KR101323391B1 - 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는, 매트릭스로 형성된 서브 픽셀을 포함하는 액정패널을 포함하며, 서브 픽셀은 장축방향으로 구분된 제1영역, 제2영역 및 제3영역과, 제1영역의 장축방향으로 배열된 제1화소전극과, 장축방향의 중앙영역에서 제1화소전극으로부터 연장되고 제1영역 내지 제3영역으로 배열된 제2화소전극과, 제1화소전극으로부터 연장되고 제2화소전극을 기준으로 제3일측화소전극과 제3타측화소전극으로 양분되어 제1영역 내지 상기 제3영역에 복수로 배열되며 중앙영역을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 제1영역 및 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 제2영역에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사진 제3화소전극과, 제1 내지 제3화소전극과 동일한 층에 위치하고 제3영역의 장축방향으로 배열된 제1공통전극과, 중앙영역에서 제1공통전극으로부터 연장되고 제2화소전극 사이로 배열된 제2공통전극과, 제1공통전극으로부터 연장되고 제2화소전극을 기준으로 제3일측공통전극과 제3타측공통전극으로 양분되어 제3영역 내지 제1영역에 복수 배열되며 제3화소전극과 동일한 기울기를 갖는 제3공통전극을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
액정표시장치, 화소전극, 공통전극

Description

액정표시장치{Liquid Crystal Display}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계 발광소자(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다. 그 중 고해상도를 구현할 수 있고 소형화뿐만 아니라 대형화가 가능한 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.
이들 중 액정표시장치는 수광형 표시장치로 분류된다. 이러한 액정표시장치는 액정 패널의 하부에 위치하는 백라이트 유닛으로부터 광원을 제공받아 영상을 표현할 수 있다. 이러한 액정표시장치는 컬러필터 기판과 박막 트랜지스터 어레이 기판으로 구성된 액정패널을 포함한다. 컬러필터 기판은 투명한 기판의 일면에 화소 영역마다 이에 대응하여 형성되고, 박막 트랜지스터 어레이 기판은 게이트, 반도체층, 소오스 및 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터가 각 서브 픽셀에 위치하게 된다. 여기서, 각 서브 픽셀에 위치하는 박막 트랜지스터의 소오스 또는 드레인은 화소전극에 연결된다. 그리고 각 서브 픽셀에는 화소전극과 아울러 액정의 배열을 제어할 수 있도록 공통전극이 위치하게 되는데, 공통전극은 구동 모드에 따라 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 어레이 기판에 선택적으로 위치하게 된다.
액정표시장치 중 IPS 모드는 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 화소전극과 공통전극이 형성되고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계에 의해 액정의 배열을 조절된다. 한편, IPS 모드로 동작하는 액정표시장치는 액정패널에 외력이 가해지면 액정 디스크리네이션(disclination)에 의해 서브 픽셀에 얼룩(또는 손자국)이 남는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, IPS 모드로 구동하는 액정패널에 외력이 작용하더라도 액정분자의 흐트러짐에 의한 디스크리네이션(disclination)을 방지할 수 있는 전극 구조를 제공하여 서브 픽셀에 얼룩(또는 손자국)이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 실시예는 응답속도를 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 매트릭스로 형성된 서브 픽셀을 포함하는 액정패널을 포함하며, 서브 픽셀은 장축방향으로 구분된 제1영역, 제2영역 및 제3영역과, 제1영역의 장축방향으로 배열된 제1화소전극과, 장축방향의 중앙영역에서 제1화소전극으로부터 연장되고 제1영역 내지 제3영역으로 배열된 제2화소전극과, 제1화소전극으로부터 연장되고 제2화소전극을 기준으로 제3일측화소전극과 제3타측화소전극으로 양분되어 제1영역 내지 상기 제3영역에 복수로 배열되며 중앙영역을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 제1영역 및 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 제2영역에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사진 제3화소전극과, 제1 내지 제3화소전극과 동일한 층에 위치하고 제3영역의 장축방향으로 배열된 제1공통전극과, 중앙영역에서 제1공통전극으로부터 연장되고 제2화소전극 사이로 배열된 제2공통전극과, 제1공통전극으로부터 연장되고 제2화소전극을 기준으로 제3일측공통전극과 제3타측공통전극으로 양분되어 제3영역 내지 제1영역에 복수 배열되며 제3화소전극과 동일한 기울기를 갖는 제3공통전극을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
제3화소전극과 제3공통전극은, 제1영역과 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 동일할 수 있다.
