KR101459857B1 - 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈 - Google Patents

히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101459857B1
KR101459857B1 KR1020120154214A KR20120154214A KR101459857B1 KR 101459857 B1 KR101459857 B1 KR 101459857B1 KR 1020120154214 A KR1020120154214 A KR 1020120154214A KR 20120154214 A KR20120154214 A KR 20120154214A KR 101459857 B1 KR101459857 B1 KR 101459857B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power module
module
heat sinks
heat sink
cooling
Prior art date
Application number
KR1020120154214A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140084590A (ko
Inventor
주정홍
장기영
전우용
신상철
Original Assignee
현대자동차주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대자동차주식회사 filed Critical 현대자동차주식회사
Priority to KR1020120154214A priority Critical patent/KR101459857B1/ko
Priority to US13/856,019 priority patent/US9173329B2/en
Priority to CN201310122347.9A priority patent/CN103904911B/zh
Publication of KR20140084590A publication Critical patent/KR20140084590A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101459857B1 publication Critical patent/KR101459857B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927Liquid coolant without phase change
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0618Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 하이브리드차, 전기차, 연료전지차 등과 같은 환경차에 사용되는 인버터의 파워모듈에 관한 것이다.
본 발명은 압출공법으로 제작한 히트싱크를 사용하는 양면 직접 냉각 방식을 채택함으로써, 냉각 효율을 극대화시킬 수 있고, 인버터 구조를 간단하게 구성하여 인버터 제작비용을 절감할 수 있는 한편, 여러 개의 파워모듈을 연결하여 조합할 수 있는 파워모듈 연결기를 채택함으로써, 전체 파워모듈의 평면도를 확보할 수 있는 등 평면도 관리 문제로 인한 별도의 공정을 삭제할 수 있는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 제공한다.

