JP5768124B2 - マスクによって生じる結像収差の補正を用いて投影露光装置を作動させる方法 - Google Patents
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Description
−照明光でマスクを照明し、異なる照明設定を生成するための照明系と、
−対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
−対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、マニピュレータを用いて対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクに適応させる方法であって、
−マスクの異なる構造方向にマスクの複数の異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
−照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
−定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
−マニピュレータを決定されたマニピュレータ偏位に偏位させる段階と、
を特徴とする方法。
−照明光でマスクを照明し、異なる照明設定を生成するための照明系と、
−対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
−対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、マニピュレータを用いて対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を作動させる方法であって、
−異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクを準備する段階と、
−マスクの異なる構造方向にマスクの複数の異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
−照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
−定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
−マニピュレータを決定されたマニピュレータ偏位に偏位させる段階と、
を特徴とする方法。
−照明光でマスクを照明し、異なる照明設定を生成するための照明系と、
−対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
−対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、マニピュレータを用いて対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクに適応させる方法であって、
−マスクを準備する段階と、
−照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
−マスクによって生じた波面収差を決定する段階と、
−決定された波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
−マニピュレータを決定されたマニピュレータ偏位に偏位させる段階と、
を特徴とする方法。
第1の考案又は第2の考案による方法であって、
−マスクの構造方向のうちの第1のものが定義され、
−第1の構造方向の異なるピッチのうちの2つの異なるピッチP1及びP2又は異なる構造幅のうちの2つの異なる構造幅S1及びS2が定義され、
−異なるピッチP1及びP2又は異なる構造幅S1及びS2の波面収差が決定され、
−ピッチP1又は構造幅S1の波面収差を低減する第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
−ピッチP1の波面収差とピッチP2の波面収差又は構造幅S1の波面収差と構造幅S2の波面収差とがそれぞれ異なる場合に、ピッチP2又は構造幅S2の波面収差を低減する第2のマニピュレータ偏位M2が決定され、P2に対するピッチP1の相対重み付けα∈[0,1]、又は構造幅S1とS2との相対重み付けα∈[0,1]が定義され、マニピュレータは、値αM1+(1−α)M2だけ偏位され、
−ピッチP1の波面収差とピッチP2の波面収差又は構造幅S1の波面収差と構造幅S2の波面収差とがそれぞれ異ならない場合には、マニピュレータは、値M1だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。
第1の考案又は第2の考案による方法であって、
−マスクの構造方向のうちの第1のものが定義され、
−マスクの構造方向のうちの第1のものとは異なる第2のものが定義され、
−マスクの第1、及び第2の構造方向に存在するピッチ又は構造幅が定義され、
−第1の構造方向、及び第2の構造方向におけるピッチ又は構造幅の波面収差が決定され、
−第1の構造方向のピッチ又は構造幅の波面収差を低減する第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
−第1の構造方向におけるピッチ又は構造幅の波面収差と第2の構造方向におけるピッチ又は構造幅の波面収差とが異なる場合に、第2の構造方向のピッチ又は構造幅の波面収差を低減する第2のマニピュレータ偏位M2が決定され、構造方向の相対重み付けα∈[0,1]が定義され、マニピュレータは、値αM1+(1−α)M2だけ偏位され、
−第1の構造方向におけるピッチ又は構造幅の波面収差と第2の構造方向におけるピッチ又は構造幅の波面収差とが異ならない場合に、マニピュレータは、値M1だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。
第1の考案又は第2の考案による方法であって、
−マニピュレータが、対物系の瞳平面に配置され、
−マニピュレータが、δ∈[0,0.5]において瞳直径のδ倍まで空間分解方式で波面の位相に影響を及ぼすことができ、
−ピッチの第1のもの又は構造幅の第1のものが決定され、
−第1のピッチ又は第1の構造幅のn次の回折次数が決定され、
−ピッチの第2のもの又は構造幅の第2のものが決定され、
−第2のピッチ又は第2の構造幅のm次の回折次数が決定され、
−それにより、第1のピッチ又は第1の構造幅のn次の回折次数及び第2のピッチ又は第2の構造幅のm次の回折次数が、瞳直径の少なくともδ倍だけ互いから離間し、
−第1のピッチ又は第1の構造幅の波面収差及び第2のピッチ又は第2の構造幅の波面収差が決定され、
−第1のピッチ又は第1の構造幅のn次の回折次数の場所における第1のピッチ又は第1の構造幅の波面収差の位相誤差を低減し、瞳の他の場所において波面の位相を不変量に留める第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
−第2のピッチ又は第2の構造幅のm次の回折次数の場所における第2のピッチ又は第2の構造幅の波面収差の位相誤差を低減し、瞳の他の場所において波面の位相を不変量に留める第2のマニピュレータ偏位M2が決定されることと、
−マニピュレータの値M1+M2分の偏位と、
を特徴とする方法。
構造方向は、精密マスク効果に対して純粋に幾何学的にしか影響を及ぼさず、H及びV以外の構造方向の効果は、H及びVのものから解析的に導出することができるので、一般的にl=2で十分である。
−照明光でマスクを照明し、異なる照明系又は自由形状照明を可能にするための照明系と、
−対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
−対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、マニピュレータを用いて対物系の結像の波面を操作することができ、
−投影露光装置は、マニピュレータを制御するためのコントローラを含み、
−コントローラは、マニピュレータ偏位を1組の異なるピッチ及び/又は構造幅に割り当てる割り当てテーブルを格納するためのメモリを含む、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィのための投影露光装置。
異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクにマイクロリソグラフィのための投影露光装置を適応させるか又は投影露光装置を作動させる、第1の考案、第2の考案、第4の考案、又は第5の考案のいずれかによる方法であって、
−マニピュレータ偏位に加えて、照明設定の変化又は自由形状照明の変化が決定され、照明設定の変化又は自由形状照明の変化及びこのマニピュレータ偏位を用いたマニピュレータの偏位により、異なるピッチ及び/又は異なる構造幅によって生じる波面収差が、少なくとも考案1による方法におけるものと同じ程度まで低減される、
ことを特徴とする方法。
−照明設定又は自由形状照明を変更することができる照明系のマニピュレータと、
−第2のマニピュレータが、コントローラによって制御可能であることと、
−コントローラが、照明設定又は自由形状照明を1組の異なるピッチ及び/又は構造幅に割り当てる割り当てテーブルを格納するためのメモリを含むことと、
を特徴とする投影露光装置。
異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクにマイクロリソグラフィのための投影露光装置を適応させるか又は投影露光装置を作動させる、第1の考案又は第2の考案のいずれか、又は第4の考案から第6の考案のいずれか、又は第8の考案による方法であって、
−マニピュレータ偏位及び照明設定の変化又は自由形状照明の変化に加えて、照明光の偏光の変化が決定され、照明設定の変化又は自由形状照明の変化及びこのマニピュレータ偏位を用いたマニピュレータの偏位、並びに照明光の偏光の変化により、異なるピッチ及び/又は異なる構造幅によって生じる波面収差が、少なくとも考案8による方法におけるものと同じ程度まで低減される、
ことを特徴とする方法。
上述の考案のうちのいずれかによる方法であって、
−対物系が、波面収差の視野依存性を補正する更に別のマニピュレータを含む、
ことを特徴とする方法。
上述の考案のうちのいずれかによるマイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
−対物系が、対物系の瞳平面に位置しない更に別のマニピュレータを含み、
−更に別のマニピュレータは、コントローラによって制御することができ、
−コントローラは、更に別のマニピュレータに対する偏位を1組の異なるピッチ及び/又は構造幅に割り当てる割り当てテーブルを格納するためのメモリを含む、
ことを特徴とする投影露光装置。
Claims (8)
- 照明光でマスクを照明し、かつ異なる照明設定を生成するための照明系と、
対物系の物体平面に置かれた前記マスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
前記対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、その手段によって該対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクに適応させる方法であって、
マスクの異なる構造方向に該マスクの複数の異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅とは独立の波面収差に加えて、前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
決定された前記マニピュレータ偏位にしたがってマニピュレータを偏位させる段階と、
を含み、
前記マスクの前記構造方向のうちの第1のものが定義され、
