KR101485632B1 - Ｅｕｖ 리소그래피 장치 및 광학 요소 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 EUV 리소그래피 장치 내의 조명 위치에서 마스크를 조명하기 위한 조명 장치, 및 마스크에 제공된 구조를 감광성 기판상에 투영하기 위한 투영 장치를 포함한다. EUV 리소그래피 장치는 EUV 리소그래피 장치 내의 처리 위치에서 바람직하게는 국부적 해상 방식으로 광학 요소(6a), 특히 마스크를 처리하기 위한 처리 장치(15)를 갖는다. 가스 유동(27)의 적어도 하나의 가스 성분을 활성화하기 위해, 처리 장치(15)는 방사를 생성하기 위한 방사 소스, 입자 비임, 특히 전자 비임(30a) 발생을 위한 입자 발생기(30), 및/또는 고주파 발생기를 포함한다.

Description

ＥＵＶ 리소그래피 장치 및 광학 요소 처리 방법{EUV LITHOGRAPHY DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING AN OPTICAL ELEMENT}
본 발명은 EUV 리소그래피 장치 내의 조명 위치에서 마스크를 조명하기 위한 조명 장치 및 마스크에 제공된 구조를 감광성 기판상에 결상하기 위한 투영 장치를 포함하는 EUV 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 광학 요소 처리 방법에 관한 것이다.
EUV 리소그래피 장치/투영 노광 시스템에서, 노광 공정 동안 사용되는 통상적으로 5 nm와 20 nm 사이의 파장에서 충분히 큰 투과성을 갖는 광학 재료가 알려져 있지 않기 때문에, 반사성 요소, 특히 거울이 광학 요소로서 통상적으로 사용된다. 오염 입자나 가스에 의해 다중층 거울의 사용수명이 제한되기 때문에, 거울은 이러한 투영 노광 시스템과 함께 진공에서 운영될 필요가 있다. EUV 리소그래피 장치에 사용되는 마스크(레티클로도 알려짐)는 다중층 거울과 유사한 구조를 갖는데, 다시 말해서 이 마스크도 EUV 파장 범위의 방사를 반사하도록 구성되는 다중층 코팅을 갖는다.
이러한 다중층 코팅은 고굴절률과 저굴절률을 갖는 재료의 교호층, 예컨대 몰리브덴과 규소의 교호층을 일반적으로 포함하며, 이 층의 두께는 코팅이 그 광학적 기능을 충족시키고 높은 수준의 반사율이 보장되도록 상호 대응한다. 이는 아래 층을 예컨대 산화로부터 보호하며 예컨대 루테늄, 로듐, 팔라듐 등을 포함할 수 있는 캡층이 다중층 시스템에 통상적으로 적용된다. EUV 리소그래피용 마스크는 섀도 마스크 형태일 수 있는데, 다시 말해서 캡층 구조의 상부에 이러한 마스크가 존재하여 노광 방사를 반사하지 않는다. 이 구조는 예컨대 크롬 또는 다른 금속을 포함할 수 있다. 대안적으로, 마스크는 위상 마스크(phase mask) 형태일 수도 있다. 이 경우, 다중층 코팅의 최상층 및/또는 캡층은 적절하게 맞추어진 층 두께를 가질 수 있거나 또는 위상 마스크 상에 예컨대 규소, 몰리브덴 또는 루테늄을 포함하는 부가적인 층이 제공될 수 있다.
EUV 리소그래피 장치에 존재하는 모든 유형의 원자, 분자 및 화합물, 특히 탄화수소류는 반사성 광학 요소(마스크를 포함)의 표면에 도달하고 그 위치에서 결합될 특정한 확률을 갖는다. 노광 공정 동안 존재하는 EUV 방사 및 이로 인해 생성되는 광전자, 특히 2차 전자는 이러한 원자, 분자 또는 화합물이 광학 표면과 반응하여 그 위에 적층될 수 있고, 그 결과 거울의 손상 및 이와 관련된 반사율 손실의 증가를 야기하는 위험을 통상적으로 내포한다. 마스크에서, 결상될 구조가 불순물로 덮여서 그 형상이 변화하거나 또는 위상 마스크의 경우 위상 위치가 변화하는 문제가 추가적으로 발생한다. 마스크의 전 표면을 세정함으로써 이러한 불순물을 제거하려고 시도하는 경우, 크롬 구조의 바람직하지 않은 결함 또는 위상 시프팅 구조가 또한 생성될 수 있다. 오염된 마스크, 또는 몇몇 다른 방식으로 손상된 마스크의 구조가 결상될 때, 이러한 결함은 감광성 기판상의 구조(웨이퍼상의 감광성 레지스트의 층)의 상(image)에 직접 전달된다. 최악의 경우, 이렇게 노광된 전체 웨이퍼는 사용할 수 없고 폐기되어야 한다.
본 출원인의 US 2007/0132989 A1은 시험 시스템의 투영 노광 시스템의 구성을 개시하며, 이 시스템의 광학 요소의 광학 표면 전체 또는 표면의 서브영역을 확대된 스케일로 결상하도록 구성되고, 광학 요소는 진공에서 배치될 수도 있다. 이 시험 시스템은, 특히 표면으로 공급되는 세정 가스, 플라즈마 세정 등에 의해 시험된 광학 표면으로부터 오염을 제거하기 위한 장치도 더 포함할 수 있다.
US 6,829,035 B2는 반도체 소자 제조장치를 개시하는데, 이 장치는 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 결상하는 리소그래피 스테이션을 갖는다. 리소그래피 스테이션으로부터 마스크를 수용하고, 마스크로부터 오염물질을 세정한 다음, 세정된 마스크를 리소그래피 스테이션으로 되돌려보기내 위하여, 마스크 세정 스테이션이 추가로 제공된다. 이 예에서, 마스크는 리소그래피 스테이션과 마스크 세정 스테이션 사이에서 로봇에 의해 전후로 이동될 수 있다. 세정 스테이션은 국부적 해상 방식(locally resolved manner)으로 마스크를 처리하기 위하여 레이저를 포함할 수 있다. 추가로, 표면상으로 (물) 증기와 혼합된 처리 가스를 지향시키는 것도 가능하다. 표면상에 응축되어 액체를 형성하는 증기는 표면을 타격하는 레이저 방사에 의해 폭발적으로(explosive manner) 기화됨으로써, 마스크로부터 오염 입자가 탈착된다. 탈착된 입자는 표면에 재차 고정되는 것이 방지되도록, 하나 이상의 가스 배출구 덕트에 의해 표면으로부터 제거된다.
본 출원인의 PCT/EP2007/009593은 마이크로리소그래피용 EUV 리소그래피 시스템에 배치되는 광학 요소의 표면으로부터 오염층을 제거하기 위한 방법을 개시한다. 이 방법이 실시되는 동안, 특히 수소 원자를 포함하는 세정 가스의 스트림은 표면으로 지향된다. 동시에, 오염층의 두께가 체크되고, 가스 스트림은 측정된 두께에 따라 표면에 대하여 이동된다. 이 방식으로, 수소 원자와 같은 세정 가스에 의한 세정은 광학 요소의 표면을 세정 가스에 의해 손상시키지 않으면서 이루어질 수 있다.
광학 요소의 세정이 인 시튜(in situ)로, 즉 투영 노광 시스템으로부터 분해되지 않은 상태에서 실시될 수 있지만, 마스크와 웨이퍼는 검사 및/또는 수리(repair)를 위하여 리스그래피 시스템으로부터 통상적으로 제거되고, 이를 위해 제공된 별도의 검사 및/또는 처리 장치로 공급된다. 이 장치는 예컨대 대상(object)의 검사 또는 결상과 처리를 동시에 실시하도록 구성되는 전자 마이크로스코피 시스템(electron microscopy system)을 개시하는 US 6,855,938과 같이 구성될 수 있는데, 즉 전자 마이크로스코피 시스템에 부가하여 이온 비임 처리 시스템도 제공된다.
US 2003/0051739 A1은 EUV 반사성 광학 요소의 표면에서 탄소 오염을 세정하기 위해 가스를 공급 및 활성화하는 발생기(generator)를 개시한다. 제공된 가스는 저 에너지 전자에 의해 여기 또는 활성화된 후, 세정될 표면으로 지향된다.
본 발명의 목적은, EUV 리소그래피 장치 및 특히 국부적인 오염의 제거 및 해당되는 결함의 교정을 신속하고 효과적으로 할 수 있는, 광학 요소, 특히 마스크를 처리하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 도입부에 언급된 유형이며 EUV 리소그래피 장치 내의 처리 위치에서 바람직하게는 국부적 해상 방식으로 광학 요소, 특히 마스크를 처리하기 위한 처리 장치를 갖는 EUV 리소그래피 장치에 의해 달성된다. 이 처리 장치는 광학 요소의 표면으로의 바람직하게는 가스 스트림의 국부적 공급 및 가스 스트림의 적어도 하나의 가스 성분의 활성화를 위한 가스 노즐을 갖는 가스 공급 장치, 방사를 생성하기 위한 방사 소스, 입자 비임, 특히 전자 비임 발생을 위한 입자 발생기, 및/또는 고주파 발생기를 포함한다.
본 발명자들은 세정 가스, 예컨대 수소 원자의 광범위한 도입이 EUV 리소그래피 장치의 광학 요소를 세정하는데 바람직하지 않은데, 그 이유는 이러한 경우 EUV 리소그래피 장치의 진공 환경의 영역이 절대적으로 필요한 것보다 더 많이 세정 가스와 통상적으로 접촉함으로써 세정되도록 의도되지 않은 진공 환경의 광학 표면상의 재료의 열화를 야기할 수 있기 때문이라는 것을 인지하였다. 세정 생성물 또는 세정 가스의 바람직하지 않은 반응 생성물이 EUV 리소그래피 장치에 분산되어 2차 오염을 개시할 가능성도 있다. 이는, 예컨대 소위 "수소 유발 기체방출(outgassing)" (HIO) 효과로서, 특히 주석 또는 아연 및 황과 같은 금속의 휘발성 수소화물이 수소 원자를 이용한 세정에 의해 생성되어 EUV 리소그래피 장치에 분산되고 광학 요소의 표면상에 (금속) 적층물로서 바람직하지 않게 적층되는 경우이며, 이로 인해 리소그래피 장치의 투과(transmission)에 상당한 손실을 초래할 수 있다.
이 예에서, 광학 요소에 대한 가스 스트림의 공급은 표면의 작은 서브영역으로 제한되는 것이 바람직하다. 이러한 공급은 예컨대 모든 내용이 본 명세서에 참조로 포함되어 있는 WO 03/071578 A2에서와 같이 구성될 수 있다. 가스 공급부는 표면에 인접한 위치로 이동될 수 있는 하나 이상의 가스 노즐을 갖는다. 가스 노즐은 방사 및/또는 입자, 특히 전자 비임을 광학 요소로 공급하기 위한 장치가 배열될 수 있는 중심부 주위에 예컨대 링과 같은 방식으로 배치될 수도 있는 것으로 이해될 것이다.
가스 노즐(들)로 인해, 처리될 광학 요소의 표면으로의 가스 스트림의 국부화된 적용이 초래될 수 있으며, 이는 특히 UV, DUV 또는 가시 범위 내의 방사에 의해, 입자 비임, 바람직하게는 전자 비임에 의해, 및/또는 고주파 여기에 의해, 가스 스트림의 적어도 하나의 가스 성분을 활성화할 수 있다. 이 예에서, 가스 스트림은 세정될 광학 요소의 영역에서 활성화될 수 있으며, 가스 스트림은 가스 노즐, 특히 세정될 표면으로부터 약간 이격된 가스 노즐로부터 방출될 수 있다. 따라서, 매우 국부적으로 선택된 처리 공정이 가능하다.
방사는 예컨대 처리될 광학 요소의 서브영역으로 집속될 수 있는 고강도 레이저 방사일 수 있다. 따라서, 예컨대 기화(vaporising)에 의해 위상 마스크의 최상층을 제거하거나 또는 표면상에 적층된 오염물을 높은 수준의 정확도로 제거하는 것이 가능하다. 물론, 레이저 방사는 마스크의 표면으로 공급된 가스를 활성화시키는 것에도 사용될 수 있다. 이를 위하여, 예컨대 펨토초(femtosecond) 레이저가 방사 소스로 사용될 수 있다.
입자 발생기를 이용하여, 특히 이온 또는 전자와 같은 대전 입자를 표면의 협소하게 규정된 부분 영역에 집속할 수 있으며, 이러한 대전 입자는 표면을 처리하는데 직접적으로 사용되고 마스크의 표면에서 가스를 국부적으로 활성화하는데 사용될 수 있다. 결과적으로, 특히 1nm 까지의 국부적 해상도로 교정을 실시할 수 있다.
일 실시예에서, 처리 장치는 광학 요소에 공급된 가스 스트림을 복귀시키기 위한 가스 복귀 장치를 포함하며, 가스 복귀 장치는 가스 노즐의 가스 출구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 스크린을 갖는다. 처리 공정 동안 적어도 부분적으로 소비되는 가스는 가스 복귀 장치에 의해 표면으로부터 탈착된 임의의 오염물과 함께 이송(펌핑)됨으로써, 오염물은 처리 장치에 의해 EUV 리소그래피 장치의 진공 환경으로 도입될 수 없거나 아니면 매우 낮은 수준으로만 도입된다. 가스 노즐이 표면으로부터 예컨대 약 0.1mm와 약 5mm 사이, 특히 약 0.1mm와 약 3mm 사이의 작은 작동 간격을 갖도록 처리 공정을 위한 차폐물과 함께 배치되거나 유도되는 경우, 가스 스트림의 정체는 EUV 리소그래피 장치의 다른 부분으로부터 가스 노즐을 스크린하는 외부 스크린(차폐물)에 의해 달성된다. 작동 간격은 오염을 억제하기 위해 가능한 작게 선택되어야 하며, 이 간격은 예컨대 대략 10㎛ 이하일 수도 있지만, 이렇게 작은 작동 간격을 달성하는 것은 기술적으로 어려움이 있을 수 있음을 이해할 것이다. 이 예에서, 가스 노즐의 출구 개구는 특히 고리형 방식으로 스크린에 의해 둘러싸이며, 광학 요소의 표면은 가스 스트림에 대한 지향면으로 작용한다.
개선점으로서, 가스 노즐의 가스 출구는 광학 요소를 대면하는 스크린의 단부와 같은 높이로 끝나거나 스크린의 단부에 대하여 오목하게 된다. 일반적으로, 가스 노즐의 중심 축선은 처리 공정 동안 세정될 표면에 대하여 수직으로 배향된다. 가능한 많은 가스 스트림의 부분의 복귀를 허용하기 위하여, 가스 출구(노즐 팁)는 스크린을 넘어 연장해서는 안 된다. 가스 스트림에 직접 노출되는 표면의 서브영역을 조정할 수 있기 위하여, 스크린의 단부와 가스 출구 사이의 간격은 노즐에서 조정될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
다른 실시예에서, 처리 장치는 방사 또는 입자 비임을 확장, 집속 및/또는 재지향하기 위한 광학 유닛을 포함한다. 예컨대 레이저에 의해 생성되는 전자기 방사는 종래의 렌즈 또는 거울에 의해 재지향, 확장 또는 집속될 수 있다. 입자 비임이 대전 입자의 비임, 예컨대 전자 비임인 경우, 이 비임은 전기장 및/또는 자기장을 생성하는 종래의 (전자 또는 이온) 광학 유닛에 의해 재지향될 수도 있다. 처리 작업, 특히 가스 스트림의 세정 작업은 방사 또는 입자 비임의 충격지점 주위에 집중되기 때문에, 확장/집속이 방사 또는 입자 비임의 충격지점의 크기를 조절하는데 유리하다.
또 다른 실시예에서, 방사 및/또는 입자 비임을 위한 비임 트랩은 가스 공급 장치에 배치된다. 이 경우, 가스 스트림은 가스 노즐의 가스 출구를 통과하기 전에 방사 또는 입자 비임에 의해 활성화되고, 입자 비임 또는 방사는 표면을 타격하지 않는다. 이는 표면에서의 열 생성이 작게 유지되도록 의도되는 경우에 유리하다. 가스 방출 전 가스의 활성화는 특히 고주파(HF) 발생기를 이용한 고주파 여기에 의해 실시될 수도 있다.
특히 유리한 개선점으로서, 광학 유닛은 비임 트랩 또는 가스 노즐의 가스 출구 상으로, 나아가 광학 표면상으로 방사 또는 입자 비임을 선택적으로 지향하도록 구성된다. 이 경우, 가스 스트림의 활성화는 가스가 가스 노즐로부터 방출되기 전 또는 - 적어도 부분적으로 - 가스 노즐로부터 가스 스트림이 방출된 후 광학 요소에 근접할 때 가스 공급 장치에서 선택적으로 실시될 수 있다. 적절한 활성화 위치의 선택은 예컨대 가스의 종류 또는 세정될 표면의 재료에 따라 결정될 수 있다. 가스 스트림의 가스 성분으로서, 활성화에 의해 여기 전자 상태로 대전되는 예컨대 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 수소 분자(H2) 또는 질소 분자(N2)가 사용될 수 있다(CO*, CO2 *, H2 *, N2 *). 수소 원자로 전환되도록 수소 분자를 활성화시키는 것도 가능하다.
개선점으로서, 활성화된 가스를 가스 출구로 안내하기 위한 코팅은 가스 공급 장치에 배치되며, 코팅의 재료는 염화칼륨(KCl), 실리카(SiO2) 및 규소(Si)로 이루어진 그룹에서 선택되는 것이 바람직하다. 가스 종의 활성화부와 가스 출구 사이의 가스 공급 장치의 경로는 활성화된 가스 종이 비활성화될 수 없거나 가스 공급 장치의 내벽에서 극소량만 비활성화될 수 있도록 코팅되어야 한다. 예컨대, 수소 분자가 반응성 수소 원자로 전환된 후, 가스 공급 덕트 또는 가스 공급 장치의 내벽에서 수소 분자를 형성하는 재조합(recombination)은 방지되도록 의도된다. 이는 예컨대 반응성 가스가 수소 원자인 경우 실리카, 염화칼륨 또는 규소와 같은 재료를 코팅하는 경우에 사용되는 가스 종과 잘 반응하지 않는 적절한 코팅을 제공함으로써 실시될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 가스 공급 장치에는 이온 필터가 제공된다. 이온 부분은 일반적으로 기체 스트림에 존재하지만, 사용되는 에너지의 비교적 낮은 레벨로 인하여(세정될 표면상에서 이온의 집속 및/또는 가속을 동반한 분배로 인하여), 표면의 러프닝(roughening)을 유발할 수 있는 이온 스퍼터 효과가 일반적으로 발생하지 않는다. 그러나 표면에 대한 손상을 신뢰성 있게 방지하기 위하여, 예컨대 적절하게 배향된 전기장 및/또는 자기장 형태의 이온 필터가 가스 공급 장치에 제공될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 가스 공급 장치는 세정 가스, 특히 활성화된 수소, 에칭 가스 및/또는 적층 가스를 광학 요소로 공급하도록 구성된다. 세정 가스의 공급은 광학 요소의 표면으로부터 오염, 특히 탄소 오염을 제거하는 역할을 한다. 또한 다른 반응 가스들, 특히 활성화된 수소는 광학 요소의 표면으로부터 특히 탄소 오염을 제거하는데 특히 적절한 것으로 밝혀졌다. 본원에 따르면, 활성화된 수소라는 용어는 분자 형태가 아닌 수소, 즉 특히 수소 라디칼(H·), 수소 이온(H+ 또는 H2 +) 또는 여기된 전자 상태의 수소(H*)로 이해되어야 한다. 활성화된 수소를 생성하기 위하여, 수소 분자는 예컨대 가열 요소, 특히 예컨대 2000℃로 가열되는 가열 와이어를 따라 안내될 수 있다. 그러나 표면에서 열의 생성을 줄이기 위해, 수소 분자의 활성화는 입자 비임, 특히 전자 비임 또는 이온 비임에 의해, (레이저) 방사 및/또는 고주파 여기에 의해 실시되는 것이 유리하다.
세정 이후의 단계에서, 필요한 경우 에칭 가스 또는 적층 가스를 공급하여 결함을 교정하는 것이 가능하다. 이를 위하여, 광학 요소, 특히 마스크의 표면은 국부적으로 에칭 처리될 수 있으며, 에칭 가스, 예컨대 불화제논(XeF2), 염소(Cl2), 브롬(Br2) 또는 요오드(I2)와 같은 할로겐화합물이 표면으로 제공되며, 그 위치에서 상기 에칭 가스는 광학 요소로서 작용하는 마스크의 표면의 재료, 예컨대 크롬과 화학적으로 반응하거나, 또는 캡 층의 재료와 화학적으로 반응하기 위해 전자 충격 및/또는 방사에 의해 활성화된다. 이러한 에칭 공정의 더욱 상세한 설명을 위하여 US 2004/0033425 A1을 참조하며, 상기 문헌의 모든 내용은 본 명세서에 참조로 포함되어 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 표면에 재료를 적층하는 것도 가능하며, 특히 기상 유기금속 화합물을 포함하는 적층 가스가 표면에 가까이 도입된다. 전자 또는 광자로 조사(irradiation)함으로써, 적층 가스가 활성화되고, 표면에 적층될 수 있는 금속 원자 또는 약한 휘발성 화합물을 형성함으로써, 표면으로부터 떨어져나온 구조를 부분적으로 대체하거나 새로운 구조를 형성할 수 있다.
일 실시예에서, EUV 리소그래피 장치는 처리 위치에 배치된 광학 요소에 대하여 처리 장치를 이동시키기 위한 이동 장치를 포함한다. 이 예에서, 광학 요소의 표면을 스캐닝하도록 처리 장치를 구성하고, 처리 장치에 적절한 변위 장치를 제공하는 것이 가능하다. 대안적으로 또는 추가적으로, 특히 마스크가 광학 요소로서 처리될 때, 표면의 스캐닝 처리를 허용하기 위하여 처리 위치에서 상기 요소 자체가 변위될 수 있다. 그러나 인 시튜로 처리를 허용하기 위하여, 처리 위치는 노광 공정 동안 광학 요소가 배치되는 위치에 대응할 수도 있다. 대안적으로, 광학 요소는 노광 공정 동안 배치되는 상기 위치로부터 처리 위치로 이송 장치에 의해 이동될 수도 있는데, 이는 특히 마스크가 처리될 때 유리한 것으로 밝혀졌다.
또 다른 실시예에서, EUV 리소그래피 장치는 조명 위치로부터 처리 위치로 마스크를 이동하기 위한 이송 장치를 포함한다. 본 발명자들은 마스크의 처리 공정 및 교정 복잡성이, 예컨대 193nm에서의 종래의 리소그래피에 비하여 EUV 리소그래피에서 더욱 빈번하게 예상됨으로써 EUV 처리 스테이션의 마스크의 결함에 대한 교정 기능의 집중(integration)이 시간의 관점에서 매우 큰 장점으로 연결된다는 것을 인지하였다. 이 경우, 민감성 마스크는 로딩 및 언로딩된 이송 박스에 의해 공간적으로 상이한 개별 시스템들 사이에서 이송될 필요가 없는데, 이송을 위해서는 진공이 중단되어야 하며 진공의 중단은 마스크의 추가적인 오염을 유발할 수 있다. 마스크는 본 발명에 따른 처리 동안 처리 스테이션 및 통합 교정 기능을 갖는 투영 노출 시스템 밖으로 나올 필요가 없기 때문에, 취급되는 마스크로 인한 손상 또는 입자로 인한 오염의 위험도 결과적으로 줄어든다.
마스크가 조명 위치로부터 처리 위치로 이송될 때, EUV 리소그래피 장치의 진공이 차단되지 않음으로써 추가적인 오염의 위험을 방지될 수 있다. 마스크가 처리 위치로부터 조명 위치로(그리고 역으로) 이송될 때, 재구성을 실시할 필요가 없도록, 즉 EUV 리소그래피 장치의 좌표계에 대한 마스크의 좌표계의 새로운 배향이 없도록 이송 장치를 구성함으로써, 노출 공정 또는 처리 공정이 직접적으로 실시될 수 있도록 하는 것도 가능하다.
이 예에서, 마스크의 수리(repair)는 예컨대 처리 장치에 의해 실시될 수 있으며, 진폭 마스크(amplitude mask)의 경우는 구조화된 금속층이 교정되거나, 또는 위상 마스크의 경우에는 위상 시프트(phase shift)가 더 이상 올바르지 않다면 마스크의 최상층이 완전히 제거되고 재적용된다. 이 예에서, 교정될 마스크 상의 구조물은 폭이 20nm 미만일 수 있으며, 약 0.1nm의 위치 정확도로 처리되어야 할 것이다. 따라서, 마스크의 정확한 위치설정 및 교정 공정의 모니터링은 처리 공정을 위해 필수적이다. 이를 위하여, 처리 장치는 예컨대 조작(manipulation) 및 모니터링을 위해 입자 비임, 특히 집속된 입자 비임(전자, 이온 등)과 함께 구성될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 처리 위치에서 마스크의 세정을 실시하는 것도 가능하며, 예컨대 탄소 또는 탄화수소 또는 다른 오염 물질, 특히 입자는 세정 가스, 특히 활성화된 (원자) 수소에 의해 마스크 표면으로부터 제거된다. 특히, 입자는 웨이퍼 상에 결상되기 때문에, 마스크에 특히 중요하다. 입자의 크기는 수 나노미터와 수 마이크로미터 사이일 수 있으며, 입자의 제거를 위하여 입자는 국부적으로 제거될 수 있기 전에 마스크 상에서 먼저 발견되어야만 한다.
유리한 실시예에서, 마스크를 이동시키기 위해, 이송 장치는 마스크를 지지하는(holding) 레티클 척을 조명 위치로부터 처리 위치로(그리고 역으로) 이동시키도록 구성된다. 이 경우, 마스크는 이송 동안 레티클 척에 유지될 수 있는데, 다시 말하면 레티클 척에 대하여 마스크를 재배향할 필요가 없다. 이송 장치가 예컨대 제어된 축 형태일 수 있는 적절한 레티클 척 이동 및/또는 회전 장치를 갖는다면, EUV 리소그래피 장치에 대한 레티클 척의 위치설정 및 EUV 리소그래피 장치에 대한 마스크의 좌표계의 이에 따른 배향은, 이 예의 경우 이송 움직임(movement)의 각 지점에서 규정된 방식으로 유발될 수 있다.
일 실시예에서, 이송 장치는 다른 마스크를 지지하는 다른 레티클 척을 처리 위치로부터 조명 위치로 이동시키도록 구성된다. 이 방식에서, 한 마스크가 검사/처리되는 동안 다른 마스크의 노광 공정이 계속됨으로써, 노광은 마스크의 이송 또는 대체 동안에만 짧게 중단되어야 한다.
유리한 실시예에서, EUV 리소그래피 장치는 바람직하게는 국부적 해상 방식으로 광학 요소, 특히 마스크 검사를 위한 적어도 하나의 검사 장치를 더 포함한다. 광학 요소의 상태는 이러한 검사 장치에 의해 결정될 수 있는데, 특히 마스크의 구조의 결함 및/또는 입자 또는 마스크에 축적된 오염층의 분포 또는 두께를 검출하는 것이 가능하다. 검사 장치는 조명 위치, 처리 위치 및/또는 검사 위치에 배치될 수 있으며, 검사 위치는 EUV 리소그래피 장치에서 구체적으로 상기 목적을 위해서 제공되며 마스크는 검사 위치로 이송될 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 검사 장치는 바람직하게는 지향 방식으로 광학 요소에 대한 방사를 투과하기 위한 측정 광원, 및 광학 요소 상에서 특히 국부적으로 산란 및/또는 반사되는 방사를 검출하기 위한 검출 장치를 갖는다. 광학 요소는 산란광 측정법에 의해 검사될 수 있는데, 예컨대 측정 방사는 일정 각도로 광학 요소상에 투과되고 광학 요소상에 산란된 방사는 다수의 각도로 측정된다. 입사각 이외에 방사의 편광(polarisation) 상태 및 편광도를 변화시키는 것도 유리할 수 있다. 이를 위하여, 노광 동안 예컨대 광학 요소, 특히 마스크의 정상 스캐닝 공정 동안 산란 스펙트럼이 측정된다. 결과적으로, 노광 동안, 즉 마스크의 공정 동안, 수 마이크로미터의 정확도의 해상도로, 마스크상의 변화, 예컨대 부착성 입자로 인하여 산란 스펙트럼이 마스크상의 특정 위치에서 갑자기 변화하는지 여부를 관찰하는 것이 가능하다. 측정의 결과는 예컨대 입자 또는 결함과 같은 불순물 또는 오염을 국부적 해상 방식으로 검출할 수 있기 위하여, 그리고 상세한 검사 및 교정의 처리를 개시하기 위하여 사용될 수 있는데, 이로 인해 특히 처리 장치로 오염물 또는 입자가 위치했던 마스크 상의 위치에서만 접근하는 것이 가능하다. 대안적으로 또는 추가적으로, 광학 요소에서 반사된 측정 방사, 예컨대 본 출원의 내용에 참조로 포함되어 있는 US 2004/0227102 A1에 개시된 바와 같이, 입사각 및 반사각에 대응하는 측정 방사의 일부의 측정이 실시될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 검사 장치는 처리 장치에 통합되거나 또는 조명 위치에서 마스크를 검사하도록 구성됨으로써, 검사와 처리 또는 검사와 노광이 각각 동시에 실시될 수 있다. 처리 공정의 통상적인 처리와 검사 또는 모니터링은 특히 처리 장치가 전자현미경, 특히 주사전자현미경(SEM)형태일 때 가능하다. 이 경우, 마스크는 전자현미경의 대상 평면(object plane)에 배치되며, 마스크의 표면은 전자 비임에 의해 스캐닝되고, 이 경우 표면의 마스크에서 생성된 2차 전자가 검출되어 상을 형성한다. 측정 및 처리 필드(field)는 수십 ㎛의 크기를 가질 수 있고, 전자 비임에 의해 스캐닝될 수 있다. 동시에, (1차) 전자 비임은 표면을 조작하는데도 사용될 수 있거나, 또는 모든 내용이 본 명세서에 참조로 포함되어 있는 US 6855938에 더욱 상세하게 설명되어 있는 바와 같이, 이러한 목적으로 추가적인 이온 비임이 사용될 수 있다. 전자현미경을 작동하기 위해 통상적으로 요구되는 진공 환경은 이 예의 EUV 리소그래피 장치 내에 이미 존재하지만, 대응하는 로크(lock)에 의해 2개의 진공으로 분리될 수도 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 검사 장치는 노출 위치에도 제공될 수 있으며, 측정 광원으로서 특히 EUV 광원이 사용되는 것도 가능하다. 이 예에서, 검사 장치는 예컨대 본 출원의 내용에 참조로 포함되어 있는 US 6555828 B1과 같이 구성될 수 있다. 여기서는 마스크 및 반사된 방사 강도를 스캐닝하기 위해 집속된 EUV 광 비임이 측정 광원으로 사용되며, 산란 방사 강도 및/또는 광전자 스트림의 변화가 측정된다. 노출 공정 동안 검사를 허용하기 위해, 측정 광 비임으로서 한 점으로 집속된 EUV 광 비임을 대신하여, 노출 동안 사용되고 마스크 상에 높은 종횡비를 갖는 장방형을 일반적으로 형성하는 EUV 광 비임이 사용될 때, 특히 산란 방사의 측정이 실시될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
EUV 리소그래피 장치는 처리 장치를 제어하기 위한 제어 장치와, 광학 요소, 바람직하게는 특히 마스크의 상태에 관한 검사 데이터에 따른 이송 장치를 더 갖는 것이 바람직하다. 이 예에서, 검사 데이터는 검사 장치에 의해 제어 장치로 전송될 수 있지만, 대안적으로 또는 추가적으로 검사 데이터는 마스크 자체로부터가 아니라 마스크에 의해 노광된 웨이퍼로부터 유래하는 것도 가능하다. 이를 위하여, 노광 및 현상된 감광성 기판 또는 웨이퍼에 적용된 레지스트는 EUV 리소그래피 장치에 또한 배치되거나 또는 공간적으로 분리될 수 있는 웨이퍼 검사 장치에서 분석될 수 있다. 현상된 레지스트의 마스크의 복수의 상(다이)에서 동일한 위치에 결함이 형성되는 경우, 이는 마스크 역시 그 대응 위치에 처리 장치에 의해 수리될 수 있는 결함을 갖는다는 것을 지시한다.
또한, 본 발명은 전술한 바와 같은 EUV 리소그래피 장치의 광학 요소의 처리 방법을 제공하며, 이 방법은 처리 장치에 제공되고 가스 노즐의 가스 출구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 스크린의 일 단부를 배치하는 단계 및 광학 요소의 표면으로 활성화된 가스 스트림의 바람직하게는 국부적 공급에 의해 광학 요소를 처리하는 단계를 포함하고, 상기 배치 단계에서 상기 단부는 광학 요소의 표면으로부터 소정의 간격을 두고 광학 요소를 대면한다. 광학 요소를 처리하기 위해, 처리 장치의 스크린은 예컨대 수 밀리미터뿐일 수 있는 작동 간격으로 배치됨으로써, 처리 동안 가스 스트림의 매우 작은 부분만이 광학 요소의 표면과 스크린 사이의 간극을 통해 EUV 리소그래피 시스템의 진공 환경으로 방출될 수 있다. 표면에 대하여 측방향으로 일어날 수 있는 처리 장치의 이동의 경우, 조정된 작동 간격은 통상적으로 사실상 일정하게 유지된다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 발명적으로 유의미한 상세사항이 도시된 도면의 그림을 참조하여 후속하는 본 발명의 실시예의 설명 및 특허청구범위로부터 잘 이해될 것이다. 개별적인 특징들은 독립적으로 또는 본 발명의 변형예의 임의의 조합으로 함께 실현될 수 있다.
실시예는 개략도로 도시되며, 후속하는 명세서에 설명된다.
도 1a 내지 도 1c는 처리 위치에서 마스크를 처리하기 위한 처리 장치를 갖는 EUV 리소그래피 장치의 실시예의 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 구조화된 크롬층을 구비한 마스크의 세정 또는 수리의 개략도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1a 내지 도 1c의 EUV 리소그래피 장치의 광학 요소를 처리하기 위한 처리 장치의 다른 구성의 개략도이다.
도 1a 내지 도 1c는 하우징(2)을 갖는 EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c)의 3가지 실시예를 개략적으로 도시하며, 이 하우징은 진공 환경을 형성하기 위한 진공 발생 유닛(3)(진공 펌프)과 연결되고, 이 진공 발생 유닛은 하우징(2) 내에서 약 10-3mbar 내지 0.1mbar 범위의 총 압력을 갖는 잔류 가스 분위기를 형성한다. 하우징(2)은 내부에 배치되는 광학 요소의 광학 기능에 따라 도 1a 내지 도 1c에 모식적으로 도시된 3개의 하우징 부분(4, 5, 6)으로 분할되는데, 즉 제1 하우징 부분(4)은 광 발생 유닛으로도 불리며 조명 방사를 집속하기 위한 EUV 콜렉터 거울 및 플라즈마 광원을 포함한다. 인접한 제2 하우징 부분(5)에는 대상 평면(7)에서 가능한 한 균일한(homogeneous) 상 필드(image field)를 생성하는 역할을 하는 조명 시스템이 배치되는데, 축소되어 결상되도록 의도되는 구조(미도시)를 갖는 마스크(8)가 회수(retraction) 방향(X)으로의 스캐닝 공정을 위해 대상 평면(7)에서 레티클 척(9)을 안내하는 레티클 스테이지(10) 상에서 자체적으로 지지되는 레티클 척(9)상의 조명 위치(IL)에 배치된다.
마스크(8) 상에 존재하는 구조는 상 평면(11) 상의 제3 하우징 부분(6)에 배치되는 후속하는 투영 시스템에 의해 결상되는데, 감광층(레지스트)을 갖는 웨이퍼(12)는 노광 위치(EX)에 배치된다. 마스크(8)와 동기하여 웨이퍼(12)를 회수 방향(X)으로 이동시키기 위해, 웨이퍼(12)는 구동부(미도시)를 포함하는 장치(13)에 의해 보유된다. 장치(13)는 웨이퍼(12)를 Z축, 즉 대상 평면(7)과 상 평면(11)에 수직하는 방향 및 상기 축에 수직하는 축 및 X와 Y 방향 모두를 따라 이동시키기 위해 조종자(manipulator)를 또한 포함한다. 예시적으로, 도 1a 내지 도 1c는 조명 시스템(5)의 광학 요소(5a)(EUV 거울) 및 투영 시스템(6)의 광학 요소(6a)(EUV 거울)를 도시한다.
도 1a에 도시된 EUV 리소그래피 장치(1a)에서, 레티클 스테이지(10)는 조명 위치(IL)에서 스캐닝 방향(X)으로 레티클 척(9) 또는 마스크(8)를 이동시키기 위해 필요한 것보다 크게 구성된다. 이 예에서, 조명 위치(IL)는 조명 방사의 광이 마스크(8)의 서브영역을 타격하는 대상 평면(7)의 위치들에 의해 고정되어, 마스크(8) 상의 구조가 웨이퍼(12) 상으로 결상되게 할 수 있다. 양쪽 화살표로 도시된 이송 장치(14)를 이용하여 조명 위치(IL)로부터 처리 위치(TM)로 마스크(8)를 이동시키는 것이 가능한데, 처리 위치에는 이하에서 정교한 구조와 기능이 더욱 상세하게 설명될 처리 장치(15)가 배치된다. 도 1a에 도시된 바와 달리, 2개의 레티클 스테이지가 제공될 수도 있으며, 레티클 척(9)은 한 레티클 스테이지로부터 다른 레티클 스테이지로 소정의 방식으로 이동될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
처리 장치(15)는 측정 광(19)을 마스크(8) 상으로 지향하기 위한 측정 광원(18)으로서 레이저를 갖는 검사 장치(17)에 자체적으로 연결되는 제어 장치(16)에 연결된다. 마스크(8)에서 산란된 측정 광(19a)은 국부적으로 해상되는 탐지기(20)에 의해 탐지되어, 제어 장치(16)로 제공되는 검사 데이터를 생성하는 역할을 한다. 이 예에서, 레이저(18)는 특히 가능한 한 짧은 예컨대 약 193nm 또는 157nm의 파장으로 측정 광을 생성하도록 구성될 수 있다. 예컨대 적어도 한 방향에서, 통상적으로는 두 방향(X 및 Y)에서 마스크(8)를 스캐닝할 수 있게 하기 위하여, 즉 측정 광(19)을 마스크(8)의 임의의 소정 지점으로 지향할 수 있게 하기 위하여, 레이저(18)는 또한 이동 가능하다. 대안적으로, 레티클은 복수의 레이저, 또는 복수의 측정 지점에서 스캐닝 방향(X)에 대해 횡방향으로 대응적으로 복수의 비임으로 분할되는 하나의 레이저 비임에 의해 조명될 수 있으며, 이 위치에서 산란된 광이 (평행하게) 측정될 수 있다. 노광 동안 레티클은 스캐닝 방향(Y 방향)으로 이동되기 때문에, 레티클은 노광 동안 검사용 레이저 비임에 의해 스캐닝 방향으로 자동적으로 스캐닝된다. 측정 광원(18)으로 레이저를 사용하는 것에 대한 대안으로 또는 추가로, 광 발생 유닛(4)에 자체적으로 배치된 EUV 광원도 측정 광원으로 작용할 수 있다.
마스크 상의 입사광의 회절 스펙트럼은 측정 신호로서 조사 지점에서 국부적으로 획득된다. 기준 산란 신호와의 비교를 통해 마스크(8)가 모니터링 될 수 있으며, 마스크에 결합하는 오염 또는 입자 또는 마스크 구조의 변화가 검출될 수 있다. 이후 마스크(8) 상의 임의의 오염 영역은 위치적 해상 방식으로 결정될 수 있으며, 이 방식으로 획득된 검사 데이터는 제어 장치(16)로 제공될 수 있다. 이 예에서, 이하에서 더욱 상세하게 설명되는 처리 장치(15)의 처리 윈도우에 따른 검출을 위한 위치적 정확도는 수십 ㎛까지로부터 100mm까지이면 충분하다. 검사 장치(17)는 측정 광(19)이 결상될 필드 주위에서만 마스크(8)를 타격하는 방식으로 구성될 수 있다. 이 방식에서는, 산란된 측정광(19a)이 표유광(stray light)의 형태로 노광 공정을 방해할 수 없다는 것이 보장되기 때문에, 노광 공정 및 검사 공정은 동시에 실시될 수 있다. 검사 장치(17)는 대안적으로 EUV 리소그래피 장치(1a)의 다른 (검사) 위치에 배치될 수도 있는 것으로 이해될 것이다. 검사 장치(17)는 도 1a에 도시된 것과 상이하게 구성되어, 예컨대 마스크(8)에 의해 반사된 방사만을 측정하거나 또는 적어도 부분적으로 마스크(8)의 표면을 결상할 수 있는 것으로도 이해될 것이다.
임의의 경우에, 제어 장치(16)는 검사 데이터를 평가하며, 검사 데이터가 마스크(8)가 웨이퍼(12)의 노광 공정을 진행하기에 너무 많이 오염되거나 손상되었음을 나타내는 경우, 조명 위치(IL)로부터 처리 위치(TM)로 마스크(8)를 이송하기 위하여 제어 장치는 이송 장치(14)에 연결된다. 필요한 경우 이러한 영역에서 선택적으로 마스크(8)를 처리하기 위하여, 제어 장치(16)는 검사 데이터에 따라 적절한 방식으로 특히 처리 장치(15)를 제어할 수도 있다.
이송 장치(14)는 조명 위치(IL)와 처리 위치(TM)에서 그리고 이송 동안, 레티클 척(9)의 규정된 위치설정을 허용하는, 예컨대 종래의 선형 구동부(미도시) 또는 다른 적절한 장치를 가질 수 있다. 따라서, 마스크(8)가 이송된 후, EUV 리소그래피 장치(1a)의 XYZ 좌표계에 대해 마스크(8)를 재배향할 필요가 없는 것이 보장될 수 있다.
또한, Z 방향에서의 마스크(8)의 규정된 위치도 EUV 리소그래피 장치(1a)의 단일 레티클 척(9)을 사용하여 설정(establish)된다.
도 1b에 도시된 EUV 리소그래피 장치(1b)는 부가적인 검사 장치가 제공되지 않았다는 점에서 도 1a에 도시된 것과 상이하며, 레티클 스테이지(10)이외에 다른 부가적인 레티클 스테이지(10a)가 EUV 리소그래피 장치(1b)에 배치되고, 또 다른 레티클 척(9a)이 상기 부가적인 레티클 스테이지 상에 고정된다. 마스크(8)는 이송 장치로 작용하는 피벗 아암(14a)에 의해 조명 위치(IL)로부터 처리 위치(TM)로, 그리고 역으로 이동될 수 있다. 이를 위하여, 기계적으로 또는 다른 방식, 예컨대 감압에 의해 레티클 척(9)에 보유되는 마스크(8)는 레티클 척(9)으로부터 결합해제되고, 피벗되는 아암(14a)에 의해 처리 위치(TM)로 이동된 후, 마스크(8)는 처리 장치(15)를 이용하여 처리 위치(TM)에서 처리되기 위하여 처리 위치에서 후속적으로 다른 레티클 척(9a)에 고정된다. 도 1a에 도시된 EUV 리소그래피 장치(1a)와 달리, 마스크(8)의 레지스트레이션(registration)은 이송 장치(14a)로부터 레티클 척(9 또는 9a)으로 마스크(8)가 이동된 후, 즉 EUV 리소그래피 장치(1b)의 XYZ 좌표계에 대해 마스크(8)가 배향된 후에 실시된다. 노광이 요구되는 다른 마스크를 위해 마스크(8)를 교환하기 위해, 피벗 아암(14a)은 마스크(8)를 EUV 리소그래피 장치(1b)의 다른 위치, 예컨대 회수 위치 또는 공급 위치(미도시)로 이동시킬 수도 있다. 마스크(8)를 이송하기 위해, 피벗 아암(14a) 대신에 다른 이송 수단(피벗형/회전형 로봇 아암) 등을 사용하는 것도 가능한 것으로 이해될 것이다.
이미 상술한 바와 같이, 마스크(8)의 상태를 모니터링하기 위해, EUV 리소그래피 장치(1b)에는 부가적인 검사 장치가 배치되지 않는다. 처리 장치(15)를 적절하게 제어할 수 있게 하기 위해, 제어 장치(16)는 마스크(8)에 의해 노광된 웨이퍼(12)를 체크하기 위한 외부의 검사 장치(17a)로부터 검사 데이터를 수신하고 평가하도록 구성된다. 검사 데이터는 적절한 데이터 전송 장치에 의해 예컨대 전기적으로 제어 장치(16)로 전송될 수 있다. 마스크(8)의 품질에 관한 결론은 웨이퍼(12) 상의 마스크(8)의 구조의 축소된 상의 검사 데이터로부터 유추될 수 있으며, 마스크(8) 상의 국부적 결함도 탐지될 수 있으며 처리 장치(15)에 의해 후속적으로 교정될 수 있다. 웨이퍼 검사 장치는 EUV 리소그래피 장치(1b)에 합체될 수도 있으며, 이 경우 웨이퍼는 적절한 이송 장치에 의해 노광 위치(EX)로부터 검사 위치(미도시)로 이동될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
도 1b에 따른 실시예에서, 마스크(8)의 노광 동안, 다른 마스크(점선으로 도시)는 대안적으로 처리 장치(15)에서 결함에 대해 검사될 수 있으며, 필요에 따라 처리 또는 교정될 수 있다. 이는 레티클 지지체(9, 9a)로서 2개의 레티클 스테이지가 제공됨으로써 투영 노출 시스템(1b)의 노광 공정이 중단될 필요 없이, 다른 레티클과 함께 계속될 수 있기 때문에 가능하다. 이 예에서, 피벗 아암(14a)은 마스크(8)를 다른 마스크로 교환할 수 있도록 2개 이상의 마스크를 수용하도록 구성된다. 그러나 민감한 레티클을 취급하기 위한 복잡성이 최소화될 수 있는 경우, 특히 마스크가 투영 노광 시스템으로부터 제거될 필요가 없는 경우라면, 이러한 구성도 유리하다.
도 1c에 도시된 EUV 리소그래피 장치(1c)는 레티클 척(9) 이외에 다른 레티클 척(9a)이 EUV 리소그래피 장치(1c)에 배치된다는 점에서 도 1a에 도시된 것과 상이하며, 다른 레티클 척상에는 다른 마스크(8a)가 지지된다. 이 경우, 노광 공정은 조명 위치(IL)에 배치된 마스크(8)에 의해 실시될 수 있는 반면 부가적인 마스크(8a)는 처리 위치(TM)에서 처리될 수 있다. 이 예에서 2개의 레티클 척(9, 9a)은 그 위치를 교환할 수 있는데, 이러한 교환은 예컨대 이송 장치(14b)가 2개의 변위 유닛을 구비하도록 하며, 이 변위 유닛에 레티클 척(9, 9a)이 선택적으로 연결될 수 있다. 모든 내용이 본 명세서에 참조로 포함되어 있는 WO 98/040791에 상세하게 설명된 바와 같이, 이 예에서, 2개의 레티클 척(9, 9a)은 안내면으로 작용하는 레티클 스테이지(10)를 따라 중간 위치로 이동될 수 있으며, 중간 위치에서 변위 유닛에 대한 레티클 척(9, 9a)의 결합이 해제되고 레티클 척은 후속적으로 교환된다.
처리 위치(TM)의 마스크(8)의 처리 또는 마스크(8)의 구조는 이하의 도 2a 및 도 2b를 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 마스크(8)는 기판(21)을 가지며, 기판에는 몰리브덴 및 규소의 순서의 교호층에 의해 형성되는 다중층 코팅(22)이 제공된다. 캡층이라 불리는 커버층(22a)은, 다중층 코팅의 상층에 형성되는데, 예컨대 최상층은 루테늄으로 형성되며, 이 최상층에 구조화된 크롬층(23)이 제공된다. 도 2a에서 볼 수 있는 바와 같이, 노출 공정 동안 균일하지 않게 분포된 탄소 오염물(24)이 마스크(8) 상에 형성되고, 조명 위치(IL) 내의 마스크(8)를 타격하는 조명 방사의 작은 부분이 대응 위치에서 반사됨으로써, 마스크(8)의 상이 투영 시스템(6)에 의한 결상 동안 웨이퍼(12) 상에 형성되고, 이는 구조화된 크롬층(23)에 대응하지 않는다. 마스크(8) 상의 다른 불순물, 예컨대 결상될 구조의 크기일 수 있는 입자도 웨이퍼(12) 상에 결상된다.
마스크(8)로부터 오염물 또는 입자(24)를 탈착하기 위해, 처리 장치(15)는 마스크(8)의 표면으로 가스 스트림(27)을 공급하기 위한 고리형 가스 노즐(26)을 갖는 가스 공급 장치(25)를 갖는다. 가스 공급 장치(25)는 가스 노즐(26)에 의해 마스크(8)로 선택적으로 공급될 수 있는 많은 종류의 가스를 위한 용기를 제공한다.
오염물(24)을 제거하기 위해, 수소 분자는 가스 노즐(26)에 의해 마스크(8) 상으로 지향된다. 이 예에서, 수소 분자는 재지향 거울(29a)을 경유하여 방사 소스로 작용하는 레이저(29)(펨토초 레이저)에 의해 마스크(8) 상으로 지향되는 레이저 방사(28)에 의해 활성화되며, 그 위치에서 수소 분자는 활성화된 수소, 예컨대 수소 라디칼(H·) 형태로 전환된다. 활성화된 수소는 오염물(24)과 함께 휘발성이 강한 탄소화합물을 형성함으로써, 오염물(24)이 표면으로부터 탈착된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 수소 분자는 예컨대 열적 여기에 의해 활성화될 수도 있으며, 예컨대 텅스텐의 가열 와이어 형태의 가열 요소가 가스 노즐(26)에 배치되어 약 1000℃ 내지 약 2000℃의 온도로 가열되고 그 옆으로 수소 분자가 지향되는 것으로 이해될 것이다.
활성화된 수소는 오염물(24) 아래쪽에 배치된 다중층 코팅(22) 또는 캡층(22a) 상에서도 작용할 수 있기 때문에, 오염물(24)이 마스크(8)로부터 완전히 탈착되거나 거의 탈착되자마자 적절한 시간에 마스크(8)의 처리를 중단시킬 필요가 있다. 전자현미경(30)은 모니터링 및 세정에 사용되고, 전자현미경(30)의 대상 평면에 배치되는 마스크(8) 상으로 Z 방향 상방으로 연장하는 전자 비임(30a)을 집속한다. 검출될 마스크(8) 상에 전자 비임(30a)에 의해 생성된 2차 전자에 의해, 현재 처리되고자 하는 영역의 마스크(8)의 표면의 상이 형성될 수 있다. 이 예에서 산출된 검사 데이터로부터 제어 장치(16)는 처리 영역에서 오염물(24)이 완전히 탈착되는 시간을 결정할 수 있으며, 마스크(8)의 인접한 영역에서는 세정이 계속될 수 있다. 이를 위하여, 처리 장치(15)는 도 2a의 양쪽 화살표(31)로 도시된 이동 장치에 의해 EUV 리소그래피 장치(1)의 XYZ 좌표계의 3개의 축을 따라 이동될 수 있으며, 이 이동 장치는 종래의 리니어 구동부를 3개 포함한다. 대안적으로 또는 추가적으로, 마스크(8)의 국부적 처리를 허용하기 위해, 마스크(8) 또는 레티클 척(9a)은 XY 평면 또는 Z 방향으로 변위될 수도 있는 것으로 이해될 것이다. 처리 장치(15)의 부재로서, 레이저(29)는 당연히 이동될 수 있으며, 레이저 방사(28)를 마스크(8) 상의 소정의 영역으로 재지향하기 위해 재지향 거울(29a)도 또한 피벗 방식으로 지지될 수 있다.
오염물(24)이 완전히 제거된 후, 마스크(8)는 도 2b에 도시된 바와 같이 제2 단계에서 수리될 수 있다. 이를 위하여, 표면에서 마스크(8)의 서브영역이 에칭 가스에 의해 제거될 수 있거나 또는 적층 가스, 이 경우는 유기 크롬화합물에 의해 마스크(8)에 재료가 제공될 수 있다. 가스 스트림(27)으로서, 마스크(8)에 제공되는 에칭 가스로서, 염소를 사용하는 마스크의 부분의 에칭은 도 2b에 도시된다. 염소 가스는 전자 비임(30a)에 의해 추가로 활성화되는데, 환언하면 염소 가스가 염소 라디칼(Cl·)로 전환됨으로써 마스크(8)의 재료를 선택적으로 에칭할 수 있으며, 에칭 영역은 전자 비임(30a)을 둘러싸는 작은 영역으로 제한될 수 있는데, 이는 여기(excitation)가 상기 영역에서만 일어나기 때문이다. 이 예에서, 20nm 미만의 폭을 갖는 구조 또는 1nm 미만의 오더로 구조 모서리를 교정하는 것이 가능하다. 에칭 처리는 선택적으로 에칭 가스로서 수소 원자를 사용하여 처리될 수도 있으며, 이 경우 세정과 에칭 처리를 병합하는 것, 즉 마스크(8)의 인접한 영역으로 변경되기 전에 영역에서 세정과 에칭 처리 모두를 연속적으로 실시하는 것이 유리하다는 것으로 이해될 것이다.
마스크에 재료를 적용하기 위해, 세정 가스 또는 에칭 가스를 적층 가스로 대체할 필요가 있다. 마스크(8)의 서브영역의 수리 및/또는 세정은 이 경우 인접 서브영역으로 이동되기 전에 실시될 수도 있는데, 예컨대 부가적인 가스 노즐이 처리 장치(15)에 제공되며, 이러한 제공은 에칭 가스 또는 세정 가스와 적층 가스 사이의 신속한 변경을 허용한다. 마스크(8)를 처리하는데 사용되는 반응성 가스들은 각각의 경우에 존재하는 마스크 재료에 당연히 부합될 수 있다. 예를 들어, 루테늄 캡층에 대한 손상은 국부적으로, 예컨대 루테늄을 포함하는 유기금속화합물에 의해 교정될 수도 있으며, 또한 이 경우 금속 적층의 활성화는 전자 비임 바로 주위의 영역으로만 제한된다.
오염물의 제거와 같은 광범위한 처리 공정에 있어서, 가스들은 마스크(8)의 영역에서만 절대적으로 활성화될 필요는 없으며, 대신에 이러한 활성화는 선택적으로 가스 공급 장치(25)에서 완전히 또는 부분적으로 이미 실시되는 것이 가능하다.
처리 장치(15)는 또한 전술한 바와 같이 전자 비임(30a)을 생성하거나 마스크(8)를 검사하기 위한 전자현미경(30), 가스 스트림(27)을 생성하기 위한 가스 공급 장치(25) 및 (레이저) 방사(28)를 생성하기 위한 방사 소스인 레이저(29) 모두를 필연적으로 포함하지 않는다. 그 대신에, 마스크(8)의 처리를 허용하기 위해서는 상기 장치들 중 하나만을 구비하는 것으로도 충분할 수 있다. 특히, 마스크(8)의 처리가 처리 위치(TM)에서 세정 가스로만 실시되는 경우에 충분할 수 있다. 도 1a 내지 도 1c에 도시된 것과 달리, 처리 장치(15)는 EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c) 내의 별도의 진공 챔버에 배치될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 세정/처리는 위상 마스크에서 실시될 수도 있는 것으로 이해될 것이다. 위상 마스크는 위상 시프팅 구조에서 크롬과 같은 흡수성 금속층을 그 표면에서 갖지 않기 때문에, 결상 동안 마스크(8)의 표면에서 전하 축적의 영향을 보상하기 위해서는, 본원의 내용에 참조로 포함되어 있는 US 2005/0230621 A1에 개시된 바와 같이, 스크린과 함께 (주사)전자현미경(30)을 제공할 수 있다.
위상 시프팅 구조가 교정될 때, 위상 시프팅 구조는 고해상도로 국부적 에칭에 의해서만 제거될 수 있으며, 다음으로 예컨대 몰리브덴 또는 규소를 포함하는 다중층 적층체의 층 재료 또는 층 두께를 달리하는 변경된 순서에 의해 희망에 따라 재차 적용된다.
일반적으로, 세정 및 수리를 위해 진공 환경으로부터 마스크를 제거할 필요 없이, 즉 진공이 중단될 필요없이, EUV 리소그래피 장치 내에 제공되는 처리 장치에 의해 마스크의 신속한 세정 및 수리를 실시하는 것이 가능하다. 또한, 조명 위치로부터 처리 위치로 그리고 역으로 이송 후에 마스크의 반복되는 레지스트레이션을 피할 수 있다.
특히 전술한 바와 같이 구성된 처리 장치(15)는 마스크(8)의 처리는 물론 EUV 리소그래피 시스템(1a 내지 1c)의 다른 광학 요소(5a, 6a)를 처리하기 위해서도 사용될 수 있는 것으로 이해될 것이다. 이 예에서, 광학 요소(5a, 6a)를 인 시튜로, 즉 노광 동안 광학 요소(5a, 6a)의 위치에 대응하는 처리 위치에서 처리하기 위해, 처리 장치(15)는 통상적으로 EUV 리소그래피 시스템(1a 내지 1c)의 하우징 부분(4, 5, 6)에 통합된다. 이 예에서, 처리는 통상적으로 EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c)의 노광 휴지(break) 동안 실시된다.
마스크(8)가 아니라 그 대신에 광 발생 유닛(4), 투영 시스템(6) 및/또는 조명 시스템(5)의 광학 요소만이 처리되고자 하는 경우, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 이송 장치(14, 14a, 14b) 및 처리 위치(TM)에 배치된 처리 장치(15)를 당연히 생략할 수 있다.
도 3a를 참조하여, 투영 시스템(6)에 배치된 광학 요소(6a)를 처리하기 위한 이동성 처리 헤드 형태의 처리 장치(15)의 구성을 이하에서 설명한다. 처리 장치(15)는 가스 스트림(27)을 광학 요소(6a)의 표면에 국부적으로 공급하기 위한 가스 노즐(26)을 갖는 가스 공급 장치(고리형 덕트)(25)를 갖는다. 처리 장치(15)에는 가스 공급 장치(25)에 의해 형성된 고리형 공간에 의해 격리되고 가스 노즐(26)의 중심축선의 연장선에서 연장하는 덕트(32)가 제공된다. 광학 요소의 표면에서 오염물 층(24)을 제거하기 위해 전자 비임(30a)은 가스 노즐(26)의 출구 개구에 의해 형성된 가스 출구(26a)의 영역에서 덕트(32)를 통해 방출되어 광학 요소(6a)의 표면을 타격하며, 가스 스트림(27)의 적어도 하나의 가스 성분은 전자 비임(30a)에 의해 동시에 활성화된다. 예를 들어, 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 수소 분자(H2) 및/또는 질소(N2)는 가스 스트림(27)의 성분으로 사용될 수 있으며, 활성화에 의해 여기된 전자 상태(CO*, CO2 *, H2 *, N2 *)가 될 수 있다. 전술한 바와 같이, 수소 분자는 수소 원자로 전환됨으로써 활성화될 수도 있다.
도 3a에서 볼 수 있는 바와 같이, 처리 장치(15)는 가스 공급 덕트(25)를 둘러싸는 가스 복귀 장치(33)를 가지며, 이 가스 복귀 장치는 가스 공급 덕트(25)를 둘러싸는 다른 고리형 덕트 형태이다. 가스 복귀 덕트(33)는 가스 스트림이 광학 요소(6a)의 표면을 타격한 후 가스 스트림(27)을 복귀시키는 역할을 하며, 해당되는 경우, 복귀된 가스 스트림은 광학 요소(6a)로부터 탈착된 오염물의 부분을 보유한다. 가스 복귀 덕트(33)는 통상적으로 펌프(미도시)에 연결된다.
가스 출구(26a)로부터 방출되는 가스 스트림(27)이 가스 복귀 덕트(33)로 도입되기 전에 EUV 리소그래피 시스템(1a 내지 1c)의 진공 환경으로 빠져나가는 것을 방지하기 위해, 처리 장치(15) 상에는 광학 요소(6a)를 대면하는 단부가 가스 출구(26a) 위쪽에서 광학 요소(6a)를 향하는 방향으로 돌출하며 고리형 방식으로 가스 출구(26a)를 둘러싸는 스크린(34)(차폐부)이 제공된다. 이 예에서, 처리 공정을 위해, 처리 장치(15)는 광학 요소(6a)의 표면으로부터 대략 수 밀리미터(예컨대, 0.1mm와 3mm 사이)인 작동 간격(D)과 함께 양쪽 화살표로 지시된 이동 장치(31)에 의해 이동된다. 스크린(34)의 단부와 광학 요소(6a)의 표면 사이에 형성된 [폭(D)을 갖는] 틈을 통해 가스 스트림(27)의 무시할만한 작은 부분만이 빠져나갈 수 있다. 통상적으로, 작동 간격(D)은 일단 설정되면 광학 요소(6a)의 표면에 대하여 횡방향으로 처리 장치(15)가 이동하는 동안 사실상 일정하게 유지된다. 도 3a의 처리 장치(15)에서 가스 스트림(27)을 활성화하기 위해, 예컨대 DUV 또는 UV 파장 범위의 방사, 특히 레이저 방사가 사용될 수도 있는 것으로 이해될 것이다.
도 3b에 도시된 처리 장치(15)는 입자 발생 유닛(30)에 의해 생성된 전자 비임(30a)이 광학 표면을 지향하지 않는 대신에 비임 트랩(35)(흡수장치)을 지향한다는 점에서 도 3a에 도시된 것과 상이하다. 이 경우, 가스 스트림(27)의 활성화는 광학 요소(6a)의 옆에서 직접 일어나지 않기 때문에, 가스 공급 장치(25)에는 가스 공급 장치(25)에서 활성화 영역으로부터 가스 출구(26a)만큼 멀리 연장하는 코팅(36)이 제공되며, 이 활성화 영역에서 가스 스트림(27)은 전자 비임(30a)과 접촉한다. 코팅 재료는 사용될 가스 종에 따라 결정되며, 예컨대 실리카, 규소 또는 염화칼륨을 포함할 수 있다. 도 3b에 도시된 처리 장치(15)의 구조에서 가스 스트림(27)을 활성화하기 위해 방사 또는 해당되는 경우에는 고주파 발생기가 또한 사용될 수 있는 것으로도 이해될 것이다.
마지막으로, 도 3c는 도 3a 및 도 3b에 도시된 구조가 합체된 처리 장치(15)의 구조를 나타낸다. 이 예에서, 전자 비임(30a)은 광학 전자 유닛(37)에 의해 비임 트랩(35) 또는 가스 출구(26a)를 향해, 그리고 광학 요소(6a)를 향해 선택적으로 배향될 수 있다. 상기 2개의 작동 모드 사이의 전환은 전자 광학부(37)에 의해 유발되며, 활성화된 상태의 전자 광학부는 비임 트랩(35)으로부터 가스 출구(26a)를 향하는 방향으로 전자 비임(30a)의 재지향을 유발하며, 이 실시예의 가스 출구는 스크린(34)의 단부와 같은 높이로 끝난다.
도 3c의 실시예에서, 전자 광학부(37)는 원통형 콘덴서 형태이며, 전자 비임(30a)을 재지향하기 위해 2개의 콘덴서 판 사이의 적절한 전위차가 제공된다. 전자 비임(30a)을 재지향하기 위해, 상이하게 설정된 E 및/또는 B장을 사용하는 것도 가능하다고 이해될 것이다. 특히, 전자 비임(30a)이 광학 요소(6a)의 표면을 타격하는 영역의 크기를 변경하기 위해, 전자 광학부는 비임 확장 또는 집속을 또한 유발할 수 있다. 동시에, 도 3c의 판 콘덴서 형태의 전자 광학부(37)는 가스 스트림(27)에 존재하며 콘덴서 판과 접촉함으로써 중성화되는 대전 양이온을 필터링하는 역할을 한다.
도 3c의 실시예에서, 가스 스트림(27)은 광학 요소로부터 간격을 두고 전자 비임(30a)에 의해 활성화되기 위해 내부 덕트(32)로 도입될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 가스 스트림(27)은 광학 요소(6a)의 바로 옆에서만 전자 비임(30a)에 의해 타격되어 그곳에서 활성화되기 위해 가스 공급 장치(25)로도 작용하는 고리형 내부 덕트로 도입될 수 있다. 결과적으로, 처리 장치(15)의 활성화 위치의 선택은 광학 전자 유닛(37)에 의해 예컨대 선택된 가스 종류 또는 선택된 가스 혼합물에 따라 변경될 수 있다. 예컨대 표면에서 불균일성을 보상하고자 하는 경우, 처리 장치(15)는 광학 요소(6a)의 표면에 가스를 증착하는 데도 사용될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 처리 장치(15)의 구조에서, 광학 요소(6a)의 표면을 검사하고 검사 결과에 따라 처리 장치(15)를 적절하게 제어하기 위해 검사 장치를 제공하는 것도 당연히 가능하다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 처리 장치(15)의 모든 구조에서, 외부 스크린(34)이 제공되기 때문에, 효과적인 방식으로 가스 스트림(27) 중 극소량만이 EUV 리소그래피 시스템의 진공 환경으로 빠져나갈 수 있도록 하는 것이 가능하다. 당연히, 도 3a 내지 도 3c에 따른 처리 장치(15) 또한 마스크(8)를 처리하는데 사용될 수 있다.

Claims (19)

  1. EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c)로서, EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c) 내의 조명 위치(IL)에서 마스크(8)를 조명하기 위한 조명 장치(5) 및 마스크(8)에 제공된 구조를 감광성 기판(12)상에 결상하기 위한 투영 장치(6)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치에 있어서,
    EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c) 내의 처리 위치(TM)에서 광학 요소(6a, 8)를 처리하기 위한 처리 장치(15)를 포함하고,
    처리 장치(15)는
    광학 요소(6a, 8)의 표면으로 가스 스트림(27)을 공급하기 위해 가스 노즐(26)을 갖는 가스 공급 장치(25)와,
    가스 스트림(27)의 적어도 하나의 가스 성분을 활성화시키는 입자 비임을 발생하기 위한 입자 발생기(30)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치이며,
    입자 비임(30a)을 위한 비임 트랩(35)이 가스 공급 장치(25)에 배치되거나 또는,
    가스 노즐(26)은 입자 비임(30a)을 방출하기 위한 덕트(32)를 가지게 되고, 덕트(32)는 가스 노즐(26)의 중심축선의 연장선에서 연장되며 광학 요소(6a,8)에 가스 스트림(27)을 공급하기 위한 고리형 공간으로부터 떨어져 있는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    처리 장치(15)는 광학 요소(6a)에 공급된 가스 스트림(27)을 복귀시키기 위한 가스 복귀 장치(33)를 포함하며,
    가스 복귀 장치(33)는 가스 노즐(26)의 가스 출구(26a)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 스크린(34)을 갖는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    가스 노즐(26)의 가스 출구(26a)는 광학 요소(6a)를 향하는 스크린(34)의 단부와 같은 높이에서 끝나거나, 스크린(34)의 단부보다 더 들어가 있는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    입자 비임(30a)의 확장, 집속, 및 재지향 중 적어도 하나를 위한 광학 유닛(37)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    가스 공급 장치(25)에는 입자 비임(30a)을 위한 비임 트랩(35)이 배치되고, 광학 유닛(37)은 가스 노즐(26)의 가스 출구(26a) 또는 비임 트랩(35)상으로 입자 비임(30a)을 선택적으로 배향하도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    활성화된 가스를 가스 출구(26a)로 안내하기 위한 코팅(36)이 가스 공급 장치(25)에 배치되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    가스 공급 장치(25)에는 이온 필터(37)가 제공되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    가스 공급 장치(25)는 세정 가스, 에칭 가스, 및 증착 가스 중 적어도 하나를 광학 요소(8)로 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    처리 위치(TM)에 배치된 광학 요소(6a, 8)에 대하여 처리 장치(15)를 이동시키기 위한 이동 장치(31)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    조명 위치(IL)로부터 처리 위치(TM)로 마스크(8)를 이동시키기 위한 이송 장치(14, 14a, 14b)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    이송 장치(14, 14b)는 마스크(8)를 이동시키기 위해 레티클 척(9)을 조명 위치(IL)로부터 처리 위치(TM)로 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    이송 장치(14b)는 다른 마스크(8a)를 지지하는 다른 레티클 척(9a)을 처리 위치(TM)로부터 조명 위치(IL)로 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    국부적 해상 방식으로 광학 요소(6a, 8, 8a)를 검사하기 위한 적어도 하나의 검사 장치(17, 30)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    검사 장치(17)는 광학 요소(6a, 8)로 방사(19)를 투과하기 위한 측정 광원(18), 및 광학 요소(6a, 8) 상에서 산란, 반사, 또는 산란 및 반사되는 방사(19a)를 검출하기 위한 검출 장치(20)를 갖는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    검사 장치(17, 30)는 처리 장치(15)에 합체되거나 또는 조명 위치(IL)에서 마스크(8)를 검사하도록 구성되는
    EUV 리소그래피 장치.
  17. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    광학 요소의 상태에 관한 검사 데이터에 따라 처리 장치(15)를 제어하기 위한 제어 장치(16)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
  18. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 EUV 리소그래피 장치의 광학 요소(6a)를 처리하는 방법이며,
    처리 장치(15)에 제공되어 가스 노즐(26)의 가스 출구(26a)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 스크린(34)의 일 단부를 배치하는 단계와,
    광학 요소(6a)의 표면으로 활성화된 가스 스트림(27)을 공급하여 광학 요소(6a)를 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 배치 단계에서 상기 단부는 광학 요소(6a)의 표면으로부터 소정의 간격(D)을 두고 광학 요소(6a)에 대면하는
    EUV 리소그래피 장치의 광학 요소(6a) 처리 방법.
  19. EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c)로서, EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c) 내의 조명 위치(IL)에서 마스크(8)를 조명하기 위한 조명 장치(5) 및 마스크(8)에 제공된 구조를 감광성 기판(12)상에 결상하기 위한 투영 장치(6)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치에 있어서,
    EUV 리소그래피 장치(1a 내지 1c) 내의 처리 위치(TM)에서 광학 요소(6a, 8)를 처리하기 위한 처리 장치(15)를 포함하고,
    처리 장치(15)는
    광학 요소(6a, 8)의 표면으로 가스 스트림(27)을 공급하기 위해 가스 노즐(26)을 갖는 가스 공급 장치(25)와,
    각각이 가스 스트림(27)의 적어도 하나의 가스 성분을 활성화시키는, 방사(28)를 생산하기 위한 방사 소스(29), 입자 비임을 발생시키기 위한 입자 발생기(30), 그리고 고주파 발생기 중 적어도 하나를 포함하고,
    가스 공급 장치(25)는 광학 요소(8)를 수선하기 위해서 증착 가스를 광학 요소(8)로 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    EUV 리소그래피 장치.
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