KR101853420B1

KR101853420B1 - 고온 소결형 은 분말 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR101853420B1
Application number: KR1020160132885A
Authority: KR
Inventors: 이창근; 강태훈; 권태현; 진우민; 이미영; 최재원
Original assignee: 엘에스니꼬동제련 주식회사
Priority date: 2016-10-13
Filing date: 2016-10-13
Publication date: 2018-04-30
Also published as: KR20180040935A; CN110114175A; CN110114175B; WO2018070817A1

Abstract

본 발명은 고온 소결형 은 분말 제조방법에 관한 것으로, 은 이온 및 암모니아를 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하고, 제조된 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 석출하는 은 분말 제조방법으로서, 상기 제1 반응액을 제조하는 경우 교반 시간을 조절하여 고온 소결 시 높은 소결 밀도를 갖는 은 분말을 제조할 수 있다.

Description

고온 소결형 은 분말 및 이의 제조방법{Silver powder sintered at high temperature and method of manufacturing the same}

본 발명은 고온소결형 은 분말 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지용 전극이나 적층 콘덴서의 내부전극, 회로 기판의 도체 패턴 등 전자 부품에서 전극을 형성시키기 위한 도전성 페이스트에 사용되기 적합한 고온소결형 은 분말 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

도전성 금속 페이스트는 도막 형성이 가능한 도포 적성을 갖고 건조된 도막에 전기가 흐르는 페이스트로서, 수지계 바인더와 용매로 이루어지는 비히클 중에 도전성 필러(금속 필러)를 분산시킨 유동성 조성물이며, 전기 회로의 형성이나 세라믹 콘덴서의 외부 전극의 형성 등에 널리 사용되고 있다.

특히, 은 페이스트(Silver Paste)는 복합계 도전성 페이스트 중에서 가장 화학적으로 안정하고 도전성이 우수하여 전도성 접착 및 코팅용 그리고 미세회로 형성 등 여러 분야에 있어서 상당히 그 응용범위가 넓다. PCB(Printed Circuit Board)등과 같은 신뢰성을 특별히 중요시하는 전자부품에 있어서 은 페이스트의 용도는 STH(Silver Through Hole)용, 접착 또는 코팅재 등으로 다양하게 사용되고 있다.

현재 실용화되고 있는 도전성 금속 페이스트는 200℃ 이하의 낮은 온도에서 수지의 경화에 의하여 도전성 필러가 압착되어 도통(導通)을 확보하는 수지 경화형과, 500 내지 1200℃의 고온 분위기 하에서 유기 비히클 성분이 휘발하여 도전성 필러가 소결해서 도통을 확보하는 소결형이 있다.

이 중, 소결형 도전성 페이스트는 귀금속을 중심으로 하는 도전성 필러와 글라스 프릿(glass frit), 유기 비히클(수지와 유기 용제)로 구성되며, 도포된 도막을 건조한 후, 고온에서 처리함에 따라 유기 비히클 성분이 소성 증발되고, 금속 필러들 사이에 융착이 일어나 소결된 도막은 전도성을 발현하게 된다.

도전성 필러로 미립의 금속 분말이 사용되는데, 금속 분말이 고온에서 소결되는 경우 도전성 페이스트 내부에 존재하는 기공 또는 유기물의 분해로 인하여 내부 공극이 필수적으로 생성되므로 금속 분말의 소결 밀도는 상기 금속의 이론 밀도보다 낮은 밀도를 갖게 되며, 금속 분말의 소결 밀도가 낮아질수록 도전성 페이스트를 이용하여 제조한 도막의 전기 전도도 역시 낮아지는 문제점이 있다.

1. 한국공개특허 제10-2014-0060340호 (2014.05.19.) 2. 일본공개특허 제2011-268232호 (2011.12.07.)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 도전성 페이스트(Paste)에 사용되는 은 분말로서, 600℃ 이상의 고온에서의 소결 밀도가 높은 고온소결형 은 분말 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.