Description

히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈{Heat sink one body type power module}
본 발명은 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하이브리드차, 전기차, 연료전지차 등과 같은 환경차에 사용되는 인버터의 파워모듈에 관한 것이다.
일반적으로 전기차, 하이브리드차, 연료전지차에는 구동수단으로 영구자석형 모터가 적용되며, 이렇게 자동차에 구동수단으로 적용되는 모터는 제어기의 PWM(Pulse Width Modulation)신호에 의해 직류전압을 3상 전압으로 변환시키는 인버터로부터 전력 케이블을 통해 전달되는 상전류에 의해 구동된다.
그리고, 상기 인버터에는 배터리로부터 DC 전원을 공급받아 모터 구동용 전원을 공급하는 파워모듈이 조립된다.
보통 파워모듈은 6개 또는 3개의 상을 하나의 패키지로 통합한 형태로 이루어지며, 이러한 파워모듈은 전원공급으로 인해 발열이 발생되므로, 안정적인 작동을 위해 발열을 냉각시켜주는 다양한 적용된다.
일 예로서, 상기 파워모듈에는 스위칭시 IGBT 및 다이오드 칩에서 발생되는 열을 발생시키기 위해 히트싱크가 적용된다.
이러한 히트싱크를 적용한 파워모듈은 일본공개특허 2010-0010504호, 일본공개특허 2008-0124430호, 일본공개특허 2006-0140217호, 일본공개특허 2009-0177038호 등에 다양한 형태의 것들이 개시되어 있다.
도 1은 종래 단면 직접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 파워모듈은 케이스 타입 단면 직접 냉각 방식으로 되어 있고, 일체형 블레이징 히트싱크 위에 파워모듈을 구성한 구조로 이루어진다.
여기서, 도면부호 100은 칩, 110은 DBM(Direct Bonding Material), 120은 히트싱크, 130은 솔더를 각각 나타낸다.
그리고, 상기 DBM(Direct Bonding Material)은 크게 DBC(Copper), DBA(Aluminum)이 쓰이고 있다.
그러나, 상기 파워모듈은 일체형 브레이징 히트싱크 제작이 어렵고 고가이며, 히트싱크의 평면도 관리가 어려운 단점이 있다.
또, 양면 냉각에 비해 냉각 효율이 떨어지는 단점이 있다.
도 2는 종래 양면 간접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 파워모듈은 양면 간접 냉각 방식으로서, 파워모듈 양면에 써멀 그리스를 도포한 다음, 세라믹을 부착하여 양면에 히트싱크를 통해 냉각되는 구조로 이루어진다.
여기서, 도면부호 100은 칩, 120은 히트싱크, 130은 솔더, 140은 써멀 그리스, 150은 세라믹, 160은 히트 스프레더, 170은 몰드를 각각 나타낸다.
그러나, 상기 파워모듈은 히트싱크로 냉각하기 위해 여러 개 파워모듈의 양면을 평행하게 구성하기가 어렵고, 파워모듈, 세라믹, 히트싱크가 별개이므로 각각을 결합하는 인버터 구성이 어려우며, 조립이 복잡하여 관리 및 제작에 어려움이 있다.
또, 간접 냉각 방식이므로 양면 직접 냉각에 비해 냉각효율이 떨어지는 단점이 있다.
도 3은 종래 양면 직접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 상기 파워모듈은 몰드타입 양면 직접 냉각방식으로서, 파워모듈의 양면에 절연시트를 부착하여 박스형 히트싱크에 고정시키느느 구조로 이루어진다.
여기서, 도면부호 100은 칩, 120은 히트싱크, 130은 솔더, 160은 히트 스프레더, 170은 몰드, 180은 절연시트를 각각 나타낸다.
그러나, 상기 파워모듈은 파워모듈에 절연시트를 부착하여 박스형 히트싱크와 결합하는데 이 경우 절연시트에 의해 냉각효율이 떨어지는 단점이 있다.
또, 절연시트를 강제 압입하는 과정에서 박리가 발생할 가능성이 있으며, 이 경우 절연에 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 압출공법으로 제작한 히트싱크를 사용하는 양면 직접 냉각 방식을 채택함으로써, 냉각 효율을 극대화시킬 수 있고, 인버터 구조를 간단하게 구성하여 인버터 제작비용을 절감할 수 있는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 여러 개의 파워모듈을 연결하여 조합할 수 있는 파워모듈 연결기를 채택함으로써, 전체 파워모듈의 평면도를 확보할 수 있는 등 평면도 관리 문제로 인한 별도의 공정을 삭제할 수 있는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 제공하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈은 다음과 같은 특징이 있다.
상기 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈은 차량용 인버터에 사용되는 파워모듈로서, 상부와 하부에 각각 히트싱크가 배치되고, 상기 상하부의 히트싱크 사이에 적층되는 것으로서 가운데의 칩과 상기 칩의 위아래에 적층배치되는 DBM을 포함하며, 특히 히트싱크, 칩 및 DBM 간의 접하는 면은 솔더에 의해 접합되는 동시에 상기 칩과 DBM의 전체 둘레는 몰드부로 마감처리되는 구조로 이루어진 것이 특징이다.
