KR101250859B1 - 다층 양자점 및 그 다층 양자점을 적용한 발광소자 - Google Patents

다층 양자점 및 그 다층 양자점을 적용한 발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 양자점 핵을 비수계 용매에서 제조하고, 상기 제조된 양자점의 표면에 조성이 다른 양자점으로 껍질을 형성한 후 상기 양자점을 유기용매에 분산 후 이를 발광소자에 적용하기 위한 캡슐을 형성하고, 그 형성된 캡슐을 해당소자에 적층하여 발광소자를 구현하고자 하는 다층 양자점 및 그 다층 양자점을 적용한 발광소자에 관한 것이다.
양자점, 다층 양자점, 발광소자, 나노

Description

다층 양자점 및 그 다층 양자점을 적용한 발광소자{Quantum dots and Luminescent devices by using these}
본 발명은 다층 양자점 및 그 다층 양자점을 적용한 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양자점 핵을 비수계 용매에서 제조하고, 상기 제조된 양자점의 표면에 조성이 다른 양자점으로 껍질을 형성한 후 상기 양자점을 유기용매에 분산 후 이를 발광소자에 적용하기 위한 캡슐을 형성하고, 그 형성된 캡슐을 해당소자에 적층하여 발광소자를 구현하는 것이다.
양자점은 최근 10여년 동안 많은 연구와 발전을 이룬 물질로써, 양자 구속이라는 특이한 물리적 특성을 지닌다. 따라서, 양자점의 크기를 조절하면 밴드갭이 조절되어 다양한 파장의 에너지를 얻을 수 있게 된다.
기존의 양자점 합성방법은 CVD 등과 같은 기상증착법을 이용하여 제조되었다. 또한, 최근에는 유기 및 수용액에서 양자점 코어 및 쉘을 형성하는 방법이 많은 발전을 보이고 있으나, 이와 같은 방법은 제조방법이 기상증착법보다 싸고 용이 한 장점이 있으며, 이렇게 제조된 양자점을 발광소자에 응용한 문헌들이 나타나고 있다.
기존의 양자점을 이용하여 발광소자에 적용하기 위해서는 레진과 혼합하여 사용되어져야 하는데 이와 같은 방법은 양자점의 응집 및 효율감소를 보이는 단점이 있다.
본 발명은 발광효율이 좋고, 분산성을 높여주는 다층 양자점을 제조하고, 그 제조된 다층 양자점을 LED 칩 위에 적층하고 건조하며, 그 건조 적층된 LED 칩을 몰딩하여 발광소자를 제조함을 물론, 외부환경에 대한 반응성이 적어 발광소자 제조시 용이함을 주도록 함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 통상의 방법으로 제조된 코어/쉘 구조의 양자점을 유기용매에 분산 후 이를 발광소자에 적용하기 위한 캡슐을 형성하여 분산성 및 발광효율이 좋은 양자점으로 (코어/쉘)/용매/쉘 구조를 지닌 다층 양자점의 제조함과 동시에 이것을 다시 발광소자에 적층하여 발광소자를 구현하는 방법을 제공하는 것으로, 그 일 실시예로는 통상의 방법으로 제조된 CdTe/CdS(코어/쉘) 을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine)에 분산시키고, TEOS, 증류수, 염산으로 제 조한 실리카 졸을 상기 트리옥틸포스핀에 분산된 코어/쉘 용액을 넣고 교반한 후 이 용액에 (3-Aminopropyl)트리에톡시실란(triethoxysilane) 용액을 넣고, 그 용액을 증류수와 트리톤(Triton) X-100이 혼합된 용액에 교반하는 상태에서 넣어 제조된 용액을 원심분리를 통하여 증류수를 제거한 후 진공건조기에서 건조하는 것으로 이루어지는 구성과, 상기 구성에 의해 제조된 다층 양자점 및 상기 다층 양자점을 LED 칩 위에 적용시켜 제조된 발광소자에 의한다.
상술한 바와 같은 본 발명은 장기간 동안 다양한 파장을 지님은 물론, 발광효율이 좋고, 분산성을 높여주는 효과가 있음은 물론, 상기의 방법으로 제조된 다층 양자점은 레진과 혼합을 할 경우, 다층 양자점들은 응집이 되는 현상을 보이나 그 내부에 있는 양자점은 용매에 단 분산된 형태로 고립되어 존재함으로써 발광효율의 감소가 없으며, 외부환경에 대한 반응성이 적어 발광소자 제조시 용이한 효과가 있다.
본 발명은 양자점의 분산성을 높혀 발광효율을 향상시킨 것을 기본으로 하는 여러 껍질을 지니고 있는 다층 양자점으로, 기본 구조는 (코어/쉘)/용매/쉘 구조를 지니는 것이다.
본 발명에 따른 양자점은 II-VI족, III-V족 등으로 이루어진 코어 또는 코어 /쉘 구조를 지니는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 양자점은 다양한 파장을 지니는 것으로 그것의 사용의 최종 발광소자의 쓰임에 따른 색상에 의존하는 것으로 양자점을 단독 혹은 여러 종을 혼합하여 사용하여 최종 발광소자의 색상을 조절한다.
본 발명의 발광소자용 양자점으로써 유기용매는 양자점의 분산성을 높이고, 외부환경에 대한 간섭을 적게 하여 양자점의 발광효율을 향상시키며, 장기간 그 특성을 유지하는 것이 특징이다. 상기 사용되어질 용매는 양자점의 분산성을 높혀주고 양자점에 영향을 주지 않는 것이 바람직하다.
트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine)과 같은 유기용매는 양자점의 분산성을 좋게 하여 발광효율을 증가시키는 것으로, 이와 같은 용매를 사용함이 바람직하나, 본 발명에서 사용되는 용매는 일 실시예이고 그에 한정되지는 않는다.
상기 용매에 분산된 양자점에 쉘을 입히는 최외각 쉘은 양자점이 분산된 용매를 나노 및 마이크로 단위의 쉘을 형성하는 것으로써, 빛 발광을 감소시키지 않는 형태로 제조되어 지는 것이 바람직하다.
최외각 쉘의 두께가 너무 두껍거나 혹은 쉘의 광 투광성이 없을 경우, 발광효율이 떨어져 바람직하지 않다. 최 외각 쉘로는 실리카나 고분자 등이 사용 가능하다.
이렇게 제조된 다층 양자점은 레진과 혼합을 할 경우, 다층 양자점들은 응집이 되는 현상을 보이나 그 내부에 있는 양자점은 용매에 단 분산된 형태로 고립되어 존재함으로써 발광효율의 감소가 없으며, 외부환경에 대한 반응성이 적어 발광 소자 제조시 용이한 장점을 지니게 된다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
[실시예 1]
1) CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 제조공정
Cd(NO3)2·4H2O 0.4535g을 도데실아민(Dodecylamine)10g을 넣어서 녹인 후, 이에 Te 0.16g을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 5g에 녹인 용액을 첨가하고 가열(160∼250℃)하여 도1a에 나타낸 바와 같은 CdTe 코어(11)를 제조한 다음 그 제조된 코어(11)를 클로로포름과 메탄올로 원심분리를 통하여 분리 및 세척한다.
상기와 같이하여 세척된 코어(11)에 도1b에 나타낸 바와 같은 CdS 쉘(12)을 형성하기 위하여 상기 제조된 코어(11)를 도데실아민 20g에 분산시킨 후, Cd(NO3)2·4H2O 0.907g과 황 0.198g을 트리옥틸포스핀 5g에 각각 녹인 후, 그 두 용액을 코어가 분산된 도데실아민 용액을 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdTe 표면에 도1b에 나타낸 바와 같은 CdS 쉘(12)을 형성한다.
상기와 같이 제조된 코어/쉘 즉 양자점(10)을 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척한다. 이렇게 세척된 양자점(10)을 투과전자현미경을 통하여 크기 및 형상을 조사한다.
2) CdTe/CdS/용매/실리카(코어/쉘/용매/최 외각 쉘) 다층 양자점 제조공정
상기 도1b와 같이 제조된 CdTe/CdS 코어/쉘 즉 양자점(10)을 용매(21)인 트리옥틸포스핀 5g에 분산시킨 다음 TEOS 23ml, 증류수 2ml, 염산 0.2ml로 제조한 실 리카 졸(최 외각 쉘(22)) 5ml를 상기 트리옥틸포스핀에 분산된 코어/쉘 용액을 넣고 교반한다.
상기 용액에 (3-Aminopropyl)트리에톡시실란(triethoxysilane) 용액을 넣되, 증류수와 트리톤(Triton) X-100이 혼합된 용액을 교반하는 상태에서 넣는다.
상기와 같이하여 제조된 용액을 원심분리를 통하여 증류수를 제거한 후 진공건조기에서 건조하여 도2에 나타낸 바와 같이 다층 양자점(20)을 제조한다. 이와 같이 제조된 다층 양자점을 주사전자현미경 및 광스펙트럼 분석기를 통하여 이미지 및 발광 스펙트럼을 얻었다.
[실시예 2]
1) CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점 제조공정
CdO 0.0433g을 헥사데실아민(Hexadecylamine) 2.5g과 트리옥틸포스핀 옥사이드(Trioctylphosphine oxide) 5g이 혼합된 용액에 넣어서 녹인 후, Se 0.0359g을 트리옥틸포스핀 2.5g에 녹인 용액을 첨가하고 가열하여 도1a와 같은 CdSe 코어(11)를 제조한 다음 그 제조된 코어를 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척한다.
상기 세척된 코어(11)에 도1b에 나타낸 바와 같은 ZnS 쉘(12)을 형성하기 위하여 코어(11)를 핵사데실아민(Hexadecylamine) 1.25g과 트리옥틸포스핀 옥사이드 2.5g에 분산시킨 후, Bis(trimethysilil)sulfate 0.124g과 디메틸아연(Dimethylzine) 0.35ml를 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 용액 3ml에 녹이 후 이용액을 코어가 분산된 용액에 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdSe 표면에 Zns 쉘(12)을 형성한 다음 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척한다. 이렇게 제조된 양자점을 투과전자현미경을 통하여 크기 및 형상을 조사한다.
2) CdSe/Zns/용매/실리카(코어/쉘/용매/최 외각 쉘) 다층 양자점 제조공정
상기와 같이하여 제조된 CdSe/Zns 코어/쉘 즉 양자점(10)을 용매(21)인 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 2.5g을 분산시키고, TEOS 23ml, 증류수 2ml, 염산 0.2ml로 제조한 실리카 졸(최외각 쉘(22)) 2.5ml를 상기 트리옥틸포스핀에 분산된 코어/쉘 용액을 넣고 교반한다.
상기 용액에 (3-Aminopropyl)트리에톡시실란(triethoxysilane) 용액 넣되, 증류수와 트리톤(Triton) X-100이 혼합된 용액을 교반하는 상태에서 넣는다. 그리고 상기 제조된 용액을 원심분리를 통하여 증류수를 제거한 후 진공건조기에서 건조하여 다층 양자점(20)을 제조한다.
이렇게 제조된 다층 양자점을 주사전자현미경 및 광스펙트럼 분석기를 통하여 이미지 및 발광 스펙트럼을 얻었다.
[실시예 3]
코어/쉘/용매/최 외각 쉘(고분자) 다층 양자점 제조 및 발광소자 제조공정
실시예 1과 2에서 제조된 코어/쉘 양자점을 트리옥틸포스핀 5g에 분산하고, 이 용액을 폴리비닐알콜 3.2g이 녹아있는 증류수에 넣고 교반 후, 붕산 3.2g을 녹여 놓은 용액에 넣어 (코어/쉘)/용매/고분자 다층 양자점을 형성하고, 이것을 원심분리를 통하여 수분을 제거하고 한다.
상기와 같이하여 제조된 코어/쉘/용매/최 외각 쉘(고분자) 다층 양자점이 완전히 고형화되기 전에 주사기와 같은 것으로 압출성형을 통하여 LED 칩 위에 일정한 크기로 주입하여 칩 위에 적층한 후 건조한다. 이와 같이하여 다층 양자점이 적층된 칩은 에폭시로 몰딩하여 램프를 제조한다.
[실시예 4]
상기 실시예 1과 2에서 제조된 다층 양자점을 단독 혹은 2가지를 혼합하여 원하는 색으로 조절하고, 그 다층 양자점들을 주제와 경화제로 구성된 에폭시와 혼합한 후 이것을 LED 칩 위에 적층한 후 그 다층 양자점이 적층된 칩을 에폭시로 몰딩하여 램프를 제조한다.
상술한 바와 같이 제조된 다층 양자점 및 그 다층 양자점이 적층된 발광소자는 장기간 동안 다양한 파장을 지님은 물론, 발광효율이 좋고, 분산성을 높여주는 장점이 있다.
또한 상기의 방법으로 제조된 다층 양자점은 레진과 혼합을 할 경우, 다층 양자점들은 응집이 되는 현상을 보이나 그 내부에 있는 양자점은 용매에 단 분산된 형태로 고립되어 존재함으로써 발광효율의 감소가 없으며, 외부환경에 대한 반응성이 적어 발광소자 제조시 용이한 장점을 지니게 된다.
도 1a는 본 발명의 다층 양자점을 형성하는 양자점의 코어 확대도이고,
도 1b는 본 발명의 다층 양자점을 형성하는 양자점의 확대도이며,
도 2는 본 발명에 의해서 제조된 다층 양자점의 확대도이고,
도 3a는 본 발명에 따른 제1실시예의 양자점 투과전자현미경 사진이고,
도 3b는 본 발명에 따른 제2실시예의 양자점 투과전자현미경 사진이며,
도 4a는 실시예 1에 의하여 제조된 코어/쉘/용매/최 외각 쉘 구조의 다층 양자점의 주사전자현미경 사진이고,
도 4b는 실시예 2에 의하여 제조된 코어/쉘/용매/쉘 구조의 다층 양자점의 주사전자현미경 사진이며,
도 5a는 실시예 1에 의하여 제조된 코어/쉘/용매/쉘 구조의 다층 양자점의 발광스텍트럼이고,
도 5b는 실시예 2에 의하여 제조된 코어/쉘/용매/쉘 구조의 다층 양자점의 발광스텍트럼이며,
도 6은 실시예 3에 의하여 제조된 코어/쉘/용매/쉘 구조의 다층 양자점을 혼합한 것의 발광스텍트럼이고,
도 7은 실시예 4에 의하여 제조된 LED의 발광사진이다.

Claims (12)

  1. (a) CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 혹은 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점을 유기 용매인 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine)에 분산시키는 단계;
    (b) TEOS, 증류수 및 염산으로 제조한 실리카 졸을 상기 유기 용매에 분산된 코어/쉘 용액에 넣고 교반하는 단계;
    (c) 상기 용액에 (3-Aminopropyl)트리에톡시실란(triethoxysilane) 용액을 넣는 단계;
    (d) 상기 단계 (c)의 결과물에 증류수와 트리톤(Triton) X-100이 혼합된 용액을 교반하는 상태에서 넣는 단계;
    (e) 상기 단계 (d)에서 제조된 용액을 원심분리를 통하여 증류수를 제거하는 단계; 및
    (f) 상기 단계 (e)의 결과물을 진공건조기에서 건조하는 단계;로 이루어지는 방법으로 다층 양자점을 제조하고, 상기 다층 양자점은 코어/쉘/용매/최 외각 쉘 형태를 가지며, 상기 CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 혹은 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점은 다층 양자점을 형성하는 최 외곽 쉘의 내부 용매에 분산된 상태로 분포된 것을 특징으로 하는 발광소자용 다층 양자점 제조방법.
  2. (a) CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 혹은 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점을 유기 용매인 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 5g에 분산시키는 단계;
    (b) TEOS 23 ml, 증류수 2 ml 및 염산 0.2 ml로 제조한 실리카 졸 5 ml를 상기 유기 용매 트리옥틸포스핀에 분산된 코어/쉘 용액을 넣고 교반하는 단계;
    (c) 상기 용액에 (3-Aminopropyl)트리에톡시실란(triethoxysilane) 용액을 넣는 단계;
    (d) 상기 단계 (c)의 결과물에 증류수와 트리톤(Triton) X-100이 혼합된 용액을 교반하는 상태에서 넣는 단계;
    (e) 상기 단계 (d)에서 제조된 용액을 원심분리를 통하여 증류수를 제거하는 단계; 및
    (f) 상기 단계 (e)의 결과물을 진공건조기에서 건조하는 단계;로 이루어지는 방법으로 다층 양자점을 제조하고, 상기 다층 양자점은 코어/쉘/용매/최 외각 쉘 형태를 가지며, 상기 CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 혹은 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점은 다층 양자점을 형성하는 최 외곽 쉘의 내부 용매에 분산된 상태로 분포된 것을 특징으로 하는 발광소자용 다층 양자점 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 최 외각 쉘은 실리카 또는 고분자로 구성된 것을 특징으로 하는 발광소자용 다층 양자점 제조방법.
  6. (a) CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 또는 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점 중 어느 하나의 양자점을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine)에 분산시키는 단계;
    (b) 상기 단계 (a)의 결과물을 폴리비닐알콜이 녹아있는 증류수에 넣고 교반하는 단계;
    (c) 상기 단계 (b)의 결과물을 붕산을 녹여 놓은 용액에 넣어 코어/쉘/용매/최 외각 쉘(고분자) 다층 양자점을 형성하는 단계;
    (d) 상기 단계 (c)의 결과물을 원심분리를 통하여 수분을 제거한 후 그 수분이 제거된 코어/쉘/용매/최 외각 쉘(고분자) 다층 양자점이 완전히 고형화되기 전에 LED 칩 위에 원하는 크기로 적층하고 건조하는 단계; 및
    (e) 상기 단계 (d)의 건조 적층된 LED 칩을 몰딩하여 램프를 제조하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점 또는 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점 중 어느 하나의 양자점을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 5g에 분산시키고, 이 용액을 폴리비닐알콜 3.2g이 녹아있는 증류수에 넣고 교반한 후, 붕산 3.2g을 녹여 놓은 용액에 넣어 코어/쉘/용매/최 외각 쉘(고분자) 다층 양자점을 형성한 것임을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
  8. 상기 제6항의 방법으로 제조된 발광소자.
  9. 상기 제1항의 방법으로 제조된 다층 양자점을 원하는 색으로 조절하고, 그 조절된 다층 양자점을 에폭시와 혼합한 후 그 혼합물을 LED 칩 위에 적층하고 건조하며, 그 건조 적층된 LED 칩을 몰딩하여 램프를 제조하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
  10. 상기 제9항의 방법으로 제조된 발광소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점은 (ⅰ) Cd(NO3)2· 4H2O 0.4535 g을 도데실아민(Dodecylamine)10 g을 넣어서 녹인 다음, 이에 Te 0.16 g을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 5 g에 녹인 용액을 첨가하고 가열(160∼250℃)하여 CdTe 코어(11)를 제조한 다음 상기 제조된 코어(11)를 클로로포름과 메탄올로 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 단계 (ⅰ)의 세척된 코어(11)를 도데실아민 20 g에 분산시킨 후, Cd(NO3)2· 4H2O 0.907 g과 황 0.198 g을 트리옥틸포스핀 5 g에 각각 녹인 후, 상기 두 용액을 코어가 분산된 도데실아민 용액에 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdTe 표면에 CdS 쉘(12)을 형성한 다음, 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조하고,
    상기 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점은 (ⅲ) CdO 0.0433 g을 헥사데실아민(Hexadecylamine) 2.5 g과 트리옥틸포스핀 옥사이드(Trioctylphosphine oxide) 5 g이 혼합된 용액에 넣어서 녹인 다음, Se 0.0359 g을 트리옥틸포스핀 2.5 g에 녹인 용액을 첨가하고 가열하여 CdSe 코어(11)를 제조하고, 상기 제조된 코어를 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계; 및 (ⅳ) 상기 단계 (ⅲ)의 세척된 코어(11)를 핵사데실아민(Hexadecylamine) 1.25 g과 트리옥틸포스핀 옥사이드 2.5 g에 분산시킨 다음, 비스(트리메틸실일)설페이트(Bis(trimethysilil)sulfate) 0.124 g과 디메틸아연(Dimethylzine) 0.35 ml를 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 용액 3 ml에 녹인 후 상기 용액을 코어가 분산된 용액에 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdSe 표면에 Zns 쉘(12)을 형성한 다음 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 다층 양자점 제조방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 CdTe/CdS(코어/쉘) 양자점은 (ⅰ) Cd(NO3)2· 4H2O 0.4535 g을 도데실아민(Dodecylamine)10 g을 넣어서 녹인 다음, 이에 Te 0.16 g을 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 5 g에 녹인 용액을 첨가하고 가열(160∼250℃)하여 CdTe 코어(11)를 제조한 다음 상기 제조된 코어(11)를 클로로포름과 메탄올로 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 단계 (ⅰ)의 세척된 코어(11)를 도데실아민 20 g에 분산시킨 후, Cd(NO3)2· 4H2O 0.907 g과 황 0.198 g을 트리옥틸포스핀 5 g에 각각 녹인 후, 상기 두 용액을 코어가 분산된 도데실아민 용액에 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdTe 표면에 CdS 쉘(12)을 형성한 다음, 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조하고,
    상기 CdSe/ZnS(코어/쉘) 양자점은 (ⅲ) CdO 0.0433 g을 헥사데실아민(Hexadecylamine) 2.5 g과 트리옥틸포스핀 옥사이드(Trioctylphosphine oxide) 5 g이 혼합된 용액에 넣어서 녹인 다음, Se 0.0359 g을 트리옥틸포스핀 2.5 g에 녹인 용액을 첨가하고 가열하여 CdSe 코어(11)를 제조하고, 상기 제조된 코어를 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계; 및 (ⅳ) 상기 단계 (ⅲ)의 세척된 코어(11)를 핵사데실아민(Hexadecylamine) 1.25 g과 트리옥틸포스핀 옥사이드 2.5 g에 분산시킨 다음, 비스(트리메틸실일)설페이트(Bis(trimethysilil)sulfate) 0.124 g과 디메틸아연(Dimethylzine) 0.35 ml를 트리옥틸포스핀(Trioctylphosphine) 용액 3 ml에 녹인 후 상기 용액을 코어가 분산된 용액에 넣고 가열(160∼250℃)하여 CdSe 표면에 Zns 쉘(12)을 형성한 다음 클로로포름과 메탄올을 이용하여 원심분리를 통하여 분리 및 세척하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9904109B2 (en) 2015-12-16 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filter, method of making the same, and display device including the same
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012099410A2 (ko) * 2011-01-19 2012-07-26 서강대학교산학협력단 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법 및 안정화 방법, 및 이에 의한 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
KR101334676B1 (ko) 2011-01-19 2013-12-02 서강대학교산학협력단 제올라이트 내 양자점 또는 양자선의 분산 방법 및 안정화 방법, 및 이에 의한 양자점 또는 양자선-함유 제올라이트
KR20130016910A (ko) * 2011-08-09 2013-02-19 한국과학기술원 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체 형성 및 이의 광소자 적용
CN102660258B (zh) * 2012-04-18 2014-01-29 中国科学院化学研究所 一种水溶性CdS量子点的制备方法
CN102816563B (zh) * 2012-08-29 2014-07-09 上海交通大学 一种折射率可调的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途
KR101426448B1 (ko) * 2012-11-09 2014-08-05 주식회사 엘엠에스 나노 복합체, 이를 포함하는 광학 부재 및 백라이트 유닛
KR101311688B1 (ko) * 2013-05-22 2013-09-25 한국과학기술원 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법
CN103555334B (zh) * 2013-10-21 2014-12-17 山东交通学院 一种CdTe/ZnS核壳量子点及其制备方法与应用
KR101979780B1 (ko) * 2015-09-11 2019-05-17 주식회사 엘지화학 흡습 충진제 및 이의 제조방법
KR101906445B1 (ko) * 2018-06-29 2018-10-10 (주)이노큐디 양자점 필름의 제조방법, 이로써 제조된 양자점 필름, 및 이를 포함하는 파장변환 시트 및 디스플레이

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070029915A (ko) * 2005-09-12 2007-03-15 삼성전기주식회사 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된나노결정
US20080258115A1 (en) 2004-08-04 2008-10-23 Singapore Agency For Science, Technology And Research Coated water soluble nanoparticles

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080258115A1 (en) 2004-08-04 2008-10-23 Singapore Agency For Science, Technology And Research Coated water soluble nanoparticles
KR20070029915A (ko) * 2005-09-12 2007-03-15 삼성전기주식회사 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된나노결정

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문1 : CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS *
논문2 : Annals of Biomedical Engineering *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9904109B2 (en) 2015-12-16 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filter, method of making the same, and display device including the same
US10126598B2 (en) 2015-12-16 2018-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Color filter, method of making the same, and display device including the same
KR20200075371A (ko) 2018-12-18 2020-06-26 한국세라믹기술원 캡슐화된 양자점이 다공성 비드에 담지된 양자점 복합체 및 그 제조방법

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