KR101297676B1 - 무전해 팔라듐 도금욕 및 무전해 팔라듐 도금 방법 - Google Patents
무전해 팔라듐 도금욕 및 무전해 팔라듐 도금 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101297676B1 KR101297676B1 KR1020087008317A KR20087008317A KR101297676B1 KR 101297676 B1 KR101297676 B1 KR 101297676B1 KR 1020087008317 A KR1020087008317 A KR 1020087008317A KR 20087008317 A KR20087008317 A KR 20087008317A KR 101297676 B1 KR101297676 B1 KR 101297676B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- acid
- unsaturated carboxylic
- electroless palladium
- palladium plating
- plating bath
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/745—Apparatus for manufacturing wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45664—Palladium (Pd) as principal constituent
Abstract
팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아 및 아민 화합물로부터 선택되는 적어도 1종과, 환원제로서 차아인산 및 차아인산 염으로부터 선택되는 적어도 1종과, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 적어도 1종을 함유하는 무전해 팔라듐 도금욕. 본 발명의 무전해 팔라듐 도금욕은 욕 안정성이 높고, 욕의 분해가 일어나기 어려워, 종래의 무전해 팔라듐 도금욕에 비교해서 욕 수명이 길다. 게다가, 장시간 사용해도 도금 피막 특성에 대한 영향도 없어, 우수한 솔더 접합 특성 및 와이어본딩 특성을 얻을 수 있다.
팔라듐, 착화제, 암모니아, 아민, 차아인산, 카르복실산, 무전해, 도금욕.
Description
본 발명은 보존 안정성이 높고, 연속사용시의 욕 안정성이 양호한 공업적 사용에 견딜 수 있는 무전해 팔라듐 도금욕 및 이것을 사용한 무전해 팔라듐 도금 방법에 관한 것이다.
종래, 프린트 배선판이나 전자부품의 실장 공정에서, 고신뢰성이 요구되는 용도의 표면처리에는 무전해 니켈/치환 금 도금이 많이 사용되고 있다.
치환 금 도금은 하지가 되는 니켈과 도금욕 중의 산화환원 전위의 차를 이용하여 금을 석출시키기 때문에, 금이 니켈을 침식하여, 산화(용출)에 의한 부식점이 발생한다. 이 산화에 의한 부식점은 그 후의 솔더 플로우시에 있어서, 솔더층의 Sn과 Ni를 접속시킬 때의 저해인자로 되어, 강도 등의 접합 특성을 저하시킨다고 하는 문제가 있다.
또, 와이어본딩되는 부위에 무전해 니켈/치환 금 도금 피막을 사용하는 경우, 도금처리 후에 가열처리를 행하는 것이지만, 그 가열처리에 의해, Au 피막 표면에 Ni가 확산되어, 와이어본딩의 성공율이 저하된다. 따라서, Au 피막 상으로의 Ni의 확산을 막기 위하여, 무전해 니켈/치환 금 도금 피막 상에, 무전해 Au 도금을 더 시행하여, Au의 막 두께를 두텁게 함으로써 와이어본딩의 성공율의 저하를 억제하고 있지만, 비용적인 문제가 있다.
한편, 최근의 무연화의 추진에 따라, 접합에 주석-납 합금을 사용하지 않는 새로운 주석을 주성분으로 하는 합금(예를 들면 Sn-Ag나 Sn-Ag-Cu)을 사용하는 움직임이 있지만, 종래의 주석-납 공정 솔더에 비해, 솔더 접합시에 열부하가 걸리기 때문에, 접합 특성이 저하된다고 하는 문제가 있다.
그래서, 무전해 니켈 도금층과 치환형 금 도금층 사이에 무전해 팔라듐 도금에 의해 팔라듐 피막을 끼움으로써, 상기 문제를 회피하는 방법이 최근 행해지게 되었다. 이것에 사용하는 무전해 팔라듐 도금욕의 환원제에는, 차아인산 화합물, 아인산 화합물, 포름산 화합물, 수소화붕소 화합물 등이 사용되는데, 특히, 차아인산이나 차아인산 나트륨 등의 차아인산 염을 함유하는 무전해 팔라듐 도금욕으로부터 얻어지는 팔라듐 피막이, 그 밖의 환원제를 사용하는 무전해 팔라듐 도금욕으로부터 얻어지는 팔라듐 피막보다도 우수한 솔더 접합 특성이나 와이어본딩 특성을 갖는다.
