KR101784849B1 - 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
굴절률이 상이한 2개 층 이상의 투명 전극을 이용하여 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 상기 발광 소자의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 발광 소자는, 투명 기판, 상기 투명 기판 상의 투명 전극, 상기 투명 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 반사 전극을 포함할 수 있다. 여기서, 투명 전극은 적어도 2개 이상의 투명 전극층이 연속적으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 투명 기판에 가까운 투명 전극층의 굴절률은 발광층에 가까운 다른 투명 전극층의 굴절률보다 더 높을 수 있다.
Description
개시된 실시예들은 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 굴절률이 상이한 2개 층 이상의 투명 전극을 이용하여 광추출 효율이 향상된 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device; OLED) 및 상기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(OLED)는, 예를 들어 화합물 반도체 재료로 이루어지는 점광원 소자인 LED(Light Emitting Diode)와는 다르게, 면발광이 가능할 뿐만 아니라, 낮은 소비전력, 높은 야외시인성, 가요성(flexible) 등과 같은 많은 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 OLED는 디스플레이 장치뿐만아니라 조명 분야에서도 많은 관심을 받고 있다. 그런데, OLED는 통상적으로 발광된 빛의 약 20% 정도만이 외부로 방출될 정도로 광추출 효율이 낮은 편이다. 이러한 낮은 광추출 효율은 주로 유기 발광층과 외부의 공기 사이의 굴절률 차이에 기인한다. 즉, 유기 발광층에서 발생하는 빛 중에서 특정한 각도 영역의 빛만이 외부로 방출되고, 나머지 각도 영역의 빛은 공기와의 계면에서 발생하는 전반사로 인해 OLED 내부에서 흡수되어 사라지게 된다.
OLED의 광추출 효율을 향상시키기 위해 다양한 구조의 광추출층이 사용되고 있다. 예를 들어, 기판의 외부 표면 상에 마이크로렌즈 어레이 형태의 광추출층을 부착할 수 있다. 그러나, 기판의 외부 표면에 형성된 외부 광추출층은 OLED 내부의 층들 사이에서 발생하는 광손실을 방지할 수 없어서 효율 향상에 한계가 있다.
이에 따라, OLED 내부에 광추출층을 구현하기 위한 다양한 구조들이 제안되고 있다. 예를 들어, 이러한 내부 광추출층은 기판과 투명 전극 사이에 배치되는 것이 일반적이다. 내부 광추출층은 빛의 경로를 외부로 바꾸기 위해 통상적으로 요철이나 산란체를 포함하고 있는데, 이로 인해 투명 전극의 표면 평탄도가 저하될 수 있다. 투명 전극의 표면 평탄도가 저하되면, 정공 및 전자와 같은 전하들이 특정 영역에 집중되어 OLED의 전기적 특성이 악화될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 광추출층과 투명 전극 사이에 평탄층이 더 추가될 수 있다.
2개 층 이상의 투명 전극을 이용하여 광추출 효율이 향상된 발광 소자를 제공한다.
상기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 유형에 따른 발광 소자는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 배치된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 반사 전극;을 포함할 수 있으며, 상기 투명 전극은 연속적으로 적층된 적어도 2개의 투명 전극층을 포함할 수 있고, 여기서 상기 적어도 2개의 투명 전극층들은 서로 다른 굴절률을 가지며, 상기 적어도 2개의 투명 전극층들의 굴절률은 상기 투명 기판에 가까울수록 높을 수 있다.
예를 들어, 각각의 투명 전극층들 사이의 굴절률 차이는 0.1 내지 1.0일 수 있다.
상기 적어도 2개의 투명 전극층들은, 예컨대, ITO(tin-doped indium oxide), IZO(zinc-doped indium oxide), AZO(aluminum-doped zinc oxide), 및 GZO(gallium-doped zinc oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 투명 도전성 재료로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 투명 전극은 상기 투명 기판 상에 배치된 제 1 투명 전극층 및 상기 제 1 투명 전극층 상에 배치되는 제 2 투명 전극층을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 제 1 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률보다 높을 수 있다.
예컨대, 상기 제 1 투명 전극층은 GZO으로 이루어지며, 상기 제 2 투명 전극층은 ITO로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제 1 투명 전극층의 두께는 50 nm 내지 500 nm의 범위 내에 있으며, 상기 제 2 투명 전극층의 두께는 200 nm 내지 2 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 상기 발광 소자는 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 형성된 다수의 나노 기공들을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 다수의 나노 기공들의 크기는 5 nm 내지 1 ㎛의 범위 내에 있으며, 상기 다수의 기공들의 높이는 5 nm 내지 10 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다.
상기 다수의 나노 기공들은 공기 또는 투명한 유전체로 채워질 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 투명 전극은 상기 투명 기판 상에 배치된 제 1 투명 전극층, 상기 제 1 투명 전극층 상에 배치되는 제 2 투명 전극층, 및 상기 제 2 투명 전극층 상에 배치된 제 3 투명 전극층을 포함할 수 있으며, 상기 제 1 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률보다 높고, 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 3 투명 전극층의 굴절률보다 높을 수 있다.
상기 발광 소자는, 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면과 상기 제 2 투명 전극층의 상부 표면 중에서 적어도 하나의 표면에 형성된 다수의 나노 기공들을 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 유형에 따른 발광 소자의 제조 방법은, 투명 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는: 상기 투명 기판 상에 제 1 투명 전극층을 형성하는 단계; 양극화 방식으로 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 다수의 나노 기공들을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 투명 전극층 상에 제 2 투명 전극층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있고, 여기서 상기 제 1 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률보다 높을 수 있다.
또한, 양극화 방식으로 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 다수의 나노 기공들을 형성하는 상기 단계는: 상기 제 1 투명 전극층이 형성된 상기 투명 기판을 양극에 부착하는 단계; 용액 내에 음극과 양극을 침지시키는 단계; 및 음극과 양극에 직류의 전류 또는 펄스 전류를 인가하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 용액은 할로겐 성분을 포함하는 중성 용액일 수 있다.
예를 들어, 상기 용액은 C16H36NClO4, NaF, 및 NH4F 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는 상기 제 2 투명 전극층 상에 제 3 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 3 투명 전극층의 굴절률보다 높을 수 있다.
또한, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는 상기 제 2 투명 전극층의 상부 표면에 양극화 방식으로 다수의 나노 기공들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
개시된 실시예에 따른 발광 소자는 2개 층 이상의 다층 투명 전극을 갖는데, 이러한 다층 투명 전극에 의해 발광층과 투명 기판 사이에 굴절률 구배(gradient)가 존재하기 때문에, 발광층에서 발생한 빛이 투명 기판을 통해 방출되는 동안 전반사에 의한 손실이 감소할 수 있다. 또한, 개시된 실시예에 따른 발광 소자는 투명 전극의 상부 표면에 형성된 나노 기공을 포함할 수 있는데, 이러한 나노 기공은 빛을 굴절시키는 역할을 하기 때문에 광손실을 더욱 줄일 수 있다. 따라서, 개시된 발광 소자는 향상된 광추출 효율을 가질 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 형성된 나노 기공들을 예시적으로 보이는 전자현미경 사진이다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층을 포함하는 발광 소자의 발광 효율을 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 6은 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층을 포함하는 투명 전극의 투과도를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 형성된 나노 기공들을 예시적으로 보이는 전자현미경 사진이다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층을 포함하는 발광 소자의 발광 효율을 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 6은 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층을 포함하는 투명 전극의 투과도를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
먼저, 도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자(10)의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(10)는, 투명 기판(11), 상기 투명 기판(11) 상에 배치된 투명 전극(12), 상기 투명 전극(12) 상에 배치된 발광층(13), 및 상기 발광층(13) 상에 배치된 반사 전극(14)을 포함할 수 있다.
여기서, 투명 기판(11)은 예를 들어 투명한 유리나 플라스틱 재료로 이루어질 수 있다. 투명 기판(11) 상의 투명 전극(12)은 2개 투명 전극층(12a, 12b)이 연속적으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(11) 상에 제 1 투명 전극층(12a)이 형성되고, 제 1 투명 전극층(12a) 상에 제 2 투명 전극층(12b)이 연속하여 적층될 수 있다. 그리고, 제 2 투명 전극층(12b) 상에 발광층(13)이 배치될 수 있다.
발광층(13)은 예를 들어 유기 발광 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 재료 이외에도 발광층(13)의 재료로서 예를 들어 양자점과 같은 무기 발광 재료나 다른 발광 재료를 사용할 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 투명 전극(12)이 양극이고 반사 전극(14)이 음극인 경우에, 투명 전극(12)과 발광층(13) 사이에는 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(14)과 발광층(13) 사이에는 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수도 있다. 또한, 투명 전극(12)이 음극이고 반사 전극(14)이 양극인 경우에는, 투명 전극(12)과 발광층(13) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(14)과 발광층(13) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수도 있다. 반사 전극(14)은 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 반사성이 우수한 도전성 금속 재료로 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 소자(10)는 발광층(13)에서 발생한 빛을 외부로 방출시키기 위한 별도의 광추출층을 포함하지 않으며, 투명 전극(12)이 광추출층의 역할을 함께 수행할 수 있다. 이를 위해, 투명 전극(12)의 제 1 투명 전극층(12a)과 제 2 투명 전극층(12b)은 서로 다른 굴절률을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 여기서, 투명 기판(11)에 가까운 제 1 투명 전극층(12a)의 굴절률이 발광층(13)에 가까운 제 2 투명 전극층(12b)의 굴절률보다 더 높을 수 있다. 그러면, 발광층(13)과 투명 기판(11) 사이의 투명 전극(12)의 영역 내에서, 발광층(13)으로부터 투명 기판(11)으로 굴절률이 점차 높아지는 굴절률 구배가 존재하게 된다. 따라서, 상기 발광층(13)에서 발생한 빛이 투명 기판(11)을 통해 외부로 방출되는 동안 전반사에 의해 발생하는 빛의 손실을 줄일 수 있다. 예를 들어, 제 1 투명 전극층(12a)과 제 2 투명 전극층(12b) 사이의 굴절률 차이는 약 0.1 내지 1.0 정도일 수 있다.
이러한 투명 전극(12)의 재료로서, 예컨대, ITO(tin-doped indium oxide), IZO(zinc-doped indium oxide), AZO(aluminum-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide) 등과 같은 투명한 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 제 1 투명 전극층(12a)의 재료로서 굴절률이 2.0인 GZO를 사용하고, 제 2 투명 전극층(12b)의 재료로서 굴절률이 1.8인 ITO를 사용할 수 있다. 빛의 투과도와 면저항 등을 고려할 때, 투명한 도전성 산화물로 이루어지는 제 1 투명 전극층(12a)은 약 50 nm 내지 약 500 nm 정도의 두께를 가질 수 있으며, 바람직하게는 약 100 nm 내지 약 150 nm 정도의 두께를 가질 수 있다. 또한, 투명한 도전성 산화물로 이루어지는 제 2 투명 전극층(12b)은 약 200 nm 내지 2 ㎛ 정도의 두께를 가질 수 있으며, 바람직하게는 약 500 nm 내지 700 nm 정도의 두께를 가질 수 있다. 투명 도전성 산화물 이외에도, 그래핀(graphene)을 사용할 수도 있으며, 또는 빛이 투과할 수 있는 매우 얇은 두께로 금속을 도포하여 투명 전극(12)으로서 사용할 수 있다. 투명하고 도전성을 갖는다면 어떠한 재료라도 투명 전극(12)으로서 사용할 수 있지만, 제 1 투명 전극층(12a)은 후술할 나노 기공(nano-void)을 형성하기에 적당한 재료를 사용할 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광 소자(10')의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 2에 도시된 발광 소자(10')는 도 1에 도시된 발광 소자(10)와 동일한 구조를 가지며, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면 위에 다수의 나노 규모의 기공(이하, 나노 기공)(15)들이 형성되어 있다는 점에서 차이가 있다.