前記マスクの前記構造方向のうちの前記第1のものとは異なる第2のものが定義され、 前記マスクの前記第1及び同じく前記第2の構造方向に存在するピッチ又は構造幅が定義され、
前記第1の構造方向及び同じく前記第2の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差が決定され、
前記第1の構造方向の前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差を低減する第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
前記第1の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差と前記第2の構造方向に対するものが異なる場合には、該第2の構造方向の該ピッチ又は該構造幅の該波面収差を低減する第2のマニピュレータ偏位M2が決定され、該構造方向の相対重み付けα∈[0,1]が定義され、前記マニピュレータは、値αM1+(1−α)M2だけ偏位され、
前記第1の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差と前記第2の構造方向に対するものが異ならない場合には、前記マニピュレータは、値M1だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。 - 照明光でマスクを照明し、かつ異なる照明設定を生成するための照明系と、
対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
前記対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、その手段によって該対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を作動させる方法であって、
異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクを準備する段階と、
前記マスクの前記異なる構造方向に該マスクの複数の前記異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅とは独立の波面収差に加えて、前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
決定された前記マニピュレータ偏位にしたがってマニピュレータを偏位させる段階と、 を含み、
前記マスクの前記構造方向のうちの第1のものが定義され、
前記マスクの前記構造方向のうちの前記第1のものとは異なる第2のものが定義され、 前記マスクの前記第1及び同じく前記第2の構造方向に存在するピッチ又は構造幅が定義され、
前記第1の構造方向及び同じく前記第2の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差が決定され、
前記第1の構造方向の前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差を低減する第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
前記第1の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差と前記第2の構造方向に対するものが異なる場合には、該第2の構造方向の該ピッチ又は該構造幅の該波面収差を低減する第2のマニピュレータ偏位M2が決定され、該構造方向の相対重み付けα∈[0,1]が定義され、前記マニピュレータは、値αM1+(1−α)M2だけ偏位され、
前記第1の構造方向に対する前記ピッチ又は前記構造幅の前記波面収差と前記第2の構造方向に対するものが異ならない場合には、前記マニピュレータは、値M1だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。 - 照明光でマスクを照明し、かつ異なる照明設定を生成するための照明系と、
対物系の物体平面に置かれた前記マスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
前記対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、その手段によって該対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクに適応させる方法であって、
マスクの異なる構造方向に該マスクの複数の異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅とは独立の波面収差に加えて、前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
決定された前記マニピュレータ偏位にしたがってマニピュレータを偏位させる段階と、 を含み、
前記マニピュレータが、前記対物系の瞳平面に配置され、
前記マニピュレータが、δ∈[0,0.5]に対して瞳直径のδ倍まで空間分解方式で前記波面の位相に影響を及ぼすことができ、
前記ピッチの第1のもの又は前記構造幅の第1のものが定義され、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅のn次の回折次数が定義され、
前記ピッチの第2のもの又は前記構造幅の第2のものが定義され、
前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅のm次の回折次数が定義され、
それにより、前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記n次の回折次数及び前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記m次の回折次数が、前記瞳直径の少なくともδ倍だけ互いから離間し、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記波面収差及び前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記波面収差が決定され、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記波面収差のそのn次の回折次数の場所での位相誤差を低減し、かつ前記瞳の他の場所での前記波面の前記位相を不変量に留める第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記波面収差のそのm次の回折次数の場所での位相誤差を低減し、かつ前記瞳の他の場所での前記波面の前記位相を不変量に留める第2のマニピュレータ偏位M2が決定されることと、
前記マニピュレータは、値M1+M2だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。 - 照明光でマスクを照明し、かつ異なる照明設定を生成するための照明系と、
対物系の物体平面に置かれたマスクを対物系の像平面に置かれたウェーハ上に結像するための対物系と、
を含み、
前記対物系が、異なるマニピュレータ偏位を有するマニピュレータを含み、その手段によって該対物系の結像の波面を操作することができる、
マイクロリソグラフィのための投影露光装置を作動させる方法であって、
異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクを準備する段階と、
前記マスクの前記異なる構造方向に該マスクの複数の前記異なるピッチ及び/又は構造幅を定義する段階と、
照明系内で照明設定又は自由形状照明を設定する段階と、
前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅とは独立の波面収差に加えて、前記定義されたピッチ及び/又は定義された構造幅によって生じる波面収差を低減するマニピュレータ偏位のうちの1つを決定する段階と、
決定された前記マニピュレータ偏位にしたがってマニピュレータを偏位させる段階と、 を含み、
前記マニピュレータが、前記対物系の瞳平面に配置され、
前記マニピュレータが、δ∈[0,0.5]に対して瞳直径のδ倍まで空間分解方式で前記波面の位相に影響を及ぼすことができ、
前記ピッチの第1のもの又は前記構造幅の第1のものが定義され、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅のn次の回折次数が定義され、
前記ピッチの第2のもの又は前記構造幅の第2のものが定義され、
前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅のm次の回折次数が定義され、
それにより、前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記n次の回折次数及び前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記m次の回折次数が、前記瞳直径の少なくともδ倍だけ互いから離間し、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記波面収差及び前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記波面収差が決定され、
前記第1のピッチ又は前記第1の構造幅の前記波面収差のそのn次の回折次数の場所での位相誤差を低減し、かつ前記瞳の他の場所での前記波面の前記位相を不変量に留める第1のマニピュレータ偏位M1が決定され、
前記第2のピッチ又は前記第2の構造幅の前記波面収差のそのm次の回折次数の場所での位相誤差を低減し、かつ前記瞳の他の場所での前記波面の前記位相を不変量に留める第2のマニピュレータ偏位M2が決定されることと、
前記マニピュレータは、値M1+M2だけ偏位される、
ことを特徴とする方法。 - 異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクにマイクロリソグラフィのための投影露光装置を適応させるか又はそれに対して作動させる、請求項1又は請求項2に記載の方法であって、
照明設定の変化又は自由形状照明の変化及びマニピュレータ偏位によるマニピュレータの偏位により、異なるピッチ及び/又は異なる構造幅によって生じる波面収差が低減されるように、該マニピュレータ偏位に加えて該照明設定の該変化又は該自由形状照明の該変化が決定される、
ことを特徴とする方法。 - 異なる構造方向に異なるピッチ及び/又は異なる構造幅を有する構造を有するマスクにマイクロリソグラフィのための投影露光装置を適応させるか又はそれに対して作動させる請求項1又は請求項2に記載の方法であって、
照明設定の変化又は自由形状照明の変化及びマニピュレータ偏位によるマニピュレータの偏位及び照明光の偏光の変化により、異なるピッチ及び/又は異なる構造幅によって生じる波面収差が低減されるように、該マニピュレータ偏位及び該照明設定の該変化又は該自由形状照明の該変化に加えて該照明光の該偏光の該変化が決定される、
ことを特徴とする方法。 - 前記対物系は、前記波面収差の視野依存性を補正する更に別のマニピュレータを含む、 ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記対物系は、該対物系の瞳平面に位置付けられない更に別のマニピュレータを含み、 前記更に別のマニピュレータは、前記コントローラによって制御可能であり、
前記コントローラは、前記更に別のマニピュレータに対する偏位を1組の異なるピッチ及び/又は構造幅に割り当てる割り当てテーブルを格納するためのメモリを含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィのための投影露光装置。
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