KR101518107B1 - 마스크에 의해 유발되는 이미징 수차의 교정이 있는 투영 노광 장치 작동 방법 - Google Patents

마스크에 의해 유발되는 이미징 수차의 교정이 있는 투영 노광 장치 작동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 마스크에 의해 유발되는 파면 수차들이 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 조종기에 의해 감소된다.

Description

마스크에 의해 유발되는 이미징 수차의 교정이 있는 투영 노광 장치 작동 방법 {METHOD FOR OPERATING A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH CORRECTION OF IMAGING ABERRATIONS INDUCED BY THE MASK}
본 발명은 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키기 위한 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 작동시키기 위한 방법에 관한 것이다.
최종적으로, 본 발명은 상기 2개의 방법들을 실행하기 위해 갖춰지는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 관한 것이다.
마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 - 이하 요약해서 투영 노광 장치로 칭해짐 -는, 일반적으로, 광원, 상기 광원에 의해 방출되는 광선들을 처리하여 조명 광을 형성하는 조명 시스템, 일반적으로 레티클(reticle) 또는 마스크(mask)로 칭해지는, 투영될 오브젝트(object), 오브젝트 필드(object field)를 이미지 필드(image field)상으로 이미징하는, 요약해서 이하에서 오브젝티브로 칭해지는 투영 오브젝티브(projection objective), 및 일반적으로 웨이퍼(wafer)로 칭해지는, 투영이 실행되는, 추가적인 오브젝트로 구성된다. 마스크 또는 적어도 마스크의 일부는 오브젝트 필드에 놓여 있고, 웨이퍼 또는 웨이퍼의 적어도 일부는 이미지 필드에 놓여 있다.
마스크가 오브젝트 필드의 영역에 완전히 놓여 있고, 웨이퍼가 웨이퍼 및 이미지 필드의 상대 움직임 없이 노광되면, 투영 노광 장치는 일반적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)로 칭해진다. 마스크의 일부만이 오브젝프 필드의 영역에 놓여 있고, 웨이퍼가 웨이퍼 및 이미지 필드의 상대 움직임 동안에 노광되면, 투영 노광 장치는 일반적으로 웨이퍼 스캐너(wafer scanner)로 칭해진다. 레티클과 웨이퍼의 상대 움직임에 의해 규정되는 공간적인 차원은 일반적으로 스캐닝 방향으로 칭해진다.
웨이퍼의 노광 동안에, 마스크는 조명 시스템에 의해 조명광으로 조명된다. 조명의 타입은 설정(setting)으로서 지정된다. 코히어런트(coherent) 조명, 0과 1 사이의 σ설정을 갖는 인코히어런트(incoherent) 조명, 고리 모양 조명, 상이한 조명되는 애퍼쳐 각도(aperture angle)를 가진 X- 또는 Y-쌍극자 설정, 4극자 설정 사이에는 구별이 이루어진다. 현재의 개발은 자유형태 조명의 방향으로 향하고 있다; 예컨대, “Illumination Optics for Source-Mask Optimization, 야스시 미즈노(Yasushi Mizuno) 등, Proc. SPIE 7640, 764011 (2010)”. 이 경우에 있어서, 조명 시스템의 출사동(exit pupil)에서의 조명광의 강도는 높은 공간적 해상도를 갖는 임의의 요구되는 방식으로 설정될 수 있다.
마이크로리소그래피 노광 프로세스의 조력으로 생성될 집적 회로의 집적 밀도에 대해서, 주기적 구조(periodic structure)는 결정적인 중대성이다. 상기 구조는 피치(pitch) 및 구조 폭(structure width)에 의해 나타내어진다. 웨이퍼 상에 사용되는 구조 폭은 노광될 레지스트(resist)의 레지스트 역치(resist threshold)에 의해 일정한 정도로 자유롭게 설정될 수 있다. 대조적으로, 최소의 달성 가능한 피치, Pitch min 은 조명광의 파장 및 오브젝티브의 오브젝트측 개구수에 의해 주어진다. 다음은 참이다: 미리 규정된 σ 설정 σ를 가진 인코히어런트 조명 및 코히어런트 조명에 대해서
Figure 112012078828943-pct00001
.
이미징될 마스크상의 구조들은 2개의 우선되는 방향들을 갖는다. 투영 노광 장치의 이미징 품질의 평가에 있어서는, 따라서, 적어도, 최대로 분해 가능한 피치의 H(수평) 및 V(수직) 구조들 사이에 구별이 이루어진다. 이러한 경우에, H 구조는 마스크의 광-투과성 영역 및 광-불투명 영역의 연속을 의미하고, 상기 영역들의 각각의 개별적인 영역은 스캐닝 방향에 관하여 직각으로 그 자신의 더 큰 범위를 갖는다는 것이, 이하에서 동의되어야 할 것이다.
투영 노광 장치에 있어서 웨이퍼상에서 궁극적으로 달성 가능한 집적 밀도는 실질적으로 다음의 파라미터들에 좌우된다: (a) 오브젝티브의 초점의 심도 DOF, (b) 이미지측 개구수 NA 및 (c) 조명 광의 파장 λ. 투영 노광 장치의 신뢰성 있는 작동을 위해서, 요구되는 임계 치수 CD, 즉, 웨이퍼상에서 발생하는 최소의 구조 폭, 및 주어진 개구수 NA, 조명 광의 도스(dose)의 변화 및 가능성 있는 디포커싱(defocusing) FV(focus variation; 초점 변화)로부터 형성되는 최대의 가능성 있는 소위 프로세스 윈도우(process window)에 대한 보증이 필요하다. 이러한 경우에, NA 및 DOF는 반비례한다. 임계 치수 CD를 더 감소시키기 위해서, 개발은 일반적으로 증대하는 개구수 NA쪽으로 향한다. 하지만, 이것은 초점의 심도 DOF의 감소를 그리고 따라서 프로세스 윈도우의 감소를 초래한다.
따라서, 임계 치수 CD를 감소시키는 배경에 있어서 프로세스 윈도우를 증대시키거나 적어도 안정화시키는 것에 대한 필요가 있다.
현재, 피치의 CD의 최적의 해상도는 2 종류의 투영 노광 장치에 의해 달성된다.
제1 종류의 투영 노광 장치는, 편광된 광을 가진 193 nm의 조명광의 파장 λ의 ArF 레이저와 동작되고, 침지(immersion) 동작에서, 즉 물 전에 최종 매체로서 액체를 가지고, 또는 건조 동작에서, 즉 물 전에 최종 매체로서 가스를 가지고 작동한다. 조명되는 마스크를 웨이퍼상으로 이미징하는 관련 오브젝티브들은 일반적으로 광굴절의 또는 반사굴절의 오브젝티브들이다. 후자는 0.8 또는 1.3 또는 그 이상의 이미지측 개구수로 동작된다. 예를 들면, US 20060139611A1, US 20090034061A1 or US 20080151365A1을 대조 참조하라. 레티클은 일반적으로 유리 기판이고, 레티클의 구조들은 상기 기판상의 Cr, MoSi 또는 다른 재료들로 구성되는 구조화된 층에 의해 형성된다.
제2 종류의 투영 노광 장치는 13.5 nm의 파장 λ의 약한 X-선 방사(기술 용어로서 EUV, 극자외선으로 칭해지는)의 소스와 동작된다. 기술 용어는 소위 EUV 시스템 또는 EUV 투영 노광 장치를 칭한다. 조명되는 마스크를 웨이퍼상으로 이미징하는 관련 오브젝티브들은 반사 오브젝티브들이다. 후자는, 0.2 내지 0.35, 0.9 또는 그 이상의 이미지측 개구수와 동작된다. 예를 들면, US 20050088760A1 또는 US 200801700310A1을 대조 참조하라. 레티클은 일반적으로, 13.5 nm의 파장 λ을 갖는 광의 경우에 교호의 Mo 및 Si 층들의 스택을 통해 고도로 반사성이 되는 ULE™ 또는 Zerodur®와 같은 유리 기판이며, 레티클의 구조들은 차례로 구조화된 Cr 층에 의해 또는 그 외에 TaN 또는 다른 재료들로 구성되는 구조화된 층에 의해 형성된다. 구조화된 층의 두께는 일반적으로 50~70 nm이다.
“Polarization-induced astigmatism caused by topographic masks, 루오프(Ruoff) 등, Proc SPIE 6730, 67301T (2007)”에서 설명되는 효과들이 제1 종류의 투영 노광 장치에서 발생한다. 따라서, 조명 광의 TM- 및 TE- 편광 부품들은 각각 H 및 V 구조들의 초점이 상이한 위치들을 초래한다. 파면 수차 및 이 경우에 있어서 구체적으로 비점 수차 Z5, Z6는 따라서, 마스크의 편광된 조명 및 오브젝티브의 차후의 이미징의 경우에 발생한다. 비점 수차 항들 Z5, Z6은 제르니케 다항식이고, 그 지수는 프린지 표기법(fringe notation)을 따른다; “Handbook of Optical Systems, 싱거(Singer) 등(eds.), Wiley-Vch, 2005”를 대조 참조하라. 이것은 실질적으로, 편광된 조명과 함께 광에 대한 3차원을 나타내는, 마스크에서의 조명 광의 회절에 대한 키르히호프 근사(Kirchhoff approximation)의 실패와 관련된다. 상기한 논설은 이러한 효과들을 고려하는 일반화된 키르히호프 근사를 상술한다. 기술 용어에 있어서 엄밀히 칭해지는 이러한 효과들은 구조 폭들, 예컨대 Cr과 같은 마스크의 구조들을 형성하는 재료, 및 마스크의 영역내의 조명광의 빔 경로의 방향에 있어서의 상기 구조들의 두께에 좌우된다.
따라서, 이러한 제1 종류의 투영 노광 장치에 있어서, 마스크의 엄밀한 효과들에 의해 유발되는(동의어: 기인하는) 파면의 구조- 및 피치-종속 수차들을 교정하기 위한 측정들에 대한 필요가 있으며, 특히, 마스크에 의해 유발되는 구조- 및 피치-종속 비점 수차의 교정을 위한 필요가 있다.
이러한 경우에, 파면 수차는 구조 또는 구조 폭이나 피치에 의해 유발되거나, 파면 수차의 유발된 수차는 오로지 마스크의 이러한 구조화에만 기인하는 수차를 의미하는 것으로 이하에서 이해된다. 다르게 말하면, 이것은 이미 존재하는 오브젝티브의 다른 수차들에 더하여 일어나는 수차이다. 피치의 또는 구조 폭의 유발된 파면 수차 대신에, 피치의 또는 구조 폭의 파면 수차에 대해서만 또 언급될 것이다.
제2 종류의 투영 노광 장치에 있어서, 마스크의 조명은 반사에서 일어난다. 따라서, 그게 아니라면, 조명 시스템 및 오브젝티브가 방해할 것이기 때문에, 가능한 마스크의 텔레센트릭(telecentric) 조명이 없다. 주 광선 각도(chief ray angle; “CRA”)는, 제1 종류의 투영 노광 장치의 경우에 있어서, 주 광선의 텔레센트릭 광선으로부터의 편향이다. 제2 종류의 투영 노광 장치의 현재의 경우에 있어서, 그것은, 오브젝티브의 오브젝트 면에 대한 가상적 직각에 관한 조명광의 주 광선의 각도이다. US 20050088760A1에 있는 바와 같은 투영 노광 장치의 경우에 있어서, 6°의 CRA는 0.33의 이미지측 개구수 NA의 경우에 사용된다. US 200801700310A1에 있는 투영 노광 장치의 경우에 있어서, 15°의 CRA는 0.5의 이미지측 개구수 NA의 경우에 사용된다. 일반적으로, 사용되는 CRA는 오브젝티브의 개구수 NA와 더불어 증가한다.
효과들에 대해서, “Mask diffraction analysis and optimization for EUV masks, Erdmann et al, Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering 2009, vol. 7271”을 또한 참조하여 후술된다.
하기에서 보다 구체적인 방식으로 예시되는 바와 같이, 0°와는 상이한 CRA는, 오브젝티브의 오브젝트 면에 관하여 직각으로 마스크 구조의 범위만큼 반사되는 조명 광의 셰이딩(shading)을 초래한다. 따라서, 여기에, 조명 시스템, 마스크 및 오브젝티브의 기하학적 3차원 배열에 의해 결정되는 마스크의 순수한 지형적 효과가 존재한다. 하지만, 제1 종류의 투영 노광 장치와는 대조적으로, 상기 효과는 또한 비회절 조명 광에 영향을 미친다.
정확히 EUV 투영 노광 장치에 대해서는, 마스크의 구조화된 층의 두께가 λ = 13.5 nm의 조명 광의 수 파장이기 때문에, 이러한 효과가 더 이상 고려되지 않을 수 있고, 따라서, λ = 193 nm의 파장에서 동작되는 제1 종류의 투영 노광장치와는 대조적으로 셰도우 캐스팅(shadow casting)으로 칭해질 수 있다.
비회절 조명광만이 고려된다면, 이러한 셰이딩은, 조명 시스템 및 오브젝티브의 설계에 대해서, 마스크상의 CRA의 입사 평면이 H 구조들의 개별적인 구조의 범위에 직각이라고 가정되는 경우에, V 구조들에 대해서보다는 H 구조들에 대해서 더 큰 범위로 나타난다. 웨이퍼 상의 H 및 V 구조들의 구조 폭들간의 차이의 크기는, 마스크 상의 동일한 구조 폭들을 가정하면, 나중에 예시될 바와 같이, 오브젝티브의 오브젝트 면내에서 고려되는, 오브젝트 포인트로서의 그것의 위치에 좌우된다. 따라서, H 구조들은 오브젝티브의 오브젝트 면내의 그것들의 위치에 따라 일반적으로 더 넓게 이미징된다. 또한, 이미지 오프셋(image offset)은 파면 Z2, Z3의 필드-종속 기울기에 대응하는, H 구조들에 대해 나타나는 오브젝트 포인트의 위치에 좌우된다. 전체의 파면이 분석되면, 필드-종속, 왜곡 항들 Z2, Z3, 디포커싱 Z4 및 비점 수차 Z5, Z6가 수차들로서 나타난다. 이것들은 코마(coma) Z7, Z8 및 제2의 비점 수차 Z12, Z13과 같은 더 높은 차수의 파면 수차들에 의해 달성된다.
따라서, 이러한 제2 종류의 투영 노광장치에 있어서도, 마스크의 엄밀한 효과들에 의해 유발되는 파면의 구조-폭- 및 피치-종속 수차들을 교정하기 위해 측정이 필요하며, 특히, 마스크에 유발되는 구조-폭- 및 피치-종속 비점 수차의, 오브젝트 포인트의 위치에 따른 구조-폭- 및 피치-종속 왜곡의, 그리고 또한, 구조-폭- 및 피치-종속 초점 위치의 교정에 대한 필요가 있다.
본 발명은, 제1 접근법(이하에서는 “마스크 파면 최적화”(MWO)로 지정됨)에 있어서, 상기한 2 종류의 투영 노광 장치들에 대해서, 상기한 효과에 대해 보상하기 위해, 파면 조종 가능성을 제공하는 것을 또는 이미 존재하는 파면 조종 가능성을 이용하는 것을 제안한다. 이러한 조종들은 마스크의 구조들에 대한 선험적 정보, 특히, 그것의 구조 방향들, 피치들 및 구조 폭들을 고려하도록 의도된다. 이러한 경우에, 파면의 조종은 교정 목적을 위해 실행되는 다른 파면 조종에 더하여 실행되는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
투영 노광 장치는, 장치의 기능성이 그 수명 이상으로 유지되는 것을 보장하는 조정 가능성을 일반적으로 갖춘다. 이것은, 예컨대, 오브젝티브의 광학 요소들에 대한 조명 광의 적용이 가열 및 상기 광학 요소들의 열화를 초래하고, 그래서 상기 광학 요소들의 광학 특성의 변화를 초래하기 때문이다. 상기 광학 특성의 변화는 일반적으로, 오브젝티브의 이미징 성능의 장애를 초래하고 그래서 투영 노광 장치의 이미징 성능의 장애를 초래한다. 특히, 프로세스 윈도우가 그에 의해 감소된다.
따라서, 오브젝티브의 몇몇의 광학 요소들이, 투영 광학 시스템의 다른 광학 요소들에 관한 그것들의 상대 위치든, 그것들의 형태, 굴절 광학 요소의 경우에는, 그것들의 굴절률이든 어느 한쪽은 전역적으로 또는 국소적으로 변화시킬 수 있는 조종 가능성이 갖춰진다.
예로서, EP 678768A2에서나 EP 1670041A에서, 가열에 의해 렌즈의 형태가 변화되거나 상기 렌즈의 굴절률이 변화됨으로써, 그것은 그것의 원래의 효과로부터 일탈하는 광학 효과를 나타낸다. WO 2008037496A2는, 토크를 도입하는 것에 의해, 더 높은 방사 차수를 만족하는 렌즈의 형태 변화를 달성하는 것이 또한 가능하다는 것을 나타낸다. 미러의 경우에 있어서, 조명 광으로부터 제거되는 상기 미러의 그 측부 상의 힘의 작용을 통해, 미러의 더 많은 또는 더 적은 임의의 형태 변화를 달성할 수 있으며, 예컨대, US 20030234918A1를 참조하라. US 20090257032A1 및 WO 2009026970A1는, 현재 광학 요소에 적용되는 컨덕터 트랙(conductor track)에 의해, 특히 석영 유리로 구성되는 평면 판의, 광학 요소의 온도 그리고 그러므로 굴절률 및 형태에 대해 국소적으로 초래하는 조종을 나타낸다.
EP 851304A2는, 서로에 관하여 미리 정해진 공간적인 영(zero)의 위치에서 광학 효과를 나타내지 않지만, 서로에 관하여 천이적인 상대 움직임이 이루어질 경우에 사전에 계산된 광학 효과를 나타내는, 한 쌍의 비구면화된 평면 판들, 소위 알바레즈 판(Alvarez plate)들을 제공한다. 또한, US 20030063268A1, 및 US 6191898B1도, 광학 요소들이 광학 축의 방향으로 또는 그에 관하여 직각으로 조종기들에 의해 변위됨으로써, 투영 광학 시스템에 속하는 추가적인 광학 요소들에 관하여 이러한 상대 움직임에 의해 광학 효과가 달성되는, 투영 광학 시스템들에서의 광학 요소들의 조종을 개시한다. 마지막으로, WO 2007062794A1는 투영 광학 시스템이 광학 축을 포함하는 투영 광학 시스템의 광학 요소의 조종을 개시한다. 이 경우에, 광학 요소는 5개의 공간적 자유도로 움직인다: 광학 축 방향으로의 변위, 그에 수직한 2개의 변위, 및 광학 축에 대응하지 않는 축들에 대한 2개의 회전 움직임.
상기 조종기들 중 하나가 작용하는 광학 요소가 오브젝티브의 동공 면에 놓여 있으면, 이미지 필드의 각각의 필드 포인트의 파면에 대한 그것의 효과는 동일하다. 이것이 그 경우가 아니라면, 즉, 광학 요소가 오브젝티브의 동공 면에 놓여 있지 않으면, 파면에 대한 상기 효과는 일반적으로 필드-종속이다, 즉, 조종기에 의해 유발되는 파면 변화는 고려되는 필드 포인트에 좌우된다. 따라서, 그러한 경우에, 이것은 필드-종속 방식으로 작용하는 조종기로 칭해진다. 특히, 오브젝티브의 동공 면에 배열되지 않은 광학 요소에 작용하는 상기 조종기들 중 하나에 의해, 오브젝티브의 파면 수차의 필드 종속이 교정될 수 있다.
본 발명은, 제2 접근법(이하에서, “소스 마스크 파면 최적화”(SMWO)로 지정됨)으로, 파면의 조정들에 더하여, 설정, 즉 마스크를 조명하는 조명 광의 특성을 조종하는 것을 제안한다. 이러한 조종들은 마찬가지로, 마스크의 구조들에 대한 선험적 정보, 특히, 그것의 구조 방향들, 피치들 및 구조 폭들을 고려하도록 의도된다. 이러한 경우에, 설정의 조종은, 조명 시스템에 의해 어쩌면 이미 실행되는 조명 광의 설정에 더하여, 변경으로서 실행되는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
투영 노광 장치의 조명 시스템은, 고리 설정 - 예컨대, DE 102005034991A1를 참조할 것 -, 쌍극자 또는 4극자 설정, 또는 US 20070165202A1 또는 자유형태 조명 - 예컨대, WO 2009100856A1를 참조할 것 -, 또는 “Illumination Optics for Source-Mask Optimization, 야스시 히즈노(Yasushi Hizuno) 등, Proc, SPIE 7640, 754011 (2010)”을 가능케 하는 조종 가능성들이 갖춰질 수 있다.
본 발명은, 제3 접근법(이하, “소스 마스크 편광 파면 최적화”(SMPWO)로 지정됨)으로, 파면의 또는 설정의 조종에 더하여 조명 광의 편광을 조종하는 것도 제안한다. 이러한 조종들은, 마찬가지로, 마스크의 구조들에 대한 선험적 정보, 특히, 그것의 구조 방향들, 피치들 및 구조 폭들을 고려하도록 의도된다. 이러한 경우에, 편광의 조종은 조명에 의해 어쩌면 제공되는 조명 광의 편광에 더하여 실행되는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
투영 노광 장치의 조명 시스템은, 조명 광의 편광에 영향을 미치는 조정 가능성들이 갖춰질 수 있고, 예컨대, DE 102009016A1 또는 WO 2009034109A2를 참조하라.
본 발명의 하기의 구성들은 본 발명을 한정하는 것으로 간주되지 않아야 한다. 특히, 그것들은, 상기한 2 종류에 포함되지 않는 투영 노광 장치들에도 적용될 수 있다. 엄밀한 마스크 효과들이 상기에서 구체적인 방식으로 논의된 2종류의 투영 노광 장치들보다 덜 명백할지라도, 그것들은 그럼에도 존재한다. 또한, 본 발명은 상기한 2 종류들의 교차점에 놓이는 편광 조명을 갖춘 EUV 시스템들에도 적용된다.
하기의 본 발명의 구성들은 MWO로서 이해되어야하고, 그것들은 간략화의 목적으로 번호가 매겨지고 표시된 포뮬레이션(formulation)들이다.
제1 포뮬레이션. 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응(adapt)시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
- 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
- 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 상기 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
- 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향(manipulator deflection)들을 갖는 조종기(manipulator) - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
상기 방법은,
- 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들을 규정하고,
- 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
- 상기 규정된 피치들 및/또는 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들을 감소시키는 상기 조종기 편향들 중 하나를 결정하고,
- 상기 조종기를 상기 결정된 조종기 편향으로 편향시키는 것을 특징으로 하는, 방법.
상기 제1 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 오브젝티브의 조종기는, 예컨대, 오브젝티브의 광학 요소들의 위치적, 표면, 또는 재료 허용도에 의해 또는 오브젝티브의 광학 요소들의 가열에 의해 유발되는 그리고, 따라서 조명될 마스크 상의 구조들과는 본질적으로 독립적인 파면 수차들만을 교정하는 것이 아닌 방식으로 편향된다. 조종기의 편향들에 대한 중첩의 원리에 따르면, 적어도 이러한 하나의 조종기에 대해서, 그 편향의 일부가 엄밀한 마스크 효과들을 보상하기 위해 사용된다. 투영 노광 장치는 그에 의해서 마스크 타입 또는 마스크의 종류와 조화된다. 피치들 및/또는 구조 폭들의 정의는 리소그래피 프로세스에 대해 특히 중대한 적으로 분류될 구조들을 기초로 행해진다. 상기 구조들은 특히 작은 초점 심도 DOF를 갖거나 집적 회로의 기능성에 특히 중대한 기하학적 구조를 갖는 것, 또는 피치들 및/또는 구조 폭들을 규정하는데 사용되는 이러한 2개의 기준이 조합일 수 있다.
제2 포뮬레이션. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 작동시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
- 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
- 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
- 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
상기 방법은,
- 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크를 제공하고,
- 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들을 규정하며,
- 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
- 상기 규정된 피치들 및/또는 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들을 감소시키는 상기 조종기 편향들 중 하나를 결정하고,
- 상기 조종기를 상기 결정된 조종기 편향으로 편향시키는 것을 특징으로 하는, 방법.
제2 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 현재 조명될 마스크와 선험적으로 조화되지 않는 투영 노광 장치가, 제1 포뮬레이션의 경우에서와 같이, 현재 조명될 마스크와 조화된다.
제3 포뮬레이션. 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
- 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
- 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 상기 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
- 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
상기 방법은,
- 마스크를 제공하고,
- 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
- 상기 마스크에 의해 유발되는 파면 수차들을 결정하고,
- 상기 결정된 상기 파면 수차들을 감소시키는 상기 조종기 편향들 중 하나를 결정하며,
- 상기 조종기를 상기 결정된 조종기 편향으로 편향시키는 것을 특징으로 하는, 방법.
상기 제3 포뮬레이션에 따른 방법은, 파면 수차들이 조종기에 의해 보상되도록 의도되는 개별적인 또는 소수의 중대한 피치들 및/또는 구조를 결정하는 것을 수반하지 않는다. 오히려, 마스크에 의해 유발되는 전체 파면 수차는 조종기에 의해 감소된다. 이러한 경우에, 마스크에 의해 유발되는 파면 수차의 결정은, 가정되는 이상적인 오브젝티브에 의한 이상적인 이미징 하에서, 마스크의 완벽한 시뮬레이션에 의해 실행된다. 이러한 목적을 위해, 예컨대, 그러한 시뮬레이션을 계산하는데 사용될 수 있는, 브라이언(Brion)으로부터의 Tachyon™ 플랫폼을 사용할 수 있다.
제4 플랫폼. 제1 포뮬레이션 또는 제2 포뮬레이션에 따른 방법으로서,
- 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1의 구조 방향이 규정되고,
- 상기 제1 구조 방향의 상이한 피치들 중 2개의 상이한 피치들(P1 및 P2) 또는 상이한 구조 폭들 중 2개의 상이한 구조 폭들 S1 및 S2가 규정되며,
- 상기 상이한 피치들 P1 및 P2 또는 상기 상이한 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 결정되며,
- 피치 P1 또는 구조 폭 S1의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
- 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 상이한 경우에, 피치 P2 또는 구조 폭 S2의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2가 결정되고, P2에 관한 P1 피치들의 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 상대 웨이팅(weighting) α
Figure 112012078828943-pct00002
[0.1]이 규정되며, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되고,
- 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 각각 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제4 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 파면의 교정이 피치들 또는 구조 폭들에 좌우되어 이루어진다. 웨이팅 α에 의해, 궁극적으로 제조될 집적 회로의 기능을 위해 중대한 피치들의, 중대한 구조 폭의, 파면이 가능한 잘 교정될 것이라는 것을 보장할 수 있다. 파면이 구조-독립 교정과 비교하여, 이것은 궁극적으로 집적 회로의 제조에 있어서 더 적은 불합격품을 생산한다.
제5 포뮬레이션. 제1 포뮬레이션 또는 제2 포뮬레이션에 따른 방법으로서,
- 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1 구조 방향이 규정되고,
- 상기 마스크의 구조 방향들 중, 상기 제1 구조 방향과는 상이한, 제2 구조 방향이 규정되며,
- 상기 마스크의 상기 제1 구조 방향에서 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에서 발생하는 피치 또는 구조 폭이 규정되고,
- 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차들이 결정되며,
- 상기 제1 구조 방향의 구조 폭의 또는 피치의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
- 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이한 경우에, 상기 제2 구조 방향의 피치 또는 구조 폭의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2이 결정되며, 상기 구조 방향들의 상대 웨이팅 α
Figure 112012078828943-pct00003
[0.1]이 규정되고, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되며,
- 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치의 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제5 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 파면의 교정이 구조 방향에 따라 이루어진다. 웨이팅에 의해, 궁극적으로 제조될 집적 회로의 기능에 대해 중대한 구조 방향, 파면이 가능한 잘 교정될 것을 보장할 수 있다. 파면의 구조-방향-독립 교정과 비교하여, 이것은 집적 회로의 제조에 있어서 더 적은 불합격품을 생산한다.
제6 포뮬레이션. 제1 포뮬레이션 또는 제2 포뮬레이션에 따른 방법으로서,
- 상기 조종기는 상기 오브젝트의 동공 면(pupil plane)에 배열되고,
- 상기 조종기는, δ
Figure 112012078828943-pct00004
[0,0.5]에 대해서 상기 동공 직경의 δ배까지 공간적으로 분해되는 방식으로 상기 파면의 위상(phase)에 영향을 미칠 수 있으며,
- 상기 피치들 중 제1 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제1 구조 폭이 고정되고,
- 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수가 고정되며,
- 상기 피치들 중 제2 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제2 구조 폭이 고정되고,
- 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 고정되어,
- 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 상기 동공 직경의 적어도 δ배만큼 서로 이격되며,
- 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차들 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차들이 결정되고,
- 그 n차 회절 차수의 위치에서 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차(phase error)를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제1 조종기 편향 M1이 결정되며,
- 그 m차 회절 차수의 위치에서 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제2 조종기 편향 M2가 결정되고,
- 값 M1 + M2 만큼의 상기 조종기의 편향을 특징으로 하는, 방법.
