KR101469607B1 - Crystal device and method for manufacturing thereof - Google Patents
Crystal device and method for manufacturing thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101469607B1 KR101469607B1 KR1020130012653A KR20130012653A KR101469607B1 KR 101469607 B1 KR101469607 B1 KR 101469607B1 KR 1020130012653 A KR1020130012653 A KR 1020130012653A KR 20130012653 A KR20130012653 A KR 20130012653A KR 101469607 B1 KR101469607 B1 KR 101469607B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cavity
- package structure
- sheet
- cured
- lead
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
본 발명의 수정 디바이스의 리드가 반경화 상태였다가 경화되어 형성된 시트를 포함하는 수정 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 수정 디바이스의 리드의 단가를 낮출 수 있으며 그 제조 공정이 용이하며, 상기 리드를 수정 디바이스에 조립하는 공정이 용이하여 조립 공정 단가를 낮출 수 있어, 전체적으로 수율을 높이고 단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 수정 디바이스는 패키지 구조물, 수정편 및 리드를 포함하는 수정 디바이스로서, 상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고, 상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고, 상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함한다.According to the present invention, it is possible to lower the unit cost of the lead of the correction device and to facilitate the manufacturing process thereof. According to the present invention, there is provided a correction device including a sheet formed by hardening a lead of a modification device of the present invention in a semi-cured state, And the process of assembling the lead to the correction device is easy, so that the cost of the assembling process can be lowered, thereby improving the overall yield and reducing the unit cost.
A modification device of the present invention is a modification device comprising a package structure, a modification piece and a lead, wherein the package structure has a cavity for mounting the modification piece, the modification piece being mounted inside the cavity, And a sheet formed of a resin which is bonded to one side of the package structure in an oxidized state and is cured to seal the opening of the cavity.
Description
본 발명의 수정 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 수정 디바이스의 리드가 반경화 상태였다가 경화되어 형성된 시트를 포함하는 수정 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a correction device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a modification device including a sheet formed by hardening a lead of a modification device in a semi-cured state, and a manufacturing method thereof.
수정 디바이스는 이동통신단말기 등에 있어서 신호의 전송 및 수신을 제어하기 위한 발진주파수를 생성하기 위한 필수적인 부품이다. 수정 디바이스는 다른 발진기에 비해 주파수의 안정도가 우수하여 각종 통신 장치 등에서 통용되고 있다.The correction device is an essential part for generating an oscillation frequency for controlling transmission and reception of signals in a mobile communication terminal or the like. The correction device is superior in stability of frequency to other oscillators and is widely used in various communication apparatuses and the like.
수정 디바이스(40)의 일반적인 구조는 도 1에 도시한 것과 같이, 패키지 구조물(10), 수정편(20) 및 리드(30)를 포함한다. 패키지 구조물(10)은 캐비티를 구비하고 있다. 상기 수정편(20)은 상기 캐비티 내부에 실장된다. 상기 리드(30)는 상기 캐비티의 개구부를 밀폐한다. The general structure of the
수정편(20)은 외부의 환경에 민감하게 작동하기 때문에 리드(30)를 통해 외부로부터 격리되게 된다. 통상적으로 리드(30)는 캐비티의 개구부를 덮을 수 있는 크기의 플레이트로 패키지 구조물(10)에 용접 등의 방식을 통해 결합된다. 또한 리드(30)는 용접 등의 용이성을 위해 금속의 재질로 형성된다. The
그러나 수정 디바이스의 크기가 갈수록 소형화됨에 따라 개구부를 덮을 수 있는 크기의 리드를 제조하는 것에 정밀한 공정이 필요할 뿐만 아니라, 리드를 개구부에 덮는 형태로 용접하는 것 또한 정밀한 공정이 필요하게 되었다. 이에 따라 리드의 제조 및 리드의 결합에 관한 공정의 비용이 증가하고 수율이 낮아지게 되는 문제점이 있었다.However, as the size of the modifying device is getting smaller, a precise process is required to manufacture a lead having a size enough to cover the opening, and a precise process is required for welding the lead in a form to cover the opening. As a result, there has been a problem in that the cost of the process for manufacturing leads and the combination of leads is increased and the yield is lowered.
따라서 캐비티 내부에 실장된 수정편을 외부로부터 차폐하면서 그 결합 공정이 용이한 수정 디바이스의 구조 및 제조방법에 대한 요구가 증대되어 왔다.
Therefore, there is a growing demand for a structure and a manufacturing method of a quartz crystal device in which a quartz crystal piece mounted inside a cavity is shielded from the outside while its joining process is easy.
본 발명은 수정 디바이스에 있어서, 제조 공정이 용이하고 단가가 낮으며, 조립 공정이 용이하여 공정 단가가 낮은 리드를 구비한 수정 디바이스 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a quartz crystal device having a lead that is easy to manufacture, low in unit cost, easy to assemble and low in process cost, and a method of manufacturing the quartz crystal device.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스는 패키지 구조물, 수정편 및 리드를 포함하는 수정 디바이스로서, 상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고, 상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고, 상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되, 상기 캐비티는 상기 패키지 구조물의 하면과 상기 하면에서 연장되어 측면을 형성하는 측벽부로 둘러싸여 형성되고, 상기 개구부는 상기 캐비티의 상면에 형성되고, 상기 시트는 상기 측벽부의 두께를 형성하는 상면과 접합하고, 상기 측벽부는 상기 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a modification device including a package structure, a modification piece and a lead, the package structure including a cavity for mounting the modification piece, The lead being mounted in the cavity, the lead being semi-cured and having one side joined to the package structure and cured to seal the opening of the cavity, the cavity being formed by a lower surface of the package structure, Wherein the opening is formed on an upper surface of the cavity, the sheet is joined to an upper surface forming a thickness of the side wall portion, and the side wall portion includes a protruding portion projecting from the upper surface Respectively.
삭제delete
삭제delete
본 발명의 일 실시예에서, 상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 디바이스는 패키지 구조물, 수정편 및 리드를 포함하는 수정 디바이스로서, 상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고, 상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고, 상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되, 상기 시트는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 수정 디바이스는 패키지 구조물, 수정편 및 리드를 포함하는 수정 디바이스로서, 상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고, 상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고, 상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되, 상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 시트로부터 상기 수정편이 실장된 캐비티 내부를 기밀(氣密)하게 차폐하는 차폐부재를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 캐비티의 내부에는 상기 차폐부재를 지지할 수 있는 지지대가 형성되고, 상기 차폐부재는 상기 지지대와 결합하여 실장될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스 제조방법은 일체로 형성된 다수 개의 패키지 구조물이 구비한 다수 개의 캐비티 중 적어도 하나에 수정편을 실장하는 실장 단계, 반경화 상태의 수지로 형성된 시트의 일면을 상기 수정편이 실장된 캐비티를 포함한 적어도 하나의 캐비티의 패키지 구조물과 접합하는 접합 단계, 상기 시트를 경화시켜 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 경화 단계 및 상기 다수 개의 패키지 구조물을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하되, 상기 접합 단계는 상기 시트가 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되고, 상기 경화 단계는 상기 시트가 C-스테이지 에폭시 수지로 경화되는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 디바이스 제조방법은 일체로 형성된 다수 개의 패키지 구조물이 구비한 다수 개의 캐비티 중 적어도 하나에 수정편을 실장하는 실장 단계, 반경화 상태의 수지로 형성된 시트의 일면을 상기 수정편이 실장된 캐비티를 포함한 적어도 하나의 캐비티의 패키지 구조물과 접합하는 접합 단계, 상기 시트를 경화시켜 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 경화 단계 및 상기 다수 개의 패키지 구조물을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하되, 상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 시트로부터 상기 수정편이 실장된 캐비티 내부를 기밀(氣密)하게 차폐하는 차폐부재의 형성 단계를 더 포함한다.In one embodiment of the present invention, the protrusion may be formed to extend from the inner wall of the side wall portion.
According to another aspect of the present invention, there is provided a modification device including a package structure, a modification piece, and a lead, the package structure including a cavity for mounting the modification piece, Wherein the lead is semi-cured and has one side joined to the package structure and cured to seal the opening of the cavity, wherein the sheet is made of a B-stage epoxy resin Bonded to the package structure, and cured with a C-stage epoxy resin to seal the opening of the cavity.
According to another aspect of the present invention, there is provided a modification device including a package structure, a modification piece, and a lead, wherein the package structure includes a cavity for mounting the modification piece, Wherein the lead is mounted in the cavity, and the lead is semi-cured, one surface of which is bonded to the package structure and cured to seal the opening of the cavity, And a shielding member for airtightly shielding the inside of the cavity in which the crystal ball is mounted.
In one embodiment of the present invention, a support base for supporting the shielding member may be formed in the cavity, and the shielding member may be mounted in combination with the support base.
According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a correction device, the method including: mounting a crystal piece on at least one of a plurality of cavities provided with a plurality of integrally formed package structures; A bonding step of bonding one side of the formed sheet to a package structure of at least one cavity including a cavity in which the quartz is mounted, a curing step of sealing the opening of the cavity by curing the sheet, and cutting the plurality of package structures The step of bonding being characterized in that the sheet is formed of a B-stage epoxy resin, and the curing step is characterized in that the sheet is cured with a C-stage epoxy resin.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a correction device, the method comprising: mounting a crystal piece on at least one of a plurality of cavities provided with a plurality of package structures integrally formed; A curing step of curing the sheet to seal the opening of the cavity, and a step of cutting the plurality of package structures so as to cut the package structure of the at least one cavity, A step of forming a shielding member which is mounted inside the cavity and shields the inside of the cavity in which the crystal is mounted from the sheet, the step of forming the shielding member including the step of separating the package into the respective package structures.
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
본 발명에 따르면, 수정 디바이스의 리드의 단가를 낮출 수 있으며 그 제조 공정이 용이하며, 상기 리드를 수정 디바이스에 조립하는 공정이 용이하여 조립 공정 단가를 낮출 수 있어, 전체적으로 수율을 높이고 단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the unit price of the lead of the correction device, and the manufacturing process thereof is easy. Since the process of assembling the lead to the correction device is easy, the cost of the assembly process can be lowered, There is an effect.
도 1은 종래의 수정 디바이스의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스의 투시 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시한 수정 디바이스의 분해 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시한 수정 디바이스를 A-A'선으로 절단한 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 디바이스의 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 수정 디바이스 제조방법을 설명하기 위한 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 실장 단계의 공정 단면도이다.
도 8은 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 접합 단계의 공정 단면도이다.
도 9는 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 경화 단계의 공정 단면도이다.
도 10은 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 격리층 형성 단계의 공정 단면도이다.
도 11은 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 차폐부재 실장 단계의 공정 단면도이다.
도 12는 본 발명의 수정 디바이스 제조방법의 접합 단계의 다른 일 실시예의 공정 단면도이다. 1 is a side cross-sectional view of a conventional modification device.
2 is a perspective view of a modification device according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of the modification device shown in Fig.
4 is a cross-sectional side view of the quartz crystal device shown in Fig. 2 cut along line A-A '.
5 is a side cross-sectional view of a modification device according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional side view for explaining a modification device manufacturing method of the present invention.
7 is a process sectional view of the mounting step of the method of manufacturing a quartz device of the present invention.
8 is a process sectional view of the bonding step of the method of manufacturing a quartz device of the present invention.
9 is a process sectional view of the curing step of the method of manufacturing a quartz device of the present invention.
10 is a process sectional view of an isolation layer forming step of a modification device manufacturing method of the present invention.
11 is a process sectional view of the shielding member mounting step of the method for manufacturing a quartz device of the present invention.
12 is a process sectional view of another embodiment of the bonding step of the method of manufacturing a quartz device of the present invention.
하기 설명에서는 설명되는 실시예들의 기초 개념을 잘 이해하기 위해 많은 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나, 당업자라면 설명된 실시예들이 이러한 특정 세부 사항의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있음을 잘 알 것이다. 다른 경우에, 잘 알려져 있는 구성요소에 대해서는 본 발명의 기본 개념을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명하지 않았다.In the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the underlying concepts of the embodiments described. However, those skilled in the art will recognize that the embodiments described may be practiced without some or all of these specific details. In other instances, well-known components have not been described in detail so as not to unnecessarily obscure the basic concept of the present invention.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
본 명세서에서 각 실시예에 대한 첨부된 각 도면들의 참조번호를 부여하는데 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 다른 도면에 표시되더라도 가능한 동일한 번호를 부여하였고, 유사하거나 유사한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 가능한 유사한 번호를 부여하였다.
Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like elements throughout. Respectively.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스(400)의 투시사시도를 도시한 것이다. 도 3은 도 2에 도시한 수정 디바이스(400)의 분해사시도를 도시한 것이고, 도 4는 도 2에 도시한 수정 디바이스(400)를 A-A'선으로 절단한 단면도를 도시한 것이다.FIG. 2 illustrates a perspective view of a
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하며 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스(400)를 설명한다.Hereinafter, a
수정 디바이스(400)는 패키지 구조물(100), 수정편(200) 및 리드(300)를 포함한다.The
패키지 구조물(100)은 수정편(200)을 실장하는 캐비티(150)를 구비한다. 캐비티(150)는 패키지 구조물(100)의 하면(110)과 상기 하면(110)에서 연장되어 측면을 형성하는 측벽부(130)로 둘러싸여 형성되고, 상면에 개구부가 형성될 수 있다.The
캐비티(150)의 내부에 수정편(200)이 실장되어 고정될 수 있는 계단식의 수정편 지지대(131)가 형성될 수 있다. 수정편 지지대(131) 상에 수정편(200)의 일단이 결합되어 실장될 수 있다. 수정 디바이스(400)의 종류 등에 따라 캐비티(150)에는 수정 디바이스(400) 이외에 집적회로 등 다른 소자가 실장될 수도 있다.A stepped quartz
리드(300)는 수지로 형성된 시트(310)를 포함한다. The
시트(310)는 측벽부(130)의 두께를 형성하는 상면(133)과 접합할 수 있다. 시트(310)가 상기 상면(133)과 접합하게 되면 시트(310)는 개구부를 닫게 되어 캐비티(150)는 밀폐된다.The
도 13에 도시된 것과 같이, 시트(310)와 맞닿아 접합되는 측벽부(130)의 상면(133)은 상면(133)으로부터 돌출된 돌출부(135)를 구비할 수 있다. 상면(133)에 돌출부(135)가 형성되면, 시트(310)와 맞닿는 면적이 넓어지게 되므로 시트(310)와 상면(133)의 결합이 견고하게 될 수 있다.13, the
상기 돌출부(135)는 측벽부(130)의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 다시 말하면 측벽부(130)의 외측벽에서 연장되는 부분은 돌출부(135)에 비해 상대적으로 낮은 높이로 형성될 수 있다. 내측벽에서 연장된 돌출부(135)는 쏘잉 단계를 상대적으로 용이하게 할 수 있다. 측벽부(130)의 외측벽에 해당하는 부분은 제조 공정 상 쏘잉 과정에 의해 절단되는 부분인데, 패키지 구조물(100)이 리드(300)보다 견고하므로 돌출부(135)가 측벽부(130)의 외측벽에서 연장되어 형성되는 경우, 절단할 패키지 구조물(100)이 많아지는 것이므로 쏘잉 과정이 상대적으로 난해해질 수 있다.The
상기 시트(310)는 반경화 상태로 일면이 패키지 구조물(100)과 접합되고, 이후 반경화 상태의 시트(310)는 경화되어 상기 캐비티(150)의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된다. The
수지의 경화 상태는 액체 상태, 반경화 상태 및 경화 상태로 구분할 수 있다. 통상적으로 액체 상태를 A-스테이지(stage), 반경화 상태를 B-스테이지, 경화 상태를 C-스테이지라 칭한다. A-스테이지의 수지란 수지 중합체의 분자량이 낮은 상태로 수지가 흘러내기 쉬운 상태를 의미한다. A-스테이지의 수지는 다른 액체에 용해될 수 있는 특징을 가진다. B-스테이지의 수지란 중간 정도로 경화된 상태의 수지를 의미한다. C-스테이지의 수지란 완전히 경화된 상태의 수지를 의미한다.The cured state of the resin can be classified into a liquid state, a semi-cured state, and a cured state. The liquid phase is generally referred to as an A-stage, the semi-cured state as a B-stage, and the cured state as a C-stage. The resin of the A-stage means a state in which the resin is liable to flow in a state where the molecular weight of the resin polymer is low. The resin of the A-stage is characterized by being soluble in other liquids. The resin of the B-stage means a resin in a medium-hardened state. The resin of the C-stage means a resin in a completely cured state.
본 발명에 있어서 시트(310)는 B-스테이지의 수지에 해당하는 반경화 상태로 패키지 구조물(100)에 접합되고, 경화되어 C-스테이지의 수지에 해당하는 경화 상태가 되어 캐비티(150)의 개구부를 밀폐한다. 경화 상태에서 패키지 구조물(100)과 결합되는 것은 반경화 상태에서 패키지 구조물(100)에 접합되는 것보다 견고하게 접합될 수 있다.In the present invention, the
시트(310)는 에폭시 수지(epoxy resin)로 형성될 수 있다. 에폭시 수지는 분자 내에 에폭시기를 갖는 수지의 총칭이다. 더욱 구체적으로 시트(310)는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물(100)과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티(150)의 개구부를 밀폐할 수 있다.The
시트(310)는 다양한 방법으로 경화될 수 있다. 예를 들면, 열처리 또는 건조 등의 방법으로 경화될 수 있다. 바람직하게는 열처리 방법을 통해 경화될 수 있다.The
시트(310)는 경화 과정에서 또는 시간이 흐르면서 시트(310)의 일부가 기화되면서 가스가 생성될 수 있다. 생성된 가스의 일부는 캐비티(150)에 머물러 있을 수 있다. 캐비티(150) 내부에 실장되어 있는 수정편(200)은 환경에 매우 민감하게 반응할 수 있으므로, 상기 가스에 영향을 받아 수정편(200)의 진동수 등이 달라질 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예는 이를 방지하기 위한 수단을 포함한다.The
본 발명의 리드(300)는 상기 시트(310)의 일면에 형성된 격리층(330)을 더 포함할 수 있다. 시트(310)의 일면에 형성된 격리층(330)이 시트(310)의 일면과 캐비티(150) 내부의 수정편(200)을 격리시켜 생성된 가스가 캐비티(150) 내부에 머물러 수정편(200)에 영향을 미치지 않게 할 수 있다.The
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예는 캐비티(150) 내부에 실장되어 시트(310)와 수정편(200)을 차폐하는 차폐부재(370)를 더 포함할 수 있다. 차폐부재(370)가 물리적으로 시트(310)의 일면과 수정편(200)을 차폐하여 가스 등이 발생한 경우, 가스 등이 수정편(200)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
격리층(330)과 차폐부재(370)는 시트(310)의 일면에서 형성되는 가스가 수정편(200)에 미치지 않도록 하기 위해서 기밀(氣密)성의 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 기밀성의 소재란 시트(310)의 일면에서 형성되는 가스의 분자의 크기와 유사하거나 작은 통공을 가져 시트(310)의 일면에서 형성되는 가스의 분자가 잘 통과할 수 없는 소재를 의미한다.5, another embodiment of the present invention may further include a shielding
The
캐비티(150)의 내부에는 차폐부재(370)를 지지할 수 있는 지지대가 형성되고, 차폐부재(370)는 지지대와 결합하여 실장될 수 있다. 이때 차폐부재(370)는 물리적으로 리드(300)의 일면과 수정편(200)의 사이에 위치할 수 있다.
Inside the
이하, 도 6 내지 도 11을 참조하여 수정 디바이스의 제조방법에 대해 설명한다. 수정 디바이스의 제조방법을 설명하는데 있어서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 수정 디바이스의 내용과 동일한 내용은 일부 생략하였다.Hereinafter, a method of manufacturing a correction device will be described with reference to FIGS. 6 to 11. FIG. In describing the manufacturing method of the modifying device, the same contents as those of the modifying device described with reference to Figs. 2 to 5 are partially omitted.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 7 내지 도 11은 이를 설명하기 위한 각 단계의 공정 단면도를 도시한 것이다.FIG. 6 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a correction device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 to FIG. 11 are process sectional views of respective steps for explaining the method.
본 발명에 따른 수정 디바이스 제조방법의 일 실시예는 일체로 형성된 다수 개의 패키지 구조물(100)이 구비한 다수 개의 캐비티(150) 중 적어도 하나에 수정편(200)을 실장하는 실장 단계(S100), 반경화 상태의 수지로 형성된 시트(310)의 일면을 상기 수정편(200)이 실장된 캐비티(150)를 포함한 적어도 하나의 캐비티(150)의 패키지 구조물(100)과 접합하는 접합 단계(S200), 상기 시트(310)를 경화시켜 상기 캐비티(150)의 개구부를 밀폐하는 경화 단계(S300) 및 상기 다수 개의 패키지 구조물(100)을 절단하여 각각의 패키지 구조물(100)로 분리하는 쏘잉 단계(S400)를 포함하는 수정 디바이스 제조방법이다.An embodiment of a method of manufacturing a modification device according to the present invention includes a mounting step S100 of mounting the
상기의 수정 디바이스의 제조방법은 실장 단계(S100), 접합 단계(S200), 경화 단계(S300) 및 쏘잉 단계(S400)를 포함한다.The manufacturing method of the modification device includes a mounting step (S100), a bonding step (S200), a curing step (S300), and a forming step (S400).
실장 단계(S100)는 일체로 형성된 다수 개의 패키지 구조물(100)이 구비한 다수 개의 캐비티(150) 중 적어도 하나에 수정편(200)을 실장하는 단계이다. The mounting step S100 is a step of mounting the
도 7에 도시된 것과 같이, 패키지 구조물(100)은 다수 개가 서로 일체로 연결되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 패키지 구조물(100)들은 하나의 패키지 구조물(100)의 측면에 가로와 세로 방향으로 각각 4개의 다른 패키지 구조물(100)에 연속적으로 연결될 수 있다. 패키지 구조물(100)은 다른 패키지 구조물(100)과 직접적으로 연결될 수도 있고, 지지체를 사이에 두고 연결될 수도 있다. 그러나 이러한 형태에 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 7, a plurality of
도 12를 참조하면, 상술한 바와 같이, 패키지 구조물(100)의 측벽부(130)의 상면(133)에 돌출부(135)가 형성될 수 있고, 상기 돌출부(135)는 측벽부(130)의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다. 이러한 돌출부(135)를 구비한 패키지 구조물(100)의 측면으로 연속적으로 연결되어 형성되는 경우, 패키지 구조물(100)이 연결되는 외측벽부분은 돌출부에 비해 높이가 낮은 홈으로 형성될 수 있다.12,
다수 개의 패키지 구조물(100)이 일체로 형성되는 경우, 모든 패키지 구조물(100)에 제조방법의 일 단계가 모두 수행된 후 다음 단계가 수행되는 방식으로 제조방법이 실시될 수 있다.When a plurality of
도 12에 도시된 것과 같이, 수정편(200)을 실장한 후, 캐비티(150) 내부에 시트(310)와 수정편(200)을 차폐하는 차폐부재(370)를 실장하는 차폐부재 실장 단계를 더 포함할 수 있다.12, a shielding member mounting step for mounting a shielding
도 8은 본 발명의 접합 단계(S200)의 공정 단면도를 도시한 것이다. 접합 단계(S200)는 반경화 상태의 수지로 형성된 시트(310)의 일면을 상기 수정편(200)이 실장된 캐비티(150)를 포함한 적어도 하나의 캐비티(150)의 패키지 구조물(100)과 접합하는 단계이다. 상기 시트(310)는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성될 수 있다.8 shows a process sectional view of the joining step (S200) of the present invention. The joining step S200 is a step of joining one surface of the
도 11에 도시된 것과 같이, 상기 시트(310)의 일면에 격리층(330)을 형성하는 격리층 형성 단계를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 11, the method may further include forming an
경화 단계(S300)는 상기 시트(310)를 경화시켜 상기 캐비티(150)의 개구부를 밀폐하는 단계이다. 도 9에 도시된 것과 같이, 경화 단계(S300)는 열처리 단계일 수 있다. 또는 경화 단계(S300)는 건조 단계일 수 있다. 예를 들어, 경화 단계(S300)에서는 B-스테이지 에폭시로 형성된 시트(310)를 경화시켜 C-스테이지 에폭시가 되도록 할 수 있다.The curing step S300 is a step of sealing the opening of the
도 10에 도시된 것과 같이, 쏘잉 단계(S400)는 다수 개의 패키지 구조물(100)을 절단하여 각각의 패키지 구조물(100)로 분리하는 단계이다. 패키지 구조물(100)의 측벽부(130) 상면으로부터 돌출된 돌출부(135)가 구비되어 있고, 상기 돌출부가 측벽부(130)의 내측벽에서 연장되어 형성되는 경우, 쏘잉 단계(S400)에서 절단하는 부분은 돌출부(135)가 아닌 상면으로서 돌출부(135)에 비해 상대적으로 절단 두께가 얇을 수 있다. 이로 인해, 쏘잉 단계(S400)가 더욱 용이해질 수 있다.
As shown in FIG. 10, the forming step S400 is a step of cutting a plurality of
본 발명에 따른 수정 디바이스 제조방법의 일 실시예는 패키지 구조물의 캐비티에 수정편을 실장하는 실장 단계, 반경화 상태의 수지로 형성된 시트의 일면을 상기 패키지 구조물과 접합되는 접합 단계, 및 상기 시트를 경화시켜 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 경화 단계를 포함하는 수정 디바이스 제조방법이다.One embodiment of a method of manufacturing a correction device according to the present invention includes a mounting step of mounting a crystal piece on a cavity of a package structure, a bonding step of bonding one side of a sheet formed of semi-cured resin to the package structure, And a curing step of curing the opening of the cavity to seal the opening of the cavity.
상기 실시예는 단독으로 존재하는 패키지 구조물에 수정편을 실장하고, 시트를 접합하며, 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수정 디바이스 제조방법이다.
The above embodiment is a method for manufacturing a quartz device, comprising the steps of mounting a quartz crystal on a single package structure, bonding and hardening the quartz.
100 : 패키지 구조물 110 : 하면
130 : 측벽부 131 : 수정편 지지대
133 : 측벽부의 상면 135 : 돌출부
150 : 캐비티 200 : 수정편
300 : 리드 310 : 시트
330 : 격리층 370 : 차폐부재100: package structure 110:
130: side wall portion 131:
133: upper surface of the side wall portion 135:
150: cavity 200: quartz crystal
300: lead 310: sheet
330: Isolation layer 370: Shielding member
Claims (15)
상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고,
상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고,
상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되,
상기 캐비티는 상기 패키지 구조물의 하면과 상기 하면에서 연장되어 측면을 형성하는 측벽부로 둘러싸여 형성되고, 상기 개구부는 상기 캐비티의 상면에 형성되고,
상기 시트는 상기 측벽부의 두께를 형성하는 상면과 접합하고,
상기 측벽부는 상기 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비하는
수정 디바이스.
A modification device comprising a package structure, a crystal piece and a lead,
Wherein the package structure includes a cavity for mounting the crystal piece,
The quartz piece is mounted inside the cavity,
Wherein the lead has a semi-cured state and a sheet formed of a resin, one surface of which is bonded to the package structure and is cured to seal the opening of the cavity,
Wherein the cavity is formed by being surrounded by a lower surface of the package structure and a side wall portion extending from the lower surface to form a side surface, the opening being formed on an upper surface of the cavity,
The sheet joining the upper surface forming the thickness of the side wall portion,
Wherein the side wall portion has a projection projecting from the upper surface
Correction device.
상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성되는
수정 디바이스.
The method according to claim 1,
The protruding portion is formed to extend from an inner wall of the side wall portion
Correction device.
상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고,
상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고,
상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되,
상기 시트는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는
수정 디바이스.
A modification device comprising a package structure, a crystal piece and a lead,
Wherein the package structure includes a cavity for mounting the crystal piece,
The quartz piece is mounted inside the cavity,
Wherein the lead has a semi-cured state and a sheet formed of a resin, one surface of which is bonded to the package structure and is cured to seal the opening of the cavity,
The sheet is formed of a B-stage epoxy resin and bonded to the package structure, and cured with a C-stage epoxy resin to seal the opening of the cavity
Correction device.
상기 패키지 구조물은 상기 수정편을 실장하는 캐비티를 구비하고,
상기 수정편은 상기 캐비티 내부에 실장되고,
상기 리드는 반경화 상태로 일면이 상기 패키지 구조물과 접합되고, 경화되어 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 수지로 형성된 시트를 포함하되,
상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 시트로부터 상기 수정편이 실장된 캐비티 내부를 기밀(氣密)하게 차폐하는 차폐부재를 더 포함하는
수정 디바이스.
A modification device comprising a package structure, a crystal piece and a lead,
Wherein the package structure includes a cavity for mounting the crystal piece,
The quartz piece is mounted inside the cavity,
Wherein the lead has a semi-cured state and a sheet formed of a resin, one surface of which is bonded to the package structure and is cured to seal the opening of the cavity,
And a shielding member mounted in the cavity and shielding the inside of the cavity in which the crystal is mounted from the seat,
Correction device.
상기 캐비티의 내부에는 상기 차폐부재를 지지할 수 있는 지지대가 형성되고,
상기 차폐부재는 상기 지지대와 결합하여 실장되는
수정 디바이스.
9. The method of claim 8,
A support base for supporting the shielding member is formed in the cavity,
The shielding member is mounted in combination with the support
Correction device.
반경화 상태의 수지로 형성된 시트의 일면을 상기 수정편이 실장된 캐비티를 포함한 적어도 하나의 캐비티의 패키지 구조물과 접합하는 접합 단계;
상기 시트를 경화시켜 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 경화 단계; 및
상기 다수 개의 패키지 구조물을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하되,
상기 접합 단계는 상기 시트가 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되고,
상기 경화 단계는 상기 시트가 C-스테이지 에폭시 수지로 경화되는 것을 특징으로 하는
수정 디바이스 제조방법.
A mounting step of mounting a crystal piece on at least one of a plurality of cavities provided with a plurality of integrally formed package structures;
A bonding step of bonding one surface of a sheet formed of semi-cured resin to a package structure of at least one cavity including a cavity in which the crystal is mounted;
A curing step of curing the sheet to seal the opening of the cavity; And
And a sawing step of cutting the plurality of package structures into individual package structures,
Wherein the bonding step comprises the step of forming the sheet with a B-stage epoxy resin,
Wherein the curing step is characterized in that the sheet is cured with a C-stage epoxy resin
/ RTI >
반경화 상태의 수지로 형성된 시트의 일면을 상기 수정편이 실장된 캐비티를 포함한 적어도 하나의 캐비티의 패키지 구조물과 접합하는 접합 단계;
상기 시트를 경화시켜 상기 캐비티의 개구부를 밀폐하는 경화 단계; 및
상기 다수 개의 패키지 구조물을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하되,
상기 캐비티 내부에 실장되어 상기 시트로부터 상기 수정편이 실장된 캐비티 내부를 기밀(氣密)하게 차폐하는 차폐부재의 형성 단계를 더 포함하는
수정 디바이스 제조방법.
A mounting step of mounting a crystal piece on at least one of a plurality of cavities provided with a plurality of integrally formed package structures;
A bonding step of bonding one surface of a sheet formed of semi-cured resin to a package structure of at least one cavity including a cavity in which the crystal is mounted;
A curing step of curing the sheet to seal the opening of the cavity; And
And a sawing step of cutting the plurality of package structures into individual package structures,
And forming a shielding member mounted inside the cavity so as to airtightly cover the inside of the cavity in which the crystal ball is mounted from the sheet
/ RTI >
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130012653A KR101469607B1 (en) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | Crystal device and method for manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130012653A KR101469607B1 (en) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | Crystal device and method for manufacturing thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140100593A KR20140100593A (en) | 2014-08-18 |
KR101469607B1 true KR101469607B1 (en) | 2014-12-08 |
Family
ID=51746327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130012653A KR101469607B1 (en) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | Crystal device and method for manufacturing thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101469607B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008141413A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator, and manufacturing method thereof |
JP2009278562A (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device and sealing method thereof |
-
2013
- 2013-02-05 KR KR1020130012653A patent/KR101469607B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008141413A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator, and manufacturing method thereof |
JP2009278562A (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device and sealing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140100593A (en) | 2014-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5504851B2 (en) | Atomic oscillator and manufacturing method | |
US5760526A (en) | Plastic encapsulated SAW device | |
JP2008109538A (en) | Crystal oscillator | |
JP2007019403A (en) | High frequency package device | |
JP2011119325A5 (en) | ||
JP2006314083A (en) | Crystal oscillator | |
JP2009004900A (en) | Surface-mounting crystal oscillator | |
KR101469607B1 (en) | Crystal device and method for manufacturing thereof | |
JP2004229255A (en) | Crystal oscillator ceramic package | |
JP4843424B2 (en) | Glass sealing cover for crystal resonator and method for manufacturing crystal resonator using the same | |
JP2008294587A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
JP2014192442A (en) | Hermetic sealing body and hermetic sealing method | |
JP2008294585A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
KR20090094981A (en) | Package of crystal oscillator | |
JP2005150786A (en) | Composite piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
KR102348252B1 (en) | Power amplifier module package and packaging method thereof | |
JP2003086723A (en) | Thin metal package | |
JP2008311826A (en) | Surface mounting crystal oscillator | |
JP2008252451A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
CN219554939U (en) | Packaging shell of resonator and resonator | |
JP2009021726A (en) | Surface-mount crystal oscillator | |
JP2007013573A (en) | Manufacturing method of piezoelectric device | |
JP2011222866A (en) | High-frequency package and manufacturing method thereof | |
JP2010056929A (en) | Piezoelectric component | |
KR100609120B1 (en) | Ceramic package for crystal oscillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171201 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |