JPH07273053A - Treatment device and coating of aluminum-based member - Google Patents
Treatment device and coating of aluminum-based memberInfo
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- JPH07273053A JPH07273053A JP8557394A JP8557394A JPH07273053A JP H07273053 A JPH07273053 A JP H07273053A JP 8557394 A JP8557394 A JP 8557394A JP 8557394 A JP8557394 A JP 8557394A JP H07273053 A JPH07273053 A JP H07273053A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置及び当該処理
装置に使用されるアルミ系部材のコーティング方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a method for coating an aluminum member used in the processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、従来か
らこの種のＣＶＤ装置によれば、気密に構成された処理
室内にある載置台に、被処理体であるウエハを載置し、
さらにこの処理室内に所定の処理ガスを導入すると共
に、この処理室内を所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔ
ｏｒｒ程度まで真空引きして、前記ウエハに対して所定
の薄膜形成処理を行うように構成されている。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor wafer (hereinafter, "wafer")
A CVD apparatus used for forming an insulating film or a thin film of silicon on the surface will be described as an example. Conventionally, according to this type of CVD apparatus, a mounting table in an airtight processing chamber is covered by a substrate. Place the wafer that is the processing object,
Further, a predetermined processing gas is introduced into this processing chamber, and a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, 10 −6 T is set in the processing chamber.
The wafer is evacuated to about orr and a predetermined thin film forming process is performed on the wafer.
【０００３】他方前記載置台の下面側には、例えば交流
電源からの電力の供給を受けて、前記載置台上のウエハ
を所定の温度にまで加熱するためのヒータなどの加熱装
置が設けられている場合もある。On the other hand, a heating device such as a heater for heating the wafer on the mounting table to a predetermined temperature by receiving electric power from an AC power source is provided on the lower surface side of the mounting table. There are also cases.
【０００４】そして前記したＣＶＤ装置の処理室におけ
る前記載置台、処理室内壁等は、一般的にその表面がア
ルマイト処理されたアルミ系材料で構成されている。The mounting table, the processing chamber inner wall, and the like in the processing chamber of the above-described CVD apparatus are generally made of an aluminum material whose surface is anodized.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで前記したよう
に、ＣＶＤ装置によって被処理体であるウエハに薄膜形
成処理を行っていると、前記した載置台、処理室内壁等
の表面にその都度反応生成物が付着していく。そして処
理室内は厳格な清浄雰囲気が必要であるから、一定回数
処理する毎に、処理室内にクリーニングガスを流入させ
てこれら反応生成物を除去することが行われているが、
この種のクリーニングガスについては、反応生成物の除
去に優れたＣｌＦ3、ＮＦ3ガスが注目されている。By the way, as described above, when the thin film forming process is performed on the wafer as the object to be processed by the CVD apparatus, the reaction is generated on the surface of the mounting table, the inner wall of the processing chamber or the like each time. Things stick to it. Since a strict clean atmosphere is required in the processing chamber, every time a certain number of processes are performed, a cleaning gas is caused to flow into the processing chamber to remove these reaction products.
Regarding this type of cleaning gas, ClF 3 and NF 3 gas, which are excellent in removing reaction products, have been attracting attention.
【０００６】しかしながら、これらＣｌＦ3、ＮＦ3ガス
は極めて反応性が強いため、処理室内壁や載置台自体を
もエッチングしてしまい、これらの耐用度を減殺させた
り、場合によっては処理に支障をきたすおそれがあっ
た。However, since these ClF 3 and NF 3 gases are extremely reactive, they also etch the inner wall of the processing chamber and the mounting table itself, reducing their usefulness and, in some cases, hindering the processing. There was a danger of it coming.
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したＣｌＦ3、ＮＦ3ガスを流しても腐食しな
い、耐食性に優れた載置台、処理室内壁を有する処理装
置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的とす
る。さらに本発明は、かかる処理装置に使用される部材
の耐食性を向上させる具体的な方法を提供することをも
その目的とするものである。The present invention has been made in view of the above points, and provides a processing apparatus having a mounting table excellent in corrosion resistance and not corroding even when ClF 3 or NF 3 gas is flowed, and a processing chamber inner wall. The object is to solve the above problems. A further object of the present invention is to provide a specific method for improving the corrosion resistance of members used in such a processing apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、まず請求項１によれば、排気手段によって排気可能
な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に対し
て所定の処理を施す如く構成された処理装置において、
前記処理室内の雰囲気と接するアルミ系部材の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、処理装置が提供される。According to a first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, there is provided a processing chamber which can be evacuated by an evacuation means, and a predetermined treatment is performed on an object to be processed existing in the processing chamber. In a processing device configured to perform
The surface of the aluminum-based member in contact with the atmosphere in the processing chamber,
A treatment device is provided, which is characterized by being previously substituted with fluorine and coated.
【０００９】請求項２によれば、排気手段によって排気
可能な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に
対して所定の処理を施す如く構成された処理装置におい
て、部材表面の反応生成物を除去するためのクリーニン
グガスを供給した際に、当該クリーニングガスと接する
部位のアルミ系部材の表面が、予めフッ素で置換されて
コーティングされていることを特徴とする、処理装置が
提供される。According to a second aspect of the present invention, in a processing apparatus having a processing chamber that can be evacuated by an evacuation means and configured to perform a predetermined treatment on an object to be processed present in the processing chamber, a reaction on a member surface is performed. Provided is a treatment apparatus characterized in that, when a cleaning gas for removing a product is supplied, a surface of an aluminum-based member in a portion in contact with the cleaning gas is coated by being previously substituted with fluorine. It
【００１０】請求項３によれば、前記処理室内に被処理
体を加熱する加熱手段を有し、当該加熱手段表面が、予
めフッ素で置換されてコーティングされていることを特
徴とする、処理装置が提供される。According to a third aspect of the present invention, there is provided in the processing chamber heating means for heating the object to be processed, and the surface of the heating means is previously substituted with fluorine and coated. Will be provided.
【００１１】請求項４では、前記処理室内に被処理体を
保持する被処理体保持機構を有し、当該被処理体保持機
構の表面が、予めフッ素で置換されてコーティングされ
ていることを特徴とする、処理装置が提供される。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a target object holding mechanism for holding a target object in the processing chamber, and the surface of the target object holding mechanism is previously substituted with fluorine and coated. A processing device is provided.
【００１２】また請求項５によれば、前記請求項１、
２、３又は４に記載される処理装置におけるアルミ系部
材を、予めコーティングするにあたり、その方法とし
て、対象とするアルミ系部材をチャンバ内に置き、さら
にこのチャンバ内を所定の温度に維持しつつ、さらにこ
のチャンバ内にフッ素系ガスを流入させることを特徴と
する、アルミ系部材のコーティング方法が提供される。According to claim 5, said claim 1,
The method of pre-coating the aluminum-based member in the processing apparatus described in 2, 3, or 4 is as follows: place the target aluminum-based member in the chamber and maintain the inside of the chamber at a predetermined temperature. Further, there is provided a method for coating an aluminum-based member, which is characterized in that a fluorine-based gas is caused to flow into the chamber.
【００１３】かかるコーティング方法において、請求項
６に記載したように、前記チャンバを構成する壁体の内
側表面を、予めニッケルコーティングしてもよい。In such a coating method, as described in claim 6, the inner surface of the wall constituting the chamber may be previously nickel-coated.
【００１４】[0014]
【作用】前記目的を達成するため、まず請求項１によれ
ば、アルミ系部材表面をフッ素で置換してコーティング
すると、その表面に例えばＣｌＦ3、ＮＦ3ガス等のハロ
ゲン系ガスに対する不動態である、ＡｌＦ3を形成する
ことが可能である。従って、処理ガスと同様にしてこれ
らハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面に、前
記不動態が形成されているから、これらアルミ系部材は
腐食することはない。なおかかる作用を鑑みると、処理
室内にある載置台や、処理室内壁のみならず、排気系の
流路を構成する管、その他排気系のポンプなどを構成す
るアルミ系部材表面も、同様にフッ素で置換してコーテ
ィングすればなお好ましい。In order to achieve the above object, first, according to claim 1, when the surface of an aluminum-based member is substituted with fluorine and coated, the surface of the aluminum-based member is passivated with respect to a halogen-based gas such as ClF 3 or NF 3 gas. It is possible to form some AlF 3 . Therefore, even if these halogen-based cleaning gases are allowed to flow into the processing chamber in the same manner as the processing gas, the passivation is formed on the surface of the aluminum-based member that is in contact with the atmosphere in the processing chamber. There is nothing to do. In consideration of such an effect, not only the mounting table in the processing chamber and the inner wall of the processing chamber, but also the surface of the aluminum-based member constituting the exhaust system flow path and other exhaust system pumps are similarly treated with fluorine. It is more preferable to replace with and coat.
【００１５】請求項２によれば、処理装置における特定
部位、即ちクリーニングガスを供給した際に、当該クリ
ーニングガスと接する部位のアルミ系部材の表面が、前
記のように予めフッ素で置換されてコーティングされて
いるので、個別クリーニングの際に、当該被クリーニン
グ部位が腐食することはない。According to the second aspect, the surface of the aluminum-based member in a specific portion of the processing apparatus, that is, the portion in contact with the cleaning gas when the cleaning gas is supplied, is coated with fluorine as described above in advance. Therefore, the portion to be cleaned does not corrode during the individual cleaning.
【００１６】請求項３によれば、前記処理室内に使用さ
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わる。この場合、前記したＡｌＦ3は、その融点が
１０４０゜Ｃであるから、かかるように加熱装置に使用
しても、溶融せず良好な状態を保ち、また処理室内を汚
染することはない。According to the third aspect, the heating means for heating the object to be processed used in the processing chamber also has such corrosion resistance. In this case, since the above-mentioned AlF 3 has a melting point of 1040 ° C., even if it is used in the heating device as described above, it does not melt and maintains a good state and does not contaminate the processing chamber.
【００１７】請求項４によれば、前記処理室内に装備さ
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わる。According to the fourth aspect, the object holding mechanism such as the electrostatic chuck provided in the processing chamber also has
It has the corrosion resistance as described above.
【００１８】請求項５に記載したコーティング方法によ
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、またその際に使用するチャン
バの内側表面を、請求項６に記載したように、予めニッ
ケルコーティングしておくことにより、ハロゲン系ガ
ス、特にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるも
のである。According to the coating method of the fifth aspect, the aluminum-based member in the processing apparatus is preferably coated, and the inner surface of the chamber used at that time is preferably the same as that of the sixth aspect. In addition, by pre-coating with nickel, corrosion resistance to halogen-based gas, especially HF and HCl gas can be obtained.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置に
基づいて説明すると、図１は本実施例にかかる枚葉式の
ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ
装置１は、所定の減圧雰囲気にまで真空引き自在な略円
筒状の処理室２を有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A CVD apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 schematically shows a cross section of a single-wafer CVD apparatus 1 according to this embodiment.
The apparatus 1 has a substantially cylindrical processing chamber 2 that can be evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere.