그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 은 이온 및 암모니아를 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21) 및 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하는 은 분말 제조방법으로서,

상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 제1 반응액을 제조하는 경우 교반 속도 및 교반 시간을 조절하여 고온 소결 시 높은 소결 밀도를 갖는 은 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 고온 소결형 은 분말 제조방법을 제공한다.

또한 상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 제1 반응액은 상기 은 이온 및 상기 암모니아를 교반기에 혼합하고, 30 내지 180분 동안 교반시켜 제조하는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 제1 반응액은 상기 은 이온 100 중량부에 대하여 상기 암모니아를 30 내지 160 중량부로 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 제2 반응액은 상기 은 이온 100 중량부에 대하여 상기 환원제를 80 내지 120 중량부로 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 석출단계(S22)는 상기 제1 반응액을 교반하는 상태에서 상기 제2 반응액을 적가하거나 일괄 첨가하여 반응시키는 단계인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 석출단계(S22)는 지방산, 지방산염, 계면활성제, 유기금속, 킬레이트 형성제 및 보호 콜로이드로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 더 첨가하여 반응시키는 단계인 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 평균 입자 크기가 0.7 내지 1.2μm 인 은 분말로서, 상기 은 분말을 600℃ 이상의 고온에서 소결하는 경우 소결 밀도가 9.0 g/cc 이상인 것을 특징으로 하는 고온 소결형 은 분말을 제공한다.

본 발명은 600℃ 이상의 고온에서 소결 밀도가 9.0 g/cc 이상인 고온 소결형 은 분말 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한 본 발명에 따른 소결 밀도가 높은 은 분말을 이용하여 제조되는 은 페이스트는 고온 소결 후 낮은 비저항을 가지므로 이를 이용하여 제조된 전극의 전기 전도도를 높일 수 있다.

본 특허에서는 AgNO₃와 NH₄OH의 혼합 후 교반 시간을 조절하여 최종 소결 밀도를 높이는 방법을 제공할 수 있다.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.

본 발명의 일실시예에 따른 고온 소결형 은 분말의 제조방법은 은 염 제조단계(S1), 은 염 환원단계(S2), 여과 및 세척 등 정제단계(S3) 및 표면처리단계(S4)를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따른 고온 소결형 은 분말의 제조방법은 은 염 환원단계(S2)를 반드시 포함하고, 이외의 단계는 생략 가능하다.

본 발명의 일실시예에 따른 은 염 제조단계(S1)는 잉곳, 립, 그래뉼 형태의 은(silver, Ag)을 산(acid) 처리하여 은 이온(Ag⁺)을 포함하는 은 염(silver salt) 용액을 제조하는 단계로서, 본 단계를 거쳐 은 염 용액을 직접 제조하여 은 분말을 제조할 수 있으나, 시중에서 구입한 질산은, 은 염 착체 또는 은 중간체 용액을 이용하여 이 후 단계를 진행할 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 은 염 환원단계(S2)는 은 염 용액에 환원제 및 암모니아를 첨가하여 은 이온을 환원시켜 은 입자(silver particle)를 석출하는 단계로서, 은 이온, 암모니아 및 질산을 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21) 및 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함한다.

본 발명의 일실시예에 따른 반응액제조단계(S21)는 은 이온을 포함하는 은 염 용액에 암모니아를 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 반응액을 제조하는 단계이다. 상기 은 이온은 은 양이온의 형태라면 제한되지 않는다. 일례로 질산은, 은 염 착체 또는 은 중간체일 수 있다. 은 이온의 농도는 제한되지 않으나 6g/L 내지 40g/L 범위 내가 좋다. 6g/L 미만의 경우 수율이 낮아져 경제성이 문제되며, 40g/L 초과하는 경우 분말의 응집을 초래하는 문제점이 있다.

