KR101798935B1 - 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 - Google Patents

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법{ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD OF FORMING PATTERNS}
유기막 조성물, 상기 유기막 조성물을 사용하여 제조된 유기막, 그리고 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료층을 식각하는 과정을 포함한다.
근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 유기막을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
하드마스크 층은 선택적 식각 과정을 통하여 포토레지스트의 미세 패턴을 재료 층으로 전사해주는 중간막으로서 역할을 한다. 　따라서 하드마스크 층은 다중 식각 과정 동안 견딜 수 있도록 내열성 및 내식각성의 특성이 필요하다.
한편, 근래 하드마스크 층은 화학기상증착 방법 대신 스핀-온 코팅(spin-on coating) 방법으로 형성하는 것이 제안되었다. 스핀-온 코팅 방법은 공정이 용이할 뿐만 아니라 갭-필(gap-fill) 특성 및 평탄화 특성을 개선할 수 있다. 미세 패턴을 실현하기 위해서는 다중 패턴 형성이 필수적인데 이 때 패턴 안을 공극 없이 막으로 매립하는 매립 특성이 필요하게 된다. 또한, 피가공 기판에 단차가 있는 경우나 패턴밀집부분 및 패턴이 없는 영역이 웨이퍼 상에 함께 존재하는 경우, 하층막에 의해서 막표면을 평탄화시킬 필요가 있다.
상술한 하드마스크 층에 요구되는 특성들을 만족할 수 있는 유기막 재료가 요구된다.
일 구현예는 막밀도와 내식각성이 향상될 뿐만 아니라 우수한 용해도를 확보할 수 있는 유기막 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 기계적 특성과 평탄화 특성이 우수한 유기막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기막 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 하기 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015035382012-pat00001
상기 화학식 1에서,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 1에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기이고,
A3 및 A4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 적어도 하나의 벤젠 고리를 포함하는 고리기이고,
m은 0 또는 1이고,
"*"은 연결지점이다.
[그룹 1]
Figure 112015035382012-pat00002
상기 그룹 1에서,
R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이다.
[화학식 2]
Figure 112015035382012-pat00003
상기 화학식 2에서,
B0는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
Ba 및 Bb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기이고,
Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
La, Lb, Lc 및 Ld는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
na 및 nb는 각각 독립적으로 1 내지 6인 정수이되, na+nb≤(B0가 가질 수 있는 최대 치환기 수)를 만족한다.
상기 화학식 1에서 A3 및 A4는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에 나열된 기들 중 어느 하나일 수 있다.
[그룹 2]
Figure 112015035382012-pat00004
상기 그룹 2에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌옥사이드 함유기, 또는 이들의 조합이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
Z7 내지 Z10은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
g, h, i및 j는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
k는 1 내지 3인 정수이고,
"*"은 연결지점이다.
상기 그룹 2에서 X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴렌기이고, 상기 C6 내지 C50 아릴렌기는 하기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기일 수 있다.
[그룹 3]
Figure 112015035382012-pat00005
상기 그룹 2에서 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고, 상기 C6 내지 C30 아릴기는 상기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 1가의 기일 수 있다.
상기 그룹 1에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
상기 화학식 2에서 상기 고리기는 하기 그룹 3 내지 5에 나열된 화합물들 중 어느 하나일 수 있다.
[그룹 3]
Figure 112015035382012-pat00006
[그룹 4]
Figure 112015035382012-pat00007
[그룹 5]
Figure 112015035382012-pat00008
상기 그룹 4 및 5에서,Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
Q3은 질소(N), CRb 또는 이들의 조합이며,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 2에서, B0, Ba 및 Bb 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 다환 고리기일 수 있다.
상기 화학식 2에서 B0, Ba 및 Bb 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 다환 방향족 고리기일 수 있다.
상기 화학식 2에서, na + nb는 2 또는 3일 수 있다.
상기 중합체는 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112015035382012-pat00009
[화학식 1-2]
Figure 112015035382012-pat00010
[화학식 1-3]
Figure 112015035382012-pat00011
상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
R4 는 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Z11 내지 Z17는 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
k, l, m, n, o, p, 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
n0은 2 내지 300 인 정수이고,
*은 연결지점이다.
상기 모노머는 하기 화학식 2-1 내지 2-7 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112015035382012-pat00012
[화학식 2-2]
Figure 112015035382012-pat00013
[화학식 2-3]
Figure 112015035382012-pat00014
[화학식 2-4]
Figure 112015035382012-pat00015
[화학식 2-5]
Figure 112015035382012-pat00016
[화학식 2-6]
Figure 112015035382012-pat00017
[화학식 2-7]
Figure 112015035382012-pat00018
상기 화학식 2-1 내지 2-7에서,
Xaa 내지 Xff는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
r, s, 및 t는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
Q4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며, 상기 Ra 는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 200,000일 수 있다.
상기 모노머의 분자량은 200 내지 5,000일 수 있다.
상기 중합체 및 상기 모노머는 9:1 내지 1:9의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 중합체 및 상기 모노머는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물이 경화되어 형성되는 유기막을 제공한다.
상기 유기막은 하드마스크 층을 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상기유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행할 수 있다.
상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
내식각성, 내열성 및 평탄화 특성을 동시에 확보할 수 있는 유기막을 제공할 수 있다.