【００２０】前記処理室２の上面には、略中空形状のシ
ャワーヘッド３が気密に設けられており、さらにこのシ
ャワーヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けら
れている。そしてこのシャワーヘッド３の下面、即ち後
述の載置台２１との対向面には、吐出口５が多数設けら
れており、前記処理ガス導入管４から導入される処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、こ
のシャワーヘッド３の中空部から前記多数の吐出口５を
通じて、処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出さ
れるようになっている。A substantially hollow showerhead 3 is airtightly provided on the upper surface of the processing chamber 2, and a processing gas introduction pipe 4 is provided on the showerhead 3. A large number of discharge ports 5 are provided on the lower surface of the shower head 3, that is, the surface facing the mounting table 21 to be described later, and the processing gas introduced from the processing gas introducing pipe 4, for example, SiH 4 (silane). The mixed gas with + H 2 is evenly discharged from the hollow portion of the shower head 3 toward the mounting table 21 in the processing chamber 2 through the large number of discharge ports 5.
【００２１】他方前記処理室２の底部近傍には、真空ポ
ンプなどの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当
該排気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減
圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能な
ように構成されている。On the other hand, in the vicinity of the bottom of the processing chamber 2, an exhaust pipe 7 communicating with an exhausting means 6 such as a vacuum pump is provided, and the operation of the exhausting means 6 causes the processing chamber 2 to have a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, It is configured so that it can be set and maintained at 10 −6 Torr.
【００２２】前記処理室２の底部は、略円筒状の支持体
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、前記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。The bottom of the processing chamber 2 is composed of a bottom plate 9 supported by a substantially cylindrical support 8, and a cooling water reservoir 10 is provided inside the bottom plate 9.
The cooling water supplied by the cooling water pipe 11 is configured to circulate in the cooling water reservoir 10.
【００２３】そして前出載置台２１は底板９の上面に加
熱装置２２を介して設けられ、さらにこれら加熱装置２
２及び載置台２１の周囲は、断熱壁１２によって囲まれ
ている。この断熱壁１２は、その表面が鏡面仕上げされ
て高い反射率を確保しており、後述の加熱装置２２及び
当該加熱装置２２によって加熱された載置台２１の側面
からの放射熱を反射し、周囲との断熱が図られるように
構成されている。The loading table 21 is provided on the upper surface of the bottom plate 9 via a heating device 22, and these heating devices 2
The heat insulating wall 12 surrounds the periphery of the mounting table 21 and the mounting table 21. The surface of the heat insulating wall 12 is mirror-finished to ensure a high reflectance, and radiant heat from the heating device 22 and the side surface of the mounting table 21 heated by the heating device 22 described later is reflected to surround the surrounding surface. It is configured to be insulated from.
【００２４】前記加熱装置２２は、図２に示したよう
に、絶縁体２２ａの中に略帯状の発熱体２２ｂを適宜の
間隔をもって略渦巻状に形成したり、あるいは所定のパ
ターンに形成するようにして構成されており、前出処理
室２外部に設置されている交流電源２３によって所定の
温度、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまで発熱させて
被処理体であるウエハＷを所定の温度、例えば８００゜
Ｃに維持することが可能である。As shown in FIG. 2, the heating device 22 is configured such that a substantially band-shaped heating element 22b is formed in an insulator 22a in a substantially spiral shape with an appropriate interval or in a predetermined pattern. And is heated to a predetermined temperature, for example, 400 ° C. to 2000 ° C., by the AC power supply 23 installed outside the processing chamber 2, and the wafer W to be processed has a predetermined temperature. For example, it can be maintained at 800 ° C.
【００２５】そして前記載置台２１の上面には、被処理
体であるウエハＷを吸着、保持するための静電チャック
２４が設けられている。この静電チャック２４は、図３
に示したように、半円形状の薄い電極板２５、２６の上
下を絶縁体２７で覆った構造を有し、図２に示したよう
に、前記処理室２外部に設置されている相互に極性の異
なった直流高圧電源２８、２９に各々独立して接続され
ており、いわゆる双極型の静電チャックの電極を構成し
ている。そして前記直流高圧電源２８、２９からこれら
電極板２５、２６に対して、例えば２ｋＶの直流電圧が
印加されると、その際に発生するクーロン力によって、
前記静電チャック２４の上面（載置面）に載置されたウ
エハＷを吸着、保持するように構成されている。An electrostatic chuck 24 for attracting and holding the wafer W, which is the object to be processed, is provided on the upper surface of the mounting table 21. This electrostatic chuck 24 is shown in FIG.
2, the semi-circular thin electrode plates 25, 26 have a structure in which the upper and lower sides are covered with an insulator 27. As shown in FIG. The high voltage power supplies 28 and 29 having different polarities are independently connected to each other and constitute electrodes of a so-called bipolar electrostatic chuck. When a DC voltage of, for example, 2 kV is applied to the electrode plates 25, 26 from the DC high-voltage power supplies 28, 29, the Coulomb force generated at that time causes
The electrostatic chuck 24 is configured to attract and hold the wafer W mounted on the upper surface (mounting surface) of the electrostatic chuck 24.
【００２６】以上のようにして構成された載置台２１に
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記断熱壁１２を貫通した伝熱媒体供給管３１、この伝
熱媒体供給管３１と通ずる流路３２が形成され、処理室
２外部から前記伝熱媒体供給管３１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
４の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。As shown in FIG. 1, the mounting table 21 constructed as described above further has a bottom plate 9 at the center thereof.
A heat transfer medium supply pipe 31 penetrating the heat insulating wall 12 and a flow path 32 communicating with the heat transfer medium supply pipe 31 are formed, for example, He gas supplied from the outside of the processing chamber 2 through the heat transfer medium supply pipe 31. The heat transfer medium such as
4 is configured to be supplied to the back surface of the wafer W mounted on the mounting surface 4.
