JP2002196704A - 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌパネルおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬパネルにおけるデータ保持用コンデ
ンサ部の占有面積による発光面積の減少を改善する。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子を画
素毎に配置し、各画素に薄膜トランジスタ部とデータ保
持用コンデンサ部とを形成した有機ＥＬパネルであっ
て、薄膜トランジスタ部とデータ保持用コンデンサ部と
を、光取り出し面から見て重なるように配置する。
ンサ部の占有面積による発光面積の減少を改善する。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子を画
素毎に配置し、各画素に薄膜トランジスタ部とデータ保
持用コンデンサ部とを形成した有機ＥＬパネルであっ
て、薄膜トランジスタ部とデータ保持用コンデンサ部と
を、光取り出し面から見て重なるように配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）素子を用いた有機ＥＬパネルに
関し、さらに詳しくは、１フレーム期間の間、画素デー
タを保持するために各画素にデータ保持用コンデンサ部
を形成した有機ＥＬパネルに関する。
クトロルミネッセンス）素子を用いた有機ＥＬパネルに
関し、さらに詳しくは、１フレーム期間の間、画素デー
タを保持するために各画素にデータ保持用コンデンサ部
を形成した有機ＥＬパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子がイーストマン・コ
ダック社のＣ・Ｗ・Ｔａｎｇをはじめ、各研究機関・企
業などで研究開発されており、有機ＥＬパネルの駆動方
式についても種々のものが研究されている。
ダック社のＣ・Ｗ・Ｔａｎｇをはじめ、各研究機関・企
業などで研究開発されており、有機ＥＬパネルの駆動方
式についても種々のものが研究されている。
【０００３】この駆動方式については、主として、パッ
シブ駆動方式であるデューティー駆動方式と、液晶ディ
スプレイ等と共に発展してきたＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を利用したアクティブマトリクス方式が知られてい
る。
シブ駆動方式であるデューティー駆動方式と、液晶ディ
スプレイ等と共に発展してきたＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を利用したアクティブマトリクス方式が知られてい
る。
【０００４】アクティブマトリクス方式については、種
々の方式が提案されている。例えば、１画素中にＴＦＴ
を２個使用するものでは、日経エレクトロニクスＮｏ．
７６８（２０００年４月２４日）に記載された方式、Ｔ
ＦＴを３個使用するものでは、ＳＩＤ００Ｄｉｇｅｓｔ
９２４頁（２０００年）に記載された方式、ＴＦＴを４
個使用するものでは、ＳＩＤ９９Ｄｉｇｅｓｔ４３８頁
（１９９９年）に記載された方式等が知られている。
々の方式が提案されている。例えば、１画素中にＴＦＴ
を２個使用するものでは、日経エレクトロニクスＮｏ．
７６８（２０００年４月２４日）に記載された方式、Ｔ
ＦＴを３個使用するものでは、ＳＩＤ００Ｄｉｇｅｓｔ
９２４頁（２０００年）に記載された方式、ＴＦＴを４
個使用するものでは、ＳＩＤ９９Ｄｉｇｅｓｔ４３８頁
（１９９９年）に記載された方式等が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５〜図７は従来のア
クティブマトリクス方式で駆動する有機ＥＬパネルの説
明図であり、図５は１画素の等価回路を示し、図６は光
取り出し面側から見た１画素の平面図を示し、図７は１
画素の側面の断面状態を示している。図７では図中左側
が光取り出し面側である。
クティブマトリクス方式で駆動する有機ＥＬパネルの説
明図であり、図５は１画素の等価回路を示し、図６は光
取り出し面側から見た１画素の平面図を示し、図７は１
画素の側面の断面状態を示している。図７では図中左側
が光取り出し面側である。
【０００６】これらの図において、１は有機ＥＬ素子で
構成された発光部、２はデータ保持用コンデンサ部、３
はドライブ用ＴＦＴ、４はスイッチング用ＴＦＴ、５は
電源ライン、６はセレクト（スキャン）ライン、７はデ
ータライン、８はＴＦＴ用のポリシリコン膜、９はデー
タ保持用コンデンサ部２の一方の電極として用いられる
金属からなるコンデンサ用電極、１０は配線部、１１は
データライン７への接続端子、１２，１３はＳｉＯ
2 膜、１４は平坦化膜、１５は陽極（アノード）として
用いられるＩＴＯからなる発光部用透明電極、１６は有
