KR101848145B1 - Film forming apparatus, film forming method and substrate mounting table - Google Patents

Film forming apparatus, film forming method and substrate mounting table Download PDF

Info

Publication number
KR101848145B1
KR101848145B1 KR1020160074532A KR20160074532A KR101848145B1 KR 101848145 B1 KR101848145 B1 KR 101848145B1 KR 1020160074532 A KR1020160074532 A KR 1020160074532A KR 20160074532 A KR20160074532 A KR 20160074532A KR 101848145 B1 KR101848145 B1 KR 101848145B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
temperature
mounting
film
width
Prior art date
Application number
KR1020160074532A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160148471A (en
Inventor
세이지 다나카
츠토무 사토요시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160148471A publication Critical patent/KR20160148471A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101848145B1 publication Critical patent/KR101848145B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/203—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L51/001—

Abstract

균일한 막을 형성할 수 있고, 또한 기판에만 막을 형성할 수 있는 성막 장치 및 그것에 사용하는 기판 적재대를 제공한다.
성막 장치(100)는, 기판 적재대(1)와, 기판(G)에 성막 처리를 실시하는 처리실(10)과, 처리 가스 공급 기구(13)를 갖는다. 기판 적재대(1)는, 그 상면이 기판(G)을 적재하는 적재면(4a)으로 되는 적재부(4)와, 적재부(4)의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링(5)과, 적재부(4)를, 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 제1 온도 조절부(20a)와, 외주 링(5)을, 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 제2 온도 조절부(20b)를 갖고, 적재부(4)와 외주 링(5) 사이에는, 전체 주위에 걸쳐 단열부로서 기능하는 간극(6)이 형성되어 있고, 적재면(4a)은, 기판(G)보다 작게 형성되고, 간극(6)은, 적재면(4a)에 기판(G)이 적재되었을 때, 기판(G)의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 외주 링(5)에 걸리도록 형성되어 있다.A film forming apparatus capable of forming a uniform film and capable of forming a film only on a substrate, and a substrate mounting table used therefor are provided.
The film forming apparatus 100 has a substrate mounting table 1, a processing chamber 10 for performing a film forming process on the substrate G, and a process gas supply mechanism 13. The substrate mounting table 1 is provided with a mounting portion 4 whose upper surface is a mounting surface 4a on which the substrate G is mounted, an outer ring 5 provided so as to surround the outer circumference of the mounting portion 4, A first temperature regulating section 20a for regulating the temperature of the loading section 4 to a first temperature at which the process gas can be deposited and a second temperature regulating section for regulating the temperature of the outer ring 5 to a second temperature A gap 6 functioning as a heat insulating portion is formed between the mounting portion 4 and the outer peripheral ring 5 and the mounting surface 4a And the gap 6 is formed such that when the substrate G is mounted on the mounting surface 4a, the protruding portion of the substrate G covers the entire periphery of the outer ring 5, As shown in Fig.

Figure R1020160074532
Figure R1020160074532

Description

성막 장치, 성막 방법 및 기판 적재대{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND SUBSTRATE MOUNTING TABLE}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method,

본 발명은, 기판에 대해 처리 가스를 공급하여 막을 형성하는 성막 장치 및 성막 방법, 및 성막 장치에 사용하는 기판 적재대에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a film by supplying a process gas to a substrate, and a substrate stack for use in a film forming apparatus.

유기 EL 표시 장치에 사용되는 밀봉층 등에 유기 재료 막이 사용되고 있다. 이러한 유기 재료 막을 제조하는 것에 있어서는, 유기 원료를 기화기 등에 의해 증발시켜 성막실 내에 공급하고, 기판 상에서 이들을 증착 중합시켜 유기 막을 성막하는 방법이 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 1).An organic material film is used for the sealing layer used in the organic EL display device. In the production of such an organic material film, there is known a method in which an organic material is vaporized by a vaporizer or the like to be supplied into a deposition chamber, and these are vapor-deposited and polymerized on a substrate to form an organic film (for example, Patent Document 1).

일본 특허 제4283910호 공보Japanese Patent No. 4283910

그러나, 증착 중합에 의해 대면적의 기판에 대해 유기 재료 막을 성막하는 경우, 균일하게 성막하는 것이 어렵다. 또한, 처리실 내의 기판 이외의 부분에 막이 형성되어 버리므로, 메인터넌스 주기가 짧다고 하는 문제가 있다.However, when an organic material film is formed on a substrate having a large area by vapor deposition polymerization, it is difficult to uniformly form a film. Further, since a film is formed on a portion other than the substrate in the treatment chamber, there is a problem that the maintenance period is short.

이러한 문제는, 증착 중합에 의해 유기 재료 막을 성막하는 경우에 한정되지 않고, 처리실에 처리 가스를 공급하여 성막 처리를 행하는 경우에 적지 않게 존재한다.Such a problem is not limited to the case where the organic material film is formed by the vapor deposition polymerization but exists in a considerable amount when the film forming process is performed by supplying the process gas to the process chamber.

따라서, 본 발명은, 처리 가스를 공급하여 기판 상에 성막할 때, 균일한 막을 형성할 수 있고, 또한 기판에만 막을 형성할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법, 및 그러한 성막 장치에 사용하는 기판 적재대를 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of forming a uniform film when forming a film on a substrate by supplying a process gas and forming a film only on the substrate, And to provide the above-mentioned object.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 기판이 적재되는 기판 적재대와, 상기 기판 적재대에 적재된 기판에 성막 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실에 성막 처리를 위한 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 갖고, 상기 기판 적재대 상의 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 장치이며, 상기 기판 적재대는, 그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와, 상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링과, 상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 제1 온도 조절부와, 상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 제2 온도 조절부를 갖고, 상기 적재부와 상기 외주 링의 사이에는, 전체 주위에 걸쳐 이들 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극이 형성되어 있고, 상기 적재부의 상기 적재면은, 상기 기판보다 작게 형성되고, 상기 간극은, 상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때, 상기 기판의 상기 적재면으로부터의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 상기 외주 링에 걸리도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate stacking table on which a substrate is stacked, a processing chamber for performing a film forming process on the substrate stacked on the substrate stacking table, And a gas supply means for performing a film formation process on the substrate on the substrate stacking table, wherein the substrate stacking table has a stacking portion having an upper surface serving as a stacking surface on which the substrate is stacked, A first temperature regulating unit for regulating the temperature of the peripheral ring to a first temperature at which the process gas can be deposited by the process gas, and a second temperature regulating unit for regulating the temperature of the outer ring to a second temperature And a gap functioning as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between them is formed between the stacking portion and the outer peripheral ring Wherein the mounting surface of the mounting portion is formed to be smaller than the substrate and the gap is formed such that when the substrate is loaded on the mounting surface, And is formed so as to be engaged with the outer circumferential ring.

또한, 본 발명은 처리 가스를 공급하여 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 장치에 사용되는 기판 적재대이며, 그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와, 상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링과, 상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 제1 온도 조절부와, 상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 제2 온도 조절부를 갖고, 상기 적재부와 상기 외주 링의 사이에는, 전체 주위에 걸쳐 이들 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극이 형성되어 있고, 상기 적재부의 상기 적재면은, 상기 기판보다 작게 형성되고, 상기 간극은, 상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때, 상기 기판의 상기 적재면으로부터의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 상기 외주 링에 걸리도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 적재대를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate stacking board for use in a film forming apparatus for performing a film forming process on a substrate by supplying a process gas, the substrate stacking board having a stacking portion having an upper surface serving as a stacking surface on which the substrate is stacked, A first temperature regulating unit for regulating the temperature of the peripheral ring to a first temperature at which the process gas can be deposited by the process gas, and a second temperature regulating unit for regulating the temperature of the outer ring to a second temperature Wherein a gap functioning as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between them is formed between the stacking portion and the outer peripheral ring and the mounting surface of the stacking portion is provided with a temperature adjusting portion And the gap is formed such that when the substrate is loaded on the mounting surface, a portion of the substrate that is projected from the mounting surface is entirely Provides a substrate mounting table, it characterized in that it is formed so as to take in the outer ring.

또한, 본 발명은 그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와, 전체 주위에 걸쳐 상기 적재부와의 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극을 개재하여, 상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링을 갖는 기판 적재대를 처리실 내에 배치한 성막 장치를 사용하여, 상기 적재부에 기판을 적재한 상태에서 상기 처리실에 처리 가스를 공급하여 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 방법이며, 상기 기판을, 전체 주위에 걸쳐 상기 간극을 차폐하고 상기 외주 링에 걸리도록 상기 적재면에 적재하는 공정과, 상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 공정과, 상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.Further, the present invention is characterized in that the upper surface thereof is provided with a mounting portion serving as a mounting surface on which a substrate is mounted, and an outer circumference of the mounting portion through a gap serving as a heat insulating portion for restricting heat exchange between the mounting portion and the entire circumference There is provided a film forming method for performing a film forming process on a substrate by supplying a process gas to the process chamber in a state in which a substrate is loaded in the loading section using a film forming apparatus having a substrate mounting table having an outer peripheral ring provided so as to surround it, A step of mounting the substrate on the mounting surface so as to shield the gap across the entire circumference and to be caught by the outer peripheral ring; a step of adjusting the temperature of the mounting portion to a first temperature at which the film can be formed by the process gas; And a step of controlling the temperature of the outer ring to a second temperature at which the film is not formed by the process gas.

상기 기판 적재대는, 기체를 갖고, 상기 적재부는, 상기 기체의 중앙부로부터 상방으로 돌출되어 설치되고, 상기 외주 링은, 상기 기체에 단열재를 개재하여 설치되어 있는 구성으로 할 수 있다.The substrate mounting table may have a base and the mounting portion may be provided so as to protrude upward from a central portion of the base body and the outer peripheral ring may be provided on the base body with a heat insulating material interposed therebetween.

상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때의 상기 기판의 비어져 나옴 부분의 폭은, 제품으로서 사용되지 않는 영역의 폭 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 비어져 나옴 부분의 폭이 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭을 1∼9㎜로 할 수 있다. 상기 비어져 나옴 부분의 폭이 5㎜ 이상 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭이 3∼5㎜인 것이 바람직하다.It is preferable that a width of the projected portion of the substrate when the substrate is loaded on the mounting surface is not more than a width of a region not used as a product. In this case, the width of the hollow portion may be less than 10 mm, and the width of the gap may be 1 to 9 mm. It is preferable that the width of the hollow portion is 5 mm or more and less than 10 mm, and the width of the gap is 3 to 5 mm.

상기 기판 적재대를 덮도록 설치되고, 상기 처리실을 구획 형성하는 상부 커버와, 상기 상부 커버를 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제3 온도로 온도 조절하는 제3 온도 조절부를 더 가져도 된다.The apparatus may further include an upper cover which covers the substrate stacking table and defines the processing chamber, and a third temperature adjusting unit which adjusts the temperature of the upper cover to a third temperature that is not formed by the process gas.

상기 적재면과 대향하도록 설치된 샤워 부재를 더 갖고, 상기 처리 가스 공급 수단으로부터 공급된 처리 가스를 상기 샤워 부재로부터 토출시키도록 할 수 있다.Further comprising a shower member provided so as to face the loading surface, so that the processing gas supplied from the processing gas supplying means can be discharged from the shower member.

상기 처리 가스로서 유기계 가스를 사용하고, 상기 기판 상에 증착 중합에 의해 유기 막을 성막하는 것으로 할 수 있다. 이 경우에, 상기 유기 막은 폴리우레아 막이며, 상기 제1 온도 조절부에 의해, 상기 적재부의 상기 제1 온도가 100℃ 이하로 되도록 온도 조절되고, 상기 제2 온도 조절부에 의해, 상기 외주 링의 상기 제2 온도가 150℃ 이상으로 되도록 온도 조절되는 것으로 할 수 있다.An organic film may be formed on the substrate by vapor deposition polymerization using an organic gas as the process gas. In this case, the organic film is a polyurea film, and the first temperature adjusting unit adjusts the temperature so that the first temperature of the loading unit is 100 DEG C or lower, And the temperature of the second electrode is adjusted to be 150 ° C or higher.

본 발명에 따르면, 적재부를 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하고, 외주 링을 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하므로, 기판 상에만 막을 형성할 수 있다. 또한, 적재부와 외주 링의 사이에, 전체 주위에 걸쳐 이들 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극을 형성하였으므로, 외주 링으로부터 적재부에의 직접적인 열전달을 방지할 수 있다. 이로 인해, 적재부의 온도를 외주 링의 열영향을 억제한 상태에서 제어할 수 있어, 기판의 온도를 균일하게 하여 균일한 막을 성막할 수 있다. 또한, 외주 링의 상면을 적재면과 동일면으로 하고, 적재면을 기판보다 작게 구성하고, 또한 간극을, 기판이 적재면에 적재되었을 때, 기판의 외주부가 전체 주위에 걸쳐 외주 링의 상면에 걸리는 치수로 하였으므로, 기판에 의해 간극이 차폐되어, 간극 내에 처리 가스가 들어는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, a film can be formed only on a substrate because the temperature of the loading portion is adjusted to the first temperature at which the deposition gas can be formed by the process gas, and the temperature of the outer ring is controlled to the second temperature, which is not formed by the process gas. Further, since a clearance functioning as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between them is formed over the entire periphery between the mounting portion and the outer peripheral ring, direct heat transfer from the outer peripheral ring to the mounting portion can be prevented. This makes it possible to control the temperature of the loading section in a state in which the thermal influence of the outer peripheral ring is suppressed, thereby making it possible to uniformize the temperature of the substrate and form a uniform film. The upper surface of the outer ring is flush with the mounting surface, the mounting surface is made smaller than the substrate, and the clearance is set such that when the substrate is loaded on the mounting surface, the outer peripheral portion of the substrate is caught on the upper surface of the outer peripheral ring It is possible to prevent the processing gas from entering the gap by shielding the gap by the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 성막 장치를 도시하는 단면도.
도 2는 도 1의 성막 장치의 온도 조절 기구를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 3은 도 1의 성막 장치의 기판 적재대의 일부를 확대하여 도시하는 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a cross-sectional view showing a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 2 is a plan view schematically showing a temperature adjusting mechanism of the film forming apparatus of Fig. 1; Fig.
Fig. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a substrate mounting table of the film forming apparatus of Fig. 1; Fig.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 성막 장치를 도시하는 단면도, 도 2는 도 1의 성막 장치의 온도 조절 기구를 모식적으로 도시하는 평면도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view showing a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a plan view schematically showing a temperature adjusting mechanism of the film forming apparatus in Fig.

성막 장치(100)는, 기판(G)을 적재하는 기판 적재대(1)와, 기판 적재대(1)에 적재된 기판(G)에 대해 성막 처리를 행하는 처리실을 구획 형성하는 상부 커버(2)를 갖고 있다.The film forming apparatus 100 includes a substrate stacking table 1 for stacking a substrate G and an upper cover 2 for partitioning a process chamber for performing a film forming process on the substrate G stacked on the substrate stacking table 1 ).

기판 적재대(1)는, 판 형상을 이루는 기체(3)와, 기체(3)의 중앙부로부터 상방으로 돌출되도록 기둥 형상으로 설치되고, 그 상면이 기판(G)을 적재하는 적재면(4a)으로 되는 적재부(4)와, 기체(3)의 적재부(4)의 주위에 단열재(7)를 개재하여 설치된 외주 링(5)을 갖고 있다. 적재부(4)의 상면을 형성하는 적재면(4a)은, 기판(G)보다 작게 형성되어 있다. 본 예에서는, 기판(G) 및 적재면(4a)은 직사각 형상을 이루고 있다.The substrate mounting table 1 includes a substrate 3 in the form of a plate and a mounting surface 4a on the upper surface of which is mounted a substrate G on which the substrate G is mounted, And a peripheral ring 5 provided around the mounting portion 4 of the base 3 with a heat insulating material 7 interposed therebetween. The mounting surface 4a forming the upper surface of the mounting portion 4 is formed smaller than the substrate G. [ In this example, the substrate G and the mounting surface 4a have a rectangular shape.

