KR101848884B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법 Download PDF

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Abstract

전기적 특성을 용이하게 향상하도록 본 발명은 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 비표시 영역에 배치되고 상기 제1 전극과 동일한 재료로 형성되는 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 형성되는 제2 도전 패턴층을 각각 구비하는 복수의 검출 패턴을 구비하는 검출부를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법을 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법{Organic light emitting display apparatus and method for inspecting pattern of the organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 전기적 특성을 용이하게 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편, 유기 발광 표시 장치는 제1 전극, 중간층 및 제2 전극을 포함하여 기타 다양한 박막을 구비하고, 이러한 박막은 소정의 패턴을 갖도록 형성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 고해상도를 가짐에 따라 이러한 박막 패턴의 크기는 작아지고, 박막 패턴의 정밀한 형성이 용이하지 않다.
특히 제1 전극 형성 시 원하는 패턴으로 정밀하게 형성하는 것이 용이하지 않아 유기 발광 표시 장치의 전기적 특성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 특성을 용이하게 향상하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 비표시 영역에 배치되고 상기 제1 전극과 동일한 재료로 형성되는 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 형성되는 제2 도전 패턴층을 각각 구비하는 복수의 검출 패턴을 구비하는 검출부를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 제1 도전 패턴층과 상기 제1 전극은 동일한 층 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 복수의 검출 패턴은 일단에서 타단에 이르는 길이가 동일할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 표시 영역 상에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되도록 배치되고, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 검출 패턴은 상기 게이트 전극을 형성하는 재료와 동일한 재료를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 검출 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고, 상기 검출 패턴의 제1 도전 패턴층은 상기 제1 도전층과 동일한 재료로 형성되고, 상기 검출 패턴의 제2 도전 패턴층은 상기 제2 도전층과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극과 상기 게이트 전극은 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극 및 상기 제1 도전 패턴층은 투과형 도전물을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 투과형 도전물은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO) 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나를 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 검출부는 두 개의 도전 패드를 더 구비하고, 상기 복수의 검출 패턴들은 상기 두 개의 도전 패드들 사이에 배치되고, 상기 도전 패드들에 인접한 검출 패턴들은 상기 도전 패드와 연결될 수 있다.
본발명의 다른 측면에 따르면 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 비표시 영역에 배치되고 상기 제1 전극과 동일한 재료로 형성되는 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 형성되는 제2 도전 패턴층을 각각 구비하는 복수의 검출 패턴을 구비하는 검출부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 패턴을 검사하는 방법에 관한 것으로서, 상기 검출부의 각 검출 패턴의 일단에 급전 부재를 연결하고 타단에 수전 부재를 연결하여 상기 검출 패턴에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 각 검출 패턴의 일단과 타단 사이의 전위차를 모니터링하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법은 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 검출부를 확대한 도면이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선, Ⅲ'-Ⅲ'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 도 1의 검출부를 이용하여 유기 발광 표시 장치의 패턴을 검사하는 방법을 설명하기 위하여 도시한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 절취한 단면도이다.
도 6은 검출부의 또 다른 예를 도시한 평면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 검출부를 확대한 도면이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선, Ⅲ'-Ⅲ'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 제1 전극(110), 중간층(112), 제2 전극(116), 박막 트랜지스터(TFT) 및 검출부(120)를 포함한다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 형성할 수 있는데 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다.
또한 기판(101)은 금속으로도 형성할 수 있고, 포일 형태일 수도 있다.
기판(101)에는 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)이 정의된다. 도 1에는 표시 영역(A1)의 일 측 모서리에 비표시 영역(A2)이 배치된 것이 도시되어 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 비표시 영역(A2)은 표시 영역(A1)의 일 측 모서리 및 이와 마주보는 모서리에 배치될 수도 있고, 표시 영역(A1)을 감싸도록 배치될 수도 있다.
표시 영역(A1)에는 사용자가 인식하도록 가시 광선을 발생하는 복수의 부화소(미도시)를 구비한다. 또한 각 부화소에는 제1 전극(110), 중간층(112) 및 제2 전극(116)이 형성된다. 이에 대한 구체적인 내용은 도 3에 도시되어 있고, 후술하기로 한다.
