CN110071138A - 发光装置和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种发光装置和显示装置，其具备：多个像素，各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域；第一电极，设置在多个像素各自的发光区域；隔壁，设置在与第一方向交叉的第二方向上相邻的像素之间；发光层，连续设置在发光区域和非发光区域，并且覆盖第一电极；以及第二电极，隔着发光层与第一电极对置。

Description

发光装置和显示装置
技术领域
本公开涉及一种例如使用有机EL(Electroluminescence)元件等发光元件的显示装置和发光装置。
背景技术
作为使用有机电致发光元件的发光装置，提出了各种方案(例如参照专利文献1、2)。另外，提出了在各个像素中设置有发光区域与非发光区域的显示装置(例如参照专利文献3)。非发光区域与发光区域相比，可视光透射性高。从发光区域取出由发光元件产生的光，从非发光区域取出例如外部光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-49028号公报
专利文献2：日本特开2011-60592号公报
专利文献3：日本特开2015-79758号公报
发明内容
在上述显示装置中，要求从各个像素的发光区域取出充分的光。因此，期望提供一种可以从各个像素的发光区域取出充分的光的显示装置。
另外，在上述发光装置中，要求减少亮度不均、色彩再现不均等显示不均。因此，期望提供一种可以减少显示不均的发光装置。
另外，在上述发光装置中，在显示区域设置有透射从显示器背后射入的光的光透射区域的情况下，伴随高清晰化容易发生光衍射不良。因此，期望提供一种可以减少光衍射不良的发生的发光装置。
作为本公开的第一实施方式的显示装置，其具备：多个像素，各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域；第一电极，设置在多个像素各自的发光区域；隔壁，设置在与第一方向交叉的第二方向上相邻的像素之间；发光层，连续设置在发光区域和非发光区域，并且覆盖第一电极；以及第二电极，隔着发光层与第一电极对置。
在作为本公开的第一实施方式的显示装置中，因为发光层被连续设置在发光区域和非发光区域，所以能够抑制各个发光区域的发光层的厚度偏差。
作为本公开的第二实施方式的发光装置，其具备在基板上配置成矩阵状的多个显示像素。显示像素包含发光颜色互相不同的多个子像素。各个子像素具有与像素电极对置的发光区域，以及设置在发光区域周围的可视光透射区域；并且具有以遍及从发光区域到可视光透射区域的区域的方式设置的发光层。在各个子像素中，可视光透射区域相对发光区域设置在多个显示像素的第一排列方向的位置。
在作为本公开的第二实施方式的发光装置中，在各个子像素中，设置有共有发光层的发光区域和可视光透射区域；在各个子像素中，可视光透射区域相对发光区域，设置在多个显示像素的第一排列方向的位置。由此，与在每个显示像素中设置由可视光透射区域构成的子像素的情况相比，能够在显示像素内设置可视光透射区域的同时，增大子像素的尺寸。
作为本公开的第三实施方式的发光装置，其具备在基板上配置成矩阵状的多个彩色像素。各个彩色像素包含发光颜色互相不同的多个子像素和多个非发光像素，多个非发光像素包括可视光透射区域。在多个彩色像素的第一排列方向上，以彩色像素为单位，1个或多个子像素与1个或多个非发光像素交替配置。在多个彩色像素的第二排列方向上，以2个彩色像素为单位，1个或多个子像素与1个或多个非发光像素交替配置。
在作为本公开的第三实施方式的发光装置中，在第一排列方向上，以彩色像素为单位，1个或多个子像素与1个或多个非发光像素交替配置；在第二排列方向上，以2个彩色像素为单位，1个或多个子像素与1个或多个非发光像素交替配置。总之，在第一排列方向和第二排列方向的双方，1个或多个子像素与1个或多个非发光像素交替配置。由此，在第一排列方向和第二排列方向的双方，能够设置具有充分宽度的光透射区域。
根据作为本公开的第一实施方式的显示装置，因为在发光区域和非发光区域连续设置了发光层，所以能够抑制起因于发光层的厚度偏差的有效发光区域的减少。因此，可以从各个像素的发光区域取出充分的光。
根据作为本公开的第二实施方式的发光装置，因为与在每个显示像素中设置由可视光透射区域构成的子像素的情况相比，能够在显示像素内设置可视光透射区域的同时，增大子像素的尺寸；所以在例如使用涂布的方法形成发光层的情况下，能够使每个子像素的发光层的膜厚更加均一化，从而能够降低在互相邻接的子像素之间产生混色的可能性。因此，能够减少亮度不均、色彩再现不均等显示不均。
根据作为本公开的第三实施方式的发光装置，因为能够在第一排列方向和第二排列方向的双方，设置具有充分宽度的光透射区域；所以能够减少光衍射不良的发生。
再有，不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本公开中记载的任何一个效果。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的显示装置的整体结构的方框图。
图2是图1所示的像素的配置的示意图。
图3是图2所示的像素的更具体的结构的平面示意图。
图4A是沿着图3所示的A-A’线的截面结构的示意图。
图4B是沿着图3所示的B-B’线的截面结构的示意图。
图5是图3所示的像素的结构的其他例子(1)的平面示意图。
图6是图3所示的像素的结构的其他例子(2)的平面示意图。
图7是图4A、4B所示的有机层的结构的一个例子的截面示意图。
图8是按工序表示图1等所示的显示装置的制造方法的一个例子的流程图。
图9是比较例的显示装置的结构的平面示意图。
图10是沿着图9所示的A-A’线的截面结构的示意图。
图11是变形例的显示装置的主要部分的结构的截面示意图。
图12是图11所示的短路抑制层的结构的其他例子的截面示意图。
图13是表示电子设备的结构的方框图。
图14是表示本公开的第二实施方式的发光装置的概略结构例子的图。
图15是表示包含在图14的各个像素中的子像素的电路结构例子的图。
图16是表示图14的发光面板的概略结构例子的图。
图17是表示沿着图16的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图18是表示沿着图16的发光面板的B-B线的截面结构例子的图。
图19是表示沿着图16的发光面板的C-C线的截面结构例子的图。
图20是表示沿着图16的发光面板的D-D线的截面结构例子的图。
图21是用于说明图16的发光面板的制造方法的截面图。
图22是表示图14的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图23是表示沿着图22的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图24是用于说明图23的发光面板的制造方法的截面图。
图25是表示图14的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图26是表示图22的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图27是表示沿着图25、图26的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图28是表示具备本公开的发光装置的电子设备的外观的一个例子的立体图。
图29是表示具备本公开的发光装置的照明装置的外观的一个例子的立体图。
图30是表示本公开的第三实施方式的发光装置的概略结构例子的图。
图31是表示包含在图30的各个像素中的子像素的电路结构例子的图。
图32是表示图30的发光面板的概略结构例子的图。
图33是表示沿着图32的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图34是表示沿着图32的发光面板的B-B线的截面结构例子的图。
图35是表示图30的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图36是表示图30的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图37是表示沿着图36的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图38是表示图37的发光面板的制造过程的一个例子的图。
图39是表示图30的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图40是表示沿着图39的发光面板的A-A线的截面结构例子的图。
图41是表示图40的发光面板的制造过程的一个例子的图。
图42是表示图32的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图43是表示图36的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图44是表示图39的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图45是表示图42的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图46是表示图41～图44的发光面板的子像素的概略结构的一个例子的图。
图47是表示图32的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图48是表示图42的发光面板的概略结构的一个变形例的图。
图49是表示具备本公开的发光装置的电子设备的外观的一个例子的立体图。
图50是表示具备本公开的发光装置的照明装置的外观的一个例子的立体图。
符号的说明
1、1A 显示装置
10A 显示区域
10B 周边区域
DsTr 驱动晶体管
WsTr 写入晶体管
Cs 储存电容器
10 有机EL元件
11 第一基板
12 TFT
13 绝缘层
14 第一电极
15 隔壁
16 有机层
17 第二电极
18 保护层
19 短路抑制层
21 第二基板
22 彩色滤光片层
23 密封层
3 扫描线驱动部
4 信号线驱动部
5 电源线驱动部
6 电子设备
60 接口部
P、pr、pg、pb 像素
R1 发光区域
R2 非发光区域
H1 连接孔
200 发光装置
300 电子设备
210 发光面板
211 像素
212、212R、212G、212B 子像素
212-1 像素电路
212-2、212R、212G、212B 发光元件
213 接线排
214 绝缘层
214A 开口部
214B 横档部
214C 列限制部
214D 行限制部
214H 开口部
215 非显示像素
216 基板
220 控制器
221 阳极
222 空穴注入层
223 空穴传输层
224 发光层
224A 发光区域
224B、224C 光透射区域
224r、224g、224b 墨水液
225 电子传输层
226 电子注入层
227 阴极
228 密封层
230 驱动器
231 水平选择器
232 写入扫描仪
310 壳体
320 显示面
410 照明部
420 天花板
430 壁
Tr1 驱动晶体管
Tr2 选择晶体管
Cs 储存电容器
DSL 电源线
DTL 信号线
L1、L2、L3、L4、L5 宽度
Vgs 栅极-源极间电压
Vsig 信号电压
WSL 选择线
500 发光装置
600 电子设备
510 发光面板
511 像素
512、512R、512G、512B 子像素
512-1 像素电路
512-2、512r、512g、512b 发光元件
513 接线排
514 绝缘层
514A 开口部
514C 列限制部
514D 行限制部
515 非发光像素
516 基板
518 绝缘层
518A 开口部
520 控制器
521 阳极
522 空穴注入层
523 空穴传输层
524 发光层
524A 发光区域
524B 光透射区域
524r、524g、524b 墨水液
525 电子传输层
526 电子注入层
527 阴极
528 密封层
530 驱动器
531 水平选择器
532 写入扫描仪
610 壳体
620 显示面
710 照明部
720 天花板
730 壁
Tr1 驱动晶体管
Tr2 选择晶体管
Cs 储存电容器
DSL 电源线
DTL 信号线
Hr、Hg、Hb 开口宽度
Vgs 栅极-源极间电压
Vsig 信号电压
WSL 选择线。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。
<1.第一实施方式>
首先，对本公开的第一实施方式的显示装置1，参照附图进行详细说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.实施方式(在发光区域和非发光区域连续设置有发光层的显示装置)
2.变形例(在发光区域和非发光区域的境界附近具有短路抑制层的例子)
3.应用例(电子设备的例子)
[结构]
图1示意性地表示本实施方式的显示装置1的整体结构。显示装置1是例如使用有机电致发光元件(有机EL元件10)的有机EL显示器等，是例如R(红)、G(绿)、B(蓝)的任何一个颜色的光从上面侧射出的顶部发光型显示装置。该显示装置1具有中央的显示区域10A和该显示区域10A外侧的周边区域10B。
在显示区域10A中，设置有2维配置的多个像素pr、pg、pb。在该显示区域10A中，例如通过有源矩阵方式，根据从外部输入的视频信号显示图像。在周边区域10B，设置有例如用于驱动显示区域10A的电路部(扫描线驱动部3、信号线驱动部4和电源线驱动部5)。从显示区域10A到周边区域10B，设置有：例如沿着像素排列的行方向延伸的多条扫描线WSL，沿着列方向延伸的多条信号线DTL，以及沿着行方向延伸的多条电源线DSL。各个像素pr、pg、pb分别通过扫描线WSL、信号线DTL、电源线DSL与扫描线驱动部3、信号线驱动部4、电源线驱动部5电连接。像素pr、pg、pb例如各自相当于子像素，这些像素pr、pg、pb的组合构成1个像素(像素Pix)。
图2表示图1所示的像素Pix(像素pr、pg、pb)的平面构成的一个例子。像素pr、pg、pb的各个面形状具有例如矩形状，并且作为整体配置成条纹状。在沿着像素pr、pg、pb的矩形状的长边的方向(列方向、图2的Y方向)上，并列配置有相同发光颜色的像素。像素pr进行例如红色(R)的显示，像素pg进行例如绿色(G)的显示，像素pb进行例如蓝色(B)的显示。这些像素pr、pg、pb各自具有包括有机EL元件10的像素电路PXLC(图1)。
在下文中，如果不需要特别区别像素pr、pg、pb，那么将其统称为“像素P”来进行说明。
像素电路PXLC控制各个像素pr、pg、pb的发光和消光，以包含例如有机EL元件10、储存电容器Cs、写入晶体管WsTr和驱动晶体管DsTr的方式构成。再有，在这里，作为像素电路PXLC，虽然例示了2Tr1C的电路结构，但是像素电路PXLC的结构并不限定于此。像素电路PXLC也可以具有如下电路结构：对该2Tr1C的电路，进一步附加各种电容器、晶体管等。
写入晶体管WsTr控制对驱动晶体管DsTr的栅电极施加视频信号(信号电压)。具体地说，写入晶体管WsTr对应向扫描线WSL施加的电压对信号线DTL的电压(信号电压)进行取样，并且将该信号电压写入驱动晶体管DsTr的栅电极中。驱动晶体管DsTr与有机EL元件10串联，并且对应由写入晶体管WsTr进行取样而得的信号电压的大小控制流入有机EL元件10的电流。这些驱动晶体管DsTr和写入晶体管WsTr由例如n沟道MOS型或p沟道MOS型的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)形成。另外，这些驱动晶体管DsTr和写入晶体管WsTr可以是单栅极型，也可以是双栅极型。储存电容器Cs用于在驱动晶体管DsTr的栅电极与源电极之间保持所定的电压。
写入晶体管WsTr的栅电极连接于扫描线WSL。写入晶体管WsTr的源电极和漏电极中的一个电极连接于信号线DTL，另一个电极连接于驱动晶体管DsTr的栅电极。驱动晶体管DsTr的源电极和漏电极中的一个电极连接于电源线DSL，另一个电极连接于有机EL元件10的阳极(后述第一电极14)。储存电容器Cs***在驱动晶体管DsTr的栅电极与有机EL元件10侧的电极之间。
扫描线WSL用于向各个像素P供给选择脉冲，该选择脉冲用于逐行选择配置在显示区域10A的多个像素P。该扫描线WSL连接于扫描线驱动部3的输出端(未图示)和后述的写入晶体管WsTr的栅电极。信号线DTL用于向各个像素P供给对应于视频信号的信号脉冲(信号电位Vsig和基准电位Vofs)。该信号线DTL连接于信号线驱动部4的输出端(未图示)和后述的写入晶体管WsTr的源电极或漏电极。电源线DSL用于向各个像素P供给作为电力的固定电位(Vcc)。该电源线DSL连接于电源线驱动部5的输出端(未图示)和后述的驱动晶体管DsTr的源电极或漏电极。再有，有机EL元件10的阴极(后述的第二电极17)连接于共用电位线(阴极线)。
扫描线驱动部3通过以线的顺序向各条扫描线WSL输出所定的选择脉冲，从而在所定的定时对各个像素P实行例如阳极复位、Vth补正、信号电位Vsig的写入、移动性补正和发光动作等各个动作。信号线驱动部4生成对应于从外部输入的数字视频信号的模拟视频信号，并且向各条信号线DTL输出。电源线驱动部5对各条电源线DSL输出不变电位。这些扫描线驱动部3、信号线驱动部4和电源线驱动部5被控制为：通过由未图示的定时控制部输出的定时控制信号，以彼此联动的方式进行动作。另外，从外部输入的数字视频信号在由未图示的视频信号接收部补正之后，输入信号线驱动部4。
以下，说明显示装置1的具体结构。
图3更具体地表示了图2所示的显示装置1的像素P(像素pr、pg、pb)的结构。图4A、图4B分别表示沿着图3的A-A’线、图3的B-B’线的截面结构。在图4A、图4B中，虽然表示了像素pr的截面结构，但是像素pg、pb也具有与此相同的截面结构。
像素pr、pg、pb各自沿着长边方向(列方向、图3的Y方向、第一方向)具有发光区域R1和非发光区域R2。换句话说，由发光区域R1和非发光区域R2构成像素pr、pg、pb。在与长边方向交叉的短边方向(行方向、图3X的方向、第二方向)上相邻的像素pr、pg、pb之间(像素pr与像素pg之间、像素pg与像素pb之间、像素pb与像素pr之间)，设置有隔壁15。在发光区域R1设置有有机EL元件10，并且在有机EL元件10中产生的光被从发光区域R1取出。非发光区域R2是具有比发光区域R1的光透射率高的光透射率的区域，例如外部光被从非发光区域R2取出。该非发光区域R2是为了取出外部光等而故意设置的区域，例如具有与发光区域R1大致相同的面积。虽然非发光区域R2的面积可以比发光区域R1的面积小，但是该非发光区域R2不包括无意中产生的非发光区域。
显示装置1在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1具有被密封在对置的第一基板11和第二基板21之间的有机EL元件10。显示装置1在第一基板11上具有TFT(Thin FilmTransistor)12和覆盖该TFT12的绝缘层13。有机EL元件10设置在绝缘层13上，从接近绝缘层13的位置具有：第一电极14、包含有机发光材料(后述的发光层163)的有机层16和第二电极17。隔壁15设置在第一电极14与第二电极17之间(图4B)。在有机EL元件10上，例如设置有保护层18，并且在该保护层18上通过密封层23贴合有第二基板21。在第二基板21的与第一基板11对置的面上，设置有例如彩色滤光片层22。
在各个像素pr、pg、pb的非发光区域R2，依次设置有：第一基板11、绝缘层13、有机层16、第二电极17、保护层18、密封层23和第二基板21。
第一基板11由例如玻璃、石英、硅、树脂材料或金属板等构成。作为树脂材料，可以列举：例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PC(聚碳酸酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等。
TFT12相当于如图1所示的驱动晶体管DsTr，例如设置在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1。该TFT12例如在第一基板11上的选择性区域依次具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极。半导体层能够使用例如氧化物半导体材料。设置有覆盖半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的层间绝缘膜，并且TFT12在该层间绝缘膜上具有一对源·漏电极。该源·漏电极通过设置在层间绝缘膜上的连接孔(未图示)与半导体层电连接。一对源·漏电极中的一方通过设置在绝缘层13上的连接孔H1与第一电极14电连接。在这里，虽然作为TFT12，说明了所谓的顶栅结构；但是并不限定于此，TFT12也可以是所谓的底栅结构。另外，也可以由非晶质硅(非晶硅)、多晶硅(聚硅)和微晶硅等硅类半导体构成半导体层。
也可以在第一基板11与TFT12(半导体层)之间，设置UC(Under Coat)膜。UC膜用于防止例如钠离子等物质从第一基板11向上层移动，由氮化硅(SiN)膜和氧化硅(SiO2)膜等绝缘材料构成。
绝缘层13以覆盖TFT12的方式设置在发光区域R1和非发光区域R2。绝缘层13也可以例如从第一基板11侧依次层叠无机绝缘层和有机绝缘层来构成。无机绝缘层例如能够使用厚度为200nm的氧化硅(SiO2)膜。无机绝缘层也可以使用氮化硅(SiN)膜或氮氧化硅(SiON)膜等，也可以使用它们的层叠体。有机绝缘层优选地使用对可见光区域的波长的光具有高透光性的材料。例如有机绝缘层能够使用具有可见光透射性的聚酰亚胺树脂(透明聚酰亚胺树脂)膜。该聚酰亚胺树脂膜的厚度是例如3000nm。有机绝缘层也可以使用具有可见光透射性的环氧树脂、具有可见光透射性的酚醛清漆树脂或具有可见光透射性的丙烯酸树脂等。
有机EL元件10配置在每个像素pr、pg、pb的绝缘层13上。有机EL元件10的第一电极14按照像素pr、pg、pb分离设置。
第一电极14选择性地设置在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1和非发光区域R2中的发光区域R1。换句话说，各个像素pr、pg、pb中的设置有第一电极14的区域是发光区域R1。该第一电极14例如是发挥作为阳极的功能的反射电极，在每个像素pr、pg、pb中配置着具有矩形的平面形状的第一电极14。第一电极14的长边(沿着图3、图4B的Y方向的边)的两端部被隔壁15覆盖。
图5和图6表示像素pr、pg、pb的平面形状的一个例子。像这样，也可以按照颜色(红色、绿色、蓝色)，使像素pr、pg、pb的形状和大小不同。换句话说，配置在像素pr、pg、pb中的第一电极14的形状和大小也可以不同。显示装置1可以具有短边方向(行方向、图5的X方向)的大小不同的第一电极14，或者，也可以具有长边方向(列方向、图6的Y方向)的大小不同的第一电极14。
作为第一电极14的构成材料，可以列举：例如铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)或银(Ag)等金属元素的单体或合金。另外，第一电极14也可以包含：由这些金属元素的单体或合金构成的金属膜与具有可见光透射性的导电材料(透明导电膜)的层叠膜。作为透明导电膜，可以列举：例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)类材料等。作为氧化锌类材料，可以列举：例如添加有铝(Al)的氧化锌(AZO)，和添加有镓(Ga)的氧化锌(GZO)等。
在行方向(图3的X方向)上相邻的第一电极14之间设置的隔壁15，沿着列方向(图3的Y方向)延伸。在显示装置1中，在行方向上相邻的像素pr、pg、pb(第一电极14)之间设置的隔壁15配置成条纹状。隔壁15的平面形状也可以不是直线状。俯视(从XY平面的上方看)时，隔壁15的粗细可以有偏差，或者，也可以有弯曲部等。该隔壁15用于分离相邻的像素P的列(像素pr的列、像素pg的列或像素pb的列)。隔壁15的表面具有疏液性，在被隔壁15区划的像素pr的列、像素pg的列和像素pb的列上，形成有机层16。隔壁15也起着确保第一电极14与第二电极17之间的绝缘性的作用。
隔壁15优选地由对可见光区域的波长的光具有高透光性的材料构成。该隔壁15的材料例如能够使用具有可见光透射性的树脂材料。具体地说，隔壁15能够使用具有可见光透射性的丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂(透明聚酰亚胺)、氟类树脂、硅类树脂、氟类聚合物、硅类聚合物、酚醛清漆(novolak)类树脂、环氧类树脂或降冰片烯类树脂等感光树脂。或者，也可以将颜料分散在这些树脂材料中使用。可以是构成如上所述的隔壁15的树脂材料具有疏液性，或者，也可以是通过氟等离子体处理等表面处理赋予隔壁15疏液性。隔壁15的高度(图4B的Z方向的大小)是例如1.5μm～2μm。
在本实施方式中，由条纹状的隔壁15按照像素P的列隔开的有机层16，连续设置在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1和非发光区域R2(图4A)。换句话说，各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1与非发光区域R2之间不存在隔板(例如隔壁)。有机层16也连续设置在列方向上相邻的像素pr之间、像素pg之间和像素pb之间。由此，可以抑制在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1中的有机层16的厚度偏差，对此在后面详细叙述。只要至少有机层16中的发光层(后述的发光层163)连续设置在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1和非发光区域R2即可。有机层16分别设置在发光区域R1中的第一电极14与第二电极17之间，以及非发光区域R2中的绝缘层13与第二电极17之间(图4A)。
图7表示有机层16的具体结构的一个例子。覆盖第一电极14的有机层16，例如从接近第一电极14的位置依次具有空穴注入层161、空穴传输层162、发光层163、电子传输层164和电子注入层165。有机层16如后所述，例如使用涂布法形成，并且设置在每个像素pr的列、像素pg的列或像素pb的列的第一电极14与第二电极17之间。该有机层16的厚度(例如，图4A、图4B的Z方向的大小)是100nm～200nm。发光层163例如对于每个像素pr、pg、pb，具有颜色互相不同的发光层163。例如，像素pr的发光层163产生红色，像素pg的发光层163产生绿色，像素pb的发光层163产生蓝色。
空穴注入层161是用于防止泄漏的层，由例如六氮杂苯并菲(HAT)等构成。空穴注入层161的厚度是例如1nm～20nm。空穴传输层162由例如α-NPD〔N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-〔1,1’-biphenyl〕-4,4’-diamine〕构成。空穴传输层162的厚度是例如15nm～100nm。
发光层163以通过空穴与电子的耦合而发出所定颜色的光的方式构成，具有例如5nm～50nm的厚度。发出红色波长范围的光的发光层163由例如掺杂吡咯亚甲基(pyrromethene)硼络合物的红荧烯构成。这时，红荧烯被作为主体材料使用。发出绿色波长范围的光的发光层163由例如Alq3(三羟基喹啉(trisquinolinol)铝络合物)构成。发出蓝色波长范围的光的发光层163由例如掺杂二氨基草屈(Diamino chrysene)衍生物的ADN(9,10-二(2-萘基)蒽)构成。这时，ADN作为主体材料，以例如厚度20nm沉积在空穴传输层162上，二氨基草屈衍生物作为掺杂剂材料，以相对膜厚比5％掺杂。
电子传输层164由BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)构成。电子传输层164的厚度是例如15nm～200nm。电子注入层165由例如氟化锂(LiF)构成。电子注入层165的厚度是例如15nm～270nm。
隔着有机层16(发光层163)与第一电极14对置的第二电极17，发挥例如作为阴极的功能，并且形成在显示区域10A的整个(作为全像素P的共同的电极)表面上。该第二电极17设置在像素pr、pg、pb的发光区域R1和非发光区域R2。该第二电极17由例如透明导电膜构成。作为透明导电膜，可以列举：例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)类材料等。作为氧化锌类材料，可以列举：例如添加铝(Al)的氧化锌(AZO)，和添加镓(Ga)的氧化锌(GZO)等。第二电极17的厚度虽然没有特别的限定，但是可以考虑导电性和可见光透射性进行设定。此外，第二电极17也可以使用镁与银的合金(MgAg合金)。
保护层18以覆盖第二电极17的方式设置，由例如氮化硅等构成。该保护层18发挥作为防止水分侵入有机EL元件10且防止发光效率等特性变化的保护膜的功能。
密封层23使保护层18与第二基板21贴合，并且密封有机EL元件10。作为密封层23的材料，可以列举：例如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂、硅类树脂、氟类聚合物、硅类聚合物、酚醛清漆类树脂、环氧类树脂和降冰片烯类树脂等。或者，也可以将颜料分散在这些树脂材料中使用。
彩色滤光片层22例如包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。该彩色滤光片层22例如设置在第二基板21的一面(例如密封层23侧的面)。在与像素pr的有机EL元件10对置的区域设置有红色滤光片，在与像素pg的有机EL元件10对置的区域设置有绿色滤光片，在与像素pb的有机EL元件10对置的区域设置有蓝色滤光片。这些红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片分别由混入颜料的树脂构成。
也可以在上述红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片之间的区域(像素间的区域)设置黑色基质层。该黑色基质层由例如混入黑色的着色剂的树脂膜或利用薄膜干涉的薄膜滤光片构成。薄膜滤光片是例如将由金属、金属氮化物或金属氧化物构成的薄膜层叠1层以上，并且利用薄膜干涉而使光衰减的滤光片。作为薄膜滤光片，具体地说，可以列举：Cr与氧化铬(III)(Cr2O3)交替地层叠的薄膜滤光片。
第二基板21与密封层23一起密封有机EL元件10。该第二基板21由例如透射有机EL元件10产生的光的玻璃或塑料等材料构成。
[制造方法]
图8按工序表示显示装置1的制造方法的一个例子。显示装置1以如下方式制造。
首先，在第一基板11上形成TFT12(步骤S101)。接着，在以覆盖该TFT12的方式，使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成氧化硅膜之后；使用例如旋涂法、狭缝涂布法形成由具有光敏性的材料构成的有机绝缘层。由此，形成绝缘层13(步骤S102)。之后，在绝缘层13上，形成到达TFT12的源·漏电极的连接孔H1(步骤S103)。
接着，在绝缘层13上形成第一电极14(步骤S104)。具体地说，在以嵌入在绝缘层13上形成的连接孔H1的方式，由例如溅射法形成导电材料之后，通过光刻和蚀刻进行图案化，从而形成第一电极14。
在形成第一电极14之后，沿着第一电极14的长边方向(列方向)，形成条纹状的隔壁15(步骤S105)。接着，在由该隔壁15区划的区域(像素pr的列、像素pg的列和像素pb的列)的各个像素pr、pg、pb的发光区域R1和非发光区域R2连续形成有机层16(步骤S106)。有机层16例如通过使用喷墨法等涂布法涂布有机层16的构成材料而形成。有机层16例如也可以通过使用分注器(dispenser)的涂布法而形成。至少有机层16中的发光层163(图7)优选地使用涂布法形成。也就是说，发光层163优选涂布层。
在形成有机层16之后，在有机层16上，例如通过溅射法形成由上述材料构成的第二电极17(步骤S107)。接着，在该第二电极17上例如通过CVD法形成保护层18之后，在该保护层18上，隔着密封层23贴合第二基板21。例如在该第二基板21上预先形成彩色滤光片层22。这样做，制成显示装置1。
[作用，效果]
在本实施方式的显示装置1中，通过从扫描线驱动部3向各个像素P的写入晶体管WsTr供给选择脉冲，像素P被选择。从信号线驱动部4对该被选择的像素P供给对应于视频信号的信号电压，并且保持在储存电容器Cs中。对应保持在储存电容器Cs中的信号，驱动晶体管DsTr被开关控制，驱动电流被注入到有机EL元件10中。由此，在有机EL元件10(发光层163)中，空穴与电子再耦合而发光。该光从各个像素pr、pg、pb的发光区域R1透过例如第二电极17、保护层18、密封层23、彩色滤光片层22和第二基板21而被取出。由此，从各个像素P(像素pr、pg、pb)射出红色光、绿色光和蓝色光，并且通过这些色光的加色混合，显示彩***。透过第一基板11、绝缘层13、有机层16、第二电极17、保护层18、密封层23和第二基板21的外部光被从各个像素pr、pg、pb的非发光区域R2取出。显示装置1是所谓的透视(See-through)型显示装置。
这里，在本实施方式中，因为在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1和非发光区域R2连续设置了发光层163，所以能够抑制在各个发光区域R1中的发光层163的厚度偏差。以下，对此进行说明。
图9示意性地表示比较例的显示装置(显示装置100)的像素pr、pg、pb的平面结构。图10表示沿着图9所示的A-A’线的截面结构。在该显示装置100中，设置有围绕各个像素pr、pg、pb的发光区域R1的隔壁(隔壁115)。具体地说，隔壁115设置在行方向上相邻的像素pr、pg、pb之间，并且也设置在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1与非发光区域R2之间。有机层16仅设置在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1，而在非发光区域R2没有设置有机层16。也就是说，在列方向上相邻的像素pr之间、像素pg之间和像素pb之间，有机层16被非发光区域R2分割。
像这样，仅在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1配置的有机层16(发光层)的厚度容易产生偏差。由于该发光区域R1的发光层的厚度偏差，在发光区域R1中，发挥发光层的功能的区域即有效发光区域变窄。
另外，在显示装置100中，因为使用涂布法在每个像素pr、pg、pb中形成圆点状的发光层，所以每个像素pr、pg、pb的发光层的厚度容易产生偏差。
并且，在显示装置100对应像素pr、pg、pb具有形状或大小不同的第一电极14的情况(参照图5、图6)下，有必要对于每个像素pr、pg、pb，进行印刷条件的最优化。不易实现这样复杂的制造工序。
对此，在本实施方式中，因为在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1与非发光区域R2之间没有设置隔壁(隔壁115)，所以发光层163能够在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1和非发光区域R2连续设置。由此，在各个像素pr、pg、pb的发光区域R1中，发光层163的厚度稳定，从而能够抑制发光层163的厚度偏差。
另外，因为在列方向上相邻的像素pr、pg、pb之间，也连续设置有发光层163；所以在每个像素pr、pg、pb的列上可以形成条纹状的发光层163。因此，与在每个像素pr、pg、pb中设置圆点状的发光层的情况(图9和图10的显示装置100)相比，不需要高印刷精度就能够简便地形成厚度均一的发光层163。
并且，在显示装置1对应像素pr、pg、pb具有形状和大小不同的第一电极14时(参照图5、图6)，也可以在每个像素pr、pg、pb的列上形成条纹状的发光层163。因此，与显示装置100相比，在显示装置1中，印刷条件的最优化变得容易，从而容易制造。
如上所述，在显示装置1中，因为在发光区域R1和非发光区域R2连续设置了发光层163，所以能够抑制起因于发光层163的厚度偏差的有效发光区域的减少。因此，可以从各个像素pr、pg、pb的发光区域R1取出充分的光。特别是，在显示装置1为高清晰的情况下，适宜使用本技术。这是因为起因于布线等而遮光区域变大，提高光提取效率变得重要。
以下，对上述实施方式的变形例进行说明，其中，在以后的说明中对与上述实施方式相同的构成部分附加相同的符号，并适当省略其说明。
<2.第一实施方式的变形例>
图11示意性地表示第一实施方式的变形例的显示装置1A的截面(YZ截面)结构。该显示装置1A具有覆盖第一电极14的短边的两端部的短路抑制层(短路抑制层19)。除了这点之外，显示装置1A具有与上述实施方式的显示装置1同样的结构，其作用和效果也相同。
短路抑制层19设置在各个像素pr、pg、pb内的发光区域R1与非发光区域R2的境界附近(图11的纸面右侧)，以及在列方向上相邻的像素pr、pg、pb的发光区域R1与非发光区域R2的境界附近(图11的纸面左侧)。短路抑制层19也可以仅设置在各个像素pr、pg、pb内或列方向上相邻的像素pr、pg、pb之间的任何一方。该短路抑制层19设置在第一电极14与有机层16(发光层163)之间，并且以从第一电极14的表面覆盖短边端部的方式设置在绝缘层13上。短路抑制层19的至少一部分优选地设置在与连接孔H1对置的部分上，并且该连接孔H1设置在绝缘层13上。
作为构成短路抑制层19的材料，可以列举：例如具有可见光透射性的聚酰亚胺类树脂，具有可见光透射性的硅类树脂，具有可见光透射性的硅类聚合物，具有可见光透射性的酚醛清漆类树脂，具有可见光透射性的环氧类树脂，以及具有可见光透射性的降冰片烯类树脂等绝缘材料。短路抑制层19的高度(图11的Z方向的大小)是例如500nm～1μm。该短路抑制层19用于抑制第一电极14的端部附近的第一电极14与第二电极17的短路的发生。一般来说，在第一电极14的端部和连接孔H1的正上方附近，容易产生起因于段差的有机层16的薄膜化或断开。通过设置短路抑制层19，能够抑制发生该有机层16的薄膜化或起因于断开的第一电极14与第二电极17之间的短路。在第一电极14的长边的两端部附近，能够通过隔壁15抑制第一电极14与第二电极17之间的短路的发生。
如图12所示，短路抑制层19也可以设置为从发光区域R1与非发光区域R2的境界附近延伸到非发光区域R2。
显示装置1A也因为与上述显示装置1同样，在发光区域R1和非发光区域R2连续设置有有机层16(发光层163)；所以能够抑制起因于有机层16的厚度偏差的有效发光区域的减少。另外，通过短路抑制层19，能够抑制第一电极14的短边的两端部附近的短路的发生。
<3.应用例(电子设备)>
在第一实施方式等中说明的显示装置1、1A能够适用于各种类型的电子设备。图13表示电子设备6的功能块结构。作为电子设备6，可以列举：例如电视机、个人电脑(PC)、智能手机、平板电脑、手机、数码相机和数码摄像机等。
电子设备6例如具有上述显示装置1、1A和接口部60。接口部60是输入来自外部的各种信号和电源等的输入部。该接口部60另外也可以包括例如触控面板、键盘或操纵按钮等用户接口。
虽然以上列举第一实施方式及其变形例和应用例进行了说明，但是本技术不限于第一实施方式等，可以做出各种变化。例如在第一实施方式等中记载的各层的材料和厚度或成膜方法和成膜条件等不限于所列举的内容，也可以采用其他材料和厚度或成膜方法和成膜条件。
另外，有机层16只要至少包括发光层163即可，例如有机层16也可以仅由发光层163构成。发光层163可以产生例如白色光，像素pr、pg、pb也可以具有产生相同颜色的光的发光层173。
另外，在第一实施方式等中，虽然对有源矩阵型显示装置的情况进行了说明，但是本公开也可以适用于无源矩阵型显示装置。另外，用于有源矩阵驱动的像素电路PXLC的结构不限定于上述实施方式所述，也可以根据需要追加电容元件、晶体管。在这种情况下，对应像素电路PXLC的变更，除了上述扫描线驱动部3、信号线驱动部4和电源线驱动部5之外，也可以追加必要的驱动电路。
另外，在第一实施方式等中，虽然对显示装置1、1A具有彩色滤光片层22(图4A等)的情况进行了说明，但是也可以省略彩色滤光片层22。
另外，也可以由可见光透射性的导电材料构成第一电极14，由光反射性的导电材料构成第二电极17。这时，在发光层163中产生的光被从第一基板11侧取出。
另外，虽然在图3中，表示了沿着像素Pr、pg、pb内的列方向，依次配置发光区域R1和非发光区域R2的例子；但是发光区域R1和非发光区域R2可以自由配置。例如也可以沿着像素Pr、pg、pb内的列方向，依次配置非发光区域R2、发光区域R1和非发光区域R2。
在第一实施方式等中说明的效果只是一个例子，本公开的效果并不限定于此，可以是其他效果，也可以进一步包括其他效果。
<4.第二实施方式>
[结构]
图14表示本公开的第二实施方式的发光装置200的概略结构例子。图15表示包含于设置在发光装置200中的各个像素211的子像素212的电路结构的一个例子。发光装置200例如具备发光面板210、控制器220和驱动器230。驱动器230例如安装在发光面板210的外缘部分。发光面板210具有配置成矩阵形状的多个像素211。控制器220和驱动器230根据从外部输入的视频信号Din和同步信号Tin，驱动发光面板210(多个像素211)。
(发光面板210)
发光面板210由控制器220和驱动器230有源矩阵驱动各个像素211，由此根据从外部输入的视频信号Din和同步信号Tin显示图像。发光面板210具有：在行方向上延伸的多根扫描线WSL和多根电源线DSL，在列方向上延伸的多根信号线DTL，以及配置成矩阵形状的多个像素211。
扫描线WSL用于选择各个像素211，并且向各个像素211供给选择脉冲，该选择脉冲以每个所定单位(例如像素行)选择各个像素211。信号线DTL用于将对应于视频信号Din的信号电压Vsig提供给各个像素211，并且将包含信号电压Vsig的数据脉冲提供给各个像素211。电源线DSL用于向各个像素211供给电力。
各个像素211例如以包含发出红色光的子像素212、发出绿色光的子像素212和发出蓝色光的子像素212的方式构成。总之，多个子像素212按照所定的数量作为显示像素(像素211)分组。再有，各个像素211例如也可以以进一步包含发出其他颜色(例如白色、黄色等)的光的子像素212的方式构成。在各个像素211中，多个子像素212例如以在所定的方向上排成一列的方式配置。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器231的输出端。对于每个像素列，例如分配多根信号线DTL中的1根。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪232的输出端。对于每个像素行，例如分配多根扫描线WSL中的1根。各根电源线DSL连接于电源的输出端。对于每个像素行，例如分配多根电源线DSL中的1根。
各个子像素212具有像素电路212-1和发光元件212-2。对于发光元件212-2的结构，在后面详细叙述。
像素电路212-1控制发光元件212-2的发光·消光。像素电路212-1具有通过后述的写入扫描来保持写入各个子像素212的电压的功能。像素电路212-1以例如包含驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2和储存电容器Cs的方式构成。
写入晶体管Tr2控制对驱动晶体管Tr1的栅极施加对应于视频信号Din的信号电压Vsig。具体地说，写入晶体管Tr2对信号线DTL的电压进行采样，并且将采样得到的电压写入驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1串联于发光元件212-2。驱动晶体管Tr1驱动发光元件212-2。驱动晶体管Tr1根据由写入晶体管Tr2采样的电压的大小，控制流入发光元件212-2的电流。储存电容器Cs用于在驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间保持所定的电压。储存电容器Cs具有在所定的期间中使驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间的电压Vgs保持一定的功能。再有，像素电路212-1可以是对上述2Tr1C的电路附加各种电容器、晶体管的电路结构，也可以是与上述2Tr1C的电路结构不同的电路结构。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器231的输出端与写入晶体管Tr2的源极或漏极。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪232的输出端与写入晶体管Tr2的栅极。各根电源线DSL连接于电源电路与驱动晶体管Tr1的源极或漏极。
写入晶体管Tr2的栅极连接于扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极或漏极连接于信号线DTL。写入晶体管Tr2的源极和漏极中的未与信号线DTL连接的端子连接于驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接于电源线DSL。驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的未与电源线DSL连接的端子连接于发光元件212-2的阳极221。储存电容器Cs的一端连接于驱动晶体管Tr1的栅极。储存电容器Cs的另一端连接于驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的发光元件212-2侧的端子。
(驱动器230)
驱动器230例如具有水平选择器231和写入扫描仪232。水平选择器231例如对应(同步)控制信号的输入，将从控制器220输入的模拟信号电压Vsig施加到各根信号线DTL上。写入扫描仪232以每个所定单位扫描多个子像素212。
(控制器220)
其次，对控制器220进行说明。控制器220例如对从外部输入的数字视频信号Din进行所定的补正，并且根据由此得到的视频信号生成信号电压Vsig。控制器220例如将生成的信号电压Vsig向水平选择器231输出。控制器220例如对应(同步)从外部输入的同步信号Tin，对驱动器230内的各个电路输出控制信号。
其次，参照图16～图20，说明发光元件212-2。图16表示发光面板210的概略结构例子。图17表示沿着图16的发光面板210的A-A线的截面结构例子(即像素211的行方向的截面结构例子)。图18表示沿着图16的发光面板210的B-B线的截面结构例子(即子像素212(212R)的列方向的截面结构例子)。图19表示沿着图16的发光面板210的C-C线的截面结构例子(即子像素212(212R)的列方向的截面结构例子)。图20表示沿着图16的发光面板210的D-D线的截面结构例子(即子像素212(212R)的列方向的截面结构例子)。再有，在图18中，表示避开后述的横档部214B处且在下部对后述的空穴注入层222露出阳极221处的截面结构例子。在图19中，表示包含横档部214B处的截面结构例子。在图20中，表示避开后述的横档部214B处且在下部不存在阳极221处的截面结构例子。
发光面板210具有配置成矩阵形状的多个像素211。各个像素211如上所述，以包含发出红色光的子像素212(212R)、发出绿色光的子像素212(212G)和发出蓝色光的子像素212(212B)的方式构成。
子像素212R以包含发出红色光的发光元件212-2(212r)的方式构成。子像素212G以包含发出绿色光的发光元件212-2(212g)的方式构成。子像素212B以包含发出蓝色光的发光元件212-2(212b)的方式构成。子像素212R、212G、212B例如为条纹排列。在各个像素211中，例如子像素212R、212G、212B在行方向上排列配置。并且，在各个像素行中，例如发出同一种颜色的光的多个子像素212在列方向上排列配置。
发光面板210具有基板216。基板216由基材和设置在基材上的布线层构成，该基材例如支撑各个发光元件212-2、绝缘层214、后述的各个列限制部214C和后述的各个行限制部214D等。基板216内的基材由具有可见光透射性的材料构成。基板216内的基材由例如无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃或石英等形成。基板216内的基材也可以由例如丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅类树脂或氧化铝等形成。在基板216内的布线层中，例如形成有各个像素211的像素电路212-1。再有，在基板216中，至少与后述的光透射区域224B对置处具有透光性。
发光面板210在基板216上具有绝缘层214。绝缘层214用于区划各个子像素212。鉴于膜厚偏差、底部线宽的控制，绝缘层214的厚度的上限优选地在制造上可以控制形状的范围内，优选10μm以下。另外，绝缘层214的厚度的上限，更优选地在可以抑制由曝光工序的曝光时间增大导致的工序时间增加，并且抑制量产工序中的生产率降低的范围内，更优选7μm以下。另外，绝缘层214的厚度的下限，鉴于随着膜厚变薄有必要将底部线宽补充为与膜厚大致相同，由曝光机和材料的分辨率限度决定。绝缘层214的厚度的下限，鉴于膜平坦性优选薄一些，鉴于生产率优选0.5μm以上。因此，绝缘层214的厚度优选大于等于0.5μm且小于等于10μm，更优选大于等于0.5μm且小于等于7μm。
绝缘层214具有区划各个子像素212的多个列限制部214C和多个行限制部214D。列限制部214C相当于本公开的“第一壁部”的一个具体例子。行限制部214D相当于本公开的“第二壁部”的一个具体例子。
各个列限制部214C在所定的方向(列方向)上延伸，各个行限制部214D在与列限制部214C正交的方向(行方向)上延伸。多个列限制部214C在列方向上延伸，并且在行方向上隔着所定的间隙并列配置。多个行限制部214D在行方向上延伸，并且在列方向上隔着所定的间隙并列配置。多个列限制部214C和多个行限制部214D互相交叉(例如正交)，为格栅形设计。各个子像素212由互相邻接的2个列限制部214C和互相邻接的2个行限制部214D包围。因此，通过互相邻接的2个列限制部214C和互相邻接的2个行限制部214D，区划各个子像素212。
绝缘层214对于每个子像素212具有在列方向上延伸的横档部214B。并且，绝缘层214具有多个(例如2个)狭缝状的开口部214A，该多个狭缝状的开口部214A在由互相邻接的2个列限制部214C和互相邻接的2个行限制部214D包围的区域内且处于未形成各个横档部214B处。在各个子像素212中，后述的阳极221的表面从一方的开口部214A的下部露出。为此，通过由从开口部214A的下部露出的阳极221供给的空穴与由后述的阴极227供给的电子，在后述的发光层224中再结合，从而在发光层224中发光。因此，发光层224中的与在下部露出阳极221的开口部214A对置的区域，为发光区域224A。
在各个子像素212中，阳极221的表面没有从另一方的开口部214A的下部露出，在与另一方的开口部214A对置处，没有设置阳极221。并且，在各个子像素212中，与另一方的开口部214A对置处，具有可见光透射性。因此，在各个子像素212中，与另一方的开口部214A对置处，为具有可见光透射性的光透射区域224B。在各个子像素212中，光透射区域224B设置在发光区域224A的周围。具体地说，在各个子像素212中，光透射区域224B相对发光区域224A，设置在多个像素211的所定的排列方向(第一排列方向)的位置。具体地说，“所定的排列方向”是指与列限制部214C的延伸方向正交的方向。
行限制部214D的高度(从基板216的高度)如图17～图20所示，比列限制部214C的高度(从基板216的高度)低。行限制部214D的高度(从基板216的高度)例如优选地，为发光元件212-2的阳极221和阴极227的距离(例如1.2μm)的80％以下的高度(例如0.8μm)。这时，在列方向上排列的多个子像素212，配置在由这些子像素212的左右的2个列限制部214C形成的带状的沟部中，例如互相共有发光层224。总之，发光层224横跨行限制部214D，设置在从相邻的2个子像素212中的一个到另一个的区域。换句话说，发光层224横跨行限制部214D，为相邻的2个子像素212所共有。
各个开口部214A的行方向的截面如图17所示，呈上方展宽的梯形形状。另外，各个开口部214A的列方向的截面如图18所示，呈上方展宽的梯形形状。另外，各个开口部214A的侧面也可以是使从发光层224发出的光上升的反射构造。如果将后述的密封层228的折射率作为n1，绝缘层214的折射率作为n2；那么n1、n2满足下列式(1)、(2)。n2优选大于等于1.4且小于等于1.6。由此，从发光层224发出的光向外部的提取效率得到提高。
1.1≤n1≤1.8……(1)
|n1-n2|≥0.20……(2)
另外，各个开口部214A的深度D(即绝缘层214的厚度)、绝缘层214的上面侧的开口宽度Wh、绝缘层214的下面侧的开口宽度WL进一步优选地满足下列式(3)、(4)。
0.5≤WL/Wh≤0.8……(3)
0.5≤D/WL≤2.0……(4)
通过采用一定的形状、折射率条件，在绝缘层214的开口部214A形成反射构造，由此能够提高从发光层224发出的光的提取效率。其结果是：根据发明人的探讨研究，相对没有反射构造的情况，能够使子像素212附近的亮度增加1.2～1.5倍。
绝缘层214例如由绝缘性有机材料形成。作为绝缘性有机材料，可以列举：例如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛型酚树脂、硅树脂、氟树脂等。绝缘层214优选地由例如具有耐热性、耐溶剂性的绝缘性树脂形成。列限制部214C和行限制部214D例如通过对绝缘性树脂进行光刻和显影，加工成所望的图案而形成。列限制部214C的截面形状为如图19所示的顺锥形型。行限制部214D的截面形状为如图20所示的顺锥形型。
发光面板210例如在绝缘层214上具有多个接线排(Line bank)213。各个接线排213在列方向上延伸，以与列限制部214C的上面接触的方式配置。各个接线排213具有疏液性。因此，各个接线排213在基板216上形成发光元件212-2时，防止墨水流入其他颜色的子像素212内。
各个发光元件212-2例如在基板216上依次具备阳极221、空穴注入层222、空穴传输层223、发光层224(有机发光层)、电子传输层225、电子注入层226和阴极227。
发光元件212-2例如具备：发光层224，以及夹着发光层224配置的阳极221和阴极227。发光元件212-2例如进一步在阳极221与发光层224之间，从阳极221侧依次具备空穴注入层222和空穴传输层223。再有，也可以省略空穴注入层222和空穴传输层223中的至少一方。发光元件212-2例如进一步在发光层224与阴极227之间，从发光层224侧依次具备电子传输层225和电子注入层226。再有，也可以省略电子传输层225和电子注入层226中的至少一方。发光元件212-2例如是以从基板216侧依次包含阳极221、空穴注入层222、空穴传输层223、发光层224、电子传输层225、电子注入层226和阴极227的方式构成的元件构造。在发光元件212-2中，也可以进一步包含其他功能层。
空穴注入层222用于提高空穴注入效率。空穴传输层223用于将从阳极221注入的空穴向发光层224输送。发光层224通过电子与空穴的再结合，发出所定颜色的光。电子传输层225用于将从阴极227注入的电子向发光层224输送。电子注入层226用于提高电子注入效率。也可以省略空穴注入层222和电子注入层226中的至少一方。各个发光元件212-2也可以进一步具有上述以外的层。
阳极221例如形成在基板216上。阳极221是由例如铝(Al)、银(Ag)、铝或银的合金等构成的具有反射性的反射电极。阳极221也可以是反射电极与透明电极层叠的电极。作为透明电极的材料，可以列举：例如ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电性材料。阳极221的边缘例如填埋在绝缘层214内。在阳极221的边缘填埋在绝缘层214内的情况下，通过改变各个开口部214A的大小(具体地说，为各个开口部214A的下部的大小)，可以调整子像素212的尺寸(面积)、发光区域224A的尺寸(面积)。
阴极227例如是ITO膜或IZO膜等的透明电极。在本实施方式中，如果阳极221具有反射性，阴极227具有透光性；那么发光元件212-2为从阴极227侧放出光的顶部发光构造。另外，在本实施方式中，因为基板216具有可见光透射性，所以观察者可以视认发光面板210的背后。总之，发光面板210为可见光透射性面板。
空穴注入层222具有促进空穴从阳极221注入发光层224的功能。空穴注入层222由例如银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钒(V)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)等的氧化物，或者PEDOT(聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等导电性聚合材料构成。空穴注入层222可以由单层构成，也可以是多层层叠的构造。
空穴传输层223具有将从阳极221注入的空穴向发光层224输送的功能。空穴传输层223例如由具有将从阳极221注入的空穴向发光层224输送的功能的材料(以下称作“空穴传输性材料223M”。)构成。空穴传输层223以含有空穴传输性材料223M作为主要成分的方式构成。
作为空穴传输层223的原料(材料)的空穴传输性材料223M，例如是：芳基胺衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、丁二烯化合物、聚苯乙烯衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基汽油衍生物等或者由它们组合而成的材料。空穴注入层222和空穴传输层223的各种材料的HOMO(最高被占轨道、Highest occupied molecular orbital)级别的差异，如果考虑空穴注入性，优选小于等于0.5eV。
发光层224通过从阳极221注入的空穴与从阴极227注入的电子，在发光层224内再结合而生成激发子，从而发光。发光层224例如是涂布膜。发光层224以含有通过空穴与电子的再结合而生成激发子、发光的有机材料(以下称作“有机发光材料224M”。)作为主要成分的方式构成，并且通过涂布和干燥以该有机发光材料224M为溶质的主要成分的溶液而形成。在包含于子像素212R的发光元件212r中，有机发光材料224M以含有红色有机发光材料的方式构成。在包含于子像素212G的发光元件212g中，有机发光材料224M以含有绿色有机发光材料的方式构成。在包含于子像素212B的发光元件212b中，有机发光材料224M以含有蓝色有机发光材料的方式构成。
发光层224由例如单层的有机发光层或层叠的多个有机发光层构成。在发光层224由层叠的多个有机发光层构成的情况下，发光层224例如由主要成分相同的多个有机发光层层叠而成。这时，多个有机发光层都是涂布膜。多个有机发光层都通过涂布和干燥以有机发光材料224M为溶质的主要成分的溶液而形成。
作为发光层224的原料(材料)的有机发光材料224M，例如可以仅是掺杂剂材料，更优选主体材料与掺杂剂材料的组合。总之，发光层224以含有主体材料和掺杂剂材料作为有机发光材料224M的方式构成。主体材料主要担负着电子或空穴的电荷输送的功能，掺杂剂材料担负着发光的功能。主体材料和掺杂剂材料不仅限定于1种，也可以是2种以上的组合。掺杂剂材料的量，相对主体材料的量，优选大于等于0.01重量％且小于等于30重量％，更优选大于等于0.01重量％且小于等于10重量％。
作为发光层224的主体材料，可以使用例如胺化合物、缩合多环芳香族化合物、杂环化合物。作为胺化合物，可以使用例如单胺衍生物、二胺衍生物、三胺衍生物、四胺衍生物。作为缩合多环芳香族化合物，可以列举例如蒽衍生物、萘衍生物、并四苯衍生物、菲衍生物、屈衍生物、荧蒽衍生物、三亚苯衍生物、并五苯衍生物或苝衍生物等。作为杂环化合物，可以列举例如咔唑衍生物、呋喃衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、咪唑衍生物、吡唑衍生物、***衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、吡咯衍生物、吲哚衍生物、氮杂吲哚衍生物、氮杂咔唑衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物或酞菁衍生物等。
另外，作为发光层224的掺杂剂材料，可以使用例如芘衍生物、荧蒽衍生物、芳基乙炔衍生物、芴衍生物、苝衍生物、噁二唑衍生物、蒽衍生物或屈衍生物。另外，作为发光层224的掺杂剂材料，也可以使用金属络合物。作为金属络合物，可以列举具有例如铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、铼(Re)或钌(Ru)等的金属原子与配体的化合物。
电子传输层225具有将从阴极227注入的电子向发光层224输送的功能。电子传输层225以包含具有电子传输性的有机材料(以下称作“电子传输性材料225M”。)作为主要成分的方式构成。电子传输层225例如由蒸镀膜或溅射膜构成。电子传输层225优选地具有下列功能：抑制从发光层224到阴极227的电荷(在本实施方式中为空穴)的穿透的电荷阻断(block)功能，以及抑制发光层224的激发态的消光的功能等。
作为电子传输层225的原料(材料)的电子传输性材料225M，例如是在分子内含有1个以上杂原子的芳香族杂环化合物。作为芳香族杂环化合物，可以列举：在骨架中含有例如吡啶环、嘧啶环、三嗪环、苯并咪唑环、菲咯啉环、喹唑啉环等的化合物。另外，电子传输层225也可以包含具有电子传输性的金属。电子传输层225通过包含具有电子传输性的金属，能够提高电子传输层225的电子传输性。作为包含在电子传输层225中的金属，能够使用例如钡(Ba)、锂(Li)、钙(Ca)、钾(K)、铯(Cs)、钠(Na)、铷(Rb)、镱(Yb)等。
电子注入层226具有将从阴极227注入的电子注入电子传输层225、发光层224的功能。电子注入层226例如由具有促进电子从阴极227注入电子传输层225、发光层224的功能的材料(电子注入性材料)构成。上述电子注入性材料也可以是例如在具有电子注入性的有机材料中掺杂具有电子注入性的金属的材料。包含在电子注入层226中的掺杂金属例如是与包含在电子传输层225中的金属相同的金属。电子注入层226例如由蒸镀膜或溅射膜构成。
在本实施方式中，构成发光元件212-2的各层(例如空穴注入层222、空穴传输层223和发光层224)，通过设置在由互相邻接的2个列限制部214C围绕的区域(沟部)的各个子像素212共有。总之，构成发光元件212-2的各层(例如，空穴注入层222、空穴传输层223和发光层224)如图18～图20所示，在上述沟部内，以在列方向上延伸的方式形成，并且以横跨行限制部214D且遍及各个子像素212的方式连续设置。
另外，在本实施方式中，发光元件212-2内的一部分层(例如，空穴注入层222、空穴传输层223和发光层224)，没有在1个像素211内的各个子像素212中共有，而是对于1个像素211内的每个子像素212单独形成。总之，发光元件212-2内的一部分层(例如，空穴注入层222、空穴传输层223和发光层224)如图17所示，以避开列限制部214C的方式形成。另外，在本实施方式中，发光元件212-2内的一部分层(例如，电子传输层225和电子注入层226)，在1个像素211内的各个子像素212中共有。总之，发光元件212-2内的一部分层(例如，电子传输层225和电子注入层226)如图17所示，以横跨列限制部214C的方式形成。
另外，在本实施方式中，阴极227形成在发光面板210的整个表面上。具体地说，阴极227连续形成在电子注入层226、列限制部214C、行限制部214D和接线排213的整个表面上。
发光元件212-2如图17～图20所示，进一步具有保护和密封发光元件212-2的层(密封层228)。密封层228例如由环氧树脂、乙烯类树脂等树脂材料形成。
[效果]
其次，对本实施方式的发光面板210和具备该发光面板210的发光装置200的效果进行说明。
在本实施方式中，在各个子像素212中，设置有共有发光层224的发光区域224A和透射可视光的光透射区域224B；在各个子像素212中，光透射区域224B相对发光区域224A，设置在多个像素211的行方向(第一排列方向)的位置。由此，与在每个像素211中设置由不与发光区域224A共有发光层224的光透射区域构成的子像素212的情况相比，能够在像素211内设置光透射区域224B的同时，增大子像素212的尺寸。如图21所示，在通过使用滴下墨水液224r、224g、224b等方法涂布来形成各个子像素212的发光层224的情况下，对应于各个子像素212的开口部214H的尺寸，与在每个像素211中设置由光透射区域224B构成的子像素212的情况相比变大。由此，与在每个像素211中设置由光透射区域224B构成的子像素212的情况相比，能够使每个子像素212的有机发光层的膜厚更加均一化，从而能够降低在互相邻接的子像素212之间产生混色的可能性。因此，能够减少亮度不均、色彩再现不均等显示不均。
另外，在本实施方式中，多个子像素212设置有在多个像素211的行方向(第一排列方向)上区划的多个列限制部214C(第一壁部)。这时，在被相邻的2个列限制部214C夹持的区域(沟部)中，设置有区划相邻的2个子像素212且高度低于列限制部214C的多个行限制部214D(第二壁部)。由此，相邻的2个子像素212能够互相共有横跨行限制部214D的发光层224。其结果是：如图21所示，在通过使用滴下墨水液224r、224g、224b等方法涂布来形成各个子像素212的发光层224的情况下，能够使墨水液224r、224g、224b遍及整个沟部。因此，与在每个子像素212中单独设置发光层224的情况相比，能够使每个发出相同颜色光的子像素212的发光层224的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
另外，在本实施方式中，基板216是可见光透射性基板。由此，通过各个子像素212的光透射区域224B，从发光面板210的背后射入的光透射至发光面板210的前面。其结果是：观察者能够隔着发光面板210视认发光面板210的背后。
<5.第二实施方式的变形例>
其次，对上述第二实施方式的发光面板210的变形例进行说明。
[变形例A]
图22表示上述第二实施方式的发光面板210的概略结构的一个变形例。图23表示沿着图22的发光面板210的A-A线的截面结构例子(即像素211的行方向的截面结构例子)。再有，沿着图22的B-B线的截面结构例子例如是图18所记载的截面结构。另外，沿着图22的C-C线的截面结构例子例如是图19所记载的截面结构。另外，沿着图22的D-D线的截面结构例子例如是图20所记载的截面结构。
在上述第二实施方式的发光面板210的各个子像素212中，光透射区域224B也可以如图22、图23所示，设置在发光区域224A的多个像素211的行方向(第一排列方向)的两侧。即使在这样做的情况下，与在每个像素211中设置由光透射区域224B构成的子像素212的情况相比，也能够在像素211内设置光透射区域224B的同时，增大子像素212的尺寸。如图24所示，在通过使用滴下墨水液224r、224g、224b等方法涂布来形成各个子像素212的发光层224的情况下，对应于各个子像素212的开口部214H的尺寸，与在每个像素211中设置由光透射区域224B构成的子像素212的情况相比变大。由此，与在每个像素211中设置由光透射区域224B构成的子像素212的情况相比，能够使每个子像素212的有机发光层的膜厚更加均一化，从而能够降低在互相邻接的子像素212之间产生混色的可能性。因此，能够减少亮度不均、色彩再现不均等显示不均。
[变形例B]
图25表示上述第二实施方式的发光面板210的概略结构的一个变形例。图26表示上述变形例A的发光面板210的概略结构的一个变形例。发光面板210如图25、图26所示，也可以具有在基板216上配置成矩阵状的透光性的多个非显示像素215。在各个非显示像素215中，绝缘层214具有开口部214A。在各个非显示像素215中，在开口部214A的下部，如图27所示，没有设置阳极221，从发光面板210的背后射入的光通过非显示像素215透射至发光面板210的前面。由此，观察者能够隔着发光面板210视认发光面板210的背后。
多个非显示像素215在与多个像素211的所定的排列方向(第一排列方向)正交的方向(第二排列方向)上，与多个像素211交替配置。具体地说，“与多个像素211的所定的排列方向(第一排列方向)正交的方向”是列方向。多个非显示像素215在列方向上，与多个像素211交替配置。由此，因为能够增大各个非显示像素215的尺寸，所以通过各个非显示像素215透射至发光面板210的前面的光的衍射角度变小。其结果是：观察者能够更鲜明地视认发光面板210的背后。
另外，在本变形例中，设置有将子像素212与非显示像素215在列方向上区划且高度低于列限制部214C的行限制部214D(第三壁部)。由此，相邻的子像素212和非显示像素215能够互相共有横跨行限制部214D的发光层224。其结果是：在例如通过使用滴下墨水液等方法涂布来形成各个子像素212和各个非显示像素215的发光层224的情况下，能够使墨水液遍及整个沟部。因此，与在各个子像素212和各个非显示像素215中单独设置发光层224的情况相比，能够使各个子像素212和各个非显示像素215的发光层224的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
<6.应用例>
[应用例1]
在下文中，对上述第二实施方式及其变形例的发光装置200的应用例进行说明。上述第二实施方式及其变形例的发光装置200可以应用于电视机、数码相机、笔记本个人电脑、片状个人电脑、手机等移动终端设备或摄像机等以图像或映像的形式显示从外部输入的视频信号或在内部产生的视频信号的所有领域的电子设备。
图28是表示本应用例的电子设备300的外观立体图。电子设备300例如是在壳体310的主面具备显示面320的片状个人电脑。电子设备300在其显示面320中具备上述第二实施方式及其变形例的发光装置200。上述第二实施方式及其变形例的发光装置200以发光面板210朝着外侧的方式配置。在本应用例中，因为上述第二实施方式及其变形例的发光装置200设置在显示面320中，所以能够获得显示质量高的电子设备300。
[应用例2]
在下文中，对上述第二实施方式及其变形例的发光装置200的应用例进行说明。上述第二实施方式及其变形例的发光装置200可以适用于台式、落地式的照明装置或室内用照明装置等所有领域的照明装置的光源。
图29表示适用有上述第二实施方式及其变形例的发光装置200的室内用照明装置的外观。该照明装置具有例如以包括上述第二实施方式及其变形例的发光装置200的方式构成的照明部410。照明部410以适宜的个数和间隔配置在建筑物的天花板420上。再有，照明部410根据用途，不限定于设置在天花板420上，也可以设置在壁430或地板(未图示)等任意的地方。
在这些照明装置中，由来自上述第二实施方式及其变形例的发光装置200的光进行照明。由此，能够获得照明质量高的照明装置。
虽然上面列举第二实施方式及其变形例说明了本公开，但是本公开不限于第二实施方式等，可以做出各种变化。
<7.第三实施方式>
[结构]
图30表示本公开的第三实施方式的发光装置500的概略结构例子。图31表示包含于设置在发光装置500中的各个像素511的子像素512的电路结构的一个例子。发光装置500例如具备发光面板510、控制器520和驱动器530。驱动器530例如安装在发光面板510的外缘部分。发光面板510具有配置成矩阵形状的多个像素511。控制器520和驱动器530根据从外部输入的视频信号Din和同步信号Tin，驱动发光面板510(多个像素511)。
(发光面板510)
发光面板510由控制器520和驱动器530有源矩阵驱动各个像素511，由此根据从外部输入的视频信号Din和同步信号Tin显示图像。发光面板510具有：在行方向上延伸的多根扫描线WSL和多根电源线DSL，在列方向上延伸的多根信号线DTL，以及配置成矩阵形状的多个像素511。
扫描线WSL用于选择各个像素511，并且向各个像素511供给选择脉冲，该选择脉冲以每个所定单位(例如像素行)选择各个像素511。信号线DTL用于将对应于视频信号Din的信号电压Vsig提供给各个像素511，并且将包含信号电压Vsig的数据脉冲提供给各个像素511。电源线DSL用于向各个像素511供给电力。
各个像素511例如以包含发出红色光的子像素512、发出绿色光的子像素512和发出蓝色光的子像素512的方式构成。总之，多个子像素512按照所定的数量作为彩色像素(像素511)分组。再有，各个像素511例如也可以以进一步包含发出其他颜色(例如白色、黄色等)的光的子像素512的方式构成。另外，各个像素511进一步包含后述的多个非发光像素515。在各个像素511中，多个子像素512例如以在所定的方向(例如行方向)上排成一列的方式配置。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器531的输出端。对于每个像素列，例如分配多根信号线DTL中的1根。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪532的输出端。对于每个像素行，例如分配多根扫描线WSL中的1根。各根电源线DSL连接于电源的输出端。对于每个像素行，例如分配多根电源线DSL中的1根。
各个子像素512具有像素电路512-1和发光元件512-2。对于发光元件512-2的结构，在后面详细叙述。
像素电路512-1控制发光元件512-2的发光·消光。像素电路512-1具有通过后述的写入扫描来保持写入各个子像素512的电压的功能。像素电路512-1以例如包含驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2和储存电容器Cs的方式构成。
写入晶体管Tr2控制对驱动晶体管Tr1的栅极施加对应于视频信号Din的信号电压Vsig。具体地说，写入晶体管Tr2对信号线DTL的电压进行采样，并且将采样得到的电压写入驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1串联于发光元件512-2。驱动晶体管Tr1驱动发光元件512-2。驱动晶体管Tr1根据由写入晶体管Tr2采样的电压的大小，控制流入发光元件512-2的电流。储存电容器Cs用于在驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间保持所定的电压。储存电容器Cs具有在所定的期间中使驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间的电压Vgs保持一定的功能。再有，像素电路512-1可以是对上述2Tr1C的电路附加各种电容器、晶体管的电路结构，也可以是与上述2Tr1C的电路结构不同的电路结构。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器531的输出端与写入晶体管Tr2的源极或漏极。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪532的输出端与写入晶体管Tr2的栅极。各根电源线DSL连接于电源电路与驱动晶体管Tr1的源极或漏极。
写入晶体管Tr2的栅极连接于扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极或漏极连接于信号线DTL。写入晶体管Tr2的源极和漏极中的未与信号线DTL连接的端子连接于驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接于电源线DSL。驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的未与电源线DSL连接的端子连接于发光元件512-2的阳极521。储存电容器Cs的一端连接于驱动晶体管Tr1的栅极。储存电容器Cs的另一端连接于驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的发光元件512-2侧的端子。
(驱动器530)
驱动器530例如具有水平选择器531和写入扫描仪532。水平选择器531例如对应(同步)控制信号的输入，将从控制器520输入的模拟信号电压Vsig施加到各根信号线DTL上。写入扫描仪532以每个所定单位扫描多个子像素512。
(控制器520)
其次，对控制器520进行说明。控制器520例如对从外部输入的数字视频信号Din进行所定的补正，并且根据由此得到的视频信号生成信号电压Vsig。控制器520例如将生成的信号电压Vsig向水平选择器531输出。控制器520例如对应(同步)从外部输入的同步信号Tin，对驱动器530内的各个电路输出控制信号。
其次，参照图32～图34，说明发光元件512-2和非发光像素515。图32表示发光面板510的概略结构例子。图33表示沿着图32的发光面板510的A-A线的截面结构例子(即像素511的行方向的截面结构例子)。图34表示沿着图32的发光面板510的B-B线的截面结构例子(即像素511的列方向的截面结构例子)。
在图32中，在具有圆点图案的部分设置有后述的发光层524。另外，在记载“R”的部分，设置有发出红色光的子像素512(512R)；在记载“G”的部分，设置有发出绿色光的子像素512(512G)；在记载“B”的部分，设置有发出蓝色光的子像素512(512B)。另外，在什么都没有记载的部分，设置有非发光像素515。另外，在图32中，示例了像素511由3个子像素512(512R、512G、512B)和5个非发光像素515构成的情况。
发光面板510具有配置成矩阵形状的多个像素511。各个像素511如上所述，以包含发出红色光的子像素512(512R)、发出绿色光的子像素512(512G)和发出蓝色光的子像素512(512B)的方式构成。发光面板510进一步具有多个非发光像素515，该非发光像素515包含透射可视光的光透射区域524B。
子像素512R以包含发出红色光的发光元件512-2(512r)的方式构成。子像素512G以包含发出绿色光的发光元件512-2(512g)的方式构成。子像素512B以包含发出蓝色光的发光元件512-2(512b)的方式构成。子像素512R、512G、512B例如为条纹排列。在各个像素511中，例如子像素512R、512G、512B在行方向上排列配置。并且，在各个像素511中，例如发出同一种颜色的光的多个子像素512在列方向上排列配置。
非发光像素515是具有从发光面板510的背面(具体地说是基板516)射入的可见光区域的光透射至发光面板510的前面的区域的像素。在多个像素511的第一排列方向(行方向)上，以像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。在图32中，在行方向上，以像素511为单位，3个子像素512(512R、512G、512B)与1个非发光像素515交替配置。并且，在多个像素511的第二排列方向(列方向)上，以2个像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。在图32中，在列方向上，以2个像素511为单位，2个子像素512(2个子像素512R、2个子像素512G或2个子像素512B)与2个非发光像素515交替配置。
发光面板510具有基板516。基板516由基材和设置在基材上的布线层构成，该基材例如支撑各个发光元件512-2、绝缘层514、后述的各个列限制部514C和后述的各个行限制部514D等。基板516内的基材由具有可见光透射性的基板构成。基板516内的基材由例如无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃或石英等形成。基板516内的基材也可以由例如丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅类树脂或氧化铝等形成。在基板516内的布线层中，例如形成有各个像素511的像素电路512-1。再有，在基板516中，至少与后述的光透射区域524B对置处具有透光性。
发光面板510进一步在基板516上具有绝缘层514。绝缘层514用于区划各个子像素512。鉴于膜厚偏差、底部线宽的控制，绝缘层514的厚度的上限优选地在制造上可以控制形状的范围内，优选10μm以下。另外，绝缘层514的厚度的上限，更优选地在可以抑制由曝光工序的曝光时间增大导致的工序时间增加，并且抑制量产工序中的生产率降低的范围内，更优选7μm以下。另外，绝缘层514的厚度的下限，鉴于随着膜厚变薄有必要将底部线宽补充为与膜厚大致相同，由曝光机和材料的分辨率限度决定。绝缘层514的厚度的下限，在使用半导体光刻机(stepper)的情况下，优选1μm以上；在使用平板用光刻机和扫描仪的情况下，优选2μm以上。因此，绝缘层514的厚度优选大于等于1μm且小于等于10μm，更优选大于等于2μm且小于等于7μm。
绝缘层514具有区划各个子像素512的多个列限制部514C和多个行限制部514D。列限制部514C相当于本公开的“第一壁部”的一个具体例子。行限制部514D相当于本公开的“第二壁部”的一个具体例子。
各个列限制部514C在所定的方向(列方向)上延伸，各个行限制部514D在与列限制部514C正交的方向(行方向)上延伸。多个列限制部514C在列方向上延伸，并且在行方向上隔着所定的间隙并列配置。多个行限制部514D在行方向上延伸，并且在列方向上隔着所定的间隙并列配置。多个列限制部514C和多个行限制部514D互相交叉(例如正交)，为格栅形设计。各个子像素512、各个非发光像素515由互相邻接的2个列限制部514C和互相邻接的2个行限制部514D包围。因此，通过互相邻接的2个列限制部514C和互相邻接的2个行限制部514D，区划各个子像素512、各个非发光像素515。
绝缘层514在由互相邻接的2个列限制部514C与互相邻接的2个行限制部514D包围的区域内具有开口部514A。在各个子像素512中，后述的阳极521的表面从开口部514A的下部露出。为此，通过由从开口部514A的下部露出的阳极521供给的空穴与由后述的阴极527供给的电子，在发光层524中再结合，从而在发光层524中发光。因此，发光层524中的与在下部露出阳极521的开口部514A对置的区域，为发光区域524A。
另一方面，在各个非发光像素515中，在开口部514A的下部没有设置阳极521，例如基板516的表面对空穴注入层522露出。在各个非发光像素515中，与开口部514A对置处，具有可见光透射性。因此，在各个非发光像素515中，与开口部514A对置处，为具有可见光透射性的光透射区域524B。在各个非发光像素515中，光透射区域524B例如设置在被互相邻接的2个发光区域524A夹持的区域。具体地说，在发光面板510中，光透射区域524B相对发光区域524A，设置在多个像素511的第一排列方向(行方向)的位置、多个像素511的第二排列方向(列方向)的位置。
行限制部514D的高度(从基板516的高度)如图33、图34所示，比列限制部514C的高度(从基板516的高度)低。行限制部514D的高度(从基板516的高度)例如为发光元件512-2的阳极521和阴极527的距离的一半以下的高度。这时，在列方向上排列的多个子像素512，配置在由这些子像素512的左右的2个列限制部514C形成的带状的沟部517中，例如互相共有发光层524。并且，在列方向上排列的子像素512和非发光像素515，配置在由这些子像素512和非发光像素515的左右的2个列限制部514C形成的带状的沟部517中，例如互相共有发光层524。总之，发光层524以横跨行限制部514D且遍及从相邻的2个子像素512中的一个到另一个的区域的方式设置，并且以横跨行限制部514D且遍及从相邻的子像素512和非发光像素515中的一个到另一个的区域的方式设置。换句话说，发光层524横跨行限制部514D，为相邻的2个子像素512所共有；并且横跨行限制部514D，为相邻的子像素512和非发光像素515所共有。再有，在图32中，对设置有发光层524的非发光像素515附加符号515A，对没有设置发光层524的非发光像素515附加符号515B。
各个开口部514A的行方向的截面如图33所示，呈上方展宽的梯形形状。另外，各个开口部514A的列方向的截面如图34所示，呈上方展宽的梯形形状。另外，各个开口部514A的侧面也可以是使从发光层524发出的光上升的反射构造。如果将密封层528的折射率作为n1，绝缘层514的折射率作为n2；那么n1、n2满足下列式(1)、(2)。n2优选大于等于1.4且小于等于1.6。由此，从发光层524发出的光向外部的提取效率得到提高。
1.1≤n1≤1.8……(1)
|n1-n2|≥0.20……(2)
另外，各个开口部514A的深度D(即绝缘层514的厚度)、绝缘层514的上面侧的开口宽度Wh、绝缘层514的下面侧的开口宽度WL进一步优选地满足下列式(3)、(4)。
0.5≤WL/Wh≤0.8……(3)
0.5≤D/WL≤2.0……(4)
通过采用一定的形状、折射率条件，在绝缘层514的开口部514A形成反射构造，由此能够提高从发光层524发出的光的提取效率。其结果是：根据发明人的探讨研究，相对没有反射构造的情况，能够使子像素512附近的亮度增加1.2～1.5倍。
绝缘层514例如由绝缘性有机材料形成。作为绝缘性有机材料，可以列举：例如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛型酚树脂等。绝缘层514优选地由例如具有耐热性、耐溶剂性的绝缘性树脂形成。列限制部514C和行限制部514D例如通过对绝缘性树脂进行光刻和显影，加工成所望的图案而形成。列限制部514C的截面形状为如图33所示的顺锥形型。行限制部514D的截面形状为如图34所示的顺锥形型。
发光面板510例如在绝缘层514上具有多个接线排513。各个接线排513在列方向上延伸，以与列限制部514C的上面接触的方式配置。各个接线排513具有疏液性。因此，各个接线排513在基板516上形成发光元件512-2时，防止墨水流入其他颜色的子像素512内。
各个发光元件512-2例如在基板516上依次具备阳极521、空穴注入层522、空穴传输层523、发光层524(有机发光层)、电子传输层525、电子注入层526和阴极527。
发光元件512-2例如具备：发光层524，以及夹着发光层524配置的阳极521和阴极527。发光元件512-2例如进一步在阳极521与发光层524之间，从阳极521侧依次具备空穴注入层522和空穴传输层523。再有，也可以省略空穴注入层522和空穴传输层523中的至少一方。发光元件512-2例如进一步在发光层524与阴极527之间，从发光层524侧依次具备电子传输层525和电子注入层526。再有，也可以省略电子传输层525和电子注入层526中的至少一方。发光元件512-2例如是以从基板516侧依次包含阳极521、空穴注入层522、空穴传输层523、发光层524、电子传输层525、电子注入层526和阴极527的方式构成的元件构造。在发光元件512-2中，也可以进一步包含其他功能层。
空穴注入层522用于提高空穴注入效率。空穴传输层523用于将从阳极521注入的空穴向发光层524输送。发光层524通过电子与空穴的再结合，发出所定颜色的光。电子传输层525用于将从阴极527注入的电子向发光层524输送。电子注入层526用于提高电子注入效率。也可以省略空穴注入层522和电子注入层526中的至少一方。各个发光元件512-2也可以进一步具有上述以外的层。
阳极521例如形成在基板516上。阳极521是由例如铝(Al)、银(Ag)、铝或银的合金等构成的具有反射性的反射电极。阳极521也可以是反射电极与透明电极层叠的电极。作为透明电极的材料，可以列举：例如ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电性材料。阳极521的边缘例如填埋在绝缘层514内。在阳极521的边缘填埋在绝缘层514内的情况下，通过改变各个开口部514A的大小(具体地说，为各个开口部514A的下部的大小)，可以调整子像素512的尺寸(面积)、发光区域524A的尺寸(面积)。
阴极527例如是ITO膜或IZO膜等的透明电极。在本实施方式中，如果阳极521具有反射性，阴极527具有透光性；那么发光元件512-2为从阴极527侧放出光的顶部发光构造。另外，在本实施方式中，因为基板516具有可见光透射性，所以观察者可以视认发光面板510的背后。总之，发光面板510为可见光透射性面板。
空穴注入层522具有促进空穴从阳极521注入发光层524的功能。空穴注入层522由例如银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钒(V)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)等的氧化物，或者PEDOT(聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等导电性聚合材料构成。空穴注入层522可以由单层构成，也可以是多层层叠的构造。
空穴传输层523具有将从阳极521注入的空穴向发光层524输送的功能。空穴传输层523例如由具有将从阳极521注入的空穴向发光层524输送的功能的材料(以下称作“空穴传输性材料523M”。)构成。空穴传输层523以含有空穴传输性材料523M作为主要成分的方式构成。
作为空穴传输层523的原料(材料)的空穴传输性材料523M，例如是：芳基胺衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、丁二烯化合物、聚苯乙烯衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基汽油衍生物等或者由它们组合而成的材料。空穴注入层522和空穴传输层523的各种材料的HOMO(最高被占轨道、Highest occupied molecular orbital)级别的差异，如果考虑空穴注入性，优选小于等于0.5eV。
发光层524通过从阳极521注入的空穴与从阴极527注入的电子，在发光层524内再结合而生成激发子，从而发光。发光层524例如是涂布膜。发光层524以含有通过空穴与电子的再结合而生成激发子、发光的有机材料(以下称作“有机发光材料524M”。)作为主要成分的方式构成，并且通过涂布和干燥以该有机发光材料524M为溶质的主要成分的溶液而形成。在包含于子像素512R的发光元件512r中，有机发光材料524M以含有红色有机发光材料的方式构成。在包含于子像素512G的发光元件512g中，有机发光材料524M以含有绿色有机发光材料的方式构成。在包含于子像素512B的发光元件512b中，有机发光材料524M以含有蓝色有机发光材料的方式构成。
发光层524由例如单层的有机发光层或层叠的多个有机发光层构成。在发光层524由层叠的多个有机发光层构成的情况下，发光层524例如由主要成分相同的多个有机发光层层叠而成。这时，多个有机发光层都是涂布膜。多个有机发光层都通过涂布和干燥以有机发光材料524M为溶质的主要成分的溶液而形成。
作为发光层524的原料(材料)的有机发光材料524M，例如可以仅是掺杂剂材料，更优选主体材料与掺杂剂材料的组合。总之，发光层524以含有主体材料和掺杂剂材料作为有机发光材料524M的方式构成。主体材料主要担负着电子或空穴的电荷输送的功能，掺杂剂材料担负着发光的功能。主体材料和掺杂剂材料不仅限定于1种，也可以是2种以上的组合。掺杂剂材料的量，相对主体材料的量，优选大于等于0.01重量％且小于等于30重量％，更优选大于等于0.01重量％且小于等于10重量％。
作为发光层524的主体材料，可以使用例如胺化合物、缩合多环芳香族化合物、杂环化合物。作为胺化合物，可以使用例如单胺衍生物、二胺衍生物、三胺衍生物、四胺衍生物。作为缩合多环芳香族化合物，可以列举例如蒽衍生物、萘衍生物、并四苯衍生物、菲衍生物、屈衍生物、荧蒽衍生物、三亚苯衍生物、并五苯衍生物或苝衍生物等。作为杂环化合物，可以列举例如咔唑衍生物、呋喃衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、咪唑衍生物、吡唑衍生物、***衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、吡咯衍生物、吲哚衍生物、氮杂吲哚衍生物、氮杂咔唑衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物或酞菁衍生物等。
另外，作为发光层524的掺杂剂材料，可以使用例如芘衍生物、荧蒽衍生物、芳基乙炔衍生物、芴衍生物、苝衍生物、噁二唑衍生物、蒽衍生物或屈衍生物。另外，作为发光层524的掺杂剂材料，也可以使用金属络合物。作为金属络合物，可以列举具有例如铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、铼(Re)或钌(Ru)等的金属原子与配体的化合物。
电子传输层525具有将从阴极527注入的电子向发光层524输送的功能。电子传输层525以包含具有电子传输性的有机材料(以下称作“电子传输性材料525M”。)作为主要成分的方式构成。电子传输层525例如由蒸镀膜或溅射膜构成。电子传输层525优选地具有下列功能：抑制从发光层524到阴极527的电荷(在本实施方式中为空穴)的穿透的电荷阻断(block)功能，以及抑制发光层524的激发态的消光的功能等。
作为电子传输层525的原料(材料)的电子传输性材料525M，例如是在分子内含有1个以上杂原子的芳香族杂环化合物。作为芳香族杂环化合物，可以列举：在骨架中含有例如吡啶环、嘧啶环、三嗪环、苯并咪唑环、菲咯啉环、喹唑啉环等的化合物。另外，电子传输层525也可以包含具有电子传输性的金属。电子传输层525通过包含具有电子传输性的金属，能够提高电子传输层525的电子传输性。作为包含在电子传输层525中的金属，能够使用例如钡(Ba)、锂(Li)、钙(Ca)、钾(K)、铯(Cs)、钠(Na)、铷(Rb)、镱(Yb)等。
电子注入层526具有将从阴极527注入的电子注入电子传输层525、发光层524的功能。电子注入层526例如由具有促进电子从阴极527注入电子传输层525、发光层524的功能的材料(电子注入性材料)构成。上述电子注入性材料也可以是例如在具有电子注入性的有机材料中掺杂具有电子注入性的金属的材料。包含在电子注入层526中的掺杂金属例如是与包含在电子传输层525中的金属相同的金属。电子注入层526例如由蒸镀膜或溅射膜构成。
在本实施方式中，构成发光元件512-2的各层(例如空穴注入层522、空穴传输层523和发光层524)，通过设置在由互相邻接的2个列限制部514C围绕的区域(沟部517)的各个子像素512共有。总之，构成发光元件512-2的各层(例如，空穴注入层522、空穴传输层523和发光层524)如图32～图34所示，在沟部517内，以在列方向上延伸的方式形成，并且以横跨行限制部514D且遍及各个子像素512、各个非发光像素515的方式连续设置。
另外，在本实施方式中，发光元件512-2内的一部分层(例如，空穴注入层522、空穴传输层523和发光层524)，没有在1个像素511内的各个子像素512中共有，而是对于1个像素511内的每个子像素512单独形成。总之，发光元件512-2内的一部分层(例如，空穴注入层522、空穴传输层523和发光层524)如图33所示，以避开列限制部514C的方式形成。另外，在本实施方式中，发光元件512-2内的一部分层(例如，电子传输层525和电子注入层526)，在1个像素511内的各个子像素512中共有。总之，发光元件512-2内的一部分层(例如，电子传输层525和电子注入层526)如图33所示，以横跨列限制部514C的方式形成。
另外，在本实施方式中，阴极527形成在发光面板510的整个表面上。具体地说，阴极527连续形成在电子注入层526、列限制部514C、行限制部514D和接线排513的整个表面上。
发光元件512-2如图33、图34所示，进一步具有保护和密封发光元件512-2的层(密封层528)。密封层528例如由环氧树脂、乙烯类树脂等树脂材料形成。
[效果]
其次，对本实施方式的发光面板510和具备该发光面板510的发光装置500的效果进行说明。
