KR101838378B1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101838378B1
KR101838378B1 KR1020160046353A KR20160046353A KR101838378B1 KR 101838378 B1 KR101838378 B1 KR 101838378B1 KR 1020160046353 A KR1020160046353 A KR 1020160046353A KR 20160046353 A KR20160046353 A KR 20160046353A KR 101838378 B1 KR101838378 B1 KR 101838378B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
light
region
pixels
Prior art date
Application number
KR1020160046353A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160126876A (ko
Inventor
도시히로 사또
Original Assignee
가부시키가이샤 재팬 디스프레이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 filed Critical 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
Publication of KR20160126876A publication Critical patent/KR20160126876A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101838378B1 publication Critical patent/KR101838378B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H01L27/3265
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H01L27/3246
    • H01L27/3258
    • H01L27/3276
    • H01L51/5212
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/0452Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/0465Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • H01L2227/323
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80524Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

투명 디스플레이에 있어서도 고정밀화 및 고화질화의 양립이 가능한, 유기 EL 표시 장치에 특유의 구성 요소를 이용한 새로운 화소의 구조를 제공한다. 발광 소자가 배치된 발광 영역과, 투광성을 갖는 축적 용량의 적어도 일부가 배치되고, 축적 용량의 적어도 한쪽의 전극에 덮인 투광 영역이 각각에 형성되고, 행렬 형상으로 배열된 복수의 화소를 갖는 표시 장치로서, 복수의 화소를 덮는 제1 전극과, 제1 전극 아래에 형성된 발광층과, 복수의 화소마다, 발광층 아래에 형성된 제2 전극을 포함하고, 축적 용량은 제1 전극을 포함하는 표시 장치이다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 특히, 표시 장치에 있어서의 표시 영역에 있어서의 화소의 구성에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네센스(이하, 유기 EL이라 부름) 표시 장치는, 각 화소에 발광 소자가 형성되고, 개별로 발광을 제어함으로써 화상을 표시한다. 발광 소자는, 한쪽을 애노드 전극, 다른 쪽을 캐소드 전극으로 하여 구별되는 한 쌍의 전극 사이에 유기 EL 재료를 포함하는 층(이하, 「발광층」이라고도 함)이 끼움 지지된 구조를 갖고 있다. 유기 EL 표시 장치는, 한쪽의 전극이 화소마다 화소 전극으로서 형성되고, 다른 쪽의 전극은 복수의 화소에 걸쳐 공통의 전위가 인가되는 공통 전극으로서 형성되어 있다. 유기 EL 표시 장치는, 이 공통 전극의 전위에 대하여 화소 전극의 전위를 화소마다 인가함으로써, 화소의 발광을 제어하고 있다.
최근에는, 표시 영역을 통하여 표시 영역의 후방의 모습을 시인할 수 있는, 소위 투명 디스플레이가 알려져 있다. 투명 디스플레이로서는, 예를 들어 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 표시 영역에 행렬 형상으로 형성된 복수의 화소의 각각에 있어서, 화상 표시를 담당하는 발광 소자가 형성되는 발광 영역과, 당해 발광 영역과는 별도로, 소위 시쓰루 구조를 갖는 투광 영역을 배치하는 구성이 알려져 있다.
일반적으로, 화상 표시를 담당하는 발광 화소의 구동 회로에는 박막 트랜지스터나 용량이 복수 배치되고, 고정밀화를 진행시키는 것에 수반하여 미세한 레이아웃 설계가 요구되게 된다. 그러나, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 투명 디스플레이에 있어서는, 복수의 화소의 각각에 투광 영역을 확보하기 위해서, 발광 영역이 차지하는 면적에 한층 더한 제약이 발생하고, 특히 축적 용량을 발광 영역에 배치하기 위한 충분한 면적을 확보하는 것이 곤란해진다고 하는 문제가 발생한다. 축적 용량의 크기를 충분히 확보할 수 없으면, 박막 트랜지스터 특성의 변동의 영향을 받기 쉬워져, 고화질화가 곤란해진다. 즉, 고정밀화를 위한 화소의 미세화와, 표시 장치의 고화질화는 이율배반의 관계에 있다고 말할 수 있다.
한편, 자발 발광형의 유기 EL 표시 장치에 대하여 백라이트로부터의 광을 제어하여 화상을 표시하는 액정 표시 장치에 있어서는, 예를 들어 특허문헌 2 내지 4에 개시되어 있는 바와 같이, 액정 소자에 사용되는 투명 전극을 이용하여 보조 용량을 형성함으로써, 고정밀 및/또는 고화질의 표시 장치를 용이하게 얻기 위한 화소 구성이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2014-049313호 공보 일본 특허 공개 평 6-148684호 공보 일본 특허 공개 평 6-258669호 공보 일본 특허 공개 평 10-78593호 공보
본 발명은, 상기 문제를 감안하여, 투명 디스플레이에 있어서도 고정밀화 및 고화질화의 양립이 가능한, 자발 발광형의 표시 장치에 특유의 구성 요소를 이용한 새로운 화소의 구조를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
본 발명의 일 형태는, 발광 소자가 배치된 발광 영역과, 투광성을 갖는 축적 용량의 적어도 일부가 배치되고, 축적 용량의 적어도 한쪽의 전극에 덮인 투광 영역이 각각에 형성되고, 행렬 형상으로 배열된 복수의 화소를 갖는 표시 장치이다.
