KR101650611B1 - Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법 - Google Patents

Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101650611B1
KR101650611B1 KR1020130095586A KR20130095586A KR101650611B1 KR 101650611 B1 KR101650611 B1 KR 101650611B1 KR 1020130095586 A KR1020130095586 A KR 1020130095586A KR 20130095586 A KR20130095586 A KR 20130095586A KR 101650611 B1 KR101650611 B1 KR 101650611B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slurry
ito powder
hydroxide
indium tin
mass
Prior art date
Application number
KR1020130095586A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140041330A (ko
Inventor
다케히로 요네자와
가즈히코 야마사키
아이 다케노시타
Original Assignee
미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Publication of KR20140041330A publication Critical patent/KR20140041330A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101650611B1 publication Critical patent/KR101650611B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

낮은 압력으로 압분체로 했을 때에 높은 도전성을 나타내는 표면 개질한 ITO 분말을 제공한다.
본 발명의 표면 개질한 ITO 분말은, 이 ITO 분말로 이루어지는 압분체에 0.196 ∼ 29.42 MPa 의 압력을 가했을 때의 상기 압분체의 체적 저항률을 Y 로 하고 상기 압분체의 상대 밀도를 X 로 하는 경우, 상기 체적 저항률과 상기 상대 밀도의 관계가 Y=aXn 로 근사되고, a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 또한 n 이 -10 이상이다.

Description

ＩＴＯ 분말 및 그 제조 방법{ITO POWDER AND METHOD OF PRODUCING SAME}
본 발명은, 낮은 압력으로 압분체로 했을 때에 높은 도전성을 나타내는 표 면 개질한 ITO 분말 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 명세서에 있어서, ITO 란 인듐주석 산화물 (Indium Tin Oxide) 을 말한다.
ITO 는, In2O3 에 주석 (Sn) 을 도프한 화합물이며, 1020 ∼ 1021 cm- 3 의 높은 캐리어 농도를 가지며, 스퍼터링법 등의 기상법으로 성막한 ITO 막에서는, 1 × 10-4 Ω·cm 정도의 낮은 저항률이 얻어진다. 이 ITO 로 만들어진 ITO 막은, 가시광 영역에서 높은 투명성을 가지고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조.). 이 때문에 ITO 막은, 액정 디스플레이의 투명 전극 (예를 들어, 특허문헌 2 참조.) 이나, 열선 차단 효과가 높은 열선 차폐 재료 (예를 들어, 특허문헌 3 참조.) 등의 우수한 광학 특성이 요구되는 분야에 많이 사용되고 있다. 이 ITO 막의 성막 방법으로서, 비용이 높은 진공 증착법이나 스퍼터링법 등의 물리적 성막법 대신에, 간편한 도포에 의한 성막법이 검토되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조.).
일본 공개특허공보 2009-032699호 (단락［0009］) 일본 공개특허공보 2005-054273호 (단락［0006］) 일본 공개특허공보 2011-116623호 (단락［0002］) 일본 공개특허공보 2011-034708호 (단락［0002］)
ITO 막을 성막하는 방법으로서 도포형의 성막 방법은, 재료의 이용 효율 및 생산성이 높고, 굴곡성이 우수하고, 도포하는 기판에 제한이 적은 이점을 갖는다. 그러나 그 반면, 물리형 성막 방법에 비해, 입자 자체의 도전성이 낮고, 입자끼리의 접촉 저항이 높기 때문에, 도전성이 낮은 결점이 있었다.
본 발명의 목적은, 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻을 수 있는 ITO 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 관점은, 표면 개질한 ITO 분말로서, 상기 ITO 분말로 이루어지는 압분체에 0.196 ∼ 29.42 MPa (2 ∼ 300 kgf/㎠) 의 압력을 가했을 때의 상기 압분체의 체적 저항률을 Y 로 하고 상기 압분체의 상대 밀도를 X 로 하는 경우, 상기 체적 저항률과 상기 상대 밀도의 관계가 하기의 식 (1) 로 근사되고, 이 식 (1) 에 있어서 a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 또한 n 이 -10 이상인 것을 특징으로 하는 ITO 분말이다.
Y=aXn (1)
또 본 발명의 제 2 관점은, 제 1 관점에 기초하는 발명으로서, 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 (純水) 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 상기 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법의 개량이다. 그 특징있는 점은, 상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 상기 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열하는 것에 있다.
본 발명의 제 3 관점은, 제 2 관점에 기초하는 발명으로서, 상기 유기 보호제가 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 ITO 분말의 제조 방법이다.
또 본 발명의 제 4 관점은, 제 1 관점에 기초하는 발명으로서, 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 상기 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법의 개량이다. 그 특징있는 점은, 상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 상기 건조 공정에서, 상기 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물이 분산된 슬러리를 건조시키고, 상기 소성 공정에서, 대기 중에서 2.45 GHz ∼ 28 GHz 의 마이크로파로 가열 소성하고, 상기 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열하는 것에 있다.
본 발명의 제 5 관점은, 제 4 관점에 기초하는 발명으로서, 상기 유기 보호제가 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 ITO 분말의 제조 방법이다.