외주 링(5)은, 간극(6)을 개재하여 적재부(4)의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있고, 프레임 형상을 이루고 있다. 간극(6)은, 외주 링(5)과 적재부(4)의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능한다. 외주 링(5)의 상면은, 적재면(4a)과 동일 평면으로 되어 있다.The outer peripheral ring 5 is provided so as to surround the outer periphery of the mounting portion 4 via the gap 6 and has a frame shape. The clearance 6 functions as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between the outer peripheral ring 5 and the loading portion 4. The upper surface of the outer peripheral ring 5 is flush with the mounting surface 4a.

기판(G)은, 적재면(4a)에 적재되었을 때, 그 외주부가 전체 주위에 걸쳐 적재면(4a)으로부터 비어져 나온 비어져 나옴 부분으로 되도록 되어 있고, 간극(6)의 치수는, 기판(G)의 비어져 나옴 부분이 간극(6)을 넘어 외주 링(5)의 상면에 도달하고, 전체 주위에 걸쳐 외주 링(5)의 상면에 걸리는 치수로 되어 있다. 따라서, 기판(G)이 적재면(4a)에 적재되었을 때, 기판(G)에 의해 간극(6)이 차폐된다.When the substrate G is mounted on the mounting surface 4a, the outer circumferential portion of the substrate G is made to be a hollow portion emerging from the mounting surface 4a over the entire periphery. Out portion of the outer ring G reaches the upper surface of the outer peripheral ring 5 beyond the clearance 6 and is attached to the upper surface of the outer peripheral ring 5 over the entire periphery. Therefore, when the substrate G is mounted on the mounting surface 4a, the gap 6 is shielded by the substrate G. [

단열재(7)는, 외주 링(5)과 대응하는 프레임 형상을 이루고, 내주면은 적재부(4)의 외주에 접촉하여 설치되어 있다. 단열재(7)는, 외주 링(5)과 기체(3)를 단열하기 위해 설치되어 있고, 스테아타이트나 마코르(등록 상표)와 같은 열전도율이 낮은 세라믹스 재료를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 외주 링(5) 및 단열재(7)의 외주는, 기체(3)의 외주 위치까지 도달해 있다.The heat insulating material 7 has a frame shape corresponding to the outer circumferential ring 5 and the inner circumferential surface thereof is provided in contact with the outer periphery of the mounting portion 4. [ The heat insulating material 7 is provided for insulating the outer ring 5 and the base body 3 and a ceramics material having a low thermal conductivity such as stearate or Macor (registered trademark) can be suitably used. The outer periphery of the outer peripheral ring 5 and the heat insulating material 7 reaches the outer peripheral position of the base body 3.

도 3의 확대도에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 적재면(4a)으로부터의 비어져 나옴 부분의 폭 D1은, 프로세스 보장 외이며 제품으로서 사용되지 않는 영역의 폭 이하로 된다. 이 프로세스 보장 외의 영역의 폭은, 통상 10㎜ 정도이므로, 그 경우는, 비어져 나옴 부분의 폭은 10㎜ 미만으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 간극(6)의 폭 D2는, 기판(G)의 비어져 나옴 부분의 폭 D1에 따라서 변화되며, 비어져 나옴 부분의 폭 D1이 10㎜ 미만인 경우는, 간극(6)의 폭 D2는 1∼9㎜ 정도이다. 바람직하게는, 기판(G)의 비어져 나옴 부분의 폭 D1이 5㎜ 이상 10㎜ 미만, 간극의 폭 D2가 3∼5㎜이다.As shown in the enlarged view of Fig. 3, the width D1 of the projecting portion 4a of the substrate G from the mounting surface 4a is equal to or smaller than the width of the region other than the process assurance and not used as a product. Since the width of the region other than the process assurance is usually about 10 mm, in this case, the width of the projected portion is preferably less than 10 mm. The width D2 of the clearance 6 is varied in accordance with the width D1 of the protruding portion of the substrate G. When the width D1 of the protruding portion is less than 10 mm, the width D2 of the clearance 6 is About 1 to 9 mm. Preferably, the width D1 of the exposed portion of the substrate G is 5 mm or more and less than 10 mm, and the width D2 of the gap is 3 to 5 mm.

상부 커버(2)는, 측벽(2a)과 천장벽(2b)을 갖고 있고, 측벽(2a)이 외주 링(5)의 상면에 시일 부재(도시하지 않음)를 통해 밀폐 상태로 지지된다. 천장벽(2b)의 하방에는 공간(8)을 개재하여 샤워 플레이트(9)가 설치되어 있고, 측벽(2a)과 샤워 플레이트(9)로 둘러싸인 부분이 처리실(10)로 된다. 또한, 상부 커버(2)를 직접 기체(3)에 의해 지지하는 구조로 해도 된다. 그 경우, 외주 링(5) 및 단열재(7)는 그들의 외주가 기체(3)의 외주보다 내측으로 되도록 형성된다.The upper cover 2 has a side wall 2a and a ceiling wall 2b and the side wall 2a is hermetically supported on the upper surface of the outer peripheral ring 5 via a seal member (not shown). A shower plate 9 is provided under the ceiling wall 2b with a space 8 interposed therebetween and a portion surrounded by the side wall 2a and the shower plate 9 serves as the treatment chamber 10. [ Further, the upper cover 2 may be directly supported by the base body 3. In this case, the outer circumferential ring 5 and the heat insulating material 7 are formed such that their outer periphery is inward of the outer periphery of the base body 3.

천장벽(2b)의 중앙에는 공간(8)에 도달하는 가스 도입 구멍(11)이 형성되어 있고, 가스 도입 구멍(11)에는 배관(12)을 통해 처리 가스 공급 기구(13)가 접속되어 있다. 그리고, 처리 가스 공급 기구(13)로부터의 처리 가스가, 배관(12)을 통해 공간(8)에 도달하고, 샤워 플레이트(9)에 형성된 다수의 가스 토출 구멍(9a)으로부터 처리실(10) 내로 토출된다. 가스 토출 구멍(9a)은, 샤워 플레이트(9)의 기판(G)에 대향하는 영역에 균일하게 배치되어도 되고, 특정한 패턴을 그려 배치되어도 된다.A gas introduction hole 11 reaching the space 8 is formed at the center of the ceiling wall 2b and a process gas supply mechanism 13 is connected to the gas introduction hole 11 through a pipe 12 . The process gas from the process gas supply mechanism 13 reaches the space 8 through the pipe 12 and flows from the gas discharge holes 9a formed in the shower plate 9 into the process chamber 10 And is discharged. The gas discharge holes 9a may be uniformly arranged in the area of the shower plate 9 facing the substrate G, or may be arranged in a specific pattern.

이와 같이 하여 처리실(10) 내에 처리 가스를 공급함으로써, 기판(G) 상에 소정의 막이 성막된다. 이때, 처리 가스 공급 기구(13)로부터 처리 가스로서, 소정의 유기계 가스를 사용함으로써, 기판(G) 상에 증착 중합에 의해 유기 막을 성막할 수 있다. 증착 중합에 의해 성막되는 유기 막으로서는, 대표적인 것으로서 폴리우레아 막을 들 수 있다. 폴리우레아 막을 성막할 때에는, 디이소시아네이트와 디아민을 기화기 등에 의해 기화시킨 상태에서 처리 가스로서 공급한다. 이에 의해, 이들을 기판(G) 상에서 증착 중합시켜 폴리우레아 막을 성막할 수 있다.A predetermined film is formed on the substrate G by supplying the process gas into the process chamber 10 in this manner. At this time, by using a predetermined organic gas as the process gas from the process gas supply mechanism 13, the organic film can be formed on the substrate G by vapor deposition polymerization. As a typical example of the organic film formed by the deposition polymerization, a polyurea film can be mentioned. When a polyurea film is formed, diisocyanate and diamine are fed as a process gas in a vaporized state with a vaporizer or the like. Thus, the polyurea film can be formed by vapor-depositing them on the substrate (G).

상부 커버(2)의 측벽(2a)에는, 그 하부에 배기구(14)가 형성되어 있고, 배기구(14)에는 배기 배관(15)이 접속되어 있다. 배기 배관(15)에는 진공 펌프 및 압력 제어 밸브 등으로 이루어지는 배기 기구(16)가 설치되어 있어, 처리실(10) 내를 소정의 진공 분위기로 유지 가능하게 되어 있다. 디이소시아네이트와 디아민에 의해 폴리우레아 막을 성막하는 경우에는, 처리실(10) 내의 압력은 10Torr(1333Pa) 이하, 바람직하게는 0.2∼2.0Torr(26.7∼266Pa)로 제어된다.An exhaust port 14 is formed in a lower portion of the side wall 2a of the upper cover 2. An exhaust pipe 15 is connected to the exhaust port 14. [ The exhaust pipe 15 is provided with an exhaust mechanism 16 including a vacuum pump and a pressure control valve so that the inside of the processing chamber 10 can be maintained in a predetermined vacuum atmosphere. When the polyurea membrane is formed by diisocyanate and diamine, the pressure in the processing chamber 10 is controlled to 10 Torr (1333 Pa) or less, preferably 0.2 to 2.0 Torr (26.7 to 266 Pa).

또한, 도시는 하고 있지 않지만, 상부 커버(2)의 측벽(2a)에는, 기판(G)을 반입출하는 반입출구가 형성되어 있고, 이 반입출구는 게이트 밸브 등의 개폐 기구에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.Although not shown, the side wall 2a of the upper cover 2 is provided with a loading / unloading port for loading / unloading the substrate G, which can be opened / closed by an opening / closing mechanism such as a gate valve .

적재부(4)의 내부에는 제1 온도 조절 매체 유로(17)가 설치되어 있고, 이 제1 온도 조절 매체 유로(17)에 제1 온도 조절 매체가 통류됨으로써 적재부(4)가 온도 조절되도록 되어 있다. 이 제1 온도 조절 매체에 의해, 적재면(4a)에 적재된 기판(G)이 성막 가능한 제1 온도(T1)로 되도록 온도 조절된다. 유기 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 제1 온도(T1)는, 증착 가능한 정도로 낮은 온도인 것이 필요하고, 폴리우레아 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 제1 온도(T1)는, 증착 중합 가능한 100℃ 이하, 바람직하게는 50∼100℃로 되도록 제어된다.The first temperature regulating medium flow path 17 is provided in the loading part 4 so that the temperature of the loading part 4 can be controlled by passing the first temperature controlling medium through the first temperature controlling medium flow path 17. [ . With this first temperature control medium, the temperature of the substrate (G) loaded on the mounting surface (4a) is adjusted to the first temperature (T1) at which the film can be formed. When the organic film is formed by vapor deposition polymerization, the first temperature (T1) needs to be low enough to be vapor-deposited. When the polyurea film is formed by vapor deposition polymerization, the first temperature (T1) Deg.] C or less, preferably 50 to 100 [deg.] C.

외주 링(5)의 내부에는 제2 온도 조절 매체 유로(18)가 설치되어 있고, 이 제2 온도 조절 매체 유로(18)에 제2 온도 조절 매체가 통류됨으로써 외주 링(5)이 온도 조절되도록 되어 있다. 이 제2 온도 조절 매체에 의해, 외주 링(5)은 그 표면에 막이 형성되지 않는 제2 온도(T2)로 되도록 온도 조절된다. 유기 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 제2 온도(T2)는, 증착되지 않을 정도로 높은 온도인 것이 필요하고, 폴리우레아 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 외주 링(5)의 온도는, 증착 중합되지 않는 150℃ 이상, 바람직하게는 150∼180℃로 되도록 온도 조절된다.A second temperature regulating medium flow path 18 is provided in the outer circumferential ring 5 so that the temperature of the outer circumferential ring 5 is adjusted by passing the second temperature regulating medium through the second temperature regulating medium flow path 18. [ . With this second temperature control medium, the outer circumferential ring 5 is temperature-adjusted to a second temperature T2 at which no film is formed on its surface. When the organic film is formed by vapor deposition polymerization, it is necessary that the second temperature (T2) is high enough not to deposit, and when the polyurea film is formed by vapor deposition polymerization, the temperature of the outer peripheral ring (5) , And the temperature is adjusted to be 150 DEG C or higher, preferably 150 to 180 DEG C, which is not subjected to vapor-phase polymerization.

상부 커버(2)의 천장벽(2b)에는 제3 온도 조절 매체 유로(19)가 설치되어 있고, 이 제3 온도 조절 매체 유로(19)에 제3 온도 조절 매체가 통류됨으로써 상부 커버(2)가 온도 조절되도록 되어 있다. 이 제3 온도 조절 매체에 의해, 상부 커버(2)는, 그 내벽에 막이 형성되지 않는 제3 온도(T3)로 되도록 온도 조절된다. 유기 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 제3 온도(T3)는, 증착되지 않을 정도로 높은 온도인 것이 필요하고, 폴리우레아 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 상부 커버(2)의 온도는, 확실하게 막이 형성되지 않는 150℃ 이상, 바람직하게는 150∼180℃로 되도록 제어된다.A third temperature regulating medium flow path 19 is provided in the ceiling wall 2b of the upper cover 2. The third temperature regulating medium flow path 19 is provided with a third temperature regulating medium, Is temperature-controlled. With this third temperature control medium, the temperature of the upper cover 2 is adjusted to a third temperature T3 at which no film is formed on the inner wall thereof. When the organic film is formed by vapor deposition polymerization, the third temperature (T3) needs to be high enough not to deposit. When the polyurea film is formed by vapor deposition polymerization, the temperature of the top cover , And the temperature is controlled to be 150 DEG C or higher, preferably 150 to 180 DEG C, at which the film is certainly not formed.

제1∼제3 온도 조절 매체는, 온도 조절 매체 공급 유닛(20)으로부터 각각 제1∼제3 온도 조절 매체 유로(17∼19)에 공급되도록 되어 있다. 온도 조절 매체 공급 유닛(20)은, 제1 온도 조절 매체를 제1 온도 조절 매체 유로(17)에 공급하는 제1 온도 조절 매체 공급부(CH1)(20a), 제2 온도 조절 매체를 제2 온도 조절 매체 유로(18)에 공급하는 제2 온도 조절 매체 공급부(CH2)(20b), 제3 온도 조절 매체를 제3 온도 조절 매체 유로(19)에 공급하는 제3 온도 조절 매체 공급부(CH3)(20c)를 갖고 있다.The first to third temperature control media are supplied to the first to third temperature control media channels 17 to 19 from the temperature control medium supply unit 20, respectively. The temperature control medium supply unit 20 includes a first temperature control medium supply unit (CH1) 20a for supplying the first temperature control medium to the first temperature control medium flow path 17, a second temperature control medium supply unit A third temperature regulating medium supply unit CH3 for supplying the third temperature regulating medium to the third temperature regulating medium flow path 19; 20c.

제1 온도 조절 매체 공급부(CH1)(20a)에는, 제1 온도 조절 매체 유로(17)에 제1 온도 조절 매체를 공급하는 공급 배관(21a)과, 제1 온도 조절 매체 유로(17)로부터 제1 온도 조절 매체를 반려하는 반려 배관(21b)(도 2)이 접속되어 있고, 제1 온도 조절 매체는 제1 온도 조절 매체 유로(17)에 순환 공급되도록 되어 있다. 또한, 제1 온도 조절 매체 공급부(CH1)(20a)는, 제1 온도 조절 매체를 제1 온도(T1)로 온도 제어하도록 되어 있다.The first temperature regulating medium supply part CH1 and 20a are provided with a supply pipe 21a for supplying a first temperature regulating medium to the first temperature regulating medium flow path 17, (See FIG. 2) for returning the first temperature control medium, and the first temperature control medium is circulated and supplied to the first temperature control medium flow path 17. In addition, the first temperature control medium supply unit (CH1) 20a controls the temperature of the first temperature control medium to the first temperature T1.

제2 온도 조절 매체 공급부(CH2)(20b)에는, 제2 온도 조절 매체 유로(18)에 제2 온도 조절 매체를 공급하는 공급 배관(22a)과, 제2 온도 조절 매체 유로(18)로부터 제2 온도 조절 매체를 반려하는 반려 배관(22b)(도 2)이 접속되어 있고, 제2 온도 조절 매체는 제2 온도 조절 매체 유로(18)에 순환 공급되도록 되어 있다. 또한, 제2 온도 조절 매체 공급부(CH2)(20b)는, 제2 온도 조절 매체를 제2 온도(T2)로 온도 제어하도록 되어 있다.The second temperature control medium supply part (CH2) 20b is provided with a supply pipe 22a for supplying a second temperature control medium to the second temperature control medium passage 18, The second temperature control medium is circulated and supplied to the second temperature control medium flow path 18. The second temperature control medium flow path 18 is connected to a return pipe 22b (FIG. In addition, the second temperature control medium supply unit (CH2) 20b controls the temperature of the second temperature control medium to the second temperature T2.

제3 온도 조절 매체 공급부(CH3)(20c)에는, 제3 온도 조절 매체 유로(19)에 제3 온도 조절 매체를 공급하는 공급 배관(23a)과, 제3 온도 조절 매체 유로(19)로부터 제3 온도 조절 매체를 반려하는 반려 배관(23b)(도 2)이 접속되어 있고, 제3 온도 조절 매체는 제3 온도 조절 매체 유로(19)에 순환 공급되도록 되어 있다. 또한, 제3 온도 조절 매체 공급부(CH3)(20c)는, 제3 온도 조절 매체를 제3 온도(T3)로 온도 제어하도록 되어 있다.The third temperature control medium supply part CH3 20c is provided with a supply pipe 23a for supplying a third temperature control medium to the third temperature control medium flow path 19, (FIG. 2) for returning the third temperature control medium, and the third temperature control medium is circulated and supplied to the third temperature control medium flow path 19. In addition, the third temperature control medium supply unit (CH3) 20c controls the temperature of the third temperature control medium to the third temperature T3.

또한, 온도 조절 매체 공급 유닛(20)은, 제2 온도 조절 매체 유로(18)와 제3 온도 조절 매체 유로(19)에 공급하는 온도 조절 매체를 일괄적으로 온도 제어하는 것이어도 된다. 또한, 도 1, 도 2에서는, 제1∼제3 온도 조절 매체 유로(17∼19)를 모식적으로 그리고 있고, 실제로는 이들은 소정의 온도로 온도 조절되도록 적절한 형상으로 배치된다.The temperature control medium supply unit 20 may be configured to collectively control the temperature of the temperature control medium supplied to the second temperature control medium flow path 18 and the third temperature control medium flow path 19. [ 1 and 2 schematically show the first to third temperature regulating medium flow paths 17 to 19, and they are arranged in a proper shape so as to control the temperature to a predetermined temperature.

성막 장치(100)는, 성막 장치(100)의 각 구성부를 제어하기 위한 제어부(25)를 갖고 있다. 제어부(25)는, 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비하고 있고, 처리 가스 공급 기구(13), 배기 기구(16), 온도 조절 매체 공급 유닛(20) 등을 제어하도록 되어 있다. 제어부(25)는, 소정의 처리 레시피를 실행하도록 되어 있고, 그것을 위해 필요한 제어 파라미터나 처리 레시피를 기억한 기억부나, 입력 수단 및 디스플레이 등을 구비하고 있다.The film formation apparatus 100 has a control section 25 for controlling each constituent section of the film formation apparatus 100. [ The control unit 25 is provided with a microprocessor (computer) and controls the process gas supply mechanism 13, the exhaust mechanism 16, the temperature control medium supply unit 20, and the like. The control unit 25 is adapted to execute a predetermined process recipe, and has a storage unit for storing control parameters and process recipes necessary for the storage process, an input unit, a display, and the like.

이와 같이 구성된 성막 장치(100)에 있어서는, 기판 반입출구(도시하지 않음)로부터 처리실(10) 내에 반송되어 온 기판(G)을 적재부(4)의 적재면(4a)에, 간극(6)을 차폐하고 전체 주위에 걸쳐 외부 링(5)에 걸리도록 적재하고, 배기 기구(16)에 의해 처리실(10) 내를 소정의 진공 상태로 유지한다. 그리고, 온도 조절 매체 공급 유닛(20)으로부터, 제1 온도 조절 매체 유로(17), 제2 온도 조절 매체 유로(18), 제3 온도 조절 매체 유로(19)에, 각각 제1 온도 조절 매체, 제2 온도 조절 매체, 제3 온도 조절 매체를 공급함으로써, 적재부(4)를 성막 가능한 제1 온도(T1), 외주 링(5) 및 상부 커버(2)를, 각각 성막되지 않는 제2 온도(T2) 및 제3 온도(T3)로 온도 조절한다. 또한, 제2 온도(T2)와 제3 온도(T3)는 동일해도 된다.In the film forming apparatus 100 constructed as described above, the substrate G transported from the substrate loading / unloading outlet (not shown) into the processing chamber 10 is placed on the loading surface 4a of the loading section 4, And is placed so as to be caught by the outer ring 5 over the entire circumference, and the inside of the processing chamber 10 is maintained in a predetermined vacuum state by the exhaust mechanism 16. [ The first temperature regulating medium flow path 17, the second temperature regulating medium flow path 18 and the third temperature regulating medium flow path 19 are respectively connected to the first temperature regulating medium supply path 20, the first temperature regulating medium flow path 17, The first temperature T1, the outer peripheral ring 5, and the upper cover 2, which are capable of forming the stacking portion 4, are supplied to the first temperature control medium, the second temperature control medium and the third temperature control medium, (T2) and the third temperature (T3). The second temperature T2 and the third temperature T3 may be the same.

이 상태에서, 처리 가스 공급 기구(13)로부터 배관(12) 및 샤워 플레이트(9)를 통해 처리실(10) 내에 처리 가스를 공급하고, 기판(G)의 표면에 소정의 막을 성막한다.In this state, a process gas is supplied from the process gas supply mechanism 13 into the process chamber 10 through the pipe 12 and the shower plate 9, and a predetermined film is formed on the surface of the substrate G.

예를 들어, 처리 가스로서, 소정의 유기계 가스를 사용하여, 기판 상에 증착 중합에 의해 유기 막을 성막할 수 있다. 유기 막으로서 폴리우레아 막을 증착 중합에 의해 성막하는 경우에는, 처리실(10) 내의 압력을 10Torr(1333Pa) 이하, 바람직하게는 0.2∼2.0Torr(26.7∼266Pa)로 제어하고, 처리 가스로서 디이소시아네이트와 디아민을 기화기 등에 의해 기화시킨 상태에서 처리실(10)에 공급하고, 이들을 기판(G) 상에서 증착 중합시킨다.For example, an organic film can be formed on the substrate by vapor deposition polymerization using a predetermined organic gas as the process gas. The pressure in the processing chamber 10 is controlled to 10 Torr (1333 Pa) or less, preferably 0.2 to 2.0 Torr (26.7 to 266 Pa), and the amount of the diisocyanate The diamine is vaporized by a vaporizer or the like and supplied to the treatment chamber 10, and these are vapor-deposited on the substrate G to be polymerized.