다수의 나노 기공(15)들은 단순히 공기(air)로 채워진 빈 공간일 수도 있으며, 또는 제 1 투명 전극층(12a) 및 제 2 투명 전극층(12b)의 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는 투명한 유전체 재료가 나노 기공(15)들의 빈 공간에 채워질 수도 있다. 이러한 나노 기공(15)들은, 일반적인 광추출층 내의 산란체와 같이 빛을 굴절시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 투명 기판(11)에 의해 전반사되는 각도 범위로 진행하는 빛은 나노 기공(15)들에 의해 진행 각도가 바뀔 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(11)의 상부 표면의 법선을 기준으로 높은 각도로 진행하던 빛의 진행 각도가 나노 기공(15)들에 의해 투명 기판(11)의 상부 표면의 법선에 가까운 각도로 변경될 수 있다. 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 이러한 나노 기공(15)들을 형성함으로써 발광 소자(10')의 광추출 효율이 더욱 향상될 수 있다.
본 실시예에서, 다수의 나노 기공(15)들의 모양과 크기가 일정할 필요는 없으며, 다양한 크기와 형태를 갖는 나노 기공(15)들이 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면 위에 불규칙하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 기공(15)들은 구형, 반구형, 타원형, 속이 빈 막대 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 또한, 나노 기공(15)의 크기(예컨대, 직경 또는 좌우폭)는 약 5 nm 내지 1 ㎛ 범위에 있을 수 있으며, 높이(또는, 제 1 투명 전극층(12a)의 표면으로부터의 깊이)는 약 5 nm 내지 10 ㎛ 정도의 범위 내에 있을 수 있다.
이러한 나노 기공(15)들은, 예를 들어, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면을 양극화(anodizing) 방식으로 표면 처리함으로써 형성될 수 있다. 예컨대, 제 1 투명 전극층(12a)으로서 GZO(gallium-doped zinc oxide)를 투명 기판(11) 위에 상압화학기상증착(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition; APCVD) 방식으로 성장시킬 수 있다. 대략 400 nm의 두께로 GZO를 성장시키면, GZO로 이루어진 제 1 투명 전극층(12a)은 약 4 내지 5 ohm/sq 정도의 면저항을 갖게 되며, 상부 표면이 비교적 거칠게 형성된다. 여기서, APCVD 방식은 하나의 예이며, 그 외에도 다른 종류의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식이나 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식을 이용하여 투명 기판(11) 위에 제 1 투명 전극층(12a)을 형성할 수 있다.
그런 후, 제 1 투명 전극층(12a)이 성장된 투명 기판(11)을 양극에 부착한 다음, 용액 내에 음극과 양극을 침지시키고, 음극과 양극에 직류의 전류를 연속적으로 또는 펄스 형태로 인가할 수 있다. 여기서, 용액은 염소(Cl)나 불소(F)와 같은 할로겐 성분을 포함하는 중성 용액을 사용할 수 있다. 예를 들어, 그러한 용액으로서 C16H36ClNO4(Tetrabutylammonium Perchlorate), NaF 또는 NH4F 등을 포함하는 용액을 사용할 수 있다. 그러면, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면의 금속 이온이 할로겐 이온과 결합하여 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면이 부분적으로 부식되면서, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 다수의 나노 기공(15)들이 형성될 수 있다.
도 3은 상술한 방식으로 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 형성된 다수의 나노 기공(15)들을 예시적으로 보이는 현미경 사진이다. 도 3에 도시된 다수의 나노 기공(15)들을 포함하는 제 1 투명 전극층(12a)은, 예를 들어, 다음과 같은 방법으로 제작되었다. 먼저, 투명 기판(11)으로서 유리 기판을 사용하였으며, 유리 기판 위에 제 1 투명 전극층(12a)으로서 GZO를 APCVD 방식으로 400nm 두께로 성장시켰다. 그리고, 0.1L의 아세토니트릴(acetonitrile) 용액에 1.71g의 C16H36ClNO4를 용해시킨 다음, GZO이 성장된 유리 기판, 음극, 및 기준(reference) 전극을 상기 용액 내에 침지시켰다. GZO는 양극이 되며, 음극으로서 Pt을 사용하고, 기준 전극으로서 Ag/AgCl을 사용하였다. 그런 후, 양극과 음극에 약 -1A/㎠의 전류 밀도와 약 0.01초의 펄스폭 및 0A/㎠의 전류 밀도와 약 0.03초의 펄스폭을 갖는 펄스 전류를 3회 인가함으로써, 도 3과 같이, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 다수의 나노 기공(15)들을 형성할 수 있었다. 위에서 설명한 실험예는 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니며, 제 1 투명 전극층(12a)에 나노 기공(15)들을 형성하기 위한 다양한 예 중에서 하나에 불과하다는 것을 유의하여야 한다.