본 발명의 일 형태는, 발광 영역과 투광 영역이 각각에 형성된 복수의 화소가 행렬 형상으로 배치된 기판의 제1 면의 상방에, 발광 영역에 발광 소자를 형성하고, 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 구성을 도시하는 평면도.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 구성을 도시하는 평면도.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 구성을 도시하는 평면도.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 15는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 구성을 도시하는 평면도.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 구성을 도시하는 평면도.
도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 구성을 도시하는 평면도.
도 18은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 구성을 도시하는 평면도.
도 19는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 구성을 도시하는 평면도.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면 등을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 많은 상이한 형태로 실시하는 것이 가능하고, 이하에 예시하는 실시 형태의 기재 내용에 한정되어 해석되는 것은 아니다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출의 도면에 관하여 전술한 것과 마찬가지의 요소에는, 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재 또는 영역이, 다른 부재 또는 영역의 「위에(또는 아래에)」 있다고 하는 경우, 특별한 한정이 없는 한, 이것은 다른 부재 또는 영역의 바로 위(또는 바로 아래)에 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있는 경우를 포함하고, 즉, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있어서 사이에 다른 구성 요소가 포함되어 있는 경우도 포함한다.
<제1 실시 형태>
본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 구성을, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 구성을 도시하는 사시도이다. 표시 장치(100)는, 제1 기판(102)에 표시 영역(106)이 형성되어 있다. 표시 영역(106)은 복수의 화소(108)가 배열됨으로써 구성되어 있다. 표시 영역(106)의 상면에는 밀봉재로서의 제2 기판(104)이 설치되어 있다. 제2 기판(104)은 표시 영역(106)을 둘러싸는 시일재(110)에 의해, 제1 기판(102)에 고정되어 있다. 제1 기판(102)에 형성된 표시 영역(106)은, 밀봉재인 제2 기판(104)과 시일재(110)에 의해 대기에 노출되지 않도록 밀봉되어 있다. 이러한 밀봉 구조에 의해 화소(108)에 형성되는 발광 소자의 열화를 억제하고 있다.
제1 기판(102)은, 일단부에 단자 영역(114)이 형성되어 있다. 단자 영역(114)은 제2 기판(104)의 외측에 배치되어 있다. 단자 영역(114)은 복수의 접속 단자(116)를 포함하고 있다. 접속 단자(116)에는, 영상 신호를 출력하는 기기나 전원 등과 표시 패널을 접속하는 배선 기판이 배치된다. 배선 기판과 접속되는 접속 단자(116)의 접점은, 외부에 노출되어 있다.
계속해서, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 회로 구성에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 회로 구성을 도시하는 도면이다.
유기 EL 표시 장치는, 화상을 표시하는 표시 영역(106)과, 표시 영역(106)을 구동하는 구동부를 구비한다. 유기 EL 표시 장치의 표시 영역(106)에는 복수의 화소(118)가 행렬 형상으로 배치되며, 화소(108)마다 화소 회로(120)를 갖는다. 화소 회로(120)는, 적어도 선택 트랜지스터(122), 구동 트랜지스터(124), 축적 용량(126) 및 발광 소자(128)를 포함한다.
한편, 구동부는 주사선 구동 회로(130), 영상선 구동 회로(132), 구동 전원 회로(134), 기준 전원 회로(136) 및 제어 장치(138)를 포함하고, 화소 회로(120)를 구동하고 발광 소자(128)의 발광을 제어하는 등의 기능을 담당한다.
주사선 구동 회로(130)는 화소의 수평 방향의 배열(화소 행)마다 형성된 주사 신호선(140)에 접속되어 있다. 주사선 구동 회로(130)는 제어 장치(138)로부터 입력되는 타이밍 신호에 따라서 주사 신호선(140)을 순서대로 선택하고, 선택한 주사 신호선(140)에, 선택 트랜지스터(122)를 온으로 하는 전압을 인가한다.
영상선 구동 회로(132)는 화소의 수직 방향의 배열(화소 열)마다 형성된 영상 신호선(142)에 접속되어 있다. 영상선 구동 회로(132)는 제어 장치(138)로부터 영상 신호를 입력받아, 주사선 구동 회로(130)에 의한 주사 신호선(140)의 선택에 맞추어, 선택된 화소 행의 영상 신호에 따른 전압을 각 영상 신호선(142)에 출력한다. 당해 전압은, 선택된 화소 행에서 선택 트랜지스터(122)를 통해 축적 용량(126)에 기입된다. 구동 트랜지스터(124)는 기입된 전압에 따른 전류를 발광 소자(128)에 공급하고, 이에 의해, 선택된 주사 신호선(140)에 대응하는 화소의 발광 소자(128)가 발광한다.
구동 전원 회로(134)는 화소 열마다 형성된 전원 전위선(144)에 접속되고, 전원 전위선(144) 및 선택된 화소 행의 구동 트랜지스터(124)를 통해 발광 소자(128)에 전류를 공급한다.
기준 전원 회로(136)는, 기준 전원선(145)에 접속되고, 발광 소자(128)의 캐소드 전극을 구성하는 공통 전극에 정전위를 공급한다. 정전위는 예를 들어, 접지 전위로 설정할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서 발광 소자(128)의 한쪽의 전극은 화소마다 형성된 화소 전극이며, 발광 소자(128)의 다른 쪽의 전극은 복수의 화소를 덮고, 복수의 화소에 공통적으로 형성된 공통 전극으로 된다. 화소 전극은 구동 트랜지스터(124)에 접속된다. 한편, 공통 전극은 복수의 화소에 걸치는 전극을 포함한다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이며, 도 1에 있어서의 A-B에 있어서 제1 기판(어레이 기판이라고도 부름)측의 단면을 도시하고 있다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)가 갖는 화소의 화소 회로를 도시하는 회로도이다.