제3화소전극과 상기 제3공통전극은, 제1영역과 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 20˚~ 45˚일 수 있다.
제3화소전극과 상기 제3공통전극은, 제2영역에 배열된 전극의 기울기가 15˚일 수 있다.
제3화소전극은, 제3일측화소전극과 제3타측화소전극 중 일측 마지막과 타측 마지막에 위치하는 전극의 두께가 가장 두꺼울 수 있다.
제3화소전극과 상기 제3공통전극은, 중앙영역을 기준으로 일측과 타측에 배열된 전극의 수가 동일한 개수를 가지고 상호 이격될 수 있다.
제2화소전극은, 제2영역에 배열된 전극이 중앙영역을 기준으로 제2일측화소전극과 제2타측화소전극으로 동일하게 양분될 수 있다.
제2일측화소전극과 제2타측화소전극은 제1영역과 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 20˚~ 45˚이고, 제2영역에 배열된 전극의 기울기가 15˚일 수 있다.
제2공통전극은, 제2영역에 배열된 전극의 두께보다 제3영역에 배열된 전극의 두께가 더 두꺼울 수 있다.
액정패널은, IPS 모드(In-Plane Switching Mode)로 배향된 액정분자를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 액정패널에 외력이 작용하더라도 액정분자의 흐트러짐에 의한 디스크리네이션(disclination)을 방지할 수 있는 전극 구조를 제공하여 서브 픽셀에 얼룩(또는 손자국)이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 응답속도를 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 액정표시장치의 분해 사시도 이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 액정표시장치는 액정패널(130), 구동부(189) 및 백라이트 유닛(179)을 포함할 수 있다.
액정패널(130)은 트랜지스터 어레이가 형성된 제1기판(110)과 컬러필터가 형성된 제2기판(120)이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조를 가질 수 있다. 액정층은 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)로 배향된 액정분자를 포함할 수 있다.
이러한 액정패널(130)은 트랜지스터에 의해 독립적으로 구동되는 서브 픽셀 이 매트릭스 형태로 배열되고, 서브 픽셀 각각이 공통전극에 공급된 공통전압과 트랜지스터에 연결된 화소전극에 공급된 데이터 신호와의 차전압에 따라 액정의 배열을 제어하여 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시할 수 있다.
백라이트 유닛(179)은 커버버텀(180), 램프(171), 확산판(172), 확산시트(173), 광학시트(174), 보호시트(175) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 램프(171)의 경우 냉음극관 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 열음극관 형광램프(Hot Cathode Fluorescent Lamp: HCFL), 외부전극 형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp: EEFL), 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 그리고 광학시트(174)의 경우 프리즘, 렌티큘러 렌즈 또는 마이크로 렌즈 등과 같은 시트를 이용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
구동부(189)는 액정패널(130)에 연결된 데이터배선과 게이트배선에 구동신호를 공급하기 위한 구동 칩(150)이 실장되어 제1기판(110)의 일측에 접속된 다수의 필름 회로(140)와, 제1기판(110)에 접속된 인쇄회로기판(188)을 포함할 수 있다. 다수의 필름 회로(140)에 형성된 패드부는 인쇄회로기판(188)과 제1기판(110)을 전기적으로 연결하도록 인쇄회로기판(188) 상에 형성된 패드부와 제1기판(110) 상에 형성된 패드부에 각각 접속된다. 이와 같이, 구동 칩(150)을 실장한 필름 회로(140)는 COF(Chip On Film)나 TCP(Tape Carrier Package) 방식으로 위치할 수 있다. 그러나 구동 칩(150)은 COG(Chip On Glass) 방식으로 제1기판(110) 상에 직접 실장되거나, 트랜지스터 형성 공정에서 제1기판(110) 상에 형성되어 내장될 수도 있다.
이상 화상을 표시하는 액정패널(130) 및 백라이트 유닛(179)은 커버탑(190) 및 커버버텀(180)에 의해 수납될 수 있다. 커버탑(190)은 액정패널(130)을 수납할 수 있고, 커버버텀(170)은 백라이트 유닛(179)을 수납할 수 있다. 한편, 백라이트 유닛(179) 상에는 액정패널(130)이 일정 간격을 두고 위치할 수 있다. 액정패널(130) 및 백라이트 유닛(179)은 커버버텀(180)과 체결되는 커버탑(190)에 의해 고정 및 보호될 수 있다. 여기서, 커버탑(190)의 상부 면에는 액정패널(130)의 화상 표시 영역을 노출시키는 개구부가 마련될 수 있다.
앞서 설명한 액정패널(130)은 게이트배선들을 통해 공급되는 스캔 신호와, 데이터배선들을 통해 공급되는 데이터전압에 따라 각 서브 픽셀에 화상을 표시할 수 있다. 스캔 신호는 1수평 시간 동안 공급되는 게이트 하이 전압과, 나머지 기간 동안 공급되는 게이트 로우 전압이 교번되는 펄스 신호일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
서브 픽셀에 포함된 트랜지스터는 게이트배선들로부터 게이트 하이 전압이 공급되는 경우 턴-온되어, 데이터배선들로부터 인가되는 데이터전압을 액정층에 공급할 수 있다. 이에 따라, 액정표시장치는 각 서브 픽셀의 트랜지스터가 턴-온되어 화소 전극으로 데이터 전압이 인가되면, 액정층에 데이터전압과 공통 전압의 차전압이 충전되면서 화상을 표시할 수 있다.
이와 반대로, 게이트배선들로부터 게이트 로우 전압이 공급되는 경우, 트랜지스터는 턴-오프되면서 액정층에 충전된 데이터전압이 스토리지 커패시터에 의해 1프레임 기간 동안 유지할 수 있다. 한편, 액정패널(130)은 게이트배선들을 통해 공급되는 스캔 신호에 따라 상이한 동작을 반복할 수도 있다.
이하, 액정패널에 포함된 서브 픽셀에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 서브 픽셀의 평면도 이고, 도 3은 도 2의 T1-T2 영역의 단면도 이며, 도 4는 도 2의 Y1-Y2 영역의 단면도 이고, 도 5는 비교 기술에 의한 전극 구조를 나타낸 도면이며, 도 6은 실시예에 의한 전극 구조를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 서브 픽셀은 장축방향(y)으로 길고 단축방향(x)으로 짧은 형태로 형성된다. 서브 픽셀은 장축방향(y)으로 구분된 제1영역(A1), 제2영역(A2) 및 제3영역(A3)이 정의된다. 서브 픽셀은 데이터 신호가 공급되는 데이터배선(DL)과, 게이트신호가 공급되는 게이트배선(GL)과, 공통전압이 공급되는 공통전압배선(SL)을 포함한다. 또한, 서브 픽셀은 데이터배선(DL)과 게이트배선(GL)에 연결된 트랜지스터(T)와, 트랜지스터(T)의 소오스 또는 드레인에 연결된 화소전극(P1..P3b)과, 이웃하는 서브 픽셀에 위치하는 공통전압배선(SLn+1)에 연결된 공통전극(C1..C3b)을 포함한다.
서브 픽셀에 포함된 화소전극(P1..P3b)은 제1화소전극(P1), 제2화소전극(P2a, P2b) 및 제3화소전극(P3a, P3b)을 포함하고 공통전극(C1..C3b)은 제1공통전극(C1), 제2공통전극(C2) 및 제3공통전극(C3a, C3b)을 포함한다.
