KR101308320B1 - 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 - Google Patents

현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 현상하는데 있어서 안정적으로 기판에 현상액을 공급하는 것이다.
기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 통해 상기 기판을 연직축 주위로 회전시키면서, 제1 현상액 노즐로부터 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽에 공급하고, 현상액의 공급 위치를 이동시킴으로써, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해, 제2 현상액 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 동시에 상기 기판 보유 지지부를 통해 기판을 연직축 주위로 회전시켜, 그 현상액을 원심력에 의해 기판의 주연부로 신전(伸展)시키는 공정을 실시하고, 처리에 따라서 현상액 노즐을 구분하여 사용한다.
웨이퍼, 현상액, 현상 장치, 현상액 노즐, 구동 기구

Description

현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 {DEVELOPING METHOD, DEVELOPING DEVICE AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 그 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 현상하는 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이와 같은 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.
종래 현상 처리로서는, 예를 들어 우선 기판 보유 지지부 상에 웨이퍼를 수평으로 보유 지지하고, 이 웨이퍼의 표면으로부터 약간 뜨게 한 위치에 세공의 토출 구멍을 갖는 현상액 노즐을 배치한다. 그 후 웨이퍼를 연직축 주위로 회전시키는 동시에, 상기 현상액 노즐로부터 현상액을 토출하면서 웨이퍼의 회전 반경 방향으로 당해 현상액 노즐을 이동시킴으로써, 웨이퍼의 표면에 나선 형상으로 현상액을 도포한다. 그리고 그와 같이 현상액이 도포된 상태에서 소정의 현상 시간이 경 과할 때까지 웨이퍼를 정지 상태로 유지하고, 그런 후 린스액을 웨이퍼에 공급하여 현상액을 씻어내는 방법이 알려져 있고, 이 현상 처리는 패들 방식 현상이라 부르고 있다.
그러나 상기 패들 방식 현상에는 사용하는 현상액의 양이 많다는 결점이 있다. 따라서 이 패들 방식 대신에, 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같은, 기판을 회전시키면서 당해 기판에 현상액을 토출하여 현상 처리하는 방식을 행하는 것이 검토되어 있다. 도14의 (a), 도14의 (b)를 참조하면서 이 현상 처리에 대해 간단히 설명한다. 우선 기판 보유 지지부인 스핀 척(22)을 통해 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시키는 동시에 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 주연부측으로부터 중앙부측으로 신장하는 슬릿 형상의 토출구(12)를 구비한 현상액 노즐(13)을 웨이퍼(W)의 주연부측으로부터 중앙부측을 향해 이동시키면서, 토출구(12)로부터 띠 형상으로 현상액(14)을 토출시켜, 웨이퍼(W)의 표면에 나선 형상으로 현상액(14)을 공급하고, 그 표면 전체를 현상액(14)의 액막(15)으로 피복한다. 현상액 노즐(13)이 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W) 전체를 현상액(14)으로 덮은 후에도, 상기 액막(15)의 건조를 방지하기 위해 그 웨이퍼(W)의 중심부에 현상액 노즐(13)은 현상액(14)을 계속 공급한다. 잠시 후 웨이퍼(W) 표면의 레지스트에 레지스트 패턴이 현상되면, 도시하지 않은 린스 노즐에 의해 린스액을 토출하여 웨이퍼(W) 표면의 현상액(14)을 씻어냄으로써 현상 처리가 종료된다.
상기한 기판을 회전시키면서 노즐로부터 당해 기판에 현상액을 토출하여 현상 처리하는 방식에 있어서 웨이퍼(W)에 현상액(14)의 액막(15)을 형성하는 데 있 어서는, 상기한 패들 방식 현상에 있어서 도포를 행하는 것에 비해 현상액 노즐(13)의 이동 속도를 크게 설정함으로써 현상 처리의 단축화를 도모할 수 있고, 또한 패들 방식으로 도포를 행하는 경우보다도 웨이퍼(W) 표면의 현상액(14)의 막 두께가 작아지므로 현상액(14)의 액 절약화가 도모되고 있다. 그러나 레지스트 재료에 따라서는 현상 결함의 발생을 억제하고자 하는 동시에 양호한 CD(레지스트 패턴의 선폭)의 균일성을 얻고자 하면, 프로세스 마진이 좁아져 버려, 그 결과로서 현상 시간 및 사용하는 현상액량을 충분히 저하시켜 처리를 행할 수 없는 경우가 있다. 따라서 이들 현상 시간 및 현상액량을 저하시키는 것은 여전히 현상 처리를 행하는데 있어서의 검토 사항으로 되어 있다.
그런데, 상기한 현상 방식에 있어서 현상 후 형성되는 레지스트 패턴의 형상을 안정시키기 위해서는, 웨이퍼(W) 전체를 액막(15)으로 덮은 후 상기 린스액에 의해 그 액막(15)을 제거할 때까지 10초 내지 20초의 시간이 필요하고, 그 동안은 이미 형성된 액막(15)이 건조되지 않을 정도의 적은 유량으로 현상액을 공급하면 좋고, 상기와 같이 액막(15)을 형성하는 장소와 동일한 유량으로 현상액(14)을 계속 공급하면, 현상액(14)의 액 절약화가 충분히 도모되지 않게 되어 버린다.
따라서 현상액 공급관(16)으로부터 현상액 노즐(13)에의 현상액 공급량을 자유롭게 변화할 수 있도록 구성하고, 웨이퍼 표면 전체에 액막(15)을 형성한 후에는 상기 토출구(12)로부터의 토출 유량을 저하시키는 것이 생각되나, 현상액 노즐(13)은 소정의 유량의 현상액이 공급됨으로써 토출구(12)의 길이 방향의 각 부에 있어서 토출되는 현상액의 유속과 공급압이 일정해지고, 상기와 같이 웨이퍼(W)에 안정 적으로 띠 형상으로 공급되기 때문에, 현상액 노즐(13)로의 현상액의 공급량이 그 소정의 유량보다도 저하하면, 토출구(12)로부터의 현상액(14)의 토출이 불안정해지고, 그 결과로서 정상인 현상이 행해지지 않게 되어 현상 결함이 발생하거나 레지스트 패턴이 변동될 우려가 있다.
특허 문헌 1에는 복수회 기판으로의 현상액의 공급을 행하는 기재가 있으나, 상기한 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2005-210059(단락 0044 및 도5 등)
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 현상하는데 있어서 안정적으로 기판에 현상액을 공급할 수 있는 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 현상 방법에 따르면, 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
상기 기판 보유 지지부를 통해 상기 기판을 연직축 주위로 회전시키면서, 제1 현상액 노즐로부터 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽에 공급하는 공정과,
계속해서 상기 현상액의 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 상기 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 이동시킴으로써, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
그런 후, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해, 제2 현상액 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 동시에 상기 기판 보유 지지부를 통해 기판을 연직축 주위로 회전시켜, 그 현상액을 원심력에 의해 기판의 주연부로 신전시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 현상 장치는 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 구동 기구와,
기판의 표면에 현상액을 중앙부측으로부터 주연부측을 향하는 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 공급하여 현상액의 액막을 형성하기 위한 제1 현상액 노즐과, 상기 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 이동시키도록 제1 현상액 노즐을 이동시키는 구동 기구와,
기판의 중심부에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하여, 현상액의 액막의 건조를 방지하는 제2 현상액 노즐을 구비한 것을 특징으로 한다.
예를 들어 제1 현상액 노즐을 횡방향으로 이동시킴으로써, 기판의 주연부측으로부터 중앙부측을 향해 현상액의 공급 위치를 이동시켜도 좋고, 또한 예를 들어 제2 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량은 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량보다도 작다. 예를 들어 제1 현상액 노즐은 편평 형상으로 개구된 제1 토출구를 구비하고 있고, 또한 제2 현상액 노즐은 대략 원형으로 개구된 제2 토출구를 구비하고 있다. 또한 제1 현상액 노즐 및 제2 현상액 노즐은 상기 구동 기구에 설치된 공통의 아암에 설치되어 있어도 좋다.
본 발명의 기억 매체는 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판에 대한 현상을 행하는 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 현상 방법을 실시하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 기판에 현상액의 액막을 형성하는 공정을, 기판 표면에 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 공급하는 제1 현상액 노즐을 이용하여 행하고, 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해 현상액을 공급하는 공정을 기판에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 제2 현상액 노즐을 이용하여 행하고 있다. 이와 같이 처리에 따라서 현상액 노즐을 구분하여 사용함으로써, 예를 들어 제1 현상액 노즐만을 이용하여, 그 노즐로부터의 토출량을 변화시켜 기판에 현상액을 공급하는 경우에 비해, 그 기판으로의 현상액의 공급이 불안정해지는 것이 억제된다. 또한 각 노즐마다 그 토출되는 현상액의 형상에 맞추어, 기판으로의 현상액의 공급량을 조정할 수 있으므로, 기판으로 공급하는 현상액의 액 절약화를 도모할 수 있다.
본 발명의 현상 장치(2)에 대해 도1 및 도2를 참조하면서 설명한다. 이 현상 장치(2)는 하우징(21)을 구비하고 있고, 하우징(21) 내에 기판, 예를 들어 웨이 퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평 자세로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부인 스핀 척(22)이 설치되어 있다. 스핀 척(22)은 회전축(23)을 통해 회전 구동 기구인 구동 기구(24)와 접속되어 있고, 스핀 척(22)의 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 또한 스핀 척(22)은 구동 기구(24)를 통해 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 연직축 주위로 회전 및 승강 가능하도록 구성되어 있고, 현상 처리 중에 있어서의 그 회전 속도는 구동 기구(24)가 후술하는 제어부로부터의 제어 신호를 받음으로써 제어된다.
스핀 척(22) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측이 개구하는 컵체(31)가 설치되어 있다. 이 컵체(31)는 상부측이 사각 형상이고 하부측이 원통 형상인 외측 컵(32)과, 상부측이 내측으로 경사진 통 형상의 내측 컵(33)으로 이루어지고, 외측 컵(32)의 하단부에 접속된 승강부(34)에 의해 외측 컵(32)이 승강하고, 또한 내측 컵은 외측 컵(32)의 하단측 내주면에 형성된 단차부에 밀어 올려져 승강 가능하게 구성되어 있다.
또한 스핀 척(22)의 하방측에는 원형판(35)이 설치되어 있고, 이 원형판(35)의 외측에는 단면이 오목부 형상으로 형성된 액 수용부(36)가 전체 둘레에 걸쳐 설치되어 있다. 액 수용부(36)의 저면에는 드레인 배출구(37)가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)로부터 넘쳐 떨어지거나 혹은 흩뿌려져 액 수용부(36)에 저류된 현상액이나 린스액은 이 드레인 배출구(37)를 통해 장치의 외부로 배출된다. 또한 원형판(35)의 외측에는 단면이 산형인 링 부재(38)가 설치되어 있다. 또한, 도시는 생략하나, 원형판(35)을 관통하는 예를 들어 3개의 기판 보유 지지 핀인 승강 핀이 설치 되어 있고, 이 승강 핀과 도시하지 않은 기판 반송 수단과의 협동 작용에 의해 하우징(21)의 측벽에 개구한 반송구(24)를 통해 하우징(21) 내로 반송된 웨이퍼(W)는 스핀 척(22)에 전달된다.
계속해서 도3도 참조하면서 현상 장치(2)에 설치된 복합 노즐부(4)에 대해 설명한다. 이 복합 노즐부(4)는 제1 현상액 노즐(41), 제2 현상액 노즐(51) 및 순수 노즐(61)에 의해 구성되어 있다. 제1 현상액 노즐(41)의 하단면(42)에는 슬릿 형상의 토출구(43)가 형성되어 있고, 스핀 척(22)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 향해 경사 하방으로, 띠 형상으로 현상액을 토출하도록 되어 있다. 그런데 이 토출구(43)는 띠 형상으로 토출하면 되기 때문에, 편평 개구부 예를 들어 편평 원, 편평 사각이면 좋다. 이 토출구(43)의 길이 방향은 상기 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중앙부측을 향하도록 형성되어 있고, 그 길이 방향의 크기(L1)는 예를 들어 5 ㎜ 내지 15 ㎜이고, 폭 방향의 크기(L2)는 예를 들어 0.1 ㎜ 내지 1 ㎜이다. 제1 현상액 노즐(41)에는 현상액 공급관(44)의 일단이 접속되고, 현상액 공급관(44)의 타단은 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등에 의해 구성되는 유량 제어부(45)를 통해 현상액 공급원(46)에 접속되어 있고, 유량 제어부(45)가 제어부(100)로부터의 제어 신호를 기초로 하여 토출구(43)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 급단(給斷)을 제어한다.
계속해서 제2 현상액 노즐(51)에 대해 설명한다. 제2 현상액 노즐(51)의 하단면에는 경사 하방을 향해 대략 원형의 세공인 토출구(53)가 개구되어 있다. 이 토출구(53)는 원이라도 좋으나, 사각, 삼각으로 개구되어 있어도 좋다. 토출 구(53)의 구경의 크기(L3)는 예를 들어 0.1 내지 10 ㎜이다. 제2 현상액 노즐(51)에는 현상액 공급관(54)의 일단이 접속되고, 현상액 공급관(54)의 타단은 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등에 의해 구성되는 유량 제어부(55)를 통해 현상액 공급관(48)에 합류하고, 현상액 공급원(46)에 접속되어 있다. 유량 제어부(55)는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 기초로 하여 토출구(53)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 급단을 제어한다.
순수 노즐(61)의 하단면(62)에는 세공인 토출구(63)가 개구되어 있다. 순수 노즐(61)에는 순수 공급관(64)의 일단이 접속되고, 순수 공급관(64)의 타단은 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등에 의해 구성되는 유량 제어부(65)를 통해 순수 공급원(66)에 접속되어 있다. 유량 제어부(65)가 제어부(100)로부터의 제어 신호를 기초로 하여 토출구(63)로부터 웨이퍼(W)로의 순수의 급단을 제어한다. 이 순수는 현상액을 공급하기 전에 웨이퍼(W)에 도포하고, 현상액의 젖음성을 향상시키기 위한 프리웨트(pre-wet) 처리용의 액으로서, 또한 현상액 공급 후에 웨이퍼(W)에 공급하여 현상액을 제거하기 위한 린스액으로서 이용된다.
복합 노즐부(4)는 지지 부재인 노즐 아암(25)의 일단측에 지지되어 있고, 이 노즐 아암(25)의 타단측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 기체(基體)(26)에 접속되어 있다. 이동 기체(26)는 제어부로부터의 제어 신호를 받아 예를 들어 횡방향으로 신장하는 가이드 부재(27)를 따라 이동하고, 노즐 아암(25)을 예를 들어 가이드 부재(27)의 신장 방향과 직교하는 전후 방향으로 구동시킬 수 있도록 구성되어 있다.
상기와 같이 노즐 아암(25) 및 이동 기체(26)가 구성됨으로써, 도4에 도시한 바와 같이 제1 현상액 노즐(41)에 있어서의 토출구(43)의 스핀 척(22)에 적재된 웨이퍼(W)로의 투영 영역(47)의 일단이 웨이퍼(W)의 중심(P)을 향하고, 그 웨이퍼(W)의 직경 상을 주연부측으로부터 중심(P)으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 직경을 따라 현상액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한 제2 현상액 노즐(51)에 있어서의 토출구(53)의 상기 웨이퍼(W)로의 투영 영역(57)이, 상기 토출구(43)의 투영 영역(47)에 겹치도록 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심(P)으로 이동하고, 그 중심(P)에 현상액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한 도시는 생략하고 있으나, 순수 노즐(61)의 토출구(63)의 상기 웨이퍼(W)로의 투영 영역은, 제2 현상액 노즐(51)의 토출구(53)의 상기 웨이퍼(W)로의 투영 영역(57)과 겹치도록 이동하고, 토출구(63)로부터 웨이퍼(W)의 중심(P)으로 순수를 공급할 수 있도록 되어 있다.
제1 현상액 노즐(41)의 토출구(43), 제2 현상액 노즐(51)의 토출구(53), 순수 노즐(61)의 토출구(63)로부터 각각 액이 웨이퍼(W)에 토출될 때, 이들 토출구(43, 53, 63)의 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 높이는 예를 들어 5 ㎜ 내지 20 ㎜이다. 또한 도2 중 부호 28은 복합 노즐부(4)의 대기부이며, 외측 컵(32)의 외측에 설치되어 있다.
계속해서 제어부(100)에 대해 설명한다. 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용에서 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써 제어부(100)는 웨이퍼의 회전 속도, 노즐의 이동, 웨이퍼로의 현상액 및 순수의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.
계속해서, 이 현상 장치(2)에 의해 웨이퍼(W)에 일련의 현상 처리를 행하는 순서에 대해 도5 및 도6을 참조하면서 설명한다. 도5, 도6은 각각 각 공정, 각 공정에 있어서의 웨이퍼(W) 표면의 상태를 나타내고 있고, 이들 도5 및 도6에서는 도시의 편의상 각 노즐(41, 51, 61)이 서로 겹치지 않도록, 도1 등에 도시한 구성과 달리, 노즐(41)의 상기 토출구(43)의 길이 방향으로 일렬로 전개하여 배열되어 있도록 도시하고 있다.
(스텝 1 : 웨이퍼(W)의 반입)
우선 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해, 그 표면에 레지스트(R)가 도포되고, 그 레지스트(R)가 노광 처리를 받은 웨이퍼(W)가 반송구(24)를 통해 하우징(21) 내로 반입되면, 이 기판 반송 수단과 도시하지 않은 승강 핀과의 협동 작용에 의해 웨이퍼(W)는 스핀 척(22)에 전달되고, 계속해서, 외측 컵(32) 및 내측 컵(33)이 상승 위치에 설정된다. 계속해서 스핀 척(22)이 1100 내지 1500 rpm 예를 들어 1500 rpm으로 회전하고, 이동 기체(26)를 통해 복합 노즐부(4)가 대기부(28)로부터 웨이퍼(W) 상으로 이동하고, 복합 노즐부(4)의 순수 노즐(61)이 웨이퍼(W)의 중심 상에 위치한다[도5의 (a)].
(스텝 2 : 순수의 공급)
순수 노즐(61)이 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하면, 순수 노즐(61)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 순수(F)가 토출되고, 토출된 순수(F)는 원심력에 의해 신전되는 소위 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 퍼지고, 순수(F)의 액막이 형성되는 프리웨트 처리가 행해진다[도5의 (b)].
(스텝 3 : 현상액 노즐의 이동)
순수(F)의 토출로부터 소정의 시간이 경과하면, 순수 노즐(61)로부터 순수(F)의 토출이 정지하고, 그 후 복합 노즐부(4)가 웨이퍼(W)의 외측으로 이동하여, 제1 현상액 노즐(41)이, 예를 들어 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 약간 외측으로 또한 웨이퍼(W)보다도 예를 들어 15 ㎜ 정도 높은 위치로 이동한다[도5의 (c)].
(스텝 4 : 제1 현상액 노즐로부터의 현상액의 공급)
그런 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 예를 들어 1000 rpm 내지 1500 rpm으로 되고, 제1 현상액 노즐(41)의 토출구(43)로부터 현상액(D)을 소정의 유량 예를 들어 100 ml/분 내지 1000 ml/분 예를 들어 600 ml/분으로 띠 형상으로 토출하면서 도5의 (d)에 도시한 바와 같이 제1 현상액 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 중심부측을 향해 직경 방향을 따라 이동하고, 현상액(D)은 웨이퍼(W)에 나선 형상으로 공급되고, 현상액(D)은 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 원심력의 작용에 의해 순수(F) 표면을 외측으로 적셔 퍼진다[도6의 (a)].
(스텝 5 : 제2 현상액 노즐로부터의 현상액의 공급)
제1 현상액 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부측으로 이동을 계속하고, 그 토출 구(43)의 웨이퍼(W)로의 투영 영역 내에 도6의 (b)에 도시한 바와 같이 도면 중 쇄선으로 나타내는 중심선(M)이 위치하고, 웨이퍼(W) 중심부에 현상액(D)이 공급되어 웨이퍼(W) 표면 전체에 현상액(D)의 액막이 형성되는 동시에, 제2 현상액 노즐(51)의 토출구(53)의 웨이퍼(W)로의 투영 영역이 도면 중 쇄선으로 나타내는 웨이퍼(W)의 중심선(M) 상에 위치하면, 도7의 타임 차트로 나타낸 바와 같이, 토출구(43)로부터의 현상액(D)의 공급이 정지하는 동시에, 제2 현상액 노즐(51)의 토출구(53)로부터 유량 100 ml/분 내지 1000 ml/분으로 현상액(D)이 공급된다[도5의 (e)]. 이 제2 현상액 노즐(51)로부터의 현상액의 공급 중, 웨이퍼(W)는 예를 들어 500 rpm 내지 1500 rpm으로 회전하고, 제2 현상액 노즐(51)로부터 공급된 현상액(D)은 원심력에 의해, 이미 형성된 현상액(D)의 액막 표면을 웨이퍼(W)의 주연측으로 퍼진다[도6의 (c)].
(스텝 6 : 린스 처리)
제2 현상액 노즐(51)로부터의 현상액(D)의 토출이 개시된 후 소정의 시간 예를 들어 10초 내지 20초가 경과하면, 제2 현상액 노즐(51)로부터의 현상액(D)의 토출이 정지하고, 계속해서 웨이퍼(W) 형상의 현상액(D)이 건조되기 전에 신속히 순수 노즐(61)이 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하여 순수(F)를 토출한다. 토출된 순수(F)는 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력의 작용에 의해 표면을 따라 외측으로 퍼지고, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 씻어내고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 세정된다[도5의 (f)].
(스텝 7 : 건조 처리)
순수(F)가 토출된 후 소정의 시간이 경과하면, 순수(F)의 토출이 정지하고, 복합 노즐부(4)가 대기부(28)로 이동하고, 계속해서 웨이퍼(W)가 예를 들어 2000 rpm으로 회전하여, 웨이퍼(W) 표면의 액을 원심 탈수하는 스핀 건조가 이루어진다[도5의 (g)]. 그런 후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지하고, 외측 컵(32) 및 내측 컵(33)이 하강하여, 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)가 반출되고, 현상 처리가 종료된다.
상기한 현상 장치(2)에 따르면, 웨이퍼(W)에 띠 형상으로 현상액을 공급하는 제1 현상액 노즐(41)과, 그 띠 형상 영역보다도 좁은 원형 영역에 현상액을 공급하는 제2 현상액 노즐(51)이 설치되고, 제1 현상액 노즐(41)을 웨이퍼(W)의 주연부측으로부터 중심부측으로 이동시키면서 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여, 현상액의 액막을 성막한 후, 그 액막이 건조되는 것을 방지하기 위해, 제2 현상액 노즐(51)로부터 현상액을 웨이퍼(W)의 중심에 공급하고 있다. 이와 같이 웨이퍼(W)에 공급하는 현상액의 유량에 따라서 현상액을 토출하는 노즐을 구분하여 사용함으로써, 제1 현상액 노즐(51)로부터의 현상액의 공급 유량을 적게 하여, 상기 현상 액막의 건조를 방지하기 위해 현상액을 공급하는 경우에 비해 현상액의 토출을 안정시켜, 현상 결함이 발생하는 것이 억제된다. 그리고 제2 현상액 노즐(51)로부터의 유량을 제1 현상액 노즐(41)로부터의 유량보다도 작게 함으로써, 웨이퍼(W)로 공급되는 현상액의 양의 저하를 도모할 수 있고, 따라서 현상 처리의 비용이 상승하는 것을 억제할 수 있다.
제1 현상액 노즐(41)로부터의 현상액이 웨이퍼(W)에 띠 형상으로 공급되면, 토출구(43)를 슬릿 형상으로 형성하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 복수의 원형의 구멍이 제1 현상액 노즐(41)의 이동 방향으로 늘어서는 형상의 토출구를 형성해도 좋고, 노즐의 길이 방향으로 긴 직경이 신장되는 타원 상에 형성해도 좋고, 노즐의 길이 방향으로 대각선이 신장하는 마름모꼴 형상으로 형성해도 좋다. 또한 제2 현상액 노즐(51)의 토출구(53)로부터 현상액이 웨이퍼(W)에 안정적으로 공급되면, 토출구(53)가 상기와 같이 대략 원형으로 형성되지 않아도 본 발명의 권리 범위에 포함된다. 예를 들어 토출구(53)는, 웨이퍼(W)에 토출구(43)의 길이 방향의 크기보다도 그 길이 방향의 크기가 작은 슬릿 형상으로 형성되고, 웨이퍼(W)에 띠 형상으로 현상액을 공급하도록 되어 있어도 좋고, 또한 토출구(53)는 정원(正圓)이라도 좋다. 또한 토출구(53)의 웨이퍼(W)로의 투영 영역이 원형이나 사각 형상이 되어 있지 않아도 좋다. 또한 제2 현상액 노즐(51)이 복수의 토출구를 구비하고 있어도 좋다.
상기 실시 형태에 있어서, 제2 현상액 노즐(51)로부터 현상액을 공급하는 타이밍으로서는, 제1 현상액 노즐(41)에 의해 웨이퍼(W)에 공급된 현상액이 건조하기 전이면 좋고, 도8의 타임 차트에 나타낸 바와 같이 제1 현상액의 공급을 정지하는 시간(t1)과 제2 현상액의 공급을 개시하는 시간(t2) 사이에 어긋남이 있어도 좋고, 예를 들어 시간(t1)과 시간(t2)의 어긋남량은 예를 들어 2초 이하이다.
상기 실시 형태에 있어서, 제1 현상액 노즐(41)은 그 토출구(43)의 투영 영역(47)에 웨이퍼(W)의 중심(P)이 들어가는 위치로 이동하고 있으나, 예를 들어 도9의 (a)에 도시한 바와 같이 그 투영 영역(47)이 웨이퍼(W)의 중심(P)에 접하는 위 치까지 움직이도록 해도 좋다. 또한 도9의 (b)에 도시한 바와 같이 투영 영역(47)의 진행 방향의 단부가 중심(P)에 도달하기 전에 제1 현상액 노즐(41)의 이동을 정지하고, 현상액의 웨이퍼(W) 상에 있어서의 젖어 퍼짐을 이용하여 현상액을 웨이퍼(W)의 중심(P) 상에 공급해도 좋고, 그 경우 제1 현상액 노즐(41)이 이동을 정지했을 때의 상기 투영 영역(47)의 단부와 중심(P)과의 거리(L4)는 10 ㎜ 이하이다. 이들과 같은 구성으로 하면 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서 현상액을 겹쳐 도포하는 것이 억제되고, 사용하는 현상액을 억제할 수 있으므로 바람직하다. 또한 제2 현상액 노즐(51)도 현상액의 젖어 퍼짐에 의해, 웨이퍼(W)의 중심에 그 현상액이 공급되면 이 제1 현상액 노즐(41)과 마찬가지로 그 투영 영역(57) 중에 웨이퍼(W)의 중심(P)이 포함되어 있지 않아도 좋다.
또한 제1 현상액 노즐(41)에 의해 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는데 있어서는, 인접하는 띠 형상의 현상액이 겹쳐 있어도, 간극 없이 깔려도, 혹은 약간 간극이 있어도 기판에 공급된 현상액이 웨이퍼(W) 상에서 퍼지고, 웨이퍼(W) 전체에 현상액의 액막이 형성되면 좋다. 또한 스텝 4에 있어서 제1 현상액 노즐(41)을 웨이퍼(W) 중심부측으로부터 주연부측으로 이동시켜 현상액의 액막을 형성한 후, 그 현상 액막이 건조되기 전에 제2 현상액 노즐(42)을 이동시켜 웨이퍼(W) 중심에 현상액을 공급하도록 해도 좋다. 또한 상기 실시 형태에 있어서는 현상액보다도 먼저 웨이퍼(W)에 순수를 공급하고 있다. 이에 의해 현상액의 젖음성을 높여, 현상액의 액량을 적게 해도 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 더 확실하게 고루 미치게 할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한 예를 들어 순수를 상기와 같이 웨이퍼(W)에 공급 후, 웨이퍼(W)의 중심에 제1 현상액 노즐(41) 또는 제2 현상액 노즐(51)에 의해 현상액을 공급하여, 스핀 코팅에 의해 현상액을 웨이퍼(W)의 주연부로 신전시킨 후, 상기한 스텝 4를 실시하고, 현상액을 공급하면서 제1 현상액 노즐(41)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시켜, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급해도 좋고, 이 경우 순수 공급 후에 웨이퍼(W) 중심에 공급된 현상액은, 순수가 레지스트의 발수성(撥水性)에 의해 튕겨져 충분히 공급되어 있지 않은 부위에 고루 미치므로, 스텝 4에서 현상액을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부에 공급할 때에 그 현상액의 웨이퍼(W)로의 젖음성이 높아져, 당해 현상액이 웨이퍼(W)로 충분히 적셔 퍼지고, 현상 결함을 억제할 수 있고, 또한 레지스트 패턴의 높은 균일성이 얻어지기 때문에 바람직하다. 즉 이 경우에는 순수로 제1 프리웨트 처리를 행한 후, 현상액으로 제2 프리웨트 처리를 행하고 있다고 할 수 있다.
또한 각 노즐(41, 51, 61)의 토출구(43, 53, 63)의 웨이퍼(W)로의 투영 영역은 서로 겹치도록 구성하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 이동 기체(26)에 의해 노즐 아암(25)을 전후 방향[가이드 부재(27)의 신장 방향과 직교하는 방향]으로 이동시킴으로써, 각 노즐(41, 51, 61)의 토출구(43, 53, 63)의 웨이퍼(W)로의 투영 영역이 차례로 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하도록 구성해도 좋다.
도10, 도11은 현상 장치(2)의 변형예인 현상 장치(7)의 종단 측면, 횡단 평면을 각각 도시한 것이다. 이 현상 장치(7)는 노즐 아암(25) 외에 또 하나의 노즐 아암(71)을 구비하고, 노즐 아암(25)의 일단측에는 상기 제1 현상 노즐(41)이, 노 즐 아암(71)의 일단측에 제2 현상 노즐(51), 순수 노즐(61) 및 N2 가스 노즐(81)이 각각 설치되어 있고, 각 아암(25, 71)이 독립하여 그 타단에 설치된 이동 기체(26, 72)에 의해, 가이드 부재(27)를 따라 각각 이동하도록 구성되는 동시에 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. N2 가스 노즐(81)은 가스 공급관(84)을 통해 N2 가스 공급원(86)에 접속되어 있고, 도면 중 부호 85는 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 N2 가스 노즐(81)로부터 웨이퍼(W)로의 가스의 급단을 제어하는 유량 제어부이다. 그리고 노즐 아암(71)에 설치된 각 노즐(51, 61, 81)은 각각 웨이퍼(W)의 중심 상으로 이동하고, 그 중심에 각 액 또는 가스를 공급한다. 도면 중 부호 29는 이들 노즐(5, 61, 81)의 대기부이다.
이 현상 장치(7)도 현상 장치(2)와 같은 순서에 의해 웨이퍼(W)에 현상 처리가 행해지고, 현상 장치(2)와 같은 효과가 얻어진다. 단, 상기 스텝 7에 있어서의 웨이퍼(W)의 건조 공정은, 웨이퍼(W)를 이미 서술한 바와 같이 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심부에 N2 가스 노즐(81)로부터 레지스트에 대해 화학 반응을 일으키지 않는 불활성 가스인 N2 가스를 공급하도록 행해지고, 컵(31) 내의 배기와 그 가스 공급에 의해 웨이퍼(W) 중심으로부터 외주를 향하는 기류가 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 건조 시간을 단축하고 있다. 또한 현상 장치(2)에 이 N2 가스 노즐(81)과 같은 불활성 가스를 공급하는 노즐을 형성해도 좋다.
계속해서 상술한 현상 장치(2)가 조립된 도포, 현상 장치의 구성의 일례에 대해 도12 및 도13을 참조하면서 간단히 설명한다. 도면 중 부호 B1은 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어(C1)를 반입출하기 위한 캐리어 블록이고, 캐리어(C1)를 복수개 적재 가능한 적재부(90a)를 구비한 캐리어 스테이션(90)과, 이 캐리어 스테이션(90)으로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(91)와, 개폐부(91)를 통해 캐리어(C1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단(A1)이 설치되어 있다.
캐리어 블록(B1)의 안쪽에는 하우징(92)에 의해 주위가 둘러싸이는 처리 블록(B2)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(B2)에는 전방측으로부터 차례로 가열ㆍ냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3)과, 후술하는 도포ㆍ현상 유닛을 포함하는 각 처리 유닛 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주 반송 수단(A2, A3)이 교대로 배열하여 설치되어 있다. 즉, 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 주 반송 수단(A2, A3)은 캐리어 블록(B1)측으로부터 보아 전후 일렬로 배열되는 동시에, 각각의 접속부위에는 도시하지 않은 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)는 처리 블록(B2) 내를 일단측의 선반 유닛(U1)으로부터 타단측의 선반 유닛(U3)까지 자유롭게 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한 주 반송 수단(A2, A3)은, 캐리어 블록(B1)으로부터 보아 전후 방향에 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3)측의 일면부와, 후술하는 예를 들어 우측의 액 처리 유닛(U4, U5)측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획 벽(93)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 배치되어 있다. 또한 도면 중 부호 94, 95는 각 유닛에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온도, 습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유닛이다.
액 처리 유닛(U4, U5)은, 예를 들어 도13에 도시한 바와 같이 도포액(레지스트액)이나 현상액 등의 약액 공급용의 공간을 이루는 수납부(96) 상에, 도포 유닛(COT), 본 발명에 관한 현상 장치(2)에 대응하는 현상 유닛(DEV) 및 반사 방지막 형성 유닛(BARC) 등을 복수단 예를 들어 5단으로 적층한 구성으로 되어 있다. 또한 상술한 선반 유닛(U1, U2, U3)은, 액 처리 유닛(U4, U5)에서 행해지는 처리 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유닛, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛 등이 포함된다.
처리 블록(B2)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 안쪽에는, 예를 들어 제1 반송 실(97) 및 제2 반송실(98)로 이루어지는 인터페이스 블록(B3)을 통해 예를 들어 상술한 액침 노광을 행하는 노광 장치(B4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(B3)의 내부에는 처리 블록(B2)과 노광 장치(B4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 2개의 전달 수단(A4, A5) 및 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다.
이 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해 일례를 나타내면, 우선 외부로부터 웨이퍼(W)의 수납된 캐리어(C1)가 적재대(90a)에 적재되면, 개폐부(91)와 함께 캐리어(C1)의 덮개체가 벗겨져 전달 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 1단을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 통해 주 반송 수단(A2)으로 전달되고, 선반 유닛(U1 내지 U3) 내의 하나의 선반에서, 도포 처리의 전처리로서 예를 들어 반사 방지막 형성 처리, 냉각 처리가 행해지고, 그런 후 도포 유닛(COT)에서 레지스트액이 도포된다.
계속해서 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1 내지 U3)의 하나의 선반을 이루는 가열 유닛에서 가열(베이크 처리)되고, 또한 냉각된 후 선반 유닛(U3)의 전달 유닛을 경유하여 인터페이스 블록(B3)으로 반입된다. 이 인터페이스 블록(B3)에 있어서 웨이퍼(W)는 예를 들어 전달 수단(A4) → 선반 유닛(U6) → 전달 수단(A5) 등의 경로에서 노광 장치(B4)로 반송되어, 노광이 행해진다. 노광 후, 웨이퍼(W)는 반대 경로에서 주 반송 수단(A3)까지 반송되고, 현상 유닛(DEV)에서 현상됨으로써 레지스트 패턴을 구비한 레지스트 마스크가 형성된다. 그런 후 웨이퍼(W)는 적재대(90) 상의 원래의 캐리어(C1)로 복귀된다.
도1은 본 발명의 실시 형태에 관한 현상 장치의 종단 측면도.
도2는 상기 현상 장치의 횡단 평면도.
도3은 상기 현상 장치의 복합 노즐부의 사시도.
도4는 상기 현상 장치에 설치된 각 현상 노즐의 투영 영역이 이동하는 모습을 도시하는 설명도.
도5는 상기 현상 장치에 의한 현상 처리의 각 공정을 나타내는 설명도.
도6은 상기 현상 처리에 있어서 현상액이 웨이퍼(W)에 공급되는 모습을 도시한 설명도.
도7은 각 현상액 노즐로부터의 현상액의 토출 및 정지의 타이밍을 나타낸 타임 차트.
도8은 상기 현상액의 토출 및 정지의 타이밍의 다른 예를 나타낸 타임 차트.
도9는 각 현상액 노즐의 투영 영역과 웨이퍼(W)의 중심과의 위치 관계를 나타낸 설명도.
도10은 다른 실시 형태인 현상 장치의 종단 측면도.
도11은 상기 현상 장치의 횡단 평면도.
도12는 본 발명의 현상 장치가 적용된 도포, 현상 장치의 상면도.
도13은 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도14는 종래 현상 장치에 의한 현상 방법을 나타낸 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 웨이퍼
D : 현상액
2 : 현상 장치
4 : 복합 노즐부
22 : 스핀 척
24 : 구동 기구
26 : 이동 기체
41, 51 : 현상액 노즐
61 : 순수 노즐
100 : 제어부

Claims (21)

  1. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    상기 기판 보유 지지부를 통해 상기 기판을 연직축 주위로 회전시키면서, 제1 현상액 노즐로부터 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽에 공급하는 공정과,
    계속해서 상기 현상액의 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 상기 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 이동시킴으로써, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    그런 후, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해, 제2 현상액 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 동시에 상기 기판 보유 지지부를 통해 기판을 연직축 주위로 회전시켜, 그 현상액을 원심력에 의해 기판의 주연부로 신전시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1 현상액 노즐을 횡방향으로 이동시킴으로써, 기판의 주연부측으로부터 중앙부측을 향해 현상액의 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량은 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량보다도 작은 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 현상액 노즐은 편평 형상으로 개구된 제1 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2 현상액 노즐은 원형으로 개구된 제2 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  6. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 구동 기구와,
    기판의 표면에 현상액을 중앙부측으로부터 주연부측을 향하는 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 공급하는 현상액의 액막을 형성하기 위한 제1 현상액 노즐과, 상기 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 제1 현상액 노즐을 이동시키고, 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 이동시키는 구동 기구와,
    기판의 중심부에 원 형상 또는 상기 띠 형상 영역보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하여, 현상액의 액막의 건조를 방지하는 제2 현상액 노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 구동 기구는 기판의 주연부측으로부터 중앙부측을 향해 현상액의 공급 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 제2 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량은 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액의 유량보다도 작은 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 제1 현상액 노즐은 편평 형상으로 개구된 제1 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 제2 현상액 노즐은 원형으로 개구된 제2 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  11. 제6항 또는 제7항에 있어서, 제1 현상액 노즐 및 제2 현상액 노즐은 상기 구동 기구에 설치된 공통의 아암에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  12. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 현상하는 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제1항 또는 제2항에 기재된 현상 방법을 실시하기 위한 것을 특징으로 하는 기억 매체.
  13. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
    상기 기판 보유 지지부를 통해 상기 기판을 연직축 주위로 회전시키면서, 제1 현상액 노즐에 설치된 제1 토출구로부터 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 기판의 표면의 주연부에 공급하는 공정과,
    계속해서 상기 현상액의 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 상기 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 주연부로부터 중앙부를 향해서 이동시킴으로써, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
    제1 현상액 노즐로부터의 현상액의 토출을 정지하는 공정과,
    제2 현상액 노즐에 설치된 제2 토출구로부터 상기 기판을 향해 토출된 현상액이 상기 기판상으로 공급되는 영역인 제2 토출구의 기판으로의 투영 영역이, 상기 제1 토출구로부터 상기 기판을 향해서 토출된 현상액이 상기 기판상으로 공급되는 영역인 제1 토출구의 상기 기판으로의 투영 영역에 겹쳐진 상태에서, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해서 상기 제2 토출구로부터 기판의 중앙부에 현상액의 공급을 행하는 공정과,
    상기 기판 보유 지지부를 통해 기판을 연직축 주위로 회전시켜, 상기 제2 토출구로부터 상기 기판의 중앙부에 공급된 현상액을 원심력에 의해 기판의 주연부로 신전시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  14. 제13항에 있어서, 세정액 공급 노즐에 설치된 제3 토출구로부터 상기 기판을 향해서 토출된 세정액이 상기 기판상에서 공급되는 영역인 제3 토출구의 상기 기판에의 투영 영역이, 상기 제2 토출구의 상기 기판에의 투영 영역에 겹쳐진 상태에서, 상기 세정액 공급 노즐로부터 기판의 중앙부에 세정액을 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 제2 현상액 노즐은, 상기 기판의 중앙부에 원형 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급된 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 액막을 형성하는 공정은,
    상기 제1 토출구의 기판에의 투영 영역과, 상기 제2 토출구의 기판에의 투영 영역이 서로 겹쳐서 상기 기판의 주연부측에서 중앙부측으로 이동하도록, 제1 현상액 노즐 및 제2 현상액 노즐을 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  17. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 구동 기구와,
    제1 토출구가 설치되고, 현상액의 액막을 형성하기 위해서 상기 제1 토출구로부터 현상액을 기판의 표면에 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 공급하는 제1 현상액 노즐과,
    상기 현상액의 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향한 상태에서, 제1 현상액 노즐을 이동시키고, 현상액의 공급 위치를 기판의 표면에 있어서의 주연부로부터 중앙부를 향해서 이동시키는 구동 기구와,
    제2 토출구가 설치되고, 상기 제1 토출구로부터 상기 기판을 향해서 토출된 현상액이 상기 기판상으로 공급되는 영역인 제1 토출구의 상기 기판으로의 투영 영역에, 상기 제2 토출구로부터 상기 기판을 향해서 토출된 현상액이 상기 기판상으로 공급되는 영역인 제2 토출구의 기판으로의 투영 영역이 겹친 상태에서, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해서 상기 제2 토출구로부터 기판의 중앙부에 현상액을 토출하는 제2 현상액 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  18. 제17항에 있어서, 제3 토출구가 설치되고, 상기 제2 토출구의 상기 기판으로의 투영 영역에, 상기 제3 토출구로부터 상기 기판을 향해서 토출된 세정액이 상기 기판상으로 공급되는 영역인 제3 토출구의 기판의 투영 영역이 겹쳐진 상태에서, 상기 제3 토출구로부터 기판의 중앙부에 상기 세정액을 토출하는 세정액 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 제2 현상액 노즐은, 상기 기판의 중앙부에 원형 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 현상에 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  20. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 구동 기구는 상기 제1 토출구의 기판으로의 투영 영역과, 상기 제2 토출구의 기판으로의 투영 영역이 서로 겹쳐서 상기 기판의 주연부측에서 중앙부측으로 이동하도록, 제1 현상액 노즐 및 제2 현상액 노즐을 이동시키는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  21. 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판에 대한 현상을 행하는 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제13항 또는 제14항에 기재된 현상 방법을 실시하기 위한 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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