機ＥＬ層、１７は陰極（カソード）として用いられるＡ
ｌからなる金属電極である。
構成された発光部、２はデータ保持用コンデンサ部、３
はドライブ用ＴＦＴ、４はスイッチング用ＴＦＴ、５は
電源ライン、６はセレクト（スキャン）ライン、７はデ
ータライン、８はＴＦＴ用のポリシリコン膜、９はデー
タ保持用コンデンサ部２の一方の電極として用いられる
金属からなるコンデンサ用電極、１０は配線部、１１は
データライン７への接続端子、１２，１３はＳｉＯ
2 膜、１４は平坦化膜、１５は陽極（アノード）として
用いられるＩＴＯからなる発光部用透明電極、１６は有
機ＥＬ層、１７は陰極（カソード）として用いられるＡ
ｌからなる金属電極である。
【０００７】発光部１は、発光部用透明電極１５と金属
電極１７との間に有機ＥＬ層１６を挟んだ構成となって
おり、発光部用透明電極１５と金属電極１７との間への
電圧印加により発光する。
電極１７との間に有機ＥＬ層１６を挟んだ構成となって
おり、発光部用透明電極１５と金属電極１７との間への
電圧印加により発光する。
【０００８】データ保持用コンデンサ部２では、コンデ
ンサ用電極９に対向する部分のポリシリコン膜８がドー
ピングによって他方の電極として用いられ、ポリシリコ
ン膜８とコンデンサ用電極９との間に電荷を蓄積する。
なお、コンデンサ用電極９と配線部１０との間にも多少
の電荷の蓄積がある。
ンサ用電極９に対向する部分のポリシリコン膜８がドー
ピングによって他方の電極として用いられ、ポリシリコ
ン膜８とコンデンサ用電極９との間に電荷を蓄積する。
なお、コンデンサ用電極９と配線部１０との間にも多少
の電荷の蓄積がある。
【０００９】アクティブマトリクス方式では、１フレー
ム期間またはサブフレーム期間の内、セレクトライン６
で選択された１列の画素に、そのセレクトラインで選択
されている期間中にデータライン７を用いて画素データ
を書き込み、１フレーム期間またはサブフレーム期間の
間、データを保持し発光を継続させる必要がある。
ム期間またはサブフレーム期間の内、セレクトライン６
で選択された１列の画素に、そのセレクトラインで選択
されている期間中にデータライン７を用いて画素データ
を書き込み、１フレーム期間またはサブフレーム期間の
間、データを保持し発光を継続させる必要がある。
【００１０】このため、アクティブマトリクス方式の有
機ＥＬパネルでは、図に示すように、各画素中にデータ
保持用コンデンサ部２を形成し、このコンデンサ部２に
蓄積させた容量成分により、１フレームの期間またはサ
ブフレームの期間の間、データを保持し続けるようにし
ている。
機ＥＬパネルでは、図に示すように、各画素中にデータ
保持用コンデンサ部２を形成し、このコンデンサ部２に
蓄積させた容量成分により、１フレームの期間またはサ
ブフレームの期間の間、データを保持し続けるようにし
ている。
【００１１】このコンデンサ部２は、ＴＦＴのオフリー
ク電流や浮遊容量によるクロストークの影響を受けなが
らも、１フレーム期間またはサブフレーム期間だけデー
タを保持しなければならないため、１００〜２００ｆＦ
の容量が必要になる。
ク電流や浮遊容量によるクロストークの影響を受けなが
らも、１フレーム期間またはサブフレーム期間だけデー
タを保持しなければならないため、１００〜２００ｆＦ
の容量が必要になる。
【００１２】計算によると、この容量のデータ保持用コ
ンデンサ部が占める面積は、約８５０μｍ2 である。こ
のため、例えば、１画素の大きさが５０μｍ×１５０μ
ｍである場合、１画素中にコンデンサ部の占める面積の
割合は、８５０／７５００＝約１１％となり、これが発
光面積減少の大きな要因の一つになっていた。
ンデンサ部が占める面積は、約８５０μｍ2 である。こ
のため、例えば、１画素の大きさが５０μｍ×１５０μ
ｍである場合、１画素中にコンデンサ部の占める面積の
割合は、８５０／７５００＝約１１％となり、これが発
光面積減少の大きな要因の一つになっていた。
【００１３】前述のように１画素の大きさが５０μｍ×
１５０μｍである場合、従来の有機ＥＬパネルでは、デ
ータ保持用コンデンサ部や画素を通る配線の面積などを
差し引いた有効な発光面積は１５００μｍ2 であり、発
光面積率は１５００／７５００＝２０％であった。
１５０μｍである場合、従来の有機ＥＬパネルでは、デ
ータ保持用コンデンサ部や画素を通る配線の面積などを
差し引いた有効な発光面積は１５００μｍ2 であり、発
光面積率は１５００／７５００＝２０％であった。
【００１４】画素の発光面積率が減少すると、発光面積
率の広いものと比較した場合、画面全体を同一輝度で光
らせるためには、１画素当たりの輝度を高くする必要が
あり、そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子に
印加する電圧および電流も高くする必要があり、これが