여기서, 상기 히트싱크는 압출방식으로 제작되며 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 다수의 홀이 구비될 수 있는데, 예를 들면 히트싱크는 양쪽 단면이 일방향으로 연통되는 구조의 케이스로 이루어지고, 케이스 내부에는 연통되는 방향으로 나란한 다수 개의 격벽이 형성되어, 격벽 사이 공간이 홀로 조성될 수 있다.
그리고, 상기 몰드부 및 위아래의 히트싱크로 이루어진 모듈은 모듈 연결기에 의해 여러 개가 연결될 수 있으며, 이때의 모듈 연결기는 히트싱크의 내부와 통하는 동시에 서로 이웃하는 히트싱크의 각 단부를 수용하는 양편으로 수용하는 연결기 몸체와, 상기 히트싱크에 형성되어 있는 홈 내에 걸림 및 해제가능한 걸쇠 및 이것을 조작하기 위한 걸쇠 이동기를 포함하여 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 모듈 연결기의 연결기 몸체에는 히트싱크측과의 연접부위를 따라 설치되는 가스켓을 구비하여 냉각수가 누출되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 제공하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈은 다음과 같은 장점이 있다.
1. 원가 절감
본 발명은 양면 냉각 파워모듈의 히트싱크를 압출공법으로 제작함으로써, 직접 냉각을 위한 pin-fin 가공 공정을 제거할 수 있으므로, 기존 대비 히트싱크 제작비용을 50% 이상 절감할 수 있다.
본 발명은 냉각효율을 향상시킴으로써, 기존 간접 단면냉각 대비 반도체 칩의 크기를 절반 이하로 감소시킬 수 있어 파워모듈 원가를 20% 이상 절감할 수 있다.
본 발명은 파워모듈 양면 간접냉각 대비, 파워모듈을 결합하기 위해 발생되는 구조의 복잡성을 제거할 수 있으므로, 인버터 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.
2. 성능 향상
본 발명은 양면 직접 냉각을 가능하게 함으로써, 냉각 효율을 기존 단면 간접냉각 대비 60% 이상, 양면 간접냉각 대비 20% 이상 냉각 효율을 향상시킬 수 있으며, 이러한 냉각성능 향상을 통해 기존 대비 2배 이상의 출력 증대가 가능하다.
3. 상품성 향상
본 발명은 파워모듈 사이즈 축소를 통해 인버터 전체 크기를 축소하여, 차량 패키지 유연성을 확보할 수 있으므로, 엔진룸 상품성을 대폭 향상시킬 수 있다.
본 발명을 통해 파워모듈에 히트싱크(냉각모듈)를 일체화시킴으로써, 파워모듈 냉각을 위해 별도의 다이캐스팅 냉각 채널이 불필요하고, 따라서 인버터 제작을 쉽게 할 수 있으며, 몰드 모듈 조립시 써멀 그리스 도포, 절연시트 부착 등의 공정을 제거하게 함으로써, 인버터 제작 공정을 간소화시킬 수 있다.
몰드 모듈 여러 개를 동시에 히트싱크에 부착하는 경우, 냉각효율을 향상시키기 위해서는 반드시 냉각 모듈의 평면도를 관리해야 하는데, 기존에는 양면 모듈의 평면도를 관리하기 위해 별도의 가공공정이 필요하였으나, 본 발명에서는 몰드 모듈 양면에 히트싱크를 직접 결합할 수 있는 방안을 제시함으로써, 평면도 관리문제로 인한 별도 공정을 제거할 수 있다.
도 1은 종래 단면 직접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도
도 2는 종래 양면 간접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도
도 3은 종래 양면 직접냉각 방식의 파워모듈을 나타내는 단면도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 나타내는 평면도
도 5는 도 4의 A-A 선 단면도
도 6은 도 4의 B-B 선 단면도
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 여러 개 연결시킨 상태를 나타내는 평면도
도 8은 도 7의 C-C 선 단면도
도 9는 도 7의 D-D 선 단면도
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명은 파워모듈에 히트싱크를 일체화시키고 그 연결방법을 새롭게 개선함으로써 가볍고 저렴하며 신뢰성이 높은 파워모듈을 구현할 수 있다.
이를 위하여, 상부와 하부에 각각 배치되는 히트싱크(12a,12b)가 마련되고, 상기 상하부의 히트싱크(12a,12b) 사이에서는 가운데의 칩(10)을 사이에 두고 위아래에 DBM(11a,11b)이 적층 배치되면서 솔더(13)에 의해 일체 접합되고, 이렇게 접합되는 칩(10)과 DBM(11a,11b)의 전체 둘레가 몰드부(17)에 의해 몰딩되어 마감된다.
이때, 상기 히트싱크(12a,12b)의 내측면과 DBM(11a,11b) 간에 접하는 면도 솔더(13)에 의해 접합된다.
따라서, 칩(10)과 DBM(11a,11b)을 포함하는 몰드부(17)와 위아래의 히트싱크(12a,12b)의 일체로 이루어진 모듈(18)이 완성된다.
여기서, 상기 칩(10)은 IGBT와 다이오드를 포함하느 반도체 칩이고, 상기 솔더(13)는 칩(10)과 DBM(11a,11b)를 접합시키는 동시에 DBM(11a,11b)을 접합시키는 역할을 한다.
그리고, 상기 몰드부(17)는 모듈 전체를 수지로 몰딩하는 부분으로서, 이렇게 칩 등이 몰드부(17)에 의해 밀봉되므로서, 모듈의 신뢰성이 향상될 수 있게 된다.
특히, 상기 히트싱크(12a,12b)는 압출방식으로 제작되며, 알루미늄 케이스의 내부에 냉각수를 흘릴 수 있는 다수의 홀(14)이 구비된다.
예를 들면, 상기 히트싱크(12a,12b)는 서로 마주보는 양쪽 단면이 일방향으로 연통되는 구조의 사각 케이스(15)로 이루어지고, 이때의 케이스(15)의 내부에는 연통되는 방향(좌우 길이방향)을 따라 나란한 동시에 전후 폭방향을 따라 일정간격을 유지하는 다수 개의 격벽(16)이 형성된다.
이때, 상기 격벽 간의 간격은 압출이 가능한 최소 간격으로 하여 방열 성능을 최대화할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 케이스(15)의 내부에 형성되는 격벽(16) 사이 공간은 냉각수가 흐를 수 있는 홀(14)로 자연스럽게 조성될 수 있게 된다.
물론, 이때의 홀 단면 형태는 사각형 이외에도 원형, 타원형 등으로 이루어질 수 있게 된다.
또한, 상기 모듈(18)의 히트싱크(12a,12b)에는 몰드부(17)의 양편으로 연장된 부분의 안쪽 위치에 홈(21)이 형성되며, 이때의 홈(21)은 후술하는 모듈 연결기(19)의 걸쇠(22)에 있는 돌기(27)를 끼울 수 있는 용도로 사용될 수 있게 된다.
그리고, 상기 모듈(18)에는 고전압 단자(28)와 시그널 단자(29)가 구비되며, 이때의 고전압 단자(28)는 파워모듈의 고전압 단자로서 고전압 (+), (-), 출력단으로 구성되고, 또 상기 시그널 단자(29)는 파워모듈을 구동하기 위한 게이트 시그널과 온도, 전류 센서 등을 포함한다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈을 여러 개 연결시킨 상태를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 7 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 여기서는 모듈 연결기(19)를 사용하여 몰드부(17) 및 히트싱크(12a,12b)로 이루어진 여러 개의 모듈(18)을 일렬로 연결시킨 구조를 보여준다.
이를 위하여, 상기 모듈 연결기(19)는 양쪽 측면에 모듈(18)의 히트싱크(12a,12b)의 단부를 수용할 수 있는 모듈 안착홈(25)을 가지는 연결기 몸체(20)와, 모듈(18)의 연결기측 연결상태를 록킹 및 해제하는 조작수단으로서의 걸쇠(22) 및 걸쇠 이동기(23)를 포함한다.
그리고, 상기 연결기 몸체(20)의 내부, 즉 양편의 모듈 안착홈(25)을 이어주는 부분의 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 냉각수 통로(26)가 형성되며, 이때의 냉각수 통로(26)는 모듈 연결기(19)의 양편으로 히트싱크(12a,12b)가 접하면서 연결될 때 이때의 히트싱크(12a,12b)의 내부 홀(14)과 통하게 된다.
이에 따라, 한쪽의 히트싱크(12a,12b)의 홀(14)에 흐르는 냉각수가 연결기 몸체(20)의 냉각수 통로(26)를 거쳐 반대쪽의 히트싱크(12a,12b)의 홀(14)로 보내져 계속 흐를 수 있게 된다.
특히, 상기 연결기 몸체(20)에는 히트싱크측과의 연접부위의 둘레를 따라 가스켓(24)이 구비되어 있어서, 연결기 몸체측과 히트싱크측 간의 연결부위에서 냉각수가 누출되는 것을 방지할 수 있게 된다.
그리고, 상기 모듈 연결기(19)와 모듈(18) 간의 연결 및 해제를 위한 수단으로 걸쇠(22)와 이 걸쇠(22)의 끝에 일체 형성되는 조작부위인 걸쇠 이동기(23)가 마련된다.
본 발명에서는 모듈 연결기(19)의 양측단의 전후 1쌍씩 총 4쌍의 걸쇠(22) 및 걸쇠 이동기(23)를 구비한 예를 제공한다.
상기 걸쇠(22)는 띠 모양의 부재로서 한쪽 끝이 연결기 몸체(20)에 연결됨과 더불어 걸쇠 이동기(23)가 있는 끝을 자유단으로 하면서 탄력적으로 젖힘 및 복원가능한 형태로 이루어진다.
이러한 걸쇠(22)에는 돌기(27)가 형성되고, 이때의 돌기(27)가 모듈(18)에 있는 홈(21), 즉 히트싱크(12a,12b)의 안쪽면에 있는 홈(21) 내에 걸려지거나 빠져나옴에 따라, 모듈 연결기(19)와 모듈(18)를 일체식으로 연결할 수 있게 되고, 또 모듈 연결기(19)로부터 모듈(18)를 분리할 수 있게 된다.
예를 들면, 모듈 연결기(19)의 모듈 안착홈(30) 내에 모듈(18)의 히트싱크(12a,12b)의 단부를 삽입하게 되면, 걸쇠(22)의 돌기(27) 부분이 히트싱크 단부와의 접촉에 의해 젖혀졌다가 재차 복원되면서 홈(21) 내에 끼워지게 되므로서, 모듈 연결기(19)에 모듈(18)이 연결될 수 있게 된다.
또, 분리시에는 위아래에서 마주보고 있는 양쪽의 걸쇠 이동기(23)를 손가락으로 잡고 눌러서 오므리게 되면, 걸쇠(22)가 탄력적으로 젖혀짐과 더불어 돌기(27)가 홈(21)으로부터 빠져나오게 되므로, 모듈(18)이 모듈 연결기(19)로부터 쉽게 분리될 수 있게 된다.
따라서, 여러 개의 모듈(18)이 다수의 모듈 연결기(19)에 의해 연결되므로서, 각 모듈과 모듈 연결기를 경유하는 냉각수의 흐름경로를 확보할 수 있게 되고, 또 모듈 연결기에 의해 각각의 모듈이 일렬로 나란한 동시에 체계적으로 연결되면서 평면을 유지하게 되므로서, 종전과 같이 파워모듈 연결시 평면도를 관리하기 위한 별도의 가공 공정을 삭제할 수 있게 된다.
10 : 칩 11a,11b : DBM
12a,12b : 히트싱크 13 : 솔더
14 : 홀 15 : 케이스
16 : 격벽 17 : 몰드
18 : 모듈 19 : 모듈 연결기
20 : 연결기 몸체 21 : 홈
22 : 걸쇠 23 : 걸쇠 이동기
24 : 가스켓 25 : 모듈 안착홈
26 : 냉각수 통로 27 : 돌기
28 : 고전압 단자 29 : 시그널 단자

Claims (6)

  1. 삭제
  2. 차량용 인버터에 사용되는 파워모듈로서,
    상부와 하부에 각각 히트싱크(12a,12b)가 배치되고, 상기 상하부의 히트싱크(12a,12b) 사이에 적층되는 것으로서 가운데의 칩(10)과 상기 칩(10)의 위아래에 적층배치되는 DBM(11a,11b)을 포함하며,
    상기 히트싱크(12a,12b), 칩(10) 및 DBM(11a,11b) 간의 접하는 면은 솔더(13)에 의해 접합되는 동시에 상기 칩(10)과 DBM(11a,11b)의 전체 둘레는 몰드부(17)로 마감처리되는 구조로 이루어지고,
    상기 히트싱크(12a,12b)는 압출방식으로 제작되며 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 다수의 홀(14)이 구비되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 히트싱크(12a,12b)는 양쪽 단면이 일방향으로 연통되는 구조의 케이스(15)로 이루어지고, 케이스 내부에는 연통되는 방향으로 나란한 다수 개의 격벽(16)이 형성되어, 격벽 사이 공간이 홀(14)로 조성될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 몰드부(17) 및 위아래의 히트싱크(12a,12b)로 이루어진 모듈(18)은 모듈 연결기(19)에 의해 여러 개가 연결될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 모듈 연결기(19)는 히트싱크(12a,12b)의 내부와 통하는 동시에 서로 이웃하는 히트싱크(12a,12b)의 각 단부를 수용하는 양편으로 수용하는 연결기 몸체(20)와, 상기 히트싱크(12a,12b)에 형성되어 있는 홈(21) 내에 걸림 및 해제가능한 걸쇠(22) 및 이것을 조작하기 위한 걸쇠 이동기(23)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 모듈 연결기(19)의 연결기 몸체(20)에는 냉각수의 누출을 방지하기 위한 수단으로히트싱크측과의 연접부위를 따라 설치되는 가스켓(24)이 구비되는 것을 특징으로 하는 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈.
KR1020120154214A 2012-12-27 2012-12-27 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈 KR101459857B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120154214A KR101459857B1 (ko) 2012-12-27 2012-12-27 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈
US13/856,019 US9173329B2 (en) 2012-12-27 2013-04-03 Heat sink-integrated double-sided cooled power module
CN201310122347.9A CN103904911B (zh) 2012-12-27 2013-04-10 散热片集成式双面冷却的功率模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120154214A KR101459857B1 (ko) 2012-12-27 2012-12-27 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140084590A KR20140084590A (ko) 2014-07-07
KR101459857B1 true KR101459857B1 (ko) 2014-11-07

Family

ID=50996097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120154214A KR101459857B1 (ko) 2012-12-27 2012-12-27 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9173329B2 (ko)
KR (1) KR101459857B1 (ko)
CN (1) CN103904911B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10062631B2 (en) 2015-12-09 2018-08-28 Hyundai Motor Company Power module

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9532459B2 (en) * 2013-08-12 2016-12-27 Infineon Technologies Ag Electronic module and method of manufacturing the same
KR101755769B1 (ko) 2014-10-29 2017-07-07 현대자동차주식회사 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조 방법
KR102326063B1 (ko) * 2014-11-25 2021-11-12 현대모비스 주식회사 차량용 인버터의 필름 커패시터 모듈
FR3032315B1 (fr) * 2015-02-03 2018-06-29 Valeo Systemes De Controle Moteur Modules de puissances avec des dispositifs de refroidissement, systemes electriques avec des modules de puissance et des raccords de connexion de boitiers de refroidissement des modules de puissance
CN104959172B (zh) * 2015-05-22 2017-04-12 北京联合大学 一种基于微循环理念的主动散热三维芯片
KR20170039431A (ko) * 2015-10-01 2017-04-11 현대자동차주식회사 솔더링 접합방식 인버터 및 이를 적용한 하이브리드 차량
US9698076B1 (en) * 2015-12-22 2017-07-04 Ksr Ip Holdings Llc. Metal slugs for double-sided cooling of power module
US10403601B2 (en) * 2016-06-17 2019-09-03 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor package and related methods
DE102016117843A1 (de) 2016-09-21 2018-03-22 Infineon Technologies Ag Mit Kühlfluid gekühlte und eine Abschirmschicht umfassende Packung
KR101905995B1 (ko) * 2016-11-09 2018-10-10 현대자동차주식회사 양면냉각형 파워모듈
CN108075672B (zh) * 2016-11-18 2019-11-22 比亚迪股份有限公司 负载控制器及具有该负载控制器的电动汽车
JP2018133448A (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社東芝 半導体装置
US10798854B2 (en) 2018-04-25 2020-10-06 Ford Global Technologies, Llc Modular power module with integrated coolant passageway and assemblies thereof
JP7159620B2 (ja) * 2018-05-30 2022-10-25 富士電機株式会社 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両
KR102574378B1 (ko) * 2018-10-04 2023-09-04 현대자동차주식회사 파워모듈
KR102651518B1 (ko) 2018-11-07 2024-03-28 현대모비스 주식회사 인버터 파워모듈 냉각구조
JP7081545B2 (ja) * 2019-03-26 2022-06-07 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
TWI752398B (zh) 2020-01-02 2022-01-11 財團法人工業技術研究院 功率模組
US11282764B2 (en) * 2020-02-07 2022-03-22 Semiconductor Components Industries, Llc Structure and method related to a power module using a hybrid spacer
CN111970909A (zh) * 2020-08-27 2020-11-20 安徽祥博传热科技有限公司 一种用于新能源汽车逆变器的叠层双面液冷散热器
KR102623554B1 (ko) * 2021-11-10 2024-01-11 동양피스톤 주식회사 수냉식 방열모듈 조립체
KR20230090747A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 현대자동차주식회사 파워모듈용 양면 냉각장치
CN114239306B (zh) * 2021-12-23 2023-01-03 西安交通大学 双面冷却燃料严重事故进程模拟方法
CN114901026A (zh) * 2022-05-16 2022-08-12 奇瑞汽车股份有限公司 一种汽车空调电动压缩机的控制器功率模块布置结构
WO2023224149A1 (ko) * 2022-05-20 2023-11-23 엘지마그나 이파워트레인 주식회사 양면 냉각형 전력반도체 패키지
KR20230169642A (ko) 2022-06-09 2023-12-18 현대자동차주식회사 파워모듈용 냉각장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011922A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
JP2006081312A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Keihin Corp パワードライブユニット
JP2009117428A (ja) 2007-11-01 2009-05-28 Hitachi Ltd パワー半導体モジュールの製造方法、パワー半導体モジュールの製造装置、パワー半導体モジュール、及び接合方法
KR20100093515A (ko) * 2007-11-19 2010-08-25 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 파워 모듈용 기판, 및 파워 모듈

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002315357A (ja) 2001-04-16 2002-10-25 Hitachi Ltd インバータ装置
JP4228830B2 (ja) 2003-08-06 2009-02-25 株式会社デンソー 半導体冷却ユニット
JP4007304B2 (ja) 2003-10-14 2007-11-14 株式会社デンソー 半導体装置の冷却構造
JP2006140217A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP2008124430A (ja) 2006-10-18 2008-05-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP4902560B2 (ja) 2008-01-28 2012-03-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP4586087B2 (ja) 2008-06-30 2010-11-24 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
US7817422B2 (en) * 2008-08-18 2010-10-19 General Electric Company Heat sink and cooling and packaging stack for press-packages
JP5193777B2 (ja) 2008-09-26 2013-05-08 株式会社東芝 パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム
US8358000B2 (en) * 2009-03-13 2013-01-22 General Electric Company Double side cooled power module with power overlay
CN102076203B (zh) * 2009-11-24 2015-11-25 通用电气公司 用于紧压包装的散热器和冷却及包装叠层
US8804340B2 (en) * 2011-06-08 2014-08-12 International Rectifier Corporation Power semiconductor package with double-sided cooling
US9041183B2 (en) * 2011-07-19 2015-05-26 Ut-Battelle, Llc Power module packaging with double sided planar interconnection and heat exchangers

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011922A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
JP2006081312A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Keihin Corp パワードライブユニット
JP2009117428A (ja) 2007-11-01 2009-05-28 Hitachi Ltd パワー半導体モジュールの製造方法、パワー半導体モジュールの製造装置、パワー半導体モジュール、及び接合方法
KR20100093515A (ko) * 2007-11-19 2010-08-25 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 파워 모듈용 기판, 및 파워 모듈

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10062631B2 (en) 2015-12-09 2018-08-28 Hyundai Motor Company Power module
US10622276B2 (en) 2015-12-09 2020-04-14 Hyundai Motor Company Power module

Also Published As

Publication number Publication date
CN103904911A (zh) 2014-07-02
CN103904911B (zh) 2018-04-27
US20140185243A1 (en) 2014-07-03
KR20140084590A (ko) 2014-07-07
US9173329B2 (en) 2015-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101459857B1 (ko) 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈
JP5350456B2 (ja) 電力変換装置
US8421235B2 (en) Semiconductor device with heat spreaders
CN101901638B (zh) 汇流排组件、车辆逆变器模块和冷却逆变器模块的方法
US9231446B2 (en) Motor drive device and vehicle
JP5423655B2 (ja) 電力変換装置
WO2016140153A1 (ja) 電力変換装置
CN111162060B (zh) 功率半导体模块、流路部件及功率半导体模块结构体
US10798854B2 (en) Modular power module with integrated coolant passageway and assemblies thereof
CN107004675B (zh) 功率半导体模块、流路部件及功率半导体模块结构体
WO2014083976A1 (ja) インバータ装置
JP5664472B2 (ja) 電力変換装置
US11375645B2 (en) Power module and manufacturing method therefor, and inverter apparatus having power module
EP3641121A1 (en) Cooling structure of power conversion device
JP5521978B2 (ja) 電力変換装置
JP5267238B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2012016134A (ja) 電力変換装置
CN111668165A (zh) 半导体模块和具备该半导体模块的半导体装置
JP2009295631A (ja) 半導体モジュール
JP5676154B2 (ja) 電力変換装置
KR102063726B1 (ko) 모터 일체형 인버터 패키지 및 이에 적용되는 일체형 인버터
US20240215211A1 (en) Power conversion device
WO2024142671A1 (ja) 電力変換装置
CN116209208A (zh) 功率转换装置
CN117156807A (zh) 带液冷散热器的功率模组、电机控制器、动力总成及车辆

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171030

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191029

Year of fee payment: 6