동공 직경의 δ배까지의 조종기에 의한 파면의 위상의 공간적 해상도는 다음을 의미하는 것으로 여기에서 이해되도록 의도된다: 동공 직경이 1인 경우에 대해, 이것은 적어도 거리 δ를 갖는 동공의 2 포인트들이 상기 2 포인트들 중 제2 포인트와는 독립적으로 상기 2 포인트들 중 제1 포인트에서 조종기에 의해 영향을 받을 수 있다는 것을 의미하는 것으로 의도된다. 동공 직경이 1과 동등하지 않은 경우에, 동공 직경과의 스케일링(scaling)이 상응하게 수행된다. 환언하면, 조종기는 파면의 위상에 국소적으로 작용하고 다른 위치들에 위상 불변을 남긴다. 그러한 조종기들은, 예컨대, US 20090257032A1 및 WO 2009026970A1에 개시되어 있다. 이러한 경우에, 불변은 반드시 100%의 불변을 의미하는 것으로 이해되어서는 안된다. 파면의 위상에 동공의 요구되는 임의의 위치에서 값
Figure 112012078828943-pct00005
만큼 영향을 미칠 수 있고, 위상에 0.1·
Figure 112012078828943-pct00006
이하 또는 심지어 0.05·
Figure 112012078828943-pct00007
이하만큼 이 경우에 있어서 동공의 임의의 다른 포인트에서 영향을 미칠 수 있는 조종기들이 상기한 의미내에서 공간적으로 분해되는 것으로 이해되도록 또한 의도된다. 그러한 조종기들은, 예컨대, WO 2008037496A2 및 US 20030234918A1에 개시되어 있다.
제6 포뮬레이션에 따른 방법은, 상이한 피치들의 또는 상이한 구조 폭들의 회절 차수들이 오브젝티브의 동공 면내에서 공간적으로 이격된다는 사실을 이용한다. 일반적으로, 고정적으로 선택되는 회절 차수 m은 동공의 일련의 위치들에 의해 주어진다. 일반적인 조명 σ = 0에 대해서, 이것은 원-포인트 설정(one-point set)이고, 증가하는 σ에 대해서, 증가하는 반경을 가진 원들이 있다. 제1 및 제2 회절 차수 사이의 거리가 그러면 제1 회절 차수로부터의 제1 포인트와 제2 회절 차수로부터의 제2 포인트 사이의 최소 거리에 의해 규정된다. 개별적인 회절 차수들의 위치 및 거리는 σ 설정, 구조 폭들, 피치 및 오브젝티브에 좌우되고, 따라서 투영 노광 장치가 시동되기 전에 결정될 수 있다. 예컨대, 쌍극자 또는 4극자 조명과 같은, 비-일반적인 조명에 대해서는, 회절 차수들이 이격되는지 아닌지의 사실이 극(pole)들 및 또한 그것의 범위에 관하여 구조 방향의 상대적인 배향에 좌우된다. 고리모양 조명의 경우에 있어서, 이러한 경우에 회절 차수들이 보통 더 이상은 이격되지 않기 때문에, 제6 포뮬레이션은 일반적으로 채용되지 않는다. 따라서, 이러한 또는 몇몇의 다른 공동 면에 있어서, 서로 따로따로 개별적으로 고정되게 선택된 회절 차수의 영역내의 각각의 피치들 또는 구조 폭들에 의해 유발되는 파면의 위상 수차들을 교정할 수 있는 조종기를 제공할 수 있다. 이것은, 조종기가 이러한 목적을 위해 충분한 공간적 해상도를 가진 동공의 파면의 교정을 실행할 수 있다는 것을 전제로 한다. 엄밀히, 오브젝티브의 해상도 제한의 부근에 놓여 있는 피치들 또는 구조 폭들이 리소그래피 프로세스에 대해 가장 중대하기 때문에, 예컨대, 높은 집적 밀도를 요구하는 플래시 메모리의 제조에 있어서, 하위의 그리고, 특히 제2 내지 제5 회절 차수들의 무차수 간섭(aberration-free interference)이 결정적 중요성이다. 이것은 제6 포뮬레이션에 따른 방법에 의해 보장된다.
제4 포뮬레이션 내지 제6 포뮬레이션의 포뮬레이션들 중 하나에 따른 방법은, 또한, 파면 수차들에 관하여 검사되는 상이한 구조 방향들의 상이하 피치들 또는 구조 폭들 및 실행되는 웨이팅에 의해 조합된 방식으로 수행될 수 있다. 일반적인 접근법에 있어서, 본 방법은, 유한한 세트(set)의 둘씩 짝을 지어 상이한 m 피치들, 둘씩 짝을 지어 상이한 n 구조 폭들, l 상이한 구조 방향들에 대해서 수행된다. 이러한 경우에 있어서, 총 l(m+m) 파면 수차들이 결정되고
Figure 112012078828943-pct00008
인 αl, ..., αl(m+n) 웨이트들이 규정된다. 구조 방향이 순수하게 기하학적으로만 엄밀한 마스크 효과들에 영향을 미치기 때문에, l = 2는 일반적으로 충분한데, 그 이유는, H 및 V 이외의 구조 방향들의 효과들이 H 및 V의 구조 방향들의 효과로부터 분석적으로 도출될 수 있기 때문이다.
제7 포뮬레이션. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치로서,
- 조명 광으로 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들 또는 자유형태 조명을 제공하기 위한 조명 시스템,
- 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
- 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면들이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
- 상기 투영 노광 장치는 상기 조종기를 제어하기 위한 제어기를 포함하고,
- 상기 제어기는 조종기 편향들을 일련의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들에 할당하는 할당 표를 저장하기 위한 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.
제7 포뮬레이션에 따른 투영 노광 장치는 제1 포뮬레이션에 따른 마스크 또는 마스크들 중 한 종류에 순응될 수 있든지, 제2 포뮬레이션으로부터의 방법에 따라 작동될 수 있다. 제1 포뮬레이션에 따른 순응 또는 제2 포뮬레이션에 따른 작동은 마스크의 구조들 및 피치들에 대한 정보를 필요로 하기 때문에, 편향될 조종기 편향은 마찬가지로 그것에만 좌우된다. 따라서, 조종기 편향들에 대한 피치들 및 구조 폭들의 할당을 제어기의 메모리에 저장되는 할당 표(유의어: 룩업 테이블(lookup table))의 형태로 저장할 수 있다.
본 발명의 다음의 구성들은 SMWO로서 이해되어야 하며, 그것들은 간략화의 목적을 위해 연속적으로 더 번호가 부여된다.
제8 포뮬레이션. 제1 포뮬레이션, 제2 포뮬레이션, 제4 포뮬레이션 또는 제5 포뮬레이션 중 어느 하나의 포뮬레이션에 따른, 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키거나 작동시키기 위한 방법으로서,
- 조종기 편향에 더하여, 조명 설정에 있어서의 변경 또는 자유형태 조명에 있어서의 변경이 결정됨으로써, 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경 및 조종기 편향을 가진 조종기의 편향에 의해, 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들이 적어도 포뮬레이션 1에 따른 방법에서와 동일한 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제8 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 상이한 피치들에 의해 유발되는 파면 수차 및/또는 조종기의 도움으로만 감소되지 않는 상이한 구조 폭들은 물론 설정이 파면을 교정하기 위한 자유도로서 추가적으로 사용된다. 적어도 더 나쁘지 않은 그리고 많은 경우에 있어서 더 양호한 파면의 교정이 결과적으로 달성된다. 예로서, 쌍극자 설정의 경우에, 이것은, 동내의 회절 수차들의 더 양호한 분리가 극(pole)들의 폭의 협소화에 의해 달성된다는 사실에 의해 달성될 수 있다. 제5 포뮬레이션에 따른 방법은, 그러면, 선험적인 더 큰 피치들의 세트로부터 피치들에 대해 실행될 수 있다.
제9 포뮬레이션. 제7 포뮬레이션에 따른 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치로서,
- 상기 조명 시스템의 조종기에 의해 상기 조명 설정 또는 상기 자유형태 조명이 변경될 수 있고,
- 제2 조정기가 상기 제어기에 의해 제어될 수 있으며,
- 상기 제어기는 조명 설정들 또는 자유형태 조명들을 일련의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들에 할당하는 할당 표를 저장하기 위한 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.
제9 포뮬레이션에 따른 투영 노광 장치는, 제8 포뮬레이션에 따른 방법에 따라 작동될 수 있든지 마스크 또는 마스크들 중 한 종류에 순응될 수 있다. 제8 포뮬레이션에 따른 순응 또는 작동이 단지 마스크의 구조들 및 피치들에 대한 정보를 요구하기 때문에, 편향될 조종기 편향 및 설정될 자유형태 조명 또는 설정에서의 변경이 마찬가지로 그것에만 종속된다. 따라서, 설정 또는 자유형태 조명 및 조종기 편향들에 대한 피치들 및 구조 폭들의 할당을 제어기의 메모리에 저장되는 할당 표(유의어: 룩업 테이블)의 형태로 저장할 수 있다.
본 발명의 다음의 구성들은 SMPWO로 이해되어야 하고, 그것들은 간략화의 목적을 위해 연속적으로 더 번호가 부여되어 있다.
제10 포뮬레이션. 포뮬레이션들, 제1 포뮬레이션 또는 제2 포뮬레이션 중 어느 하나, 또는 포뮬레이션들, 제4 포뮬레이션 내지 제6 포뮬레이션 또는 제8 포뮬레이션 중 어느 하나에 따른, 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 방향들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키거나 작동시키기 위한 방법으로서,
- 조종기 편향 및 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경에 더하여, 조명광의 편광에서의 변경이 결정됨으로써, 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경과 조종기 편향을 가진 조종기의 편향 및 조명 광의 편광에서의 변경에 의해, 상이한 피치들 및/또는 상이한 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들이 적어도 포뮬레이션 8에 따른 방법에서와 동일한 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제10 포뮬레이션에 따른 방법에 의해, 상이한 피치들에 의해 유발되는 파면 수차 및/또는 조종기의 도움으로만 감소되지 않는 상이한 구조 폭들 및 설정 또는 자유형태 조명은 물론 조명 광의 편광이 파면을 교정하기 위한 자유도로서 추가적으로 사용된다. 적어도 더 나쁘지 않은 그리고 많은 경우에 있어서 더 양호한 파면의 교정이 결과적으로 달성된다.
제11 포뮬레이션. 전술한 포뮬레이션들 중 어느 하나의 포뮬레이션에 따른 방법으로서,
- 상기 오브젝티브가 파면 수차의 필드 종속(field dependence)을 교정하는 추가적인 조종기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
제12 포뮬레이션. 전술한 포뮬레이션들 중 어느 하나의 포뮬레이션에 따른 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치로서,
- 상기 오브젝티브는, 상기 오브젝티브의 동공 면에 위치되지 않는 추가적인 조종기를 포함하고,
- 상기 추가적인 조종기는 상기 제어기에 의해 제어될 수 있으며,
- 상기 제어기는 상기 추가적인 조종기에 대한 편향들을 일련의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들에 할당하는 할당 표를 저장하기 위한 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.
본 발명은 그 첨부 도면들이 있는 하기의 모범적인 실시예들을 기초로 설명된다.
도 1의 a), b), c)는 CRA > 0°의 경우에 마스크에서 엄밀한 효과들의 발생의 예시,
도 2의 a), b)는 편광 조명의 경우에 마스크에서 엄밀한 효과들의 발생의 예시,
도 3은 상이한 피치들을 가진 H 및 V 구조들에 대한 위상 오차들,
도 4는 상이한 구조 방향들에 걸친 총계의 파면 수차,
도 5a는 H 구조에 대한 V 구조의 최적의 초점의 변위,
도 5b는 파면의 보상이 없는 3 구조들에 대한 디포커스(defocus) 및 임계 치수의 관련의 예시,
도 5c는 파면의 보상이 있는 3 구조들에 대한 디포커스 및 임계 치수의 관련의 예시,
도 5d는 파면의 보상이 없는 그리고 파면의 보상이 있는 3 구조들에 대한 최적의 초점들의 위치,
도 5e는 투영 시스템 동공내의 파면을 보상,
도 5f는 파면을 보상하지 않는 그리고 파면을 보상하는 최적의 초점 위치들의 비교,
도 6a는 H 구조에 대한 V 구조의 초점의 변위로부터 초래되는 프로세스 윈도우 감소,
도 6b는 오브젝티브의 동공의 상이한 피치들의 회절 차수들의 위치,
도 6c는 상이한 피치들의 결과적인 상이한 프로세스 윈도우들,
도 6d는 오브젝티브의 동공에 있어서의 본 발명에 따른 파면 조종 후의 결과적인 상이한 피치들의 프로세스 윈도우들,
도 7은 조종기들을 가진 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 오브젝티브,
도 8은 편광에 추가적으로 영향을 미치는 조종기 및 설정에 추가적으로 영향을 미치는 조종기를 가진 투영 노광 장치,
도 9의 a) 및 b)는 CRA > 0°으로 인한 셰이딩 효과들의 불가피성 및 6°의 CRA용 EUV 오브젝티브의 설계의 예시.
도 1은 상기한 제2 종류의 투영 노광 장치에 대해 중대한 마스크에서의 엄밀한 효과들의 발생을 나타낸다.
도 1 a)는 0°보다 큰 CRA의 경우에 있어서 마스크에서의 엄밀한 효과의 발생을 나타낸다. 좌측의 예시(101)는 여기서 3차원적으로 예시된 마스크의 H 구조(104)의 경우에 조명 광의 입사를 나타낸다. H 구조는 조명광의 파장 λ = 13.5 nm에 대해 고도로 반사성이고 교번하는 Mo 및 Si 층들로 구성되는 캐리어(carrier)(103)상에 놓인다. 상기 캐리어의 표면에 직교하는 차원은, 크롬 Cr로 구성되는 H 구조들(104)의 두께가 대략 60 nm인 차원에 대응하는 z로 여기에서 지정된다. H 구조들은 x-방향에서보다 y-방향에서 더 큰 범위를 갖는다. 조명 광(105)의 광선이 방향 z에 관하여 각도 β > 0°에서, 예컨대, β > 6° 또는 β > 15°에서 마스크상에 충돌하면, 셰이딩 효과가 여기서 가로막힌 것으로 예시되는 반사되는 광선에 대해 발생한다. 이러한 효과는 우측 예시(102)로 예시되는 V 구조(106)의 경우에서는 발생하지 않는다.
구조의, 예컨대, 우측 예시에서의 V 구조(106)의 구조 폭은, 여기서 y-방향으로의 그 자신의 범위(107)이다. 피치는, 여기서 y-방향으로 108로서 예시되는, 2개의 V 구조들 사이의 거리이다.
도 1 b)는 필드 종속, 즉, 오브젝티브의 이미지 필드에 이미징될 구조들의 위치, 오브젝트 면(112)에 관하여 직각(111)에 대해 CRA > 0°의 경우에서의 H 구조들(113) 및 V 구조들(114)의 위치에 대한 종속을 나타낸다. 도 1 a)로부터의 예시에 대응하는, 방위각 φ = 0°에서만, 입사 조명 광(115)이 도 1 a)에 예시된 바와 같은 구조들을 만난다. 스캐닝 방향에 관하여 φ > 0°의 방위각에서는, 조명 광(115)이 2개의 각도 CRA 및 방위각 φ를 취한다. 도 1b에 있어서, 116은 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓인 마스크의 3차원 예시이다. 112는 단지 상기 오브젝트 면의 1차원을 나타낸다; 정밀하게는, 후자 112는 투영 노광 장치의 스캐닝 방향이다.
도 1 c)는 오브젝티브의 오브젝트 면내의 시점(point of view)으로부터 셰이딩 효과를 예시한다. 조명 광(121)은 스택 (122)상의 좌측으로부터 입사하고 후자에서 반사되며, 우측 구조(123)에서, 마찬가지로 순수하게 기하학적 성질(geometrical nature)이고 층 스택에 있어서 조명 광의 반사의 유효한 위치에 좌우되는, 셰이딩(124)이 발생한다는 것이 인식될 수 있다.
도 2 a)는 상기한 제1 종류의 투영 노광 장치에 대해 중대한 마스크의 엄밀한 효과들이 발생하는 것을 나타낸다. 입사 조명 광(131)은 마스크 캐리어(132)상에 배열된 Cr 구조들(133)에 의해 회절 차수들(134, 135)로 회절된다. 개별적인 편광 방향들 TE 및 TM은 구조 방향을 기초로 규정된다. 조명 광의 전계 벡터는, TE 편광의 경우에 구조 방향에 나란히 그리고 TM 편광의 경우에 구조 방향에 수직하게 진동한다. 키르히호프 근사(Kirchhoff approximation)에 대해, 영차(zeroth)의 회절 차수와 더 높은 차수의 회절 차수들 사이의 위상 차이는 영이거나 적어도 일정하다. 더 높은 회절 차수들이 각각의 경우에 영차의 회절 차수와 비교하여 개별적인 위상 차이를 갖는 경우에, 수차들이 발생한다. 따라서, 키르히호프 근사내에서는 마스크에 의해 유발되는 수차들이 없을 것으로 기대된다. 엄밀한 계산시에, TE 및 TM에 대해서 또한 상이할 수 있는, 더 높은 회절 차수들의 그러한 개별적인 위상 차이들이 발생한다. 예컨대, 스캐닝 방향에 관하여 직각으로, 동일한 조명 편광이 주어진 H 및 V 라인들이, 종종 TE를 그리고 종종 TM을 “만나기” 때문에, 이러한 위상 차이들이 상이하다. 그러한 편광은 H 라인들에 대해 TE-편광이고, V 라인들에 대해서 대응적으로 TM-편광이다. 따라서, 2 구조들이, 궁극적으로 비점 수차로서의 효과를 갖는, 상이한 초점 시프트(focus shift)들과 같은, 상이한 수차들을 유발한다.
도 2 b)는 도 2 a)로부터의 효과를 양적으로 예시한다. 2 그래프들에 있어서, 조명 광의 개별적인 회절 차수들이 가로 좌표상에 리스팅된다. 좌측 그래프에 있어서, 개별적인 회절 차수들의, 입사 진폭에 관한, 관련 진폭들이 세로 좌표상에 예시되어 있다. 편광되지 않은 광(도면에서 “키르히호프”로 지정됨), TE 편광과 TM 편광 사이에 차이가 확립되어 있지 않다. 우측 그래프는 TM 대 TE 위상 차이들을 나노미터로 예시한다. TE 및 TM 사이의 현저한 차이가 여기서는 인식될 수 있다. 2 그래프들의 결정된 값들은 2000 nm의 피치가 주어진 200 nm의 구조 폭에 대해 마스크상의 법선의 입사 방향을 가진 코히어런트(coherent) 조명에 대해 계산되었다.
도 3은, 상기한 제2 종류의 투영 노광 장치에서의 EUV 투영 노광 장치에 대해서, 도 1 b)에 예시된 바와 같은 H 및 V 구조들에 대한 제2 위상 오차들을 예시한다. 가로 좌표 σ는 -1과 1 사이에서 변화하고 오브젝티브의 입사동에서의 정규화된 동공 좌표를 표시한다. 세로 좌표는 0차 회절 차수 σ = 0에 관하여 위상 오차를 nm로 표시한다. 피치들 100 nm, 200 nm, 300 nm 및 500 nm이 비교된다. 100 nm의 최하위 피치에 대해서, 회절 차수들 -2, -1, 0, 1, 2만이 오브젝티브를 통과한다는 것이 즉시 인식될 수 있다. 파면의 위상은 그 방사 요소(radial component)의 관점에서 V 구조들에 대해서 우함수(even function)에 대응하며, 각각의 경우에 각각의 피치에 대해서 2개의 굴곡 포인트들을 갖는다. 작은 피치들에 대한 회절 차수들이 더 큰 피치들과 비교하여 동공의 더 외부쪽으로 놓이기 때문에, 거기의 굴곡의 포인트들이 또한 더 외부쪽으로 놓인다. 100 nm미만의 피치의 경우(여기서는 예시되지 않음)에, 회절 차수들 -1, 0, 1만이 오브젝티브를 통과하는 경우만이 발생할 수 있다. 그러한 피치의 파면의 위상은 그러면 더 이상은 전혀 어떠한 굴곡의 포인트도 갖지 않는다. 전체적으로, 파면의 위상 오차들은 제르니케 다항식들 Z4, Z3, ... 및 일반적으로 2차 방정식 i를 가진 Z1으로 확대될 수 있다. H 구조들의 위상 오차들은, 또한, V 구조들의 위상 오차들에 더하여, 틸팅, Z2, Z3 및 Z7, Z8 ... 과 같은 더 높은 차수의 항들을 또한 체험한다.
