KR101183503B1 - 적층 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents
적층 구조체 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101183503B1 KR101183503B1 KR1020117026612A KR20117026612A KR101183503B1 KR 101183503 B1 KR101183503 B1 KR 101183503B1 KR 1020117026612 A KR1020117026612 A KR 1020117026612A KR 20117026612 A KR20117026612 A KR 20117026612A KR 101183503 B1 KR101183503 B1 KR 101183503B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- impurity diffusion
- thin film
- backing plate
- laminated structure
- indium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D19/00—Casting in, on, or around objects which form part of the product
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12681—Ga-, In-, Tl- or Group VA metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
인듐 타깃에 대한 불순물의 혼입이 양호하게 억제된 적층 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다.
적층 구조체는, 배킹 플레이트, 배킹 플레이트 상에 형성된 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층, 및 불순물 확산 방지층 상에 형성된 인듐 타깃을 구비한다.
적층 구조체는, 배킹 플레이트, 배킹 플레이트 상에 형성된 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층, 및 불순물 확산 방지층 상에 형성된 인듐 타깃을 구비한다.
Description
본 발명은 적층 구조체 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배킹 플레이트 및 인듐 타깃을 구비한 적층 구조체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
인듐은, Cu-In-Ga-Se 계 (CIGS 계) 박막 태양 전지의 광 흡수층 형성용 스퍼터링 타깃으로서 사용되고 있다.
종래, 인듐 타깃은, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 바와 같이, 배킹 플레이트 상에 인듐 합금 등을 부착시킨 후, 금형에 인듐을 흘려 넣어 주조함으로써 제작되고 있다.
특허문헌 1 에서는, 배킹 플레이트 상에 니켈 박막을 수 ㎛ 의 두께로 형성함으로써 배킹 플레이트 중의 불순물이 인듐으로 확산되는 것을 방지할 수 있다는 취지의 기재가 있다. 그러나, 실시예에서는 인듐 타깃 중의 불순물 농도가 측정되어 있지 않다. 또한, 본 발명자들이 특허문헌 1 에 기재된 실시예를 실시한 결과, 배킹 플레이트의 구성 원소인 구리가, 니켈 박막을 통과하여 인듐 타깃 내에 15 ppm 함유되어 버린 것이 판명되었다.
또한, 본딩재로서, 주석 등의 불순물 원소와 인듐의 합금을 사용하는 경우, 인듐 타깃을 스퍼터 사용 후에 회수하여 리사이클할 때, 인듐 이외의 불순물 원소의 제거나 농도 관리가 번거로워져, 제조 효율 및 제조 비용의 면에서 문제가 있다.
그래서, 본 발명은, 인듐 타깃에 대한 불순물의 혼입이 양호하게 억제된 적층 구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 배킹 플레이트와 인듐 타깃 사이에 특정 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층을 형성함으로써, 인듐 타깃에 대한 불순물의 혼입이 양호하게 억제된 적층 구조체를 제작할 수 있고, 그것에 의해 인듐 타깃의 리사이클시에 불순물의 제거나 농도 관리의 수고 및 비용을 절감할 수 있는 것을 알아냈다.
이상의 지견 (知見) 을 기초로 하여 완성한 본 발명은 일 측면에 있어서, 배킹 플레이트, 배킹 플레이트 상에 형성된 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층, 및 불순물 확산 방지층 상에 형성된 인듐 타깃을 구비한 적층 구조체이다.
본 발명에 관련된 적층 구조체는 일 실시형태에 있어서, 불순물 확산 방지층이, Fe 로 구성된 박막으로 형성되어 있다.
본 발명에 관련된 적층 구조체는 다른 일 실시형태에 있어서, Fe 로 구성된 박막이 무전해 도금으로 형성되어 있다.
본 발명에 관련된 적층 구조체는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 불순물 확산 방지층이 5 ~ 100 ㎛ 이다.
본 발명에 관련된 적층 구조체는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 인듐 타깃 중의 구리 농도가 5 ppm 이하, 철 농도가 8 ppm 이하이다.
본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 배킹 플레이트를 준비하는 공정과, 배킹 플레이트 상에 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층을 형성하는 공정과, 배킹 플레이트 상에 인듐 원료를 용해 주조함으로써 인듐 타깃을 형성하는 공정을 구비한 적층 구조체의 제조 방법이다.
본 발명에 관련된 적층 구조체의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 불순물 확산 방지층을, Fe 로 구성된 박막으로 형성한다.
본 발명에 관련된 적층 구조체의 제조 방법은 다른 일 실시형태에 있어서, Fe 로 구성된 박막을 무전해 도금으로 형성한다.
본 발명에 의하면, 인듐 타깃에 대한 불순물의 혼입이 양호하게 억제된 적층 구조체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 관련된 적층 구조체는, 배킹 플레이트, 배킹 플레이트 상에 형성된 불순물 확산 방지층, 및 불순물 확산 방지층 상에 형성된 인듐 타깃을 구비하고 있다. 배킹 플레이트의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 소정의 두께 및 직경을 갖는 원반 형상으로 형성할 수 있다. 배킹 플레이트의 구성 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 구리 등의 금속 재료로 형성할 수 있다. 불순물 확산 방지층은, 상기 서술한 바와 같이 배킹 플레이트와 인듐 타깃 사이에 형성되어, 인듐 타깃에 대한 배킹 플레이트로부터의 불순물의 확산을 방지하는 기능을 갖고 있다. 불순물 확산 방지층의 구성 재료로는, 배킹 플레이트의 구성 재료가 확산되기 어려운 것을 선택한다. 이와 같은 불순물 확산 방지층의 구성 재료로는, 예를 들어 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 등을 사용할 수 있다. 또한, 예를 들어 배킹 플레이트가 구리를 주요 구성 재료로 하고 있는 경우, 불순물 확산 방지층은 구리의 확산을 양호하게 억제하는 철로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 철은 인듐에 대한 고용한 (固溶限) 이 매우 작기 때문에, 인듐에 대한 용해로 인한 혼입이 거의 없다. 이 때문에, 불순물 확산 방지층이 철제 박막이면, 불순물 확산 방지층의 구성 재료 자체의 인듐 타깃에 대한 확산도 양호하게 억제할 수 있다. 불순물 확산 방지층의 두께는 5 ~ 100 ㎛ 인 것이 바람직하다. 불순물 확산 방지층이 5 ㎛ 미만이면, 충분한 불순물 확산 방지 효과가 얻어지지 않는다. 불순물 확산 방지층이 100 ㎛ 초과여도, 불순물 확산 방지 효과는 포화되어 버리기 때문에, 그 이상의 후막으로 할 필요성이 희박하다. 인듐 타깃은, 불순물 확산 방지층이 형성되어 있기 때문에, 타깃 중에 대한 불순물의 혼입이 양호하게 억제되어 있다. 구체적으로는, 인듐 타깃 중에 불순물로서 구리 및 철이 함유되어 있을 가능성이 있는 경우, 구리 농도가 5 ppm 이하, 철 농도가 8 ppm 이하인 것이 바람직하고, 구리 농도가 3 ppm 이하, 철 농도가 4 ppm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 필요하다면, 불순물 확산 방지층 외에, 배킹 플레이트와 인듐 타깃 사이에 그들의 접합성을 양호하게 하기 위한 박막을 형성해도 된다.
다음으로, 본 발명에 관련된 적층 구조체의 제조 방법의 바람직한 예를 순서에 따라 설명한다. 먼저, 소정의 두께를 갖는 배킹 플레이트를 준비하고, 이 배킹 플레이트 상에 불순물 확산 방지층을 형성한다. 불순물 확산 방지층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 구성 재료에 따라, 무전해 도금, 스퍼터링, 재료의 도포 및 건조 등으로 형성할 수 있다. 불순물 확산 방지층을 철제 박막으로 하는 경우, 이 철제 박막은, 간편하고 저비용의 박막 형성 방법인 무전해 도금으로 형성하는 것이 바람직하다.
다음으로, 불순물 확산 방지층이 형성된 배킹 플레이트 상에 원통 형상의 주형을 형성한다. 계속해서, 원료인 인듐을 용해시켜, 이 주형에 흘려 넣는다. 사용하는 원료 인듐은, 불순물이 함유되어 있으면, 그 원료에 의해 제작되는 태양 전지의 변환 효율이 저하되어 버린다는 이유에 의해 높은 순도를 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 순도 99.99 질량% 이상의 인듐을 사용할 수 있다. 그 후, 실온까지 냉각시켜, 인듐 타깃을 형성한다. 냉각 속도는 공기에 의한 자연 방랭이면 된다. 또한, 필요하다면 인듐 타깃에 표면 연마 등의 표면 처리를 실시해도 된다.
이와 같이 하여 얻어진 적층 구조체는, CIGS 계 박막 태양 전지용 광 흡수층의 스퍼터링 타깃으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
실시예
이하에 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 나타내는데, 이들 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해서 제공하는 것이며, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
(실시예 1)
직경 250 ㎜, 두께 5 ㎜ 의 구리제 배킹 플레이트를 준비하였다. 계속해서, 철 농도 2 ㏖/ℓ 의 염화철 용액, 계면 활성제로서 옥틸황산나트륨 (0.5×10-3 ㏖/ℓ), 및 염화칼슘 (1.5 ㏖/ℓ) 을 혼합시킨 용액을 도금액으로 하고, 이것을 사용하여 무전해 도금에 의해, 배킹 플레이트 상에 막두께 20 ㎛ 의 철제 박막 (불순물 확산 방지층) 을 형성하였다.
다음으로, 철제 박막이 형성된 배킹 플레이트 상의 주위를 직경 205 ㎜, 높이 7 ㎜ 의 원통 형상의 주형으로 둘러싸고, 그 내부에 160 ℃ 에서 용해시킨 인듐 원료 (순도 5 N) 를 흘려 넣은 후, 실온까지 냉각시켜, 원반 형상의 인듐 타깃 (직경 204 ㎜ × 두께 6 ㎜) 을 형성함으로써 적층 구조체를 제작하였다.
(실시예 2)
철제 박막의 막두께를 100 ㎛ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 적층 구조체를 제작하였다.
(실시예 3)
철제 박막의 막두께를 5 ㎛ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 적층 구조체를 제작하였다.
(실시예 4)
철제 박막의 막두께를 4 ㎛ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 적층 구조체를 제작하였다.
(실시예 5)
철제 박막의 막두께를 120 ㎛ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 적층 구조체를 제작하였다.
(비교예 1)
철제 박막을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 적층 구조체를 제작하였다.
(평가)
실시예 및 비교예에서 얻어진 적층 구조체의 인듐 타깃에 대하여, 불순물 농도를 ICP 분석법으로 측정하였다.
각 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 1 ~ 3 에서는, 철제 박막 (불순물 확산 방지층) 의 두께가 5 ~ 100 ㎛ 이기 때문에, 인듐에 대한 구리 및 철의 확산이 양호하게 억제되어 있는 것을 알 수 있다.
실시예 4 에서는, 철제 박막 (불순물 확산 방지층) 의 두께가 4 ㎛ 로 약간 얇은 막으로 형성되어 있기 때문에, 인듐 중의 구리 농도가 실시예 3 과 비교하면 많았다. 그러나, 인듐 중의 구리 농도는 7 ppm 이기 때문에, 구리의 확산이 양호하게 억제되어 있다고 할 수 있다.
실시예 5 에서는, 철제 박막 (불순물 확산 방지층) 의 두께가 120 ㎛ 로 약간 두꺼운 막으로 형성되어 있기 때문에, 인듐 중의 철 농도가 실시예 2 와 비교하면 많았다. 그러나, 인듐 중의 구리 농도는 1 ppm 미만이기 때문에, 구리의 확산이 양호하게 억제되어 있다고 할 수 있다.
비교예 1 에서는, 철제 박막 (불순물 확산 방지층) 을 형성하고 있지 않아, 인듐 타깃에 대한 구리의 확산량이 많아, 인듐 타깃 중의 구리 농도가 3000 ppm 으로 매우 컸다.
Claims (8)
- 배킹 플레이트, 상기 배킹 플레이트 상에 형성된 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층, 및 상기 불순물 확산 방지층 상에 형성된 인듐 타깃을 구비한, 적층 구조체.
- 제 1 항에 있어서,
상기 불순물 확산 방지층이, Fe 로 구성된 박막으로 형성되어 있는, 적층 구조체. - 제 2 항에 있어서,
상기 Fe 로 구성된 박막이 무전해 도금에 의해 형성되어 있는, 적층 구조체. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 불순물 확산 방지층이 5 ~ 100 ㎛ 인, 적층 구조체. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인듐 타깃 중의 구리 농도가 5 ppm 이하, 철 농도가 8 ppm 이하인, 적층 구조체. - 배킹 플레이트를 준비하는 공정,
상기 배킹 플레이트 상에 Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S 및 Si 에서 선택된 1 종류 이상의 금속으로 구성된 박막으로 이루어지는 불순물 확산 방지층을 형성하는 공정, 및
상기 배킹 플레이트 상에 인듐 원료를 용해 주조함으로써 인듐 타깃을 형성하는 공정을 구비한, 적층 구조체의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 불순물 확산 방지층을, Fe 로 구성된 박막으로 형성하는, 적층 구조체의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 Fe 로 구성된 박막을 무전해 도금에 의해 형성하는, 적층 구조체의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2010-194547 | 2010-08-31 | ||
JP2010194547A JP4872014B1 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 積層構造体及びその製造方法 |
PCT/JP2011/060971 WO2012029356A1 (ja) | 2010-08-31 | 2011-05-12 | 積層構造体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120040132A KR20120040132A (ko) | 2012-04-26 |
KR101183503B1 true KR101183503B1 (ko) | 2012-09-20 |
Family
ID=45772469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117026612A KR101183503B1 (ko) | 2010-08-31 | 2011-05-12 | 적층 구조체 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120270065A1 (ko) |
JP (1) | JP4872014B1 (ko) |
KR (1) | KR101183503B1 (ko) |
CN (1) | CN102510911B (ko) |
TW (1) | TWI381067B (ko) |
WO (1) | WO2012029356A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5026611B1 (ja) | 2011-09-21 | 2012-09-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
CN106536787B (zh) * | 2014-07-31 | 2019-02-22 | 捷客斯金属株式会社 | 将防腐蚀性金属与Mo或Mo合金扩散接合而得到的背衬板、以及具备该背衬板的溅射靶-背衬板组件 |
CN106739261A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 苏州华意铭铄激光科技有限公司 | 一种低温塑性好的复合金属制品 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004339607A (ja) | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57185973A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Production of target for sputtering |
JPH02267261A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JPH04346659A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
JPH11236664A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-08-31 | Mitsui Chem Inc | スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート |
US7136173B2 (en) * | 1998-07-09 | 2006-11-14 | Acm Research, Inc. | Method and apparatus for end-point detection |
FR325790A (fr) * | 2002-03-28 | 1903-05-08 | Kempshall Eleazer | Balle perfectionnée pour le jeu de golf |
EP2213763A3 (en) * | 2003-08-11 | 2010-08-18 | Honeywell International Inc. | Target/backing plate constructions, and methods of forming target/backing plate constructions |
JP5272361B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2013-08-28 | 豊田合成株式会社 | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜装置用のバッキングプレート |
JP4346659B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-10-21 | 株式会社東芝 | 情報処理装置、バックアップ記憶装置、および情報処理方法 |
JP4992843B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2012-08-08 | 住友金属鉱山株式会社 | インジウムターゲットの製造方法 |
JP5426124B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
US8053861B2 (en) * | 2009-01-26 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Diffusion barrier layers |
US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
-
2010
- 2010-08-31 JP JP2010194547A patent/JP4872014B1/ja active Active
-
2011
- 2011-05-12 US US13/386,984 patent/US20120270065A1/en not_active Abandoned
- 2011-05-12 TW TW100116607A patent/TWI381067B/zh active
- 2011-05-12 WO PCT/JP2011/060971 patent/WO2012029356A1/ja active Application Filing
- 2011-05-12 KR KR1020117026612A patent/KR101183503B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-12 CN CN201180002728.2A patent/CN102510911B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004339607A (ja) | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012052174A (ja) | 2012-03-15 |
WO2012029356A1 (ja) | 2012-03-08 |
TW201209222A (en) | 2012-03-01 |
TWI381067B (zh) | 2013-01-01 |
CN102510911B (zh) | 2014-11-05 |
US20120270065A1 (en) | 2012-10-25 |
JP4872014B1 (ja) | 2012-02-08 |
CN102510911A (zh) | 2012-06-20 |
KR20120040132A (ko) | 2012-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2012005098A1 (ja) | Cu-Ga合金およびCu-Ga合金スパッタリングターゲット | |
CN109161770B (zh) | 一种高模量镁合金及其制备方法 | |
KR20080019274A (ko) | 고강도 및 우수한 굽힘 가공성을 갖춘 구리 합금 및 구리합금판의 제조 방법 | |
KR101183503B1 (ko) | 적층 구조체 및 그 제조 방법 | |
JP5767384B1 (ja) | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート | |
JP5026611B1 (ja) | 積層構造体及びその製造方法 | |
CN101020981A (zh) | 高含锌量的镁-锌-锰系镁合金材料 | |
TW201331391A (zh) | 氧化膜密著性優異之高強度銅合金板 | |
JP2007308768A (ja) | アルミニウム合金厚板の製造方法およびアルミニウム合金厚板 | |
KR102336415B1 (ko) | 구리 합금 압연재 및 그 제조 방법 및 전기 전자 부품 | |
JP6141708B2 (ja) | 光沢度に優れためっき付き銅合金板 | |
JP5684849B2 (ja) | アルミニウム合金板とその製造方法 | |
JP6149712B2 (ja) | Cu配線保護膜、及びCu合金スパッタリングターゲット | |
CN114807642A (zh) | 一种无偏析合金及其高成材率制备方法 | |
JP6028540B2 (ja) | Cu配線保護膜、及びCu合金スパッタリングターゲット | |
KR101988794B1 (ko) | 내식성이 우수한 마그네슘 합금 판재 및 그 제조방법 | |
JP6685079B2 (ja) | 表面品質に優れたアルミニウム合金板 | |
JP7234501B2 (ja) | 銅合金 | |
JPWO2015046319A1 (ja) | In合金スパッタリングターゲット、その製造方法及びIn合金膜 | |
JP2012224910A (ja) | 積層構造体及びその製造方法 | |
KR20160140796A (ko) | 표면 처리 알루미늄재 및 아연 첨가 알루미늄 합금 | |
US20150152528A1 (en) | Method for preparing recycled low-nickel magnesium alloy using magnesium scraps | |
JP2014185384A (ja) | Cu−Gaスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR20180038783A (ko) | 고기능성 알루미늄-마그네슘-규소 합금 및 그 제조방법 | |
JP2008056965A (ja) | 高強度Al合金及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150819 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170818 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 7 |