconductor light emitting device chip 620 is located in the plurality of holes 612 and the holes 612. Although two holes are shown in Fig. 8, two or more holes are possible. Further, the semiconductor light emitting device chips 620 located in the respective holes 612 can emit different colors.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 9(a)는 저면도이며, 도 9(b)는 사시도 이다.9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 9 (a) is a bottom view, and Fig. 9 (b) is a perspective view.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(700)는 보강재(720)를 포함할 수 있다. 보강재(720)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 보강재(720)는 복수 개 일 수 있다. 도 9에 도시된 것처럼 보강재(720)가 2개인 경우 홀(711) 및 홀(711)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(730)은 보강재(720) 사이에 위치할 수 있다. 보강재(720)와 홀(711)은 중첩되지 않게 배치하는 것이 바람직하다. 보강재(720)는 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 몸체(710)의 깨짐 문제 등을 보완할 수 있다. 보강재(720)는 금속이 바람직하다. 보강재(720)는 도 3에 기재된 리드 프레임일 수도 있다. 또한 보강재(720)는 도 5에 기재된 접합부의 기능도 가질 수 있다. The semiconductor light emitting device 700 according to the present disclosure may include a reinforcing member 720. Except for the reinforcing material 720, has the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 200 described in Fig. The number of the reinforcing members 720 may be plural. The semiconductor light emitting device chip 730 located in the holes 711 and the holes 711 may be positioned between the reinforcing members 720 when the reinforcing member 720 is two as shown in FIG. It is preferable that the reinforcing member 720 and the hole 711 are arranged so as not to overlap each other. The reinforcing member 720 can compensate for the problem of breaking the body 710 due to warping or bending of the body 710. The reinforcing material 720 is preferably a metal. The stiffener 720 may be the lead frame described in Fig. The stiffener 720 may also have the function of the joint shown in Fig.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 보강재의 다양한 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 10(a) 내지 도 10(c)는 사시도이며, 도 10(d) 및 도 10(e)는 저면도이다.10 is a view showing various embodiments of a stiffener in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Figs. 10 (a) to 10 (c) are perspective views, and Figs. 10 (d) and 10 (e) are bottom views.

도 10(a) 내지 도 10(c)는 보강재(720)의 다양한 실시 예로서 몸체(710)의 바닥부의 상면(712)과 하면(713) 사이에 보강재(720)가 다양하게 위치하는 것을 보여주고 있다. 도 10(a)의 보강재(720)는 몸체(710)에 완전히 삽입되어 있는 것을 보여준다. 도 10(b)의 보강재(720)는 보강재(720)의 하면(721)이 몸체(710) 바닥부의 하면(713)과 일치하는 것을 보여준다. 도 10(c)의 보강재(720)는 보강재(720)의 일부가 몸체(710) 바닥부의 하면(713)에서 돌출되어 있는 것을 보여준다. 또한 도 10(d)를 보면 보강재(720)가 몸체(710)의 길이방향으로 형성되어 있는 도 9(a)와 다르게 보강재(720)가 몸체(710)의 길이방향과 세로방향에 모두 형성되어 있는 것을 보여준다. 보강재(720)가 몸체(710)의 홀과 중첩되지 않게 가능한 넓은 영역에 형성되는 것이 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 몸체(710)의 깨짐 문제 등에 바람직하다. 10A-10C illustrate various embodiments of the stiffener 720 in which the stiffener 720 is positioned differently between the upper surface 712 and the lower surface 713 of the bottom of the body 710 Giving. The stiffener 720 of FIG. 10 (a) is fully inserted into the body 710. 10B shows that the lower surface 721 of the stiffener 720 coincides with the lower surface 713 of the bottom of the body 710. The reinforcing member 720 shown in FIG. 10C shows that a part of the reinforcing member 720 protrudes from the lower surface 713 of the bottom of the body 710. 10 (d), the stiffener 720 is formed in both the longitudinal direction and the longitudinal direction of the body 710, unlike the case of FIG. 9 (a) in which the stiffener 720 is formed in the longitudinal direction of the body 710 . It is preferable that the reinforcing member 720 is formed as wide as possible so as not to overlap with the hole of the body 710, for example, a problem of breaking the body 710 due to warping or bending of the body 710.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 11(a) 및 도 11(c)는 저면도이며, 도 11(b)는 도 11(a)의 AA'를 따라 자른 단면도이고 도 11(d)는 도 11(c)의 BB'를 따라 자른 단면도이다.11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 11 (a) and 11 (c) are bottom plan views, and FIG. 11 (b) is a sectional view taken along line AA 'of FIG. 11 FIG.