도 3을 참조하면, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 다수의 나노 기공(15)들이 불규칙하게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이러한 나노 기공(15)들은 Cl 이온이 Ga과 Zn 금속을 부분적으로 제 1 투명 전극층(12a)의 표면에서 떼어내어 발생하는 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 나노 기공(15)들은 주로 제 1 투명 전극층(12a)의 입계(grain boundary) 부근에서 높은 밀도로 형성된다는 것을 알 수 있다.
이렇게 제 1 투명 전극층(12a) 상에 다수의 나노 기공(15)들을 형성한 후에는, 발광 소자(10')의 일반적인 제조 방법에 따라, 제 2 투명 전극층(12b), 발광층(13), 및 반사 전극(14)을 차례로 형성할 수 있다. 나노 기공(15)들의 크기가 매우 작기 때문에, 나노 기공(15)들을 형성한 후에 제 1 투명 전극층(12a) 위에 제 2 투명 전극층(12b)을 형성하더라도, 나노 기공(15)들이 제 2 투명 전극층(12b)에 의해 메워지지 않는다. 따라서, 제 2 투명 전극층(12b)을 형성한 후에도 나노 기공(15)들이 없어지지 않고 대부분 유지될 수 있다. 또한, 나노 기공(15)들의 크기가 매우 작기 때문에, 제 2 투명 전극층(12b)의 상부 표면의 평탄도는 나노 기공(15)에 의해 거의 영향을 받지 않는다. 따라서, 본 실시예에 따른 발광 소자(10')는 내부에 다수의 산란체들이 분산되어 있는 광추출층을 포함하는 기존의 발광 소자에 비해 대면적으로 제조하기가 용이하며, 투명 전극의 평탄도를 높이기 위해 별도의 평탄층을 사용할 필요도 없다.
또한, 이렇게 다수의 나노 기공(15)들이 형성되더라도, 나노 기공(15)이 없는 경우와 비교할 때 제 1 투명 전극층(12a)의 투과도에는 큰 변화가 없으며, 나노 기공(15)들이 빛을 굴절 및 산란시킴으로써 발광 소자(10')의 광추출 효율은 더 향상될 수 있다. 예를 들어, 도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층(12a)을 포함하는 발광 소자(10')의 발광 효율을 예시적으로 보이는 그래프이며, 도 6은 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층(12a)을 포함하는 투명 전극(12)의 투과도를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 4 및 도 5의 그래프에서 사용된 발광 소자(10')는 다음과 같이 제작하였다. 즉, 도 3의 제 1 투명 전극층(12a) 위에 제 2 투명 전극층(12b)으로서 약 300nm 두께의 ITO를 증착하고, 그 위에 정공 수송층(hole transport layer; HTL)으로서 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))를 약 30nm의 두께로 스핀 코팅하였다. 발광층(13)은 클로로벤젠(chlorobenzene)에 녹인 F8BT(Poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt (benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)])를 약 80nm의 두께로 스핀 코팅하여 형성하였으며, 반사 전극(음극)으로서 Ca/Al(20nm/80nm)를 발광층(13) 위에 증착하였다. 또한, 제 1 투명 전극층(12a)이 없고 나머지는 상술한 구조와 동일한 발광 소자를 비교 대상으로서 제작하였다.
단위전력당 광량(lm/W)으로 발광 효율을 보이는 도 4의 그래프를 참조하면, 비교 대상은 6.5V에서 약 0.199 lm/W인 반면, 본 실시예에 따른 발광 소자(10')는 6.5V에서 약 0.359 lm/W로 비교 대상에 비해 약 1.8배의 광추출 효율을 갖는다는 것을 알 수 있다. 또한, 단위전류당 밝기(Cd/A)로 발광 효율을 보이는 도 5의 그래프를 참조하면, 비교 대상은 7.0V에서 약 0.453 Cd/A인 반면, 본 실시예에 따른 발광 소자(10')는 7.0V에서 약 0.8 Cd/A로 비교 대상에 비해 약 1.76배의 광추출 효율을 갖는다는 것을 알 수 있다.