在本实施方式中，在第一排列方向(行方向)上，以像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置；在第二排列方向(列方向)上，以2个像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。总之，在第一排列方向(行方向)和第二排列方向(列方向)的双方，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。由此，在第一排列方向(行方向)和第二排列方向(列方向)的双方，能够设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
另外，在本实施方式中，在第二排列方向(列方向)上邻接于子像素512的非发光像素515，与邻接于该非发光像素515的子像素512共有发光层524。这时，在被相邻的2个列限制部514C夹持的区域(沟部517)中，设置有区划相邻的子像素512和非发光像素515且高度低于列限制部514C的多个行限制部514D。由此，如图35所示，在通过使用滴下墨水液524i等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。像这样，在本实施方式中，因为以横跨行限制部514D且遍及从相邻的2个子像素512中的一个到另一个的区域的方式设置了发光层524，并且以横跨行限制部514D且遍及从相邻的子像素512和非发光像素515中的一个到另一个的区域的方式设置了发光层524；所以与在每个子像素512中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个发出相同颜色光的子像素512的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
另外，在本实施方式中，基板516是可见光透射性基板。由此，通过各个子像素512的光透射区域524B，从发光面板510的背后射入的光透射至发光面板510的前面。其结果是：观察者能够隔着发光面板510视认发光面板510的背后。
<8.第三实施方式的变形例>
其次，对上述第三实施方式的发光面板510的变形例进行说明。
[变形例A]
图36表示上述第三实施方式的发光面板510的概略结构的一个变形例。图37表示沿着图36的发光面板510的A-A线的截面结构例子(即像素511的行方向的截面结构例子)。再有，沿着图36的B-B线的截面结构例子例如是图34所记载的截面结构。
在上述第三实施方式的发光面板510中，在第一排列方向(行方向)上邻接于子像素512(具体地说为子像素512B)的非发光像素515，与邻接于该非发光像素515的子像素512(具体地说为子像素512B)共有发光层524。这时，在互相共有发光层524的子像素512B和非发光像素515之间，设置有区划相邻的子像素512B和非发光像素515且高度低于列限制部514C的列限制部514E。列限制部514E例如与行限制部514D一样高，例如由与行限制部514D同样的材料形成。
由此，如图35所示，在通过使用滴下墨水液524i(墨水液524r、524g、524b)等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。并且，如图38所示，在通过使用滴下墨水液524b等方法涂布来形成各个子像素512B的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可。其结果是：与在每个子像素512B中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512B的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。另外，在形成各个子像素512B时，因为只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)内滴下墨水液524r、524g的情况相比，能够降低墨水液524b的滴下精度。
[变形例B]
图39表示上述第三实施方式的发光面板510的概略结构的一个变形例。图40表示沿着图39的发光面板510的A-A线的截面结构例子(即像素511的行方向的截面结构例子)。再有，沿着图39的B-B线的截面结构例子例如是图34所记载的截面结构。
本变形例的发光面板510与上述变形例A的发光面板510相比，在第一排列方向(行方向)上互相邻接的2个像素511中，包含在一个像素511中的第一非发光像素(非发光像素515)与包含在另一个像素511中的第二非发光像素(非发光像素515)互相邻接。并且，在本变形例的发光面板510中，第一非发光像素(非发光像素515)与邻接于该第一非发光像素(非发光像素515)的子像素512(具体地说为子像素512B)共有发光层524，第二非发光像素(非发光像素515)与邻接于该第二非发光像素(非发光像素515)的子像素512(具体地说为子像素512R)共有发光层524。
由此，如图35所示，在通过使用滴下墨水液524i等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。并且，如图41所示，在通过使用滴下墨水液524b等方法涂布来形成各个子像素512B的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可。其结果是：与在每个子像素512B中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512B的发光层524的膜厚更加均一化。另外，在通过使用滴下墨水液524r等方法涂布来形成各个子像素512R的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hr)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524r即可。其结果是：与在每个子像素512R中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512R的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
另外，在形成各个子像素512B时，因为只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hg)内滴下墨水液524g的情况相比，能够降低墨水液524b的滴下精度。另外，在形成各个子像素512R时，因为只要在宽度(开口宽度Hr)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524r即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hg)内滴下墨水液524g的情况相比，能够降低墨水液524r的滴下精度。
[变形例C]
图42表示图32记载的发光面板510的概略结构的一个变形例。图43表示图36记载的发光面板510的概略结构的一个变形例。图44表示图39记载的发光面板510的概略结构的一个变形例。
在本变形例中，设置有绝缘层518代替绝缘层514。绝缘层518构成多个开口部518A设置成矩阵状的像素排(Pixel bank)。由各个开口部518A包围的区域为子像素512或非发光像素515。在各个子像素512中，分别配置有一个发光元件512-2。总之，在各个子像素512中，分别在开口部518A中配置一个发光元件512-2。另一方面，各个非发光像素515在开口部518A中，包含透射可视光的光透射区域524B。
在本变形例中，在第一排列方向(行方向)上，以像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置；在第二排列方向(列方向)上，以2个像素511为单位，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。总之，在第一排列方向(行方向)和第二排列方向(列方向)的双方，1个或多个子像素512与1个或多个非发光像素515交替配置。由此，在第一排列方向(行方向)和第二排列方向(列方向)的双方，能够设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
另外，在图42记载的发光面板510中，在第一排列方向(行方向)上邻接于子像素512的非发光像素515，与邻接于该非发光像素515的子像素512共有发光层524。这时，在被相邻的2个列限制部514C夹持的区域(沟部517)中，设置有区划相邻的子像素512和非发光像素515且高度低于列限制部514C的多个行限制部514D。由此，例如在通过使用滴下墨水液524i等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。像这样，在图42记载的发光面板510中，因为以横跨行限制部514D且遍及从相邻的2个子像素512中的一个到另一个的区域的方式设置了发光层524，并且以横跨行限制部514D且遍及从相邻的子像素512和非发光像素515中的一个到另一个的区域的方式设置了发光层524；所以与在每个子像素512中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
另外，在图43记载的发光面板510中，在第一排列方向(行方向)上邻接于子像素512(具体地说为子像素512B)的非发光像素515，与邻接于该非发光像素515的子像素512(具体地说为子像素512B)共有发光层524。这时，在互相共有发光层524的子像素512B和非发光像素515之间，设置有区划相邻的子像素512B和非发光像素515且高度低于列限制部514C的列限制部514E。列限制部514E例如与行限制部514D一样高，例如由与行限制部514D同样的材料形成。
由此，例如在通过使用滴下墨水液524i(后述墨水液524r、524g、524b)等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。并且，例如在通过使用滴下墨水液524b等方法涂布来形成各个子像素512B的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可。其结果是：与在每个子像素512B中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512B的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。另外，在形成各个子像素512B时，因为只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hr、Hg)内滴下墨水液524r、524g的情况相比，能够降低墨水液524b的滴下精度。
另外，在图44记载的发光面板510中，在第一排列方向(行方向)上互相邻接的2个像素511中，包含在一个像素511中的第一非发光像素(非发光像素515)与包含在另一个像素511中的第二非发光像素(非发光像素515)互相邻接。并且，在图44记载的发光面板510中，第一非发光像素(非发光像素515)与邻接于该第一非发光像素(非发光像素515)的子像素512(具体地说为子像素512B)共有发光层524，第二非发光像素(非发光像素515)与邻接于该第二非发光像素(非发光像素515)的子像素512(具体地说为子像素512R)共有发光层524。
由此，例如在通过使用滴下墨水液524i等方法涂布来形成各个子像素512的发光层524的情况下，能够使墨水液524i遍及整个沟部517。并且，例如在通过使用滴下墨水液524b等方法涂布来形成各个子像素512B的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可。其结果是：与在每个子像素512B中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512B的发光层524的膜厚更加均一化。另外，在通过使用滴下墨水液524r等方法涂布来形成各个子像素512R的发光层524的情况下，只要在宽度(开口宽度Hr)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524r即可。其结果是：与在每个子像素512R中单独设置发光层524的情况相比，能够使每个子像素512R的发光层524的膜厚更加均一化。因此，能够减少亮度不均。
另外，在形成各个子像素512B时，因为只要在宽度(开口宽度Hb)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524b即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hg)内滴下墨水液524g的情况相比，能够降低墨水液524b的滴下精度。另外，在形成各个子像素512R时，因为只要在宽度(开口宽度Hr)比沟部517的宽度(开口宽度Hg)大2倍左右的沟内滴下墨水液524r即可，所以与在沟部517的宽度(开口宽度Hg)内滴下墨水液524g的情况相比，能够降低墨水液524r的滴下精度。
另外，在本变形例中，基板516是可见光透射性基板。由此，通过各个子像素512的光透射区域524B，从发光面板510的背后射入的光透射至发光面板510的前面。其结果是：观察者能够隔着发光面板510视认发光面板510的背后。
[变形例D]
图45表示图42记载的发光面板510的概略结构的一个变形例。图46表示图45记载的各个子像素512内的平面设计的一个例子。在本变形例的各个子像素512中，阳极521(发光区域524A)仅形成在开口部518A的一部分，开口部518A中的未形成阳极521(发光区域524A)的区域为光透射区域524B。例如在开口部518A中的阳极521(发光区域524A)的两侧(列方向的两侧)各设置有1个光透射区域524B。再有，也可以在开口部518A中的阳极521(发光区域524A)的一侧(列方向的一侧)设置有光透射区域524B。在这样做的情况下，即使在列方向上没有设置非发光像素515，也能够在列方向上设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
再有，在上述变形例C的发光面板510的各个子像素512中，阳极521(发光区域524A)也可以仅形成在开口部518A的一部分，开口部518A中的未形成阳极521(发光区域524A)的区域为光透射区域524B。即使在这样做的情况下，也能够在列方向上设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
[变形例E]
图47表示上述第三实施方式的发光面板510的概略结构的一个变形例。在本变形例中，非发光像素515B的尺寸(开口部514A的尺寸)比子像素512的尺寸大，例如与像素511大致相等。在这样做的情况下，能够在行方向上设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
[变形例F]
图48表示上述变形例C的发光面板510的概略结构的一个变形例。在本变形例中，相比上述变形例C的发光面板510，形成非发光像素515B的部分全部为光透射区域524B。总之，在本变形例中，各个像素511由光透射区域524B包围。在这样做的情况下，能够在行方向和列方向的双方，设置具有充分宽度的光透射区域524B。其结果是：能够减少光衍射不良的发生。
<9.应用例>
[应用例1]
在下文中，对上述第三实施方式及其变形例的发光装置500的应用例进行说明。上述第三实施方式及其变形例的发光装置500可以应用于电视机、数码相机、笔记本个人电脑、片状个人电脑、手机等移动终端设备或摄像机等以图像或映像的形式显示从外部输入的视频信号或在内部产生的视频信号的所有领域的电子设备。
图49是表示本应用例的电子设备600的外观立体图。电子设备600例如是在壳体610的主面具备显示面620的片状个人电脑。电子设备600在其显示面620中具备上述第三实施方式及其变形例的发光装置500。上述第三实施方式及其变形例的发光装置500以发光面板510朝着外侧的方式配置。在本应用例中，因为上述第三实施方式及其变形例的发光装置500设置在显示面620中，所以能够获得显示质量高的电子设备600。
[应用例2]
在下文中，对上述第三实施方式及其变形例的发光装置500的应用例进行说明。上述第三实施方式及其变形例的发光装置500可以适用于台式、落地式的照明装置或室内用照明装置等所有领域的照明装置的光源。
图50表示适用有上述第三实施方式及其变形例的发光装置500的室内用照明装置的外观。该照明装置具有例如以包括上述第三实施方式及其变形例的发光装置500的方式构成的照明部710。照明部710以适宜的个数和间隔配置在建筑物的天花板720上。再有，照明部710根据用途，不限定于设置在天花板720上，也可以设置在壁730或地板(未图示)等任意的地方。
在这些照明装置中，由来自上述第三实施方式及其变形例的发光装置500的光进行照明。由此，能够获得照明质量高的照明装置。
虽然上面列举第三实施方式及其变形例说明了本公开，但是本公开不限于第三实施方式等，可以做出各种变化。
再有，本说明书所记载的效果仅为例示。本公开的效果并不限于本说明书所记载的效果。本公开也可以具有本说明书所记载的效果以外的效果。
另外，本公开也能够采用以下结构。
(1)
一种显示装置，具备：
多个像素，各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域；
第一电极，设置在所述多个像素各自的所述发光区域；
隔壁，设置在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻的所述像素之间；
发光层，连续设置在所述发光区域和所述非发光区域，并且覆盖所述第一电极；以及
第二电极，隔着所述发光层与所述第一电极对置。
(2)
所述(1)所述的显示装置，其中，
进一步具备：
基板；
薄膜晶体管，设置在所述基板上；以及
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，并且具有所述薄膜晶体管与所述第一电极的连接孔，
在所述基板上，依次设置有所述薄膜晶体管、所述绝缘层、所述第一电极、所述发光层和所述第二电极。
(3)
所述(1)或所述(2)所述的显示装置，其中，
所述隔壁在所述第一方向上延伸。
(4)
所述(1)至所述(3)中的任一项所述的显示装置，其中，
所述隔壁设置成条纹状。
(5)
所述(1)至所述(4)中的任一项所述的显示装置，其中，
所述发光层含有有机发光材料。
(6)
所述(1)至所述(5)中的任一项所述的显示装置，其中，
所述发光层是涂布层。
(7)
所述(1)至所述(6)中的任一项所述的显示装置，其中，
包含所述第一方向的大小不同的所述第一电极。
(8)
所述(1)至所述(7)中的任一项所述的显示装置，其中，
包含所述第二方向的大小不同的所述第一电极。
(9)
所述(2)所述的显示装置，其中，
进一步具备短路抑制层，
所述短路抑制层配置在所述像素内和相邻的所述像素之间的至少一方的所述发光区域与所述非发光区域的境界附近，并且覆盖所述第一电极的表面和端部。
(10)
所述(9)所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层的至少一部分以与所述绝缘层的所述连接孔对置的方式设置。
(11)
所述(9)或所述(10)所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层设置在所述第一电极与所述发光层之间。
(12)
所述(9)至所述(11)中的任一项所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层含有可见光透射性的绝缘材料。
(13)
所述(9)至所述(12)中的任一项所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层从所述发光区域与所述非发光区域的境界附近延伸到所述非发光区域。
(14)
一种显示装置的制造方法，包括：
在沿着第一方向具有发光区域和非发光区域的像素各自的所述发光区域，形成第一电极；
在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻的所述像素之间形成隔壁；
以覆盖所述第一电极的方式，在所述发光区域和所述非发光区域连续形成发光层；以及
隔着所述发光层，形成与所述第一电极对置的第二电极。
(15)
所述(14)所述的显示装置的制造方法，其中，
使用涂布法形成所述发光层。
(16)
一种发光装置，具备多个显示像素，
所述多个显示像素在基板上配置成矩阵状，
所述显示像素包含发光颜色互相不同的多个子像素，
各个所述子像素具有与像素电极对置的发光区域，以及设置在所述发光区域周围的可视光透射区域；并且具有以遍及从所述发光区域到所述可视光透射区域的区域的方式设置的发光层，
在各个所述子像素中，所述可视光透射区域相对所述发光区域设置在所述多个显示像素的第一排列方向的位置。
(17)
所述(16)所述的发光装置，其中，
在各个所述子像素中，所述可视光透射区域设置在所述发光区域的所述第一排列方向的两侧。
(18)
所述(16)或所述(17)所述的发光装置，其中，
所述发光层由涂布膜构成。
(19)
所述(16)至所述(18)中的任一项所述的发光装置，其中，
进一步具备多个第一壁部，
所述多个第一壁部在所述第一排列方向上区划所述多个子像素。
(20)
所述(19)所述的发光装置，其中，
进一步具备第二壁部，
所述第二壁部，在被相邻的2个所述第一壁部夹持的区域区划相邻的2个所述子像素，并且其高度比所述第一壁部的高度低，
所述发光层以横跨所述第二壁部且遍及从相邻的2个所述子像素中的一个到另一个的区域的方式设置。
(21)
所述(19)所述的发光装置，其中，
进一步具备多个非显示像素，
所述多个非显示像素在所述基板上配置成矩阵状，并且具有透光性，
所述多个非显示像素，在与所述第一排列方向正交的第二排列方向上与所述多个显示像素交替配置。
(22)
所述(21)所述的发光装置，其中，
进一步具备第三壁部，
所述第三壁部，在所述第二排列方向上区划所述子像素与所述非显示像素，并且其高度比所述第一壁部的高度低，
所述发光层以横跨所述第三壁部且遍及从所述子像素到所述非显示像素的区域的方式设置。
(23)
所述(16)至所述(22)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述基板是可见光透射性基板。
(24)
一种电子设备，具备：
发光装置；以及
驱动电路，驱动所述发光装置，
所述发光装置具有在基板上配置成矩阵状的多个显示像素，
所述显示像素包含发光颜色互相不同的多个子像素，
各个所述子像素具有与像素电极对置的发光区域，以及设置在所述发光区域周围的可视光透射区域；并且具有以遍及从所述发光区域到所述可视光透射区域的区域的方式设置的发光层，
在各个所述子像素中，所述可视光透射区域相对所述发光区域设置在所述多个显示像素的第一排列方向的位置。
(25)
一种发光装置，具备多个彩色像素，
所述多个彩色像素在基板上配置成矩阵状，
各个所述彩色像素包含发光颜色互相不同的多个子像素和多个非发光像素，所述多个非发光像素包括可视光透射区域，
在多个所述彩色像素的第一排列方向上，以所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置，
在多个所述彩色像素的第二排列方向上，以2个所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置。
(26)
所述(25)所述的发光装置，其中，
各个所述子像素具有有机发光层，
在所述第一排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
(27)
所述(26)所述的发光装置，其中，
在所述第一排列方向上互相邻接的2个所述彩色像素中，包含在一个所述彩色像素中的第一非发光像素与包含在另一个所述彩色像素中的第二非发光像素互相邻接。
(28)
所述(27)所述的发光装置，其中，
所述第一非发光像素与邻接于所述第一非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层，
所述第二非发光像素与邻接于所述第二非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
(29)
所述(25)所述的发光装置，其中，
各个所述子像素具有有机发光层，
在所述第二排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
(30)
所述(26)至所述(28)中的任一项所述的发光装置，其中，
在所述第二排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
(31)
所述(26)至所述(30)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述有机发光层由涂布膜构成。
(32)
所述(26)至所述(31)中的任一项所述的发光装置，其中，
进一步具备多个第一壁部，
所述多个第一壁部在所述第一排列方向上区划多个所述子像素。
(33)
所述(32)所述的发光装置，其中，
进一步具备第二壁部，
所述第二壁部在被相邻的2个所述第一壁部夹持的区域中，区划相邻的2个所述子像素且高度低于所述第一壁部，
所述有机发光层以横跨所述第二壁部且遍及从相邻的2个所述子像素中的一个到另一个的区域的方式设置，并且以横跨所述第二壁部且遍及从相邻的所述子像素和所述非发光像素中的一个到另一个的区域的方式设置。
(34)
所述(25)至所述(33)中的任一项所述的发光装置，其中，
所述基板是可见光透射性基板。
(35)
一种电子设备，具备：
发光装置；以及
驱动电路，驱动所述发光装置，
所述发光装置具有在基板上配置成矩阵状的多个彩色像素，
各个所述彩色像素包含发光颜色互相不同的多个子像素和多个非发光像素，所述多个非发光像素包括可视光透射区域，
在多个所述彩色像素的第一排列方向上，以所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置，
在多个所述彩色像素的第二排列方向上，以2个所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置。
本公开含有分别涉及在2018年1月24日、2018年4月10日、2018年4月10日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2018-009713、JP2018-75472、JP2018-75473中公开的主旨，其全部内容包括在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改、组合、子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求书或它的等同物的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，具备：
多个像素，各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域；
第一电极，设置在所述多个像素各自的所述发光区域；
隔壁，设置在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻的所述像素之间；
发光层，连续设置在所述发光区域和所述非发光区域，并且覆盖所述第一电极；以及
第二电极，隔着所述发光层与所述第一电极对置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
进一步具备：
基板；
薄膜晶体管，设置在所述基板上；以及
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，并且具有所述薄膜晶体管与所述第一电极的连接孔，
在所述基板上，依次设置有所述薄膜晶体管、所述绝缘层、所述第一电极、所述发光层和所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述隔壁在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光层含有有机发光材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光层是涂布层。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
进一步具备短路抑制层，
所述短路抑制层配置在所述像素内和相邻的所述像素之间的至少一方的所述发光区域与所述非发光区域的境界附近，并且覆盖所述第一电极的表面和端部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层的至少一部分以与所述绝缘层的所述连接孔对置的方式设置。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层设置在所述第一电极与所述发光层之间。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述短路抑制层从所述发光区域与所述非发光区域的境界附近延伸到所述非发光区域。
10.一种发光装置，具备多个显示像素，
所述多个显示像素在基板上配置成矩阵状，
所述显示像素包含发光颜色互相不同的多个子像素，
各个所述子像素具有与像素电极对置的发光区域，以及设置在所述发光区域周围的可视光透射区域；并且具有以遍及从所述发光区域到所述可视光透射区域的区域的方式设置的发光层，
在各个所述子像素中，所述可视光透射区域相对所述发光区域设置在所述多个显示像素的第一排列方向的位置。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，
在各个所述子像素中，所述可视光透射区域设置在所述发光区域的所述第一排列方向的两侧。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其中，
进一步具备多个第一壁部，
所述多个第一壁部在所述第一排列方向上区划所述多个子像素。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其中，
进一步具备第二壁部，
所述第二壁部，在被相邻的2个所述第一壁部夹持的区域区划相邻的2个所述子像素，并且其高度比所述第一壁部的高度低，
所述发光层以横跨所述第二壁部且遍及从相邻的2个所述子像素中的一个到另一个的区域的方式设置。
14.根据权利要求12所述的发光装置，其中，
进一步具备多个非显示像素，
所述多个非显示像素在所述基板上配置成矩阵状，并且具有透光性，
所述多个非显示像素，在与所述第一排列方向正交的第二排列方向上与所述多个显示像素交替配置。
15.一种发光装置，具备多个彩色像素，
所述多个彩色像素在基板上配置成矩阵状，
各个所述彩色像素包含发光颜色互相不同的多个子像素和多个非发光像素，所述多个非发光像素包括可视光透射区域，
在多个所述彩色像素的第一排列方向上，以所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置，
在多个所述彩色像素的第二排列方向上，以2个所述彩色像素为单位，1个或多个所述子像素与1个或多个所述非发光像素交替配置。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其中，
各个所述子像素具有有机发光层，
在所述第一排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，
在所述第一排列方向上互相邻接的2个所述彩色像素中，包含在一个所述彩色像素中的第一非发光像素与包含在另一个所述彩色像素中的第二非发光像素互相邻接。
18.根据权利要求15所述的发光装置，其中，
各个所述子像素具有有机发光层，
在所述第二排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
19.根据权利要求16所述的发光装置，其中，
在所述第二排列方向上邻接于所述子像素的所述非发光像素，与邻接于所述非发光像素的所述子像素共有所述有机发光层。
20.根据权利要求16所述的发光装置，其中，
进一步具备多个第一壁部，
所述多个第一壁部在所述第一排列方向上区划多个所述子像素。
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