보강재(720)를 포함하는 반도체 발광소자(700)는 도 11(a) 및 도 11(b)와 같이 보강재(720)가 반도체 발광소자 칩(730)을 정전기 또는 역방향 전류로부터 보호하기 위한 보호 소자(740; 예: 제너 다이오드, pn 다이오드)를 포함할 수 있다. 또한 도 11(b)와 같이 보강재(720)에 보호 소자(740)가 삽입되어 있다. 보호 소자(740)는 보호 소자(740)의 전극(741)을 제외하고 예를 들어 백색 실리콘 수지(750)로 덮혀 있다. 다만 보호 소자(740)의 크기가 작기 때문에 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)의 전극에 직접 실장하는 것이 어려울 수 있으며, 이를 해결하기 위해 도 11(c) 및 도 11(d)와 같이 몸체(710)에 보호 소자(740)가 삽입될 수 있다. 보호 소자(740)는 단락된 보강재(720) 위에 위치한다. 보호 소자(740)는 백색 실리콘 수지(750)로 덮혀 있다. 보강재(720)가 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)의 전극에 반도체 발광소자 칩(730)과 함께 연결된다. 쇼트를 방지하기 위해 도 11(c)에 기재된 보강재는 단락(722)되어 있다. 즉 보호 소자(740)는 도 11(d)와 같이 단락된 보강재(720) 위에 보호 소자(740)의 전극(741)이 위치하도록 배치한 후 백색 실리콘 수지(750)로 덮혀 있다. 도 11(a) 및 11(c)의 보호 소자(740)는 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)의 전극을 통해 반도체 발광소자 칩(730)과 전기적으로 역방향 병렬연결된다. 다만 도 11(a)에서는 보호 소자(740)가 직접 외부와 전기적으로 연결되지만, 도 11(c)에서는 보호 소자(740)가 보강재(720)를 통해 외부와 전기적으로 연결된다. 도 11(a) 및 도 11(c)에서 반도체 발광소자 칩(730)과 보호 소자(740)가 전기적으로 역방향 병렬연결되도록 하는 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)의 전극 배열은 통상의 기술자에게 용이하다.11A and 11B, the semiconductor light emitting device 700 including the stiffener 720 may include a protection element 730 for protecting the semiconductor light emitting device chip 730 from static electricity or reverse current, (E. G., A zener diode, a pn diode). Also, as shown in Fig. 11 (b), the protection element 740 is inserted into the stiffener 720. The protection element 740 is covered with a white silicone resin 750, for example, except for the electrode 741 of the protection element 740. However, since the size of the protection element 740 is small, it may be difficult to directly mount the protection element 740 on an external electrode (e.g., a PCB substrate, a submount, or the like). In order to solve this problem, The protection element 740 can be inserted into the body 710. [ The protection element 740 is located above the shorted stiffener 720. The protection element 740 is covered with a white silicone resin 750. The stiffener 720 is connected to the electrodes of the outside (e.g., PCB substrate, submount, etc.) together with the semiconductor light emitting device chip 730. In order to prevent short-circuiting, the stiffener described in Fig. 11 (c) is short-circuited (722). That is, the protection element 740 is disposed so that the electrode 741 of the protection element 740 is positioned on the short-circuited stiffener 720 as shown in FIG. 11 (d), and then covered with the white silicone resin 750. The protection element 740 shown in FIGS. 11 (a) and 11 (c) is connected in parallel in an electrically reverse direction to the semiconductor light-emitting element chip 730 through an external electrode (e.g., PCB substrate, submount, etc.). 11 (a), the protection element 740 is electrically connected directly to the outside. In FIG. 11 (c), the protection element 740 is electrically connected to the outside through the stiffener 720. The electrode arrangement of an external (e.g., a PCB substrate, a submount, or the like) in which the semiconductor light emitting element chips 730 and the protection elements 740 are electrically connected in parallel in reverse direction in Figs. 11A and 11C, It is easy for technicians.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 사용되는 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip used in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 12(a)는 사시도이며, 도 12(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.Fig. 12 (a) is a perspective view, and Fig. 12 (b) is a sectional view taken along AA '.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 사용되는 반도체 발광소자 칩(800)은 비투광성 성장기판(810) 및 반도체 발광부(820)를 포함하고 있다. The semiconductor light emitting device chip 800 used in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure includes a non-light emitting growth substrate 810 and a semiconductor light emitting portion 820.

비투광성 성장기판(810)은 복수의 반도체층(822)의 상측(821)이 노출되도록 캐비티(830)를 포함할 수 있다. 비투광성 성장기판(810)이 비투광성이기 때문에 반도체 발광부(820)에서 나온 광은 캐비티(830)를 통해 상측으로 나간다. 캐비티(830)는 식각 공정을 통해 얻을 수 있다. 캐비티(830)의 측면(831)은 반도체 발광부(820)에서 나오는 광을 반사시켜 상측으로 나가도록 하기 위해 경사진 것이 바람직하다. 또한 캐비티(830)의 측면(831)은 광의 반사효율을 향상시키기 위해 반사층(832)을 포함할 수 있다. 반사층(832)의 재료는 반사효율이 좋은 것이라면 무엇이든 가능하다. 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR : Distributed Bragg Reflector) 등이 있다. 또한 캐비티(830)는 투광성 봉지재(840)로 채워질 수 있다. 투광성 봉지재(840)는 수지(841) 및 파장 변환재(842)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(842)는 반도체 발광부(820)에서 나오는 광을 다른 파장의 광으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 수지(841)는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등이 이용될 수 있다. 또한 투광성 봉지재(840)는 광 산란재 등이 부가적으로 더 함유될 수 있다. 비투광성 성장기판(810)으로는 실리콘 성장기판이 바람직하다. 반도체 발광부(820)는 복수의 반도체층(822), 제1 전극(826) 및 제2 전극(827)을 포함하고 있다. 복수의 반도체층(822)은 비투광성 성장기판(810)의 하측에서 성장하는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(823), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(825) 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(824)을 포함한다. 도시하지 않았지만 필요에 따라 버퍼층을 포함하여 추가의 층들을 포함할 수 있다. 캐비티(830)에 의해 노출되는 복수의 반도체층(822)의 상측(821)은 제1 반도체층(823)일 수 있지만, 버퍼층이 포함되는 경우 노출되는 복수의 반도체층(822)의 상측(821)은 버퍼층이 될 수 있다. 제1 전극(826)은 제1 반도체층(823)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급한다. 제1 전극(826)은 도 2에 기재된 것처럼 제1 반도체층(823)과 직접 연결될 수도 있지만, 제1 전극(826)은 제1 반도체층(823)과 전기적으로 연통하기 위해 별도의 전기적 통로(828)를 포함할 수 있다. 다만 전기적 통로(828)를 통해 제1 전극(826)이 제1 반도체층(823)과 전기적으로 연통할 때, 제1 전극(826)이 제2 반도체층(825)과 접촉하는 것을 방지하기 위해서 반도체 발광부(820)는 제2 반도체층(825)과 제1 전극(826) 사이 및 전기적 통로(828)의 측면에 형성된 절연층(850)을 포함할 수 있다. 제2 전극(827)은 제2 반도체층(825)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급한다. 절연층(850)이 제2 반도체층(825)과 제2 전극(827) 사이에도 위치하는 경우에는 제2 전극(827)은 제2 전극(827)과 제2 반도체층(825)을 전기적으로 연결하는 전기적 통로(829)를 포함할 수 있다. 제1 전극(826) 및 제2 전극(827)은 복수의 반도체층(822)의 하측에 위치한다. 또한 반사효율을 높이기 위해서 제1 전극(826) 및 제2 전극(827)과 복수의 반도체층(822) 사이에 형성되는절연층(850)이 반사층으로 될 수 있다. 절연층(850)이 반사층으로 기능하는 경우, 제1 전극(826) 및 제2 전극(827)이 형성되지 않은 부분으로 나가는 빛도 반사할 수 있다. 절연층(850)이 반사기능을 갖는 것을 비도전성 반사막(850)이라 할 수 있으며, 비도전성 반사막에 대한 것은 한국등록특허공보 제10-1368720호에 자세히 기재되어 있다. 또는 도시하지는 않았지만 복수의 반도체층(222) 위에 금속 반사층을 포함할 수도 있다. 금속 반사층을 형성하는 방법은 당업자에게 잘 알려져 있어 별도로 기재하지 않는다. 도 12(c)는 반도체 발광소자 칩(800)에서 반도체 발광부(820) 측면에 빛을 반사하는 반사벽(860)이 추가되었다. 비투광성 성장기판(810), 반사벽(860) 및 반사기능을 갖는 절연층(850)에 의해 반도체 발광소자 칩(800)에서 나오는 빛은 캐비티(830)를 통해서만 나갈 수 있다. The non-transmissive growth substrate 810 may include a cavity 830 such that the upper side 821 of the plurality of semiconductor layers 822 is exposed. Since the non-transmissive growth substrate 810 is non-transmissive, the light emitted from the semiconductor light emitting portion 820 goes upward through the cavity 830. The cavity 830 can be obtained through an etching process. It is preferable that the side surface 831 of the cavity 830 is inclined so as to reflect the light emitted from the semiconductor light emitting portion 820 and to exit to the upper side. The side surface 831 of the cavity 830 may also include a reflective layer 832 to improve the efficiency of light reflection. The material of the reflective layer 832 can be any material with good reflection efficiency. For example, aluminum (Al), silver (Ag), and distributed Bragg reflector (DBR). In addition, the cavity 830 may be filled with the transparent encapsulant 840. The translucent encapsulant 840 may include a resin 841 and a wavelength converting material 842. The wavelength converting material 842 may be any material as long as it converts light emitted from the semiconductor light emitting portion 820 to light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) (Sr, Ba, Ca) 2 SiO 4: Eu is preferred to use, and so on). As the resin 841, an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used. Further, the translucent encapsulant 840 may further contain a light scattering material and the like. As the non-light-transmitting growth substrate 810, a silicon growth substrate is preferable. The semiconductor light emitting portion 820 includes a plurality of semiconductor layers 822, a first electrode 826, and a second electrode 827. The plurality of semiconductor layers 822 includes a first semiconductor layer 823 having a first conductivity that grows below the non-light-emitting growth substrate 810, a second semiconductor layer 825 having a second conductivity different from the first conductivity, And an active layer 824 interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light through recombination of electrons and holes. Although not shown, may include additional layers including a buffer layer as required. The upper side 821 of the plurality of semiconductor layers 822 exposed by the cavity 830 may be the first semiconductor layer 823 but the upper side 821 of the plurality of semiconductor layers 822 exposed when the buffer layer is included ) May be a buffer layer. The first electrode 826 is in electrical communication with the first semiconductor layer 823 and supplies one of electrons and holes. The first electrode 826 may be directly connected to the first semiconductor layer 823 as shown in FIG. 2, but the first electrode 826 may be electrically connected to the first semiconductor layer 823 through a separate electrical path 828 < / RTI > To prevent the first electrode 826 from contacting the second semiconductor layer 825 when the first electrode 826 is in electrical communication with the first semiconductor layer 823 through the electrical passageway 828 The semiconductor light emitting portion 820 may include an insulating layer 850 formed between the second semiconductor layer 825 and the first electrode 826 and on the side surface of the electrical path 828. The second electrode 827 is in electrical communication with the second semiconductor layer 825 and supplies either electrons or holes. The second electrode 827 electrically connects the second electrode 827 and the second semiconductor layer 825 to the second semiconductor layer 825 when the insulating layer 850 is positioned between the second semiconductor layer 825 and the second electrode 827. [ And an electrical pathway 829 for connecting to each other. The first electrode 826 and the second electrode 827 are located below the plurality of semiconductor layers 822. An insulating layer 850 formed between the first electrode 826 and the second electrode 827 and the plurality of semiconductor layers 822 may be a reflective layer for enhancing the reflection efficiency. When the insulating layer 850 functions as a reflective layer, light exiting to a portion where the first electrode 826 and the second electrode 827 are not formed can also be reflected. The insulating layer 850 having a reflecting function can be referred to as a non-conductive reflective film 850, and the non-conductive reflective film is described in detail in Korean Patent Publication No. 10-1368720. Alternatively, a metal reflection layer may be formed on the plurality of semiconductor layers 222 although not shown. Methods of forming the metal reflective layer are well known to those skilled in the art and are not described separately. 12 (c), a reflection wall 860 for reflecting light on the side of the semiconductor light emitting portion 820 in the semiconductor light emitting device chip 800 is added. Light emitted from the semiconductor light emitting device chip 800 can be emitted only through the cavity 830 by the non-light-emitting growth substrate 810, the reflecting wall 860, and the insulating layer 850 having a reflecting function.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.13 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 13(a)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자로서 다양한 컬러 및 다양한 색온도의 백색광을 구현할 수 있으며, 연색성이 우수한 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다. FIG. 13 (a) is a view showing an example of a semiconductor light emitting device capable of realizing white light of various colors and various color temperatures as a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and having excellent color rendering property.

도 13(a)에 기재된 반도체 발광소자(900)는 몸체(910) 바닥부(911)에 복수개의 홀(912)을 포함하며, 각각의 홀(912)에는 도 12에 기재된 반도체 발광소자 칩(800)이 위치할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(800)은 비투광성 성장기판(810)의 캐비티(830)를 통해서 빛이 나간다. 특히 도 12(c)와 같이 반도체 발광소자 칩(800)의 측면에 반사벽(860)이 위치하는 경우, 반도체 발광소자 칩(800)에서 나오는 빛은 캐비티(830)를 통해서만 빛이 나갈 수 있다. 또한 복수개의 홀(912) 각각에 위치하는 반도체 발광소자 칩(800)이 서로 다른 빛을 발광하도록, 복수개의 홀(912) 각각에 위치하는 반도체 발광소자 칩(800)의 캐비티(830)에 서로 다른 색을 발광하는 파장 변환재(842)를 사용할 수 있다. 예를 들어 도 13(a)와 같이 3개의 반도체 발광소자 칩(800)이 있는 경우, 1개는 청색을 발광하고, 1개는 녹색을 발광하고, 나머지 1개는 적색을 발광하게 할 수 있다. 특히 반도체 발광소자 칩(800)에서 나오는 빛이 캐비티(830)를 통해서만 나갈 수 있는 경우 또는 도 6(a)와 같이 반도체 발광소자 칩(800)과 바닥부(911) 사이에 반사 물질이 있는 경우(미도시)에는 복수개의 반도체 발광소자 칩(800)에서 발광하는 빛이 상호 간에 영향을 미치지 않을 수 있다. 특히 각각의 반도체 발광소자 칩(800)의 캐비티(830) 내에 있는 파장 변환재(842)에 영향을 미치지 않을 수 있다. 따라서 색순도가 높은 다양한 컬러 및 다양한 색온도의 백색광을 구현할 수 있으며, 연색성이 우수한 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 또한 파장 변환재(842)가 반도체 발광소자 칩(800)에 포함되어 있기 때문에, 봉지재(920)는 파장 변환재를 포함하지 않을 수 있다. 도 13(a)에서 설명하지 않은 나머지 특성은 도 8에 기재된 반도체 발광소자(600)와 동일하다.The semiconductor light emitting device 900 described in FIG. 13A includes a plurality of holes 912 in the bottom portion 911 of the body 910, and the semiconductor light emitting device chips 800) may be located. The semiconductor light emitting device chip 800 emits light through the cavity 830 of the non-transmissive growth substrate 810. In particular, when the reflective wall 860 is positioned on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 800 as shown in FIG. 12C, light emitted from the semiconductor light emitting device chip 800 can be emitted only through the cavity 830 . The cavity 830 of the semiconductor light emitting device chip 800 located in each of the plurality of holes 912 is formed in the cavity 830 so that the semiconductor light emitting device chip 800 located in each of the plurality of holes 912 emits different light. It is possible to use a wavelength converting material 842 which emits different colors. For example, when three semiconductor light-emitting device chips 800 are provided as shown in FIG. 13 (a), one may emit blue light, one emit green light, and the other one may emit red light . In particular, when light emitted from the semiconductor light emitting device chip 800 can be emitted only through the cavity 830 or when there is a reflective material between the semiconductor light emitting device chip 800 and the bottom portion 911 as shown in FIG. Light emitted from the plurality of semiconductor light emitting device chips 800 may not affect each other. The wavelength conversion material 842 in the cavity 830 of each semiconductor light emitting device chip 800 may not be affected. Accordingly, white light of various colors and various color temperatures with high color purity can be realized, and a semiconductor light emitting device having excellent color rendering properties can be obtained. Further, since the wavelength conversion material 842 is included in the semiconductor light emitting device chip 800, the sealing material 920 may not include the wavelength conversion material. The remaining characteristics which are not described in FIG. 13 (a) are the same as those of the semiconductor light emitting device 600 described in FIG.

도 13(b)에 기재된 반도체 발광소자(1000)는 몸체(1100) 바닥부(1110)에 복수개의 홀(1120)을 포함하며, 각각의 홀(1120)에는 반도체 발광소자 칩(1200)이 위치할 수 있다. 또한 몸체(1100)는 복수개의 홀(1120) 사이에 격벽(1130)을 포함하고 있다. 격벽(1130)에 의해 복수개의 홀(1120)에 대응하는 복수개의 캐비티(1140)가 형성된다. 복수개의 캐비티(1140)에 서로 다른 파장 변환재(1310, 1320)을 사용할 수 있다. 예를 들어 도 13(b)에 도시된 것처럼 각각의 홀(1120)에는 청색을 발광하는 3개의 반도체 발광소자 칩(1200)이 위치하고, 1개의 캐비티(1140)에는 파장 변환재가 없는 봉지재(1300)가 사용되고, 1개의 캐비티(1140)에는 청색에 여기되어 녹색을 발광하는 파장 변환재(1310)가 포함된 봉지재(1300)가 사용되고, 나머지 1개의 캐비티(1140)에는 청색에 여기되어 적색을 발광하는 파장 변환재(1320)가 포함된 봉지재(1300)가 사용될 수 있다. 격벽(1130)에 의해 복수개의 캐비티(1140)에서 나오는 빛이 상호 간에 영향을 미치지 않을 수 있다. 특히 복수개의 캐비티(1140)에서 나오는 빛이 각각의 캐비티(1140)내에 있는 파장 변환재(1310, 1320)에 영향을 미치지 않을 수 있다. 따라서 색순도가 높은 다양한 컬러 및 다양한 색온도의 백색광을 구현할 수 있으며, 연색성이 우수한 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 도 13(b)에서 설명하지 않는 나머지 특성은 도 8에 기재된 반도체 발광소자(600)와 동일하다.The semiconductor light emitting device 1000 described in FIG. 13B includes a plurality of holes 1120 in the bottom 1110 of the body 1100, and the semiconductor light emitting device 1200 is positioned in each hole 1120 can do. Also, the body 1100 includes a partition 1130 between the plurality of holes 1120. A plurality of cavities 1140 corresponding to the plurality of holes 1120 are formed by the partition walls 1130. Different wavelength conversion materials 1310 and 1320 can be used for the plurality of cavities 1140. For example, as shown in FIG. 13 (b), three semiconductor light emitting device chips 1200 emitting blue light are disposed in each of the holes 1120, and one encapsulant 1300 An encapsulant 1300 including a wavelength converting material 1310 exciting in blue and emitting green light is used in one cavity 1140 and the other encapsulating material 1300 is excited in blue to emit red light An encapsulant 1300 including a wavelength converting material 1320 which emits light can be used. Light emitted from the plurality of cavities 1140 by the barrier ribs 1130 may not mutually affect each other. In particular, light emitted from the plurality of cavities 1140 may not affect the wavelength conversion material 1310 and 1320 in each cavity 1140. Accordingly, white light of various colors and various color temperatures with high color purity can be realized, and a semiconductor light emitting device having excellent color rendering properties can be obtained. The remaining characteristics, which are not described in FIG. 13B, are the same as those of the semiconductor light emitting device 600 described in FIG.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 보여주는 도면이다.14 is a view showing a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저 바닥부(2100)에 홀(2110)을 포함하는 몸체(2000)를 준비한다(S1). 몸체(2000)는 사출성형을 통해 얻을 수 있다. 홀(2100)에 반도체 발광소자 칩(2200)을 위치시킨다(S2). 이후 반도체 발광소자 칩(2200)을 몸체(2000)에 고정시키기 위해 봉지재(2300)로 반도체 발광소자 칩(2200)을 덮는다(S3). 봉지재(2300)로 반도체 발광소자 칩(2200)을 고정시키기 전에 반도체 발광소자 칩(2200)이 움직이지 않도록 하기 위해 장착면(2400)을 사용할 수 있다. 장착면(2400)은 일반 접착력있는 테이프이면 가능하다. 예를 들어 블루 테이프일 수 있다. 이후 장착면(2400)이 있는 경우, 장착면(2400)을 제거하고, 접착부(2500)를 형성한다(S4). 또한 접착부(2500) 대신에 보강재(미도시)를 형성할 수도 있다. 보강재가 몸체 바닥부의 상면 및 하면 사이에 위치하는 경우 몸체를 만들 때 보강재를 넣을 수 있다. 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다. First, a body 2000 including a hole 2110 is prepared in a bottom part 2100 (S1). The body 2000 can be obtained through injection molding. The semiconductor light emitting device chip 2200 is placed in the hole 2100 (S2). The semiconductor light emitting device chip 2200 is covered with the sealing material 2300 to fix the semiconductor light emitting device chip 2200 to the body 2000 (S3). The mounting surface 2400 may be used to prevent the semiconductor light emitting device chip 2200 from moving before the semiconductor light emitting device chip 2200 is fixed by the sealing material 2300. [ The mounting surface 2400 can be made of a general adhesive tape. For example, a blue tape. If there is a mounting surface 2400 thereafter, the mounting surface 2400 is removed, and a bonding portion 2500 is formed (S4). Further, a reinforcing member (not shown) may be formed instead of the bonding portion 2500. If the stiffener is located between the top and bottom of the bottom of the body, the stiffener may be inserted when making the body. The order of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that those skilled in the art can easily change it.

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법을 보여주는 도면이다.15 is a view showing another manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 14에 기재된 제조방법에 따라 도 15와 같이 복수의 반도체 발광소자(3000)가 한 번에 제조될 수 있다. 예를 들어 복수의 몸체(3100)가 있는 기판(3200)을 사출성형을 통해 얻은 후 도 14에 기재된 제조방법에 따라 복수의 반도체 발광소자(3000)를 한 번에 제조할 수 있다. 이후 절단선(3300)에 따라 절단하여 각각의 반도체 발광소자(3000)를 만들 수 있다.14, a plurality of semiconductor light emitting devices 3000 can be manufactured at one time, as shown in FIG. For example, after a substrate 3200 having a plurality of bodies 3100 is obtained through injection molding, a plurality of semiconductor light emitting devices 3000 can be manufactured at a time according to the manufacturing method described in FIG. Then, the semiconductor light emitting device 3000 can be cut according to the cut line 3300.

도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.16 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(4000)는 몸체(4100)의 측벽(4110)에 돌출부(4111)를 포함하며, 돌출부(4111) 사이 및 봉지재 위에 형성된 렌즈(4200)를 포함할 수 있다. 도 16에서 설명하지 않는 나머지 특성은 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일하다. 돌출부(4111)는 렌즈(4200)를 형성할 때, 렌즈(4200)가 돌출부(4111)를 넘어서 형성되지 않도록 하는 경계턱의 역할을 한다. 렌즈(4200)는 도 14에서 봉지재를 형성하는 단계(S3) 이후에 투광성 수지를 사용하여 형성할 수 있다.The semiconductor light emitting device 4000 according to the present disclosure may include a protrusion 4111 on the side wall 4110 of the body 4100 and may include a lens 4200 formed between the protrusions 4111 and on the sealing material. The remaining characteristics which are not described in Fig. 16 are the same as those of the semiconductor light emitting device 200 described in Fig. The protruding portion 4111 serves as a boundary stop preventing the lens 4200 from being formed beyond the protruding portion 4111 when the lens 4200 is formed. The lens 4200 can be formed using a light-transmitting resin after the step S3 of forming the sealing material in Fig.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 몸체 바닥부의 홀과 중첩되지 않게 몸체에 위치하는 적어도 하나 이상의 보강재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) A semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion, the body having at least one hole formed in a bottom portion thereof; A semiconductor light emitting device chip disposed in each hole, comprising: a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes, and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And at least one reinforcing member disposed on the body so as not to overlap the hole in the bottom of the body, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in a bottom direction of the bottom of the body.

(2) 보강재는 몸체의 길이 방향으로 2개가 형성되며, 홀은 2개의 보강재 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein two stiffeners are formed in the longitudinal direction of the body, and the holes are located between the two stiffeners.

(3) 보강재는 몸체 바닥부의 상면과 하면 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the reinforcing material is located between the upper surface and the lower surface of the bottom of the body.

(4) 보강재의 하면이 몸체 바닥부 하면과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the lower surface of the stiffener coincides with the lower surface of the bottom of the body.

(5) 보강재의 일부가 몸체 바닥부의 하면으로부터 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting device, wherein a part of the reinforcing member protrudes from the lower surface of the bottom of the body.

(6) 보강재는 몸체 바닥부의 하면에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the reinforcing material is located on a lower surface of the bottom portion of the body.

(7) 보강재는 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (7), wherein the reinforcing material is a metal.

(8) 몸체;는 측벽을 포함하며, 측벽 및 바닥부에 의해 형성되는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) A semiconductor light emitting device comprising a body, including a side wall, and a cavity formed by side walls and a bottom.

(9) 반사층이 바닥부의 상면 전체에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the reflective layer is formed on the entire upper surface of the bottom portion.

(10) 반사층이 금속층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) A semiconductor light emitting device, wherein the reflective layer is a metal layer.

(11) 바닥부의 높이는 반도체 발광소자 칩의 높이 보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) is lower than the height of the semiconductor light emitting device chip.

(12) 바닥부와 반도체 발광소자 칩 사이에 반사 물질이 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.Wherein a reflective material is positioned between the bottom of the semiconductor light emitting device chip and the semiconductor light emitting device chip.

(13) 홀은 복수개 있으며, 반도체 발광소자 칩이 각각의 홀에 위치하며, 보강재는 몸체 바닥부의 상면과 하면 사이에 위치하고, 몸체의 길이방향으로 2개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(13) A semiconductor light emitting device, comprising: a plurality of holes; a semiconductor light emitting device chip disposed in each hole; and a stiffener disposed between an upper surface and a lower surface of the bottom of the body, wherein two holes are formed in the longitudinal direction of the body.

(14) 보강재가 보호 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(14) The semiconductor light-emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the reinforcing material comprises a protection element.

(15) 몸체 바닥부가 보호 소자;를 포함하며, 보호 소자가 보강재 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(15) A semiconductor light emitting device comprising a body bottom protection element, wherein a protection element is positioned on a stiffener.

본 개시에 따르면 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 외부(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)와 접합하는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. According to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting element in which the electrode of the semiconductor light emitting element chip is directly bonded to the outside (for example, a PCB substrate, a submount, or the like).

또한 본 개시에 따르면 플립 칩을 사용하였음에도 리드 프레임과 플립 칩 사이의 접합에 의해 플립 칩에서 나오는 광량에 손실이 없도록 리드 프레임과 플립 칩 사이에 접합이 필요없는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.Also, according to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device which does not require bonding between the lead frame and the flip chip so that there is no loss in the amount of light emitted from the flip chip due to the bonding between the lead frame and the flip chip.

반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000, 3000, 4000
반도체 발광소자 칩 : 150, 220, 320, 420, 520, 620, 730, 800, 1200, 2200
보강재 : 720Semiconductor light emitting device: 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000, 3000, 4000
Semiconductor light emitting device chips: 150, 220, 320, 420, 520, 620, 730, 800, 1200, 2200
Reinforcement: 720

Claims (14)

반도체 발광소자에 있어서,
측벽 및 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체;
각각의 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩;
홀에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고,
몸체 바닥부의 홀 및 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩과 중첩되지 않게 몸체에 위치하는 적어도 하나 이상의 보강재;로서, 보강재의 적어도 일부가 몸체에 삽입되어 있는 보강재;를 포함하며,
반도체 발광소자 칩은 홀의 측면으로부터 일정거리 떨어져 위치하며,
반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있고,
대향하는 양 측벽 사이에서 길이 방향을 따라 몸체 바닥부의 홀 및 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩과 중첩되지 않게 연장되며
바닥부의 길이 중 홀을 제외한 바닥부의 길이가 측벽의 높이 및 반도체 발광소자 칩의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A body including a side wall and a bottom portion, the body including at least one hole formed in a bottom portion thereof;
A semiconductor light emitting device chip disposed in each hole, comprising: a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes, and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers;
A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip located in the hole; And,
At least one reinforcing member disposed on a body so as not to overlap with a semiconductor light emitting device chip located in a hole and a hole in a bottom portion of the body, the reinforcing member having at least a part of the reinforcing member inserted into the body,
The semiconductor light emitting device chip is located a certain distance from the side surface of the hole,
The electrodes of the semiconductor light emitting device chip are exposed in the bottom direction of the bottom portion of the body,
The semiconductor light emitting device chip extending in the longitudinal direction between the opposed opposite side walls so as not to overlap with the semiconductor light emitting device chip located in the hole and the hole in the bottom of the body
Wherein the length of the bottom portion of the bottom portion excluding the hole is longer than the height of the side wall and the length of the semiconductor light emitting device chip. 청구항 1에 있어서,
보강재는 몸체의 길이 방향으로 2개가 형성되며, 홀은 2개의 보강재 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein two of the reinforcing members are formed in the longitudinal direction of the body, and the holes are located between the two reinforcing members. 청구항 1에 있어서,
보강재의 하면이 몸체 바닥부 하면과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the lower surface of the reinforcing member coincides with the lower surface of the bottom of the body. 청구항 1에 있어서,
보강재의 일부가 몸체 바닥부의 하면에서 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a part of the reinforcing material protrudes from the lower surface of the bottom of the body. 청구항 1에 있어서,
보강재는 몸체 바닥부의 하면에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the reinforcing material is located on the lower surface of the bottom of the body. 청구항 1에 있어서,
보강재는 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the reinforcing material is a metal. 청구항 1에 있어서,
몸체;는
측벽 및 바닥부에 의해 형성되는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Body;
And a cavity formed by the side wall and the bottom portion. 청구항 7에 있어서,
반사층이 바닥부의 상면 전체에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 7,
And a reflective layer is formed on the entire upper surface of the bottom portion. 청구항 8에 있어서,
반사층이 금속층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 8,
Wherein the reflective layer is a metal layer. 청구항 1에 있어서,
바닥부의 높이는 반도체 발광소자 칩의 높이 보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the height of the bottom portion is lower than the height of the semiconductor light emitting device chip. 청구항 1에 있어서,
바닥부와 반도체 발광소자 칩 사이에 반사 물질이 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a reflective material is disposed between the bottom and the semiconductor light emitting device chip. 청구항 1에 있어서,
홀은 복수개 있으며,
반도체 발광소자 칩이 각각의 홀에 위치하며,
보강재는 몸체 바닥부의 상면과 하면 사이에 위치하고, 몸체의 길이방향으로 2개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
There are a plurality of holes,
The semiconductor light emitting device chip is located in each hole,
Wherein the reinforcing member is located between the upper surface and the lower surface of the bottom of the body, and two of the reinforcing members are formed in the longitudinal direction of the body. 청구항 1에 있어서,
보강재가 보호 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the stiffener includes a protection element. 청구항 1에 있어서,
몸체가 보호 소자;를 포함하며, 보호 소자의 전극이 단락된 보강재 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the body includes a protection element, and the electrode of the protection element is located on a short-circuited stiffener.
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