환원제로서 차아인산 화합물을 함유하는 무전해 팔라듐 도금욕은 오래전부터 많이 제안되어 있지만(일본 특공 소46-26764호 공보(특허문헌 1) 참조), 이들 도금욕은 욕 안정성이 나빠, 단시간에 분해되어 버린다고 하는 문제가 있다. 그 때문에 욕 안정성을 개선하는 것을 목적으로 첨가물을 가하는 것이 제안되어 있는데(일본 특개 소62-124280호 공보(특허문헌 2), 일본 특공 소53-37045호 공보(특허문헌 3), 일본 특개 평5-39580호 공보(특허문헌4), 일본 특개 평8-269727호 공보(특허문헌 5)), 전자공업 등의 분야에서의 공업적 규모에서의 사용에 견딜 만큼의 보존 안정성이나 연속사용시의 욕 안정성의 개선에는 이르지 못하고 있다.
특허문헌 1: 일본 특공 소46-26764호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 소62-124280호 공보
특허문헌 3: 일본 특공 소53-37045호 공보
특허문헌 4: 일본 특개 평5-39580호 공보
특허문헌 5: 일본 특개평8-269727호 공보
(발명이 해결하고자 하는 과제)
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 공업적 사용에 견딜 수 있는 높은 보존 안정성을 갖고, 연속 사용시에도 욕 안정성이 양호한 무전해 팔라듐 도금욕 및 이것을 사용한 무전해 팔라듐 도금 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 차아인산, 차아인산 염 등의 차아인산 화합물을 환원제로 한 무전해 팔라듐 도금욕에 있어서, 안정제로서 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 첨가함으로써, 무전해 팔라듐 도금욕의 안정성이 현저하게 향상됨과 아울러, 이 무전해 팔라듐 도금욕을 장기간 사용해도, 우수한 솔더 접합 특성과 와이어본딩 특성을 갖는 팔라듐 피막을 형성할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은, 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아 및 아민 화합물 로부터 선택되는 적어도 1종과, 환원제로서 차아인산 및 차아인산 염으로부터 선택되는 적어도 1종과, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금욕, 및 이 무전해 팔라듐 도금욕 중에 피도금물을 침지하여 이 피도금물 상에 무전해 팔라듐 도금 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 방법을 제공한다.
상기 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로서는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 및 그것들의 무수물, 염 및 유도체가 바람직하다.
(발명의 효과)
본 발명의 무전해 팔라듐 도금욕은 욕 안정성이 높고, 욕의 분해가 일어나기 어렵고, 종래의 무전해 팔라듐 도금욕에 비해 욕 수명이 길다. 게다가, 장시간 사용해도 도금 피막 특성에 대한 영향도 없어, 우수한 솔더 접합 특성 및 와이어본딩 특성을 얻을 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 본 발명에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 무전해 팔라듐 도금욕은 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아 및 아민 화합물로부터 선택되는 적어도 1종과, 환원제로서 차아인산 및 차아인산 염으로부터 선택되는 차아인산 화합물을 적어도 1종과, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 적어도 1종을 함유하는 것이다.
여기에서, 팔라듐 화합물로서는 수용성인 것이라면 어느 것이어도 되며, 예를 들면 염화 팔라듐, 황산 팔라듐, 아세트산 팔라듐, 질산 팔라듐, 테트라암민팔라듐염산 염 등을 사용할 수 있다. 그 함유량은 팔라듐 농도로서 0.001∼0.5mol/L, 특히 0.005∼0.1mol/L로 하는 것이 바람직하다. 지나치게 적으면 도금 속도가 저하되고, 지나치게 많으면 피막 물성이 저하될 우려가 있다.
또, 환원제로서는 차아인산 및 차아인산 염으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유한다. 그 함유량은 0.001∼5mol/L, 특히 0.2∼2mol/L로 하는 것이 바람직하다. 지나치게 적으면 석출 속도가 저하되고, 지나치게 많으면 욕이 불안정하게 될 우려가 있다. 차아인산 염으로서는, 차아인산 나트륨, 차아인산 암모늄 등을 들 수 있다.
또한 착화제로서 암모니아 및 아민 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유한다. 그 함유량은 0.001∼10mol/L, 특히 0.1∼2mol/L로 하는 것이 바람직하다. 지나치게 적으면 욕의 안정성이 저하되고, 지나치게 많으면 도금속도가 저하된다. 아민 화합물로서는 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 벤질아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, EDTA, EDTA 나트륨, EDTA 칼륨, 글리신 등을 들 수 있고, 이것들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 무전해 팔라듐 도금욕은 상기 성분과 함께, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 적어도 1종 함유한다. 불포화 카르복실산으로서 구체적으로는 아크릴산, 프로피올산, 크로톤산, 이소크로톤산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 트랜스-2-부텐-1,4-디카르복실산, 이타콘산, 테트롤산, 아코니트산, 무콘산, 소르브산, 티글산, 안젤리카산, 세네시오산, 글루타콘산, 메사콘산, 올레산, 리놀산, 신남산 등을 들 수 있고, 또, 불포화 카르복실산 무수물 및 불포화 카르복실산 염으로서는 이들 불포화 카르복실산의 산 무수물 및 나트륨 염, 암모늄 염 등의 염을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산 유도체로서는 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 페닐, 아크릴산 이소부틸, 프로피올산 메틸, 말레산 히드라지드 등을 들 수 있고, 이들 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 또는 불포화 카르복실산 유도체는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
특히, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물, 불포화 카르복실산 염 및 불포화 카르복실산 유도체로서는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 및 그것들의 무수물, 염 및 유도체가 바람직하다. 이들 불포화 카르복실산 화합물을 사용함으로써 욕 안정성이 우수하고, 더욱 또한 솔더링성(납땜성) 및 와이어본딩성 등이 우수한 팔라듐 피막을 얻을 수 있다.
불포화 카르복실산 화합물의 함유량은 0.001∼10mol/L, 특히 0.01∼0.5mol/L로 하는 것이 바람직하다. 이 양이 지나치게 적으면 도금욕의 안정성에 대한 효과가 충분하게 달성되지 않고, 또 지나치게 많으면 도금 속도가 저하되는 경향이 있다.
본 발명의 도금욕은 pH4∼10, 특히 6∼8인 것이 바람직하고, pH가 지나치게 낮으면 도금욕의 안정성이 저하되고, pH가 지나치게 높으면 도금 속도가 상승하여 솔더 접합 특성 및 와이어본딩 특성이 저하되는 경향이 있다.
상기한 무전해 팔라듐 도금욕은 전자부품의 본딩용 도금 등으로서 적합하게 사용되는데, 이것을 사용하여 도금을 행하는 경우에는, 이 도금욕 중에 피도금물을 침지하면 된다. 피도금물의 재질로서는 철, 코발트, 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 백금, 팔라듐 등이나 이것들의 합금과 같은 무전해 팔라듐 도금 피막의 환원석출에 촉매성이 있는 금속을 들 수 있다. 또, 촉매성이 없는 금속이면, 소위 갈바니 전류가 개시(galvanic initiation)되게 하거나(피도금물에 대하여 환원석출이 생길 때까지 전기를 주거나), 또는 상기 촉매활성이 있는 금속의 도금 피막을 형성하고나서 도금을 행하면 되며, 또 유리, 세라믹스, 플라스틱 등, 또는 상기 촉매활성이 없는 금속 등에 대해서는 통상의 방법에 따라 팔라듐 핵 등의 금속 촉매 핵을 부착시킨 후에 도금을 행할 수 있다.
본 발명의 무전해 팔라듐 도금욕은 무전해 니켈도금 등에 의해 형성된 니켈 피막 상에, 팔라듐 도금 피막을 형성할 수 있고, 이 팔라듐 도금 피막 상에 치환 금 도금에 의해 금 도금 피막을 형성하면, 프린트 배선판이나 전자부품에서의 표면처리에 종래 사용되고 있는 무전해 니켈 피막/치환 금 도금 피막의 솔더링성 및 와이어본딩성 저하의 문제를, 고가인 금의 사용량을 증가시키지 않고 회피할 수 있으므로, 이러한 용도에 특히 유용하다. 이 경우, 팔라듐 도금 피막의 두께는 0.001∼0.5㎛이 적합하다.
또한, 도금 온도는 30∼80℃, 특히 40∼70℃로 하는 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라 도금욕을 교반할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[
실시예
1∼8,
비교예
1∼5]
표 2 및 3에 표시되는 조성의 무전해 팔라듐 도금욕을 조제하고, 도금욕의 도금 성능, 도금 피막의 특성 및 도금욕의 안정성을 이하의 방법으로 평가했다. 또한, 실시예 1, 2, 5 및 6에서는, 이하에 기재된 방법으로 50℃ 연속도금 시험을 행한 후의 도금욕을 사용하여 도금 피막 특성을 평가했다. 결과를 표 2 및 3에 나타낸다.
도금 피막 외관
구리판(크기 10cm×20cm 두께 0.1mm)에 대하여, 표 1에 표시되는 처리 (1)∼(5)[전처리], 및 처리 (6)∼(8)[도금처리]를 시행하고, 얻어진 도금 피막의 외관을 육안관찰로 평가하고, 외관 얼룩이 없는 경우를 「양호」, 외관 얼룩이 있는 경우를 「불량」으로 했다.
석출
속도
구리판(크기 10cm×20cm 두께 0.1mm)에 대하여, 표 1에 표시되는 처리 (1)∼(6)을 시행하고, 표 2 및 3에 표시되는 무전해 팔라듐 도금욕(1L)에 60분간 침지하고, 형성된 팔라듐 피막의 두께로부터 석출 속도를 산출했다.
50℃ 연속도금 시험
구리판(크기 10cm×20cm 두께 0.1mm)에 대하여, 표 1에 표시되는 처리 (1)∼(5)을 시행하고, 또한 표 1의 (6)의 무전해 Ni-P 도금욕을 사용하여 막 두께 5㎛의 Ni-P 피막을 형성한 후, 표 2 및 3에 표시되는 무전해 팔라듐 도금욕에 침지하여, 팔라듐 피막을 연속 형성했다. 또한, 2시간 경과마다 도금욕 중의 팔라듐의 감량분을 보충했다.
80℃ 가열 시험
도금욕 500ml를 폴리에틸렌제 용기 중에 밀폐한 것을 80℃ 항온조 중에서 보존했다.
실온방치 시험
도금욕 500ml를 폴리에틸렌제 용기 중에 밀폐한 것을 실온에서 보존했다.
솔더
접합성
Dage사제 본드 테스터 SERIES 4000에 의해 1조건에 대하여 20점 평가하고, 합금층 부분에서 단열(斷裂) 또는 절단되지 않고, 솔더 부분이 절단된 경우를 「양호」, 합금층 부분에서 일부라도 단열 또는 절단된 경우를 「불량」으로 했다. 또한, 측정 조건은 이하 대로다.
[측정 조건]
측정 방식: 볼풀(ball pull) 테스트
기판: 우에무라고교(주)제 BGA 기판(패드 직경 φ0.5mm)
솔더 볼: 센주킨조쿠제 φ0.6mm Sn-3.0Ag-0.5Cu
리플로우: 멀티리플로우(다무라세사쿠쇼제)
리플로우 조건: Top 260℃
리플로우 회수: 1회 및 5회
플럭스: 센주킨조쿠제 529D-1(RMA 타입)
시험 속도: 170㎛/초
솔더 마운트 후 에이징: 2∼3시간
와이어본딩법
K&S사제 4524A 와이어본딩에 의해 와이어본딩을 행하고, Dage사제 본드 테스터 SERIES 4000에 의해 1조건에 대하여 10점 평가하고, 제 1 또는 제 2 본드 부분에서 단열 또는 절단되지 않고, 와이어 자체가 절단된 경우를 「양호」, 제 1 또는 제 2 본드 부분에서 일부라도 단열 또는 절단된 경우를 「불량」으로 했다. 또한, 측정 조건은 이하와 같다.
[측정 조건]
캐필러리-: 40472-0010-3201
와이어: 1Mil-Gold
스테이지 온도: 180℃
초음파(mW): 25(제 1), 115(제 2)
본딩 시간: (밀리초): 36(제 1), 136(제 2)
인장력(gf): 44(제 1), 70(제 2)
스텝(제 1부터 제 2로의 길이): 0.812mm
측정 방식: 와이어 풀(wire pull) 테스트
기판: 우에무라고교(주) BGA 기판
시험 속도: 170㎛/초
Claims (5)
- 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아 및 아민 화합물로부터 선택되는 적어도 1종과, 환원제로서 차아인산 및 차아인산 염으로부터 선택되는 적어도 1종과, 아크릴산, 프로피올산, 크로톤산, 이소크로톤산, 메타크릴산, 시트라콘산, 트랜스-2-부텐-1,4-디카르복실산, 이타콘산, 테트롤산, 아코니트산, 무콘산, 소르브산, 티글산, 안젤리카산, 세네시오산, 글루타콘산, 메사콘산, 올레산, 리놀산, 신남산 및 그것들의 산 무수물 및 염으로부터 선택되는 불포화 카르복실산 화합물을 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금욕.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불포화 카르복실산 화합물이 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 및 그것들의 산 무수물 및 염으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금욕.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불포화 카르복실산 화합물의 함유량이 0.001∼10 mol/L인 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금욕.
- 제 1 항에 있어서, pH가 4∼10인 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금욕.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 팔라듐 도금욕 중에 피도금물을 침지하여 이 피도금물 상에 무전해 팔라듐 도금 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00279180 | 2005-09-27 | ||
JP2005279180A JP4844716B2 (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 無電解パラジウムめっき浴 |
PCT/JP2006/318827 WO2007037176A1 (ja) | 2005-09-27 | 2006-09-22 | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080055888A KR20080055888A (ko) | 2008-06-19 |
KR101297676B1 true KR101297676B1 (ko) | 2013-08-21 |
Family
ID=37899603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087008317A KR101297676B1 (ko) | 2005-09-27 | 2006-09-22 | 무전해 팔라듐 도금욕 및 무전해 팔라듐 도금 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7678183B2 (ko) |
EP (1) | EP1930472B1 (ko) |
JP (1) | JP4844716B2 (ko) |
KR (1) | KR101297676B1 (ko) |
CN (2) | CN103774127B (ko) |
TW (1) | TWI431151B (ko) |
WO (1) | WO2007037176A1 (ko) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008184679A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解パラジウムめっき用活性化組成物 |
JP2012511105A (ja) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | オーエムジー、アメリカズ、インク | 無電解パラジウムめっき液及び使用法 |
KR101049236B1 (ko) * | 2009-01-08 | 2011-07-13 | 안병승 | 팔라듐을 이용한 무전해 도금방법 |
JP4511623B1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-07-28 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
DE102010012204B4 (de) | 2010-03-19 | 2019-01-24 | MacDermid Enthone Inc. (n.d.Ges.d. Staates Delaware) | Verbessertes Verfahren zur Direktmetallisierung von nicht leitenden Substraten |
CN102605359A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 台湾上村股份有限公司 | 化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺 |
EP2581470B1 (en) * | 2011-10-12 | 2016-09-28 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroless palladium plating bath composition |
TWI479048B (zh) * | 2011-10-24 | 2015-04-01 | Kojima Chemicals Co Ltd | 無電解鈀敷液 |
JP6020070B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-11-02 | Tdk株式会社 | 被覆体及び電子部品 |
KR20130055956A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 삼성전기주식회사 | 무전해 팔라듐 도금액 |
EP2784182A1 (de) | 2013-03-28 | 2014-10-01 | Technische Universität Darmstadt | Ein Palladium-Abscheidungsbad und dessen Verwendung zur hochkontrollierten stromfreien Palladium-Abscheidung auf nanopartikulären Strukturen |
KR20160088414A (ko) * | 2013-11-21 | 2016-07-25 | 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 | 본딩용 코팅 와이어 |
KR102430365B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2022-08-05 | 아토테크 도이칠란트 게엠베하 운트 콤파니 카게 | 도금조 조성물 및 팔라듐의 무전해 도금 방법 |
US9603258B2 (en) * | 2015-08-05 | 2017-03-21 | Uyemura International Corporation | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom |
TWI707061B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-10-11 | 德商德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
US10941494B2 (en) * | 2017-05-18 | 2021-03-09 | Japan Pure Chemical Co., Ltd. | Electroless platinum plating solution and platinum film obtained using same |
CN108754467B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-01-12 | 深圳市贝加电子材料有限公司 | 钌钯合金化学镀液及其施镀方法和应用 |
JP6572376B1 (ja) * | 2018-11-30 | 2019-09-11 | 上村工業株式会社 | 無電解めっき浴 |
CN109881173B (zh) * | 2019-04-25 | 2021-03-23 | 北京洁尔爽高科技有限公司 | 一种在镀银尼龙表面形成金属复合层的工艺及其制品 |
JP7407644B2 (ja) * | 2020-04-03 | 2024-01-04 | 上村工業株式会社 | パラジウムめっき液及びめっき方法 |
CN112301334B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-09-10 | 吉安宏达秋科技有限公司 | 一种化学镀钯液及其应用、化学镀钯的方法 |
EP4215642A1 (en) * | 2022-01-25 | 2023-07-26 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Compostion for depositing a palladium coating on an activated copper-coated substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4804410A (en) * | 1986-03-04 | 1989-02-14 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Palladium-base electroless plating solution |
JP2001003179A (ja) | 1999-06-21 | 2001-01-09 | Nippon Kojundo Kagaku Kk | 無電解パラジウム・モリブデン合金めっき液及びめっき方法 |
KR20020032335A (ko) * | 2000-10-24 | 2002-05-03 | 마티네즈 길러모 | 도금 촉매 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3350210A (en) * | 1966-01-14 | 1967-10-31 | Ibm | Electroless plating of magnetic material |
US3915717A (en) * | 1973-11-12 | 1975-10-28 | Rca Corp | Stabilized autocatalytic metal deposition baths |
JPS5337045A (en) | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Asahi Glass Co Ltd | Antireflection plastic lens |
US4424241A (en) * | 1982-09-27 | 1984-01-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless palladium process |
JPS62124280A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-06-05 | Ishihara Yakuhin Kk | 無電解パラジウムメツキ液 |
US5258062A (en) * | 1989-06-01 | 1993-11-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electroless gold plating solutions |
JP2892428B2 (ja) * | 1989-09-05 | 1999-05-17 | 新光電気工業株式会社 | 無電解金めっき液 |
JPH0539580A (ja) | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Okuno Seiyaku Kogyo Kk | 無電解パラジウムめつき液 |
US5882736A (en) * | 1993-05-13 | 1999-03-16 | Atotech Deutschland Gmbh | palladium layers deposition process |
KR960005765A (ko) * | 1994-07-14 | 1996-02-23 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법 |
JP3204035B2 (ja) | 1995-03-30 | 2001-09-04 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 |
JP3365718B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2003-01-14 | メルテックス株式会社 | 無電解めっき用の触媒液 |
JPH10195666A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-28 | Merutetsukusu Kk | 無電解めっきの前処理液および無電解めっき方法 |
JP3215678B2 (ja) | 1999-03-02 | 2001-10-09 | ブラザー工業株式会社 | ファクシミリ装置 |
CN101228293B (zh) * | 2005-07-20 | 2010-12-08 | 日矿金属株式会社 | 化学镀钯液 |
JP4117016B1 (ja) * | 2007-08-15 | 2008-07-09 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
-
2005
- 2005-09-27 JP JP2005279180A patent/JP4844716B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-22 US US12/067,662 patent/US7678183B2/en active Active
- 2006-09-22 WO PCT/JP2006/318827 patent/WO2007037176A1/ja active Application Filing
- 2006-09-22 TW TW095135224A patent/TWI431151B/zh active
- 2006-09-22 CN CN201410049533.9A patent/CN103774127B/zh active Active
- 2006-09-22 KR KR1020087008317A patent/KR101297676B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-22 CN CNA2006800356378A patent/CN101356299A/zh active Pending
- 2006-09-22 EP EP06810440.5A patent/EP1930472B1/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4804410A (en) * | 1986-03-04 | 1989-02-14 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Palladium-base electroless plating solution |
JP2001003179A (ja) | 1999-06-21 | 2001-01-09 | Nippon Kojundo Kagaku Kk | 無電解パラジウム・モリブデン合金めっき液及びめっき方法 |
KR20020032335A (ko) * | 2000-10-24 | 2002-05-03 | 마티네즈 길러모 | 도금 촉매 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103774127B (zh) | 2016-02-24 |
TW200726857A (en) | 2007-07-16 |
WO2007037176A1 (ja) | 2007-04-05 |
US7678183B2 (en) | 2010-03-16 |
CN103774127A (zh) | 2014-05-07 |
EP1930472A1 (en) | 2008-06-11 |
JP2007092092A (ja) | 2007-04-12 |
JP4844716B2 (ja) | 2011-12-28 |
KR20080055888A (ko) | 2008-06-19 |
EP1930472B1 (en) | 2013-07-17 |
US20090133603A1 (en) | 2009-05-28 |
CN101356299A (zh) | 2009-01-28 |
TWI431151B (zh) | 2014-03-21 |
EP1930472A4 (en) | 2012-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101297676B1 (ko) | 무전해 팔라듐 도금욕 및 무전해 팔라듐 도금 방법 | |
JP5013077B2 (ja) | 無電解金めっき方法及び電子部品 | |
KR101058635B1 (ko) | 무전해 니켈 도금액 조성물, 연성인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 | |
TWI716868B (zh) | 含具有羰基氧的嘌呤或嘧啶類化合物的取代型無電解鍍金液及利用其的取代型無電解鍍金方法 | |
KR101808896B1 (ko) | 구리 및 구리 합금용 표면 처리 조성물 및 그의 활용 | |
KR20140127319A (ko) | 플렉시블 기판 상의 무전해 니켈 인 합금 성막 방법 | |
JP2008144187A (ja) | 無電解金めっき浴、無電解金めっき方法及び電子部品 | |
KR20190008284A (ko) | 피막 형성 방법 | |
JPWO2006112215A1 (ja) | めっき基材 | |
JP5288362B2 (ja) | 多層めっき皮膜及びプリント配線板 | |
EP1024211A2 (en) | Silver alloy plating bath and a method of forming a silver alloy film by means of the same | |
JP4885954B2 (ja) | 無電解純パラジウムめっき液 | |
KR101857596B1 (ko) | 질소-함유 헤테로아릴카복실산을 함유하는 치환형 무전해 금 도금액 및 이를 사용한 치환형 무전해 금 도금 방법 | |
KR101719180B1 (ko) | 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 | |
JP3204035B2 (ja) | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 | |
JP2000054189A (ja) | Sn−Bi系はんだを接合して用いられる電気・電子部品用材料、それを用いた電気・電子部品、電気・電子部品実装基板、それを用いたはんだ接合または実装方法 | |
JP6323606B1 (ja) | 線はんだ、はんだ継手の製造方法およびはんだ付け方法 | |
JP2010196121A (ja) | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 | |
JP2012001817A (ja) | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 | |
EP0697805A1 (en) | Printed circuit board manufacture utilizing electroless palladium | |
US5296268A (en) | Pretreatment process of tin lead plating | |
US6090493A (en) | Bismuth coating protection for copper | |
JP2000277895A (ja) | 半田接合方法 | |
JPH05295558A (ja) | 高速置換型無電解金めっき液 | |
KR20110083586A (ko) | 무전해 니켈 도금액 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160721 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170725 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180712 Year of fee payment: 6 |