有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命低下の一要因
となっていた。
率の広いものと比較した場合、画面全体を同一輝度で光
らせるためには、１画素当たりの輝度を高くする必要が
あり、そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子に
印加する電圧および電流も高くする必要があり、これが
有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命低下の一要因
となっていた。
【００１５】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたもので、データ保持用コンデンサ部の占有面積によ
る発光面積の減少を改善した有機ＥＬパネルおよびその
製造方法を提供するものである。
れたもので、データ保持用コンデンサ部の占有面積によ
る発光面積の減少を改善した有機ＥＬパネルおよびその
製造方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機エレクト
ロルミネッセンス素子を画素毎に配置し、各画素に薄膜
トランジスタ部とデータ保持用コンデンサ部とを形成し
た有機ＥＬパネルであって、薄膜トランジスタ部とデー
タ保持用コンデンサ部とを、光取り出し面から見て重な
るように配置したことを特徴とする有機ＥＬパネル有機
ＥＬパネルである。
ロルミネッセンス素子を画素毎に配置し、各画素に薄膜
トランジスタ部とデータ保持用コンデンサ部とを形成し
た有機ＥＬパネルであって、薄膜トランジスタ部とデー
タ保持用コンデンサ部とを、光取り出し面から見て重な
るように配置したことを特徴とする有機ＥＬパネル有機
ＥＬパネルである。
【００１７】本発明によれば、薄膜トランジスタ部とデ
ータ保持用コンデンサ部とが、光取り出し面から見て重
なるように配置されるので、従来のデータ保持用コンデ
ンサ部の部分を発光部とすることができ、画面全体の発
光面積率を向上させることができる。
ータ保持用コンデンサ部とが、光取り出し面から見て重
なるように配置されるので、従来のデータ保持用コンデ
ンサ部の部分を発光部とすることができ、画面全体の発
光面積率を向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明においては、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）部とデータ保持用コンデンサ部とを、光
取り出し面から見て重なるように配置する。つまりこれ
らを２層に形成する。この２層の形成を工程順に説明す
れば、ガラス基板にＴＦＴ部を形成した後、平坦化膜を
形成し、その後、ＴＦＴ部に隣接して有機ＥＬ層を形成
しながら、その有機ＥＬ層の形成と同時にデータ保持用
コンデンサ部を形成する。これにより、ＴＦＴ部とデー
タ保持用コンデンサ部とを、光取り出し面から見て重な
るように配置することができる。形成の順序はこれにこ
だわらず、ガラス基板に先にＴＦＴ部とそれに隣接して
有機ＥＬ層を形成し、その上に平坦化膜を形成し、ＴＦ
Ｔ部の上にデータ保持用コンデンサ部を形成するように
してもよい。
スタ（ＴＦＴ）部とデータ保持用コンデンサ部とを、光
取り出し面から見て重なるように配置する。つまりこれ
らを２層に形成する。この２層の形成を工程順に説明す
れば、ガラス基板にＴＦＴ部を形成した後、平坦化膜を
形成し、その後、ＴＦＴ部に隣接して有機ＥＬ層を形成
しながら、その有機ＥＬ層の形成と同時にデータ保持用
コンデンサ部を形成する。これにより、ＴＦＴ部とデー
タ保持用コンデンサ部とを、光取り出し面から見て重な
るように配置することができる。形成の順序はこれにこ
だわらず、ガラス基板に先にＴＦＴ部とそれに隣接して
有機ＥＬ層を形成し、その上に平坦化膜を形成し、ＴＦ
Ｔ部の上にデータ保持用コンデンサ部を形成するように
してもよい。
【００１９】上記構成において、データ保持用コンデン
サ部の誘電体層の一部または全部を、有機エレクトロル
ミネッセンス素子で形成してもよい。有機エレクトロル
ミネッセンス素子は、順方向に電圧を印加すると発光す
るが、コンデンサの誘電体層として使用する場合、この
性質は蓄積した電荷を消費してしまうため、コンデンサ
の役割を果たせなくなる。したがって、電圧印加の方向
を考慮して使用する場合には、データ保持用コンデンサ
部の誘電体層の全部を、有機エレクトロルミネッセンス
素子で形成してもよいが、通常は、電圧印加の方向を考
慮せずに使用するため、データ保持用コンデンサ部の誘
電体層の一部を、有機エレクトロルミネッセンス素子で
形成する。このように、有機エレクトロルミネッセンス
素子を誘電体層として利用する場合には、有機エレクト
ロルミネッセンス素子と電極との間に誘電体層を設け
て、有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向に電圧
を印加しても非発光状態を保てるようにすることが望ま
しい。
サ部の誘電体層の一部または全部を、有機エレクトロル
ミネッセンス素子で形成してもよい。有機エレクトロル
ミネッセンス素子は、順方向に電圧を印加すると発光す
るが、コンデンサの誘電体層として使用する場合、この
性質は蓄積した電荷を消費してしまうため、コンデンサ
の役割を果たせなくなる。したがって、電圧印加の方向
を考慮して使用する場合には、データ保持用コンデンサ
部の誘電体層の全部を、有機エレクトロルミネッセンス
素子で形成してもよいが、通常は、電圧印加の方向を考
慮せずに使用するため、データ保持用コンデンサ部の誘
電体層の一部を、有機エレクトロルミネッセンス素子で
形成する。このように、有機エレクトロルミネッセンス
素子を誘電体層として利用する場合には、有機エレクト
ロルミネッセンス素子と電極との間に誘電体層を設け
て、有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向に電圧
を印加しても非発光状態を保てるようにすることが望ま
しい。
【００２０】データ保持用コンデンサ部は、発光部の形
成との関係で、電極の一方を透明材料で形成し、電極の
他方を金属材料で形成することが望ましい。
成との関係で、電極の一方を透明材料で形成し、電極の
他方を金属材料で形成することが望ましい。
【００２１】この発明は、また、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を画素毎に配置し、各画素に薄膜トランジ
スタ部とデータ保持用コンデンサ部とを形成した有機Ｅ
Ｌパネルの製造方法であって、有機エレクトロルミネッ
センス素子のアノード電極形成の際にデータ保持用コン
デンサ部の一方の電極を形成し、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子のカソード電極形成の際にデータ保持用コ
ンデンサ部の他方の電極を形成する工程を含んでなる有
機ＥＬパネルの製造方法である。
ッセンス素子を画素毎に配置し、各画素に薄膜トランジ
スタ部とデータ保持用コンデンサ部とを形成した有機Ｅ
Ｌパネルの製造方法であって、有機エレクトロルミネッ
センス素子のアノード電極形成の際にデータ保持用コン
デンサ部の一方の電極を形成し、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子のカソード電極形成の際にデータ保持用コ
ンデンサ部の他方の電極を形成する工程を含んでなる有
機ＥＬパネルの製造方法である。
【００２２】以下、本発明の実施の形態を図面に基づき
説明する。なお、これによって本発明が限定されるもの
ではない。
説明する。なお、これによって本発明が限定されるもの
ではない。
【００２３】図１〜図３は本発明のアクティブマトリク
ス方式で駆動する有機ＥＬパネルの一実施形態を示す説
明図であり、図１は１画素の等価回路を示し、図２は光
取り出し面側から見た１画素の平面図を示し、図３は１
画素の側面の断面状態を示している。図３では図中左側
が光取り出し面側である。
ス方式で駆動する有機ＥＬパネルの一実施形態を示す説
明図であり、図１は１画素の等価回路を示し、図２は光
取り出し面側から見た１画素の平面図を示し、図３は１
画素の側面の断面状態を示している。図３では図中左側
が光取り出し面側である。
【００２４】これらの図において、１は有機ＥＬ素子で
構成された発光部、３はドライブ用ＴＦＴ、４はスイッ
チング用ＴＦＴ、５は電源ライン、６はセレクト（スキ
ャン）ライン、７はデータライン、８はＴＦＴ用のポリ
シリコン膜、１０は配線部、１１はデータライン７への
接続端子、１２，１３はＳｉＯ2 膜、１４は平坦化膜、
１５は陽極（アノード）として用いられるＩＴＯからな
る発光部用透明電極、１６は有機ＥＬ層、１７は陰極
（カソード）として用いられるＡｌからなる金属電極、
２１はデータ保持用コンデンサ部、２２はデータ保持用
コンデンサ部２１の一方の電極として用いられるＩＴＯ
からなるコンデンサ用透明電極、２３はＳｉＯ2 膜から
なる誘電体層である。
構成された発光部、３はドライブ用ＴＦＴ、４はスイッ
チング用ＴＦＴ、５は電源ライン、６はセレクト（スキ
ャン）ライン、７はデータライン、８はＴＦＴ用のポリ
シリコン膜、１０は配線部、１１はデータライン７への
接続端子、１２，１３はＳｉＯ2 膜、１４は平坦化膜、
１５は陽極（アノード）として用いられるＩＴＯからな
る発光部用透明電極、１６は有機ＥＬ層、１７は陰極
（カソード）として用いられるＡｌからなる金属電極、
２１はデータ保持用コンデンサ部、２２はデータ保持用
コンデンサ部２１の一方の電極として用いられるＩＴＯ
からなるコンデンサ用透明電極、２３はＳｉＯ2 膜から
なる誘電体層である。
【００２５】発光部１は、発光部用透明電極１５と金属
電極１７との間に有機ＥＬ層１６を挟んだ構成となって
おり、発光部用透明電極１５と金属電極１７との間への
電圧印加により発光する。
電極１７との間に有機ＥＬ層１６を挟んだ構成となって
おり、発光部用透明電極１５と金属電極１７との間への
電圧印加により発光する。
【００２６】金属電極１７は、データ保持用コンデンサ
部２１の領域にも形成しており、データ保持用コンデン
サ部２１の他方の電極としても用いる。これにより、デ
ータ保持用コンデンサ部２１では、コンデンサ用透明電
極２２と金属電極１７との間に電荷を蓄積する。
部２１の領域にも形成しており、データ保持用コンデン
サ部２１の他方の電極としても用いる。これにより、デ
ータ保持用コンデンサ部２１では、コンデンサ用透明電
極２２と金属電極１７との間に電荷を蓄積する。
【００２７】本実施形態の有機ＥＬパネルでは、有機Ｅ
Ｌ層１６を、データ保持用コンデンサ部２１の誘電体層
として利用している。有機ＥＬ層１６は、順方向に電圧
が印加されると発光するが、コンデンサの誘電体層とし
て使用する場合、この性質は蓄積した電荷を消費してし
まうため、コンデンサの役割を果たせなくなる。
Ｌ層１６を、データ保持用コンデンサ部２１の誘電体層
として利用している。有機ＥＬ層１６は、順方向に電圧
が印加されると発光するが、コンデンサの誘電体層とし
て使用する場合、この性質は蓄積した電荷を消費してし
まうため、コンデンサの役割を果たせなくなる。
【００２８】そこで、コンデンサ用透明電極２２と有機
ＥＬ層１６との間に、誘電率の高い誘電体層２３を形成
している。このように誘電体層２３を形成することによ
り、有機ＥＬ層１６に順方向の電圧を印加しても電流が
流れることがなくなり、コンデンサの役割を果たすこと
が可能になる。
ＥＬ層１６との間に、誘電率の高い誘電体層２３を形成
している。このように誘電体層２３を形成することによ
り、有機ＥＬ層１６に順方向の電圧を印加しても電流が
流れることがなくなり、コンデンサの役割を果たすこと
が可能になる。
【００２９】データ保持用コンデンサ部２１の領域にお
ける誘電体層２３の膜厚を１００ｎｍ、有機ＥＬ層１６
の膜厚を１２０ｎｍ、誘電体層２３の誘電率を３．８、
有機ＥＬ層１６の誘電率を３．４として、データ保持用
コンデンサ部２１の単位面積当たりの容量を計算する
と、
ける誘電体層２３の膜厚を１００ｎｍ、有機ＥＬ層１６
の膜厚を１２０ｎｍ、誘電体層２３の誘電率を３．８、
有機ＥＬ層１６の誘電率を３．４として、データ保持用
コンデンサ部２１の単位面積当たりの容量を計算する
と、
【００３０】
【数１】 ２００ｆＦの容量を得るために必要なデータ保持用コン
デンサ部２１の面積は、
デンサ部２１の面積は、
【００３１】
【数２】 となる。
【００３２】上記では、誘電体層２３にＳｉＯ2 膜を用
いたが、ＳｉＯ2 よりも高誘電率のＳｒＴｉＯ3 膜を用
いた場合、ＳｒＴｉＯ3 の誘電率は１４０であるので、
２００ｆＦの容量を得るために必要なデータ保持用コン
デンサ部２１の面積は、
いたが、ＳｉＯ2 よりも高誘電率のＳｒＴｉＯ3 膜を用
いた場合、ＳｒＴｉＯ3 の誘電率は１４０であるので、
２００ｆＦの容量を得るために必要なデータ保持用コン
デンサ部２１の面積は、
【００３３】
【数３】 となる。
【００３４】また、上記では、有機ＥＬ層１６をデータ
保持用コンデンサ部２１の誘電体層の一部として利用し
たが、有機ＥＬ層１６を利用せず、ＳｉＯ2 膜やＳｒＴ
ｉＯ 3 膜などの誘電体層を、有機ＥＬ層１６の隣に別に
形成してもよい。なお、ＳｉＯ2 膜やＳｒＴｉＯ3 膜は
単体で成膜してもよいし、異なる膜を積層してもよい。
保持用コンデンサ部２１の誘電体層の一部として利用し
たが、有機ＥＬ層１６を利用せず、ＳｉＯ2 膜やＳｒＴ
ｉＯ 3 膜などの誘電体層を、有機ＥＬ層１６の隣に別に
形成してもよい。なお、ＳｉＯ2 膜やＳｒＴｉＯ3 膜は
単体で成膜してもよいし、異なる膜を積層してもよい。
【００３５】有機ＥＬ層１６の隣に、例えばＳｉＯ2 単
体の誘電体層を形成した場合のデータ保持用コンデンサ
部２１の必要面積を計算すると、
体の誘電体層を形成した場合のデータ保持用コンデンサ
部２１の必要面積を計算すると、
【数４】 となる。
【００３６】次に、上記有機ＥＬパネルの製造方法を説
明する。データ保持用コンデンサ部２１と発光部１の領
域は、平坦化膜１４上へ同時に形成する。発光部１の領
域は、蒸着や転写などにより、発光部用透明電極１５、
有機ＥＬ層１６、金属電極１７の順に積層する。
明する。データ保持用コンデンサ部２１と発光部１の領
域は、平坦化膜１４上へ同時に形成する。発光部１の領
域は、蒸着や転写などにより、発光部用透明電極１５、
有機ＥＬ層１６、金属電極１７の順に積層する。
【００３７】一方、データ保持用コンデンサ部２１の領
域は、発光部１の発光部用透明電極１５の形成と同時に
コンデンサ用透明電極２２を形成し、次に、誘電体層２
３を形成し、次に、発光部１の有機ＥＬ層１６の形成と
同時に有機ＥＬ層１６を形成し、次に、発光部１の金属
電極１７の形成と同時に金属電極１７を形成する。これ
により、一画素内でのデータ保持用コンデンサ部２１と
発光部１の領域は、平面的に見た場合、図２に示すよう
になる。
域は、発光部１の発光部用透明電極１５の形成と同時に
コンデンサ用透明電極２２を形成し、次に、誘電体層２
３を形成し、次に、発光部１の有機ＥＬ層１６の形成と
同時に有機ＥＬ層１６を形成し、次に、発光部１の金属
電極１７の形成と同時に金属電極１７を形成する。これ
により、一画素内でのデータ保持用コンデンサ部２１と
発光部１の領域は、平面的に見た場合、図２に示すよう
になる。
【００３８】有機ＥＬ層１６をデータ保持用コンデンサ
部２１の誘電体層の一部として用いず、別の誘電体層を
形成する場合は、以下のような工程となる。
部２１の誘電体層の一部として用いず、別の誘電体層を
形成する場合は、以下のような工程となる。
【００３９】データ保持用コンデンサ部２１の領域は、
発光部１の発光部用透明電極１５の形成と同時にコンデ
ンサ用透明電極２２を形成し、次に、誘電体層２３を形
成して、発光部１の有機ＥＬ層１６の形成の際には有機
ＥＬ層を形成せず、次に、発光部１の金属電極１７の形
成と同時に金属電極１７を形成する。
発光部１の発光部用透明電極１５の形成と同時にコンデ
ンサ用透明電極２２を形成し、次に、誘電体層２３を形
成して、発光部１の有機ＥＬ層１６の形成の際には有機
ＥＬ層を形成せず、次に、発光部１の金属電極１７の形
成と同時に金属電極１７を形成する。
【００４０】図４は５０μｍ×１５０μｍの画素が横に
３つ配列されている状態を示している。なお、データ保
持用コンデンサ部２１と発光部１との面積比はデータ保
持用コンデンサ部２１の誘電体層の材料によって変化す
る。
３つ配列されている状態を示している。なお、データ保
持用コンデンサ部２１と発光部１との面積比はデータ保
持用コンデンサ部２１の誘電体層の材料によって変化す
る。
【００４１】図４で発光部１の面積（発光面積）は、 発光面積＝１画素の面積−隙間部−コンデンサ部面積 となる。ここで隙間部とした部分は、図４の斜線の部分
であり、それぞれ隣のエリアとの隙間は１０μｍとす
る。１画素の面積を５０μｍ×１５０μｍとすると、 発光面積＝７５００−２３００−コンデンサ部面積 ＝５２００−コンデンサ部面積 となり、１画素中の発光面積率は、データ保持用コンデ
ンサ部２１の誘電体層を、ＳｉＯ2 膜と有機ＥＬ層１６
で形成した場合、データ保持用コンデンサ部２１の面積
は１３９９μｍ2 であるので、発光部１の面積は３８０
１μｍ2 となり、発光部１の面積率は５１％となる。
であり、それぞれ隣のエリアとの隙間は１０μｍとす
る。１画素の面積を５０μｍ×１５０μｍとすると、 発光面積＝７５００−２３００−コンデンサ部面積 ＝５２００−コンデンサ部面積 となり、１画素中の発光面積率は、データ保持用コンデ
ンサ部２１の誘電体層を、ＳｉＯ2 膜と有機ＥＬ層１６
で形成した場合、データ保持用コンデンサ部２１の面積
は１３９９μｍ2 であるので、発光部１の面積は３８０
１μｍ2 となり、発光部１の面積率は５１％となる。
【００４２】データ保持用コンデンサ部２１の誘電体層
を、ＳｒＴｉＯ3 膜と有機ＥＬ層１６で形成した場合、
データ保持用コンデンサ部２１の面積は８１６μｍ2 で
あるので、発光部１の面積は４３８４μｍ2 となり、発
光部１の面積率は５９％となる。
を、ＳｒＴｉＯ3 膜と有機ＥＬ層１６で形成した場合、
データ保持用コンデンサ部２１の面積は８１６μｍ2 で
あるので、発光部１の面積は４３８４μｍ2 となり、発
光部１の面積率は５９％となる。
【００４３】データ保持用コンデンサ部２１の誘電体層
を、ＳｉＯ2 単体の誘電体膜で形成した場合、データ保
持用コンデンサ部２１の面積は５９５μｍ2 であるの
で、発光部１の面積は４６０５μｍ2 となり、発光部の
面積率は６１％となる。
を、ＳｉＯ2 単体の誘電体膜で形成した場合、データ保
持用コンデンサ部２１の面積は５９５μｍ2 であるの
で、発光部１の面積は４６０５μｍ2 となり、発光部の
面積率は６１％となる。
【００４４】実際の有機ＥＬパネルでは、ドライブ用Ｔ
ＦＴ３とスイッチング用ＴＦＴ４との２個のＴＦＴが占
める面積が多少存在し、この面積が合計で１４３０μｍ
2 、画素を通る配線の面積が３４００μｍ2 であるの
で、有機ＥＬ素子の発光による光が透過できる面積は、
７５００−１４３０−３４００＝２６７０〔μｍ2 〕と
なるが、ＴＦＴの微細化・配線抵抗低減の技術開発は急
速に進展しており、本発明を適用することにより発光面
積の向上が期待できる。
ＦＴ３とスイッチング用ＴＦＴ４との２個のＴＦＴが占
める面積が多少存在し、この面積が合計で１４３０μｍ
2 、画素を通る配線の面積が３４００μｍ2 であるの
で、有機ＥＬ素子の発光による光が透過できる面積は、
７５００−１４３０−３４００＝２６７０〔μｍ2 〕と
なるが、ＴＦＴの微細化・配線抵抗低減の技術開発は急
速に進展しており、本発明を適用することにより発光面
積の向上が期待できる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、データ保持用コンデン
サ部の占有面積による発光面積の減少を改善することが
でき、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ば
すことができる。
サ部の占有面積による発光面積の減少を改善することが
でき、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ば
すことができる。
【図１】本発明の有機ＥＬパネルの一実施形態の１画素
の等価回路を示す説明図である。
の等価回路を示す説明図である。
【図２】本発明の有機ＥＬパネルの一実施形態の１画素
の平面を示す説明図である。
の平面を示す説明図である。
【図３】本発明の有機ＥＬパネルの一実施形態の１画素
の側面の断面状態を示す説明図である。
の側面の断面状態を示す説明図である。
【図４】５０μｍ×１５０μｍの画素が横に３つ配列さ
れている状態を示す説明図である。
れている状態を示す説明図である。
【図５】従来の有機ＥＬパネルの１画素の等価回路を示
す説明図である。
す説明図である。
【図６】従来の有機ＥＬパネルの１画素の平面を示す説
明図である。
明図である。
【図７】従来の有機ＥＬパネルの１画素の側面の断面状
態を示す説明図である。
態を示す説明図である。
１ 発光部 ３ ドライブ用ＴＦＴ ４ スイッチング用ＴＦＴ ５ 電源ライン ６ セレクトライン ７ データライン ８ ポリシリコン膜 １０ 配線部 １１ データラインへの接続端子 １２，１３ ＳｉＯ2 膜 １４ 平坦化膜 １５ 発光部用透明電極 １６ 有機ＥＬ層 １７ 金属電極 ２１ データ保持用コンデンサ部 ２２ コンデンサ用透明電極 ２３ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB11 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EA02 EB00 FA01 GA04 5C094 AA07 AA15 AA31 AA48 AA54 BA03 BA27 CA19 DA13 DA15 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GA10 GB10
Claims (5)
- 【請求項１】 有機エレクトロルミネッセンス素子を画
素毎に配置し、各画素に薄膜トランジスタ部とデータ保
持用コンデンサ部とを形成した有機ＥＬパネルであっ
て、 薄膜トランジスタ部とデータ保持用コンデンサ部とを、
光取り出し面から見て重なるように配置したことを特徴
とする有機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 前記データ保持用コンデンサ部の誘電体
層の一部または全部を有機エレクトロルミネッセンス素
子で形成してなる請求項１記載の有機ＥＬパネル。 - 【請求項３】 前記データ保持用コンデンサ部を構成す
る有機エレクトロルミネッセンス素子と電極との間に誘
電体層を設け、これにより有機エレクトロルミネッセン
ス素子に順方向に電圧を印加しても非発光状態を保てる
ようにしてなる請求項２記載の有機ＥＬパネル。 - 【請求項４】 前記データ保持用コンデンサ部の電極の
一方を透明材料で形成し、電極の他方を金属材料で形成
してなる請求項１記載の有機ＥＬパネル。 - 【請求項５】 有機エレクトロルミネッセンス素子を画
素毎に配置し、各画素に薄膜トランジスタ部とデータ保
持用コンデンサ部とを形成した有機ＥＬパネルの製造方
法であって、 有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極形成
の際にデータ保持用コンデンサ部の一方の電極を形成
し、有機エレクトロルミネッセンス素子のカソード電極
形成の際にデータ保持用コンデンサ部の他方の電極を形
成する工程を含んでなる有機ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397475A JP2002196704A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397475A JP2002196704A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196704A true JP2002196704A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18862592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000397475A Pending JP2002196704A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002196704A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005114629A1 (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Kyocera Corporation | 画像表示装置およびその駆動方法 |
| JP2006309258A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 画像表示装置の駆動方法 |
| JP2006313368A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-11-16 | Kyocera Corp | 画像表示装置 |
| JP2007148216A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| US7256757B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-08-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic EL display panel |
| KR100757821B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-09-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| JP2008211184A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Canon Inc | アクティブマトリクス表示装置 |
| US7692382B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-04-06 | Kyocera Corporation | Image display apparatus having a plurality of pixels |
| JP2016207486A (ja) * | 2015-04-23 | 2016-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN107665906A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000397475A patent/JP2002196704A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005114629A1 (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Kyocera Corporation | 画像表示装置およびその駆動方法 |
| JPWO2005114629A1 (ja) * | 2004-05-20 | 2008-03-27 | 京セラ株式会社 | 画像表示装置およびその駆動方法 |
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| KR100760549B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-09-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| KR100757821B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-09-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
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| CN107665906A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN107665906B (zh) * | 2016-07-29 | 2021-01-15 | 乐金显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
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