KR101158555B1

KR101158555B1 - 은 코팅막이 형성된 임플란트 및 은 코팅막 형성방법

Info

Publication number: KR101158555B1
Application number: KR1020090076233A
Authority: KR
Inventors: 정철웅; 김현승
Original assignee: 주식회사 쿠보텍
Priority date: 2009-08-18
Filing date: 2009-08-18
Publication date: 2012-06-20
Also published as: KR20110018655A

Abstract

본 발명은 은코팅막이 형성된 임플란트 및 은 코팅막 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 치과용 임플란트 기재에 항균을 위한 은 코팅막을 형성함에 있어서 임플란트 기재에 결합된 은 입자의 결합력을 증대시켜 은 코팅막이 견고하게 형성된 임플란트 및 은 코팅막 형성방법에 관한 것이다.

본 발명의 은 코팅막이 형성된 임플란트는 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어진 임플란트용 기재에 형성되며 항균을 위한 은 입자를 포함하는 은 코팅막과, 기재에 대한 상기 은 입자의 결합력을 증대시키기 위해 상기 은 코팅막에 마련된 결합력 증대수단을 구비한다.

본 발명에 의하면 임플란트와 은코팅막 사이에 형성된 기저층이 임플란트와 은코팅막을 결합시키는 역할을 하여 은 코팅막이 임플란트로부터 쉽게 벗겨지지 않도록 하므로 지속적이고 안정된 은코팅막을 형성할 수 있다.

임플란트, 은, 항균, 코팅, 결합력, 티타늄, 은합금

Description

은 코팅막이 형성된 임플란트 및 은 코팅막 형성방법{Implant forming silver coating layer and forming method of silver coating layer}

일반적으로 치과용 임플란트(implant)란 상실된 자연치아의 대체물 자체를 말하거나 또는 나사형상의 인공치아 고정체(fixture)를 치조골에 체결하여 일정기간 동안 뼈와 융합되도록 한 후 그 위에 접합부인 어버트먼트(abutment)와 인공치아(crown) 등의 보철물을 고정함으로써 치아의 본래 기능을 회복시켜 주는 치과시술을 말한다.

종래의 임플란트는 치조골에 식립할 수 있도록 외주면에 나사산이 형성되고 상부에 육각형 머리부가 돌출 형성된 픽스츄어와, 내측 상하부에 삽입공과 육각홈부가 서로 관통되게 형성되며 삽입공과 육각홈부가 맞닿은 부위에 단턱부가 형성되어 있는 어버트먼트와, 상단중앙에 육각렌치홈이 오목하게 형성된 머리부의 하단에 나사부가 형성되어있는 고정용 스크류로 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래의 크라운용 임플란트의 어버트먼트는 턱뼈에 매식되는 픽스쳐의 상단에 돌출형성된 육각머리부에 육각홈부가 삽입되도록 설치한 후, 고정용 스크류를 어버트먼트의 삽입공을 통해 삽입하여 체결공구를 이용하여 고정용 스크류의 나사부가 픽스츄어의 체결공에 체결되도록 하여 어버트먼트가 견고하게 고정되도록 한 다음, 상기 어버트먼트의 상단 외주면에 치과용 시멘트에 의해 인공치아가 삽입되어 접착된다.

이러한 치과용 임플란트를 턱뼈에 식립하는 과정에서 유해 미생물의 감염에 의한 치주 질환이 발생될 수 있으며, 이것은 임플란트 주위염과 같은 2차 감염을 일으킬 수 있다.

한편, 종래의 인공치아를 사용하여 반복적인 저작작용을 하게 되면 인공치아와 상하로 교합하는 다른 치아에 의해 형성된 측방교합력을 인공치아가 받게 되는데, 이러한 측방교합력은 연쇄적으로 픽스츄어와 어버트먼트가 접하는 점을 작용점으로하는 모멘트를 발생시키게 된다. 이때, 이 모멘트는 반복적으로 고정용 스크류에 영향을 미치게 된다.

이러한 측방교합력에 의해 발생된 모멘트에 의해 어버트먼트를 고정하고 있는 고정용 스크류가 끊임없이 영향을 받게 됨으로써 고정용 스크류의 체결상태는 점차 느슨해지기 시작하고 고정용 스크류의 체결상태가 느슨해짐에 따라 어버트먼트가 유동하게 되므로, 인공치아가 흔들리게 되는 것이다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서 은코팅막을 임플란트의 표면에 형성하여 유해미생물의 감염을 방지할 수 있는 은 코팅막이 형성된 임플란트 및 은 코팅막 형성방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 은 코팅막에 함유된 은 입자가 임플란트 표면에 견고하게 결합되어 은 코팅막이 쉽게 벗겨지지 않도록 지속적이고 안정된 코팅막을 형성하는 임플란트 및 은 코팅막 형성방법을 제공하는 데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 은 코팅막이 형성된 임플란트는 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어진 임플란트용 기재에 형성되며 항균을 위한 은 입자를 포함하는 은 코팅막과; 상기 기재에 대한 상기 은 입자의 결합력을 증대시키기 위해 상기 은 코팅막에 마련된 결합력 증대수단;을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 결합력 증대수단은 상기 은 코팅막의 내측에 형성되어 상기 기재의 표면에 결합되는 기저층으로 구비된 것을 특징으로 한다.

상기 기저층은 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 결합력증대수단은 상기 은 코팅막에 함유되어 상기 은 입자와 합금을 형성하는 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속이며, 상기 은 코팅막에서 상기 은 입자의 함량은 3 내지 5중량%인 것을 특징으로 한다.

그리고 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 임플란트의 은 코팅막 형성방법은 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어진 임플란트용 기재의 표면에 기저층을 형성하는 기저층형성단계와; 상기 기저층의 바깥에 항균을 위한 은 입자를 포함하는 은 코팅막을 형성하는 은코팅막형성단계;를 포함하며, 상기 기저층형성단계에서 상기 기저층은 상기 임플란트 부재에 대한 상기 은 입자의 결합력을 증대시키기 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 기저층형성단계는 상기 임플란트용 기재를 챔버 내의 홀더에 장착하고 음극물질로 상기 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 타켓을 설치한 후 압력 15mTorr, 25℃, 70A의 아크파워, 200V의 음(-)전위 바이어스 전압 조건에서 60분 동안 아크방전시켜 상기 기재의 표면 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위의 상기 기저층을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 치과용 임플란트의 표면에 은코팅막을 형성시킴으로써 임플란트와 생체 접촉면에서의 치은 및 치조골 조직의 염증을 감소시켜 임플란트 주위염을 줄일 수 있을 뿐만 세균 감염을 방지할 수 있다.

특히, 본 발명은 임플란트와 은코팅막 사이에 형성된 기저층이 임플란트와 은코팅막을 결합시키는 역할을 하여 은 코팅막이 임플란트로부터 쉽게 벗겨지지 않 도록 하므로 지속적이고 안정된 은코팅막을 형성할 수 있다.

또한, 고정스크류의 표면에 은코팅막을 형성하여 스크류의 풀림을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 은 코팅막이 형성된 임플란트에 대해서 구체적으로 설명한다.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 의한 임플란트가 식립된 상태를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 적용된 어버트먼트를 나타내는 일부 절개 사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 치과용 임플란트(10)는 크게 치조골(3)에 식립되는 픽스츄어(20)와, 픽스츄어(20)의 상부에 결합되는 어버트먼트(30)와, 어버트먼트(30)를 픽스츄어(20)에 고정시키는 고정스크류(40)로 이루어진다. 그리고 어버트먼트(30)의 상부에는 자연 치아와 동일한 형태와 기능을 재현하도록 되어 있는 인공 치관(5)이 결합된다.

본 발명에서 임플란트용 기재는 상술한 임플란트를 구성하는 픽스츄어(20), 어버트먼트(30), 고정스크류(40), 인공치관(5)을 각각 의미한다. 임플란트 기재는 골 융합력 향상을 위해 순수한 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어진다.

티타늄 합금은 티타늄에 다른 금속, 예를 들어 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이트륨(Yt), 마그네슘(Mg), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나의 금속을 첨가하여 이루어진다. 보다 구체적으로, 예를 들어 Ti-6Al-4V, Ti-6Al-7Nb, Ti-30Nb, Ti-13Nb-13zr, Ti- 15Mo, Ti-35.3Nb-5.1Ta-7.1Zr, Ti-29Nb-13Ta-4.6Zr, Ti-29Nb-13Ta-2Sn, Ti-29Nb-13Ta-4.6Sn, Ti-29Nb-13Ta-6Sn, Ti-16Nb-13Ta-4Mo중에서 선택될 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 예로 어버트먼트(30)의 표면에 기저층(50)이 형성되고, 기저층(50)의 바깥에 은코팅막(60)이 형성된 것을 예로 들어 설명한다.

어버트먼트(30)에 형성된 은 코팅막(60)은 유해 미생물의 번식을 억제하는 역할을 한다. 이때, 은 코팅막(60)은 순수한 은 또는 은 합금으로 형성될 수 있다. 은 합금은 은에 다른 금속, 예를 들어 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이외에 살균과 항균능력이 있는 세라믹 물질이 더 혼합될 수 있다. 은 코팅막(60)은 어버트먼트(30) 표면의 적어도 일부, 바람직하게는 치조골(3)과 접촉하는 표면에 한정되어 형성될 수 있다.

은코팅막(60)은 PVD(physical vapor deposition)법을 이용하여 어버트먼트의 표면 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위의 두께로 형성된다. 바람직하게는 아크이온플레이팅(Arc Ion Plating)법을 이용한다. 아크이온플레이팅법에 의해 은코팅막을 형성시키는 경우 성막속도가 빠르고 부착력이 우수하다. 이외에도 진공증착법 또는 스퍼터링(sputtering)법, 저온플라즈마, 화학증착법(CVD)등을 이용할 수 있다.

기저층(50)은 은 코팅막(60)의 안쪽, 즉 어버트먼트(30)와 은 코팅막(60) 사이에 형성된다. 이러한 기저층(50)은 은 코팅막(60)에 함유된 은 입자가 어버트먼트(30)의 표면에 결합되는 결합력을 증대시킨다.

본 발명에서 기저층(50)은 은 입자와 결합력이 좋으며, 내부식성, 내마모성 등을 가져야 하며, 생체 적합성이 좋아야 한다. 이점을 감안하여 기저층(50)은 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함하여 형성된다. 기저층(50)은 은코팅막(60)의 형성방법과 동일한 아크이온플레이팅법을 이용하여 어버트먼트(30)의 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위로 형성한다.

이러한 기저층(50)에 의해 은 코팅막(60)은 어버트먼트(30)에 견고하게 결합되어 은 코팅막(60)이 쉽게 벗겨지지 않는다. 따라서 지속적이고 안정된 은 코팅막(60)을 형성하도록 한다.

본 발명의 다른 실시 예를 도 3에 도시하고 있다. 도 3에 도시된 본 발명은 기저층이 생략된 채 은코팅막(70)이 어버트먼트(30) 표면에 바로 형성된다. 이 경우 은코팅막(70)에 함유된 은 입자의 결합력을 증대시키기 위한 결합력증대수단으로 은 코팅막(70)은 입자와 합금을 형성하는 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함한다. 이 경우 상기 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속은 은 입자가 임플란트 기재에 안정적으로 결합되도록 한다.

바람직하게 상기 은 코팅막(70)에서 은 입자의 함량은 3 내지 5중량%로 함유된다. 은 입자의 함량의 3중량% 미만인 경우 은의 항균효과가 미미하고, 5중량%를 초과하면 은 코팅막의 결합력이 현저히 낮아진다.

한편, 도 1에 도시된 고정스크류(40)의 표면에 은코팅막이 형성된 경우 항균 효과 외에도 고정스크류(40)의 나사풀림 현상을 방지할 수 있다. 은 코팅막에 의해 고정스크류(40)의 표면 두께가 일정하게 증가하고, 픽스츄어(20)와 고정스크류(40) 체결시 픽스츄어(20) 내부의 나사선과 은코팅막의 마찰로 풀림 현상을 방지할 수 있게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 은 코팅막이 형성된 임플란트는 어버트먼트 또는 픽스츄어의 표면에만 형성될 수 있으며, 고정스크류의 표면에만 은합금층이 위치할 수도 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트는 어버트먼트와 고정스크류의 표면에 은코팅막이 위치할 수도 있고, 픽스츄어, 어버트먼트, 고정스크류의 표면 모두에 형성될 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 및 은 코팅막 형성방법에 대해서 설명한다.

먼저, 치과용 임플란트 기재, 예를 들어 어버트먼트 또는 픽스츄어 등을 준비하여, 그 표면을 세척한다. 일 예로, 기재를 아세톤과 에탄올에서 각각 15분 동안 초음파세척을 한 후 탈 이온화된 물로 세척하여 건조시킨다. 이외에도 아르곤 가스를 이용하여 이온세정방법으로 세척할 수 있다.

다음으로 기재의 표면에 기저층을 형성시킨다. 기저층은 아크이온플레이팅(arc ion plating)공정을 행하여 기재 표면에 형성시킨다. 표면에 불순물이 제거된 기재에 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중 하나를 포함하는 타켓을 사용하여 아크이온플레이팅 공정을 통해 기저층을 형성한다. 아크이온플레이팅 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 30 내지 300sccm의 불활성 가스 분위기 하에서, 40 내지 80A의 아크 파워, 50 내지 300V의 바이어스 전압으로, 200 내지 400℃의 온도에서, 10 내지 120분 동안 실시될 수 있다.

그리고 스퍼터링 공정의 경우 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 10 내지 50sccm의 불활성 가스 분위기 하에서, 100 내지 400W의 스퍼터파워로, 50 내지 300V의 바이어스 전압으로, 100 내지 350℃의 온도에서 1 내지 50분 동안 실시될 수 있다.

기저층이 형성되면 기저층의 바깥에 항균을 위한 은 입자를 포함하는 은 코팅막을 형성한다. 은 코팅막은 공지의 방법, 즉 저온 플라즈마, 화학증착법(CVD), PVD(Physical Vapor Deposition), 전착법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이 중에 기저층의 형성방법과 동일한 아크이온플레이팅 공정을 이용한다.

이와 같이 본 발명은 임플란트 기재의 표면에 바로 은코팅막을 형성하는 것이 아니라 기저층 바깥에 은코팅막을 형성시킨다. 이 경우 임플란트와 은코팅막 사이에 형성된 기저층이 임플란트에 대한 은코팅막의 결합력을 크게 증대시킨다.

본 발명의 다른 예로서 기저층을 형성하지 않고 은 코팅막을 임플란트의 기재의 표면에 바로 형성시키되, 은 코팅막에 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 금속을 포함하도록 형성시킨다. 이러한 은코팅막은 표면에 불순물이 제거된 기재에 은에 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중 어느 하나를 포함하는 타켓을 사용하여 은코팅막을 형성한다.

이하, 본 발명의 일실시 예를 들어 더욱 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명에 따른 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 후 술하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다.

(실시예1)

임플란트 기재로 15mm ×15mm 크기의 순수한 티타늄판을 사용하였다. 먼저, 티타늄판을 아세톤과 에탄올에서 각각 15분 동안 초음파세척을 한 후 탈 이온화된 물로 세척하여 건조시켰다. 그리고 티타늄판 기재를 아크이온플레이팅 장치 챔버 내의 홀더에 장착하였다. 그리고 반응가스로 아르곤과 산소가스를 200sccm으로 주입하고 60분 동안 아크방전을 실시하여 기재 위에 기저층을 형성하였다. 이 경우 챔버 내의 압력은 7.5mTorr, 350℃, 전류는 70A, 음극물질로 니오븀을 이용하였다. 그리고 아크 방전시 홀더에 100V의 음(-)전위 바이어스 전압을 인가하여 방전실험을 하였다.

그리고 나서 음극물질로 순수한 은을 이용하여 상기 기저층 형성시와 동일조건으로 방전시켜 은코팅막을 형성하였다.

(실시예2)

상기 실시 예 1에 적용된 기저층 형성방법과 동일한 방법으로 티타늄 기재의 표면에 은코팅막을 형성하였다. 다만, 음극물질로 은이 4중량%함유된 은-니오븀 합금을 이용하였다.

(비교예)

상기 실시 예 1에 적용된 기저층 형성방법과 동일한 방법으로 티타늄 기재의 표면에 은코팅막을 형성하였다. 다만, 음극물질로 순수한 은을 이용하였다.

<제 1실험예: 부착력테스트>

실시 예 1 및 실시 예 2, 비교예에서 형성된 은코팅막의 티타늄 기재에 대한 부착력을 scratch tester(RB311, 알앤비사)로 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 에 나타내었다.

구분	부착력(N)
실시예1	21
실시예2	22
비교예	8

상기 표 1의 결과로부터 본 발명의 실시 예에 따른 임플란트는 비교예에 비해 부착력이 크게 향상됨을 알 수 있다. 따라서 은코팅막의 효과가 장기간 지속될 수 있음을 확인할 수 있다.

<제 2실험예: 항균테스트>

실시 예 1의 항균력을 평가하기 위하여 급성 치주염 원인균인 Aggregatilacter actinomycetemcomitans ATCC 33384(Aa) 혐기균과 대표적인 충치세균인 Porphyromonas gingivalis(Pg) 호기균을 사용하였다. 혐기균에 대한 배양액은 1 ℓ당 tryptic soy broth 30g, yeast extract 1g을 첨가하고 멸균 후 배양액의 온도가 50℃ 이하로 내려갔을 때 fetal bovine serum 100 ㎖을 첨가하여 준비하였다. 호기균에 대한 배양액은 1 ℓ당 BactoTM heart infusiion broth (BHI) 25g 과 10%가 되도록 lactose (BD/Difco Laboratories, Sparks, Md., U.S.A.)를 첨가하여 멸균 후 사용하였다. 50 ㎖ cornical tube에 4 ㎖의 준비된 배양액을 첨가한 후 여기에 멸균된 실시예 1의 시편을 담갔다. 하루 전부터 배양된 박테리아의 흡광도가 630 nm에서 0.5일 때 100 ㎕ (약 1×108 CFU/㎖; colony forming unit/㎖)를 취해서 시편이 포함된 배양액에 접종하였다. 이를 37℃ 혐기 또는 호기 배양기에 정치 배양한 후 매 2시간마다 0.2 ㎖씩 취해서 spectrophotometer (Bio-Tek Instruments, USA)를 이용하여 630 nm 파장의 흡광도 값을 측정함으로서 항균력 검사를 시행하였다. 그 결과는 첨부된 도 4 및 도 5에 나타내었다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예 1의 시편의 경우 Aa균과 Pg균에 대한 항균능력이 대조구에 비해 크게 향상됨을 알 수 있다.

<제 3실험예: Removal Torque 테스트>

본 실험예에서는 어버트먼트를 고정시키는 고정 스크류에 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 은코팅막을 형성한 후 픽스츄어에 체결한 다음 풀림토크 값을 측정하였다. 구체적으로 디지털 토크메타(torque meter, MARK-10, USA)에 1.2 Hand Driver를 체결한 후 회전력에 의한 공회전을 방지하기 위해 콜렛척(Collet check)에 픽스츄어를 단단히 고정하고, 35Ncm으로 힘을 가하여 픽스츄어에 고정 스크류를 체결시킨 후 반시계방향(CCW)로 풀림 Torque값을 측정하였다. 상기와 같이 조였다 풀었다를 3회 반복하는 피로실험 후 Removal test하였다. 대조구로는 은이온코팅막을 형성하지 않은 통상적인 고정 스크류를 이용하였다.

상기 토크 테스트에 대한 결과는 하기 표 2에 나타내었다.

구분	체결방향 (cw)/Ncm	피로시험 후 removal test (ccw)/Ncm
시험구	35.0	29.5(84%)
대조구	35.0	25.10(71%)

상기 표 2의 결과를 살펴보면, 시험구의 경우 풀림토크 값이 체결토크 값의 약 84%인 29.5Ncm으로 나타났다. 이에 반해 대조구의 경우 풀림토크 값이 체결토크 값의 약 71%인 25.10Ncm으로 나타나 시험구보다 풀림토크의 값이 크게 낮은 것으로 나타났다.

따라서 본 발명은 어버트먼트를 고정하고 있는 고정용 스크류가 시간이 지나더라도 풀림을 어느 정도 방지하므로 인공치아의 흔들림을 개선할 수 있을 것으로 기대된다.

이상, 본 발명은 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 등록청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 의한 임플란트가 식립된 상태를 나타내는 단면도이고,

도 2는 도 1에 적용된 어버트먼트를 나타내는 일부 절개 사시도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

3: 치조골 20: 픽스츄어

30: 어버트먼트 40: 고정스크류

50: 기저층 60: 은코팅막

Claims

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티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어진 임플란트용 기재의 표면에 기저층을 형성하는 기저층형성단계와;

상기 기저층의 바깥에 항균을 위한 은 입자를 포함하는 은 코팅막을 형성하는 은코팅막형성단계;를 포함하며,

상기 기저층형성단계에서 상기 기저층은 상기 임플란트 부재에 대한 상기 은 입자의 결합력을 증대시키기 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함하여 형성되고,

상기 기저층형성단계는 상기 임플란트용 기재를 챔버 내의 홀더에 장착하고 음극물질로 상기 니오븀, 탄탈륨, 지르코늄, 백금, 티타늄 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 타켓을 설치한 후 압력 7.5mTorr, 350℃, 70A의 아크파워, 100V의 음(-)전위 바이어스 전압 조건에서 60분 동안 아크방전시켜 상기 기재의 표면 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위의 상기 기저층을 형성하는 것을 특징으로 하는 임플란트의 은 코팅막 형성방법.