비표시 영역(A2)에는 하나 이상의 검출부(120)가 배치된다. 검출부(120)는 복수의 검출 패턴(121)을 구비한다. 각각의 검출 패턴(121)은 길게 연장된 형태로 형성되고, 나란하게 배치되는 것이 바람직하다. 또한 도 2에 도시된 것과 같이 일정한 간격을 갖고 원칙적으로는 이격되도록 설계한다. 또한 각 검출 패턴(121)은 동일한 길이를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
각 검출 패턴(121)은 제1 도전 패턴층(121a) 및 제2 도전 패턴층(121b)을 포함한다. 즉 제1 도전 패턴층(121a)상에 제2 도전 패턴층(121b)이 형성된다. 또한 도 2에는 복수의 검출 패턴(121)의 양 쪽 가장자리에는 도전 패드(125)가 배치되어 있으나 이는 선택적인 구성으로서 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)는 도전 패드(125)없이 검출 패턴(121)만을 구비할 수 있다.
각 검출 패턴(121)의 양단에는 전압을 인가하여 유기 발광 표시 장치(100)의 패턴을 검사하게 된다. 검출 패턴(121) 또는 도전 패드(125)를 이용한 검사 방법에 대한 구체적인 내용은 후술하기로 한다.
기판(101)상에 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 구비한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 제1 전극(110)과 전기적으로 연결된다.
도 3을 참조하면서 유기 발광 표시 장치(100)의 구성에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
기판(101)상에 버퍼층(102)이 형성된다. 버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 기판(101)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(102)상에 소정 패턴의 활성층(103)이 형성된다. 활성층(103)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체로 형성될 수 있다. 또한 활성층(103)은 유기 반도체 또는 산화물 반도체 기타 다양한 물질로 형성될 수 있다. 활성층(103)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.
이 때 선택적인 실시예의 하나로서, 캐패시터(114)가 더 형성될 수 있는데, 버퍼층(102)상에 캐패시터(114)의 제1 캐패시터 전극(111)을 형성할 수 있다. 제1 캐패시터 전극(111)은 활성층(103)과 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
버퍼층(102)상에 활성층(103) 및 제1 캐패시터 전극(111)을 덮도록 게이트 절연막(104)이 형성된다. 게이트 절연막(104)은 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)에 걸쳐서 형성되는 것이 바람직하다.
게이트 절연막(104)은 다양한 절연 물질로 형성할 수 있고, 구체적인 예로서유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(104)상에 게이트 전극(105), 제1 전극(110) 및 검출부(120)가 형성된다.
게이트 전극(105)은 제1 도전층(105a) 및 제2 도전층(105b)을 구비한다.
제1 도전층(105a)은 투과형 도전 물질을 함유하는데 구체적으로 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 함유할 수 있다.
제2 도전층(105b)은 제1 도전층(105a)상에 Mo, MoW, Al계 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금을 함유하도록 형성할 수 있고 구체적인 예로서 Mo/Al/Mo 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(110)은 투과형 도전 물질을 함유하는데 제1 도전층(105a)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제1 전극(110)의 상부의 소정의 영역에는 도전부(110a)가 배치되는데 도전부(110a)는 제2 도전층(105b)과 동일한 재질로 형성된다.
또한 선택적인 실시예로서 캐패시터(114)의 제2 캐패시터 전극(113)이 게이트 절연막(104)에 형성될 수 있는데, 제2 캐패시터 전극(113)은 제1 층(113a) 및 제2 층(113b)을 구비한다. 제1 층(113a)은 제1 도전층(105a)과 동일한 재질로 형성되고 제2 층(113b)은 제2 도전층(105b)과 동일한 재질로 형성된다.
전술한 대로 검출부(120)는 복수의 검출 패턴(121)을 구비하고 각 검출 패턴(121)은 제1 도전 패턴층(121a) 및 제2 도전 패턴층(121b)을 구비한다.
제1 도전 패턴층(121a)은 제1 도전층(105a)과 동일한 재질로 형성되고, 제2 도전 패턴층(121b)은 제2 도전층(105b)과 동일한 재질로 형성된다.
제1 전극(110), 게이트 전극(105) 및 제2 캐패시터 전극(113)상에 층간 절연막(106)이 형성된다. 층간 절연막(106)은 유기물 또는 무기물 등 다양한 재질의 절연 물질을 함유할 수 있다.
층간 절연막(106)상에 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)이 형성된다. 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 활성층(103)과 연결되도록 형성된다.
소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 이루는 물질은 Au, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os, Al, Mo, Nd, Mo, W, Ti 등과 같은 금속, 또는 이러한 금속을 함유하는 합금을 사용할 수 있으며 이에 한정되지는 않는다.
또한 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108) 중 어느 하나의 전극은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결되는데 도 3에는 드레인 전극(108)이 제1 전극(110)과 전기적으로 연결된 것이 도시되어 있다. 구체적으로 드레인 전극(108)은 도전부(110a)와 접한다.
층간 절연막(106)상에 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 화소 정의막(115)이 형성된다. 화소 정의막(115)은 개구부(115a)를 구비하고, 개구부(115a)는 제1 전극(110)의 상면의 소정의 영역과 중첩되도록 형성된다.
개구부(115a)에 대응되도록 중간층(112)이 형성된다. 중간층(112)상에 제2 전극(116)이 형성된다.
도시하지 않았으나 기판(101)의 일 면에 대향하도록 제2 전극(116)의 상부에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(112)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 글라스 또는 플라스틱으로 형성할 수 있고, 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
도 4는 도 1의 검출부를 이용하여 유기 발광 표시 장치의 패턴을 검사하는 방법을 설명하기 위하여 도시한 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면서 도 1 내지 도 3의 유기 발광 표시 장치(100)의 패턴 검사 방법을 설명하기로 한다.
패턴 검사를 위하여 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 전원 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 검출부(120)의 각 검출 패턴(121)에 순차적으로 연결한다.
구체적인 예로서, 도 4에 도시한 것과 같이 급전 부재(131)를 검출 패턴(121(1))의 일단에 연결하고 수전 부재(132)를 검출 패턴(121(1))의 타단에 연결한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 전압을 검출 패턴(121(1))에 인가하면 검출 패턴(121(1))의 일단과 타단간에 전류가 발생한다. 즉, 검출 패턴(121(1))의 일단과 타단 사이의 전위차가 발생한다. 그리고 이러한 전위차를 모니터링한다.
그리고 나서, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 도 4의 M방향(화살표 방향)으로 이동한다. 즉, 급전 부재(131)를 검출 패턴(121(2))의 일단에 연결하고 수전 부재(132)를 검출 패턴(121(2))의 타단에 연결한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 전압을 검출 패턴(121(2))에 인가하면 검출 패턴(121(2))의 일단과 타단간에 전류가 발생한다. 즉, 검출 패턴(121(2))의 일단과 타단 사이의 전위차가 발생한다. 그리고 이러한 전위차를 모니터링한다.
그리고 나서, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 도 4의 M방향(화살표 방향)으로 이동한다. 즉, 급전 부재(131)를 검출 패턴(121(3))의 일단에 연결하고 수전 부재(132)를 검출 패턴(121(3))의 타단에 연결한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 전압을 검출 패턴(121(3))에 인가하면 검출 패턴(121(3))의 일단과 타단간에 전류가 발생한다. 즉, 검출 패턴(121(3))의 일단과 타단 사이의 전위차가 발생한다. 그리고 이러한 전위차를 모니터링한다.
그리고 나서, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 도 4의 M방향(화살표 방향)으로 이동한다. 즉, 급전 부재(131)를 검출 패턴(121(4))의 일단에 연결하고 수전 부재(132)를 검출 패턴(121(4))의 타단에 연결한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 전압을 검출 패턴(121(4))에 인가하면 검출 패턴(121(4))의 일단과 타단간에 전류가 발생한다. 즉, 검출 패턴(121(4))의 일단과 타단 사이의 전위차가 발생한다. 그리고 이러한 전위차를 모니터링한다.
상기와 같은 방법으로 검출부(120)의 각 검출 패턴(121)의 양단 사이의 전위차를 모니터링한다.
한편, 도 5에 도시한 것과 같이 검출 패턴(121)들은 원하는 공정 설계 조건과 다르게 불량 패턴(121a')이 발생할 수 있다. 즉 도 5의 검출 패턴(121(2))과 검출 패턴(121(3))사이에 원하지 않는 잔존하는 불량 패턴(121a')이 형성될 수 있다. 결과적으로 검출 패턴(121(2))과 검출 패턴(121(3))은 전기적으로 연결된다.
이 경우 전술한 방법대로 급전 부재(131)와 수전 부재(132)를 이용하여 각 검출 패턴(121)의 양단간의 전위차를 측정하면 검출 패턴(121(1)) 및 검출 패턴(121(4))과 같은 정상 검출 패턴(121)들은 일정한 전위차를 갖는다. 그러나 검출 패턴(121(2)) 및 검출 패턴(121(3))과 같은 불량 검출 패턴(121)은 정상 검출 패턴(121)과 상이한 전위차를 갖게 된다. 측정의 정확도를 위하여 각 검출 패턴(121)은 모두 동일한 길이를 갖도록 설계되는 것이 바람직하다.
이러한 방법을 이용하여 유기 발광 표시 장치(100)의 패턴 불량을 용이하게 모니터링할 수 있다. 더 구체적으로 설명하기로 한다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101)상에 제1 전극(110)이 형성된다. 통상적으로 제1 전극(110)의 패터닝을 위하여 포토 리소그래피법을 이용한다. 즉, 노광 후 식각을 통하여 제1 전극(110)이 원하는 패턴을 갖도록 형성된다. 이 때 제1 전극(110)을 형성하는 재료가 완전히 식각되지 않고 부분적으로 잔존하여 유기 발광 표시 장치(100)의 최종 완성 후 사용 시 전기적 특성 및 화질 특성을 야기한다. 한편, 이러한 제1 전극(110)을 형성하는 재료가 부분적으로 잔존하는 불량 패턴(121a')을 감지하는 것이 용이하지 않다. 그러나 본 실시예에서는 제1 전극(110) 형성 시 이와 동시에 비표시 영역(A2)상에 제1 전극(110)과 동일한 재료를 이용하여 검출 패턴(121)들을 구비하는 검출부(120)를 형성한다. 그리고 제1 전극(110)형성 직후 또는 추후 공정 진행후에 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 검출 패턴(121)들의 전위차를 모니터링한다. 이를 통하여 각 검출 패턴(121)들이 정상으로 형성되었는지 또는 각 검출 패턴(121)사이를 연결되도록 불량 패턴(121a')이 형성되었는지 인지할 수 있다. 만일 검출 패턴(121)들 사이에 불량 패턴(121a')이 형성된 것으로 모니터링된 경우 제1 전극(110)을 형성하는 물질을 도포한 후에 식각 시 식각 공정이 완전하게 진행되지 않았음을 알 수 있다. 그리고 이러한 식각 공정 불량을 해소하기 위한 추가 공정, 예를들면 추가 식각 공정을 진행하여 추후 발생할 불량을 예방할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 전극(110)은 투과형 도전 물질을 함유하므로, 제1 전극(110)을 형성하기 위한 투과형 도전 물질의 불량 패턴이 발생 시 이를 시각 또는 광학적으로 감지하기가 용이하지 않다. 그러나 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 검출부(120)를 이용하여 불량 여부를 용이하게 인지할 수 있다.
특히, 본 발명은 게이트 전극(105)의 제1 도전층(105a) 및 제2 도전층(105b)과 동일한 층에 동일한 재료를 이용하여 제1 전극(110) 및 도전부(110a)를 형성한다. 선택적으로 게이트 전극(105)의 제1 도전층(105a) 및 제2 도전층(105b)과 동일한 층에 동일한 재료를 이용하여 제2 캐패시터 전극(113)을 형성하게 된다. 구체적으로 투과형 도전 물질로 박막을 형성하고 나서, 그 위에 Mo, MoW, Al과 같은 금속을 이용하여 박막을 형성하고, 그 후에 노광 및 식각 공정을 통하여 제1 전극(110), 게이트 전극(105) 및 제2 캐패시터 전극(113)을 형성한다. 이 때 상부층에 함유된 Mo, MoW, Al과 같은 금속에 비하여 하부층의 투과형 도전 물질은 원하는 만큼 식각되지 않고 잔존하는 경우가 발생한다. 이러한 잔존하는 부분은 유기 발광 표시 장치(100)의 전기적 특성 저하 및 화질 저하, 나아가 불량으로 판정되기도 한다. 그러나 본 실시예에서는 검출부(120)를 이용하여 원하지 않게 잔존하는 부분이 발생했는지 용이하게 인지하여 이러한 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 선택적 실시예로서 도 4등에는 도전 패드(125)가 배치될 수 있다. 양 쪽의 도전 패드(125)에 전압을 인가하면 정상적인 경우에는 전류가 흐르지 않는다. 그러나 각 검출 패턴(121)들 사이에 불량 패턴이 잔존하여 모든 검출 패턴(121)들이 전기적으로 연결될 경우 양 쪽의 도전 패드(125)에는 전류가 흐르게 되고, 이를 통하여 불량 패턴 검사를 수행할 수 있다. 이러한 선택적 실시예의 방법은 전술한 방법 보다는 간단하나 정밀도면에서는 떨어진다. 물론, 전술한 대로 도전 패드(125)를 생략하여도 무방하다.
도 3에는 검출부(120)상부에 층간 절연막(106) 및 화소 정의막(115)이 형성되지 않은 것이 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 검출부(120)상부에 층간 절연막(106) 및 화소 정의막(115)을 형성할 수도 있다. 특히, 검출부(120)를 이용한 모니터링 및 리페어 후에 층간 절연막(106) 및 화소 정의막(115)을 형성할 수 있다
또한 제1 전극(110)을 게이트 전극(105)의 제1 도전층(105a)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성하여 공정을 간소화하고 제1 전극(110) 및 게이트 전극(105) 형성 시 발생하는 불량을 감소한다. 또한 유기 발광 표시 장치(100)의 두께를 용이하게 감소할 수 있다.
도 6은 검출부의 또 다른 예를 도시한 평면도이다. 도 6을 참조하면 검출부(220)는 복수의 검출 패턴(221)을 구비한다. 각 검출 패턴(221)은 직사각형 형태, 즉 전술한 도 2의 검출 패턴(121)들 중 서로 인접한 두 개의 검출 패턴(121)들을 연결한 형태를 갖는다. 급전 부재(231) 및 수전 부재(232)를 이용한 불량 패턴 검출 방법은 전술한 방법과 유사하므로 구체적인 내용은 생략하기로 한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치 101: 기판
110: 제1 전극 112: 중간층
106: 층간 절연막 115: 화소 정의막
115a: 개구부 116: 제2 전극
120: 검출부 121: 검출 패턴
121a: 제1 도전 패턴층 121b: 제2 도전 패턴층
130: 전원 장치 131: 급전 부재
132: 수전 부재

Claims (12)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판;
    상기 표시 영역 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극상에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층;
    상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극; 및
    상기 비표시 영역에 배치되고 상기 제1 전극과 동일한 재료로 형성되는 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 형성되는 제2 도전 패턴층을 각각 구비하는 복수의 검출 패턴을 구비하는 검출부를 포함하고,
    상기 검출부는 두 개의 도전 패드를 더 구비하고,
    상기 복수의 검출 패턴들은 상기 두 개의 도전 패드들 사이에 배치되고, 상기 도전 패드들에 인접한 검출 패턴들은 상기 도전 패드와 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층과 상기 제1 전극은 동일한 층 상에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 각 검출 패턴은 일단에서 타단에 이르는 길이가 동일한 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 영역 상에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되도록 배치되고, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 검출 패턴은 상기 게이트 전극을 형성하는 재료와 동일한 재료를 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 검출 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층을 구비하고,
    상기 검출 패턴의 제1 도전 패턴층은 상기 제1 도전층과 동일한 재료로 형성되고, 상기 검출 패턴의 제2 도전 패턴층은 상기 제2 도전층과 동일한 재료로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 게이트 전극은 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제1 도전 패턴층은 투과형 도전물을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 투과형 도전물은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO) 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나를 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층, 상기 중간층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 비표시 영역에 배치되고 상기 제1 전극과 동일한 재료로 형성되는 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 형성되는 제2 도전 패턴층을 각각 구비하는 복수의 검출 패턴을 구비하는 검출부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 패턴을 검사하는 방법에 관한 것으로서,
    상기 검출부의 각 검출 패턴의 일단에 급전 부재를 연결하고 타단에 수전 부재를 연결하여 상기 검출 패턴에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 각 검출 패턴의 일단과 타단 사이의 전위차를 모니터링하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법.
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