암모니아는 수용액 형태로 사용될 수 있으며, 암모니아 수용액의 사용량은 은 이온 100 중량부에 대하여 30 내지 160 중량부로 첨가하는 것이 좋다. 암모니아가 30 중량부 미만으로 첨가되는 경우 암모니아염 형성에 부족하여 산화은이 형성되거나 균일한 입자 분포를 형성시키는데 문제가 있으며, 암모니아가 160 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 제조된 은 분말중 유기물 함량이 지나치게 높거나 입자 크기(size)가 크게 감소하는 문제점이 있다. 25% 암모니아 수용액을 사용하는 경우 은 이온 100 중량부에 대하여 120 내지 600 중량부로 첨가하는 것이 좋다. 상기 암모니아는 그 유도체를 포함한다.

은 이온 및 암모니아를 포함하는 제1 반응액은 물 등의 용제에 은 이온, 암모니아 수용액을 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있으며, 또한 슬러리 형태로 제조될 수 있다.

이때, 반응액제조단계(S21)에서 상기 제1 반응액을 제조하는 경우 교반 속도 및 교반 시간을 조절함으로써 고온 소결 시 높은 소결 밀도를 갖는 은 분말을 제조할 수 있도록 한다.

상기 은 이온 및 암모니아를 교반하는 경우, 교반기의 임펠러 선속도를 기준으로 2 내지 10m/sec 의 속도로 교반한다. 2m/sec 미만으로 교반하는 경우 교반력이 충분하지 않아 균일한 혼합이 되지 않아 입도 불균형의 문제점이 있고, 10m/sec 초과하여 교반하는 경우 용액의 튐 현상이 현저하게 발생하고 용액 중 기포가 발생하여 분말 내부에 포집되는 문제점이 있다. 바람직하게는 3m/sec 내지 4m/sec의 속도로 교반하는 것이 좋다.

또한 상기의 교반 속도로 30 내지 180분 동안 교반한다. 30분 미만으로 교반하는 경우 고온 소결 시의 소결 밀도가 높아지는 효과를 얻을 수 없는 문제점이 있으며, 180분 초과하여 교반하는 경우 소결 밀도는 높아지지만 반응 pH를 변화시켜 얻어지는 은 분말의 크기가 작아지는 문제점이 있다. 바람직하게는 60내지 90분 동안 교반하는 것이 좋다. 교반속도가 소결밀도를 높이는 이유에 대해서는 명확히 알 수 없으나 교반 속도가 증가하면서 착염 및 첨가제와의 안정적인 화학 반응으로 인해 은 입자로 환원 될 때 보다 치밀한 형태의 은 입자 제조가 가능한 것으로 추정된다.

본 발명의 일실시예에 따른 반응액제조단계(S21)는 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 단계이다. 상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 이 중에서 하이드로퀴논을 바람직하게 선택할 수 있다.

제2 반응액 내의 환원제의 함량은 환원제의 종류에 따라 상이하나 이론적인반응 식에 의해 계산되는 환원제 양을 기준으로 제1 반응액에 포함되는 은 이온 100 중량부에 대하여 80내지 120 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 80 중량부 미만을 사용하는 경우, 은 이온이 모두 환원되지 않을 수 있고, 120 중량부를 초과하여 사용하는 경우 유기물 함량이 증가하고 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다.

환원제를 포함하는 제2 반응액은 물 등의 용매에 환원제를 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 석출단계(S22)는 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 단계로서, 반응액제조단계(S21)에 의해 제조된 제1 반응액을 교반하는 상태에서 제2 반응액을 천천히 적가하거나, 일괄 첨가하여 반응시킬 수 있다. 바람직하기로는 일괄 첨가하는 것이 빠른 시간 내에 환원 반응이 일괄 종료되어 입자끼리의 응집을 방지하고 분산성을 높일 수 있어 좋다.

한편, 본 발명의 실시예에서는 은 입자의 분산성 향상 및 응집 방지를 위해 상기 분산제가 더 첨가되어 반응시키는 것을 권리범위에서 제외하지 않는다. 분산제의 예로는 지방산, 지방산염, 계면활성제, 유기 금속, 킬레이트 형성제 및 보호 콜로이드 등을 들 수 있다.

그러나, 상기 분산제가 첨가되는 경우, 잔존 유기물 함량이 증가하여 문제될 수 있으므로, 분산제의 첨가 없이 은 분말의 입경, 잔존 유기물 함량 및 결정자 지름을 제어하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일실시예에 따른 정제단계(S3)는 은 염 환원단계(S2)를 통해 은 입자 석출 반응을 완료한 후 수용액 또는 슬러리 내에 분산되어 있는 은 분말을 여과 등을 이용하여 분리하고 세척하는 단계(S31)를 포함한다. 더욱 구체적으로는 은 분말 분산액 중의 은 입자를 침강시킨 후, 분산액의 상등액을 버리고 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정한다. 세척을 하는 과정은 분말을 세척한 세척수를 완전히 제거를 해야 이루어진다. 따라서 함수율 10% 미만으로 감소시킨다. 선택적으로 여과 전에 반응 완료 용액에 상기 언급된 분산제를 첨가하여 은 분말의 응집을 방지하는 것도 가능하다.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 정제단계(S3)는 세척 후 건조 및 해쇄단계(S34)를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 표면처리단계(S4)는 은 분말의 친수 표면을 소수화하는 단계로서, 선택적으로 이루어질 수 있다. 더욱 구체적으로는 여과 후 얻어지는 습윤 케이크(wet cake)의 함수율을 10% 미만으로 조절한 후 은 분말의 표면처리를 위해 표면처리제를 첨가하고 함수율을 70% 내지 85%로 조절할 수 있다. 이 후 건조, 해쇄 과정을 거쳐 은 분말을 얻을 수 있다. 은 분말을 표면처리할 때 분말의 분산이 잘 되어야 표면처리가 충분히 이루어지고, 함수율이 낮으면 분산 효율이 떨어지기 때문에 일정량을 함수율을 가지고 표면처리를 하는 것이 좋다.

본 발명의 일실시예에 따라 제조된 은 분말은 600℃ 이상의 고온에서 소결하는 경우 소결 밀도가 9.0 g/cc 이상이며, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 파우더 100개 각각의 지름 크기를 측정한 후 평균을 내어 측정한 크기가 0.7 내지 1.2 μm이다.

본 발명에 따라 제조된 은 분말을 이용하여 태양전지, 적층 콘덴서 등의 전자 부품의 전극, 회로 기판의 도체 패턴 등을 형성하기 위한 도전성의 은 페이스트를 제공할 수 있다. 전자 부품 등의 전극 및 회로를 형성하기 위해서 주로 은 분말을 유기 성분 중에 분산시켜 도전성 페이스트를 제조한다.

본 발명에 따라 제조된 은 분말을 포함하는 은 페이스트를 이용하여 도막을 형성한 경우, 소결 밀도가 9.0 g/cc로 높기 때문에 우수한 전기 전도성을 갖는다.

실시예

실시예 1

상온의 순수 9476g에 500g/L의 질산은 236ml, 암모니아(농도 25%) 288ml 을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 이 때 교반 시간은 90분이며 이 때의 교반기 임펠러 선 속도는 3.14m/sec 이었다.

한편 상온의 순수 10000g에 하이드로퀴논 60g을 넣고 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다.

이어서, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 5분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여, 은 분말을 얻었다.

실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 4

제1 수용액을 조제하는 경우 교반 선속도 및 교반 시간을 하기 표 1과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 분말을 얻었다.

	교반선속도(m/sec)	교반시간(min)
실시예1	3.14	90
실시예2	3.14	120
실시예3	3.14	180
비교예1	3.14	5
비교예2	3.14	240

실험예 1 - 은 분말

(1) SEM size 측정

본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말을 지올(JEOL) 회사제 주사전자현미경을 이용하여, 파우더 100개 각각의 지름 크기를 측정한 후 평균을 내어 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.

(2) 표준편차 측정

SEM size 측정 시 얻어진 100개의 입자 크기를 사용하여 표준편차를 계산하여 입자의 불균일 정도를 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.

(3) 소결밀도 측정

실시예 및 비교예를 통해 제조된 은 분말 87g과 STD 4의 EC binder 10%의 유기물을 10g, BCA를 3g을 계량 후 3-롤밀(Three roll mill)을 사용하여 은 페이스트를 제조하고 이를 어플리케이터를 사용하여 200μm의 필름을 형성하고 80℃에서 3시간 건조하여 가로 10mm 세로 40mm의 소결밀도 측정용 건조막을 제조하였다. 이를 전기로를 사용하여 공기 분위기에서 5℃/min의 속도로 900℃까지 가열한 후 냉각하여 소결시료를 제조하였고 이를 아르키메데스 원리를 사용한 밀도 측정기를 사용하여 소결밀도를 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.

	교반시간	SEM size(μm)	표준편차	소결밀도g/cc
실시예1	90분	0.76	0.15	9.6
실시예2	120분	0.71	0.16	9.5
실시예3	180분	0.73	0.16	10.2
비교예1	5분	0.73	0.14	8.6
비교예2	240분	0.58	0.13	10.0

비교예 2의 경우 소결밀도는 좋으나, 입자의 크기가 작아지는 효과가 있어 너무 오랜 시간의 교반은 반응 pH를 변화 시켜 최종 제품의 크기를 변화하는 영향이 있다.

실험예 2 - 은 페이스트의 도전성 평가

본 발명에 따른 은 분말의 도전성을 평가하기 위하여 상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은분말 87g, 에틸 셀룰로즈 수지(STD200) 10% 1g, 유기 용매(디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 12g를 혼합하고 3-롤 밀로 혼련하여 페이스트를 제조하였다. 그 후 페이스트를 유리 기판 상에 인쇄하고 300, 600, 900℃에서 10분간 소성하여 소결체를 얻었다. 소결체의 저항치가 3×10^- ⁶Ω·cm 이하인 경우를 양호로, 3×10^- ⁶Ω·cm을 초과하는 경우를 불량으로 평가하여 하기 표 3에 나타내었다.

	300℃	600℃	900℃
실시예1	불량	양호	양호
실시예2	불량	양호	양호
실시예3	양호	양호	양호
비교예1	불량	불량	불량
비교예2	불량	양호	양호

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

은 이온 및 상기 은 이온 100 중량부에 대하여 30 내지 160 중량부로 첨가되는 암모니아를 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21); 및
상기 제1 반응액을 교반한 상태로 하고, 상기 제1 반응액에 상기 제2 반응액을 일괄 첨가하여 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하는 은 분말 제조방법으로서,
상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 제1 반응액을 제조하는 경우 2 내지 10m/sec 의 교반 속도로 30 내지 180분 동안 교반하는 단계이고,
상기 은 염 환원단계(S2)에서 상기 제1 반응액에 포함되는 은 이온 100 중량부에 대하여 상기 환원제가 80 내지 120 중량부로 포함되도록 상기 제1 반응액과 제2 반응액을 반응시키는 단계이며,
상기 제조되는 은 분말은 평균 입자 크기가 0.7 내지 1.2μm 이고,
상기 제조된 은 분말을 포함하는 은 페이스트를 이용하여 80℃에서 3시간 건조하여 가로 10mm, 세로 40mm, 두께 200μm의 필름을 제조한 후, 전기로를 사용하여 상기 필름을 공기 분위기에서 5℃/min의 속도로 900℃까지 가열한 후 냉각하였을 때 측정되는 소결 밀도가 9.5 g/cc 내지 10.2 g/cc인 은 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 고온 소결형 은 분말 제조방법.
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제1항에 있어서,
상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고온 소결형 은 분말 제조방법.
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제1항에 있어서,
상기 석출단계(S22)는 지방산, 지방산염, 계면활성제, 유기금속, 킬레이트 형성제 및 보호 콜로이드로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 더 첨가하여 반응시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고온 소결형 은 분말 제조방법.
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