도 1은 평탄화 특성을 평가하기 위한 계산식 1을 설명하기 위한 참고도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C2 내지 C20 헤테로아릴기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한,'*'는 화합물 또는 화합물 부분(moiety)의 연결 지점을 가리킨다.
또한, A 화합물로부터 '유도된 1가의 기'란 A 화합물 내의 1개의 수소가 치환되어 형성된 1가의 기를 의미한다. 예컨대 벤젠기로부터 유도된 1가의 기는 페닐기가 된다. 또한, A 화합물로부터 '유도된 2가의 기'란 A 화합물 내의 2개의 수소가 치환되어 2개의 연결지점이 형성된 2가의 기를 의미한다. 예컨대 벤젠기로부터 유도된 2가의 기는 페닐렌기가 된다.
이하 일 구현예에 따른 유기막 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기막 조성물은 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체, 하기 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112015035382012-pat00019
상기 화학식 1에서,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 1에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기이고,
A3 및 A4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 적어도 하나의 벤젠 고리를 포함하는 고리기이고,
m은 0 또는 1이고,
"*"은 연결지점이다.
[그룹 1]
Figure 112015035382012-pat00020
상기 그룹 1에서,
R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이다.
상기 그룹 1에서, 각 화합물의 연결 지점은 특별히 한정되지 않는다.
[화학식 2]
Figure 112015035382012-pat00021
상기 화학식 2에서,
B0는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기이고,
Ba 및 Bb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기이고,
Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
La, Lb, Lc 및 Ld는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
na 및 nb는 각각 독립적으로 1 내지 6인 정수이되, na+nb≤(B0가 가질 수 있는 최대 치환기 수)를 만족한다.
상기 유기막 조성물은 상기 화학식 1로 표현되는 중합체 및 상기 화학식 2로 표현되는 모노머를 동시에 포함한다.
먼저, 상기 중합체를 설명한다.
상기 중합체는 벤질릭 수소(benzylic hydrogen)가 최소화되고 링 파리미터(ring parameter)가 극대화된 구조를 가지며, 이와 같은 중합체를 포함함으로써 상기 유기막 조성물은 우수한 내식각성을 확보할 수 있다.
상기 중합체는 상기 화학식 1로 표현되는 부분을 복수 개로 포함할 수 있으며, 상기 복수 개의 부분들은 서로 같은 구조를 가져도 되고 서로 다른 구조를 가져도 된다.
상기 화학식 1에서 질소(N) 원자에 결합된 작용기를 나타내는 R1, R2 및 R3은 예컨대 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1에서 A3 및 A4는 각각 독립적으로 적어도 하나 또는 2 이상의 벤젠 고리를 포함하는 고리기일 수 있다. 예컨대 상기 A3 및 A4는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에 나열된 기들 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure 112015035382012-pat00022
상기 그룹 2에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌옥사이드 함유기, 또는 이들의 조합이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
Z7 내지 Z10은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
g, h, i 및 j는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
k는 1 내지 3인 정수이고,
"*"은 연결지점이다.
상기 중합체는 단량체 구조 내에 3차 탄소 및 4차 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 3차 탄소란 탄소에 결합된 4개의 수소 중 3개 자리가 수소 이외의 다른 기로 치환된 형태의 탄소이고, 4차 탄소란 탄소에 결합된 4개의 수소 중 4개 자리 모두가 수소 이외의 다른 기로 치환된 형태의 탄소인 것으로 정의한다.
이러한 형태의 탄소를 포함하는 중합체를 유기막 조성물에 사용할 경우 하드마스크 층의 용해성이 향상될 수 있어 스핀-온 코팅 방법에 적용하기 유리하다. 상기 3차 탄소 또는 4차 탄소를 함유하는 화합물의 부분은 상기 그룹 2에 열거한 바와 같다.
예를 들어, 상기 그룹 2에서 X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴렌기일 수 있고, 이 때 상기 C6 내지 C50 아릴렌기는 하기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 3]
Figure 112015035382012-pat00023
상기 그룹 3에서, 각 고리기의 연결 지점은 특별히 한정되지 않음은 당연하다.
예를 들어, 상기 그룹 2에서 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있고, 이 때 상기 C6 내지 C30 아릴기는 상기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 1가의 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 그룹 2에서, X1, X2, Y1 및 Y2이 상기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 기일 경우, 이들은 적어도 하나의 수소가 다른 치환기에 의해서 치환된 형태일 수도 있다. 이 때 치환기는 예컨대 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 당업자가 의도한 물성에 따라 치환기 개수 및 종류를 선택할 수 있음은 당연하다.
다음으로 상기 유기막 조성물에 포함되어 있는 모노머에 관하여 설명한다.
상기 모노머는 상기 화학식 2로 표현되며, 상기 유기막 조성물은 상기 화학식 2로 표현되는 모노머를 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다.
상기 모노머는 코어(core)와 적어도 2개의 치환기를 가진다.
상기 화학식 2에서 치환기의 개수를 의미하는 na 및 nb는 각각 독립적으로 1 내지 6인 정수이며, 그 합이 A가 가질 수 있는 최대 치환기 수를 초과하지 않는 범위 내에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, na 및 nb의 값은 2 또는 3일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 모노머는 B0로 표현되는 코어 부분에 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이 위치하고, 치환기 부분에 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기가 위치한다. 예를 들어, 상기 모노머의 코어가 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기일 경우, 상기 고리기는 예컨대 상기 그룹 3에서 나열한 화합물들 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 예를 들어, 상기 모노머의 코어가 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기일 경우, 상기 고리기는 예컨대 하기 그룹 4 및 5에서 나열한 화합물들 중 어느 하나일 수 있다.
[그룹 4]
Figure 112015035382012-pat00024
[그룹 5]
Figure 112015035382012-pat00025
상기 그룹 4 및 5에서,Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
Q3은 질소(N), CRb 또는 이들의 조합이며,
상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
상기 그룹 3 내지 5에 나열된 고리기들은 치환되지 않은 형태를 나타낸 것이며, 예컨대 히드록시기, 알콕시기 등의 치환기에 의해 적어도 하나의 수소가 치환될 수 있음은 당연하다. 또한, 상기 그룹 3 내지 5에 나열된 고리기들의 연결지점은 특별히 한정되지 않는다.