복수의 화소(108)의 각각은, 발광 영역(146) 및 투광 영역(148)을 갖고 있다. 발광 영역(146)에는 발광 소자(128)가 배치되고, 투광 영역(148)에는 축적 용량(126)이 배치되어 있다. 여기서, 축적 용량(126)은 투광성을 갖고 있다.
이와 같이, 축적 용량(126)은 투광성을 갖기 때문에, 투광 영역(148)에 배치할 수 있다. 이에 의해, 고정밀 또한 고화질의 투명 디스플레이를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는 투광 영역(148)의 전체면에 축적 용량(126)이 배치되지만, 이것에 한정되지 않고, 축적 용량(126)의 한쪽의 전극이 투광 영역(148)의 전체면을 덮는 구성이면 된다. 다른 쪽의 전극은 투광 영역(148)의 적어도 일부를 덮고 있으면 된다. 이와 같은 구성을 가짐으로써, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)에 비해 축적 용량(126)은 저하되지만, 표시 장치의 투과율을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 화소를 구획하고, 복수의 화소의 각각에 있어서 발광 영역(146) 및 투광 영역(148)을 구획하는 뱅크(150)가 형성되어 있다.
발광 영역(146)에는, 화소 회로(120)를 구성하는 선택 트랜지스터(122), 구동 트랜지스터(124) 및 발광 소자(128)가 배치되어 있다. 선택 트랜지스터(122) 및 구동 트랜지스터(124)는, 발광 소자(128)의 하방에 형성되어 있다.
발광 소자(128)는, 화소 전극(152) 및 공통 전극(156)에 의해 발광층(154)이 끼움 지지된 구성을 갖고 있다. 발광 소자(128)가 갖는 전극 중, 하부의 전극은 화소 전극(152)이며, 상부의 전극은 공통 전극(156)이다. 본 실시 형태에 있어서는, 화소 전극(152)은 3층의 도전층이 적층된 구조를 갖고 있다. 또한, 화소 전극(152)은, 구동 트랜지스터(124)의 소스 전극과, 도시하지 않은 콘택트 개구부를 통해 전기적으로 접속되어 있다.
발광층(154)이, 예를 들어 유기 EL층을 포함하는 경우, 저분자계 또는 고분자계의 유기 재료를 사용하여 형성된다. 저분자계의 유기 재료를 사용하는 경우, 발광층(154)은 발광성의 유기 재료를 포함하는 발광층(154) 외에, 당해 발광층(154)을 사이에 두도록 정공 주입층이나 전자 주입층, 또한 정공 수송층이나 전자 수송층 등을 포함하여 구성된다. 본 실시 형태에 있어서는, 발광층(154)은, 백색 발광을 나타내는 것을 사용하고, 컬러 필터(도시하지 않음)에 의해 풀컬러 발광을 실현하고 있다. 또한, 발광층(128)은, 복수의 발광층(예를 들어 유기 EL층)을 겹친 소위 탠덤형의 구조를 사용해도 된다.
공통 전극(156)은, 발광층(154)에서 발광한 광을 투과시키기 위해서, 투광성을 갖고, 또한 도전성을 갖는 ITO(산화주석 첨가 산화인듐)나 IZO(산화인듐ㆍ산화아연) 등의 투명 도전막으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또는, 공통 전극(156)으로서, 출사광을 투과할 수 있는 정도의 막 두께를 갖는 금속층을 사용해도 된다.
화소 전극(152)은, 발광층(154)에서 발생한 광을 공통 전극(156)측에 반사시키기 위해서, 반사율이 높은 금속층을 포함하는 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 있어서는, 2층의 투명 도전층에 금속층이 끼움 지지된 층 구조를 갖고 있다. 금속층으로서는, 예를 들어 은(Ag)을 사용할 수 있다. 2층의 투명 도전층으로서는, 각각 투광성을 갖고, 또한 도전성을 갖는 ITO(산화주석 첨가 산화인듐)나 IZO(산화인듐ㆍ산화아연) 등의 투명 도전막으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 그들의 임의의 조합을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(100)에 있어서는, 투광 영역(148)의 전체면에 축적 용량(126)이 배치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 축적 용량(126)은, 상부 및 하부의 전극[각각 상부 전극(126b) 및 하부 전극(126a)이라 부름]에, 발광층(154) 및 절연층(158)이 끼움 지지되는 구성을 갖고 있다.
축적 용량(126)의 상부 전극(126b)으로서는, 표시 영역(106)에 배치된 복수의 화소에 공통적으로 형성된 공통 전극(156)이 그 기능을 겸하고 있다. 이와 같은 구성을 갖기 때문에, 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)은 공통 전극(156)과 마찬가지로 기준 전원 회로에 접속되며, 정전위가 공급된다. 정전위로서는, 예를 들어 설치 전위가 설정된다.
축적 용량(126)의 하부 전극(126a)으로서는, 전술한 화소 전극(152)을 구성하는 2층의 투명 도전층 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
절연층(158)으로서는, 투광성을 갖는 막이 사용되고, 예를 들어 질화규소막이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 절연층(158)은, 투광 영역(148)을 덮고, 뱅크(150) 위에 걸쳐 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 투광 영역(148)을 덮는 절연층(158)의 단부는, 뱅크(150) 위에 배치되어 있다. 즉, 제조 공정에 있어서는, 뱅크(150)를 형성한 후에 절연층(158)의 재료를 성막하고, 패터닝을 행한다. 이와 같은 층 구조를 채용함으로써, 절연층(158)의 패터닝 시에 요구되는 얼라인먼트 정밀도가 엄하지 않게 되기 때문에, 표시 장치(200)의 제조가 용이해진다.
이상 설명한 바와 같이, 투광성을 갖는 축적 용량(126)의 전극으로서는, 모두 자발 발광형의 발광 소자에 특유하게 사용되는 전극을 이용할 수 있다. 즉, 제조 공정에 있어서, 발광 소자(128)의 전극과 축적 용량(126)의 전극을 동시에 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정에 대폭적인 변경 및 추가가 없어, 용이하게 또한 저비용으로 본 실시 형태에 있어서의 표시 장치(100)를 제공할 수 있다.
<제2 실시 형태>
도 5를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(200)의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(200)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 화소 회로(120)에 대해서는, 도 4에 도시한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 화소 회로(120)와 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(200)는, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)와 비교하면, 투광 영역(148)에 배치된 축적 용량(126)이 갖는 절연층(158) 및 뱅크(150)의 층 구조만이 상이하다.
본 실시 형태에 있어서는 뱅크(150) 아래에 절연층(158)이 걸쳐 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 투광 영역(148)을 덮는 절연층(158)의 단부를 덮도록 뱅크(150)가 형성되어 있다. 즉, 제조 공정에 있어서는, 뱅크를 형성하기 전에 절연층(158)의 재료를 성막하고, 패터닝을 행한다. 이와 같은 층 구조를 채용함으로써, 절연층(158)의 패터닝 시에 축적 용량(126)의 하부 전극(126a)과 함께 일괄적으로 패터닝할 수 있다. 따라서, 투광 영역(148)을 형성한 것에 의한 마스크의 증가가 없기 때문에, 용이하게 또한 저비용으로 표시 장치(100)를 제공할 수 있다.
<제3 실시 형태>
도 6을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(300)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 6은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(300)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 화소 회로(120)에 대해서는, 도 4에 도시한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 화소 회로(120)와 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(300)는, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100) 또는 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(200)와 비교하면, 투광 영역(148)에 배치된 축적 용량(126)이 갖는 절연층(158)의 층 구조만이 상이하다.
본 실시 형태에 있어서는 발광층(154) 위에 투광 영역(148)을 덮는 절연층(158)이 형성되어 있다. 절연층(158)의 단부는 뱅크(150) 위에 배치되어 있다. 즉, 제조 공정에 있어서는, 표시 영역(106)에 배치된 복수의 화소를 덮는 발광층(154)을 형성한 후에, 절연층(158)의 재료를 성막하고, 패터닝을 행한다. 이와 같은 층 구조를 채용함으로써, 절연층(158)의 패터닝 시에 요구되는 얼라인먼트 정밀도가 엄하지 않게 되기 때문에, 축적 용량(126)의 형성이 용이해진다. 또한, 실시예 1에 있어서, 절연층(158)의 재료를 성막하는 공정을 발광층(154)의 형성 전으로 하고 있다. 이렇게 함으로써 발광층(154) 아래에 절연층(158)을 형성하는 구조로 된다. 이 경우, 전공정의 뱅크(150) 형성 후에 절연층(158)을 형성하므로, 고정밀도의 마스크 정렬을 용이하게 행할 수 있다. 또한 발광층(154)에 대한 대미지도 저감할 수 있다.
<제4 실시 형태>
도 7을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(400)의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 7은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(400)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 화소 회로(120)에 대해서는, 도 4에 도시한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 화소 회로(120)와 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(400)는, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100) 내지 제3 실시 형태에 따른 표시 장치(300)와 비교하면, 투광 영역(148)에 배치된 축적 용량(126)이 갖는 절연층(154a)의 층 구조만이 상이하다.
본 실시 형태에 있어서는, 복수의 화소를 덮는 발광층(154)에 있어서 발광 영역(146) 이외의 영역을 변질시켜, 절연층화함으로써 투광 영역(148)에 축적 용량(126)을 형성하고 있다. 발광층(154)의 절연층화는, 예를 들어 발광층(154)에 적당한 에너지를 조사함으로써 달성할 수 있다. 에너지로서는 예를 들어 자외선을 사용할 수 있다.
구체적인 제조 방법으로서는, 발광 소자(128)의 화소 전극(152)을 구성하는 금속막이 차광층으로서 기능하는 것을 이용하고, 발광층(154)의 형성 후에 기판(102)의 트랜지스터가 배치되지 않는 면측으로부터 에너지 조사를 행한다. 이에 의해, 발광 소자(128) 이외의 영역에 에너지가 조사되어, 그 영역만을 자기 정합적으로 절연층화할 수 있다. 즉, 축적 용량(126)을 형성하기 위한 절연층(158)을 성막하고, 패터닝하는 공정을 필요로 하지 않아, 필요로 되는 마스크의 수를 증가시키지 않고 축적 용량(126)을 형성할 수 있다. 따라서, 제조 공정에 대폭적인 변경 및 추가가 없어, 용이하게 또한 저비용으로 본 실시 형태에 있어서의 표시 장치(400)를 제공할 수 있다.
<제5 실시 형태>
도 8을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(500)의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(500)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 화소 회로(120)에 대해서는, 도 4에 도시한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100)의 화소 회로(120)와 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(500)는, 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(100) 내지 제4 실시 형태에 따른 표시 장치(400)와 비교하면, 축적 용량(126)의 하부 전극(126a)이 배치되는 층이 상이하다. 즉, 축적 용량(126)의 하부 전극(126a)은 발광 소자(128)의 화소 전극(152)과는 상이한 층에 배치되어 있다.
이와 같은 층 구조를 갖기 때문에, 제조 공정에 있어서, 화소 전극(152)을 형성하는 공정과는 별도로 축적 용량(126)의 하부 전극(126a)을 형성하게 된다. 그러나 한편, 이와 같은 층 구조를 갖기 때문에, 화소 전극(152)의 형성에 있어서, 그것들 중의 투명 도전층의 적어도 1층을 축적 용량(126)의 전극으로서 투광 영역(148)에 남길 필요가 없기 때문에, 이 예에 있어서는 3층을 포함하는 화소 전극(152)의 패터닝을 일괄적으로 행할 수 있다. 따라서, 제조 공정에 대폭적인 변경 및 추가가 없어, 용이하게 또한 저비용으로 본 실시 형태에 있어서의 표시 장치(500)를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 발광층(154)은, 표시 영역(106)에 배치된 복수의 화소를 덮는 형태를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 발광 영역(146)에만 발광층(154)을 남겨도 상관없다. 이것에 의하면, 표시 장치(500)의 투과율을 향상시킬 수 있다.
<제6 실시 형태>
도 9 및 도 10을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(600)의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 9는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(600)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 10은 본 실시 형태에 따른 표시 장치가 갖는 화소의 화소 회로(120)를 도시하는 회로도이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(600)는, 축적 용량(126)이 발광 소자(128)보다도 하층에 형성되어 있는 점에 있어서, 제1 실시 형태 내지 제5 실시 형태에 따른 표시 장치에 상이하다. 또한, 축적 용량(126)의 전극 중, 상부 전극(126b)은 표시 영역(106)에 배치된 복수의 화소를 덮고, 하부 전극(126a)은 화소마다 형성되며, 1화소를 덮고 있다. 즉, 본 실시 형태에 있어서는, 축적 용량(126)은 투광 영역(148)뿐만 아니라, 1화소를 덮는 구성을 갖고 있다. 바꾸어 말하면, 투광 영역(148)에는, 축적 용량(126)의 일부가 형성되어 있다. 상부 전극(126b)은 공통 전극(156)과 접촉하며, 전기적으로 도통하고 있다.
이와 같은 구성을 가짐으로써, 축적 용량(126)이 차지하는 면적을 최대화할 수 있어, 고화질의 표시 장치(600)를 제공할 수 있다.
또한, 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)은 발광 소자(128)의 음극으로서 기능하는 공통 전극(156)의 보조 배선으로 되기 때문에, 음극에 공급되는 기준 전압의 전압 강하를 억제할 수 있어, 고화질의 표시 장치(600)를 제공할 수 있다.
<제7 실시 형태>
도 11을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(700)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 11은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(700)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 화소 회로(120)에 대해서는, 도 10에 도시한 제6 실시 형태에 따른 표시 장치(600)의 화소 회로(120)와 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(700)는, 제6 실시 형태에 따른 표시 장치(600)와 비교하면, 투광 영역(148)에 있어서, 층간 절연막(160), 평탄화막(162)이 제거되어 있는 점에서 상이하다.
이와 같은 구성을 가짐으로써, 제6 실시 형태에 따른 표시 장치에 비해 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 절연층(160)은, 선택 트랜지스터(122), 구동 트랜지스터(124)가 형성되는 층과 동일층에 배치되지만, 무기 절연막으로 형성된다. 이 무기 절연막은 단단한 한편 취성이 있어, 표시 장치(700)가 무기 디스플레이인 경우에는, 굽힘 시에 파괴될 우려가 있다. 본 실시 형태와 같이 투과 영역(148)에서 절연층(160)을 제거함으로써, 평면에서 보아 화소마다 절연층(160)이 아일랜드 형상으로 분리되어 분포하는 형태로 되어, 굽힘 시의 파괴를 방지할 수 있다.
<제8 실시 형태>
도 12 및 도 13을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(800)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 12는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(800)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 13은 본 실시 형태에 따른 표시 장치가 갖는 화소의 화소 회로(120)를 도시하는 회로도이다.
본 실시 형태에 있어서는, 발광 소자(128)의 하방에 축적 용량(126)이 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 축적 용량(126)을 형성한 후에, 발광 소자(128)가 형성된다. 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)은 투광 영역(148)을 덮고, 또한 표시 영역(106)에 배치되는 복수의 화소를 덮고 있다. 하부 전극(126a)은 투광 영역(148)을 완전히 덮지 않고, 투광 영역(148)의 일부를 덮고 있다. 또한, 하부 전극(126a)은 발광 영역(146)으로 연장되어 있다. 즉, 투광 영역(148)에는, 축적 용량(126)의 일부가 형성되어 있다.
또한, 도시와 같이, 하부 전극은 전기적으로 독립된 복수의 영역으로 분할되어도 된다. 이와 같이 하여 복수의 용량을 형성할 수 있기 때문에, 복잡한 화소 회로에도 적용할 수 있다.
이와 같은 구성을 가짐으로써, 최대로 1화소의 영역에 걸쳐 축적 용량(126)을 형성할 수 있기 때문에, 충분한 축적 용량(126)을 확보할 수 있어, 고화질의 표시 장치(800)를 제공할 수 있다.
또한, 하부 전극(126a)이 투광 영역(148)의 일부만을 덮는 구성으로 함으로써, 표시 장치(800)의 투과율을 향상시킬 수 있다.
<제9 실시 형태>
도 14를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 14는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)가 갖는 화소의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 15는 본 실시 형태에 따른 표시 장치가 갖는 화소의 화소 회로(120)를 도시하는 회로도이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)와 제8 실시 형태에 따른 표시 장치(800)를 비교하면, 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)이 전원 전위를 공급하는 전원 전위선(144)에 접속되는 점에서 상이하다. 즉, 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)은 표시 영역(106)에 배치되는 복수의 화소를 덮고, 전원 전위선(144)을 겸한다. 이 때문에, 발광 소자(128)의 양극으로서 기능하는 화소 전극(152)에의 전류 공급 시에 있어서, 저저항의 전원 전위선(144)이기 때문에, 표시 영역(106) 내의 균일성이 높아, 고화질의 표시 장치(900)를 제공할 수 있다.
또한, 발광 소자(128)의 양극으로서 기능하는 화소 전극(152)은, 구동 트랜지스터(124)의 소스 전극에 접속된다. 그 때문에, 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)에는 도시하지 않은 콘택트 홀이 형성되고, 당해 콘택트 홀을 통해 화소 전극(152)과 구동 트랜지스터(124)의 소스 전극이 접속되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 구동 트랜지스터(124)는 P형 트랜지스터로 되어 있다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(124)의 게이트, 소스간에 축적 용량(126)의 축적 전하에 수반되는 전압을 인가할 수 있기 때문에, 발광 소자(128)에 흐르는 전류량의 제어가 용이해진다.
[화소의 배치예 1]
본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 화소의 몇 가지의 배치예에 대하여 설명한다. 도 16은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 화소의 배치예를 설명하는 평면도이다. 이 예에서는, 복수의 화소의 각각은, 적(R), 녹(G) 및 청(B)의 각 색을 발광하는 3개의 부화소를 포함하고, 복수의 화소가 행렬 형상으로 배치되어 있다. 본 명세서에 있어서는, 하나의 부화소에 관해서도 화소라 부르기로 한다.
행렬 형상으로 배치된 화소간에는, 행방향으로 주사 신호선(140)이 배치되고, 열방향으로 영상 신호선(142)이 배치되어 있다. 또한, 복수의 화소를 덮도록 전원 전위선(144)의 기능을 겸하는 축적 용량(126)의 상부 전극(126b)이 배치되어 있다. 전원 전위선(144)은 복수의 화소의 각각이 갖는 구동 트랜지스터(124)(도시하지 않음)의 드레인 전극에 접속되어 있다.
제1 실시 형태 내지 제8 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 행렬 형상으로 배치된 복수의 화소에 대하여 열방향으로 전원 전위선(144)을 배치하고 있었다. 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)에 있어서는, 복수의 화소를 덮는 투명 도전층을 전원 전위선(144)으로서 사용하기 때문에, 개구율을 저하시키지 않고, 저저항화시킬 수 있다.
복수의 화소의 각각은, 적(R), 녹(G) 및 청(B) 중 어느 하나를 발광하는 발광 영역(146)과, 투광성을 갖는 투광 영역(148)이 배치되어 있다.
[화소의 배치예 2]
도 17은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 화소의 다른 배치예를 설명하는 평면도이다. 이 예에서는, 복수의 화소의 각각은, 적(R), 녹(G), 청(B) 및 백색(W)의 각 색을 발광하는 4개의 화소를 포함하고 있다. 복수의 화소의 각각에 있어서, 투광 영역의 면적이 화소의 면적의 약 75%로 되는 예를 나타내고 있다.
[화소의 배치예 3]
도 18은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 화소의 다른 배치예를 설명하는 평면도이다. 이 예에서는, 복수의 화소의 각각은, 적(R), 녹(G), 청(B) 및 백(W)의 각 색을 발광하는 4개의 화소를 포함하고 있다. 복수의 화소의 각각에 있어서, 투광 영역의 면적이 화소의 면적의 약 75%로 되는 예를 나타내고 있다.
또한, 인접하는 행에 있어서, 주사 신호선(140)을 공유하는 구성을 갖고 있다. 이에 의해, 주사 신호선(140)의 개수를 반감시킴으로써 개구율을 향상시킬 수 있다.
[화소의 배치예 4]
도 19는 본 실시 형태에 따른 표시 장치(900)의 화소의 다른 배치예를 설명하는 평면도이다. 이 예에서는, 복수의 화소의 각각은, 적(R), 녹(G), 청(B) 및 백(W)의 각 색을 발광하는 4개의 화소를 포함하고 있다. 복수의 화소의 각각에 있어서, 투광 영역의 면적이 화소의 면적의 약 75%로 되는 예를 나타내고 있다.
또한, 인접하는 행 및 열에 있어서, 각각 주사 신호선(140) 및 영상 신호선(142)을 공유하는 구성을 갖고 있다. 이에 의해, 주사 신호선(140) 및 영상 신호선(142)의 개수를 반감시킴으로써 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 형태를 제1 실시 형태 내지 제9 실시 형태에 의해 설명하였다. 그러나, 이들은 단순한 예시에 지나지 않고, 본 발명의 기술적 범위는 그들에는 한정되지 않는다. 당업자라면 본 발명의 요지를 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능할 것이다. 따라서, 그들의 변경도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속한다고 이해되어야 한다.
100, 200, 250, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900 : 표시 장치
102, 104 : 기판
106 : 표시 영역
108 : 화소
110 : 시일재
114 : 단자 영역
116 : 접속 단자
120 : 화소 회로
122 : 선택 트랜지스터
124 : 구동 트랜지스터
126 : 축적 용량
128 : 발광 소자
130 : 주사선 구동 회로
132 : 영상선 구동 회로
134 : 구동 전원 회로
136 : 기준 전원 회로
138 : 제어 장치
140 : 주사 신호선
142 : 영상 신호선
144 : 전원 전위선
145 : 기준 전원선
146 : 발광 영역
148 : 투광 영역
150 : 뱅크
152 : 화소 전극
154 : 발광층
154a : 절연층화된 발광층
156 : 공통 전극
158, 160, 162 : 절연층

Claims (20)

  1. 발광 소자가 배치된 발광 영역과, 투광성을 갖는 축적 용량의 적어도 일부가 배치되고, 상기 축적 용량의 적어도 한쪽의 전극에 덮인 투광 영역이 각각에 형성되고, 행렬 형상으로 배열된 복수의 화소를 갖고,
    상기 발광 소자는, 상기 복수의 화소를 덮는 제1 전극과, 상기 제1 전극 아래에 형성된 발광층과, 상기 복수의 화소마다, 상기 발광층 아래에 형성된 제2 전극을 포함하고,
    상기 축적 용량은, 상기 제1 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은, 상기 투광 영역에 있어서, 절연성을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은, 투명 도전층을 포함하고,
    상기 축적 용량은, 상기 투명 도전층과 동시에 형성된 제3 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 화소를 구획하고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서 상기 발광 영역 및 상기 투광 영역을 또한 구획하는 뱅크를 더 갖고,
    상기 축적 용량은, 상기 제1 전극 아래에 형성되며, 상기 투광 영역을 덮고, 또한 상기 뱅크 위에 걸쳐 형성되는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 화소를 구획하고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서 상기 발광 영역 및 상기 투광 영역을 또한 구획하는 뱅크를 더 갖고,
    상기 축적 용량은, 상기 제1 전극 아래에 형성되며, 상기 투광 영역을 덮고, 또한 상기 뱅크 아래에 걸쳐 형성되는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는,
    상기 복수의 화소를 덮는 제1 전극과,
    상기 제1 전극 아래에 형성된 발광층과,
    상기 복수의 화소마다, 상기 발광층 아래에 형성된 제2 전극을 포함하고,
    상기 축적 용량은,
    상기 복수의 화소를 덮는 제3 전극과,
    상기 복수의 화소마다 형성된 제4 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 상기 투광 영역에 있어서, 상기 제1 전극과 도통하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 전원 전위를 공급하는 전원 전위선과 도통하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제4 전극은, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 전기적으로 독립된 복수의 영역으로 분할되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 발광 영역과 투광 영역이 각각에 형성된 복수의 화소가 행렬 형상으로 배치된 기판의 제1 면의 상방에, 상기 발광 영역에 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것을 포함하고,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 제1 면의 상방에 투명 도전층을 성막하고,
    상기 투명 도전층을 패터닝함으로써, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 상기 발광 영역을 덮는 제1 전극의 1층과, 상기 투광 영역을 덮는 제2 전극을 형성하고,
    상기 발광 영역을 덮는 금속층을 형성하여 상기 제1 전극의 다른 1층을 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 형성한 후에, 상기 복수의 화소를 덮는 발광층을 형성하고,
    상기 기판의 상기 제1 면과 반대의 제2 면측으로부터 에너지를 조사함으로써, 상기 금속층이 배치되는 영역을 제외한 상기 발광층의 영역을 절연층화하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 형성한 후에, 상기 복수의 화소를 구획하고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서 상기 발광 영역 및 상기 투광 영역을 또한 구획하는 뱅크를 형성하고,
    상기 뱅크를 형성한 후에, 상기 복수의 화소를 덮는 발광층을 형성하고,
    상기 발광층을 형성한 후에, 상기 투광 영역을 덮는 절연층을 형성하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 형성한 후에, 상기 복수의 화소를 구획하고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서 상기 발광 영역 및 상기 투광 영역을 또한 구획하는 뱅크를 형성하고,
    상기 뱅크를 형성한 후에, 상기 투광 영역을 덮고, 또한 상기 뱅크 위에 걸치는 절연층을 형성하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 제2 전극을 덮는 절연층을 형성하고,
    상기 절연층을 형성한 후에, 상기 복수의 화소를 구획하고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서 상기 발광 영역 및 상기 투광 영역을 또한 구획하는 뱅크를 형성하는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    상기 발광 소자의 공통 전극 및 상기 축적 용량의 한쪽의 전극을 공유하고, 상기 복수의 화소를 덮는 제1 전극을 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하고, 상기 투광 영역에 적어도 한쪽의 전극이 상기 투광 영역을 덮는 상기 축적 용량의 적어도 일부를 형성하는 것은,
    한쪽의 전극이 상기 복수의 화소를 덮는 제1 전극을 포함하는 상기 축적 용량을 형성하고,
    상기 축적 용량을 형성한 후에, 상기 발광 영역에 상기 발광 소자를 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 공통 전극이 상기 투광 영역에 있어서 상기 제1 전극에 접속되는 발광 소자인 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 전원 전위를 공급하는 전원 전위선과 도통하는 상기 제1 전극인 표시 장치의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020160046353A 2015-04-23 2016-04-15 표시 장치 KR101838378B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-088225 2015-04-23
JP2015088225A JP6577224B2 (ja) 2015-04-23 2015-04-23 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160126876A KR20160126876A (ko) 2016-11-02
KR101838378B1 true KR101838378B1 (ko) 2018-03-13

Family

ID=57146898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160046353A KR101838378B1 (ko) 2015-04-23 2016-04-15 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (4) US9865668B2 (ko)
JP (1) JP6577224B2 (ko)
KR (1) KR101838378B1 (ko)
CN (1) CN106067473B (ko)
TW (1) TWI612657B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11700749B2 (en) 2020-07-23 2023-07-11 Lg Display Co., Ltd. Transparent display device

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377230B (zh) * 2014-11-18 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置
KR102529665B1 (ko) * 2016-07-07 2023-05-10 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20180013577A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치와 그의 제조방법
US11108002B2 (en) * 2016-09-26 2021-08-31 Pioneer Corporation Light emitting device
US11283045B2 (en) 2017-03-27 2022-03-22 Pioneer Corporation Light-emitting device
CN116583153A (zh) * 2017-07-21 2023-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法
CN107644895B (zh) * 2017-09-22 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、其制备方法、驱动方法及显示装置
CN107706221B (zh) * 2017-09-28 2019-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器的制作方法及oled显示器
CN107910347A (zh) * 2017-10-18 2018-04-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示器件及oled显示面板
KR102483073B1 (ko) * 2017-12-06 2022-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN110034152B (zh) * 2018-01-12 2023-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110071138A (zh) 2018-01-24 2019-07-30 株式会社日本有机雷特显示器 发光装置和显示装置
JP2019186024A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 株式会社Joled 有機電界発光パネルおよび電子機器
JP2019186023A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 株式会社Joled 有機電界発光パネルおよび電子機器
KR20200019309A (ko) 2018-08-13 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11063104B2 (en) * 2018-12-28 2021-07-13 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device
CN110190094B (zh) * 2019-05-22 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
US11094719B2 (en) * 2019-07-23 2021-08-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing display panel, display panel, and display device
JP2021057276A (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210157640A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220012680A (ko) * 2020-07-23 2022-02-04 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN112466209B (zh) * 2020-09-30 2022-05-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112072000B (zh) * 2020-11-11 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112599572B (zh) * 2020-12-09 2022-12-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制造方法
KR20220086179A (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220090275A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
US20220208913A1 (en) * 2020-12-30 2022-06-30 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN112909053A (zh) * 2021-01-26 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN113053982A (zh) * 2021-03-16 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置
JP2022147461A (ja) 2021-03-23 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
DE112022001715T5 (de) * 2021-03-25 2024-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
US11815689B2 (en) 2021-04-30 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11699391B2 (en) 2021-05-13 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device
JP2024017823A (ja) 2022-07-28 2024-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130207099A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 E Ink Holdings Inc. Display apparatus
US20140225815A1 (en) 2013-02-12 2014-08-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20150028298A1 (en) 2013-07-23 2015-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950061B2 (ja) 1992-11-13 1999-09-20 日本電気株式会社 液晶表示素子
JPH06258669A (ja) 1993-03-04 1994-09-16 Canon Inc 液晶表示装置
JP3634089B2 (ja) 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2002196704A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Sharp Corp 有機elパネルおよびその製造方法
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP2009088320A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20120119430A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP6111398B2 (ja) * 2011-12-20 2017-04-12 株式会社Joled 表示装置および電子機器
JP2014049313A (ja) 2012-08-31 2014-03-17 Japan Display Inc エレクトロルミネセンス表示装置
KR20150019989A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR102033615B1 (ko) * 2013-09-27 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102211965B1 (ko) * 2013-10-18 2021-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2015158572A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 株式会社Joled 表示装置、電子機器
KR102236381B1 (ko) * 2014-07-18 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130207099A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 E Ink Holdings Inc. Display apparatus
US20140225815A1 (en) 2013-02-12 2014-08-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20150028298A1 (en) 2013-07-23 2015-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11700749B2 (en) 2020-07-23 2023-07-11 Lg Display Co., Ltd. Transparent display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20160315133A1 (en) 2016-10-27
US20180090551A1 (en) 2018-03-29
US20190157369A1 (en) 2019-05-23
TWI612657B (zh) 2018-01-21
US10651259B2 (en) 2020-05-12
TW201640674A (zh) 2016-11-16
US9865668B2 (en) 2018-01-09
CN106067473B (zh) 2019-04-12
JP2016207486A (ja) 2016-12-08
CN106067473A (zh) 2016-11-02
US10566404B2 (en) 2020-02-18
KR20160126876A (ko) 2016-11-02
US20200235184A1 (en) 2020-07-23
JP6577224B2 (ja) 2019-09-18
US11296172B2 (en) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101838378B1 (ko) 표시 장치
KR102112649B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 리페어 방법
JP6169005B2 (ja) 発光素子表示装置
CN109315049B (zh) 显示装置和电子设备
US11678555B2 (en) Display device having transmissive area
US11107399B2 (en) Organic light-emitting diode display device with pixel array
KR20190131254A (ko) 전계발광 표시장치
JP6684670B2 (ja) 表示装置
US11903285B2 (en) Display device and electronic device with peripheral connection to cathode electrode
JP6749160B2 (ja) 表示装置
JP6223070B2 (ja) 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
JP6258047B2 (ja) 発光素子表示装置
US11810491B2 (en) TFT substrate including a non-rectangular active region
WO2019073680A1 (ja) 表示装置
US10984726B2 (en) Display device
JP2015175921A (ja) 表示装置
KR102410104B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치
US20190006621A1 (en) Display device
US9966422B2 (en) Organic electro-luminescent display device having pixel including fin structure
KR102419781B1 (ko) 표시장치 및 촬상장치
JP6056073B2 (ja) 表示装置
JP2007188853A (ja) 表示装置
US11869421B2 (en) Display device
KR20220145948A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant