KR101392629B1 - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (A)염기성 화합물, (B)극성 용매, (C)(폴리)인산암모늄염, (D)아졸계 화합물 및 (E)물을 함유하는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 및 플렉서블 디스플레이와 같은 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)의 제조공정 중에 있어서, 기판상에 잔류하는 레지스트 및 식각 잔사를 효과적으로 박리할 수 있으면서도, 기판상에 형성되어 있는 알루미늄 및 구리 배선 등에 손상을 주지 않도록 부식방지제로서 (폴리)인산암모늄염 및 아졸계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리 방법이 제공된다.
염기성 화합물, 극성 용매, (폴리)인산암모늄염, 아졸계 화합물, 레지스트, 박리

Description

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 {RESIST STRIPPER COMPOSITION AND A METHOD OF STRIPPING RESIST USING THE SAME}
본 발명은 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플랫 패널 디스플레이의 제조공정 중, 레지스트 패턴 및 식각 잔사를 효과적으로 제거할 수 있으면서도, 알루미늄 및 구리 배선 등에 손상을 주지 않는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
최근 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)의 고해상도 구현에 대한 요구가 점차 증가됨에 따라 단위면적당 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이는 점차로 박막트랜지스터의 배선 폭의 감소를 수반하게 되는데, 이러한 배선의 미세화에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등, 공정 조건은 갈수록 가혹해지고 있다.
이로 인해, 금속 패턴이 완성된 후 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능 또한 높아지고 있다. 일례로, 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력과, 더불어 배선 폭이 좁아질수록 배선에 대한 부식의 영향에 더욱 민감해짐에 따른, 세정액, 박리액 등 공정에 사용되는 습식 약품의 부식 억제 능력이 공정 적용에 중요한 판단 기준으로 부각되고 있다.
또한, 플랫 패널 디스플레이의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가가 요구되고 있으며, 이로 인해 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로써 실용화되고 있는 실정이다. 이에 따라 최근의 박리액의 개발 추세는 알루미늄에 대한 부식억제력과 동시에 구리에 대한 부식억제력을 갖출 것이 요구되고 있는 실정이다.
또한, 최근에는 플랫 패널 디스플레이의 가격경쟁력을 확보하기 위해, 플랫 패널 디스플레이의 제조에 이용되는 부품 소재들의 가격인하에 대한 요구도 부식억제능력 못지않게 중요하게 작용한다. 따라서 레지스트 박리액 조성물을 개발함에 있어 종래의 고가의 용매의 함량을 줄일 수 있는 수계타입의 박리액의 개발이 요구되고 있다.
상기에서 언급한 것처럼 가혹한 공정 조건에 의해 변성이 이루어진 레지스트와 식각 잔사의 제거 및 알루미늄 및 구리 금속 배선에 대한 부식 억제에 대한 해결책들이 제시되고 있으며, 그 일례는 하기와 같다.
대한민국 공개특허 제10-2004-0098751호에서는 수용성 유기 아민, 극성 용매, 부식 방지제에 더해 박리 촉진제를 적용한 스트리퍼 조성물이 변성 또는 경화된 레지스트를 고온 및 저온에서 빠른 시간내에 제거할 수 있음을 개시하고 있다. 그러나 상기 스트리퍼 조성물은 알루미늄 및 구리 배선금속의 부식 억제 효과가 미흡하다.
대한민국 등록특허 제10-0297893호에서는 구핵성 아민에 pK 값이 2 이상인 약산을 사용하여 아민을 중화시킴으로써 금속의 부식을 억제할 수 있는 스트리핑 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 스트리핑 조성물은, 가혹한 공정에 의해 변성, 경화된 포토레지스트막에 대한 박리력과, 식각 공정에서 레지스트 및 금속성 부산물과 반응하여 생성되는 식각 잔류물에 대한 제거력이 충분치 못하며, 또한 구리에 대한 부식 억제효과가 미미하다.
대한민국 공개특허 특1995-0012144호에서는 환원제를 함유하는 알칼리성 포토레지스트 박리조성물로 금속의 부식을 억제할 수 있음을 개시하고 있다. 그러나, 상기 박리조성물은 배선 폭이 좁은 소자에서 필요한 침전물 제거성과 알루미늄 및 구리 배선에 대한 방식성이 충분하지 못한 문제점을 해결하지 못했다.
일본 특개평 9-152721호는 알칸올아민, 히드록시아민, 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르, 부식방식제로서 솔비톨 등의 당화합물 및 물을 함유한 박리액 조성물을 개시하고 있다. 그러나 상기 박리액 조성물은, 가혹한 공정에 의해 변질, 경화된 포토레지스트막에 대한 박리력과, 식각 공정에서 레지스트 및 금속성 부산물과 반응하여 생성되는 식각 잔류물에 대한 제거력이 충분치 못하며, 구리에 대해서는 부식 억제효과가 거의 없다는 단점이 있다.
대한민국 공개특허 제10-2006-0117666호는 수용성 유기아민, 글리콜 에테르, 극성 비양자성 용매에 아졸류와 메틸갈레이트를 첨가한 스트리퍼 조성물이 알루미늄 및 구리에 대해 동시에 부식 방지가 가능함을 개시하고 있다. 그러나, 상기 조성의 수계 타입의 스트리퍼 조성물은 알루미늄에 대한 부식 억제 효과가 충분치 못 하다.
따라서 이 분야에서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 새로운 박리액 조성물의 개발이 요구되고 있다.
이에, 본 발명자들은 상기한 문제점을 해결하고자 예의 노력한 결과, 염기성 화합물, 극성 용매, (폴리)인산암모늄염, 아졸계 화합물 및 물로 이루어진 본 발명의 박리액 조성물을 기판에 처리하였을 때 건식 및 습식 식각 후의 포토레지스트막에 대한 박리능과, 알루미늄 및 구리에 대한 방식성이 탁월함을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 플랫 패널 디스플레이의 제조 공정에서, 레지스트의 잔사의 제거와, 건식 및 습식 식각 후의 잔사의 제거에 적합하고, 알루미늄을 포함하는 배선과 구리를 포함하는 배선을 부식시키지 않으며, 박리액 성분으로 고가 용매의 사용 절감으로 인한 원가절감이 가능한 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법을 제공하는 것이다.
상기 목적의 달성을 위하여, 본 발명은
(A) 염기성 화합물,
(B) 극성 용매,
(C) (폴리)인산암모늄염,
(D) 아졸계 화합물, 및
(E) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 이용하여, 고온 또는 건식 식각에 의해 변성, 경화된 레지스트 잔사 및 식각 잔사를 제거하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명은 플랫 패널 디스플레이의 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공 정 중의, 습식 식각 또는 건식 식각 중 발생하는 경화 및/또는 변질된 레지스트 잔사 및 식각 잔사를, 금속 배선의 부식 없이, 특히 알루미늄 배선 및 구리 배선의 부식 없이 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법을 제공한다.
본 발명은 전체 조성물 총중량에 대하여,
(A) 염기성 화합물 5 내지 30중량%,
(B) 극성용매 20 내지 80중량%
(C) (폴리)인산암모늄염 0.1 내지 10중량%,
(D) 아졸계 화합물 0.1 내지 10중량%, 및
(E) 물 5 내지 60중량%을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 사용되는 (A)성분인 염기성 화합물은 건식 또는 습식 식각(dry etching or wet etching), 애싱 또는 이온 주입 공정(ashing or ion implant processing)등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 한다. 이와 같은 염기성 화합물의 작용은 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판에 부착된 레지스트를 쉽게 제거할 수 있도록 한다.
상기 염기성 화합물로서는, 무기 염기 및 유기 염기를 들 수 있다.
상기 무기 염기로서는, 수산화암모늄, 수산화나트륨 및 수산화칼륨을 포함하는 수산화물인 것이 바람직하다.
상기 유기 염기로서는,
메틸아민, 에틸아민 및 모노이소프로필아민을 포함하는 1급 아민;
디에틸아민, 디이소프로필아민 및 디부틸아민을 포함하는 2급 아민;
트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민 및 트리부틸아민을 포함하는 3급 아민;
피페라진, 1,4-디메틸피페라진, 1,4-디에틸피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)-4-메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질피페라진 및 1-페닐피페라진을 포함하는 고리형 아민; 및
테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, Ｎ-메틸 디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트릴로트리에탄올, ２-(２-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올 및 디부탄올아민을 포함하는 알칸올아민을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합인 것이 바람직하다.