한편, 상기 화학식 2에서 Ba 및 Bb로 표현되는 치환기는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기이며, 상기 고리기는 예컨대 상기 그룹 3 내지 5에 나열된 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2에서 B0, Ba 및 Bb 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 다환 고리기일 수 있다. 즉, 상기 모노머는 그 구조 내에 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 다환 고리기를 포함할 수 있고, 상기 다환 고리기는예컨대 다환 방향족 고리기일 수 있다. 상기 모노머는 다환 고리기를 포함함으로써 단단한(rigid) 특성을 더욱 확보할 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1에서 Ba 또는 Bb는 적어도 하나의 수소가 치환기에 의해 치환된 형태일 수 있으며, 이 때 상기 치환기는 예컨대 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C30 알콕시기또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 당업자가 의도한 물성에 따라 치환기 개수 및 종류를 선택할 수 있음은 당연하다.
한편, 상기 모노머는 치환기에 각각 소정의 작용기(Xa 및 Xb)를 포함하는데, 이들 작용기들을 포함함으로써 용해도가 향상되어 스핀-온 코팅 방법에 따라 유기막을 효과적으로 형성할 수 있다. 또한 소정의 패턴을 가지는 하부막 위에 스핀-온 코팅 방법으로 형성될 때 패턴들 사이의 갭을 채울 수 있는 갭-필 특성 및 평탄화 특성 또한 우수하다. 상기 작용기 Xa 및 Xb 는 예컨대 히드록시기일 수 있다.
상기 유기막 조성물은 3차 탄소 및/또는 4차 탄소의 구조를 가지는 중합체를 포함함으로써 중합체의 링 파라미터(ring parameter)가 커짐에도 우수한 용해도를 확보할 수 있다. 상기 유기막 조성물은 적어도 하나의 탄소 고리기를 가지는 모노머를 포함함으로서 단단한 특성을 확보할 수 있다.
또한, 상기 유기막 조성물은 상기 중합체와 함께 상기 모노머를 동시에 포함함으로써 필름 형성시 상기 중합체의 3차 탄소 및/또는 4차 탄소로 인해 발생하는 중합체간의 허공 용적(void volume)을 모노머가 채워주게 되어 기계적 물성 및 내식각성을 더욱 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 중합체는 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1-1]
Figure 112015035382012-pat00026
[화학식 1-2]
Figure 112015035382012-pat00027
[화학식 1-3]
Figure 112015035382012-pat00028
상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
R4 는 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Z11 내지 Z17는 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
k, l, m, n, o, p, 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
n0은 2 내지 300 인 정수이고,
*은 연결지점이다.
예를 들어, 상기 모노머는 하기 화학식 2-1 내지 2-7 중 어느 하나로 표현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 2-1]
Figure 112015035382012-pat00029
[화학식 2-2]
Figure 112015035382012-pat00030
[화학식 2-3]
Figure 112015035382012-pat00031
[화학식 2-4]
Figure 112015035382012-pat00032
[화학식 2-5]
Figure 112015035382012-pat00033
[화학식 2-6]
Figure 112015035382012-pat00034
[화학식 2-7]
Figure 112015035382012-pat00035
상기 화학식 2-1 내지 2-7에서,
Xaa 내지 Xff는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
r, s, 및 t는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
Q4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며, 상기 Ra 는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
예를 들어, 상기 중합체의 중량평균분자량은 약 1,000 내지 200,000일 수 있고, 상기 모노머의 분자량은 예컨대 약 200 내지 5,000일 수 있으며, 상기 범위 내에서 중량평균분자량 및/또는 분자량을 선택하여 유기막 조성물 (예컨대, 하드마스크 조성물)의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
한편, 상기 유기막 조성물에 사용되는 용매는 상기 중합체 및 모노머에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드,메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 중합체 및 모노머는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 상기 중합체 및 모노머가 포함됨으로써 유기막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
상기 중합체 및 모노머는 약 9:1 내지 1:9의 중량비로 포함될 수 있으며, 예컨대 약 7:3 내지 3:7, 약 6:4 내지 4:6, 또는 약 5:5의 중량비로 포함될 수 있으나, 이는 예시일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기막 조성물은 추가적으로 계면활성제, 가교제, 열산 발생제, 가소제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가교제는 예컨대 멜라민계, 치환요소계, 또는 이들 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교형성 치환기를 갖는 가교제로, 예를 들면, 메톡시메틸화 글리코루릴, 부톡시메틸화 글리코루릴, 메톡시메틸화 멜라민, 부톡시메틸화 멜라민, 메톡시메틸화 벤조구아나민, 부톡시메틸화 벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화 티오요소, 또는 메톡시메틸화 티오요소 등의 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 사용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족환(예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환)을 가지는 가교형성 치환기를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 첨가제는 상기 유기막 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.001 내지 40중량부로 포함될 수 있다. 　상기 범위로 포함함으로써 유기막 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를　향상시킬 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 유기막 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화 막, 희생막, 충진제, 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
이하 상술한 유기막 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계,　그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을　식각하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 유기막 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅방법으로 도포될 수 있다. 　이 때 상기 유기막 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50 내지 10,000Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 유기막 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 500℃에서 약 10초　내지 1시간　동안 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.
또한 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에상기 실리콘 함유 박막층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 노광 후 약 100 내지 500 ℃에서 열처리공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며,　식각　가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
중합예
중합예 1
플라스크에 1H-인돌 (1H-inodole) (11.7g, 0.1mol),9-플루오레논 (9-Fluorenone) (18g, 0.1　mol),p-톨루엔 술폰산 수화물 (p-Toluenesulfonic acid monohydrate) (9.5　g, 0.05　mol), 1,4-다이옥산 (91 g)을 첨가한 후 100 ℃에서 교반하였다. 이에 따라 얻어진 중합 반응물로부터 1시간 간격으로 시료를 취하여, 그 시료의 중량평균 분자량이 2000 내지 3000 때 반응을 완료하였다. 반응이 완결되면 헥산 100g을 넣어 1,4-다이옥산을 추출해 낸 후 메탄올을 첨가하여 형성된 침전을 여과하고 남아있는 단량체를 메탄올을 이용하여 제거하여 하기 화학식 1aa로 표현되는 중합체를 얻었다 (중량평균분자량(Mw)= 2500).
[화학식 1aa]
Figure 112015035382012-pat00036

중합예 2
2-페닐-1H-인돌 (2-phenyl-1H-indole) (19.3 g, 0.1 mol), 9-플루오레논 (9-Fluorenone) (18g, 0.1 mol), p-톨루엔 술폰산 수화물 (9.5 g, 0.05 mol) 및 1,4-다이옥산 (91 g)을 사용하여 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 하기 화학식 1bb로 표현되는 중합체를 얻었다 (중량평균분자량(Mw)= 2300).
[화학식 1bb]
Figure 112015035382012-pat00037

중합예 3
4,4’-다이브로모 바이페닐 (1 g, 3.2 mmol)을 테드라 하이드로 퓨란 (20 mL)에 녹인 후, -78°C에서n-BuLi 2.5M (n-BuLi 2.5M in hexane) (3 mL)를 천천히 적가하였다. 30분 후, THF에 녹인 9-플루오레논 (9-Fluorenone) (1.2 g, 6.4 mmol)을 천천히 적가한 후 실온에서 15시간 동안 교반하였다. 이로부터 얻어진 반응용액을 1N 염산을 사용하여 pH = 7로 맞춘 후, EtOAc로 추출한 후 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피 분리하여 하기 화합물 S1을 얻었다 (화학식 S1의 합성).
Figure 112015035382012-pat00038
이어서, 1H-인돌 (5.9 g, 50 mmol), 상기 화합물 S1 (25.7 g, 50 mmol), p-톨루엔 술폰산 수화물 (4.7 g, 25 mmol) 및 1,4-다이옥산 (85 g)을 사용하여 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화학식 1cc로 표현되는 중합체를 얻었다(중량평균분자량(Mw)= 2900).
[화학식 1cc]
Figure 112015035382012-pat00039

비교중합예 1
질소 분위기하의 플라스크에 벤조메타크릴레이트 (10g, 0.057mol)과 사이클로헥실메틸 메타크릴레이트 (10.6g, 0.057mol)을 메틸에틸케톤 41g에서 혼합하였다. 이후 상기 혼합물에 중합개시제로서 디메틸-2,2’-아조비스(2-메틸프로피올네이트) 2.6g을 80℃에서 4 시간동안 실린지로 첨가하고 2시간 추가로 교반하였다. 중합 완료후, 얻어진 중합체를 과량의 헥산 용매에서 천천히 침전시켰다. 이에 따라 생성된 침전물을 여과한 후 침전물을 다시 적당량의 헥산/이소프로판올 혼합용매에 용해시켜서 교반하였다. 이어서 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24시간 건조하여 화학식 1A로 표기되는 화합물을 얻었다.
얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은6200이고, 분산도 (Mw/Mn)은 1.45이었다.
[화학식 1A]
Figure 112015035382012-pat00040
(상기 화학식 1A에서, a:b = 1:1)
비교중합예 2
플라스크에 9,9'-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌　50.0g(0.143　mol), 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠　23.7g(0.143　mol)　및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트　50g을 첨가하여 용액을 준비하였다. 상기 용액에 다이에틸 설페이트 1.10g(7.13 mmol)을 첨가한 후 100 ℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 중합이 완결되면, 메탄올에 침전시켜 모노머 및 저분자량체를 제거하여 하기 화학식 1B로 표현되는 중합체를 얻었다. 중합체의 중량평균분자량은 33,500 이다.
[화학식 1B]
Figure 112015035382012-pat00041

합성예
합성예 1
제1 단계: 프리델 - 크래프트 아실레이션 ( Friedel - Craft Acylation ) 반응
플라스크에벤조피렌15.85 g (0.05 mol), 메톡시 나프토일 클로라이드 23.13g(0.105 mol)및 다이클로로에탄 214g을 첨가하였다. 상기 용액에 알루미늄 클로라이드 14.68.7 g　(0.11 mol)을 천천히 투입하여 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 　반응이 완결되면 메탄올을 첨가한 후 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제2 단계: 메틸기 제거( demethylation ) 반응
플라스크에 상기 제1 단계에서 얻은화합물과 1-도데칸싸이올 36.21 g (0.18 mol), 수산화칼륨 12.55 g (0.22 mol) 및 N,N-디메틸포름아마이드 315 g을 첨가한 후, 120℃에서 8시간 교반하였다. 이어서 상기 혼합물을 냉각하고 5% 염화수소 용액으로 pH 7이 되도록 중화한 후, 에틸아세테이트(Ethyl Acetate)로 추출하여 건조하였다.
제3 단계: 환원( reduction ) 반응
플라스크에 상기 제2 단계에서 얻은 화합물 100 mL의 테트라하이드로퓨란에 녹이고, 리튬 알루미늄 하이드라이드 22.98 g (0.60 mol)을 조금씩 첨가하며 반응시켰다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하여, 화학식 2aa로 표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2aa]
Figure 112015035382012-pat00042

합성예 2
제1 단계: 프리델 - 크래프트 아실레이션 ( Friedel - Craft Acylation ) 반응
플라스크에 테레프탈로일 클로라이드(20.6 g, 0.101 mol), 메톡시파이렌 (47.0 g, 0.203 mol) 및 1,2-다이클로로에탄 221 g을 첨가하였다. 이 용액에 알루미늄 클로라이드 (27 g, 0.203 mol)를 천천히 첨가한 후 60℃에서 8 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 메탄올을 첨가한 후 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제2 단계: 메틸기 제거( demethylation ) 반응
플라스크에 상기 제1 단계에서 얻은 화합물(53.5 g, 0.090 mol), 1-도데칸사이올 (91.1 g, 0.450 mol), 수산화칼륨 (30.3 g, 0.540 mol)및 N,N-다이메틸포름아마이드 262 g을 첨가한후 120 ℃에서 8 시간동안 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시켜 5% 염산 용액으로 pH 6~7 정도로 중화한 후 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제3 단계: 환원( reduction ) 반응
플라스크에 상기 제2 단계에서 얻은 화합물(24.0 g, 0.042 mol)과 테트라하이드로퓨란 160 g을 첨가하였다. 이 용액에 수소화 붕소 나트륨 (16.0 g, 0.424 mol) 수용액을 천천히 첨가하여 24시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완결되면 5% 염산 용액으로 pH 7 정도로 중화한 후 에틸아세테이트로 추출 및 건조하여 화학식 2bb로표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2bb]
Figure 112015035382012-pat00043

합성예 3
제1 단계: 프리델 - 크래프트 아실레이션 ( Friedel - Craft Acylation ) 반응
플라스크에 1.4-씨클로헥산다이카보닐다이 클로라이드(28.0 g, 0.1345 mol), 메톡시파이렌 (62.4 g, 0.269 mol) 및1,2-다이클로로에탄 496 g을 첨가하였다. 이 용액에 알루미늄 클로라이드 (17.9 g, 0.1345 mol)를 천천히 첨가한 후 상온에서 12 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 메탄올을 첨가한 후 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제2 단계: 메틸기 제거( demethylation ) 반응
플라스크에 상기 화합물 (6.00 g, 0.01001 mol), 1-도데칸사이올 (10.13 g, 0.05005 mol), 수산화칼륨 (3.37 g, 0.06006 mol)및 N,N-다이메틸포름아마이드30.3 g을 첨가한후 120 ℃에서 8 시간동안 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시켜 5% 염산 용액으로 pH 6~7 정도로 중화한 후 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제3 단계: 환원( reduction ) 반응
플라스크에 상기 메틸기 제거 화합물 (4.00 g, 0.00699 mol)과 테트라하이드로퓨란 28.5 g을 첨가하였다. 이 용액에 수소화 붕소 나트륨 (5.29 g, 0.1398 mol) 수용액을 천천히 첨가하여 24시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완결되면 5% 염산 용액으로 pH 7 정도로 중화한 후 에틸아세테이트로 추출 및 건조하여 화학식 2cc로 표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2cc]
Figure 112015035382012-pat00044

합성예 4
플라스크에 벤조퍼릴렌　27.6g (0.1 mol), 나프토일 클로라이드　61g (0.32 mol)을 클로로포름/다이클로로메탄 혼합액 500 g 과 함께 첨가하였다. 이어서 교반 자석(stirring bar)을 이용하여 교반하며, 트리클로로 알루미늄　85.7 g　(0.35 mol)을 조금씩 투입하며 반응시켰다. 반응 종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거하고, 파우더로 얻어진 반응물은 테트라하이드라퓨란에 녹이고 리튬 알루미늄 하이드라이드 18.98g(0.5mol)을 조금씩 첨가하며 반응시켰다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하여 화학식 2dd으로 표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2dd]
Figure 112015035382012-pat00045

합성예 5
플라스크에 페난트로싸이오펜(phenanthro[4,5-bcd]thiophene)　21.8 g (0.105 mol)과 메톡시 나프토일 클로라이드(Methoxy Naphthoyl Chloride)　48.5g (0.22 mol)을 클로로포름/다이클로로메탄 혼합액500 g과 함께 첨가하였다. 이어서 교반 자석(stirring bar)을 이용하여 교반하며, 염화알루미늄　61.2 g(0.35 mol)을 조금씩 투입하며 반응한다. 반응 종료 후 물을 사용하여 반응부산물 및 미반응 염화알루미늄을 제거하며, 파우더로 얻어진 반응물은 포름아마이드(Formamide) 40 ml, 85% 포름산(Formic Acid) 5 ml와 함께 3시간동안 190℃에서 가열(reflux)하였다. 반응물을 100℃ 이하의 온도로 식힌후 250 ml의 상온 물에 가하고 생성되는 침전물을 여과한 후,물/메탄올 혼합물로 세척하여 반응 부수물을 제거하여 화학식 2ee로 표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2ee]
Figure 112015035382012-pat00046

합성예 6
플라스크에 파이렌(40.5g, 200 mmol), 아세틸 클로라이드 (15.7 g, 200mmol) 및 1,2-다이클로로에탄 405 g을 첨가하였다. 이 용액에 알루미늄 클로라이드 (26.7 g, 200 mmol)를 천천히 첨가한 후 상온에서 24 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각 후, KOH 수용액을 첨가하여 중화시켰다. 이어서 유기층 분리시킨 후 건조하였다.
플라스크에 상기 과정으로부터 얻어진 화합물 (24.3 g, 100 mmol), 소듐 하이퍼클로라이드 (29.8 g, 400 mmol), 피리딘 (23.7 g, 300 mmol)및 1,2-다이클로로에탄 243.3 g을 첨가한 후, 80 ℃에서 24 시간동안 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시켜 5% 염산 용액으로 pH 6~7 정도로 중화한 후 유기층을 분리시킨 후 건조하였다.
플라스크에 상기 과정으로부터 얻어진 화합물 (24.6 g, 100 mmol), 옥살릴 클로라이드 (15.23g, 120 mmol), DMF(0.08g, 1mmol) 및 1,2-다이클로로에탄 246 g을 첨가한 후 60 ℃에서 12 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각 후, KOH 수용액을 첨가하여 중화시키고, 유기층을 분리시킨 후 건조하였다.
플라스크에 상기 과정으로부터 얻어진 화합물 (30g, 100 mmol), 메톡시 파이렌(23.2g, 100 mmol) 및 1,2-다이클로로에탄 202 g을 첨가하였다. 이 용액에 알루미늄 클로라이드 (13.4g, 100 mmol)를 천천히 첨가한 후 상온에서 12 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각 후, KOH 수용액을 첨가하여 중화시켰다. 이어서 유기층을 분리시킨 후 건조하였다.
플라스크에 상기 과정으로부터 얻어진 화합물 (36.8, 80 mmol), 벤조일 클로라이드(11.2g, 80 mmol), 및 1,2-다이클로로에탄 186.3 g을 첨가하였다. 이 용액에 알루미늄 클로라이드 (10.7g, 80 mmol)를 천천히 첨가한 후 상온에서 12 시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각 후, KOH 수용액을 첨가하여 중화시켰다. 이어서 유기층을 분리시킨 후 건조하였다.
플라스크에 상기 화합물 (33.8g, 60 mmol) 과 테트라하이드로퓨란 152.5 g을 첨가하였다. 이 용액에 수소화 붕소 나트륨 (8.94g, 120 mmol) 수용액을 천천히 첨가하여 24시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완결되면 5% 염산 용액으로 pH 7 정도로 중화한 후 에틸아세테이트로 추출 및 건조하여 화학식 2ff로 표현되는 모노머를 얻었다.
[화학식 2ff]
Figure 112015035382012-pat00047

합성예 7
제1 단계: 프리델 - 크래프트 아실레이션 ( Friedel - Craft Acylation ) 반응
플라스크에 코로넨 50.0g(0.166 mol), 벤조일클로라이드 46.8g(0.333 mol) 및1,2-다이클로로에탄 330g을 첨가하여 용액을 준비하였다. 이어서, 상기 용액에 용액에 알루미늄 클로라이드 44.4g(0.333 mol)를 상온에서 천천히 첨가한 후 60 ℃로 승온하여 8 시간 동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상기 용액에 메탄올을 첨가하여 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제2 단계: 환원( reduction ) 반응
플라스크에 상기 짝지음 화합물 25.0g(0.0492 mol)과 테트라하이드로퓨란 174 g을 첨가하였다. 이어서 상기 용액에 수소화 붕소나트륨 수용액 18.6g(0.492 mol)을 천천히 첨가하여 24시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완결되면 5% 염화수소 용액으로 pH 7 정도로 중화한 후 에틸 아세테이트로 추출 및 건조하여 하기화학식 2gg로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 2gg]
Figure 112015035382012-pat00048

하드마스크 조성물의 제조
실시예 1
중합예 1에서 얻어진 중합체와 합성예 1에서 얻어진 모노머를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트　(propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)와 사이클로헥사논(cyclohexanone)(7:3　(v/v))의 혼합 용매에 녹인 후 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다. 목적하고자 하는 두께에 따라 상기 중합체 및 모노머(중량비=7:3)의중량의 합계는 상기 하드마스크 조성물의 총중량에 대하여 3.0　중량% 내지　15.0　중량%로 조절하였다.
실시예 2
중합예 1에서 얻어진 중합체 대신 중합예 2에서 얻어진 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 3
합성예 1에서 얻어진 모노머 대신 합성예 2에서 얻어진 모노머를 사용하고, 상기 중합체 및 모노머의 함량비(중량비)를 5:5로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 4
중합예 2에서 얻어진 중합체와 합성예 2에서 얻어진 모노머를 사용하고, 상기 중합체 및 모노머의 함량비(중량비)를 5:5로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 5
중합예 3에서 얻어진 중합체와 합성예 2에서 얻어진 모노머를 사용하고, 상기 중합체 및 모노머의 함량비(중량비)를 5:5로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 6
중합예 3에서 얻어진 중합체와 합성예 3에서 얻어진 모노머를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 7
합성예 1에서 얻어진 모노머 대신 합성예 4에서 얻어진모노머를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 8
합성예 1에서 얻어진 모노머 대신 합성예 5에서 얻어진 모노머를 사용하고, 상기 중합체 및 모노머의 함량비(중량비)를 5:5로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 9
중합예 2에서 얻어진 중합체와 합성예 5에서 얻어진 모노머를 사용하고, 상기 중합체 및 모노머의 함량비(중량비)를 5:5로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 10
합성예 1에서 얻어진 모노머 대신 합성예 6에서 얻어진 모노머를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 11
중합예 2에서 얻어진 중합체와 합성예 6에서 얻어진 모노머를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 1
비교중합예 1에서 얻어진 중합체를 단독으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 2
비교중합예 2에서 얻어진 중합체를 단독으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 3
비교중합예 1에서 얻어진 중합체와 합성예 7에서 얻어진 모노머를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 11, 및 비교예 1 내지 3에 따른 하드마스크 조성물의 조성을 표 1에 나타낸다.
중합체 모노머 조성 (중량비)
(중합체: 모노머)
실시예1 화학식 1aa 화학식 2aa 7:3
실시예2 화학식 1bb 7:3
실시예3 화학식 1aa 화학식 2bb 5:5
실시예4 화학식 1bb 5:5
실시예5 화학식 1cc 5:5
실시예6 화학식 1cc 화학식 2cc 7:3
실시예7 화학식 1aa 화학식 2dd 7:3
실시예8 화학식 1aa 화학식 2ee 5:5
실시예9 화학식 1bb 5:5
실시예10 화학식 1aa 화학식 2ff 7:3
실시예11 화학식 1bb 7:3
비교예 1 화학식 1A - -
비교예 2 화학식 1B - -
비교예 3 화학식 1A 화학식 2gg 7:3
평가
평가 1: 평탄화 특성
패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 11과, 비교예 1 및 2에 따른 하드마스크 조성물(4 중량%)을 패턴이 형성된 실리콘웨이퍼 위에 스핀-온 코팅하고 400℃에서 120초 동안 열처리한 후 박막을 형성하였다.
갭-필 특성은 패턴 단면을 FE-SEM으로 관찰하여 보이드(void) 발생 유무로 판별하였고, 평탄화 특성은 FE-SEM 으로 관찰된 패턴 단면의 이미지로부터 박막 두께를 측정하여 도 1에 나타낸 계산식 1로 수치화하였다. 이 때 h1 과 h2의 차이가 작을수록 평탄화 특성이 우수한 것이다.
그 결과를 표 2에 나타낸다.
평탄화 특성 갭-필 특성
실시예1 9.9 void 없음
실시예2 11.8 void 없음
실시예3 10.8 void 없음
실시예4 11.6 void 없음
실시예5 11.9 void 없음
실시예6 11.1 void 없음
실시예7 12.2 void 없음
실시예8 11.4 void 없음
실시예9 11.7 void 없음
실시예10 10.8 void 없음
실시예11 11.3 void 없음
비교예 1 15.8 void 없음
비교예 2 18.2 void 없음
표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 11에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 및 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 달리 보이드가 발생하지 않아 갭-필이 양호하게 이루어졌음을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 11에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 평탄화 특성이 우수함을 알 수있다.
평가 2: 내식각성
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 11과, 비교예 1 및 3에 따른 하드마스크 조성물(4중량%)을 400℃에서 120초간 열처리하여 박막을 형성한 후 두께를 측정하였다. 이어서 상기 박막에 N2/O2 혼합 가스(50mT/ 300W/ 10O2/ 50N2) 및 CFx 가스(100mT / 600W / 42CF4 / 600Ar / 15O2)를 사용하여 각각 60초 및 120초 동안 건식 식각한 후 박막의 두께를 다시 측정하였다. 건식 식각 전후의박막의 두께와 식각 시간으로부터 하기 계산식 2에따라 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.
[계산식 2]
(초기 박막 두께 -식각 후 박막 두께)/식각 시간 (Å/s)
그 결과는 표 3과 같다.
Bulk etch rate (Å/s)
N2/O2 etch CFx etch
실시예1 23.3 24.1
실시예2 23.2 24.0
실시예3 23.5 23.3
실시예4 23.0 23.3
실시예5 23.0 23.3
실시예6 24.2 25.8
실시예7 24.4 24.6
실시예8 24.5 -
실시예9 24.5 -
실시예10 23.9 -
실시예11 23.8 -
비교예 1 29.7 32.4
비교예 3 25.3 26.1
표 3을 참고하면, 실시예 1 내지 11에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 및 3에 따른 박막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있어서 벌크 에치 특성이 향상됨을 확인할 수 있다.
평가 3: 내열성
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 11과 비교예 1 및 3에 따른 하드마스크 조성물(10 중량%)을 스핀-온코팅 방법으로 도포한 후, 핫플레이트 위에서 240 ℃로 1분간 열처리하여 박막을 형성하였다. K-MAC社의 박막두께측정기로 박막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 박막을 400 ℃에서 2분 동안 다시 열처리한 후 박막의 두께를 측정한 후, 하기 계산식 3에 따라 박막 두께 감소율을 계산하였다.
[계산식 3]
(240 ℃에서 베이크한 후 박막 두께 - 400 ℃에서 베이크한 후 박막 두께) / (240 ℃에서 베이크한 후 박막 두께) X 100 (%)
그 결과는 표 4와 같다.
박막 두께 감소율(%)
실시예1 9.3
실시예2 10.3
실시예3 11.1
실시예4 12.7
실시예5 10.7
실시예6 8.8
실시예7 9.2
실시예10 10.2
실시예11 11.1
비교예 1 15.7
비교예 3 13.2
표 4를 참고하면, 실시예 1 내지 11에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 및 3에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 400℃ 열처리 시두께 감소율이 적어 고온에서의 내열성이 우수함을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 중합체,
    하기 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고
    용매
    를 포함하는 유기막 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112017048670917-pat00049

    상기 화학식 1에서,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 1에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기이고,
    A3 및 A4는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에 나열된 기들 중 어느 하나이고,
    m은 0 또는 1이고,
    "*"은 연결지점이다.
    [그룹 1]
    Figure 112017048670917-pat00050

    상기 그룹 1에서,
    R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
    a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이다:
    [그룹 2]
    Figure 112017048670917-pat00069

    상기 그룹 2에서,
    X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴렌기이고, 상기 C6 내지 C50 아릴렌기는 하기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 2가의 기이고,
    Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    Z7 내지 Z10은 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
    g, h, i및 j는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
    k는 1 내지 3인 정수이고,
    "*"은 연결지점이다:
    [그룹 3]
    Figure 112017048670917-pat00070

    [화학식 2]
    Figure 112017048670917-pat00051

    상기 화학식 2에서,
    B0는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
    Ba 및 Bb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60 고리기이고,
    Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기또는 이들의 조합이고,
    La, Lb, Lc 및 Ld는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    na 및 nb는 각각 독립적으로 1 내지 6인 정수이되, na+nb≤(B0가 가질 수 있는 최대 치환기 수)를 만족한다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 그룹 2에서 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고, 상기 C6 내지 C30 아릴기는 하기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나로부터 유도된 1가의 기인 유기막 조성물:
    [그룹 3]
    Figure 112017048670917-pat00054
  5. 제1항에서,
    상기 그룹 1에서 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기인 유기막 조성물.
  6. 제1항에서,
    상기 화학식 2에서 상기 고리기는 하기 그룹 3 내지 5에 나열된 화합물들 중 어느 하나인 유기막 조성물:
    [그룹 3]
    Figure 112015035382012-pat00055

    [그룹 4]
    Figure 112015035382012-pat00056

    [그룹 5]
    Figure 112015035382012-pat00057

    상기 그룹 4 및 5에서,
    Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
    Q3은 질소(N), CRb 또는 이들의 조합이며,
    상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
  7. 제1항에서,
    상기 화학식 2에서, B0, Ba 및 Bb 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 다환 고리기인 유기막 조성물.
  8. 제7항에서,
    상기 화학식 2에서 B0, Ba 및 Bb 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 다환 방향족고리기인 유기막 조성물.
  9. 제1항에서,
    상기 화학식 2에서,na + nb는 2 또는 3인 유기막 조성물.
  10. 제1항에서,
    상기 중합체는 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표현되는 유기막 조성물:
    [화학식 1-1]
    Figure 112015035382012-pat00058

    [화학식 1-2]
    Figure 112015035382012-pat00059

    [화학식 1-3]
    Figure 112015035382012-pat00060

    상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
    R4 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    Z11 내지 Z17는 각각 독립적으로 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이고,
    k, l, m, n, o, p, 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
    n0은 2 내지 300 인 정수이고,
    *은 연결지점이다.
  11. 제1항에서,
    상기 모노머는 하기 화학식 2-1 내지 2-7 중 어느 하나로 표현되는 유기막 조성물:
    [화학식 2-1]
    Figure 112015035382012-pat00061

    [화학식 2-2]
    Figure 112015035382012-pat00062

    [화학식 2-3]
    Figure 112015035382012-pat00063

    [화학식 2-4]
    Figure 112015035382012-pat00064

    [화학식 2-5]
    Figure 112015035382012-pat00065

    [화학식 2-6]
    Figure 112015035382012-pat00066

    [화학식 2-7]
    Figure 112015035382012-pat00067

    상기 화학식 2-1 내지 2-7에서,
    Xaa 내지 Xff는 각각 독립적으로 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
    r, s, 및 t는 각각 독립적으로 0 내지 2인 정수이고,
    Q4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NRa, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며, 상기 Ra 는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
  12. 제1항에서,
    상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 200,000인 유기막 조성물.
  13. 제1항에서,
    상기 모노머의 분자량은 200 내지 5,000인 유기막 조성물.
  14. 제1항에서,
    상기 중합체 및 상기 모노머는 9:1 내지 1:9의 중량비로 포함되어 있는 유기막 조성물.
  15. 제1항에서,
    상기 중합체 및 상기 모노머는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함되어 있는 유기막 조성물.
  16. 제1항, 및 제4항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 유기막 조성물이 경화되어 형성되는 유기막.
  17. 제16항에서,
    상기 유기막은 하드마스크 층을 포함하는 유기막.
  18. 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
    상기 재료 층 위에 제1항, 및 제4항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 유기막 조성물을 적용하는 단계,
    상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계,
    상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행하는 패턴 형성 방법.
  20. 제18항에서,
    상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
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TW104140872A TWI585148B (zh) 2015-04-10 2015-12-07 有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法
CN201510919487.8A CN106046696B (zh) 2015-04-10 2015-12-11 有机层组合物、有机层以及形成图案的方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180121204A (ko) * 2017-04-28 2018-11-07 삼성에스디아이 주식회사 막 구조물 제조 방법 및 패턴형성방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI541611B (zh) * 2013-06-26 2016-07-11 第一毛織股份有限公司 用於硬罩幕組合物的單體、包括該單體的硬罩幕組合物及使用該硬罩幕組合物形成圖案的方法
KR101788091B1 (ko) * 2014-09-30 2017-11-15 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101941632B1 (ko) * 2016-11-22 2019-01-24 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
KR102456399B1 (ko) * 2017-03-10 2022-10-20 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법
KR102288386B1 (ko) * 2018-09-06 2021-08-10 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102348675B1 (ko) * 2019-03-06 2022-01-06 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102270378B1 (ko) * 2019-07-24 2021-06-29 주식회사 켐폴 인돌 유도체를 함유하는 반사방지용 하드마스크 조성물
JP7217695B2 (ja) * 2019-11-28 2023-02-03 信越化学工業株式会社 有機膜形成用材料、パターン形成方法、及び重合体
CN116400565B (zh) * 2023-04-10 2023-11-03 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 光刻胶组合物和应用、抗反射光刻胶层

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014029435A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Nissan Chem Ind Ltd カルボニル基含有カルバゾールノボラックを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008152203A (ja) 2006-12-20 2008-07-03 Fujifilm Corp 下層レジスト組成物、該組成物に有用な新規化合物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5067537B2 (ja) 2007-03-02 2012-11-07 日産化学工業株式会社 多核フェノールを含むレジスト下層膜形成組成物
WO2009044742A1 (ja) 2007-10-01 2009-04-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレジスト下層膜形成組成物用添加剤
WO2009052177A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-23 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Novel photosensitive resin compositions
JP5229044B2 (ja) 2009-03-26 2013-07-03 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法
CN102803324B (zh) 2009-06-19 2015-09-16 日产化学工业株式会社 咔唑酚醛清漆树脂
JP5153934B2 (ja) * 2010-11-29 2013-02-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
EP2650729A4 (en) 2010-12-09 2014-07-16 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING LACQUER COATING WITH A CARBAZOLE NOVOLAC HYDROXYL GROUP-CONTAINING RESIN
KR20140050046A (ko) 2011-08-04 2014-04-28 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 축합계 폴리머를 가지는 euv 리소그래피용 레지스트 하층막 형성조성물
CN103827159B (zh) 2011-09-29 2016-07-06 日产化学工业株式会社 二芳基胺酚醛清漆树脂
JP6137486B2 (ja) 2012-02-01 2017-05-31 日産化学工業株式会社 複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
JP6094767B2 (ja) 2012-03-27 2017-03-15 日産化学工業株式会社 フェニルインドール含有ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
KR102066229B1 (ko) 2013-03-26 2020-01-15 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR101698510B1 (ko) 2013-06-26 2017-01-23 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101705756B1 (ko) 2013-06-26 2017-02-13 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101696197B1 (ko) 2013-06-27 2017-01-13 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스
KR101684978B1 (ko) 2013-06-27 2016-12-09 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스
CN104253024B (zh) 2013-06-27 2017-07-28 第一毛织株式会社 硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014029435A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Nissan Chem Ind Ltd カルボニル基含有カルバゾールノボラックを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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