도 6의 투과도 그래프는, 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층(12a) 위에 제 2 투명 전극층(12b)으로서 약 300nm 두께의 ITO를 증착한 본 실시예에 따른 투명 전극(12)의 투과도와 단지 300nm 두께의 ITO만의 투과도를 비교하였다. 도 6에 도시된 바와 같이, 가시광선 영역에서 투과도는 큰 차이가 없는 것이 확인되었다. 예를 들어, 500nm 내지 600nm의 파장 범위에서, ITO 전극은 79% 내지 86%의 투과도를 보이며, 본 실시예에 따른 ITO/GZO 전극은 76% 내지 85%의 투과도를 보였다.
또한, 본 실시예에 따르면, 투명 전극(12)의 면저항도 감소하는 효과를 보인다. 예를 들어, 도 3에 도시된 제 1 투명 전극층(12a) 위에 제 2 투명 전극층(12b)으로서 약 300nm 두께의 ITO를 증착한 본 실시예에 따른 투명 전극(12)의 면저항은 약 4.62Ω/㎠인데 반하여, 단지 300nm 두께의 ITO만을 포함하는 투명 전극의 면저항은 약 14.66Ω/㎠으로, 본 실시예에 따른 투명 전극(12)의 면저항은 기존의 투명 전극에 비해 약 1/3 수준인 것이 확인되었다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 발광 소자(10')의 광추출 효율뿐만 아니라 소비전력도 향상될 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에서는 투명 전극(12)이 2개의 투명 전극층(12a, 12b)만을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 3개 이상의 다수의 층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도 7은 3개의 투명 전극층을 포함하는 투명 전극을 구비하는 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 소자(20)는 투명 기판(11), 상기 투명 기판(11) 상에 배치된 투명 전극(12), 상기 투명 전극(12) 상에 배치된 발광층(13), 및 상기 발광층(13) 상에 배치된 반사 전극(14)을 포함할 수 있다. 여기서, 투명 전극(12)은 3개 투명 전극층(12a, 12b, 12c)이 연속적으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(11) 상에 제 1 투명 전극층(12a), 제 2 투명 전극층(12b) 및 제 3 투명 전극층(12c)이 연속하여 적층될 수 있다. 도 1의 실시예와 마찬가지로, 상기 제 1 내지 제 3 투명 전극층(12a, 12b, 12c)들은 서로 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 특히, 투명 기판(11)에 가까울수록 굴절률이 높아질 수 있다. 즉, 제 1 투명 전극층(12a)의 굴절률은 제 2 투명 전극층(12b)의 굴절률보다 높을 수 있으며, 제 2 투명 전극층(12b)의 굴절률이 제 3 투명 전극층(12c)의 굴절률보다 높을 수 있다.
또한, 도 2에서 설명한 다수의 나노 기공(15)은 도 7의 실시예에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 또 다른 실시예에 따른 발광 소자(20')의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 도 8을 참조하면, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면에 다수의 나노 기공(15)들이 형성될 수 있으며, 제 2 투명 전극층(12b)의 상부 표면에 다수의 나노 기공(16)들이 형성될 수 있다. 그러나, 제 3 투명 전극층(12c)의 상부 표면에는 나노 기공이 형성되지 않는다. 도 8에는 제 1 투명 전극층(12a)과 제 2 투명 전극층(12b)의 상부 표면에 모두 나노 기공(15, 16)들이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제 1 투명 전극층(12a)의 상부 표면과 제 2 투명 전극층(12b)의 상부 표면 중에서 어느 하나에만 나노 기공들이 형성될 수도 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
10, 10', 20, 20'.....발광 소자 11.....투명 기판
12.....투명 전극 13.....발광층
14.....반사 전극 15, 16.....나노 기공
12.....투명 전극 13.....발광층
14.....반사 전극 15, 16.....나노 기공
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- 투명 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계;
상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 투명 전극을 형성하는 단계는:
상기 투명 기판 상에 제 1 투명 전극층을 형성하는 단계;
양극화 방식으로 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 다수의 나노 기공들을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 투명 전극층 상에 제 2 투명 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제 1 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률보다 높은 발광 소자의 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 투명 전극층과 제 2 투명 전극층 사이의 굴절률 차이는 0.1 내지 1.0의 범위 내에 있는 발광 소자의 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 제 1 및 제 2 투명 전극층들은 ITO(tin-doped indium oxide), IZO(zinc-doped indium oxide), AZO(aluminum-doped zinc oxide), 및 GZO(gallium-doped zinc oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 투명 도전성 재료로 이루어지는 발광 소자의 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
양극화 방식으로 상기 제 1 투명 전극층의 상부 표면에 다수의 나노 기공들을 형성하는 상기 단계는:
상기 제 1 투명 전극층이 형성된 상기 투명 기판을 양극에 부착하는 단계;
용액 내에 음극과 양극을 침지시키는 단계; 및
음극과 양극에 직류의 전류 또는 펄스 전류를 인가하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 용액은 할로겐 성분을 포함하는 중성 용액인 발광 소자의 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 용액은 C16H36NClO4, NaF, 및 NH4F 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 투명 전극을 형성하는 단계는 상기 제 2 투명 전극층 상에 제 3 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 투명 전극층의 굴절률이 상기 제 3 투명 전극층의 굴절률보다 높은 발광 소자의 제조 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 투명 전극을 형성하는 단계는 상기 제 2 투명 전극층의 상부 표면에 양극화 방식으로 다수의 나노 기공들을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022019346A1 (ko) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015176766A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US9269749B2 (en) * | 2014-07-07 | 2016-02-23 | Au Optronics Corporation | Organic electroluminescence display panel |
| US9985251B2 (en) * | 2014-10-28 | 2018-05-29 | The Trustees of Princeton University, Office of Technology and Trademark Licensing | Process for fabricating a porous film in a scattering layer |
| KR20170121260A (ko) * | 2015-02-27 | 2017-11-01 | 코닝 인코포레이티드 | 랜덤 보이드를 포함하는 유리 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| US9640777B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-05-02 | National Taiwan University | Electroluminescent devices with improved optical out-coupling and external quantum efficiencies |
| KR101977233B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사 전극, 그 제조 방법 및 반사 전극을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296438A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20100038669A1 (en) | 2007-03-02 | 2010-02-18 | Photonstar Led Limited | Vertical light emitting diodes |
| WO2011132773A1 (ja) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| US20120152347A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Industrial Technology Research Institute | Stacked electrode and photo-electric device having the same |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563046B1 (ko) | 2003-03-06 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP5005164B2 (ja) | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子，発光型表示装置及び照明装置 |
| KR20060030396A (ko) | 2004-10-05 | 2006-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2006139932A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| US7829907B2 (en) * | 2005-09-22 | 2010-11-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Organic light emitting element and method of manufacturing the same |
| KR101000120B1 (ko) | 2008-07-15 | 2010-12-10 | 한국기계연구원 | 불규칙 나노 패턴을 가지는 디스플레이소자 및 그 제조방법 |
| US20100110551A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
| KR102154562B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2020-09-11 | 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 | 증가된 헤이즈를 갖는 나노구조체 기반의 투명 도전체 및 그것을 포함하는 장치 |
| US8427747B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-04-23 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films laminated onto glass substrates |
| EP2733750A4 (en) * | 2011-07-15 | 2014-12-03 | Panasonic Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT |
| DE112013000629T5 (de) * | 2012-01-19 | 2014-10-23 | Panasonic Corporation | Organisches EL-Element und Verfahren zum Herstellen desselben |
| US9368756B2 (en) * | 2012-10-12 | 2016-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
-
2013
- 2013-01-04 KR KR1020130001213A patent/KR101784849B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-02 US US14/146,335 patent/US9123904B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296438A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20100038669A1 (en) | 2007-03-02 | 2010-02-18 | Photonstar Led Limited | Vertical light emitting diodes |
| WO2011132773A1 (ja) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| US20120152347A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Industrial Technology Research Institute | Stacked electrode and photo-electric device having the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022019346A1 (ko) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Also Published As
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| US20140191266A1 (en) | 2014-07-10 |
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