상기 열거한 염기성 화합물 중에서는, 수산화 암모늄, 테트라메틸암모늄 하 이드록사이드, 모노에탄올아민 및 １-아미노-２-프로판올로 구성되는 군으로부터 선택되는 염기성 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명의 염기성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용함이 바람직하다.
상기 염기성 화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 5 내지 30중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기 염기성 화합물이 전체 조성물 총 중량에 대하여 5중량% 미만으로 포함되는 경우, 레지스트 박리효과가 미흡하며, 30중량%을 초과하여 포함되는 경우, 알루미늄 및 구리 배선에 대한 부식 속도가 급격하게 증가되는 문제점이 있다. 상기 염기성 화합물의 농도는, 염기성 화합물이 단독으로 사용될 경우는 그 하나의 농도이고, 2종 이상 혼합하여 사용했을 경우는 그 합계의 농도이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 사용되는 (B)성분인 극성 용매는 건식 식각 또는 습식 식각 후 잔류물의 용해력을 증가시키는 역할을 한다. 또한 높은 비점으로 인해 약액 사용 시 휘발에 의한 약액 손실을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 극성 용매로서는 양자성 극성 용매와 비양자성 극성 용매의 혼합 용매를 사용함이 바람직하다.
본 발명에서 사용 가능한 양자성 극성용매로는 글리콜 에테르 및 글리콜 에테르의 에스테르 유도체 등을 들 수 있으며, 구체적인 예로서는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모 노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용 가능한 비양자성 극성용매로는 피롤리돈 화합물, 이미다졸리디논 화합물, 아미드 화합물 등을 들 수 있으며, 구체적인 예로는, Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, N-메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-N-에틸프로피온아미드, 디에틸아세트아미드(DEAc), 디프로필아세트 아미드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸부틸아미드, 테트라메틸렌설폰, γ―부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 극성용매는 전체 조성물 총 중량에 대해 20 내지 80중량% 포함되는 것이 바람직하고, 30 내지 70 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 극성용매가 전체 조성물 총 중량에 대하여 20 중량% 미만으로 포함되는 경우, 상기 염기성 화합물의 작용으로 겔화된 고분자를 용해시키는 능력이 부족해져 레지스트의 박리 성능이 저하될 수 있고, 80중량%을 초과하여 포함되는 경우, 건식 식각 잔사의 제거 성능이 저하될 수 있다. 상기 극성 용매의 농도는, 양자성 극성 용매와 비양 자성 극성 용매를 혼합한 그 합계의 농도이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 사용되는 (C)성분인 (폴리)인산암모늄염은 인산 이온 또는 폴리인산 이온과 암모늄 이온의 염 화합물을 의미하고, 상기 염 화합물에서 인산 성분은 금속, 특히, 알루미늄 혹은 알루미늄 합금에 대한 부식방지에 우수한 효과가 있다. 또한 암모늄 성분은 레지스트 제거에 우수한 효과가 있다.
본 발명의 (폴리)인산암모늄염의 구체적인 예로서는, 인산 수소 이암모늄, 인산 이수소 암모늄, 인산 삼암모늄, 차인산 암모늄, 오르토인산 암모늄, 오르토인산 수소 이암모늄, 오르토인산 이수소 암모늄, 차아인산 암모늄, 오르토아인산 이수소 암모늄 및 Wn +2PnO3n +1(W=NH4, n=2이상의 정수)로 표시되는 (폴리)인산암모늄염을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 이들 가운데 인산 수소 이암모늄을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 (폴리)인산암모늄염은 전체 조성물 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량% 포함되는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 (폴리)인산암모늄염이 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 레지스트 및 식각 잔사 제거용 조성물의 금속에 대한 부식방지효과가 저하되고, 10 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 부식방지효과는 더 이상 비례하여 증가하지 않고 인산염이 기판 표면에 잔존할 수 있다. 상기 (폴리)인산암모늄염의 농도는, (폴리)인산암모늄염이 단독으로 사용될 경우는 그 하나의 농도이고, 2종 이상 혼합하여 사용했을 경우는 그 합계의 농도이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 사용되는 (D)성분인 아졸계 화합물은 트리아졸 화합물인 것이 바람직하며, 상기 트리아졸 화합물은 트리아졸 분자와 금속표면 사이에 강한 결합이 형성되어 화학흡착(chemisorption)을 이루고, 이로 인해 금속부식의 원인인 상기 염기성 화합물의 침투를 막아, 금속 특히, 구리 및 구리합금에 대한 부식을 방지하는 역할을 한다.
상기 트리아졸 화합물의 구체적인 예로서는, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2- (2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 1,2,3-트리아졸 및 이들의 2종 이상의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 사용함이 더욱 바람직하다.
상기 아졸계 화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량% 포함되는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 아졸계 화합물이 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 레지스트 및 식각 잔사 제거용 조성물의 금속에 대한 부식방지효과가 저하되고, 10 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 박리 공정시 거품이 형성되어 공정 진행이 어려워지며, 레지스트의 제거력이 저하되는 문제점이 나타나게 된다. 상기 아졸계 화합물의 농도는, 아졸계 화합물이 단독으로 사용될 경우는 그 하나의 화합물의 농도이고, 2종 이상 혼합하여 사용했을 경우는 그 합계의 농도이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 사용되는 (E)성분인 물은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 제조 시 첨가되는 (폴리)인산암모늄염을 포함하는 수용성 고체 화합물을 녹이기 용이하다. 또한 본 발명의 조성물에 일정의 물이 포함되면 제조 원가가 낮아지는 장점이 있다. 상기 물은 순수를 사용함이 바람직하며, 이의 예로는 탈이온수, 초순수 등을 들 수 있다.
상기 물은 전체 조성물 총 중량에 대해 5 내지 60중량% 포함되는 것이 바람직하고, 10 내지 50 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 물이 전체 조성물 총 중량에 대하여 5 중량% 미만으로 포함되는 경우, 염기성 화합물의 활성도가 떨어져서, 애싱 및 건식 식각 등의 가혹한 공정에 의해 심하게 변질된 레지스트를 제거하는 능력이 저하되는 문제점이 있으며, 알루미늄 배선의 방식제로 사용되는 (폴리)인산암모늄염의 용해에 문제가 생긴다. 또한, 60 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 상대적으로 염기성 화합물 또는 극성용매의 함량이 감소됨으로 인해 레지스트에 대한 박리력이 떨어지게 되고, 과량의 물로 인해 금속에 대한 부식성이 강해지는 문제점이 발생한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 필요한 경우 요소 화합물을 추가로 포함할 수 있으며, 포함된 요소 화합물은 조성물 내에서 다음과 같은 역할을 한다. 요소 화합물은 물에 해리되어 있는 상태에서 열이나 알칼리 분위기로 전환되면 퍼옥시 이온 또는 히드록시 라디칼을 발생시켜 변성된 포토레지스트에 침투하여 포토레지스트 내의 건식 식각 공정 중 침투한 도판트(dopant) 이온을 산화 또는 환원시켜 주는 역할을 한다. 이렇게 도판트(dopant)가 빠져나간 변성된 포토레지스트는 조성 중 극성 용매에 의해 쉽게 용해가 될 수 있다. 또한 상기 요소 화합물은 공정 중에 발생한 파티클을 제거하는데 유용한 역할도 할 수 있다.
상기 요소 화합물로서는 요소, 초산요소, 인산요소, 티오요소, 과산화요소, 히드록시요소, N-메틸요소, 1,1-디메틸요소, 1,3-디메틸요소, N,N-디메틸요소, 테트라메틸요소, 에틸요소, 1,3-디에틸요소, 페닐요소, 1,3-디페닐요소, 알릴요소, 에틸렌요소, 시클로헥실요소 등의 모노머 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 요소, 초산요소, 인산요소, 티오요소, 과산화요소, 히드록시요소 등이 더욱 바람직하고, 요소, 티오요소가 더욱 더 바람직하다. 상기 요소 화합물은 단독으로 사용되거나, 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 요소 화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 0.1 내지 5중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기 요소 화합물이 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 요소화합물이 포함됨으로써 발생하는 효과를 구현하기 어렵고, 5 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 박리제 조성물의 용해성이 저하되거나, 박리 처리 후의 기판 위로 잔류할 가능성이 있다. 상기 요소 화합물의 농도는, 요소 화합물이 단독으로 사용될 경우는 그 하나의 화합물의 농도이고, 2종 이상 혼합하여 사용했을 경우는 그 합계의 농도이다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 필요한 경우 계면활성제를 추가로 포함할 수 있으며, 포함된 계면활성제는 조성물 내에서 기판에 대한 습윤성을 증가시켜 균일한 세정이 이루어지도록 하며, 계면간의 침투력을 증가시키기 때문에 레지스트 박리력을 증가시키는 역할을 한다.
본 발명에서 사용되는 계면활성제로는, 예를 들면, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계 계면활성제를 이용할 수 있지만, 그 중에서도, 특히, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 보다 적은 비이온계 계면활성제를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 비이온계 계면활성제로서는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알키롤아미드형 및 글리세린 에스테르형 계면활성제를 들 수 있다. 상기 계면활성제는 단독으로 사용되거나, 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 계면활성제는 전체 조성물 총 중량에 대해 0.001 내지 1.0중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기 계면활성제가 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.001 중 량% 미만으로 포함되는 경우, 기판의 균일한 박리 효과가 미미하며, 1.0 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 박리 균일도는 더 이상 증가하지 않고 일정 범위 내에서 수렴하며, 박리액의 발포성이 심하게 되어 취급이 곤란하게 되는 경향이 있다. 상기 계면활성제의 농도는, 계면활성제가 단독으로 사용될 경우는 그 하나의 농도이고, 2종 이상 혼합하여 사용했을 경우는 그 합계의 농도이다.
또한, 본 발명에서는, 필요에 따라 부식 방지제로서 아민에 의해 생성되는 수산기를 중화 시킬 수 있는 화합물, 예를 들면, 유기산 화합물, 당 알코올류 화합물을 추가로 포함할 수도 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물은 상기에서 언급한 화합물을 일정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있으며, 혼합 방법은 특별히 제한되지 않으며 여러 가지 공지 방법을 적용할 수 있다.
본 발명은 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법을 제공한다.
상기의 레지스트의 박리 방법은,
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후 상기 레지스트 패턴 및 건식, 습식식각에 의해 변성, 경화된 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 박리 방법은, 마스크를 이용한 레지스트 패턴 형성 공정을 진행하지 않고, 에치백 (etchback) 공정과 같은 건식 식각 공정 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한 다음, 노출된 레지스트막을 본 발명의 박리액 조성물로 박리하는 방법도 포함할 수 있다.
상기 박리 방법 중의, 레지스트막의 형성, 노광, 현상, 식각 및 에싱 공정은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있고 특별히 한정되는 것이 아니며, 경화되거나 폴리머로 변질된 레지스트를 포함하는 레지스트 잔류물이 존재하는 기판과 박리액 조성물이 접촉할 수 있는 방법이면 양호한 박리 결과를 얻을 수 있다.
상기 레지스트의 종류로는, 포지티브형 및 네가티브형의 g-선, i-선 및 원자외선(DUV) 레지스트, 전자빔 레지스트, X-선 레지스트, 이온빔 레지스트 등이 있으며, 그 구성 성분에 제약을 받지 않지만, 본 발명의 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거용 조성물이 특히, 효과적으로 적용되는 레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디 아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트막이며, 이들의 혼합물로 구성된 포토레지스트막에도 효과적이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 이용해서 플랫 패널 디스플레이 기판 상의 레지스트, 변성 또는 경화된 레지스트 및 건식 식각 잔사를 제거하는 방법으로는, 박리액 내에 레지스트가 도포된 기판을 침적 시키는 방식 또는 박리액을 해당 기판에 스프레이 하는 방식 등을 들 수 있다. 또 이 경우, 초음파의 조사나 회전 또는 좌우로 요동하는 브러시를 접촉시키는 등의 물리적인 처리를 병용해도 좋다. 박리액 처리 후에, 기판에 잔류하는 박리액은 계속되는 세정 처리에 의해 제거될 수 있다. 세정 공정은, 박리액 대신 물이나 이소프로필 알코올을 채용하는 것 외에는 박리액의 처리 방법과 동일하다.
상기 박리 방법에는 침적법, 분무법 또는 침적 및 분무법를 이용할 수 있다. 침적, 분무 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 15~100℃, 바람직하게는 30~70℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건으로 수정될 수 있다. 상기 레지스트가 도포된 기판 상에 적용되는 박리액 조성물의 온도가 15℃ 미만이면, 변성 또는 경화된 레지스트막을 제거하는데 필요한 시간이 지나치게 길어질 수 있다. 또한, 조성물의 온도가 100℃를 초과하면, 레지스트막의 하부 막층의 손상이 우려되며, 박리액의 취급에 어려움이 뒤따른다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 수계형(water system type)으로 조성물 내의 화합물의 활동도를 증가시켜 레지스트 및 식각 잔사를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 가격적으로도 유기계 박리제보다 유리하다. 또한 유기계 박리액과 비교하여, 점도가 물과 비슷하게 낮아 분무가 가능한 조성물이므로 매엽 방식에 적용 가능하다. 따라서, 본 발명의 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물은 여러장의 웨이퍼를 한번에 박리하는 배치(batch) 방식, 또는 한번에 한장씩 박리하는 매엽(single wafer processor) 방식 모두에 적용할 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물 및 이를 사용하는 박리 방법은 일반적인 레지스트의 제거에 이용될 뿐만 아니라 식각 가스 및 고온에 의해 변성 또는 경화된 레지스트 및 식각 잔사의 제거에 이용될 수 있다. 또한, 상기 본 발명의 레지스트 박리액 조성물 및 이를 사용하는 박리 방법은, 플랫 패널 디스플레이의 제조에 사용하여 알루미늄 및 알루미늄 합금 배선과 구리 및 구리 합금 배선과 같은 금속 배선에 대한 부식 방지성이 뛰어난 장점이 있다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 플랫 패널 디스플레이의 제조에 있어서, 경화된 레지스트 및 건식, 습식 식각 잔사에 대한 제거력이 우수하고, 알루미늄 및 알루미늄 합금 배선 과 구리 및 구리 합금 배선의 부식방지 효과가 매우 뛰어나다. 이로 인해 고해상도를 구현하기 위해 미세 패턴이 적용된 플랫 패널 디스플레이의 제조 공정에 적용이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물을 이용하면, 물을 다량 포함함으로 인해 고가 용매의 사용 절감을 통해 공정 단가를 낮출 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1. 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표 1과 같은 성분과 함량으로 혼합하여 실시예 1~4 및 비교예 1의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성
화합물
[중량%]		 양자성
극성용매
[중량%]		 비양자성
극성용매
[중량%]		 인산암모늄염
[중량%]		 아졸계
화합물
[중량%]		 탈이온수
[중량%]
실시예1 MEA 5 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 32
실시예2 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예3 MIPA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예4 DBA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
비교예1 MEA 0 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 37
주) MEA: 모노에탄올아민
MIPA: 모노이소프로판올아민
DBA: 디부탄올아민
BDG: 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
NMP: Ｎ-메틸 피롤리돈
APD: 인산 수소 이암모늄
BTA: 벤조트리아졸
시험예 1. 염기성 화합물의 종류 및 함량에 따른 레지스트 박리능 평가
상기의 실시예 1~4 및 비교예 1의 레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al/Mo층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 식각한 기판을 각각 준비한다. 실시예 1~4 및 비교예 1의 레지스트 박리액 조성물의 온도는 항온조를 사용하여 70℃로 일정하게 유지시킨 후, 10분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 탈이온수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 탈이온수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[박리성 평가 기준]
◎: 매우양호, ○: 양호, △: 보통, ×: 불량
구분 박리 성능
습식 식각 기판 건식 식각 기판
실시예1 ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎
실시예4 ◎ ○
비교예1 △ ×
상기 표 2에 나타낸 결과와 같이, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 1 내지 4는 습식 식각을 거친 레지스트에 대한 박리능이 뛰어날 뿐만 아니라, 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 양호한 성능을 나타내었다. 그러나, 염기성 화합물을 함유하지 않은 비교예 1의 경우 박리능이 좋지 않은 것으로 나타났다.
실시예 2, 5 내지 13 및 비교예 2, 3. 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표 3과 같은 성분과 함량으로 혼합하여 실시예 2, 5~13 및 비교예 2~3의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성
화합물
[중량%]		 양자성
극성용매
[중량%]		 비양자성
극성용매
[중량%]		 (폴리)인산
암모늄염
[중량%]		 아졸계
화합물
[중량%]		 탈이온수
[중량%]
실시예2 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예5 MEA 20 BDG 10 NMP 20 APD 1 BTA 2 47
실시예6 MEA 20 BG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예7 MEA 20 BTG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예8 MEA 20 MDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예9 MEA 20 BDG 40 NMP 5 APD 1 BTA 2 32
실시예10 MEA 20 BDG 40 DMSO 20 APD 1 BTA 2 17
실시예11 MEA 20 BDG 40 DMAc 20 APD 1 BTA 2 17
실시예12 MEA 20 BDG 40 DMI 20 APD 1 BTA 2 17
실시예13 MEA 20 BDG 40 술폴란 20 APD 1 BTA 2 17
비교예2 MEA 20 - - NMP 20 APD 1 BTA 2 57
비교예3 MEA 20 BDG 40 - - APD 1 BTA 2 37
주) MEA: 모노에탄올아민
BDG: 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
BG: 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
BTG: 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
NMP: Ｎ-메틸 피롤리돈
DMSO: 디메틸 설폭사이드
DMAc: 디메틸 아세트아마이드
DMI: 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논
APD: 인산 수소 이암모늄
BTA: 벤조트리아졸
시험예 2. 극성용매의 종류 및 함량에 따른 레지스트 박리능 평가
상기의 실시예 2, 5 내지 13과 비교예 2 및 3의 레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여, 상기 시험예 1과 동일한 기판을 사용하고, 처리 조건도 동일하게 하여 시험을 수행하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
[박리성 평가 기준]
◎: 매우양호, ○: 양호, △: 보통, ×: 불량
구분 박리 성능
습식 식각 기판 건식 식각 기판
실시예2 ◎ ◎
실시예5 ◎ ○
실시예6 ◎ ◎
실시예7 ◎ ◎
실시예8 ◎ ◎
실시예9 ◎ ○
실시예10 ◎ ◎
실시예11 ◎ ◎
실시예12 ◎ ◎
실시예13 ◎ ◎
비교예2 ○ △
비교예3 △ ×
상기 표 4에 나타낸 결과와 같이, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 2, 5 내지 13은 습식 식각을 거친 레지스트 뿐만 아니라 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 양호한 박리 성능을 나타내었다. 그러나, 비양자성 극성용매와 양자성 극성용매의 혼합 용매가 아닌 각각의 용매를 함유한 비교예 2 및 3의 경우 박리능이 좋지 않은 것으로 나타났다.
실시예 2, 14 내지 18 및 비교예 4, 5. 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표 5와 같은 성분과 함량으로 혼합하여 실시예 2, 14~18 및 비교예 4~5의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성
화합물
[중량%]		 양자성
극성용매
[중량%]		 비양자성 극성용매
[중량%]		 (폴리)인산
암모늄염
[중량%]		 아졸계
화합물
[중량%]		 탈이온수
[중량%]
실시예2 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 2 17
실시예14 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 0.1 BTA 2 17.9
실시예15 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APM 1 BTA 2 17
실시예16 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APT 1 BTA 2 17
실시예17 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 BTA 0.5 18.5
실시예18 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 TTA 2 17
비교예4 MEA 20 BDG 40 NMP 20 - - BTA 2 18
비교예5 MEA 20 BDG 40 NMP 20 APD 1 - - 19
주) MEA: 모노에탄올아민
BDG: 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
NMP: Ｎ-메틸 피롤리돈
APM: 인산 이수소 암모늄
APD: 인산 수소 이암모늄
APT: 인산 삼암모늄
BTA: 벤조트리아졸
TTA: 톨릴트리아졸
시험예 3. 부식 방지제의 종류 및 함량에 따른 부식 방지 성능 평가
상기의 실시예 2, 14 내지 18과 비교예 4 및 5의 부식 방지 성능을 평가하기 위하여, 구리 배선과 Mo/Al/Mo 배선이 노출된 기판을 사용하여 부식 방지 성능을 평가하였다. 알루미늄에 대한 방식 평가는 60℃에서 박리액 조성물 원액에 30분간 침적, 구리에 대한 방식 평가는 60℃에서 박리액 조성물 원액에 10분간 침적시킨 후 세정 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였으며, 그 결과를 하기의 표 6에 나타내었다.
[박리성 평가 기준]
◎: 매우양호, ○: 양호, △: 보통, ×: 불량
구분 부식방지능력
Mo/Al/Mo 구리
실시예2 ◎ ◎
실시예14 ○ ◎
실시예15 ◎ ◎
실시예16 ◎ ◎
실시예17 ◎ ○
실시예18 ◎ ◎
비교예4 × ◎
비교예5 ◎ ×
상기 표 6에 나타난 결과와 같이, (폴리)인산암모늄염 및 아졸계 화합물을 모두 함유한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 2, 14 내지 18은 알루미늄 및 구리 양쪽에 대해 양호한 부식 방지 성능을 나타낸 반면, (폴리)인산암모늄염과 아졸계 화합물 중 어느 하나를 함유하지 않은 비교예 4 및 5의 경우 알루미늄 및 구리 배선이 동시에 형성된 기판에는 적용할 수 없는 것으로 나타났다.

Claims (18)

  1. (A) 염기성 화합물,
    (B) 극성 용매,
    (C) (폴리)인산암모늄염,
    (D) 아졸계 화합물, 및
    (E) 물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물로서, 상기 극성 용매는 양자성 극성 용매와 비양자성 극성 용매의 혼합 용매이며, 상기 (폴리)인산암모늄염은 알루미늄 및 알루미늄 합금에 대한 부식 방지제이고, 상기 아졸계 화합물은 구리 및 구리 합금에 대한 부식 방지제인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 전체 조성물 총중량에 대하여,
    (A) 염기성 화합물 5~30중량%,
    (B) 극성 용매 20~80중량%
    (C) (폴리)인산암모늄염 0.1~10중량%,
    (D) 아졸계 화합물 0.1~10중량%, 및
    (E) 물 5~60중량%
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 염기성 화합물은 무기 염기 또는 유기 염기인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 무기 염기는 수산화암모늄, 수산화나트륨 및 수산화칼륨을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 유기 염기는,
    메틸아민, 에틸아민 및 모노이소프로필아민을 포함하는 1급 아민;
    디에틸아민, 디이소프로필아민 및 디부틸아민을 포함하는 2급 아민;
    트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민 및 트리부틸아민을 포함하는 3급 아민;
    피페라진, 1,4-디메틸피페라진, 1,4-디에틸피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)-4-메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질피페라진 및 1-페닐피페라진을 포함하는 고리형 아민; 및
    테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, Ｎ-메틸 디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트릴로트리에탄올, ２-(２-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)- 1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올 및 디부탄올아민을 포함하는 알칸올아민
    을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 양자성 극성 용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합 용매인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 비양자성 극성 용매는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, N-메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-N-에틸프로피온아미드, 디에틸아세트아미드(DEAc), 디프로필아세트 아미드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸부틸아미드, 테트라메틸렌설폰, γ―부티로락톤, 디메틸설폭사이드(DMSO) 및 술폴란을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합 용매인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 (폴리)인산암모늄염은 인산 수소 이암모늄, 인산 이수소 암모늄, 인산 삼암모늄, 차인산 암모늄, 오르토인산 암모늄, 오르토인산 수소 이암모늄, 오르토인산 이수소 암모늄, 차아인산 암모늄, 오르토아인산 이수소 암모늄 및 Wn +2PnO3n +1(W=NH4, n=2이상의 정수)로 표시되는 (폴리)인산암모늄염을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 아졸계 화합물은 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2- (2H-벤조트리아 졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 물은 탈이온수 또는 초순수인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서, 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1~5중량%의 요소 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 요소 화합물은 요소, 초산요소, 인산요소, 티오요소, 과산화요소, 히드록시요소, N-메틸요소, 1,1-디메틸요소, 1,3-디메틸요소, N,N-디메틸요소, 테트라메틸요소, 에틸요소, 1,3-디에틸요소, 페닐요소, 1,3-디페닐요소, 알릴요소, 에틸렌요소 및 시클로헥실요소를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  14. 청구항 1에 있어서, 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.001~1중량%의 계면활성제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 계면활성제는 비이온계 계면활성제인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 알킬에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알키롤아미드형 및 글리세린 에스테르형 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  17. (Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
    (Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
    (Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
    (Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
    (Ⅵ) 상기 식각 공정 후 상기 레지스트 패턴 및 건식, 습식식각에 의해 변성, 경화된 레지스트를 청구항 1 내지 청구항 5 및 청구항 7 내지 청구항 16 중 어느 하나의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 도전성 금속은 구리, 알루미늄 및 이의 합금을 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법.
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