각각의 피치에 대하여, 파면의 위상은, 포뮬레이션들, 제1 포뮬레이션, 제2 포뮬레이션 또는 제3 포뮬레이션 내지 제6 포뮬레이션 중 임의의 포뮬레이션에 따른 조종기에 의해 교정될 수 있다. 이러한 경우에, 제6 포뮬레이션에서와 같은 상기 조종기가 오브젝티브의 동공 면에 놓여 있다면, 유리하다. 제4 포뮬레이션에 따른 복수의 피치들의 연속적인 가능성 있게 가중치가 부여된 교정의 경우에 있어서, 제6 포뮬레이션에 따른 공간적으로 분해하는 조종기는, 개별적인 피치들의 파면 오차들의 중첩으로부터 초래되는 파면이 그 자신의 방사 요소내의 선험적인 다수의 굴곡 포인트들을 갖기 때문에, 유리하다.
도 4에 있어서, 그것의 방위에 관하여 균일하게 배분된 것으로 가정되는 마스크의 복수의 구조들의 공통의 위상 오차가 중첩된다. 좌측의 예시에 있어서, 오브젝티브의 입사동내의 정규화된 동공 좌표의 중첩된 위상 오차가 예시되어 있다. 후자는 우측 예시의 제르니케 다항식들로 확대된다. 그것은, 그러한 복잡한 동공 프로파일(pupil profile)이 제6 포뮬레이션에 따른 공간적으로 분해하는 조종기에 의해 유리하게 교정될 수 있다는 것을 드러낸다.
상기 예시는 오브젝티브의 오브젝트 필드의 고정적으로 선택된 오브젝트 포인트에 적용되며, 유사한 예시들이 다른 오브젝트 포인트들에 대해서 도출될 수 있다. 따라서, 이러한 예시들이 이미징될 오브젝트 포인트에 위치 종속적인 것으로 이해되어야 한다. 다르게 말하면, 상이한 피치들에 의해 유발되는 파면 수차는 필드 프로파일을 가지며, 후자는 오브젝티브의 동공 면에 위치되지 않는 제12 포뮬레이션에 따른 제2 조종기에 의해 유리하게 교정된다.
앞서 이미 예시된 바와 같이, 초점에 영향을 미치는 항들은 상이한 피치들에 의해 유발되는 파면 수차에서 주로 발견된다. 이에 관하여, 모든 우함수에 있고 따라서 회전 가능한 대칭인 동공의 위상 오차에 대응하는 도 3에서의 제1 칼럼(column)으로부터의 위상 프로파일을 참조하라.
초점은 피치-종속적이라는 것만을 증명하지 않고, 이미징될 구조에도 종속적이라는 것을 증명한다.
도 5a는 200 nm의 폭을 갖는 격리된 구조의 이미징 및 편광 조명의 사용을 수반하는 H 구조에 관련된 최적의 초점 위치와 V 구조에 관련된 최적의 초점 위치의 비교를 나타낸다. 가로 좌표와 함께 세로 좌표는 마이크로미터로 주어져 있다. 가로 좌표의 원점은 V 구조의 이미지의 폭이 최대인 포인트이도록 규정된다. 점선 그래프는, 이미지 면이 디포커스될 경우에, V 구조의 이미지의 폭 증대를 예시한다. 연속적인 그래프는, 이미지 면이 디포커스되는 경우에, H 구조의 이미지의 폭 감소를 예시한다. H 구조의 이미지의 최대 폭은, V 구조의 이미지의 폭이 최대인 위치에 관하여 +60 nm의 디포커스에 위치된다. 이러한 2개의 최대에서, 점선 그래프의 그리고 연속적인 그래프의 도함수가 영이 되기 때문에, 이러한 2개의 최대는 각각 V 구조 및 H 구조를 이미징하는데 최적의 초점 위치들이다. 명백히, 이러한 2개의 최적 위치들은 60 nm만큼 상이하다.
도 5b 내지 도 5f는 상이한 구조들, 배향들, 피치 크기들에 의해 관련되는 최적의 위치들의 추가적인 예시를 주고 이러한 위치들간의 차이들을 감소시키기 위한 치수들을 나타낸다.
도 5b는 3개의 보쑹 곡선(Bossung curve), 즉, 3개의 주어진 구조들의 디포커스의 함수로서 라인 폭(임계 치수 CD)의 변화의 3개의 그래프 - 90nm의 피치 크기를 가진 45nm V 구조들, 그래프 45p90V, 350nm의 피치 크기를 가진 90nm V 구조들, 그래프 90p350V, 및 350nm의 피치 크기를 가진 90nm H 구조들, 그래프 90p350H - 를 나타낸다. 도 5b에 도시된 바와 같은 디포커스에 관한 임계 치수 ΔCD의 변화는 NA=1.35의 이미지측 개구수 및 193nm의 조명 광의 파장을 갖는 VUV 투영 광학소자에 대해 계산된다. 조명 설정은, 부분적인 코히어런스 인자 σ=0.2를 가진 y-편광 부분적 코히어런트 설정이며, 「알프레드 쿠옥-킷 웡(Alfred Kwok-Kit Wong)의 “Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography”, SPIE Press, Bellingham Washington, 2001 for technical details of illumination settings」를 참조하라. 3개의 구조들은 l00nm Cr-층 및 192nm의 에칭 깊이에 의해 주어진 그 자신의 불투명한 섹션들을 갖는 교호의 위상 시프트 마스크에 의해 주어진다. 시뮬레이트된 공상적 이미지의 레지스트 역치는, 45p90V 피치가 제 크기로 인쇄되도록, 즉, 결과적인 이미지가 영의 디포커스에서 45nm의 CD를 갖도록, 선택된다.
도 5a에서와 같이, 도 5b에서의 가로 좌표는 디포커스의 양이다. 도 5a와는 대조적으로, 디포커스는 마이크로미터 대신에 나노미터로 주어졌다. 세로 좌표는 영의 디포커스에서 선택된 3개의 구조들의 개개의 CD들의 임계 치수 CD의 편차 ΔCD를 나타낸다. CD는 정규화된 0nm의 값에 대하여 주어지고, 또한 디포커스는 정규화된 0nm의 초점 위치에 대하여 주어진다. 3개의 별표는 3 구조들의 개개의 최적의 초점 위치들을 표시한다. 3 위치들은 명백히 일치하지 않는다. 도 5d의 표의 상위 라인은 도 5b의 선택된 원점에 대한 이들 최적의 초점 위치들의 수치를 나타낸다. 그것들은 대략 74nm의 최소 간격내에 있다. 이러한 간격의 폭은, 리소그래피 프로세스의 불안정성의 치수로서 이해될 수 있다, 즉, 간격이 더 작을수록 초점 변화에 관해서 CD-변화가 더욱 안정적이다.
도 5f는 최적의 초점 위치들을 그래픽적으로 나타낸다.
그러한 3 타입의 구조들 45p90V, 90p350V, 및 90p350H가 동시에 이미징될 경우에, 하나가 마스크의 엄밀한 효과들에 대해 보상하기 위해 투영 광학소자의 파면을 수정할 수 있는데, 제1 종류의 투영 노광 장치의 상기한 논의를 참조하라. 도 5e의 위상 프로파일이 파면에 더해지는 경우에, 3 구조들의 최적의 초점들은 대략적으로 도 5c에 예시된 바와 같은 공통의 위치에 오고, 도 5d의 표의 제2 로우(row)에서 수량화된다. 명백히, 상기 74nm의 간격은 0.4nm로 감소하며, 그것은 3 구조들 모두가 그들의 최적의 초점 위치들에 이미징된다는 것을 의미한다. 도 5f는 도 5e의 파면의 적용 전 및 후의 3개의 최적의 초점 위치들을 그래픽적으로 나타낸다.
도 5e의 파면은 EP678768A2, EP 1670041A1, WO 2008037496A2, US 20030234918A1. US 20090257032A1, WO 2009026970A1, EP 851304A2, US 20030063268A1, 및 WO 2007062794A1에 기술되어 있는 바와 같은 하나 또는 복수의 조종기에 의해 생성될 수 있는 1.35의 동공 반경으로 정규화되는, 60nm Z5, 70nm Z9, 및 60nm Z12의 중첩으로 구성된다.
분명히, 부작용(side effect)으로서, 도 5e의 파면의 적용은 가상적 이미지에서의 현저한 CD 변경 - 하지만, 레티클 상의 라인 폭의 적절한 변경에 의해 보상될 수 있음 - 을 또한 이끈다.
도 6a는 EUV 투영 노광 장치의 2개의 프로세스 윈도우를 나타내며, 그 가로 좌표는 디포커싱(동의어: 초점 변화 FV)을 nm로 나타내고 그 세로 좌표는 강도 역치 IT를 예시한다. 프로세스 윈도우들은, V 구조들을 그것들의 폭, σ = 0.5의 조명 설정 및 32 nm의 구조 폭의 축척에 충실한 방식으로 이미징하는 레지스트 역치에 대해 나타내어져 있다. 마스크의 구조들은 80 nm의 두께를 갖는 층에 의해 생성된다. CRA는 6°의 각도를 갖고 오브젝트의 오브젝트측 개구수는 NA = 0.3이다. 상측 윈도우는 64 nm의 피치에 대한 프로세스 윈도우를 나타내고, 하측 윈도우는 150 nm의 피치에 대한 프로세스 윈도우를 나타낸다. 그것은, H 대 V 구조들의 상대적인 디포커싱이 주로 150 nm의 피치에서 발생하고 프로세스 윈도우의 변위를 이끌지만, 64 nm의 피치에 대한 프로세스 윈도우는 영향을 받지 않거나 그것에 의해 약간만 영향을 받는다는 것을 드러낸다. 상기한 2개의 프로세스 윈도우들의 교차점에 대응하는 H 및 V 구조들에 대한 공통의 프로세스 윈도우는 그에 의해 감소된다. 상기한 포뮬레이션들, 포뮬레이션 1 대 포뮬레이션 6 중 임의의 포뮬레이션에 따른 조종기의 설정의 결과로서, 프로세스 윈도우가 반드시 증대되지는 않을지라도, 이미징될 피치의 파면 수차를 교정하기 위한 조종기의 편향은 최고로 중대하게 궁극적으로 제조될 집적 회로의 제조에 있어서 보다 적은 불합격품을 초래한다. 제6, 제8 또는 제10 포뮬레이션에 따른 방법들의 경우에 있어서, H 및 V 구조들의 파면 수차가 서로 독립적으로 교정될 수 있기 때문에, 프로세스 윈도우가 한층 증대될 수 있다. 집적 회로의 제조 및 웨이퍼의 노광 동안에, 고정된 레지스트 역치는 웨이퍼의 포토레지스트의 사용에 의해 이미 사전에 규정되어 있다. 프로세스 윈도우들은 그러면, 그것들의 세로 좌표에 관하여, 더 이상 강도 역치 IT에 의해 규정되지 않고, 오히려 제조 프로세스에서 여전히 설정될 수 있는 도스(dose) D에 의 의해 규정된다. 하지만, 상기 도스가 고정적으로 선택된 레지스트에 대해 강도 역치 IT에 반비례하기 때문에, 이러한 경우에 있어서 또한 프로세스 윈도우가 도 6a에 예시된 것과 동일한 형태를 갖고 상기 예시된 것과 동일한 문제가 발생한다.
도 6b는 EUV 투영 노광 장치의 오브젝티브의 동공을 나타낸다. 동공 좌표들의 가로 좌표 및 세로 좌표는, 오브젝티브의 오브젝트측 개구수에 대응하는 값 0.32에서 각각의 경우에 그것들의 최대값들을 취한다. 동공내에 놓여 있는 더 작은 원들은 동공을 통과하는 회절 차수들을 나타낸다. 그것들의 직경은 0.3의 σ 설정에 대응한다. 20 nm의 범위를 갖는 주기적인 V 구조는 오브젝티브에 의해 이미징된다. 좌측 예시에 있어서, 주기는 40 nm의 피치 p40에 대응하고; 중간의 예시에 있어서, 주기는 60 nm의 피치 p60에 대응하며; 우측의 예시에 있어서, 주기는 80 nm의 피치 p80에 대응한다. 40 nm의 피치의 경우에 있어서, 즉, 좌측 예시의 경우에 있어서, 0차 회절 차수 및 -1차 및 +l차 회절 차수들 중 일부만이 동공을 통과한다는 것이 즉시 인식될 수 있다. 그것들 사이의 거리는 대략 0.12에 대응한다. 따라서, 6차 회절 차수로부터의 δ는, 동공 직경의 대략적으로 6분의 1이라고 할 수 있는, 0.12에 대략적으로 대응한다. 피치의 범위가 증대되는 경우에, 추가적인 회절 차수들이 동공을 통과할 수 있지만, 그것들 사이의 거리는, 예컨대, 우측 예시에서와 같이, 60 nm의 피치의 경우에 회절 차수들이 오버랩(overlap)하고 따라서 δ = 0이 참일 때까지 감소한다.
도 6c는 도 6b에 대한 3개의 피치들의 경우에 (이미 논의된) 엄밀한 효과로부터 초래되는 개개의 디포커싱들을 나타낸다. 이것들은, 6°의 CRA의 경우에 50 nm의 구조 층의 두께로부터 초래되고, 개별적인 회절 차수들을 상이한 범위들로 영향을 미친다. 따라서, 상이한 디포커싱들이 상이한 피치들에 대해서 발생한다. -6 nm 디포커스가 40 nm 피치에 대해 발생하고, -21 nm 디포커스가 60 nm 피치에 대해 발생하며, -35 nm 디포커스가 80 nm 피치에 대해 발생한다. 이러한 값들은, 0 nm의 디포커스에 대응하고, 마스크에 의해 유발되는 파면 수차들이 없는 오브젝티브의 초점의 위치가 대응하는 참조에 관한 것이다. 70 nm의 최적의 초점 심도 DOF는 -21 nm의 디포커싱의 경우에 이러한 3 피치들에 대해 달성된다. 설정될 수 있는 최적의 강도 역치 IT는 0.218이고, 결과적인 공통의 프로세스는 0.002 마이크로미터의 영역을 갖는다.
도 6d는 오브젝티브의 동공 면에 놓여 있는 오브젝티브의 광학 요소에 작용하는 조종기에 의한 파면의 위상의 본 발명에 따른 조종 후의 프로세스 윈도우를 나타낸다. 도 6b 및 6c로부터의 3 피치들의 회절 차수들이 뿔뿔이 흩어지지 않기 때문에, 제6 포뮬레이션에 따른 방법은, δ > 0이 피치들 40 nm 및 60 nm의 회절 차수들에 대해 참일지라도, 여기서는 채용될 수 없다. 따라서, 개개의 피치들은 이미징될 접적 회로에 대한 그것들의 중요성에 따라 평가되거나, 이러한 3 피치들에 대한 공통의 프로세스 윈도우가 최대화된다. 이것은 도 6d에서의 경우이다. 오브젝티브의 동공 면에 놓여 있는 오브젝티브의 광학 요소에 작용하는, 그리고 제르니케 다향식 Z9의 -0.7 nm를 가진 파장의 위상을 조종하는 상기한 조정기들 중 하나의 사용이 이루어지면, 개별적인 피치들이 서로에 대해 더 이상은 가상적으로 디포커스되지 않는다. 강도 역치 IT에서의 0.219로의 약간의 증가는, 72 nm로 증가하는 초점 심도 DOF의 경우에 0.003μ의 영역을 갖는 공통의 프로세스 윈도우를 초래한다.
도 7은 오브젝트 필드(701)를 이미지 필드(702)상으로 이미징하기 위한 제1 종류의 투영 노광 장치(700)를 나타낸다. 투영 장치(700)는 오브젝티브(710)를 포함한다. 예를 들어, 오브젝티브에 의해 이미지 면(702)으로 이미징되는, 오브젝트 필드에 놓여 있는 2개의 필드 포인트들(703 및 704)이 예시된다. 오브젝티브는 렌즈들(711), 미러들(712) 및 평판들(713)과 같은 광학 요소들을 포함한다. 조종기(721)는, 조종기가 렌즈를 변위, 굽힘, 가열 및/또는 냉각할 수 있는, 렌즈들 중 하나에 작용한다. 제2 조종기(722)는 동일한 방식으로 미러(712)에 작용하고, 조제3 조종기(723)는 평판(713)을 비구면화된 추가적인 평판(여기서는 예시되지 않음)으로 교환하는 역할을 하거나, 고정적으로 설치된 평판(713)을 국소적으로 가열하는 역할을 한다. 렌즈(711), 미러(712)에, 또는 가열식으로 평판(713)에 작용하는 조종기는 제5 포뮬레이션의 의의내에서 공간적으로 분해하고 있고, 렌즈 또는 미러 또는 평판은 오브젝티브(710)의 동공 면내에 개별적으로 놓인다. 예컨대, 마찬가지로 상기한 타입들 중 하나이고 여기서는 예시되지 않은, 오브젝티브의 추가적인 조종기는 오브젝티브의 추가적인 광학 요소를 조종한다. 이것은 오브젝티브의 동공 면내에 놓이지 않는다. 사전에 규정된 이미지측 개구수의 경우에, 최대의 광 빔들이 2개의 필드 포인트들(703 및 704)로부터 나오는 애퍼쳐(aperture)에 의해 제한된다. 상기 빔들 중 최외측 광선들이 여기서 점선식으로 예시되어 있다. 파면의 범위를 정하는 이러한 최외측 광선들은 필드 포인트들(703 및 704)과 개별적으로 관련된다. 본 발명의 예시의 목적을 위해, 이러한 파면들이 구면으로 가정된다. 파면 센서 및/또는 추가적인 센서들 및/또는 예측 모델은, 오브젝티브를 통과한 후의 파면들 또는 이미지 수차들에 대한 정보를 제공하는 결정 유닛(770)을 형성한다. 상기 추가적인 센서들은, 예컨대, 공압 센서들, 오브젝티브의 온도를 측정하기 위한 센서들 또는 렌즈들의 또는 미러들의 후측의 온도를 측정하는 센서들이다. 조종기들(721, 722, 723)은 제어기(730)에 의해 제어되고, 그것들은, 예컨대, 투영 노광 장치의 광학 요소들의 가열에 의해 일어나고 결정 유닛에 의해 결정되는 것과 같은 파면 수차들을 중화시킨다. 제어기(730)는, 조종기들(721, 722, 723) 중 적어도 하나의 조종기에 대한 조종기 편향들을 일련의 상이한 피치들 및/또는 구조 폭들에 할당하는, 제7 포뮬레이션에 따른 할당 표를 저장하기 위한, 제7 포뮬레이션에 따른 메모리(740)를 갖는다. 투영 노광 장치가 마스크와 조화되는 경우에, 집적 회로의 펑션(function)에 대해 중대한 피치들이 결정되고 조종기들(721, 722, 723) 중 적어도 하나의 조종기가 상기 피치에 의해 유발되는 파면 수차들을 보상하기 위해 할당 표에 따라 편향된다. 상기 피치에 의해 유발되는 파면 수차들의 필드 프로파일들은 추가적인 조종기에 의해 보상된다.
도 8은 투영 노광 장치(801)를 나타낸다. 투영 노광 장치를 통하는 조명 광의 진로가 화살표에 의해 개략적으로 예시된다. 조명 시스템(803)은 마스크(802)를 조명한다. 조명 시스템(803)에 있어서, 조명 설정 또는 자유형태 조명은 조명 시스템(812)의 조종기에 의해 설정될 수 있다. 쌍극자, 4극자 또는 고리 모양 설정들을 설정하는 회절 광학 요소(diffractive optical element; “DOE”)들, 또는 다수의 미러 어레이로서 실시되고 자유형태 조명을 설정하는 공간적 광 변조기(spatial light modulator; “SLM”)가 조종기들로서 사용된다. 또한, 조명 광의 편광이 조명 시스템의 추가적인 조종기(813)에 의해 또한 설정될 수 있다. 제어기(811)에 있어서, 제8 포뮬레이션에 따른 방법에 따라서, 조종기 편향, 설정 또는 자유형태 조명과 함께 마스크의 구조 폭들 또는 피치들에 따라, 제10 포뮬레이션에 따라, 조명 광의 편광이 또한 조종된다.
도 9 a)는 EUV 투영 노광 장치를 나타낸다. 조명 시스템(901), 마스크(902) 및 오브젝티브(903)의 기하학적인 배열이 CRA > 0°를 필요로 한다는 것이 인식될 수 있다.
종래 기술로부터 취해지고 EUV 투영 노광 장치의 오브젝티브(903)를 나타내는 도 9 b)에 있어서, 6°의 주 광선 각도 CRA가 사용되고, 주 광선 CR은 904로 지정된다.

Claims (12)

  1. 상이한 구조 방향들에 있어서, 상이한 피치(pitch)들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치(pitch)들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크(mask)에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응(adapt)시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브(objective)로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면(object plane)에 놓여 있는 상기 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면(image plane)에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징(imaging)하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향(manipulator deflection)들을 갖는 조종기(manipulator) - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면(wavefront)이 조종(manipulate)될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정(define)하고,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩(superpose)시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차(wavefront aberration)들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1의 구조 방향이 규정되고,
    - 상기 제1 구조 방향의 상이한 피치들 중 2개의 상이한 피치들 P1 및 P2 또는 상이한 구조 폭들 중 2개의 상이한 구조 폭들 S1 및 S2가 규정되며,
    - 상기 상이한 피치들 P1 및 P2 또는 상기 상이한 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 결정되며,
    - 피치 P1 또는 구조 폭 S1의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
    - 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 상이한 경우에, 피치 P2 또는 구조 폭 S2의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2가 결정되고, P2에 대한 P1 피치들의 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 상대 웨이팅(weighting) α ∈[0,1]이 규정되며, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되고,
    - 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  2. 상이한 구조 방향들에 있어서, 상이한 피치(pitch)들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치(pitch)들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크(mask)에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응(adapt)시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브(objective)로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면(object plane)에 놓여 있는 상기 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면(image plane)에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징(imaging)하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향(manipulator deflection)들을 갖는 조종기(manipulator) - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면(wavefront)이 조종(manipulate)될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정(define)하고,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩(superpose)시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차(wavefront aberration)들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1 구조 방향이 규정되고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중, 상기 제1 구조 방향과는 상이한, 제2 구조 방향이 규정되며,
    - 상기 마스크의 상기 제1 구조 방향에서 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에서 발생하는 피치 또는 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차들이 결정되며,
    - 상기 제1 구조 방향의 구조 폭의 또는 피치의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이한 경우에, 상기 제2 구조 방향의 피치 또는 구조 폭의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2가 결정되며, 상기 구조 방향들의 상대 웨이팅 α∈[0,1]이 규정되고, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되며,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치의 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  3. 상이한 구조 방향들에 있어서, 상이한 피치(pitch)들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치(pitch)들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크(mask)에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응(adapt)시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 상기 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브(objective)로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면(object plane)에 놓여 있는 상기 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면(image plane)에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징(imaging)하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향(manipulator deflection)들을 갖는 조종기(manipulator) - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면(wavefront)이 조종(manipulate)될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정(define)하고,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩(superpose)시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차(wavefront aberration)들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 조종기는 상기 오브젝트의 동공 면(pupil plane)에 배열되고,
    - 상기 조종기는, δ∈[0,0.5]에 대해서 동공 직경의 δ배까지 공간적으로 분해되는 방식으로 상기 파면의 위상(phase)에 영향을 미칠 수 있으며,
    - 상기 피치들 중 제1 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제1 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수가 규정되며,
    - 상기 피치들 중 제2 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제2 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 규정되어,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 상기 동공 직경의 적어도 δ배만큼 서로 이격되며,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차들 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차들이 결정되고,
    - 그 n차 회절 차수의 위치에서 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차(phase error)를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제1 조종기 편향 M1이 결정되며,
    - 그 m차 회절 차수의 위치에서 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제2 조종기 편향 M2가 결정되고,
    - 값 M1 + M2 만큼의 상기 조종기의 편향을 특징으로 하는, 방법.
  4. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 작동시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크를 제공하고,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정하며,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1의 구조 방향이 규정되고,
    - 상기 제1 구조 방향의 상이한 피치들 중 2개의 상이한 피치들 P1 및 P2 또는 상이한 구조 폭들 중 2개의 상이한 구조 폭들 S1 및 S2가 규정되며,
    - 상기 상이한 피치들 P1 및 P2 또는 상기 상이한 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 결정되며,
    - 피치 P1 또는 구조 폭 S1의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
    - 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 상이한 경우에, 피치 P2 또는 구조 폭 S2의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2가 결정되고, P2에 대한 P1 피치들의 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 상대 웨이팅(weighting) α ∈[0,1]이 규정되며, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되고,
    - 피치들 P1 및 P2 또는 구조 폭들 S1 및 S2의 파면 수차가 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  5. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 작동시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크를 제공하고,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정하며,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중 제1 구조 방향이 규정되고,
    - 상기 마스크의 구조 방향들 중, 상기 제1 구조 방향과는 상이한, 제2 구조 방향이 규정되며,
    - 상기 마스크의 상기 제1 구조 방향에서 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에서 발생하는 피치 또는 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 또한 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차들이 결정되며,
    - 상기 제1 구조 방향의 구조 폭의 또는 피치의 파면 수차를 감소시키는 제1 조종기 편향 M1이 결정되고,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이한 경우에, 상기 제2 구조 방향의 피치 또는 구조 폭의 파면 수차를 감소시키는 제2 조종기 편향 M2가 결정되며, 상기 구조 방향들의 상대 웨이팅 α∈[0,1]이 규정되고, 상기 조종기가 값 αM1 + (1 - α)M2 만큼 편향되며,
    - 상기 제1 구조 방향에 대한 그리고 상기 제2 구조 방향에 대한 피치의 또는 구조 폭의 파면 수차가 상이하지 않은 경우에, 상기 조종기가 값 M1 만큼 편향되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  6. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 작동시키기 위한 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는,
    - 조명 광으로 마스크를 조명하기 위한 그리고 상이한 조명 설정들을 생성하기 위한 조명 시스템,
    - 오브젝티브로서, 상기 오브젝티브의 오브젝트 면에 놓여 있는 마스크를 상기 오브젝티브의 이미지 면에 놓여 있는 웨이퍼상으로 이미징하기 위한 오브젝티브를 포함하고,
    - 상기 오브젝티브는 상이한 조종기 편향들을 갖는 조종기 - 이것에 의해 상기 오브젝티브의 이미징의 파면이 조종될 수 있음 - 를 포함하며,
    상기 방법은,
    - 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크를 제공하고,
    - 상기 마스크의 상이한 구조 방향들에 있어서 상기 마스크의 복수의 상이한 피치들 또는 구조 폭들, 또는 피치들 및 구조 폭들을 규정하며,
    - 상기 조명 시스템의 조명 설정 또는 자유형태 조명을 설정하며,
    - 상기 조종기 편향들 중 제1 편향을 결정하고,
    - 상기 조종기 편향들 중 제2 편향을 결정하며,
    - 상기 조종기를 상기 제1 편향 및 상기 제2 편향으로 편향시키고, 그리고
    - 상기 조종기의 제1 편향을 상기 제2 편향으로 중첩시키며,
    상기 조종기 편향들은, 규정된 피치들 또는 규정된 구조 폭들, 또는 규정된 피치들 및 규정된 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들, 및 조명될 상기 마스크의 구조들과는 본질적으로 무관한 파면 수차들을 감소시키고,
    - 상기 조종기는 상기 오브젝트의 동공 면(pupil plane)에 배열되고,
    - 상기 조종기는, δ∈[0,0.5]에 대해서 동공 직경의 δ배까지 공간적으로 분해되는 방식으로 상기 파면의 위상(phase)에 영향을 미칠 수 있으며,
    - 상기 피치들 중 제1 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제1 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수가 규정되며,
    - 상기 피치들 중 제2 피치 또는 상기 구조 폭들 중 제2 구조 폭이 규정되고,
    - 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 규정되어,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 n차 회절 차수 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 m차 회절 차수가 상기 동공 직경의 적어도 δ배만큼 서로 이격되며,
    - 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차들 및 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차들이 결정되고,
    - 그 n차 회절 차수의 위치에서 상기 제1 피치의 또는 상기 제1 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차(phase error)를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제1 조종기 편향 M1이 결정되며,
    - 그 m차 회절 차수의 위치에서 상기 제2 피치의 또는 상기 제2 구조 폭의 파면 수차의 위상 오차를 감소시키고, 상기 동공의 다른 위치들에서 파면의 위상을 불변으로 남겨두는, 제2 조종기 편향 M2가 결정되고,
    - 값 M1 + M2 만큼의 상기 조종기의 편향을 특징으로 하는, 방법.
  7. 삭제
  8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 기재된, 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키거나 작동시키기 위한 방법으로서,
    - 조종기 편향에 더하여, 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경이 결정됨으로써, 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경 및 조종기 편향을 가진 조종기의 편향에 의해, 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들이 적어도 청구항 1에 기재된 방법에서와 동일한 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  9. 삭제
  10. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 기재된, 상이한 구조 방향들에 있어서 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들을 갖는 구조들을 가진 마스크에 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 순응시키거나 작동시키기 위한 방법으로서,
    - 조종기 편향 및 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경에 더하여, 조명광의 편광에서의 변경이 결정됨으로써, 조명 설정에서의 변경 또는 자유형태 조명에서의 변경과 조종기 편향을 가진 조종기의 편향 및 조명 광의 편광에서의 변경에 의해, 상이한 피치들 또는 상이한 구조 폭들, 또는 상이한 피치들 및 상이한 구조 폭들에 기인하는 파면 수차들이 적어도 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 기재된 방법에서와 동일한 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    - 상기 오브젝티브가 파면 수차의 필드 종속(field dependence)을 교정하는 추가적인 조종기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  12. 삭제
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