【００２７】また前記載置台２１中には、温度センサ３
３の検知部３３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ３３からの信号に基づいて、前出加熱装置２２
に給電する交流電源２３のパワー等が制御され、載置台
２１の載置面を所定温度に制御するように構成されてい
る。The temperature sensor 3 is installed in the mounting table 21.
3 detection units 33a are located and are configured to sequentially detect the temperature inside the mounting table 21. Then, based on the signal from the temperature sensor 33, the above-mentioned heating device 22
The power of the AC power supply 23 that supplies power to the control unit is controlled, and the mounting surface of the mounting table 21 is controlled to a predetermined temperature.
【００２８】前出断熱壁１２の側面外周と、底板９の側
面外周、及び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側
壁２ａ内周とによって創出される略環状の空間内には、
前記載置台２１の載置面に載置されるウエハＷを、リフ
トアップ−リフトダウンさせるためのリフター４１が設
けられている。In the substantially annular space created by the outer circumference of the side wall of the heat insulating wall 12, the outer circumference of the side surface of the bottom plate 9, the outer circumference of the side surface of the support 8 and the inner circumference of the side wall 2a of the processing chamber 2. ,
A lifter 41 for lifting up and down the wafer W mounted on the mounting surface of the mounting table 21 is provided.
【００２９】このリフター４１の上部は、前記ウエハＷ
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材４２、４３及
び当該各載置部材４２、４３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱４４、４５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材４２、４３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置される。一方前記リフター４
１の下部構成は、図１に示したように、前記各支持柱４
４、４５の下端部が、前出断熱壁１２の側面外周等によ
って創出される前出略環状の空間内の底部を気密に閉塞
している環状の支持板４６を上下動自在に貫通して、モ
ータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続されてお
り、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示した往
復矢印のように上下動する如く構成されている。The upper portion of the lifter 41 is the wafer W.
The pair of semi-annular mounting members 42 and 43 adapted to the curvature of the mounting members 42 and 43 and the supporting columns 44 and 45 provided perpendicularly to the lower surface of the mounting members 42 and 43, respectively.
Is placed on an appropriate locking portion provided on the inner peripheral edge of each of the placing members 42 and 43. Meanwhile, the lifter 4
As shown in FIG. 1, the lower structure of FIG.
The lower ends of the reference numerals 4 and 45 vertically movably pass through an annular support plate 46 that hermetically closes the bottom of the above-mentioned substantially annular space created by the side surface outer periphery of the above-described heat insulating wall 12 and the like. , Is connected to a lifting drive mechanism (not shown) such as a motor, and is configured to move up and down as indicated by the reciprocating arrow shown in FIG. 1 by the operation of the lifting drive mechanism.
【００３０】また処理室２内おける上記支持板４６と上
記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベローズ４
７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、４８
によって、前記処理室２内の気密性は確保されている。Further, the bellows 4 are respectively provided at the locations where the support plate 46 and the support columns 44 and 45 penetrate in the processing chamber 2.
7, 48 are interposed, and these bellows 47, 48 are provided.
Thus, the airtightness inside the processing chamber 2 is secured.
【００３１】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成されたロ
ードロック室５２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管５３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。A load lock chamber 52, which is hermetically sealed via a gate valve 51, is provided outside the processing chamber 2 configured as described above, and an exhaust pipe 53 provided at the bottom thereof. The load lock chamber 52 is also evacuated from the inside of the load lock chamber 52, so that the inside of the load lock chamber 52 can be set and maintained at a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, 10 −6 Torr.
【００３２】そしてこのロードロック室５２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、前記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム５
４を備えた搬送装置５５が設けられている。Inside the load lock chamber 52, between the cassette in the cassette storage chamber (not shown), which is also adjacent via the gate valve, and the mounting table 21 in the processing chamber 2. Transfer arm 5 for transferring the wafer W
A transport device 55 equipped with 4 is provided.
【００３３】本実施例にかかるＣＶＤ装置１の部材構成
は以上のように構成されており、次にその材料系につい
て説明すると、前記載置台２１及び加熱装置２２の絶縁
体２２ａ、静電チャック２４の絶縁体２７は、各々同一
の材料構成になっている。例えば載置台２１についてい
うと、この載置台の２１はＡｌ系セラミックスであるＡ
ｌ2Ｏ3の表面をフッ素置換することによって、その表面
にＡｌＦ3が形成されたものを用いてある。The member structure of the CVD apparatus 1 according to this embodiment is configured as described above. Next, the material system thereof will be described. The mounting table 21 and the insulator 22a of the heating device 22 and the electrostatic chuck 24 are described below. The insulators 27 have the same material structure. For example, regarding the mounting table 21, this mounting table 21 is made of Al-based ceramics A
The surface of l 2 O 3 was replaced with fluorine to form AlF 3 on the surface.
【００３４】このようにＡｌ2Ｏ3の表面にＡｌＦ3を形
成させる方法としては、下記のような方法が挙げられ
る。即ち図４に示したように、その内面にニッケルコー
ティングされた熱伝導性の良好な材質、例えばステンレ
スで構成されたチャンバ６１の上部に給気管６２、下部
に排気管６３を設けるとともに、このチャンバ６１の内
部に処理台６４を形成する。そしてこの載置台６４の下
面に加熱装置６５を設置する。As a method for forming AlF 3 on the surface of Al 2 O 3 as described above, the following methods can be mentioned. That is, as shown in FIG. 4, the inner surface of the chamber 61 is made of a material having good thermal conductivity, for example, stainless steel, and is provided with an air supply pipe 62 at the upper portion and an exhaust pipe 63 at the lower portion thereof. A processing table 64 is formed inside 61. Then, the heating device 65 is installed on the lower surface of the mounting table 64.
【００３５】そして前記処理台６４の上に前記ＣＶＤ装
置１で使用する載置台２１を載せて、加熱装置６５を作
動させて、載置台２１を所定の温度、例えば３００゜Ｃ
に維持させて、給気管６２からフッ素系ガス、例えばＨ
Ｆをチャンバ６１内に供給すると同時に排気管６３から
排気させる。そうすると、載置台２１の表面は、次のよ
うな反応が進行する。即ち、 ＡｌＮ＋３ＨＦ → ＡｌＦ3＋ＮＨ3 Ａｌ2Ｏ3＋６ＨＦ →２ＡｌＦ3＋３Ｈ2Ｏ となって、この載置台２１の表面にＡｌＦ3が形成され
るのである。Then, the mounting table 21 used in the CVD apparatus 1 is placed on the processing table 64, and the heating device 65 is operated to move the mounting table 21 to a predetermined temperature, for example, 300 ° C.
And the fluorine gas, for example H
F is supplied into the chamber 61 and is exhausted from the exhaust pipe 63 at the same time. Then, the following reaction proceeds on the surface of the mounting table 21. That is, AlN + 3HF → AlF 3 + NH 3 Al 2 O 3 + 6HF → 2AlF 3 + 3H 2 O, and AlF 3 is formed on the surface of the mounting table 21.
【００３６】なおかかるコーティングプロセス中、チャ
ンバ６１の内面は、既述の如くニッケルでコーティング
されているから、ハロゲン系ガス、特にＨＦ、ＨＣｌガ
スに対する耐蝕性を有している。During the coating process, since the inner surface of the chamber 61 is coated with nickel as described above, it has corrosion resistance to halogen-based gas, especially HF and HCl gas.
【００３７】さらに前記ＣｌＦ3に代えて、ＮＦ3をチャ
ンバ６１内に流入させてもよい。この場合には、 ２Ａｌ2Ｏ3＋４ＮＦ3 → ４ＡｌＦ3＋３Ｏ2↑＋２Ｎ2
↑ となって、やはりＡｌ2Ｏ3の表面にＡｌＦ3が形成され
る。他の加熱装置２２の絶縁体２２ａ、静電チャック２
４の絶縁体２７についても全く同様な方法によってその
表面にＡｌＦ3が形成されている。Further, NF 3 may be allowed to flow into the chamber 61 instead of the ClF 3 . In this case, 2Al 2 O 3 + 4NF 3 → 4AlF 3 + 3O 2 ↑ + 2N 2
As a result, AlF 3 is also formed on the surface of Al 2 O 3 . Insulator 22a of other heating device 22, electrostatic chuck 2
With respect to the insulator 27 of No. 4 , AlF 3 is formed on the surface by a completely similar method.
【００３８】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置１は以
上のように構成されており、次にその動作を説明する
と、処理室２とロードロック室５２とが同一減圧雰囲気
になった時点で、ゲートバルブ５１が開放され、成膜処
理されるウエハＷは搬送装置５５の搬送アーム５４によ
って、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。The CVD apparatus 1 according to the embodiment of the present invention is configured as described above. Next, the operation thereof will be described. When the processing chamber 2 and the load lock chamber 52 have the same reduced pressure atmosphere, The gate valve 51 is opened, and the wafer W to be subjected to the film formation process is loaded by the transfer arm 54 of the transfer device 55 to a position above the mounting table 21 in the processing chamber 2.
【００３９】このときリフター４１の各載置部材４２、
４３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材４
２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム５４
はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ５１は
閉鎖される。At this time, each mounting member 42 of the lifter 41,
43 is raised, and the wafer W is placed on each of the mounting members 4
It is placed on the locking portion of the inner peripheral edge portion of 2, 43. Then, after the wafer W is placed in this manner, the transfer arm 54
Moves back into the load lock chamber 52 and the gate valve 51 is closed.
【００４０】その後リフター４１の各載置部材４２、４
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
４の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２８、２９
からの直流電圧を電極板２５、２６に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。Thereafter, the mounting members 42, 4 of the lifter 41 are
3 is lowered, and the wafer W is moved to the electrostatic chuck 2 of the mounting table 21.
The high-voltage DC power supplies 28, 29 described above are mounted on the mounting surface of
By applying a DC voltage from the electrode plate to the electrode plates 25 and 26, the wafer W is adsorbed and held on the mounting surface by the Coulomb force generated when the voltage is applied.
【００４１】而してその後、交流電源２３からの電力を
加熱装置２２の発熱体２２ｂに供給して加熱装置２２を
作動させてウエハＷを所定温度、例えば８００゜Ｃにま
で加熱するとともに、処理ガス導入管４から処理ガス、
例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入する
と、ウエハＷの成膜処理が開始されるのである。Then, after that, electric power from the AC power supply 23 is supplied to the heating element 22b of the heating device 22 to operate the heating device 22 to heat the wafer W to a predetermined temperature, for example, 800 ° C. Process gas from the gas introduction pipe 4,
For example, when SiH 4 (silane) + H 2 is introduced into the processing chamber 2, the film forming process of the wafer W is started.
【００４２】このようにして被処理体であるウエハＷの
表面に対して成膜処理が行われるのであるが、処理室２
内の部材、殊に被処理体であるウエハＷと同程度の温度
にまで達する載置台２１、静電チャック２４並びに加熱
装置２２の表面にも、反応生成物が付着する。これをそ
のまま放置すると処理室２内の汚染の原因となるので、
所定の処理回数毎に、処理室２内をクリーニングする必
要がある。In this way, the film forming process is performed on the surface of the wafer W which is the object to be processed.
The reaction products also adhere to the internal members, particularly the surfaces of the mounting table 21, the electrostatic chuck 24, and the heating device 22 that reach the same temperature as the temperature of the wafer W to be processed. If this is left as it is, it will cause contamination in the processing chamber 2, so
It is necessary to clean the inside of the processing chamber 2 every predetermined number of times of processing.
【００４３】この場合、使用するクリーニングガスはＣ
ｌＦ3やＮＦ3が最近は用いられているが、従来のＣＶＤ
装置における載置台、静電チャック、さらには加熱装置
で用いられている材料では、既述の如くクリーニングガ
スであるＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食されて
いた。In this case, the cleaning gas used is C
Although 1F 3 and NF 3 have been used recently, conventional CVD
As described above, the surfaces of the materials used in the mounting table, the electrostatic chuck, and the heating device of the apparatus are corroded by the cleaning gases ClF 3 and NF 3 .
【００４４】しかしながら、本実施例における載置台２
１、静電チャック２４表面の絶縁体２７、並びに加熱装
置２２表面の絶縁体２２ａの各表面には、これらＣｌＦ
3やＮＦ3に対して不動態であるＡｌＦ3が形成されてい
るので、そのような腐食は発生しないものである。However, the mounting table 2 in this embodiment
1, ClF on each surface of the insulator 27 on the surface of the electrostatic chuck 24 and the insulator 22a on the surface of the heating device 22.
Since AlF 3, which is passive with respect to 3 and NF 3 , is formed, such corrosion does not occur.
【００４５】即ちＡｌＦ3の結合解離エネルギーは６６
５［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、安定体と言われているＡｌ
2Ｏ3の４９０［ｋＪ／ｍｏｌ］より大幅に大きくなって
おり、極めて安定した不動態となっている。しかもその
融点は１０４０゜Ｃであるから、前記したような成膜処
理における温度（８００゜Ｃ）においても極めて安定し
ている。従って載置台２１を始めとして静電チャック２
４表面の絶縁体２７、並びに加熱装置２２の各表面の耐
食性は大きく向上し、前記したクリーニングガスである
ＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食するおそれはな
いものである。That is, the bond dissociation energy of AlF 3 is 66.
Al, which is 5 [kJ / mol] and is said to be a stable substance
It is much larger than 490 [kJ / mol] of 2 O 3 and shows extremely stable passivation. Moreover, since its melting point is 1040 ° C., it is extremely stable even at the temperature (800 ° C.) in the film forming process described above. Therefore, starting from the mounting table 21, the electrostatic chuck 2
The corrosion resistance of the four surfaces of the insulator 27 and each surface of the heating device 22 is greatly improved, and there is no risk of the surfaces being corroded by the above-mentioned cleaning gas ClF 3 or NF 3 .
【００４６】なおそのようにアルミ系材料の表面に安定
した不動態であるＡｌＦ3を形成させるには、前記した
Ａｌ2Ｏ3表面のフッ素置換の他に、ＡｌＮ表面のフッ素
置換、Ａｌ表面のフッ素置換の方法がある。即ち、Ａｌ
Ｎの場合にも前記したＡｌ2Ｏ3の場合と同様、例えば図
４に示した対象物を所定温度に設定、維持したまま、チ
ャンバ６１内に、ＣｌＦ3やＮＦ3を流入させればよい。
前者の場合には、 ２ＡｌＮ＋２ＣｌＦ3 → ２ＡｌＦ3＋Ｎ2↑＋Ｃｌ2↑ 後者の場合には、 ＡｌＮ＋ＮＦ3 → ＡｌＦ3＋Ｎ2↑ となって、いずれの場合にも表面にＡｌＦ3が形成され
る。またＡｌの場合には、Ｆ2を供給させることによ
り、 ２Ａｌ＋３Ｆ2 →２ＡｌＦ3 となって、やはりその表面に不動態であるＡｌＦ3が形
成される。In order to form stable and passive AlF 3 on the surface of the aluminum-based material as described above, in addition to the above-mentioned fluorine substitution on the Al 2 O 3 surface, fluorine substitution on the AlN surface and Al surface on the Al surface are performed. There is a method of fluorine substitution. That is, Al
In the case of N, as in the case of Al 2 O 3 described above, for example, ClF 3 or NF 3 may be allowed to flow into the chamber 61 while the object shown in FIG. 4 is set and maintained at a predetermined temperature. .
In the former case, 2AlN + 2ClF 3 → 2AlF 3 + N 2 ↑ + Cl 2 ↑, in the latter case, AlN + NF 3 → AlF 3 + N 2 ↑, and in each case, AlF 3 is formed on the surface. Further, in the case of Al, when F 2 is supplied, 2Al + 3F 2 → 2AlF 3 is obtained, and also passive AlF 3 is formed on the surface.