또 본 발명의 제 6 관점은, 제 1 관점에 기초하는 발명으로서, 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 상기 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법의 개량이다. 그 특징있는 점은, 상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 1 ∼ 5 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 알코올로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 상기 소성 공정에서, 상기 알코올로 희석되어 상기 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 250 ∼ 800 ℃ 의 범위로 가열한 관형상 노(爐)의 내부에, 질소 가스를 선속도 0.5 ∼ 5 m/s 의 범위에서 유통시키고 있는 상태에서, 분무함으로써 인듐주석 수산화물 입자를 상기 관형상 노 내에서 열분해하여 소성하여 인듐주석 산화물 입자를 얻는 것에 있다.
본 발명의 제 7 관점은, 제 6 관점에 기초하는 발명으로서, 상기 알코올이 에탄올, 메탄올 또는 프로판올이며, 상기 유기 보호제가 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 ITO 분말의 제조 방법이다.
또 본 발명의 제 8 관점은, 제 1 관점의 ITO 분말 또는 제 2 내지 제 7 관점 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 ITO 분말을 용매에 분산시켜 분산액을 제조하는 방법이다.
또한, 본 발명의 제 9 관점은, 제 8 관점의 분산액으로 ITO 막을 제조하는 방법이다.
본 발명의 제 1 관점의 ITO 분말은, ITO 분말로 이루어지는 압분체에 0.196 ∼ 29.42 MPa (2 ∼ 300 kgf/㎠) 의 압력을 가했을 때의 상기 압분체의 체적 저항률을 Y 로 하고 상기 압분체의 상대 밀도를 X 로 하는 경우에, 상기 식 (1) 에 근사하고, 식 (1) 에 있어서의 a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 또한 n 이 -10 이상이기 때문에, 이 ITO 분말을 사용하여 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻을 수 있다.
또 본 발명의 제 2 관점의 ITO 분말의 제조 방법에서는, 세정 공정에서, 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 슬러리의 조제 공정에서, 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열한다. 수산화물 입자가 분해 온도가 비교적 높은 유기 보호제로 피포 (被包) 되기 때문에, 소성 과정에서 ITO 입자끼리의 접촉이 저지되어 입자 성장하기 어려워진다. 이 유기 보호제는 소성에 의해 최종적으로 열분해된다. 이로써 ITO 분말의 표면이 개질되고, 이 ITO 분말을 사용하여 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻을 수 있다.
또 본 발명의 제 4 관점의 ITO 분말의 제조 방법에서는, 세정 공정에서, 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 슬러리의 조제 공정에서, 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 건조 공정에서, 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물이 분산된 슬러리를 건조시키고, 소성 공정에서, 대기 중에서 2.45 GHz ∼ 28 GHz 의 마이크로파로 가열 소성하고, 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열한다. 수산화물 입자가 분해 온도가 비교적 높은 유기 보호제로 피포되기 때문에, 소성 과정에서 ITO 입자끼리의 접촉이 저지되어 입자 성장하기 어려워진다. 이 유기 보호제는 소성에 의해 최종적으로 열분해된다. 이로써 ITO 분말의 표면이 개질되고, 이 ITO 분말을 사용하여 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 제 6 관점의 ITO 분말의 제조 방법에서는, 세정 공정에서, 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고, 슬러리의 조제 공정에서, 수산화물 입자의 농도가 1 ∼ 5 질량％ 의 범위가 되도록 상청액을 버린 슬러리를 알코올로 희석한 후, 유기 보호제를 상기 슬러리에 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고, 상기 소성 공정에서, 알코올로 희석되어 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 250 ∼ 800 ℃ 의 범위로 가열한 관형상 노의 내부에, 질소 가스를 선속도 0.5 ∼ 5 m/s 의 범위에서 유통시키고 있는 상태에서, 분무함으로써 인듐주석 수산화물 입자를 관형상 노 내에서 열분해하여 소성하여 인듐주석 산화물 입자를 얻는다. 수산화물 입자가 분해 온도가 비교적 높은 유기 보호제로 피포되기 때문에, 소성 과정에서 ITO 입자끼리의 접촉이 저지되어 입자 성장하기 어려워진다. 이 유기 보호제는 소성에 의해 최종적으로 열분해된다. 이로써 ITO 분말의 표면이 개질되고, 이 ITO 분말을 사용하여 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻을 수 있다.
도 1 은, ITO 분말의 압분체의 저항률을 측정하는 장치의 모식도.
도 2 는, ITO 분말의 압분체의 상대 밀도와 그 저항률의 관계를 나타내는 도면.
다음으로 본 발명을 실시하기 위한 형태를 설명한다.
ITO 분말의 저항률은, 이 ITO 분말로 만들어지는 ITO 막의 특성을 평가하는데 있어서 중요한 지표이다. 특히 ITO 막을 도전성 시트나 전극으로서 사용하는 경우에는, 높은 도전성, 즉 낮은 저항률이 요구된다. 이 ITO 분말의 저항률은, ITO 분말을 압분체의 형태로 한 후에, 그 체적 저항률을 측정함으로써 구해진다. 한편, 압분체의 체적 저항률은 인가하는 압력에 의해 변화한다. 따라서, 어느 정해진 압력에 있어서의 압분체의 체적 저항률은 일단 기준은 된다. 그러나, ITO 분말의 입경, 형상, 응집 상태에 의해 동일한 압력에서도 충전 밀도가 크게 변화하고, 그것에 따라서 저항률도 변화하게 된다. 이 때문에, 낮은 압력으로부터 높은 압력으로 변화시켜 ITO 분말의 압분체의 상대 밀도를 변화시킨 상태에서, 체적 저항률을 구하고, 그것을 ITO 분말의 저항률로 하면, 보다 정밀도 좋은 ITO 분말의 저항률이 구해진다. 본 발명은 이러한 지견에 기초하여 이루어진 것이다.
본 발명의 ITO 분말은, 표면 개질한 ITO 분말로서, 이 ITO 분말로 이루어지는 압분체에 0.196 ∼ 29.42 MPa (2 ∼ 300 kgf/㎠) 의 압력을 가했을 때의 상기 압분체의 체적 저항률을 Y 로 하고 상기 압분체의 상대 밀도를 X 로 하는 경우, 상기 체적 저항률과 상기 상대 밀도의 관계가 하기의 식 (1) 로 근사되고, 이 식 (1) 에 있어서 a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 또한 n 이 -10 이상이다.
Y=aXn (1)
이 식은, 표면 개질한 체적 저항률이 낮은 ITO 분말을 압분체 상태로 측정한 결과에 기초하여, 도출한 것이다. 상기 a 가 5.0 × 10-3 을 초과하면, 도포막의 도전성이 저하되는 문제가 있고, n 이 -10 미만이 되면, 상대 밀도에 대한 저항의 변화가 커져, 입자의 스프링 백에 의한 막의 도전성이 시간 경과적으로 저하되기 쉬운 문제가 있다.
본 발명의 ITO 막의 제조에 사용되는 ITO 분말은, 이하의 3 개의 방법으로 제조된 표면 개질 처리한 ITO 분말이다. 표면 개질 처리함으로써 이 ITO 분말을 사용하여 제조된 ITO 막의 도전성을 향상시킬 수 있다.
(1) 제 1 제조 방법
ITO 분말은, 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하고, 이 침전을 건조시켜, 소성한 후, 얻어진 인듐주석 산화물을 분쇄함으로써 얻어진다. 3 가 인듐 화합물로서는 삼염화인듐 (InCl3), 질산인듐 (In(NO3)3), 아세트산인듐 (In(CH3COO)3) 등을 들 수 있고, 4 가 주석 화합물로서는, 사염화주석 (SnCl4) 수용액, 브롬화주석 (SnBr4) 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액으로서는 암모니아 (NH3) 수, 탄산수소암모늄 (NH4HCO3) 수 등을 들 수 있다. 인듐과 주석의 수산화물을 공침시킬 때의 반응액의 최종 pH 를 3.5 ∼ 9.3, 바람직하게는 pH 5.0 ∼ 8.0, 액 온도를 5 ℃ 이상, 바람직하게는 액 온도 10 ℃ ∼ 80 ℃ 로 조정함으로써, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 침전시킬 수 있다. 알칼리 수용액의 혼합은, 상기 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 적하하여, 상기 pH 범위로 조정하면서 실시되거나, 혹은 상기 혼합 수용액과 알칼리 수용액을 동시에 물에 적하하여, 상기 pH 범위로 조정하면서 실시된다.
상기 공침 인듐주석 수산화물의 생성 후, 이 침전물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하고, 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm, 바람직하게는 적어도 50000 Ω·cm 가 될 때까지 세정한다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·cm 보다 낮으면 염소 등의 불순물이 충분히 제거되지 않아, 고순도의 인듐주석 산화물 분말을 얻을 수 없다. 저항률이 5000 Ω·cm 이상이 된 상기 침전물의 상청액을 버리고, 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 점도가 높은 슬러리를 얻는다. 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％, 바람직하게는 15 ∼ 25 질량％ 의 범위가 되도록 이 슬러리를 순수 또는 이온 교환수로 희석한 후, 수산화물 입자 표면에 흡착하여 이 입자의 분산성을 향상시키기 위한 유기 보호제를 슬러리에 교반하면서 첨가한다. 상기 희석 범위가 하한치 미만에서는 슬러리의 건조에 시간이 걸리는 문제가 있고, 상한치를 초과하면 슬러리의 점도가 높은 상태로 유기 보호제를 혼합하게 되어 유기 보호제의 혼합이 불충분하게 되는 문제가 있다. 이 유기 보호제의 첨가량은, 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위이다. 이 유기 보호제는, 열분해 후의 ITO 분말의 소결을 억제하는 관점에서, 유기 보호제의 분해 온도가 250 ∼ 500 ℃ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 유기 보호제로서는, 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트 등을 들 수 있다. 유기 보호제의 첨가량이 상기 범위의 하한치 미만에서는 수산화물 입자 표면의 보호가 충분히 이루어지지 않아, 입자의 분산성이 열등하다. 또 상한치를 초과하면, 유기물의 일부나 유기물 유래의 탄소분이 잔류하는 문제를 발생한다.
유기 보호제가 표면에 흡착된 인듐주석 수산화물을 대기 중, 바람직하게는 질소나 아르곤 등의 불활성 가스 분위기하, 100 ∼ 200 ℃ 의 범위에서 2 ∼ 24 시간 건조시킨 후, 대기 중 250 ∼ 800 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 6 시간 소성노에서 소성한다. 이 소성에 의해 형성된 응집체를 해머 밀이나 볼 밀 등을 사용하여 분쇄하여 풀어, ITO 분말을 얻는다. 이 ITO 분말을 50 ∼ 95 질량％ 의 무수 에탄올과 5 ∼ 50 질량％ 의 증류수를 혼합한 표면 처리액에 넣어 함침시킨 후, 유리 샬레에 넣어 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열하면, 표면 개질 처리한 ITO 분말이 얻어진다.
(2) 제 2 제조 방법
제 1 제조 방법과는 슬러리의 고액 분리 방법과 가열 소성 방법이 다르다. 먼저, 제 1 제조 방법에서 얻어진 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물이 분산된 슬러리를 건조시킨다. 이 건조 방법의 일례로서, 슬러리를 가압 펌프로 필터 프레스 내에 압입하여 수산화물의 슬러지 케이크를 얻고, 이 케이크를 건조시킨다. 이어서 건조물을, 대기 중에서 2.45 GHz ∼ 28 GHz 의 마이크로파로 가열 소성한다. 이 마이크로파 가열 처리는, 예를 들어 상기 케이크를 시엠시 기술개발 주식회사 제조의 전자 렌지에 충전하고, 시코쿠 계측 공업 제조의 μ-reactor 의 2.45 GHz 의 마이크로파 가열 처리를 이용하여 실시한다.
마이크로파 가열은 250 ∼ 800 ℃, 바람직하게는 350 ∼ 600 ℃ 의 범위에서, 10 분 이내로 목적 온도에 도달하는 속도로 승온하여 실시되고, 소성은 목적 온도에서 5 ∼ 120 분, 바람직하게는 10 ∼ 60 분의 범위를 유지함으로써 실시된다. 가열 온도가 하한치 미만에서는 수산화물이 산화물로 완전히 분해되지 않는 문제가 있고, 상한치를 초과하면 ITO 입자가 조대화되는 문제가 있다. 목적 온도까지의 승온 시간이 10 분을 초과하면 급속 승온의 효과가 사라지는 문제가 있다. 목적 온도에서의 유지 시간이 하한치 미만에서는 수산화물이 산화물로 완전히 분해되지 않는 문제가 있고, 상한치를 초과하면 ITO 입자가 조대화되는 문제가 있다. 소성물을 해머 밀이나 볼 밀 등을 사용하여 분쇄하여 풀어, ITO 분말을 얻는다. 이하, 제 1 제조 방법과 동일하게 하여, 표면 개질 처리한 ITO 분말을 얻는다.
(3) 제 3 제조 방법
제 1 및 제 2 제조 방법과는 인듐주석 수산화물을 소성한 후에 인듐주석 산화물의 분쇄를 필요로 하지 않는 점에서 상이하다.
제 1 제조 방법에서 얻어진 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 점도가 높은 슬러리를 수산화물 입자의 농도가 1 ∼ 5 질량％, 바람직하게는 1 ∼ 3 질량％ 의 범위가 되도록 알코올로 희석하고, 수산화물 입자 표면에 흡착하여 이 입자의 분산성을 향상시키기 위한 유기 보호제를 슬러리에 교반하면서 첨가한다. 이 유기 보호제의 첨가량은, 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위이다. 상기 희석 범위 및 상기 유기 보호제의 첨가량 범위의 각 하한치 및 각 상한치를 규정한 이유는, 제 1 제조 방법과 동일하다. 이 유기 보호제는, 열분해 후의 ITO 분말의 소결을 억제하는 관점에서, 유기 보호제의 분해 온도가 250 ∼ 500 ℃ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 알코올로서는, 에탄올, 프로판올 또는 메탄올 등을 들 수 있고, 유기 보호제로서는, 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트 등을 들 수 있다.
알코올로 희석되어 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를, 관의 길이 방향을 연직으로 하여 배치한, 250 ∼ 800 ℃ 의 범위로 가열한 관형상 노의 내부에, 캐리어 가스인 질소 가스를 선속도 0.5 ∼ 5 m/s 의 범위에서 유통시키고 있는 상태에서, 2 유체 노즐을 사용하여, 분무하고, 질소 가스와 함께 관형상 노 내에 도입한다. 선속도가 하한치 미만에서는 ITO 분말의 수량이 적어지고, 상한치를 초과하면 분무된 슬러리가 충분히 가열되지 않는다. 이로써 인듐주석 수산화물 입자가 관형상 노 내에서 열분해하여 소성되어 관형상 노의 배출구로부터 표면 개질 처리한 ITO 분말이 얻어진다.
실시예
다음으로 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 상세하게 설명한다.
＜실시예 1＞
〔표면 개질 처리한 ITO 분말의 제법〕
In 금속 농도가 24 질량％ 의 염화인듐 (InCl3) 수용액 230.7 g 에, 농도 55 질량％ 의 사염화주석 (SnCl4) 수용액 25.4 g 을 첨가하고, 교반하여 원료액을 조제했다. 60 ℃ 로 가온한 1000 ㎖ 의 순수 중에, 상기 원료액과 25 질량％ 의 암모니아 (NH3) 수용액을 pH 를 조정하면서 동시에 적하했다. 이 때 반응 온도를 60 ℃, 최종 반응액의 pH 를 5.0 으로 조정했다. 생성된 인듐주석 공침 수산화물인 침전물을 이온 교환수에 의해 반복하여 경사 세정을 실시했다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·cm 이상이 된 시점에서, 상기 침전물의 상청액을 버리고, 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 점도가 높은 슬러리를 얻었다.
이 슬러리를 교반하면서, 수산화물 입자의 농도가 20 질량％ 가 되도록 이 슬러리를 이온 교환수로 희석한 후, 유기 보호제인 폴리비닐알코올 3.0 g 을 첨가했다. 이 유기 보호제의 첨가량은, 인듐주석 수산화물에 대해 2.5 질량％ 였다. 이 슬러리를, 대기 중, 110 ℃ 에서 10 시간 건조시킨 후, 대기 중 800 ℃ 에서 3 시간 소성하고, 응집체를 분쇄하여 풀어, ITO 분말 약 70 g 을 얻었다. 이 ITO 분말 70 g 을 무수 에탄올과 증류수를 혼합한 표면 처리액 (혼합 비율은 에탄올 95 질량％ 에 대해 증류수 5 질량％) 에 넣어 함침시킨 후, 유리 샬레에 넣어 질소 가스 분위기하, 400 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리한 ITO 분말을 얻었다.
〔ITO 막의 제조〕
상기와 같이 하여 얻어진 ITO 분말 100 질량부에 에탄올 300 질량부를 첨가하여 호모게나이저로 분산했다. 얻어진 도포액을 폭 100 mm, 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에, 바 코트법에 의해 도포하고, 50 ℃ 의 온풍을 보내 건조시켰다. 얻어진 필름의 ITO 도막의 두께는 0.2 ㎛ 였다. 다음으로, 1 쌍의 직경 140 mm 의 금속 롤을 구비하는 롤 프레스기를 사용하여, 필름 폭방향의 단위 길이당 압력 1000 N/mm, 롤 회전 속도 5 m/분으로 상기 ITO 필름을 압축하여 ITO 막을 제조했다.
＜실시예 2＞
In 금속 농도가 24 질량％ 의 염화인듐 (InCl3) 수용액 237.6 g 에, 농도 55 질량％ 의 사염화주석 (SnCl4) 수용액 19.1 g 을 첨가하고, 교반한 후, 전체량을 1000 ㎖ 의 순수에 첨가하여 원료액으로 했다. 이 원료액에 25 질량％ 의 암모니아 (NH3) 수용액을 60 분에 걸쳐 적하했다. 이 때 반응 온도를 80 ℃, 최종 반응액의 pH 를 8.0 으로 조정했다. 생성된 인듐주석 공침 수산화물인 침전물을 이온 교환수에 의해 반복하여 경사 세정을 실시했다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·cm 이상이 된 시점에서, 상기 침전물의 상청액을 버리고, 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 점도가 높은 슬러리를 얻었다. 이 슬러리에, 100 g 의 순수에 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트 (70 질량％) 4.5 g 을 용해한 수용액을 첨가하여 잘 교반했다. 이 유기 보호제의 첨가량은, 인듐주석 수산화물에 대해 3.0 질량％ 였다.
이 슬러리를, 대기 중, 110 ℃ 에서 10 시간 건조시킨 후, 대기 중 700 ℃ 에서 2 시간 소성하고, 응집체를 분쇄하여 풀어, ITO 분말 약 75 g 을 얻었다. 이 ITO 분말 75 g 을 무수 에탄올과 증류수를 혼합한 표면 처리액 (혼합 비율은 에탄올 95 질량％ 에 대해 증류수 5 질량％) 에 넣어 함침시킨 후, 유리 샬레에 넣어 질소 가스 분위기하, 400 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리한 ITO 분말을 얻었다. 또 이 ITO 분말을 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 ITO 막을 제조했다.
＜실시예 3＞
In 금속 농도가 24 질량％ 의 염화인듐 (InCl3) 수용액 244.5 g 에, 농도 55 질량％ 의 사염화주석 (SnCl4) 수용액 12.7 g 을 첨가하고, 교반하여 원료액을 조제했다. 60 ℃ 로 가온한 1000 ㎖ 의 순수 중에, 상기 원료액과 25 질량％ 의 암모니아 (NH3) 수용액을 pH 를 조정하면서 동시에 적하했다. 이 때 반응 온도를 20 ℃, 최종 반응액의 pH 를 7.0 으로 조정했다. 생성된 인듐주석 공침 수산화물인 침전물을 이온 교환수에 의해 반복하여 경사 세정을 실시했다. 상청액의 저항률이 5000 Ω·cm 이상이 된 시점에서, 상기 침전물의 상청액을 버리고, 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 점도가 높은 슬러리를 얻었다. 이 슬러리를 교반하면서, 수산화물 입자의 농도가 1.0 질량％ 가 되도록 이 슬러리를 에탄올로 희석한 후, 유기 보호제인 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트 (50 질량％) 6.0 g 을 상기 슬러리에 첨가하여 잘 교반하고, 슬러리를 얻었다. 이 유기 보호제의 첨가량은, 인듐주석 수산화물에 대해 3.0 질량％ 였다.
이 슬러리를 관의 길이 방향을 연직으로 하여 배치한, 500 ℃ 로 가열한 관형상 노의 내부에, 캐리어 가스인 질소 가스를 선속도 1 m/s 의 범위로 유통시키고 있는 상태에서, 2 유체 노즐을 사용하여, 분무하고, 질소 가스와 함께 관형상 노 내에 도입했다. 이로써 인듐주석 수산화물 입자가 관형상 노 내에서 열분해하여 소성되어 관형상 노의 배출구로부터 표면 개질 처리한 ITO 분말을 얻었다. 또 이 ITO 분말을 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 ITO 막을 제조했다.
＜비교예 1＞
In 금속 농도가 24 질량％ 의 염화인듐 (InCl3) 수용액 245 g 에, 농도 55 질량％ 의 사염화주석 (SnCl4) 수용액 11.5 g 을 첨가 혼합하여, InCl3-SnCl4 혼합 용액을 조제했다. 다음으로, 탄산수소암모늄 (NH4HCO3) 수 500 g 을 이온 교환수에 용해하여, 전체량 1000 ㎖ 로 온도 70 ℃ 로 조제했다. 이 수용액에 상기 InCl3-SnCl4 혼합 용액의 전체량을 약 20 분간 교반하면서 적하하여 인듐주석 공침 수산화물을 생성했다. 다시 그대로 30 분간 교반했다. 이 때의 반응액의 최종 pH 는 4.5 였다. 침전물인 인듐주석 수산화물을 회수하여, 원심 분리기로 탈수한 후, 이온 교환수를 첨가하여 세정하면서 원심 여과를 실시하고, 여과액의 저항률이 5000 Ω·cm 이상에 도달한 시점에서 원심 여과를 종료했다. 이어서 이 침전물을 100 ℃ 에서 하룻밤 건조시킨 후, 600 ℃ 에서 3 시간 소성하고, 응집체를 분쇄하여 풀어, ITO 분말 75 g 을 얻었다.
이 ITO 분말 75 g 을 무수 에탄올과 증류수를 혼합한 표면 처리액 (혼합 비율은 에탄올 95 질량％ 에 대해 증류수 5 질량％) 에 넣어 함침시킨 후, 유리 샬레에 넣어 질소 가스 분위기하, 400 ℃ 에서 2 시간 가열하여 표면 개질 처리한 ITO 분말을 얻었다. 또 이 ITO 분말을 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 ITO 막을 제조했다.
＜비교예 2＞
비교예 1 과 동일하게 제조한 인듐주석 수산화물을 1000 ℃ 에서 5 시간 소성하고, 비교예 1 과 동일한 표면 처리를 실시하여, 70 g 의 ITO 분말을 얻었다. 또 비교예 1 과 동일하게 이 ITO 분말의 표면 처리를 실시하여, ITO 분말을 얻었다. 이 ITO 분말을 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여 ITO 막을 제조했다.
＜비교 시험＞
〔ITO 분말의 평가〕
실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에서 얻어진 각 ITO 분말의 체적 저항률을 도 1 에 나타내는 측정 장치 (미츠비시 화학 아나리틱 제조 MCP-PD51) 를 사용하여 측정했다. 구체적으로는, 각 ITO 분말의 체적 저항률의 측정은, 도 1 에 나타내는, 내경 φ 가 25 mm 인 실린더 (1) 에 ITO 분말 2.00 g 을 충전하고, 0.196 ∼ 29.42 MPa (2 ∼ 300 kgf/㎠) 의 범위에서 압력을 변경하여, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에서 얻어진 ITO 분말 10 점 이상의 저항률과 시료 두께를 동시에 각각 측정했다. 압력은 도시되지 않은 압력 센서에 의해, 저항률은 직류 4 단자법으로 측정했다. 도 1 에 있어서, 2 는 ITO 분말의 압분체이다.
시료인 ITO 분말의 충전 질량을 시료 두께와 실린더의 내경 φ 로부터 구한 체적으로 나누어 실밀도를 구하고, 이 실밀도를 이론 밀도로 나누어 상대 밀도로 했다. 도 2 에 이 상대 밀도 (횡축) 와 ITO 분말의 압분체의 체적 저항률 (종축) 의 관계를 나타낸다. 이 관계는, 최소 이승법에 의해, 다음의 누승의 식 (1) 에 근사한다. 또한, 분말의 체적 저항률은 측정된 값에, 측정 시스템 부속의 보정 계수를 곱함으로써 산출된다. 표 1 에 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 2 에서 얻어진 근사식 (1) 의 a 및 n 의 값을 나타낸다. Y 는 압분체의 체적 저항률이며, X 는 상대 밀도이다.
Y=aXn (1)
실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 2 에서 얻어진 각 ITO 막의 표면 저항률 (Ω／□) 을 저항률 측정 장치 (미쓰비시 유카사 제조 MCP-T400) 에 의해 측정했다. 또, 성막 1 일 (24 시간) 후에, 동일한 측정을 실시하여, 성막 후의 측정치와의 비를 산출했다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112013073039000-pat00001
＜평가＞
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 식 (1) 의 a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 게다가 n 이 -10 이상인 실시예 1 ∼ 3 의 ITO 분말로 만들어진 ITO 막의 표면 저항률은 1.0 × 104 Ω／□ 이하였다. 이에 대하여 식 (1) 의 a 가 5.0 × 10-3 을 초과하는 비교예 1 의 ITO 분말로 만들어진 ITO 막의 표면 저항률은 1.0 × 104 Ω／□ 을 초과하였다. 또한, 비교예 2 의 n 이 -10 미만인 ITO 분말로 만들어진 ITO 막의 표면 저항률은 1.0 × 104 Ω／□ 을 초과하고 있고, 성막 1 일 후의 표면 저항률은 1.7 배로 1.5 배를 초과하였다. 이 점에서, 식 (1) 에 근사한 관계를 갖는 실시예 1 ∼ 3 은 도포형으로 ITO 막을 성막했을 때의 저항률을 낮게 하여 높은 도전성을 얻는 것이 입증되었다.

Claims (9)

  1. 표면 개질한 ITO 분말로서, 상기 ITO 분말로 이루어지는 압분체에 0.196 ∼ 29.42 MPa 의 압력을 가했을 때의 상기 압분체의 체적 저항률을 Y 로 하고 상기 압분체의 상대 밀도를 X 로 하는 경우, 상기 체적 저항률과 상기 상대 밀도의 관계가 최소 이승법에 의해 하기의 식 (1) 로 근사되고, 이 식 (1) 에 있어서 a 가 5.0 × 10-3 이하이며, 또한 n 이 -10 이상인 것을 특징으로 하는 ITO 분말.
    Y=aXn (1)
  2. 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고,
    상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고,
    상기 유기 보호제가 표면에 흡착된 인듐주석 수산화물을 건조시킨 후, 상기 소성 공정에서, 대기 중 250 ∼ 800 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 6 시간 소성하고,
    상기 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열하는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 ITO 분말의 제조 방법.
  3. 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고,
    상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 10 ∼ 30 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 물로 희석한 후, 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고,
    상기 건조 공정에서, 상기 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물이 분산된 슬러리를 건조시키고,
    상기 소성 공정에서, 대기 중에서 2.45 GHz ∼ 28 GHz 의 마이크로파로 250 ∼ 800 ℃ 의 범위에서, 10 분 이내로 목적 온도에 도달하는 속도로 승온한 후, 상기 목적 온도에서 5 ∼ 120 분의 범위를 유지함으로써 가열 소성하고,
    상기 소성 공정 후에, 소성한 ITO 분말의 응집체를 분쇄하고, 이 분쇄된 ITO 분말을 표면 처리액에 함침한 후, 질소 가스 분위기하, 200 ∼ 400 ℃ 의 범위에서 0.5 ∼ 5 시간 가열하는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 ITO 분말의 제조 방법.
  4. 3 가 인듐 화합물과 4 가 주석 화합물의 혼합 수용액에 알칼리 수용액을 혼합하여, 인듐과 주석의 공침 수산화물을 생성하는 공정과, 상기 공침 수산화물을 순수 또는 이온 교환수로 세정하는 공정과, 상기 공침 수산화물의 상청액을 버리고 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 조제하는 공정과, 상기 슬러리를 건조시키는 공정과, 건조시킨 인듐주석 산화물을 소성하여 인듐주석 산화물을 얻는 공정을 포함하는 ITO 분말을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 세정 공정에서, 상기 상청액의 저항률이 적어도 5000 Ω·cm 가 될 때까지 세정하고,
    상기 슬러리의 조제 공정에서, 상기 수산화물 입자의 농도가 1 ∼ 5 질량％ 의 범위가 되도록 상기 상청액을 버린 슬러리를 알코올로 희석한 후, 팔미틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트, 폴리비닐알코올 또는 옥틸디메틸에틸암모늄에틸술페이트인 유기 보호제를 상기 슬러리에 상기 수산화물 입자 100 질량％ 에 대해 0.1 ∼ 5 질량％ 의 범위에서 교반하면서 첨가하고,
    상기 소성 공정에서, 상기 알코올로 희석되어 상기 유기 보호제를 첨가한 인듐주석 수산화물 입자가 분산된 슬러리를 250 ∼ 800 ℃ 의 범위로 가열한 관형상 노의 내부에, 질소 가스를 선속도 0.5 ∼ 5 m/s 의 범위에서 유통시키고 있는 상태에서, 분무함으로써 인듐주석 수산화물 입자를 상기 관형상 노 내에서 열분해하여 소성하여 인듐주석 산화물 입자를 얻는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 ITO 분말의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 알코올이 에탄올, 메탄올 또는 프로판올인 제조 방법.
  6. 제 1 항에 기재된 ITO 분말 또는 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 ITO 분말을 용매에 분산시켜 분산액을 제조하는 방법.
  7. 제 6 항에 기재된 분산액으로 ITO 막을 제조하는 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020130095586A 2012-09-27 2013-08-12 Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법 KR101650611B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-213761 2012-09-27
JP2012213761A JP5924214B2 (ja) 2012-09-27 2012-09-27 Ｉｔｏ粉末及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140041330A KR20140041330A (ko) 2014-04-04
KR101650611B1 true KR101650611B1 (ko) 2016-08-23

Family

ID=50355376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130095586A KR101650611B1 (ko) 2012-09-27 2013-08-12 Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5924214B2 (ko)
KR (1) KR101650611B1 (ko)
CN (1) CN103693679B (ko)
TW (1) TWI577636B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101730143B1 (ko) * 2016-04-18 2017-04-25 (주)한청알에프 폐 ito 스크랩으로부터 입자 형태의 조절이 가능한 ito 분말의 제조방법
KR101932554B1 (ko) * 2017-04-13 2019-03-18 (주)한청알에프 폐 ito 스크랩으로부터 스퍼터링용 ito 타겟을 얻을 수 있는 재생 ito 분말을 제조하는 방법 및 그 분말
KR102571299B1 (ko) * 2018-01-15 2023-08-25 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 Ito 입자, 분산액 및 ito 막의 제조 방법
CN114314642B (zh) * 2022-01-12 2024-02-20 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 一种超分散ito粉的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008500938A (ja) 2004-05-28 2008-01-17 インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピーエルシー インジウム錫酸化物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3232591B2 (ja) * 1991-07-22 2001-11-26 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウム−酸化錫微粉末及びその製造方法
DE19721649C2 (de) * 1997-05-23 2003-02-20 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines Mischkristallpulvers mit geringem spezifischen elektrischen Widerstand
KR100737657B1 (ko) * 1998-09-06 2007-07-09 라이브니츠-인스티투트 퓌어 노이에 마테리알리엔 게마인누찌게 게엠베하 산화 인듐 주석을 기재로 하는 현탁액 및 분말의 제조방법및 그의 용도
JP4841029B2 (ja) * 2000-08-30 2011-12-21 三井金属鉱業株式会社 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法
TW525402B (en) 2001-01-18 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Process for producing a light emitting device
JP2005054273A (ja) 2004-10-29 2005-03-03 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ターゲット材の製造方法
EP2116513B1 (de) * 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit
CN101830498A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 西北稀有金属材料研究院 Ito粉末及ito烧结体的制备方法
JP5405935B2 (ja) 2009-07-30 2014-02-05 日立マクセル株式会社 透明導電性シート
JP5835860B2 (ja) 2009-10-29 2015-12-24 三菱マテリアル電子化成株式会社 熱線遮蔽組成物とその製造方法
JP5754580B2 (ja) * 2010-10-26 2015-07-29 三菱マテリアル電子化成株式会社 インジウム錫酸化物粉末

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008500938A (ja) 2004-05-28 2008-01-17 インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピーエルシー インジウム錫酸化物
US20080260622A1 (en) 2004-05-28 2008-10-23 Imperial Chemical Industries Pic Indium Tin Oxide

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014065644A (ja) 2014-04-17
KR20140041330A (ko) 2014-04-04
JP5924214B2 (ja) 2016-05-25
CN103693679B (zh) 2017-04-12
CN103693679A (zh) 2014-04-02
TWI577636B (zh) 2017-04-11
TW201431791A (zh) 2014-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101650611B1 (ko) Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법
KR20130093123A (ko) 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 분산액, 도료 및 기능성 박막
JP2013139589A (ja) 銀微粒子及びその製造法並びに該銀微粒子を含有する導電性ペースト、導電性膜及び電子デバイス
JP4617499B2 (ja) Ｉｔｏ粉体およびその製造方法、透明導電材用塗料、並びに透明導電膜
KR100444142B1 (ko) Ito 미분말 및 그의 제조방법
Wang et al. A cost-effective co-precipitation method for synthesizing indium tin oxide nanoparticles without chlorine contamination
KR101729365B1 (ko) Ｉｔｏ 분말 및 그 제조 방법
JP4253721B2 (ja) スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
KR101264111B1 (ko) 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법
KR101157460B1 (ko) 분무열분해법에 의한 알루미늄산화물이 도핑된 산화아연 분말의 제조
JP5726728B2 (ja) Ｉｔｏ粉体、ｉｔｏ塗料、並びに、ｉｔｏ塗料を用いて成膜される透明導電膜
JP3367149B2 (ja) 導電性酸化物粉末の製造方法
TWI568676B (zh) ITO powder and its manufacturing method
KR101730143B1 (ko) 폐 ito 스크랩으로부터 입자 형태의 조절이 가능한 ito 분말의 제조방법
EP2599751B1 (en) Indium tin oxide powder, production method therefor, and a transparent conductive composition
KR102302205B1 (ko) 은 분말 및 이의 제조 방법
KR100455280B1 (ko) 인듐 틴 옥사이드(ｉｔｏ)의 제조방법
JP4575656B2 (ja) 導電性粉末
JP5885507B2 (ja) インジウム錫酸化物粉末およびその製造方法
JP3590646B2 (ja) 導電性材料およびその製造方法
JP2012216550A (ja) 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜、および透明導電膜の製造方法
KR101583148B1 (ko) 산화주석 분말의 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화주석 분말
JP2010040397A (ja) 導電性微粒子及びその製造方法
CN115818740A (zh) 一种二氧化钌纳米粉体的合成方法
KR20130052066A (ko) 청정공정 이용 주석과 아연을 고용한 인듐저감 조성(인듐-아연-주석 산화물)나노 분말합성 및 고전도 고밀도 타켓 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant