JP2014071208A - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】極端紫外光のような露光光を用いる場合に、マスクに付着している異物が物体に転写されるのを抑制可能とする。
【解決手段】真空環境でＥＵＶ光によりレチクル及び投影光学系を介してウエハを露光する露光方法において、レチクルステージにレチクルを保持するステップ１０２と、その保持されたレチクルに露光光を照射するステップ１２０と、レチクルステージにレチクルを保持してから露光光を照射するまでの間に、レチクルのパターン面に電子ビームを照射して、パターン面と電子ビームとを相対走査するステップ１０８と、パターン面から発生する二次電子を検出してパターン面の検査を行うステップ１０６〜１１４と、を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、真空環境下でエネルギービームを用いて投影系を介して物体を露光する露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。

半導体デバイス等の各種電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するためのフォトリソグラフィ工程で、露光光として波長が１００ｎｍ程度以下の極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いる露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置という。）が使用されつつある。ＥＵＶ光は通常の光学材料及び気体によって吸収されるため、ＥＵＶ露光装置が備えるマスクとしてのレチクル及び主な光学部材はほぼ反射部材であり、露光本体部は真空チャンバ内に収容されている。

また、従来の波長が１９３ｎｍ程度以上の露光光を用いる露光装置（光露光機）では、レチクルのパターン面に塵等が付着し、この塵等の像が露光対象に転写されるのを防止するために、搬送中及び露光中のレチクルのパターン面は矩形の枠状の部材を介して張設された薄い保護膜（いわゆるペリクル）に覆われている。ところが、ＥＵＶ光は保護膜で吸収されるため、ＥＵＶ露光装置では、搬送中及び露光中のレチクルのパターン面には保護膜が設けられていない。そして、ＥＵＶ露光装置において、レチクルは、レチクルカセットと露光本体部との間を搬送されている期間では個別にレチクルカセットに収容され、露光本体部にロードされる直前にレチクルカセットから取り出されていた（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２００６／０５１８９６号パンフレット

ＥＵＶ露光装置では、露光中のレチクルのパターン面には保護膜が設けられていないため、例えばロードされたレチクルのパターン面に異物が付着していると、この異物の像が露光対象物に転写される恐れがある。
本発明は、このような事情に鑑み、ＥＵＶ光のような光学部材及び気体で吸収されやすい露光光及びマスクを介して物体を露光する際に、マスクのパターン面に付着している異物がその物体に転写されるのを抑制可能とすることを目的とする。

本発明の第１の態様によれば、真空環境でエネルギービームでマスクのパターンを照明し、そのエネルギービームでそのパターン及び投影系を介して物体を露光する露光方法が提供される。この露光方法は、その第１マスクステージに第１マスクを保持させることと、その第マスクステージに保持されたその第１マスクにそのエネルギービームを照射することと、その第１マスクステージにその第１マスクを保持してから、その第１マスクにそのエネルギービームを照射するまでの間に、その第１マスクのパターン面に電子ビーム源から電子ビームを照射することと、その第１マスクのそのパターン面から発生する発生エネルギーを検出し、該検出結果を用いてその第１マスクのそのパターン面の検査を行うことと、を含むものである。

また、第２の態様によれば、真空環境でエネルギービームでマスクのパターンを照明し、そのエネルギービームでそのパターン及び投影系を介して物体を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、第１マスクを保持するマスクの保持位置とその第１マスクのパターンにそのエネルギービームが照明される照射位置との間で移動する第１マスクステージと、その第１マスクステージが、その保持位置とその照射位置との間にあるときに、その第１マスクのパターン面に電子ビームを照射する電子ビーム源と、その第１マスクのそのパターン面から発生する発生エネルギーを検出し、該検出結果を用いてその第１マスクのそのパターン面の検査を行う検査部と、を備えるものである。

また、第３の態様によれば、第１の態様の露光方法又は第２の態様の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、エネルギービームがＥＵＶ光のように光学部材及び気体で吸収されやすい露光光である場合に、そのエネルギービーム及びマスクを介して物体を露光する際に、マスクのパターン面に付着している異物がその物体に転写されるのを抑制可能である。

本発明の第１の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す断面図である。 （Ａ）は図１中の異物の検出装置を示す拡大斜視図、（Ｂ）は検出装置の別の構成例を示す拡大斜視図である。 （Ａ）は検出装置とレチクルとの相対移動機構を示す平面図、（Ｂ）は検出領域にレチクルのパターン領域を移動した状態を示す平面図、（Ｃ）は検出領域とパターン領域との相対移動方法の一例を示す図、（Ｄ）はその相対移動方法の他の例を示す図である。 レチクルの異物検出を含む露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は第１変形例の検出装置を示す図、（Ｂ）は図５（Ａ）中の電子光学系ユニットを示す拡大断面図、（Ｃ）はその検出装置とレチクルとの相対移動機構の一例を示す平面図、（Ｄ）はその相対移動機構の他の例を示す平面図である。 （Ａ）は第２変形例のレチクルステージの駆動機構を示す平面図、（Ｂ）はその変形例において、検出領域にレチクルのパターン領域を移動した状態を示す平面図、（Ｃ）はその検出領域とパターン領域との相対移動方法の一例を示す図、その変形例において、レチクルの走査露光時の状態を示す図である。 （Ａ）は第２の実施形態のレチクルステージ系及び異物の検出装置を示す平面図、（Ｂ）は第１のレチクルの露光時に第２のレチクルの検査を行う状態を示す図である。 （Ａ）は、図７（Ｂ）の状態からＸステージを移動した状態を示す図、（Ｂ）は第２のレチクルの露光時に第１のレチクルの検査を行う状態を示す図である。 第２の実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は第３の実施形態のレチクルステージ系及び異物の検出装置を示す平面図、（Ｂ）は第２のレチクルの露光時に第１のレチクルの検査を行う状態を示す図である。 電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態につき図１〜図４を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの要部の構成を概略的に示す断面図である。露光装置ＥＸは、露光光（露光用の照明光又は露光ビーム）ＥＬとして波長が１００ｎｍ程度以下で３〜５０ｎｍ程度の範囲内で例えば１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light)を用いるＥＵＶ露光装置である。図１において、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬをパルス発生するレーザプラズマ光源１０、露光光ＥＬでレチクルＲ（マスク）のパターン面Ｒａ（ここでは下面）の照明領域２７Ｒを照明する照明光学系ＩＬＳ、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴ、及びレチクルＲの照明領域２７Ｒ内のパターンの像をレジスト（感光材料）が塗布された半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）Ｗの表面に投影する投影光学系ＰＯを備えている。さらに、露光装置ＥＸは、パターン面Ｒａに電子ビームＥＢ１を照射してパターン面Ｒａの異物を検出可能な後述の検出装置５２、検出された異物の処理を行う後述の異物処理部３６、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴ、及び装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御装置３１等を備えている。

本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（不図示）を除いて複数のミラー等の反射光学部材より構成され、レチクルＲも反射型である。その反射光学部材は、例えば、低熱膨張ガラス（又は石英あるいは高耐熱性の金属等）よりなる部材の表面を所定の曲面又は平面に高精度に加工した後、その表面に例えばモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との多層膜（ＥＵＶ光の反射膜）を形成して反射面としたものである。なお、その多層膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の物質と、Ｓｉ、ベリリウム（Ｂｅ）、４ホウ化炭素（Ｂ₄Ｃ）等の物質とを組み合わせた他の多層膜でもよい。また、レチクルＲは例えば低熱膨張ガラスの基板の表面に多層膜を形成して反射面（反射膜）とした後、その反射面の矩形又は正方形のパターン領域ＰＡに、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はクロム（Ｃｒ）等のＥＵＶ光を吸収する材料よりなる吸収層によって転写用のパターンを形成したものである。

また、ＥＵＶ光の気体による吸収を防止するため、露光装置ＥＸのレーザプラズマ光源１０、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＯ、及びウエハステージＷＳＴを含む露光本体部は、全体として箱状の真空チャンバ１内に収容され、真空チャンバ１内の空間を真空排気するための大型の真空ポンプ３２が備えられている。さらに、真空チャンバ１内に露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるためにサブチャンバを設けてもよい。一例として、真空チャンバ１内の気圧は１０^-5Ｐａ程度、真空チャンバ１内で投影光学系ＰＯを収容するサブチャンバ（不図示）内の気圧は１０^-5〜１０^-6Ｐａ程度である。真空チャンバ１内はこのように高真空であるため、真空チャンバ１内では電子ビームもかなりの距離を減衰することなく到達可能である。

また、真空チャンバ１には、露光に使用されるレチクルの受け渡しを行う例えば多関節型の搬送ロボット４が設置されたロボットチャンバ２が、例えばシャッタ３で開閉される搬送口１ａを介して連結されている。ロボットチャンバ２には、ロードロック室（不図示）を介して、複数のレチクルを保管するレチクルライブラリが設置されたレチクル保管室（不図示）が連結されている。ロボットチャンバ２内は真空チャンバ１内と同じく真空環境であり、レチクル保管室の内部は大気圧環境であり、ロードロック室で大気圧環境と真空環境との切り換えが行われる。露光に使用されるレチクルは、一例として、レチクルライブラリからロボットチャンバ２までは通気性のある小型の箱状のレチクルポッド内に収容されて搬送され、ロボットチャンバ２内でそのレチクルポッドから取り出されたレチクルが、搬送ロボット４によって真空チャンバ１内のレチクルステージＲＳＴにロードされる。

以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（真空チャンバ１の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本実施形態ではほぼ水平面に平行な面）内で図１の紙面に垂直にＸ軸を、図１の紙面に平行にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクルＲに対する露光光ＥＬの照明領域２７Ｒは、図３（Ａ）に示すように、Ｘ方向（非走査方向）に細長い円弧状であり、通常の露光時には、レチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。

先ず、レーザプラズマ光源１０は、高出力のレーザ光源（不図示）と、このレーザ光源から真空チャンバ１の窓部材１５を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１２と、すず（Sn）等のターゲット液滴（droplet）を噴出するノズル１４と、回転楕円面状の反射面を持つ集光ミラー１３とを備えた、ドロプレットターゲット方式の光源である。レーザプラズマ光源１０から例えば数ｋＨｚの周波数でパルス発光された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第２焦点に集光する。その第２焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー（コリメータ光学系）２１を介してほぼ平行光束となり、それぞれ複数のミラーよりなる第１フライアイ光学系２２及び第２フライアイ光学系２３（オプティカルインテグレータ）で順次反射される。

図１において、第２フライアイ光学系２３の反射面の近傍の実質的に面光源が形成される面（照明光学系ＩＬＳの瞳面）又はこの近傍の位置に、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明、又は４極照明等に切り換える可変開口絞り（不図示）が配置されている。第２フライアイ光学系２３で反射された露光光ＥＬは、曲面ミラー２４及び凹面ミラー２５よりなるコンデンサ光学系を介して、レチクルＲのパターン面Ｒａの円弧状の照明領域２７Ｒを下方から平均的に小さい入射角で均一な照度分布で照明する。凹面ミラー２１、フライアイ光学系２２，２３、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。なお、照明光学系ＩＬＳは図１の構成には限定されず、他の種々の構成が可能である。

また、照明領域２７Ｒの形状を実質的に規定するために、照明領域２７Ｒに入射する露光光ＥＬの外側（−Ｙ方向）のエッジ部を遮光するブラインドと、照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬの外側（＋Ｙ方向）のエッジ部を遮光するブラインドと、照明領域２７ＲのＸ方向の位置及び幅を規定する１対のブラインド（不図示）とを含むレチクルブラインド（可変視野絞り）２６が設けられている。走査露光時のレチクルブラインド２６のＹ方向の開閉動作は、主制御装置３１の制御のもとにあるステージ制御部３３によって制御される。

次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面（下面）にレチクルホルダとしての静電チャックＲＨを介して吸着保持され、レチクルステージＲＳＴは、真空チャンバ１内の天井部に配置されたレチクルベースＲＢのＸＹ平面に平行なガイド面（下面）に沿って、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系によって所定のギャップを隔てて保持されている。レチクルＲのパターン面Ｒａは、導通機構５０によって、レチクルステージＲＳＴの接地部（不図示）に接続され、この接地部が例えば可撓性を持つ信号ライン（不図示）を介して真空チャンバ１外で接地されている。このようにレチクルＲのパターン面Ｒａは接地されているため、後述のようにパターン面Ｒａに電子ビームＥＢ１が照射された場合でも、パターン面Ｒａに電荷が蓄積されることが防止される。なお、パターン面Ｒａに電子ビームＥＢ１が照射される場合、パターン面Ｒａをアノードとみなすことも可能である。

レチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＺ軸の回り（θｚ方向）の傾斜角等はレーザ干渉計（不図示）によって計測され、レチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）の複数の位置でのＺ位置は、例えばレチクルブラインド２６の開口を通してパターン面Ｒａに斜めに検出光を照射する斜入射方式のオートフォーカスセンサ（不図示）によって計測されている。ステージ制御部３３は、そのレーザ干渉計及びオートフォーカスセンサの計測値並びに主制御装置３１の制御情報に基づいて、上記の駆動系を制御して、レチクルステージＲＳＴをレチクルベースＲＢのガイド面に沿ってＹ方向に所定の可動範囲内で駆動するとともに、Ｘ方向及びθｚ方向等にもある程度の範囲で駆動可能である。なお、レチクルステージＲＳＴを覆うように真空チャンバ１内にパーティション（不図示）を設けてもよい。レチクルＲのＺ位置の変化に伴う投影像のデフォーカス量は、例えばウエハステージＷＳＴ側でウエハＷのＺ位置を制御することで補正してもよい。

レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、物体面（第１面）のパターンの縮小像を像面（第２面）に形成する投影光学系ＰＯに向かう。投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体面（パターン面Ｒａ）側に非テレセントリックで、像面（ウエハＷの表面）側にほぼテレセントリックの反射光学系であり、投影倍率βは１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷの一つのショット領域（ダイ）の露光領域２７Ｗ（照明領域２７Ｒと共役な領域）に、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内のパターンの一部の縮小像を形成する。

投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、第１のミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いて第２のミラーＭ２で下方に反射された後、第３のミラーＭ３で上方に反射され、第４のミラーＭ４で下方に反射される。次に第５のミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬは、第６のミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷの表面にレチクルＲのパターンの一部の像を形成する。一例として、投影光学系ＰＯは、ミラーＭ１〜Ｍ６の光軸が共通に光軸ＡＸと重なる共軸光学系であり、ミラーＭ２の反射面の近傍の瞳面又はこの近傍に開口絞り（不図示）が配置されている。なお、投影光学系ＰＯは共軸光学系でなくともよく、その構成は任意である。

また、ウエハＷは、静電チャック（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御装置３１の制御情報に基づいて、ステージ制御部３３により例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）を介してＸ方向及びＹ方向に所定の可動範囲で駆動され、必要に応じてθｚ方向等にも駆動される。

露光の際に、ウエハＷのレジストから生じる気体が投影光学系ＰＬのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷを移動するウエハステージＷＳＴはパーティション７の内部に配置されている。パーティション７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション７内の空間は、別の真空ポンプ（不図示）により真空排気されている。また、露光装置ＥＸは、レチクルＲ及びウエハＷのアライメントマークの位置をそれぞれ検出するためのレチクル及びウエハのアライメント系（不図示）を備えている。

ウエハＷ露光時の基本的な動作として、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向への移動（ステップ移動）により、ウエハＷの一つのショット領域が走査開始位置に移動する。そして、照明光学系ＩＬＳから露光光ＥＬが照明領域２７Ｒに照射され、レチクルＲの照明領域２７Ｒ内のパターンの投影光学系ＰＯによる像でウエハＷの当該ショット領域の露光領域２７Ｗを露光しつつ、ステージ制御部３３がレチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期駆動して、レチクルＲ及びウエハＷを投影光学系ＰＯに対して投影倍率に応じた速度比でＹ方向に同期して移動することで、当該ショット領域にレチクルＲのパターンの像が走査露光される。そして、ステップ・アンド・スキャン方式でそのステップ移動と走査露光とを繰り返すことで、ウエハＷの複数のショット領域に対して順次レチクルＲのパターン領域ＰＡ内のパターンの像が露光される。

次に、本実施形態の異物の検出装置５２及び異物処理部３６につき詳細に説明する。本実施形態のように露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合、ＥＵＶ光は、従来の光露光機においてレチクルのパターン面を保護するために設けられている保護膜（ペリクル）でも吸収されてしまう。そこで、本実施形態において、レチクルＲのパターン面Ｒａを覆う保護膜は設けられていない。この結果、例えばロボットチャンバ２から真空チャンバ１内に搬送されて来たレチクルＲのパターン面Ｒａには微小な塵等の異物が付着している恐れがある。さらに、レチクルＲのパターンの像を例えば１ロットのウエハに露光している過程で、例えばレーザプラズマ光源１０又はウエハのレジスト等から発生した微小な異物がパターン面Ｒａに付着する恐れもある。

レチクルのパターン面に所定間隔を隔てて保護膜がある場合、その保護膜に微小な異物が付着していてもその像はウエハＷの表面（ウエハ面）ではデフォーカスして実質的に問題にはならない。ところが、パターン面のパターン領域に直接付着した異物の像はそのままウエハ面に転写されてしまう。このため、保護膜が設けられていないレチクルのパターン領域に、転写されるパターンに影響するような大きさの異物が付着した場合、レチクルからのその異物を除去するか、レチクルを専用の洗浄機（不図示）で洗浄するか、又はレチクルを交換することが好ましい。

本実施形態の露光装置ＥＸでウエハＷに露光する回路パターンの最小線幅を例えば２０ｎｍとすると、最小線幅の例えば数分の１程度までの大きさの像となる異物は排除することが好ましい。一例として、投影光学系ＰＯの投影倍率βを１／４、ウエハ面での検出すべき異物の像の最小幅を２０ｎｍの１／４とすると、レチクルＲのパターン面Ｒａにおいて検出すべき異物の最小の幅ｄmin は、次のように２０ｎｍとなる。

ｄmin ＝２０×（１／４）×（１／β）＝２０（ｎｍ） …（１）
通常の例えば可視光を検出光とする光学顕微鏡では、その解像度は線幅に換算して１００ｎｍ程度より粗いため、ＥＵＶ露光装置で用いられるレチクルの異物検出にはそのような光学顕微鏡は使用できない。そこで、本実施形態では、ＥＵＶ露光装置用のレチクルＲの異物検出を行うために、検出ビームとして電子ビームＥＢ１を使用する検出装置５２を使用する。検出装置５２は、真空チャンバ１内のレチクルＲが移動する領域の直下で、一例としてレチクルの搬送口１ａとレチクルブラインド２６（照明領域２７Ｒ）との間に配置されている。なお、以下ではレチクルＲのパターン面Ｒａのパターン領域ＰＡ内の異物を検出する場合につき説明するが、パターン領域ＰＡ以外の領域でも同様に異物検出を行うことが可能である。

図２（Ａ）に示すように、検出装置５２は、電子ビームＥＢ１を発生する電子銃５２ａ、発生した電子ビームＥＢ１を被検面（ここではレチクルＲのパターン領域ＰＡ）に集束させる集束系５２ｂ、集束された電子ビームＥＢ１を被検面の微小な例えば正方形の検出領域５３内で２次元的に高速に走査する走査系５２ｃ、及び電子ビームＥＢ１の照射により被検面から発生した二次電子ＳＢ１を検出する検出部５２ｄを有する。検出部５２ｄの検出信号は図１の信号処理部３４に供給されている。このように、検出装置５２は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）型の異物の検出装置である。信号処理部３４内の制御部は、検出装置５２による検出領域５３での電子ビームＥＢ１の走査を制御するとともに、信号処理部３４には、主制御装置３１からレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の座標の情報も供給されている。

図３（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図１のレチクルＲ及び検出装置５２をレチクルベースＲＢ側から見た平面図である。なお、レチクルステージＲＳＴ、静電チャックＲＨ、及びレチクルＲは２点鎖線で表されている。図３（Ａ）に示すように、検出装置５２をレチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）に対してＸ方向（非走査方向）に移動するための移動装置５４が設けられている。一例として、移動装置５４は、Ｘ軸に平行なガイド部５４ｃ、ガイド部５４ｃの両端部を保持する保持部５４ａ，５４ｂ、及びガイド部５４ｃに沿って検出装置５２をＸ方向に駆動するスライド部５４ｄを有する。スライド部５４ｄにはガイド部５４ｃに対するＸ方向の位置を計測するエンコーダ及び駆動モータが組み込まれ、そのエンコーダの計測値に基づいて主制御装置３１がその駆動モータを駆動することで、検出装置５２をＸ方向に移動できる。レチクルＲはレチクルステージＲＳＴによって検出装置５２に対して走査方向ＳＤ（Ｙ方向）に相対移動可能である。検出装置５２のＸ方向への移動とレチクルＲのＹ方向への移動とを組み合わせることで、レチクルＲのパターン領域ＰＡの全面を検出装置５２の検出領域５３で走査できる。

信号処理部３４には、移動装置５４によって移動された検出装置５２のＸ方向の位置の情報も供給されている。信号処理部３４内の演算部は、検出装置５２から供給される二次電子の検出信号、レチクルステージＲＳＴの座標の情報、及び検出装置５２のＸ方向の位置の情報を用いて、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の二次電子の検出信号の分布を求めることができる。一例として、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の異物が無い状態でのパターンから発生する二次電子の検出信号の分布（以下、基準パターンという。）の情報が、予め信号処理部３４内の記憶部に記憶されている。信号処理部３４内の判定部では、そのレチクルＲのパターン領域ＰＡ内の二次電子の検出信号の分布とその基準パターンとを比較してパターン領域ＰＡ内の異物の分布及びその大きさを求める。

なお、検出装置５２の代わりに、図２（Ｂ）に示すように、写像投影型電子顕微鏡方式の検出装置５２Ａを使用してもよい。図２（Ｂ）において、検出装置５２Ａは、電子ビームＥＢ１を発生する電子銃５２Ａａ、発生した電子ビームＥＢ１を平行ビームに変換して被検面（パターン領域ＰＡ）の例えばＸ方向に細長い長方形の検出領域５３Ａに照射する集束系５２Ａｂ、検出領域５３Ａから発生する二次電子ＳＢ１を集束して拡大像を形成する結像系５２Ａｃ、及びその拡大像を撮像する２次元の撮像素子５２Ａｄを有する。撮像素子５２Ａｄの検出信号から検出領域５３Ａ内で発生する二次電子の検出信号の分布を計測できる。

図３（Ａ）の検出装置５２を検出装置５２Ａで置き換えた図３（Ｄ）に示すように、検出装置５２Ａも移動装置５４でＸ方向に移動できる。この場合には、検出領域５３ＡがＸ方向に細長いため、一例として検出領域５３Ａのパターン領域ＰＡに対する相対的な移動の軌跡５６Ｂで示すように、レチクルステージＲＳＴによって検出領域５３Ａに対してレチクルＲのパターン領域ＰＡをＹ方向に移動する動作と、検出領域５３ＡのＸ方向の幅分だけ移動装置５４によって検出装置５２ＡをＸ方向に移動する動作とを繰り返すことで、レチクルＲのパターン領域ＰＡの全面を検出領域５３Ａで効率的に走査できる。

図１において、一例として検出装置５２とレチクルブラインド２６との間に異物処理部３６が配置されている。異物処理部３６は、一例として検出装置５２によって検出されたレチクルＲのパターン面Ｒａの異物に対して、例えばＹＡＧレーザ等のパルスレーザ光を照射してその異物を除去する。また、検出装置５２用の移動装置５４と同様の、異物処理部３６をＸ方向に移動する移動装置（不図示）も設けられている。主制御装置３１によって制御される制御部３５が、その移動装置を駆動して異物処理部３６のＸ方向の位置を制御するとともに、異物処理部３６のレーザ照射を制御する。なお、異物処理部３６としては、それ以外に例えばＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)技術等で製造可能な微小なピンセット機構を用いて異物を除去する装置、又は静電吸着で異物を除去する装置、レチクルにガスや微粒子などを吹き付けて、異物を除去する装置等を使用できる。

次に、本実施形態の露光装置ＥＸによるレチクルＲの異物検出動作を含む露光方法の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。この動作は主制御装置３１によって制御される。まず、図４のステップ１０２において、レチクルステージＲＳＴにレチクルがロードされていない状態で、レチクルステージＲＳＴを可動範囲内で最も＋Ｙ方向の搬送口１ａの手前のレチクルのローディング位置Ａ２（保持位置）に移動する。本実施形態では、ローディング位置Ａ２はレチクルのアンローディング位置でもあるが、位置Ａ２とアンローディング位置とが異なっていてもよい。また、ローディング位置Ａ２は、ある目標位置の近傍の位置を含んでいる。

この動作と並行して、ロボットチャンバ２内でレチクルポッド（不図示）から取り出したレチクルＲを搬送ロボット４の上端の位置Ａ１で保持する。そして、搬送ロボット４によって搬送口１ａを通してレチクルＲをレチクルステージＲＳＴの静電チャックＲＨの直下に移動し、静電チャックＲＨでレチクルＲを保持し、導通機構５０によってレチクルＲのパターン面Ｒａを接地する。その後、レチクルステージＲＳＴを−Ｙ方向（照明領域２７Ｒの方向）に移動して、図３（Ｂ）に示すように、レチクルＲのパターン領域ＰＡの端部を検出装置５２の検出領域５３に移動する（ステップ１０４）。

そして、検出装置５２から検出領域５３への電子ビームＥＢ１の照射を開始し、検出領域５３内のパターンから発生する二次電子ＳＢ１の検出を開始する（ステップ１０６）。このように二次電子ＳＢ１を検出した状態で、例えば図３（Ｃ）の検出領域５３のパターン領域ＰＡに対する相対的な移動の軌跡５６Ａで示すように、移動装置５４によって検出装置５２をＸ方向に移動する動作と、検出領域５３のＹ方向の幅分だけレチクルステージＲＳＴによってレチクルＲをＹ方向に移動する動作とを繰り返すことで、パターン領域ＰＡと検出領域５３とを相対移動する（ステップ１０８）。このようにレチクルＲのパターン領域ＰＡの全面が検出装置５２の検出領域５３で走査された後、検出装置５２による異物検出動作を終了する。信号処理部３４内の演算部では、検出装置５２から供給された検出信号等を用いて、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の二次電子の検出信号の分布を求める（ステップ１１０）。

次に、信号処理部３４内の判定部は、二次電子の検出信号の分布と、予め記憶されている基準パターンとを比較し、一例として、検出信号の分布と基準パターンとの差分が予め定められているノイズレベルよりも大きい部分の大きさ及び位置を求める（ステップ１１２）。さらにその判定部は、一例として、その差分がノイズレベルよりも大きい部分のうちでその大きさが上記の最小の幅ｄmin 以上の部分を異物とみなし、この異物がある場合にはそのパターン領域ＰＡ内での位置を特定する。異物が無い場合には、異物が無いとの情報が主制御装置３１に供給され、異物がある場合には、その異物の大きさ及び位置の情報が主制御装置３１に供給される（ステップ１１４）。なお、異物があるかどうかを判定する別の方法として、検出された二次電子の検出信号の分布と、予め記憶されている基準パターンとの差分の分布のうち、差分の値が例えば実験的に定められている基準値を超えた部分を異物とみなしてもよい。

レチクルＲのパターン領域ＰＡ内で異物が検出されなかった場合には、動作はステップ１１６に移行し、レチクルＲのアライメントを行った後、レチクルステージＲＳＴを駆動して、レチクルＲのパターン領域ＰＡを照明領域２７Ｒ（この段階では露光光ＥＬは照射されていない）の＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向でもよい）の手前の露光開始位置に移動する。なお、その露光開始位置も含めて、レチクルＲに露光光ＥＬが照射されてウエハＷが走査露光される期間のレチクルステージＲＳＴの位置を露光位置（走査露光中の移動範囲内の位置）Ａ３とする。露光位置Ａ３はレチクルＲの照射位置でもあり、露光位置Ａ３は、レチクルＲが実際に露光光ＥＬで照射されている位置の近傍の位置を含んでいる。そして、ウエハステージＷＳＴに１ロットの先頭のレジストの塗布された未露光のウエハＷをロードし、ウエハＷのアライメントを行う（ステップ１１８）。その後、照明光学系ＩＬＳから照明領域２７Ｒへの露光光ＥＬの照射を開始し、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの全部のショット領域にレチクルＲのパターンの像を走査露光する（ステップ１２０）。その後、ウエハＷをアンロードし（ステップ１２２）、次のウエハを露光する場合には（ステップ１２４）、ステップ１１８〜１２２の動作を繰り返す。

ステップ１１４でレチクルＲのパターン領域ＰＡ内で異物が検出された場合、動作はステップ１３２に移行し、主制御装置３１は異物処理部３６によってその異物を処理させる。すなわち、レチクルステージＲＳＴ及び異物処理部３６の移動装置（不図示）を駆動して、異物処理部３６のパルスレーザ光の照射領域に、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の異物が検出された部分を移動し、その部分に異物処理部３６からパルスレーザ光を照射する。この異物処理動作は検出された全部に異物について実行される。その後、パターン領域ＰＡ内で異物の除去処理が行われた位置を検出装置５２の検出領域５３に順次移動し、異物の再検出を行う（ステップ１３４）。そして、ステップ１１４で異物があると判定された部分の異物が除去されたかどうかを判定し（ステップ１３６）、異物が除去された場合にはステップ１１６に移行してウエハの露光を行う。一方、ステップ１３６で異物が除去されていなかった場合、主制御装置３１は一例としてオペレータコールを行い、レチクルＲの除去されていない異物の大きさ及び位置の情報をオペレータに伝える。この後、例えばレチクルＲをレチクル保管室（不図示）等に戻してレチクルＲの洗浄を行い、洗浄後のレチクルＲがレチクルステージＲＳＴにロードされ、ステップ１０４以降のレチクルの異物検出が行われる。なお、別の方法として、異物が残存していると判定されたレチクルＲを同じパターンが形成された別のレチクルに交換し、ステップ１０４以降の異物検査を交換後のレチクルに対して実行してもよい。

この露光方法によれば、レチクルＲをレチクルステージＲＳＴにロードしてから露光開始までの間に、検出装置５２を用いてレチクルＲのパターン領域ＰＡに異物があるかどうかを検査（判定）している。そして、異物がある場合には異物処理を行い、異物が除去されていない場合には、そのレチクルＲを用いる露光を行わないため、ウエハＷに対する不要なパターンの露光を防止できる。

上述のように本実施形態の露光装置ＥＸは、真空環境でＥＵＶ光よりなる露光光ＥＬ（エネルギービーム）でレチクルＲのパターンを照明し、露光光ＥＬでそのパターン及び投影光学系ＰＯを介してウエハＷを露光する露光装置である。そして、露光装置ＥＸは、レチクルＲを保持するレチクルのローディング位置Ａ２（保持位置）とレチクルＲのパターンに露光光ＥＬが照明される露光位置Ａ３（照射位置）との間で移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルステージＲＳＴが位置Ａ２と露光位置Ａ３との間にあるときに、レチクルＲのパターン面Ｒａに電子ビームＥＢ１を照射する電子銃５２ａと、パターン面Ｒａと電子ビームＥＢ１とをパターン面Ｒａに沿った方向（Ｘ方向及びＹ方向）に相対走査する移動装置５４及びレチクルステージＲＳＴ（相対走査部）と、パターン面Ｒａから発生する二次電子ＳＢ１（発生エネルギー）を検出し、この検出結果を用いてレチクルＲのパターン面Ｒａの異物の有無及び／又は分布等の検査を行う検出装置５２及び信号処理部３４（検査部）と、を備えている。

また、露光装置ＥＸによる露光方法は、レチクルステージＲＳＴにレチクルＲを保持（ロード）するステップ１０２と、レチクルステージＲＳＴに保持されたレチクルＲに露光光ＥＬを照射するステップ１２０と、レチクルステージＲＳＴにレチクルＲを保持してからレチクルＲに露光光ＥＬを照射するまでの間に、レチクルＲのパターン面Ｒａに電子銃５２ａから電子ビームＥＢ１を照射して、パターン面Ｒａと電子ビームＥＢ１とをパターン面Ｒａに沿った方向に相対走査するステップ１０８と、パターン面Ｒａから発生する二次電子ＳＢ１を検出し、この検出結果を用いてレチクルＲのパターン面Ｒａの異物の有無等の検査を行うステップ１０６〜１１４と、を有する。

本実施形態によれば、ＥＵＶ光のような光学部材及び気体で吸収されやすい露光光ＥＬを用いて、保護膜の無いレチクルＲを介してウエハＷを露光する場合に、ウエハＷの露光開始前に、真空環境で透過可能であり、かつＥＵＶ光と同等の解像度を持つ電子ビームＥＢ１を用いてレチクルＲのパターン面に付着している異物を検出している。従って、保護膜の無いレチクルＲを使用する場合、異物が検出されたときには異物の除去、レチクルＲの洗浄、又はレチクルＲの交換等を行うことによって、ウエハＷに不要なパターンが露光されるのを防止できる。

また、本実施形態では、レチクルＲのパターン領域ＰＡに異物が検出された場合に、異物処理部３６によってその異物の除去処理を行っているため、その異物が除去された場合にはレチクルＲを用いて露光を行うことができる。なお、パターン領域ＰＡに異物が検出された場合、オンボディでの異物処理を行うことなく、レチクルＲの洗浄又はレチクルＲの別のレチクルとの交換等を行うようにしてもよい。この場合には異物処理部３６は設ける必要がない。

また、本実施形態では、レチクルＲをレチクルステージＲＳＴにロードした後でレチクルＲの異物検出を行っている。さらに、例えば所定枚数（例えば１ロット）のウエハに対する露光が終了する毎に、検出装置５２によってレチクルＲのパターン領域ＰＡの異物の検出を行い、異物が検出された場合には、異物除去処理、レチクルＲの洗浄、又は交換等を行うようにしてもよい。これによって、露光中にレチクルＲに異物が付着した場合でも、ウエハにその異物の像が露光されるのを抑制できる。

また、本実施形態において、検出装置５２（又は５２Ａ）を例えばＸ方向及び／又はＹ方向に複数個配置し、これら複数の検出装置５２（又は５２Ａ）を用いて並行してレチクルＲの異物検査を行うようにしてもよい。これによって、異物検査時間を短縮できる。
次に、上記の実施形態の第１変形例につき図５（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。なお、図５（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）において、図３（Ａ）〜（Ｃ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。

図５（Ａ）は、この第１変形例においてレチクルＲのパターン面の異物検査を行う検出装置５２Ｂ、及び検出装置５２ＢをレチクルＲに対してＸ方向（非走査方向）に移動する移動装置５４Ａを示す。図５（Ａ）において、検出装置５２Ｂは、平板状の基板５９、基板５９のレチクルＲのパターン面に対向する表面に、Ｘ方向に周期ｐ１で固定された複数の検出ユニット５８、及び信号処理装置（不図示）を有する。複数の検出ユニット５８は、ほぼレチクルＲのパターン領域ＰＡのＸ方向の幅の全面を覆うことが可能なように配列されている。

検出ユニット５８は、図５（Ｂ）の拡大図で示すように、電子ビームＥＢ１を発生するエミッタ部５８ｂ、エミッタ部５８ｂから射出された電子ビームＥＢ１をアノードとして作用する被検面（ここではレチクルＲのパターン領域ＰＡ）の検出点５８ａに集束する複数段の輪帯状のゲート電極５８ｃ、及び検出点５８ａから発生する二次電子ＳＢ１を検出する輪帯状の検出電極５８ｄを有する。また、複数段のゲート電極５８ｃに電圧を印加する電源部５８ｅ及び検出ユニット５８毎に検出電極５８ｄの電流を増幅する増幅部５８ｆが設けられており、増幅部５８ｆで得られる検出信号が信号処理部（不図示）に供給される。検出ユニット５８の高さは例えば１ｍｍ程度より小さくでき、検出ユニット５８から被検面までのワーキングディスタンス（ＷＤ）は例えば１ｍｍ程度より小さくできる。このような複数の小型の電子顕微鏡を並列に配置した構成の検出装置５２Ｂは、例えばＭＥＭＳ技術を用いて製造できる。

また、図５（Ａ）において、移動装置５４Ａは、Ｘ軸に平行なガイド部５４Ａａ、及びガイド部５４Ａａに沿って検出装置５２ＢをＸ方向に幅ｐ１以上の可動範囲６０Ａ（図５（Ｃ）参照）内で駆動するスライド部５４Ａｂを有する。スライド部５４Ａｂにはエンコーダが組み込まれている。
この変形例の検出装置５２Ｂ及び移動装置５４Ａを用いてレチクルＲのパターン領域ＰＡの異物を検出する場合、図５（Ｃ）に示すように、全部の検出ユニット５８からパターン領域ＰＡの対応する検出点５８ａに電子ビームＥＢ１を照射し、検出点５８ａからの二次電子ＳＢ１を検出する。この状態で、移動装置５４Ａによって検出ユニット５８の配列ピッチ（ｐ１）分だけ検出装置５２ＢをＸ方向に移動する動作と、電子ビームＥＢ１の集束領域のＹ方向の幅分だけレチクルステージＲＳＴによってレチクルＲを走査方向ＳＤ（Ｙ方向）に移動する動作とを繰り返すことで、複数の検出点５８ａの相対的な移動の軌跡５６Ｃで示すように、レチクルＲのパターン領域ＰＡの全面を複数の検出点５８ａで効率的に走査できる。この走査によってパターン領域ＰＡの異物検査を行うことができる。

なお、レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持した状態でレチクルベースＲＢに対してある程度の可動範囲６０Ｂ内でＸ方向（非走査方向）に移動可能である。そこで、検出ユニット５８の配列ピッチｐ１がそのＸ方向の可動範囲６０Ｂより小さい場合には、図５（Ｄ）に示すように、移動装置５４Ａを設けることなく、検出装置５２ＢとレチクルＲのパターン領域ＰＡとのＸ方向の相対移動をレチクルステージＲＳＴで行うようにしてもよい。これによって、異物検出機構が簡素化できる。

次に、上記の実施形態では、レチクルステージＲＳＴのＸ方向の可動範囲は狭いが、図６（Ａ）〜（Ｄ）の第２変形例で示すように、レチクルステージＲＳＴのＸ方向の可動範囲を部分的に広くしてもよい。なお、図６（Ａ）〜（Ｄ）において、図３（Ａ）〜（Ｃ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図６（Ａ）は、この第２変形例のレチクルステージＲＳＴの駆動機構の概略構成を示す。図６（Ａ）において、レチクルステージＲＳＴを駆動する例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータの多数のコイル（不図示）が組み込まれたレチクルベースＲＢＡは、レチクルＲの走査露光のみに使用される第１部分ＲＢＡａのＸ方向の幅は上記の実施形態と同じであり、レチクルＲの異物検査及び走査露光の両方に使用される第２部分ＲＢＡｂのＸ方向の幅は、第１部分ＲＢＡａの幅に比べて±Ｘ方向に互いに同じ可動範囲６０Ｃ及び６０Ｂだけ広く設定されている。この例では、検出装置５２のＸ方向の位置は、ほぼ照明領域２７Ｒの中央の位置と同じであり、検出装置５２をＸ方向に移動する移動装置は設けられていない。さらに、可動範囲６０Ｂ，６０Ｃの合計は、レチクルＲのパターン領域ＰＡのＸ方向の幅の長さとほぼ同じである。

この変形例において、検出装置５２でパターン領域ＰＡの異物を検出する場合には、レチクルベースＲＢＡの第２部分ＲＢＡｂ内でレチクルステージＲＳＴを走査方向ＳＤ及びＸ方向に駆動して、一例として、図６（Ｂ）に示すように、レチクルＲのパターン領域ＰＡの端部を検出装置５２の検出領域５３に移動する。そして、検出装置５２からの電子ビームＥＢ１の照射及び二次電子ＳＢ１の検出を開始して、検出領域５３のパターン領域ＰＡに対する相対的な移動の軌跡５６Ｄで示すように、レチクルステージＲＳＴをＸ方向及びＹ方向に移動して、検出領域５３でパターン領域ＰＡの全面を走査する（図６（Ｃ）参照）。この動作で得られる検出信号を用いてパターン領域ＰＡに対する異物の有無を検査できる。その後、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲのパターン領域ＰＡをＹ方向に移動して走査露光を行うときには、図６（Ｄ）に示すように、レチクルベースＲＢＡの第１部分ＲＢＡａ及び第２部分ＲＢＡｂでレチクルステージＲＳＴ（露光位置Ａ３にある）をＹ方向に往復移動する。

この変形例によれば、検出装置５２用の移動装置を設けることなく、レチクルステージＲＳＴを移動するのみで、検出装置５２によってレチクルＲのパターン領域ＰＡ（パターン面）の異物検査を行うことができる。また、この変形例では、レチクルステージＲＳＴにレチクルＲがロードされるローディング位置Ａ２（図６（Ａ）参照）に対して、検出装置５２によってレチクルＲの異物検査を行う場合のレチクルステージＲＳＴの位置はＸ方向（非走査方向）に大きく位置ずれしていることがある。

また、上記の実施形態及びその変形例ではレチクルＲのパターン面から発生する二次電子を検出しているが、検出対象は任意である。例えばレチクルＲのパターン面に電子ビームを照射したときに、そのパターン面から発生する反射電子、散乱電子、Ｘ線（例えば特性Ｘ線）、又は蛍光等（Ｘ線以外の波長域の光を含む）を検出し、この検出信号から異物の有無、異物の組成、及び／又は大きさ等を検査してもよい。

また、異物の検出装置５２等の代わりに、被検面に電子ビームを照射して被検面から発生するＸ線からエネルギー分散Ｘ線分光法(energy dispersive X-ray spectrometry: EDS又はEDX)を用いて、被検面のパーティクルの組成を検査・分析する検査装置を使用してもよい。
さらに、異物の検出装置５２等の代わりに、被検面から発生するＸ線から波長分散Ｘ線分光法(wavelength dispersive X-ray spectrometry: WDS又はWDX)を用いて被検面のパーティクルの組成を検査・分析する検査装置を使用してもよい。

また、上記の実施形態では、ステップ１０６〜１１４でレチクルＲに異物が検出された場合、ステップ１３２〜１３６でその異物の処理を行っている。別の方法として、レチクルＲに異物が検出された場合には、単にパターン領域ＰＡ内でのその異物の位置（又はさらにその大きさ）を信号処理部３４内の記憶部に記憶しておいてもよい。この場合、例えば１枚又は所定の複数枚のウエハの露光後に、再度、レチクルＲの異物検査を行い、前回検出された位置で再び異物が検出されたときに、露光動作を停止して、レチクルＲの洗浄又は交換等を行うようにしてもよい。

［第２の実施形態］
第２の実施形態につき図７（Ａ）〜図９を参照して説明する。本実施形態はいわゆるツインレチクルステージを用いる点が第１の実施形態と異なっている。以下、図７（Ａ）〜図８（Ｂ）において、図３（Ａ）〜（Ｃ）に対応する部分には同一又は類似の符号を付してその詳細な説明を簡略化又は省略する。

図７（Ａ）は、本実施形態のＥＵＶ光を露光光として用いる露光装置ＥＸＡのレチクルステージ及び異物の検出装置を示す。露光装置ＥＸＡは、図１の真空チャンバ１と同様の真空チャンバ（不図示）の天井部に配置されたレチクルベースＲＢＢを備えている。レチクルベースＲＢＢは、図１のレチクルベースＲＢと比べてＸ方向（非走査方向）の幅がほぼ３倍である。図７（Ａ）〜図８（Ｂ）は、レチクルベースＲＢＢ側からレチクルステージ等を見た平面図である。なお、レチクルベースＲＢＢはその一部のみが２点鎖線で表され、レチクルステージ等も２点鎖線で表されている。

図７（Ａ）において、露光装置ＥＸＡは、レチクルベースＲＢＢのガイド面（下面）に例えば磁気浮上型アクチュエータによって所定間隔を隔てて、かつＸ方向に駆動可能に支持されたＸステージＲＢＸ、及びＸステージＲＢＸのガイド面（下面）に例えば磁気浮上型アクチュエータによって所定間隔を隔てて、かつ互いに平行にＹ方向（走査方向）に駆動可能な状態で、Ｘ方向に離れて支持された第１及び第２のレチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢを備えている。レチクルベースＲＢＢ及びＸステージＲＢＸのガイド面はそれぞれＸＹ面に平行である。レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢはＸステージＲＢＸに対してＸ方向及びθｚ方向にもある程度の範囲で駆動可能である。レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢの構成はそれぞれ図１のレチクルステージＲＳＴと同様であり、レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢの下面にそれぞれ静電チャックＲＨＡ，ＲＨＢを介して第１及び第２のレチクルＲＡ，ＲＢが吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢには、レチクルＲＡ，ＲＢを接地する導通機構（不図示）が設けられている。本実施形態では、レチクルＲＡ，ＲＢのパターン領域ＰＡＡ，ＰＡＢには互いに異なるパターン（それぞれ符号Ａ，Ｂで表されている）が形成されている。

ＸステージＲＢＸはレチクルベースＲＢＢに対してＸ方向の幅がほぼ２／３である。ＸステージＲＢＸのレチクルベースＲＢＢに対するＸ方向の可動範囲は、レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢのＸ方向の中心の間隔をわずかに超える程度でよい。また、レチクルベースＲＢＢに対するＸステージＲＢＸのＸ方向、Ｙ方向の位置等を計測するレーザ干渉計（不図示）、及びＸステージＲＢＸに対するレチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢのＸ方向、Ｙ方向の位置等を個別に計測するレーザ干渉計（不図示）が設けられている。これらのレーザ干渉計の計測値及び主制御装置（不図示）からの制御情報に基づいて、ステージ制御部（不図示）がＸステージＲＢＸ及びレチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢの動作を制御する。

また、露光装置ＥＸＡは、図１の照明光学系ＩＬＳと同様に、ＥＵＶ光よりなる露光光で照明領域２７Ｒを照明する照明光学系（不図示）を備えている。図７（Ａ）においては、レチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢはそれぞれＸステージＲＢＸに対してＹ方向の可動範囲内で＋Ｙ方向の端部のレチクルのローディング位置Ａ２Ａ，Ａ２Ｂにある。一例として、位置Ａ２Ａ，Ａ２Ｂはレチクルのアンローディング位置でもある。また、図７（Ａ）では、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡは＋Ｙ方向（−Ｙ方向でもよい）に離れた位置にある。

露光装置ＥＸＡは、照明領域２７Ｒに対して＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に配置され、被検面の検出領域５３Ｅ，５３Ｆに電子ビームを照射して異物検出を行う第１及び第２の検出装置５２Ｅ，５２Ｆ、及び検出装置５２Ｅ，５２ＦをＸ方向に移動するスライド部５４Ｅｄ，５４Ｆｄを含む第１及び第２の移動装置５４Ｅ，５４Ｆを備えている。一例として、検出装置５２Ｅ，５２Ｆとしては、図１のＳＥＭ型の検出装置５２が使用できる。なお、検出装置５２Ｅ，５２Ｆとしては、図２（Ｂ）の写像投影型の検出装置５２Ａ、又は図５（Ａ）のアレイ型の検出装置５２Ｂ等の任意の装置が使用可能である。移動装置５４Ｅ，５４Ｆは図３（Ａ）の移動装置５４と同様の構成である。露光装置ＥＸＡのこれ以外の構成は第１の実施形態の露光装置ＥＸと同様である。

次に、本実施形態の露光装置ＥＸＡによるレチクルＲＡ，ＲＢの異物検出動作を含む露光方法の一例につき図９のフローチャートを参照して説明する。一例として、ウエハに対してレチクルＲＡ，ＲＢのパターンの像を二重露光するものとする。まず、図９のステップ１４０において、図７（Ａ）のローディング位置Ａ２Ａ，Ａ２ＢにあるレチクルステージＲＳＴＡ，ＲＳＴＢに、不図示の搬送ロボットによって静電チャックＲＨＡ，ＲＨＢを介してレチクルＲＡ，ＲＢがロードされる。そして、レチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡが照明領域２７Ｒに対して＋Ｙ方向の露光開始位置に来るように、ＸステージＲＢＸが駆動される（ステップ１４２）。その後、レチクルＲＡを用いたウエハの露光（ステップ１４４，１４６）と、レチクルＲＢの異物検出及び異物処理（ステップ１４８〜１５４）とが並行に実行される。

すなわち、ステップ１４４では、不図示のウエハステージにレジストが塗布された不図示のウエハがロードされる。その後、レチクルステージＲＳＴＡをＹ方向に駆動して、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡを矢印Ａ６で示す−Ｙ方向及び矢印Ａ７（図７（Ｂ）参照）で示す＋Ｙ方向に交互に走査し、不図示のウエハステージを同期して移動することで、ウエハの全部のショット領域にレチクルＲＡのパターンの像が露光される（ステップ１４６）。その後、動作はステップ１５６に移行する。

一方、ステップ１４８では、移動装置５４Ｆによる検出装置５２Ｆの矢印Ａ４で示すＸ方向への移動と、レチクルステージＲＳＴＢによるレチクルＲＢの矢印Ａ５で示すＹ方向への移動とによって、例えば図７（Ｂ）の検出領域５３Ｆの相対的な移動の軌跡５６Ｅで示すように、レチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢの全面を検出装置５２Ｆの検出領域５３Ｆで走査して、発生する二次電子を検出することでパターン領域ＰＡＢの異物検出を行う。そして、ステップ１５０，１５２で、図４のステップ１１２，１１４と同様に、二次電子の検出信号の分布と予め記憶されているレチクルＲＢの二次電子の検出信号の分布（第２基準パターン）とを比較して、パターン領域ＰＡＢに異物があるかどうかを判定する。異物がない場合にはステップ１５６に移行し、異物がある場合にはステップ１５４においてステップ１３２〜１３８と同様に異物処理を行う。

そして、ステップ１５６では、ＸステージＲＢＸを＋Ｘ方向に駆動して、図８（Ａ）に示すように、レチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢを照明領域２７Ｒに対して＋Ｙ方向の露光開始位置に移動する。その後、レチクルＲＢを用いたウエハの露光（ステップ１５８，１６０）と、レチクルＲＡの異物検出及び異物処理（ステップ１６２〜１６８）とが並行に実行される。すなわち、ステップ１５８で、レチクルステージＲＳＴＢをＹ方向に駆動して、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢを矢印Ａ８で示す−Ｙ方向及び矢印Ａ９（図８（Ｂ）参照）で示す＋Ｙ方向に交互に走査し、不図示のウエハステージを同期して移動することで、ウエハの全部のショット領域にレチクルＲＢのパターンの像が二重露光される。露光済みのウエハはアンロードされ（ステップ１６０）、動作はステップ１７０に移行する。露光済みのウエハには、現像及びパターン形成が行われる。

一方、ステップ１６２では、移動装置５４Ｅ及びレチクルステージＲＳＴＡの駆動によって、例えば図８（Ｂ）の検出領域５３Ｅの相対的な移動の軌跡５６Ｆで示すように、レチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡの全面を検出装置５２Ｅの検出領域５３Ｅで走査して、パターン領域ＰＡＡから発生する二次電子の検出（異物検出）を行う。そして、ステップ１６４，１６６，１６８で、ステップ１５０〜１５４と同様に、二次電子の検出信号の分布とレチクルＲに対応した第１基準パターンとの比較による異物の有無の判定、及び異物がある場合の異物処理を行う。その後、ステップ１７０で次のウエハに対する露光（ステップ１４４〜１６８の動作）が行われる。

この実施形態の露光方法によれば、ツインレチクルステージ構成の露光装置ＥＸＡにおいて、一方のレチクルステージＲＳＴＡ（又はＲＳＴＢ）でレチクルＲＡ（又はＲＢ）を用いてウエハを露光しているときに、他方の待機中のレチクルステージＲＳＴＢ（又はＲＳＴＡ）のレチクルＲＢ（又はＲＡ）のパターン領域の異物検査を行っている。従って、異物検査のための露光工程のスループットの低下を抑制できる。さらに、例えば第２のレチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢに異物が検出された場合には、このレチクルＲＢの異物除去処理、洗浄又は交換等を行うことによって、レチクルＲＢを用いた露光を防止でき、ウエハに不要なパターンが露光されることを防止できる。さらに、例えば第２のレチクルＲＢを用いた露光中に第１のレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡに異物が検出された場合には、このレチクルＲＡの洗浄又は交換等を行うことによって、その後のウエハに対するレチクルＲＡを用いた露光を防止でき、最終的に製造される半導体デバイス等の歩留まりを高く維持できる。

なお、本実施形態では、第１のレチクルＲＡを用いて露光を行うときに、第２のレチクルＲＢの異物検出を行っている。これとは別に、第１のレチクルＲＡを用いて露光を行う前に、予め図８（Ａ）の状態にして、第２のレチクルＲＢを用いた露光を行うことなく、第１のレチクルＲＡの異物検査を行うようにしてもよい。
また、本実施形態では第１及び第２のレチクルＲＡ，ＲＢを用いてウエハに二重露光を行っている。しかしながら、必ずしも二重露光を行う必要はなく、例えばレチクルＲＡ，ＲＢを用いてウエハの異なるレイヤに対する露光を行うようにしてもよい。

［第３の実施形態］
第３の実施形態につき図１０（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。本実施形態は２つのレチクルがいわゆるタンデム配置されたレチクルステージを用いる点が第１の実施形態と異なっている。以下、図１０（Ａ）、（Ｂ）において、図３（Ａ）〜（Ｃ）及び図７（Ａ）に対応する部分には同一又は類似の符号を付してその詳細な説明を簡略化又は省略する。

図１０（Ａ）は、本実施形態のＥＵＶ光を露光光として用いる露光装置ＥＸＢのレチクルステージ及び異物の検出装置を示す。露光装置ＥＸＢは、図１の真空チャンバ１と同様の真空チャンバ（不図示）の天井部に配置されたＹ方向（走査方向）に細長いレチクルベースＲＢＣを備えている。図１０（Ａ）、（Ｂ）は、レチクルベースＲＢＣ側からレチクルステージ等を見た平面図である。なお、レチクルベースＲＢＣ及びレチクルステージ等は２点鎖線で表されている。

図１０（Ａ）において、露光装置ＥＸＢは、レチクルベースＲＢＣのガイド面（下面）に例えば磁気浮上型アクチュエータによって所定間隔を隔てて支持され、かつＹ方向に図１のレチクルステージＲＳＴの２倍程度の可動範囲で駆動可能で、レチクルステージＲＳＴに比べてＹ方向の長さがほぼ２倍のレチクルステージＲＳＴＣを備えている。レチクルステージＲＳＴＣはレチクルベースＲＢＣに対してＸ方向及びθｚ方向にもある程度の範囲で駆動可能である。レチクルステージＲＳＴＣの下面にそれぞれ静電チャックＲＨＡ，ＲＨＢを介してＹ方向に隣接して第１及び第２のレチクルＲＡ，ＲＢが吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴＣには、レチクルＲＡ，ＲＢを接地する導通機構（不図示）が設けられている。

また、露光装置ＥＸＢは、図１の照明光学系ＩＬＳと同様に、ＥＵＶ光よりなる露光光で照明領域２７Ｒを照明する照明光学系（不図示）を備えている。本実施形態では、照明領域２７ＲのＸ方向の中心と、レチクルステージＲＳＴＣに保持されたレチクルＲＡ，ＲＢのＸ方向の中心とはＸ方向の位置がほぼ同じである。
露光装置ＥＸＢは、照明領域２７Ｒに対して−Ｙ方向及び＋Ｙ方向に配置され、被検面の検出領域５３Ｅ，５３Ｆに電子ビームを照射して異物検出を行う第１及び第２の検出装置５２Ｅ，５２Ｆ、及び検出装置５２Ｅ，５２ＦをＸ方向に移動する第１及び第２の移動装置５４Ｅ，５４Ｆを備えている。露光装置ＥＸＢのこれ以外の構成は第１の実施形態の露光装置ＥＸと同様である。

本実施形態の露光装置ＥＸＢによるレチクルＲＡ，ＲＢの異物検出動作を含む露光方法の一例につき説明する。本実施形態においても、ウエハに対してレチクルＲＡ，ＲＢのパターンの像を二重露光することが可能である。まず、レチクルステージＲＳＴＣを例えばＹ方向の可動範囲内で＋Ｙ方向の端部のローディング位置（不図示）に移動して、不図示の搬送ロボットによって静電チャックＲＨＡ，ＲＨＢを介してレチクルＲＡ，ＲＢをロードする。そして、例えばレチクルＲＢのパターンを不図示のウエハに露光する場合、図１０（Ａ）に示すように、レチクルステージＲＳＴＣを−Ｙ方向に駆動して、照明領域２７Ｒに対して−Ｙ方向側にレチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢを移動する。この状態では、検出装置５２Ｅの検出領域５３ＥがレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡに対して＋Ｙ方向側に位置している。

この後、照明領域２７Ｒに露光光を照射し、レチクルステージＲＳＴＣを駆動して、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲＢを＋Ｙ方向に移動する動作と、図１０（Ｂ）に示すように、照明領域２７Ｒに対してレチクルＲＢを−Ｙ方向に移動する動作とを繰り返すことで、不図示のウエハの複数のショット領域に順次レチクルＲＢのパターンの像が露光される。この動作と並行して、検出装置５２Ｅから検出領域５３Ｅに電子ビームを照射して、二次電子を検出しながら、検出領域５３ＥがレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡをＹ方向に一度走査する毎に、移動装置５４Ｅによって検出装置５２Ｅを検出領域５３ＥのＸ方向の幅分だけＸ方向に移動する。この動作を繰り返すことで、検出領域５３Ｅの相対的な移動の軌跡５６Ｆで示すように、レチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡの全面が検出装置５２Ｅの検出領域５３Ｅで走査されて、パターン領域ＰＡＡの全面で異物検出を行うことができる。異物が検出された場合には、異物除去、又はレチクルＲＡの洗浄、交換等が行われる。

一方、レチクルＲＡのパターンを不図示のウエハに露光する場合には、レチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡを照明領域２７Ｒに対してＹ方向に往復移動する動作と並行して、移動装置５４Ｆによって次第に検出装置５２ＦをＸ方向に移動していくことで、レチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢの全面を検出装置５２Ｆの検出領域５３Ｆで走査して、パターン領域ＰＡＢの全面で異物検出を行うことができる。異物が検出された場合には、異物除去、又はレチクルＲＢの洗浄、交換等が行われる。

この実施形態の露光方法によれば、レチクルＲＡ，ＲＢがタンデム配置されたレチクルステージＲＳＴＣを用いる露光装置ＥＸＢにおいて、一方のレチクルＲＢ（又はＲＡ）のパターンの像をウエハに露光しているときに、他方の待機中のレチクルＲＡ（又はＲＢ）のパターン領域の異物検査を行っている。従って、例えばレチクルＲＡのパターン領域ＰＡＡに異物が検出された場合には、このレチクルＲＡの異物除去、洗浄又は交換等を行うことによって、ウエハに不要なパターンが露光されることを防止できる。さらに、例えばレチクルＲＡを用いた露光中にレチクルＲＢのパターン領域ＰＡＢに異物が検出された場合には、このレチクルＲＢの異物除去、洗浄又は交換等を行うことによって、その後のウエハに対する不要なパターンの露光を防止でき、最終的に製造される半導体デバイス等の歩留まりを高く維持できる。

また、上記の実施形態の露光装置ＥＸ〜ＥＸＢ又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、この電子デバイスは、図１１に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置又は露光方法によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。

言い替えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて、マスクのパターンを介して基板（ウエハＷ）を露光する工程と、その露光された基板を処理する工程（即ち、基板のレジストを現像し、そのマスクのパターンに対応するマスク層をその基板の表面に形成する現像工程、及びそのマスク層を介してその基板の表面を加工（加熱及びエッチング等）する加工工程）と、を含んでいる。

このデバイス製造方法によれば、レチクルの異物の像がウエハＷに露光されるのを抑制できるため、レチクルのパターンを高精度に露光でき、製造される電子デバイスの歩留まりを向上できる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子（ＣＭＯＳ型、ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイス（電子デバイス）の製造プロセスにも広く適用できる。

なお、上記の実施形態では、露光光としてレーザプラズマ光源で発生したＸ線（ＥＵＶ光）を使用しているが、露光光としては例えば放電プラズマ光源やシンクロトロン放射光(Synchrotron Radiation)よりなるＸ線を使用することもできる。
また、上記の実施形態では露光光としてＥＵＶ光を用い、６枚のミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これは一例である。例えば、４枚等のミラーのみから成る投影光学系を備えた露光装置は勿論、光源に波長１００〜１６０ｎｍのＶＵＶ光源、例えばＡｒ₂ レーザ（波長１２６ｎｍ）を用い、４〜８枚等のミラーを有する投影光学系を備えた露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、マスクを用いる走査露光型の電子ビーム露光装置において、マスクの異物検査を行う場合にも適用できる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

ＥＸ，ＥＸＡ，ＥＸＢ…露光装置、ＩＬＳ…照明光学系、ＲＳＴ，ＲＳＴＡ，ＲＳＴＢ…レチクルステージ、Ｒ，ＲＡ，ＲＢ…レチクル、ＰＡ，ＰＡＡ，ＰＡＢ…パターン領域、ＰＯ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、１…真空チャンバ、１０…レーザプラズマ光源、２７Ｒ…照明領域、３１…主制御装置、３４…信号処理部、３６…異物処理部、５２，５２Ａ，５２Ｂ…異物の検出装置、５４，５４Ａ…移動装置

Claims (30)

1. 真空環境でエネルギービームでマスクのパターンを照明し、前記エネルギービームで前記パターン及び投影系を介して物体を露光する露光方法において、
   前記第１マスクステージに第１マスクを保持させることと、
   前記第１マスクステージに保持された前記第１マスクに前記エネルギービームを照射することと、
   前記第１マスクステージに前記第１マスクを保持してから、前記第１マスクに前記エネルギービームを照射するまでの間に、前記第１マスクのパターン面に電子ビーム源から電子ビームを照射することと、
   前記第１マスクの前記パターン面から発生する発生エネルギーを検出し、該検出結果を用いて前記第１マスクの前記パターン面の検査を行うことと、
   を含む露光方法。
2. 前記電子ビームを照射することは、前記パターン面と前記電子ビームとを前記パターン面に沿った方向に相対走査することを含む請求項１に記載の露光方法。
3. 前記パターン面の検査を行うことは、前記パターン面に付着している異物を検査することを含む請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
4. 前記電子ビームを照射することは、前記第１マスクが前記第１マスクステージに保持された状態で前記電子ビームを照射することを含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の露光方法。
5. 前記パターン面の検査を行うことは、前記第１マスクステージを停止させた状態で、前記第１マスクに前記電子ビームを照射することを含む請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の露光方法。
6. 前記パターン面の検査を行うことは、前記第１マスクステージに前記第１マスクを保持させる保持位置と、前記第１マスクに前記エネルギービームを照射する照射位置との間で、前記第１マスクの検査を行うことを含む請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の露光方法。
7. 前記第１マスクの前記パターン面と前記電子ビームとを相対走査することは、前記電子ビームを前記パターン面に沿って少なくとも一次元的に走査することを含む請求項２に記載の露光方法。
8. 前記第１マスクの前記パターン面と前記電子ビームとを相対走査することは、前記第１マスクステージを前記走査方向に移動して前記電子ビームに対して前記第１マスクを前記走査方向に移動することを含む請求項２又は請求項７に記載の露光方法。
9. 前記第１マスクの前記パターン面と前記電子ビームとを相対走査することは、前記電子ビーム源を前記走査方向に交差する方向に移動することを含む請求項２、請求項７、又は請求項８に記載の露光方法。
10. 前記パターン面の検査を行うことは、前記第１マスクステージが前記照射位置よりも前記走査方向に離れて設けられる前記保持位置に配置されるときに、前記第１マスクステージのマスク保持部に対向する位置よりも前記走査方向に交差する非走査方向に離れた位置から前記電子ビームを照射することを含み、
    前記第１マスクの前記パターン面に前記電子ビーム源から前記電子ビームを照射する前に、前記第１マスクステージを前記非走査方向に移動することを含む請求項６に記載の露光方法。
11. 前記パターン面の検査を行うことは、前記第１マスクステージが前記照射位置よりも前記走査方向に離れて設けられる前記保持位置に配置されるときに、前記第１マスクステージのマスク保持部に対向する位置よりも前記走査方向に交差する非走査方向に離れた位置から前記電子ビームを照射することを含み、
    前記第１マスクの前記パターン面に前記電子ビーム源から前記電子ビームを照射する前に、前記電子ビーム源を前記非走査方向に移動することを含む請求項６又は請求項１０に記載の露光方法。
12. 前記第１マスクステージに保持された前記第１マスクの前記パターン面と前記電子ビームとを相対走査するときに、前記エネルギービームで、前記第１マスクステージに対して前記非走査方向に離れて配置された第２マスクステージに保持された第２マスクのパターンの一部及び前記投影系を介して前記物体を露光することと、
    前記第１マスクステージと前記第２マスクステージとを前記走査方向に交差する非走査方向に移動して、前記第１マスクステージを前記第１マスクに対して前記エネルギービームが照射可能な位置に移動することと、
    を含む請求項２、及び請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の露光方法。
13. 前記第１マスクの前記パターン面の検査結果に応じた処理を行うことを含む請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の露光方法。
14. 前記第１マスクの前記パターン面の検査によって異物が検出されたときに、前記異物を除去することを含む請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の露光方法。
15. 前記エネルギービームはＥＵＶ光である請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の露光方法。
16. 前記発生エネルギーは電子線及びＸ線の少なくとも一方を含む請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の露光方法。
17. 真空環境でエネルギービームでマスクのパターンを照明し、前記エネルギービームで前記パターン及び投影系を介して物体を露光する露光装置において、
    第１マスクを保持するマスクの保持位置と前記第１マスクのパターンに前記エネルギービームが照明される照射位置との間で移動する第１マスクステージと、
    前記第１マスクステージが、前記保持位置と前記照射位置との間にあるときに、前記第１マスクのパターン面に電子ビームを照射する電子ビーム源と、
    前記第１マスクの前記パターン面から発生する発生エネルギーを検出し、該検出結果を用いて前記第１マスクの前記パターン面の検査を行う検査部と、
    を備える露光装置。
18. 前記パターン面と前記電子ビームとを前記パターン面に沿った方向に相対走査する相対走査部をさらに備える請求項１７に記載の露光装置。
19. 前記検査部は、前記パターン面に付着している異物を検査する請求項１７又は請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記電子ビーム源は、前記第１マスクが前記第１マスクステージに保持された状態で前記電子ビームを照射する請求項１７から請求項１９のいずれか一項に記載の露光装置。
21. 前記電子ビーム源は、前記第１マスクステージが停止した状態で、前記第１マスクに前記電子ビームを照射する請求項１７から請求項２０のいずれか一項に記載の露光装置。
22. 前記相対走査部は、前記電子ビームを前記パターン面に沿って少なくとも一次元的に走査する電子ビーム走査系を含む請求項１８に記載の露光装置。
23. 前記相対走査部は、前記第１マスクステージを前記走査方向に移動して前記電子ビームに対して前記第１マスクを前記走査方向に移動する第１制御部を含む請求項１８又は請求項２２に記載の露光装置。
24. 前記相対走査部は、前記電子ビーム源を前記走査方向に交差する方向に移動する第２制御部を含む請求項１８、請求項２２、又は請求項２３に記載の露光装置。
25. 前記第１マスクステージに対して前記非走査方向に離れて配置されて第２マスクを保持して前記走査方向に移動する第２マスクステージと、
    前記第１マスクステージと前記第２マスクステージとを前記非走査方向に移動して、前記第１マスクステージを前記照射位置に移動する第３制御部と、を備え、
    前記相対走査部が、前記第１マスクステージに保持された前記第１マスクの前記パターン面と前記電子ビームとを相対走査するときに、
    前記エネルギービームで、第２マスクステージに保持された第２マスクのパターンの一部及び前記投影系を介して前記物体を露光する請求項１８、及び請求項２２から請求項２４のいずれか一項に記載の露光装置。
26. 前記マスクの前記パターン面の検査によって異物が検出されたときに、前記異物を除去する異物処理装置を備える請求項１７から請求項２５のいずれか一項に記載の露光装置。
27. 前記エネルギービームはＥＵＶ光である請求項１７から請求項２６のいずれか一項に記載の露光装置。
28. 前記発生エネルギーは電子ビーム及びＸ線の少なくとも一方を含む請求項１７から請求項２７のいずれか一項に記載の露光装置。
29. 請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板に感光層のパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。
30. 請求項１７から請求項２８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板に感光層のパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。

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