【００４７】次に発明者らが実際にＡｌＦ3を形成した
場合の耐食性について検証した結果を示す。試料として
前記したＡｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものと、
従来のＣＶＤ装置における加熱装置の絶縁材に使用され
ているＰ−ＢＮ（パイロレテック−ボロンナイトライ
ド）とを、下記の同一条件の下でクリーニングガスであ
るＣｌＦ3に曝した結果を図５の図表に示す。 条件：１Ｔｏｒｒ、６２０゜Ｃ下で、ＣｌＦ3／Ｎ2＝７
００／２８００ｓｃｃｍを１２０分間流入させる。各試
料の面積はいずれも１５７ｃｍ2である。Next, the results of the inventors' verification of corrosion resistance when AlF 3 was actually formed are shown. A sample in which AlF 3 is formed on the surface of Al 2 O 3 described above,
The result of exposing P-BN (pyroretec-boron nitride) used as an insulating material of a heating device in a conventional CVD device to ClF 3 which is a cleaning gas under the same conditions below is shown in the chart of FIG. Shown in. Conditions: 1 Torr, 620 ° C., ClF 3 / N 2 = 7
Flow at 00/2800 sccm for 120 minutes. The area of each sample is 157 cm 2 .
【００４８】これによれば、Ｐ−ＢＮの場合には、実験
後１．５５ｇも重量が減少し、容積も０．７０ｃｍ3減
少し、ＣｌＦ3によって腐食されていることが確認され
るが、Ａｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものについ
ては、わずか０．０１ｇしか減少せず、容積については
測定不能な程僅かであった。従ってＡｌ2Ｏ3表面にＡｌ
Ｆ3を形成させたものについては殆ど腐食されておら
ず、極めて大きい耐食性が得られていることが確認でき
る。According to this, in the case of P-BN, the weight was reduced by 1.55 g and the volume was reduced by 0.70 cm 3 after the experiment, and it was confirmed that it was corroded by ClF 3 . The amount of AlF 3 formed on the Al 2 O 3 surface decreased by only 0.01 g, and the volume was too small to be measured. Therefore, Al on the surface of Al 2 O 3
It can be confirmed that the material with F 3 formed was hardly corroded, and that extremely high corrosion resistance was obtained.
【００４９】なお前記実施例は、いわゆる熱ＣＶＤ装置
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。Although the above-mentioned embodiment is an example in which the present invention is applied to a so-called thermal CVD apparatus, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to the plasma CVD apparatus, and other semiconductor processing apparatuses such as an etching apparatus, It can be applied to an ashing device and a sputtering device.
【００５０】[0050]
【発明の効果】請求項１によれば、処理ガスと同様にし
てハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面が腐食
することはない。従ってこれらアルミ系部材の耐久性が
向上し、また処理室内汚染も防止される。According to the first aspect of the present invention, even if a halogen-based cleaning gas is introduced into the processing chamber in the same manner as the processing gas, the surface of the aluminum-based member that is in contact with the atmosphere in the processing chamber is not corroded. Therefore, the durability of these aluminum-based members is improved and contamination of the processing chamber is prevented.
【００５１】請求項２によれば、処理装置における特定
部位に対して個別にクリーニングガスを流入させても、
当該特定部位が腐食することはない。According to the second aspect, even if the cleaning gas is individually flown into a specific portion of the processing apparatus,
The specific part does not corrode.
【００５２】請求項３によれば、前記処理室内に使用さ
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わるので、例えば熱処理装置に対しても適用可能で
ある。According to the third aspect, since the heating means for heating the object to be processed used in the processing chamber also has such corrosion resistance, it can be applied to, for example, a heat treatment apparatus.
【００５３】請求項４によれば、前記処理室内に装備さ
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わり、クリーニングに対する
耐久度が向上する。According to the fourth aspect, the object holding mechanism such as the electrostatic chuck provided in the processing chamber also has
It has the above-mentioned corrosion resistance and improves durability against cleaning.
【００５４】請求項５に記載したコーティング方法によ
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、請求項６に記載したように、
その際に使用するチャンバの内側表面を、予めニッケル
コーティングしておくことにより、ハロゲン系ガス、特
にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるものであ
る。According to the coating method of the fifth aspect, as described in the sixth aspect, the aluminum-based member in the above-mentioned processing apparatus is suitably coated.
By pre-coating the inner surface of the chamber used at that time with nickel, corrosion resistance to halogen-based gas, especially HF and HCl gas can be obtained.
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面を模
式的に示した説明図である。FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a cross section of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
断面を模式的に示した説明図である。FIG. 2 is an explanatory view schematically showing a cross section of a mounting table of the CVD apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
概観を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an outline of a mounting table of the CVD apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図４】図１のＣＶＤ装置における載置台の表面にＡｌ
Ｆ3を形成させる方法の説明図である。FIG. 4 is a plan view of Al on the surface of the mounting table in the CVD apparatus of FIG.
F 3 is an explanatory diagram of a method of forming a.
【図５】実施例で採用された載置台の材料構成であるＡ
ｌＦ3表面にＡｌＦ3を形成させた試料と従来のＰ−ＢＮ
試料とをＣｌＦ3に曝した場合の各々の腐蝕の度合いを
示す図表である。FIG. 5 is a material composition A of the mounting table adopted in the embodiment.
Sample with AlF 3 formed on the 1F 3 surface and conventional P-BN
Is a table showing the degree of corrosion of each when exposed to a sample to ClF 3.
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ４ 処理ガス導入管 ６ 排気手段 ２１ 載置台 ２２ 加熱装置 ２４ 静電チャック Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CVD apparatus 2 Processing chamber 4 Processing gas introduction pipe 6 Exhaust means 21 Mounting table 22 Heating device 24 Electrostatic chuck W Wafer
Claims (6)
し、前記処理室内に存する被処理体に対して所定の処理
を施す如く構成された処理装置において、 前記処理室内の雰囲気と接するアルミ系部材の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、処理装置。1. A processing apparatus having a processing chamber that can be evacuated by an evacuation means and configured to perform a predetermined processing on an object to be processed existing in the processing chamber, wherein an aluminum-based processing apparatus that is in contact with an atmosphere in the processing chamber. The surface of the member is
A processing apparatus, which is previously substituted with fluorine and coated.
し、前記処理室内に存する被処理体に対して所定の処理
を施す如く構成された処理装置において、 部材表面の反応生成物を除去するためのクリーニングガ
スを供給した際に、当該クリーニングガスと接する部位
のアルミ系部材の表面が、予めフッ素で置換されてコー
ティングされていることを特徴とする、処理装置。2. A processing apparatus having a processing chamber that can be evacuated by an evacuation means and configured to perform a predetermined process on an object to be processed existing in the processing chamber, wherein a reaction product on a surface of a member is removed. When a cleaning gas for supplying the cleaning gas is supplied, the surface of the aluminum-based member that is in contact with the cleaning gas is coated with fluorine in advance.
手段を有し、当該加熱手段表面が、予めフッ素で置換さ
れてコーティングされていることを特徴とする、請求項
１又は２に記載の処理装置。3. The heating means for heating an object to be processed is provided in the processing chamber, and the surface of the heating means is previously substituted with fluorine and coated. Processing equipment.
理体保持機構を有し、当該被処理体保持機構の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、請求項１、２又は３に記載の処理装置。4. An object-to-be-processed holding mechanism for holding an object to be processed in the processing chamber, wherein the surface of the object-to-be-processed holding mechanism is:
The treatment apparatus according to claim 1, wherein the treatment apparatus is coated by being previously substituted with fluorine.
理装置におけるアルミ系部材を、コーティングする方法
であって、対象とするアルミ系部材をチャンバ内に置
き、さらにこのチャンバ内を所定の温度に維持しつつ、
さらにこのチャンバ内にフッ素系ガスを流入させること
を特徴とする、アルミ系部材のコーティング方法。5. A method for coating an aluminum-based member in the processing apparatus according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the target aluminum-based member is placed in a chamber and the inside of the chamber is further set. While maintaining a predetermined temperature,
Further, a method of coating an aluminum-based member, characterized in that a fluorine-based gas is flown into the chamber.
が、ニッケルコーティングされていることを特徴とす
る、請求項５に記載のアルミ系部材のコーティング方
法。6. The method for coating an aluminum-based member according to claim 5, wherein the inner surface of the wall forming the chamber is nickel-coated.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557394A JPH07273053A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Treatment device and coating of aluminum-based member |
| US08/410,736 US5581874A (en) | 1994-03-28 | 1995-03-27 | Method of forming a bonding portion |
| KR1019950006681A KR100277281B1 (en) | 1994-03-28 | 1995-03-28 | Process apparatus having a coated aluminum-based member and coating method of the aluminum-based member and method of forming the joint |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557394A JPH07273053A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Treatment device and coating of aluminum-based member |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273053A true JPH07273053A (en) | 1995-10-20 |
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ID=13862563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8557394A Pending JPH07273053A (en) | 1994-03-28 | 1994-03-31 | Treatment device and coating of aluminum-based member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273053A (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0891957A1 (en) | 1997-07-15 | 1999-01-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member, wafer-supporting member, and method of manufacturing the same |
| US5942282A (en) * | 1997-05-20 | 1999-08-24 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a titanium film |
| US6051303A (en) * | 1997-08-06 | 2000-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor supporting device |
| US6200516B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-03-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Production of corrosion-resistant ceramic members |
| US6239402B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-05-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride-based sintered bodies, corrosion-resistant members, metal-buried articles and semiconductor-holding apparatuses |
| JP2002241971A (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Plasma resistant member |
| US6464825B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus including a magnetically levitated and rotated substrate holder |
| US6524731B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member and method of producing the same |
| US6632325B2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| WO2007055381A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and placing table for film forming apparatus |
| JP2009170850A (en) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | Plasma processing apparatus and method of manufacturing plasma processsing apparatus |
| DE102009004402A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Surface treatment material for semiconductor manufacture system, comprises a substrate made of aluminum or aluminum alloy, anodic oxidation coating formed over the surface of the substrate with a sealing, and a fluorine-enriched layer |
| JP2017002385A (en) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Deposition device, deposition method and substrate placement platform |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8557394A patent/JPH07273053A/en active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5942282A (en) * | 1997-05-20 | 1999-08-24 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a titanium film |
| EP0891957A1 (en) | 1997-07-15 | 1999-01-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member, wafer-supporting member, and method of manufacturing the same |
| US6139983A (en) * | 1997-07-15 | 2000-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member, wafer-supporting member, and method of manufacturing the same |
| US6632549B1 (en) | 1997-07-15 | 2003-10-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member, wafer-supporting member, and method of manufacturing the same |
| US6051303A (en) * | 1997-08-06 | 2000-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor supporting device |
| US6200516B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-03-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Production of corrosion-resistant ceramic members |
| US6239402B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-05-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride-based sintered bodies, corrosion-resistant members, metal-buried articles and semiconductor-holding apparatuses |
| US6464825B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus including a magnetically levitated and rotated substrate holder |
| US6524731B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member and method of producing the same |
| JP2002241971A (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Plasma resistant member |
| US6632325B2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| WO2007055381A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and placing table for film forming apparatus |
| JP2007141895A (en) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Tokyo Electron Ltd | Mounting stand structure and film deposition equipment |
| JP2009170850A (en) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | Plasma processing apparatus and method of manufacturing plasma processsing apparatus |
| DE102009004402A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Surface treatment material for semiconductor manufacture system, comprises a substrate made of aluminum or aluminum alloy, anodic oxidation coating formed over the surface of the substrate with a sealing, and a fluorine-enriched layer |
| JP2017002385A (en) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Deposition device, deposition method and substrate placement platform |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001017 |