화소전극에 포함된 제1화소전극(P1)은 제1영역(A1)의 장축방향(y)으로 배열 된다. 그리고 제2화소전극(P2a, P2b)은 장축방향(y)의 중앙영역(S)에서 제1화소전극(P1)으로부터 연장되고 제1영역(A1) 내지 제3영역(A3)으로 배열된다. 그리고 제3화소전극(P3a, P3b)은 제1화소전극(P1)으로부터 연장되고 제2화소전극(P2a, P2b)을 기준으로 제3일측화소전극(P3a)과 제3타측화소전극(P3b)으로 양분되어 제1영역(A1) 내지 제3영역(A3)에 복수로 배열되며 중앙영역(S)을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)에 배열된 전극의 기울기가 제2영역(A2)에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사진다. 한편, 제2화소전극(P2a, P2b)의 경우 제2영역(A2)에 배열된 전극이 중앙영역(S)을 기준으로 제2일측화소전극(P2a)과 제2타측화소전극(P2b)으로 동일하게 양분되도록 형성될 수 있다. 그리고, 제3화소전극(P3a, P3b)의 경우 중앙영역(S)을 기준으로 일측과 타측에 배열된 전극의 수가 동일한 개수를 가지고 상호 이격되도록 형성될 수 있다. 또한, 제3화소전극(P3a, P3b)의 경우 제3일측화소전극(P3a)과 제3타측화소전극(P3b) 중 일측 마지막과 타측 마지막에 위치하는 전극의 두께가 가장 두껍게 형성될 수 있다.
공통전극에 포함된 제1공통전극(C1)은 제1화소전극(P1) 내지 제3화소전극(P3a, P3b)과 동일한 층에 위치하고 제3영역(A3)의 장축방향(y)으로 배열된다. 그리고 제2공통전극(C2)은 중앙영역(S)에서 제1공통전극(C1)으로부터 연장되고 제2화소전극(P2a, P2b) 사이로 배열된다. 그리고 제3공통전극(C3a, C3b)은 제1공통전극(P1)으로부터 연장되고 제2화소전극(P2a, P2b)을 기준으로 제3일측공통전극(C3a)과 제3타측공통전극(C3b)으로 양분되어 제3영역(A3) 내지 제1영역(A1)에 복수 배열되며 제3화소전극(P3a, P3b)과 동일한 기울기를 갖는다. 한편, 제3공통전극(C3a, C3b)의 경우 중앙영역(S)을 기준으로 일측과 타측에 배열된 전극의 수가 동일한 개수를 가지고 상호 이격될 수 있다. 그리고 제2공통전극(C2)의 경우 제2영역(A2)에 배열된 전극의 두께보다 제3영역(A3)에 배열된 전극의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 트랜지스터(T)는 게이트(112), 액티브층(114), 소오스(116a) 및 드레인(116b)을 포함할 수 있고, 소오스(116a) 또는 드레인(116b)은 화소전극(118)에 연결된다. 이하 트랜지스터(T)의 구조에 대해 상세히 설명한다.
제1기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 제1기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 게이트(112)가 위치할 수 있다. 게이트(112)는 게이트배선(GL)에 연결될 수 있다. 이러한 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
게이트(112) 상에는 제1절연막(113)이 위치할 수 있다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 위치할 수 있다. 액티브층(114) 상에는 소오스 영역 및 드레인 영역에 각각 위치하는 오믹콘택층(115)이 위치할 수 있다. 액티브층(114)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있으며, 오믹콘택층(115)은 전기 접촉저항을 줄이기 위해 형성될 수 있다.
액티브층(114) 및 오믹콘택층(115) 상에는 소오스(116a) 및 드레인(116b)이 위치할 수 있다. 소오스(116a) 또는 드레인(116b)은 데이터 배선(DL)에 연결될 수 있다. 이러한 소오스(116a) 및 드레인(116b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 소오스(116a) 및 드레인(116b)이 단일층일 경우 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 소오스(116a) 및 드레인(116b)이 다중층일 경우 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
소오스(116a) 및 드레인(116b) 상에는 제2절연막(117)이 위치할 수 있다. 제2절연막(117)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이와 같이 형성된 트랜지스터(T)의 소오스(116a) 또는 드레인(116b)은 제2절 연막(117) 상에 위치는 화소전극(118)에 연결될 수 있다. 화소전극(118)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
도 4를 참조하면, 버퍼층(111) 상에는 공통전압배선(SL)이 위치할 수 있다. 공통전압배선(SL) 상에는 제1절연막(113)이 위치할 수 있다. 제1절연막(113) 상에는 데이터배선(DL)과 이웃하는 서브 픽셀에 연결된 데이터배선(DLn+1)이 위치할 수 있다. 데이터배선(DL, DLn+1) 상에는 제2절연막(117)이 위치할 수 있다. 제2절연막(117) 상에는 제1화소전극(P1), 제1화소전극(P1)으로부터 연장된 제3타측화소전극(P3b), 제1공통전극(C1) 및 제1공통전극(C1)으로부터 연장된 제3타측공통전극(C3b)가 위치할 수 있다. 그리고 제1화소전극(P1), 제3타측화소전극(P3b), 제1공통전극(C1) 및 제3타측공통전극(C3b) 상에는 배향막(125)이 위치할 수 있다.
실시예의 서브 픽셀은 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)이 중앙영역(S)을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)에 배열된 전극의 기울기가 제2영역(A2)에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사지도록 형성된다. 아울러, 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)은 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 전극의 기울기가 동일하게 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 비교 기술에 의한 전극 구조와 실시예에 의한 전극 구조가 도시된다.
비교 기술에 의한 전극 구조의 경우 제1영역(A1) 내지 제3영역(A3)에 배열된 제3일측화소전극(P3a)과 제3일측공통전극(C3a)의 기울기(θ1, θ2, θ3)를 모두 동일하게 15˚로 형성한 것이다.
이와 달리, 실시예에 의한 전극 구조의 경우 제2영역(A2)에 배열된 제3일측화소전극(P3a)과 제3일측공통전극(C3a)의 기울기를 15˚로 형성하고, 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 제3일측화소전극(P3a)과 제3일측공통전극(C3a)의 기울기(θ1, θ3)를 15˚ 보다 경사지도록 형성한 것이다.
비교 기술에 의한 전극 구조의 경우 외력에 의한 디스크리네이션(disclination)에 의한 얼룩(또는 손자국) 발생 문제를 고려하여 전극의 기울기(θ1, θ2, θ3)를 모두 15˚로 형성하였다. 그러나, 외력의 작용은 서브 픽셀에 정의된 영역(A1..A3)에 따라 다르게 작용하게 된다. 실험 결과, 외력 작용에 의해 취약한 부분은 전극의 기울기가 복합적으로 형성된 제1영역(A1)과 제3영역(A3)으로 나타났다.
한편, 실시예에 의한 전극 구조의 경우, 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제1영역(A1)에 배열된 제3공통전극(C3a, C3b)의 길이를 상호 교번 배열된 화소전극과 공통전극 간의 거리를 기준으로 1배 ~ 2배 정도로 형성될 수 있다. 여기서, 각각의 끝단에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 길이를 1배 이상으로 형성하면, 외력에 의한 회복력을 향상시킬 수 있게 된다. 그리고 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 길이를 2배 이하로 형성하면, 투과율이 저하되는 문제를 방지함과 아울러 한정된 서브 픽셀 영역 내에 서 전극을 경사지도록 형성할 수 있게 된다.
실험 결과에 의하면, 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 제3일측화소전극(P3a)과 제3일측공통전극(C3a)의 기울기(θ1, θ3)를 15˚보다 더 경사지게 형성하면, 외력이 작용하더라도 액정분자가 회복될 수 있음을 알 수 있었다.
하기의 표 1은 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기 대비 액정셀의 회복시간과 회복상태에 대한 설명이다.
전극의 기울기 회복시간 회복상태
10˚~ 15˚ 불능 불량
20˚~ 29˚ 빠름 양호
30˚~ 45˚ 빠름 매우양호
표 1의 실험에서, 제2영역(A2)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기를 15˚로 형성한 것이다.
표 1의 실험에서 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기가 15˚이하로 형성된 경우 회복이 불능하고 회복상태가 불량한 것으로 나타났다.
이와 달리, 표 1의 실험에서 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기가 20˚~ 29˚인 경우 회복시간이 빠르고 회복상태가 양호한 것으로 나타났다. 그리고 전극의 기울기가 30˚~ 45˚인 경우 회복시간이 빠름은 물론 회복상태가 매우 양호한 것으로 나타났다.
한편, 위의 실험에서 액정셀 내의 액정분자의 토크(Tourque; T)의 회복시간과 회복상태는 하기의 수학식 1과 같이 전극의 기울기에 비례하여 증가하게 된다.
Figure 112008085763719-pat00001
여기서, θ 는 전극의 각도, WE 는 액정셀 내의 전기 에너지, △ε 는 액정셀의 유전율, E 는 전극과 전극 사이의 전기장을 나타낸다.
위의 수학식 1에서 액정분의 토크(T)는 전극의 기울기(θ)에 비례하여 증가하고, 액정분의 토크(T)가 클수록 외력에 대한 액정 배열 회복력이 커짐을 알 수 있다. 따라서, 제1영역(A2) 및 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기를 증가시키면 액정분자의 토크가 증가하게 된다.
또한, 위의 실험에서 액정셀 내의 액정분자의 토크(T)는 하기의 수학식 2와 같이 외력의 작용과 관계된다.
Figure 112008085763719-pat00002
위의 수학식 2를 참조하면, 액정분의 토크(T)는 전극의 기울기(θ)와 비례하고 액정분자의 토크(T)가 클수록 외력에 대한 액정 배열 회복력이 커지므로, 화이트 터치와 같은 얼룩을 개선하기 위해서는 액정분자의 토크(T)를 외력에 의한 토크보다 크게 해줘야 함을 알 수 있다.
따라서, 제1영역(A2) 및 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기를 증가시키면 액정분자의 토크(T)가 증가하게 되므로 외력에 의해 얼룩이 남는 문제를 개선할 수 있게 된다.
그러므로, 서브 픽셀에 포함된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 구조를 실시예와 같이 형성하면, 액정셀 내의 액정분자의 토크(Tourque; T)가 증가하게 된다. 이에 따라, 액정패널에 외력이 가해지더라도 전극 끝단부에서 액정의 흐트러짐에 의한 디스크리네이션이 발생하지 않으므로 일명 화이트 터치(White touch)와 같은 얼룩(또는 손자국)이 남는 문제를 개선할 수 있게 된다.
한편, 위와 같이 외력에 의해 얼룩이 남는 문제를 개선하기 위해, 실시예는 제1영역(A1)과 제3영역(A3)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기를 20˚~ 45˚로 형성하고, 제2영역(A2)에 배열된 제3화소전극(P3a, P3b)과 제3공통전극(C3a, C3b)의 전극의 기울기가 15˚로 형성한 것을 일례로 한다. 그러나, 위의 표 1의 실험 결과와 수학식 1 및 수학식 2를 참조하면, 제2영역(A2)에 배열된 전극의 기울기가 15˚가 아닌 다른 기울기를 가졌을 때에도 이를 참조하여 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)의 전극의 기울기를 구할 수 있을 것이다.
이상 본 발명의 실시예는 IPS 모드로 구동하는 액정패널에 외력이 작용하더라도 액정분자의 흐트러짐에 의한 디스크리네이션(disclination)을 방지할 수 있는 전극 구조를 제공하여 서브 픽셀에 얼룩(또는 손자국)이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 응답속도를 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 액정표시장치의 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 서브 픽셀의 평면도.
도 3은 도 2의 T1-T2 영역의 단면도.
도 4는 도 2의 Y1-Y2 영역의 단면도.
도 5는 비교 기술에 의한 전극 구조를 나타낸 도면.
도 6은 실시예에 의한 전극 구조를 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
110: 제1기판 120: 제2기판
112: 게이트 113: 제1절연막
114: 액티브층 118: 화소전극
T: 트랜지스터 DL: 데이터배선
GL: 게이트배선 SL: 공통전압배선
P1: 제1화소전극 P2a, P2b: 제2화소전극
P3a, P3b: 제3화소전극 C1: 제1공통전극
C2: 제2공통전극 C3a, C3b: 제3공통전극

Claims (10)

  1. 매트릭스로 형성된 서브 픽셀을 포함하는 액정패널을 포함하며,
    상기 서브 픽셀은 장축방향으로 구분된 제1영역, 제2영역 및 제3영역과,
    상기 제1영역의 상기 장축방향으로 배열된 제1화소전극과,
    상기 장축방향의 중앙영역에서 상기 제1화소전극으로부터 연장되고 상기 제1영역 내지 상기 제3영역으로 배열된 제2화소전극과,
    상기 제1화소전극으로부터 연장되고 상기 제2화소전극을 기준으로 제3일측화소전극과 제3타측화소전극으로 양분되어 상기 제1영역 내지 상기 제3영역에 복수로 배열되며 상기 중앙영역을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 상기 제1영역 및 상기 제3영역에 위치하는 전극의 기울기가 상기 제2영역에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사진 제3화소전극과,
    상기 제1 내지 상기 제3화소전극과 동일한 층에 위치하고 상기 제3영역의 상기 장축방향으로 배열된 제1공통전극과,
    상기 중앙영역에서 상기 제1공통전극으로부터 연장되고 상기 제2화소전극 사이로 배열된 제2공통전극과,
    상기 제1공통전극으로부터 연장되고 상기 제2화소전극을 기준으로 제3일측공통전극과 제3타측공통전극으로 양분되어 상기 제3영역 내지 상기 제1영역에 복수 배열되며 상기 중앙영역을 지나는 가상의 수평선을 기준각으로 상기 제1영역 및 상기 제3영역에 위치하는 전극의 기울기가 상기 제2영역에 배열된 전극의 기울기보다 더 경사진 제3공통전극을 포함하되,
    상기 제2화소전극 및 제3화소전극과 상기 제3공통전극은 상기 중앙영역을 기준으로 미러 형태로 양분되고,
    상기 제3일측화소전극의 가장자리와 제3타측화소전극의 가장자리 사이에 위치하는 제3일측화소전극, 제3타측화소전극, 제3일측공통전극 및 제3타측공통전극은 상기 제1 내지 제3영역에서 두께가 동일함과 더불어 상기 제1영역 및 상기 제3영역의 기울기가 상기 제2영역의 기울기보다 더 경사지는 형태로 평행을 이루는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3화소전극과 상기 제3공통전극은,
    상기 제1영역과 상기 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3화소전극과 상기 제3공통전극은,
    상기 제1영역과 상기 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 20˚~ 45˚인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3화소전극과 상기 제3공통전극은,
    상기 제2영역에 배열된 전극의 기울기가 15˚인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3화소전극은,
    상기 제3일측화소전극의 가장자리와 제3타측화소전극의 가장자리에 위치하는 전극의 두께가 가장 두꺼운 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3화소전극과 상기 제3공통전극은,
    상기 중앙영역을 기준으로 일측과 타측에 배열된 전극의 수가 동일한 개수를 가지고 상호 이격된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2화소전극은,
    상기 제2영역에 배열된 전극이
    상기 중앙영역을 기준으로 제2일측화소전극과 제2타측화소전극으로 동일하게 양분된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2일측화소전극과 상기 제2타측화소전극은
    상기 제1영역과 상기 제3영역에 배열된 전극의 기울기가 20˚~ 45˚이고,
    상기 제2영역에 배열된 전극의 기울기가 15˚인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2공통전극은,
    상기 제2영역에 배열된 전극의 두께보다 상기 제3영역에 배열된 전극의 두께가 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 액정패널은,
    IPS 모드(In-Plane Switching Mode)로 배향된 액정분자를 포함하는 액정표시장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102156367B (zh) 2010-08-04 2013-06-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板和液晶显示器
KR20120081666A (ko) 2010-12-31 2012-07-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치 제조용 노광 마스크
CN104375341A (zh) * 2014-11-18 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN108122941A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 南昌欧菲生物识别技术有限公司 有机发光二极管显示屏指纹识别装置及电子设备
TWI697709B (zh) * 2018-12-05 2020-07-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030082375A (ko) * 2002-04-15 2003-10-22 어드밴스트 디스플레이 인코포레이티드 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20060001815A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2007248557A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界型液晶表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459464B1 (en) * 2000-08-14 2002-10-01 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid crystal display device with reduced weighting trace defects
KR20070001652A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정 표시 장치
KR101074396B1 (ko) * 2005-06-30 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP4238877B2 (ja) * 2006-03-28 2009-03-18 エプソンイメージングデバイス株式会社 Ｆｆｓモードの液晶表示パネル
US7847904B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US7623191B2 (en) * 2006-09-19 2009-11-24 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display devices
KR101254828B1 (ko) * 2007-10-05 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030082375A (ko) * 2002-04-15 2003-10-22 어드밴스트 디스플레이 인코포레이티드 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20060001815A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR20060000806A (ko) * 2004-06-29 2006-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2007248557A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界型液晶表示装置

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