이 경우에, 적재부(4)의 온도인 제1 온도(T1)가, 증착 가능한 정도로 낮은 온도, 폴리우레아 막을 성막하는 경우에는, 100℃ 이하, 바람직하게는 50∼100℃로 되도록, 적재부(4)를 제1 온도 조절 매체에 의해 온도 조절한다. 한편, 외주 링(5)의 온도인 제2 온도(T2) 및 상부 커버(2)의 온도인 제3 온도(T3)가, 증착되지 않을 정도로 높은 온도, 폴리우레아 막을 성막하는 경우에는, 150℃ 이상, 바람직하게는 150∼180℃로 되도록, 외주 링(5) 및 상부 커버(2)를 각각 제2 온도 조절 매체 및 제3 온도 조절 매체에 의해 온도 조절한다.In this case, the first temperature T1, which is the temperature of the loading section 4, is set at a temperature low enough to be able to deposit, and when the polyurea film is to be formed, it is preferably 100 ° C or lower, (4) is temperature-controlled by the first temperature control medium. On the other hand, in the case of forming the polyurea film at a high temperature such that the second temperature T2 which is the temperature of the outer peripheral ring 5 and the third temperature T3 which is the temperature of the upper cover 2 are not deposited, The temperature of the outer ring 5 and the temperature of the upper cover 2 are controlled by the second temperature control medium and the third temperature control medium, respectively.

이에 의해, 기판(G)의 표면에만 성막할 수 있어, 적재부(4)의 외주에 설치된 외주 링(5)의 표면이나 상부 커버(2)의 내벽에 대한 막의 형성을 억제할 수 있다.This makes it possible to form the film only on the surface of the substrate G and to suppress the formation of the film on the surface of the outer peripheral ring 5 provided on the outer periphery of the mounting portion 4 and the inner wall of the upper cover 2. [

그러나, 이와 같이 인접하는 적재부(4)와 외주 링(5)을 각각의 온도로 온도 조절하는 경우, 이들이 접촉하고 있으면, 적재부(4)는 외주 링(5)과 용이하게 열교환하여, 적재부(4)의 온도 제어성이 저하되어, 기판(G) 상에 균일한 막을 형성하는 것이 곤란해진다. 특히, 기판(G)이 대형화되면 그 경향이 현저해진다.However, when the temperature of the adjacent loading section 4 and the outer circumferential ring 5 are adjusted to the respective temperatures, the loading section 4 easily exchanges heat with the outer ring 5, The temperature controllability of the portion 4 is lowered, and it becomes difficult to form a uniform film on the substrate G. [ Particularly, when the substrate G is enlarged, the tendency becomes remarkable.

이에 대해, 본 실시 형태에서는, 적재면(4a)을 포함하는 적재부(4)와 외주 링(5) 사이에 단열부로 되는 간극(6)을 형성하였으므로, 외주 링(5)으로부터 적재부(4)에의 직접적인 열전달이 방지된다. 특히, 간극(6)이 상부까지 도달하여 적재면(4a)과 외주 링(5)의 상면을 확실하게 격리시키므로, 이들 사이에 있어서 서로의 온도가 간섭하는 일이 없다. 게다가, 단열재(7)에 의해 기판 적재대(1)의 기체(3)를 통한 외주 링(5)으로부터 적재부(4)에의 열전달이 억제된다. 이로 인해, 적재부(4)의 온도를, 외주 링(5)으로부터의 열영향을 억제한 상태에서 제어할 수 있어, 기판(G)의 온도를 균일하게 하여 균일한 막을 성막할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, since the gap 6 serving as the heat insulating portion is formed between the mounting portion 4 including the mounting surface 4a and the outer peripheral ring 5, ) Is prevented. Particularly, since the gap 6 reaches the upper portion, the mounting surface 4a and the upper surface of the outer peripheral ring 5 are securely separated from each other, so that the temperatures do not interfere with each other. The heat transfer from the outer peripheral ring 5 to the loading portion 4 through the base 3 of the substrate mounting table 1 is suppressed by the heat insulating material 7. [ This makes it possible to control the temperature of the loading section 4 in a state in which the influence of heat from the outer peripheral ring 5 is suppressed and uniform the temperature of the substrate G to form a uniform film.

또한, 이러한 간극(6)을 형성하는 경우, 간극(6)에 처리 가스가 들어가면, 파티클의 원인으로 되거나, 간극(6) 내에 성막됨으로써 단열 효과가 얻어지지 않거나 하는 문제가 있지만, 본 실시 형태에서는, 외주 링(5)의 상면을 적재면(4a)과 동일면으로 하고, 또한 적재부(4)의 상면인 적재면(4a)을 기판(G)보다 작게 구성하고, 또한 간극(6)의 치수를, 적재면(4a)에 기판(G)이 적재되었을 때의 기판(G)의 적재면(4a)으로부터의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 외주 링(5)의 상면에 걸리는 치수로 하였으므로, 이러한 문제를 방지할 수 있다. 즉, 상기한 바와 같은 구성으로 함으로써, 적재면(4a)을 기판(G)에 적재하였을 때, 적재면(4a)의 전체 주위에 걸쳐 존재하는 기판(G)의 비어져 나옴 부분이 외주 링(5)에 걸림으로써, 간극(6)이 차폐되어, 간극(6) 내에 처리 가스가 들어가는 것을 방지할 수 있다.Further, in the case of forming such a gap 6, there is a problem that when the process gas is introduced into the gap 6, it is a cause of particles or a film is formed in the gap 6, the heat insulating effect can not be obtained. The upper surface of the outer ring 5 is made flush with the mounting surface 4a and the mounting surface 4a which is the upper surface of the mounting portion 4 is made smaller than the substrate G and the dimensions of the gap 6 Of the substrate G is placed on the upper surface of the outer peripheral ring 5 around the entire periphery of the substrate G from the mounting surface 4a of the substrate G when the substrate G is mounted on the mounting surface 4a , This problem can be avoided. That is, when the mounting surface 4a is mounted on the substrate G, the protruding portion of the substrate G existing over the entire circumference of the mounting surface 4a becomes the outer circumferential ring 5, it is possible to prevent the gap 6 from being shielded from entering the gap 6.

또한, 기판(G)의 외주 부분에는 프로세스 보장 외이며 제품으로서 사용되지 않는 영역이 존재하므로, 비어져 나옴 부분의 폭 D1을 그 영역의 폭 이하로 하면, 제품의 수율을 저하시키는 일이 없다.In addition, there is an area not used as a product other than the process assurance in the outer circumferential portion of the substrate G, so that the yield of the product is not lowered if the width D1 of the vacancies is not more than the width of the region.

프로세스 보장 외의 영역의 폭은, 통상 10㎜ 정도이므로, 비어져 나옴 부분의 폭 D1은 10㎜ 미만이 바람직하다. 또한, 간극(6)의 폭 D2는, 기판(G)의 비어져 나옴 부분의 폭 D1에 따라서 변화되며, 비어져 나옴 부분의 폭 D1이 10㎜ 미만인 경우는, 간극(6)의 폭 D2는 1∼9㎜ 정도이다. 또한, 간극(6)의 폭 D2는, 적재대(4)와 외주 링(5)의 단열 효과의 관점에서도 바람직한 범위가 존재하고, 이들을 종합하면, 기판(G)의 비어져 나옴 부분의 폭 D1이 5㎜ 이상 10㎜ 미만, 간극의 폭 D2가 3∼5㎜인 것이 바람직하다.Since the width of the region other than the process assurance is usually about 10 mm, the width D1 of the projected portion is preferably less than 10 mm. The width D2 of the clearance 6 is varied in accordance with the width D1 of the protruding portion of the substrate G. When the width D1 of the protruding portion is less than 10 mm, the width D2 of the clearance 6 is About 1 to 9 mm. The width D2 of the gap 6 is in a preferable range from the viewpoint of the heat insulating effect between the stage 4 and the outer ring 5. Combining these together shows that the width D1 of the vacant portion of the substrate G Is 5 mm or more and less than 10 mm, and the width D2 of the gap is 3 to 5 mm.

또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 처리 가스로서 소정의 유기계 가스를 사용함으로써, 기판 상에 증착 중합에 의해 유기 막을 성막하는 경우, 특히 폴리우레아 막을 성막하는 경우에 대해 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 CVD 등, 처리 가스를 사용하여 성막하는 경우 전반에 적용 가능하다.Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified in various ways. For example, in the above-described embodiment, the case where the organic film is formed on the substrate by vapor deposition polymerization, in particular, the case of forming the polyurea film by using the predetermined organic gas as the process gas is shown, but the present invention is not limited thereto , For example, CVD or the like, when the film is formed using a process gas.

또한, 상기 실시 형태에서는, 적재부나 외주 링 등을 온도 조절 매체에 의해 온도 조절하는 경우에 대해 나타냈지만, 저항 가열 히터 등의 다른 온도 조절 수단을 사용해도 되는 것은 물론이다.In the above-described embodiment, the case where the temperature is controlled by the temperature control medium such as the loading section or the outer ring is shown, but it goes without saying that other temperature controlling means such as a resistance heating heater may be used.

또한, 상기 실시 형태에서는, 기판 및 적재부의 적재면의 형상을 직사각 형상으로 한 경우에 대해 설명하였지만, 이것에 한정되는 것이 아닌 것은 물론이다.In the above-described embodiment, the case where the mounting surface of the substrate and the mounting portion is formed in a rectangular shape has been described, but the present invention is not limited to this.

1 : 기판 적재대
2 : 상부 커버
3 : 기체
4 : 적재부
5 : 외주 링
6 : 간극
7 : 단열재
8 : 공간
9 : 샤워 플레이트
10 : 처리실
13 : 처리 가스 공급 기구
16 : 배기 기구
17, 18, 19 : 온도 조절 매체 유로
20 : 온도 조절 매체 공급 유닛
25 : 제어부
100 : 성막 장치
G : 기판1: substrate stack
2: upper cover
3: Gas
4:
5: Outer ring
6: Clearance
7: Insulation
8: Space
9: Shower plate
10: Treatment room
13: Process gas supply mechanism
16: Exhaust mechanism
17, 18, 19: temperature control medium flow path
20: Temperature control medium supply unit
25:
100: Deposition device
G: substrate

Claims (15)

기판이 적재되는 기판 적재대와,
상기 기판 적재대에 적재된 기판에 성막 처리를 실시하는 처리실과,
상기 처리실에 성막 처리를 위한 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 갖고,
상기 기판 적재대 상의 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 장치이며,
상기 기판 적재대는,
그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와,
상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링과,
상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 제1 온도 조절부와,
상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 제2 온도 조절부를 갖고,
상기 적재부와 상기 외주 링의 사이에는, 전체 주위에 걸쳐 이들 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극이 형성되어 있고,
상기 적재부의 상기 적재면은, 상기 기판보다 작게 형성되고, 상기 간극은, 상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때, 상기 기판의 상기 적재면으로부터의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 상기 외주 링에 걸리도록 형성되어 있고,
상기 기판 적재대는, 기체를 갖고, 상기 적재부는, 상기 기체의 중앙부로부터 상방으로 돌출되어 설치되고, 상기 외주 링은, 상기 기체에 단열재를 개재하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.A substrate stacking table on which a substrate is stacked,
A processing chamber for performing a film forming process on the substrate mounted on the substrate mounting table,
And a processing gas supply means for supplying a processing gas for forming a film to the processing chamber,
And a film forming process is performed on the substrate on the substrate loading table,
The substrate stacking table may include:
An upper surface of which is a mounting surface on which the substrate is mounted,
An outer peripheral ring provided so as to surround the outer periphery of the loading section,
A first temperature regulating unit for regulating the temperature of the loading unit to a first temperature at which the process gas can be deposited,
And a second temperature regulator for regulating the temperature of the outer ring ring to a second temperature that is not formed by the process gas,
A gap functioning as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between the mounting portion and the outer peripheral ring is formed between the mounting portion and the outer peripheral ring,
Wherein the mounting surface of the mounting portion is formed smaller than the substrate and the gap is formed such that when the substrate is loaded on the mounting surface, Respectively,
Wherein the substrate mounting board has a base and the mounting portion is provided so as to protrude upward from a central portion of the base body and the outer peripheral ring is provided to the base body with a heat insulating material interposed therebetween. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때의 상기 기판의 비어져 나옴 부분의 폭은, 제품으로서 사용되지 않는 영역의 폭 이하인 것을 특징으로 하는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein a width of the projected portion of the substrate when the substrate is loaded on the mounting surface is not more than a width of a region not used as a product. 제3항에 있어서,
상기 비어져 나옴 부분의 폭이 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭이 1∼9㎜인 것을 특징으로 하는, 성막 장치.The method of claim 3,
Wherein a width of the hollow portion is less than 10 mm and a width of the gap is 1 to 9 mm. 제4항에 있어서,
상기 비어져 나옴 부분의 폭이 5㎜ 이상 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭이 3∼5㎜인 것을 특징으로 하는, 성막 장치.5. The method of claim 4,
Wherein a width of the hollow portion is 5 mm or more and less than 10 mm, and a width of the gap is 3 to 5 mm. 제1항에 있어서,
상기 기판 적재대를 덮도록 설치되고, 상기 처리실을 구획 형성하는 상부 커버와, 상기 상부 커버를 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제3 온도로 온도 조절하는 제3 온도 조절부를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a third cover provided so as to cover the substrate mounting table and defining the process chamber, and a third temperature controller for controlling the temperature of the upper cover to a third temperature that is not formed by the process gas. , A film forming apparatus. 제1항에 있어서,
상기 기판 적재면과 대향하도록 설치된 샤워 부재를 더 갖고, 상기 처리 가스 공급 수단으로부터 공급된 처리 가스를 상기 샤워 부재로부터 토출시키는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a shower member provided so as to face the substrate mounting surface, wherein the processing gas supplied from the processing gas supply means is discharged from the shower member. 제1항에 있어서,
상기 처리 가스로서 유기계 가스를 사용하고, 상기 기판 상에 증착 중합에 의해 유기 막을 성막하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein an organic gas is used as the process gas and an organic film is formed on the substrate by vapor deposition polymerization. 제8항에 있어서,
상기 유기 막은 폴리우레아 막이며, 상기 제1 온도 조절부에 의해, 상기 적재부의 상기 제1 온도가 100℃ 이하로 되도록 온도 조절되고, 상기 제2 온도 조절부에 의해, 상기 외주 링의 상기 제2 온도가 150℃ 이상으로 되도록 온도 조절되는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the organic film is a polyurea film and the temperature of the stacking portion is adjusted so that the first temperature of the stacking portion is 100 DEG C or lower by the first temperature adjusting portion, And the temperature is adjusted to be 150 DEG C or higher. 처리 가스를 공급하여 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 장치에 사용되는 기판 적재대이며,
그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와,
상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링과,
상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 제1 온도 조절부와,
상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 제2 온도 조절부를 갖고,
상기 적재부와 상기 외주 링의 사이에는, 전체 주위에 걸쳐 이들 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극이 형성되어 있고,
상기 적재부의 상기 적재면은, 상기 기판보다 작게 형성되고, 상기 간극은, 상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때, 상기 기판의 상기 적재면으로부터의 비어져 나옴 부분이 전체 주위에 걸쳐 상기 외주 링에 걸리도록 형성되어 있고,
기체를 더 갖고, 상기 적재부는, 상기 기체의 중앙부로부터 상방으로 돌출되어 설치되고, 상기 외주 링은, 상기 기체에 단열재를 개재하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 적재대.A substrate stack for use in a deposition apparatus for depositing a film on a substrate by supplying a process gas,
An upper surface of which is a mounting surface on which the substrate is mounted,
An outer peripheral ring provided so as to surround the outer periphery of the loading section,
A first temperature regulating unit for regulating the temperature of the loading unit to a first temperature at which the process gas can be deposited,
And a second temperature regulator for regulating the temperature of the outer ring ring to a second temperature that is not formed by the process gas,
A gap functioning as a heat insulating portion for suppressing heat exchange between the mounting portion and the outer peripheral ring is formed between the mounting portion and the outer peripheral ring,
Wherein the mounting surface of the mounting portion is formed smaller than the substrate and the gap is formed such that when the substrate is loaded on the mounting surface, Respectively,
Further comprising a base, wherein the mounting portion is provided so as to protrude upward from a central portion of the base body, and the outer peripheral ring is provided to the base body with a heat insulating material interposed therebetween. 삭제delete 제10항에 있어서,
상기 적재면에 상기 기판이 적재되었을 때의 상기 기판의 비어져 나옴 부분의 폭은, 제품으로서 사용되지 않는 영역의 폭 이하인 것을 특징으로 하는, 기판 적재대.11. The method of claim 10,
Wherein a width of the projected portion of the substrate when the substrate is loaded on the mounting surface is not more than a width of a region not used as a product. 제12항에 있어서,
상기 비어져 나옴 부분의 폭이 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭이 1∼9㎜인 것을 특징으로 하는, 기판 적재대.13. The method of claim 12,
Wherein a width of the hollow portion is less than 10 mm, and a width of the gap is 1 to 9 mm. 제13항에 있어서,
상기 비어져 나옴 부분의 폭이 5㎜ 이상 10㎜ 미만이고, 상기 간극의 폭이 3∼5㎜인 것을 특징으로 하는, 기판 적재대.14. The method of claim 13,
Wherein the width of the hollow portion is 5 mm or more and less than 10 mm, and the width of the gap is 3 to 5 mm. 그 상면이 기판을 적재하는 적재면으로 되는 적재부와, 전체 주위에 걸쳐 상기 적재부와의 사이의 열교환을 억제하는 단열부로서 기능하는 간극을 개재하여, 상기 적재부의 외주를 둘러싸도록 설치된 외주 링을 갖는 기판 적재대를 처리실 내에 배치한 성막 장치를 사용하여, 상기 적재부에 기판을 적재한 상태에서 상기 처리실에 처리 가스를 공급하여 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 방법이며,
상기 기판을, 전체 주위에 걸쳐 상기 간극을 차폐하고 상기 외주 링에 걸리도록 상기 적재면에 적재하는 공정과,
상기 적재부를, 상기 처리 가스에 의해 성막 가능한 제1 온도로 온도 조절하는 공정과,
상기 외주 링을, 상기 처리 가스에 의해 성막되지 않는 제2 온도로 온도 조절하는 공정을 갖고,
상기 기판 적재대는, 기체를 갖고, 상기 적재부는, 상기 기체의 중앙부로부터 상방으로 돌출되어 설치되고, 상기 외주 링은, 상기 기체에 단열재를 개재하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 방법.The upper surface of which is provided with a mounting portion serving as a mounting surface on which the substrate is mounted and an outer ring which is provided so as to surround the outer circumference of the mounting portion with a gap serving as a heat insulating portion for restricting heat exchange between the mounting portion and the entire circumference, Wherein a substrate is placed in a processing chamber in a state where the substrate is loaded in the loading section, and a film forming process is performed on the substrate by supplying a processing gas into the processing chamber,
A step of mounting the substrate on the mounting surface so as to shield the clearance over the entire circumference and to be caught by the peripheral ring;
A step of controlling the temperature of the loading part to a first temperature at which the film can be formed by the process gas;
And a step of adjusting a temperature of the outer ring to a second temperature at which the film is not formed by the process gas,
Wherein the substrate mounting table has a base and the mounting portion is provided so as to protrude upward from a central portion of the base and the outer peripheral ring is provided to the base through a heat insulating material.
KR1020160074532A 2015-06-16 2016-06-15 Film forming apparatus, film forming method and substrate mounting table KR101848145B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015120811A JP6478828B2 (en) 2015-06-16 2015-06-16 Film forming apparatus, film forming method, and substrate mounting table
JPJP-P-2015-120811 2015-06-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160148471A KR20160148471A (en) 2016-12-26
KR101848145B1 true KR101848145B1 (en) 2018-04-11

Family

ID=57714047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160074532A KR101848145B1 (en) 2015-06-16 2016-06-15 Film forming apparatus, film forming method and substrate mounting table

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6478828B2 (en)
KR (1) KR101848145B1 (en)
CN (1) CN106256923B (en)
TW (1) TWI690994B (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7008497B2 (en) * 2017-12-22 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment and temperature control method
JP2019220497A (en) 2018-06-15 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 Mounting table and plasma processing device
JP7008602B2 (en) * 2018-09-27 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 Film forming equipment and temperature control method
WO2020115962A1 (en) * 2018-12-03 2020-06-11 株式会社アルバック Film forming apparatus and film forming method
JP7236953B2 (en) * 2019-08-05 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 Film forming apparatus and film forming method
WO2021221886A1 (en) 2020-04-29 2021-11-04 Applied Materials, Inc. Heater cover plate for uniformity improvement

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2910277B2 (en) 1991-03-13 1999-06-23 松下電器産業株式会社 Converter transformer inspection equipment
JPH07273053A (en) * 1994-03-31 1995-10-20 Tokyo Electron Ltd Treatment device and coating of aluminum-based member
JP2001140078A (en) * 1999-11-12 2001-05-22 Anelva Corp Chemical vapor deposition system
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
KR100443122B1 (en) * 2001-10-19 2004-08-04 삼성전자주식회사 Heater Assembly for Fabricating a Semiconductor Device
JP4949091B2 (en) * 2007-03-16 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
JP5482282B2 (en) * 2009-03-03 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 Mounting table structure and film forming apparatus
JP3155802U (en) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 Wafer mounting device
JP5101665B2 (en) * 2010-06-30 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing system
JPWO2013187192A1 (en) * 2012-06-13 2016-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate mounting table and substrate processing apparatus
JP2014120658A (en) * 2012-12-18 2014-06-30 Sharp Corp Film deposition apparatus for compound semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
TWI690994B (en) 2020-04-11
JP6478828B2 (en) 2019-03-06
JP2017002385A (en) 2017-01-05
KR20160148471A (en) 2016-12-26
CN106256923B (en) 2018-09-28
TW201703137A (en) 2017-01-16
CN106256923A (en) 2016-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101848145B1 (en) Film forming apparatus, film forming method and substrate mounting table
US10190214B2 (en) Deposition apparatus and deposition system having the same
US11396702B2 (en) Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US10626500B2 (en) Showerhead design
JP6336079B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170006214A (en) Thin Film Deposition Apparatus
JP6165341B2 (en) Substrate processing equipment
TWI737868B (en) Film formation device and film formation method
KR20140145095A (en) Plasma-assisted processing apparatus for processing a substrate and method for controlling in-plane uniformity of substrate processed by plasma-assisted process
KR20170063848A (en) Substrate placing table
KR101677973B1 (en) Source container and method for using source container
JP2015173226A (en) Vacuum deposition apparatus and deposition method using this apparatus
JP6014683B2 (en) Side exhaust type substrate processing equipment
KR102462931B1 (en) Gas Supply Unit and Substrate Treating Apparatus
US10301718B2 (en) Asymmetric pedestal/carrier ring arrangement for edge impedance modulation
CN106605288B (en) Liner for epitaxial chamber
CN111373510A (en) Substrate processing apparatus
JP2015520514A (en) Substrate processing equipment
TW201636449A (en) Device for coating a substrate having a large surface area
US20210388493A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
TW201439362A (en) Substrate processing apparatus and method for adjusting pressure inside processing vessel
KR101620323B1 (en) Depositing device for thin film
KR101452829B1 (en) Method for adjusting temperature of heater
KR20150106104A (en) Substrate heating unit and substrate processing apparatus using the same
KR20200139841A (en) Universal adjustable blocker plate for tuning flow distribution

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant