KR20170103104A - 치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트 - Google Patents

치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용 임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트에 관한 것이다. 치과용 임플란트 부재는, 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치한다. 이에 의하여, 치과용 임플란트 부재 중 지대주 나사의 경우에는 풀림 방지 기능이 개선되고 또한 세균감염을 방지할 수 있는 향균 효과를 발휘할 수 있으며, 치과용 임플란트 부재 중 지대주의 경우에는 세균 감염을 방지할 수 있는 항균 효과를 발휘할 수 있고 또한 주위염을 방지할 수 있다.

Description

치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트{Members for Dental Implant and Method of Fabricating The Same, and Dental Implant Comprising The Members}
치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용 임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 치과용 임플란트 부재인 지대주 나사 및 지대주, 치과용 임플란트 부재인 지대주 나사 및 지대주의 제조 방법, 그 치과용 임플란트 부재인 지대주 나사 및 지대주를 포함하는 치과용 임플란트에 관한 것이다.
임플란트는 인체 조직이 상실되었을 경우 회복시켜 주는 대체물을 의미하지만, 치과에서는 인공으로 만든 치아를 이식하는 것을 말한다. 즉, 인간의 턱뼈에 인공 치아를 반영구적으로 매식하기 위해 사용하는 것을 말한다.
일반 보철물이나 틀니의 경우, 시간이 지나면 주위 치아와 뼈가 상하지만 임플란트는 주변 치아 조직을 상하지않게 하며 자연 치아와 기능이나 모양이 같으면서도 충치가 생기지 않으므로 반영구적으로 사용할 수 있다.
이러한 치과용 임플란트를 턱뼈에 식립하는 과정에서 유해 미생물의 <3> 감염에 의한 치주 질환이 발생될 수 있으며, 이것은 임플란트 주위염과 같은 2차 감염을 일으킬 수 있다.
또한, 치과용 임플란트를 반영구적으로 사용하기 위해서는 턱뼈에 단단히 고정되어야 하는데, 임플란트를 구성하는 픽스쳐와 지대주를 상호 견고하게 고정시키는 지대주 나사의 체결 상태가 이완되어 느슨해지는 경우가 빈번히 발생할 뿐만 아니라, 심한 경우에는 지대주 나사 자체가 손상되어 외부로 이탈되는 경우도 발생할 수 있다.
이에 본 발명에서는 풀림 방지 기능이 개선되고 또한 세균 감염을 방지할 수 있는 향균 효과를 발휘할 수 있는 치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용 임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명에서는 세균 감염을 방지할 수 있는 항균 효과를 발휘할 수 있고 또한 주위염을 방지할 수 있는 치과용 임플란트 부재 및 그 제조 방법, 그리고 치과용 임플란트 부재를 포함하는 치과용 임플란트를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재인 지대주 나사는 표면의 적어도 일부에 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치한다.
상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 상기 은 또는 은합금층은 예를 들어 상기 지대주 나사의 표면 전체에 위치할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재인 지대주는 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치한다.
상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 상기 은 또는 은합금층은 예를 들어 상기 지대주가 치조골과 접촉하는 표면에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트는 인공 치관을 지지하는 픽스쳐, 상기 픽스쳐와 상기 인공 치관을 연결하는 지대주, 및 상기 지대주를 상기 픽스쳐에 결합하는 지대주 나사를 포함하고, 상기 지대주 및 상기 지대주 나사 중 적어도 나는 그 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이
위치한다. 상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 은 또는 은합금층은 예를 들어 상기 지대주 나사의 표면 전체에 위치할 수 있다.
상기 은 또는 은합금층은 예를 들어 상기 지대주가 치조골과 접촉하는 상기 지대주의 표면에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재의 제조방법은, 은 또는 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함하는 은합금층을 형성하고자 하는 임플란트 부재를 세척하는 단계; 및 상기 세척된 부재를 스퍼터링과 아크이온플레이트 공정을 동시 또는 개별적으로 행하여 상기 부재 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위의 상기 은합금층을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 임플란트 부재는 지대주 및 지대주 나사 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 스퍼터링 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기 하에서, 100 내지 400W의 스퍼터파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서 1 내지 500분동안 실시될 수 있고, 상기 아크이온플레이팅 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기 하에서, 40 내지 80A의 아크파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서 1 내지 120분 동안 실시될 수 있다.
또한, 상기 은 또는 은합금층 형성 단계 후, 상기 은 또는 은합금층이 형성된 상기 임플란트 부재에 열처리를 행하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 열처리는 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 200 내지 600℃의 온도에서 1 내지 8시간 동안 실시될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재인 지대주 나사의 표면에 은합금층이 위치함으로써 풀림 방지 기능이 개선되고 또한 세균 감염을 방지할 수 있는 향균 효과를 발휘할 수 있고, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재인 지대주의 표면에 은합금층이 위치함으로써 임플란트와 생체 접촉면에서의 치은 및 치조골 조직의 염증을 감소시켜 임플란트 주위염을 줄일 수 있을 뿐만 세균 감염을 방지할 수 있는 항균 효과를 발휘할 수 있어, 보다 안정적인 임플란트 시술을 기대할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재의 제조 방법은, 은 또는 은합금층의 접착성이 우수하고, 변색이 거의 발생하지 않는 치과용 임플란트 부재를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트의 개략적인 구성도이다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재 중 지대주와 지대주 나사의 단면을 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 부재의 제조 방법을 공정 순서대로 도시한 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트의 개략적인 구성도이고, 도 2 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재 중 지대주와 지대주 나사의 단면을 도시한 단면도들이다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트는 자연치아의 치근과 같이 결손된 치아부위의 치조골(107) 속에 매식되어 인공 치관(Crown, 140)을 지지하는 픽스쳐(Fixture, 110)와, 픽스쳐(110)와 인공 치관(140)을 연결하는 지대주(abutment, 120)와, 지대주(120)를 픽스쳐(110)에 결합시키기 위한 지대주 나사(130)와, 지대주(120)에 의해 구강 내에 고정되어 자연치아와 동일한 형태와 기능을 재현하도록 되어 있는 인공 치관(140)을 포함한다.
이러한 구성으로 픽스쳐(110)를 자연치아의 뿌리처럼 치조골(107)에 완전히 고정되도록 골유착시킨 후, 임플란트의 픽스쳐(110)에 지대주(120)를 지대주 나사(130)로 연결시키고, 그 위에 인공 치관(140)을 장착하면 임플란트가 완성된다. 이때, 픽스쳐(110)는 골 밀도가 높은 치밀골(107a)을 통과하여 골밀도가 낮은 해면골(107b)로
매식된다.
지대주(120)와 픽스쳐(110)의 결합 관계를 좀더 상세히 살펴보면, 지대주(120)의 중심에는 삽입공(104)이 형성되어 있으며 이 삽입공(104)을 통해 지대주 나사(130)를 삽입하여 픽스쳐(110)의 중심부에서 지대주(120)의 삽입공(104)과 동심적으로 형성되어 있는 체결공(112)과 나사 결합시킴으로써 지대주(120)를 픽스쳐(110) 상단에 고정하게 된다. 그리고, 인공 치관(110)은 지대주(120)의 상단부에서 지대주(120)를 외측에서 감싸면서 접촉되고 그 접촉 부위가 접착제 등으로 결합되어 픽스쳐(110)에 의해 지지된다.
도 1에 도시한 바와 같이 임플란트를 구성하는 부재 중 하나인 픽스쳐(110)는 치조골(107)에 매식되는 부분으로, 임플란트에 있어서 픽스쳐(110)는 그 자체로 임플란트라고도 불리워지는 가장 중요한 부재에 해당한다. 이러한 픽스쳐(110)는 치조골(107)에 직접 결합되는 부분으로, 치조골(107)과의 융합성 향상을 위해 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 픽스쳐(110)에 포함되는 타이타늄 합금의 구체적인 예는 아래에서 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이 픽스쳐(110) 상단에 위치하는 지대주(120)는 인공 치관(140)을 픽스쳐(110)에 고정시키는 역할을 한다. 이러한 지대주(120)는 지대주 기재(121)와 은 또는 은합금층(122)을 포함한다.
지대주 기재(121)는 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 지대주 기재(121)에 포함되는 타이타늄 합금은 타이타늄에 다른 금속, 예를 들어 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이트륨(Yt), 마그네슘(Mg), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나의 금속을 첨가한 타이타늄 합금을 포함하여 이루어질 수도 있다. 보다 구체적으로는 기재는 순수한 타이타늄 또는 예를들어 Ti-6Al-4V, Ti-6Al-7Nb, Ti-30Nb, Ti-13Nb-13zr, Ti-15Mo, Ti-35.3Nb-5.1Ta-7.1Zr, Ti-29Nb-13Ta-4.6Zr,
Ti-29Nb-13Ta-2Sn, Ti-29Nb-13Ta-4.6Sn, Ti-29Nb-13Ta-6Sn, Ti-16Nb-13Ta-4Mo중에서 선택될 수 있다.
또한, 지대주 기재(121) 상에 위치하는 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층(122)은 유해 미생물의 번식을 억제하는 역할을 한다. 이때, 은합금층은 예를 들어 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
이러한 은 또는 은합금층(122)는 지대주(120) 표면의 적어도 일부, 바람직하게는 치조골(도 1의 107)과 접촉하는 표면에 위치할 수도 있다.
도 3에 도시한 바와 같이 픽스쳐(110)와 지대주(120) 내에 위치하는 지대주 나사(130)는 픽스쳐(110)에 지대주(120)를 고정시키는 역할을 한다. 이러한 지대주 나사(130)는 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하여 이루어질 수도 있고, 스테인리스강을 포함하여 이루어질 수도 있으며, 금 또는 금합금을 포함하여 이루어질 수 있고, 선택적으로 그 표면의 적어도 일부, 바람직하게는 표면 전체에 은 또는 은합금층(131)이 더 위치할 수도 있다.
이때, 지대주 나사(130)에 포함되는 타이타늄 합금은 상술한 바와 같은 지대주(120)에 포함되는 타이타늄 합금과 실질적으로 동일한 것이고, 지대주 나사(130) 표면의 은 또는 은합금층(131)도 그 기능, 구성 성분과 두께등이 상기 지대주(120) 표면의 은 또는 은합금층(122)과 실질적으로 동일하다.
지대주 나사(130)의 은 또는 은합금층(131)의 경우 유해 미생물의 번식을 억제하는 기능 외에도, 지대주 나사(130)의 풀림 현상을 방지하는 기능을 한다. 지대주 나사(130)는 상기한 바와 같이 픽스쳐(도 1의 110)와 지대주(도 1의 120)를 고정시키는 역할을 하는 것으로, 부드럽게 조여져야 하며, 장시간 사용되더라도 쉽게 풀리지 않아야 하는 특성이 있어야 한다. 지대주 나사(130) 표면에 은 또는 은합금층이 형성되는 경우, 표면 두께가 일정하게 증가하고, 픽스쳐(110)와 지대주나사
(130) 체결시 픽스쳐(110) 내부의 나사선과 은 또는 은합금층(131)의 마찰로 풀림 현상을 방지할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트에 포함되는 지대주 및 지대주 나사 중 적어도 하나는 그 표면의 적어도 일부에 선택적으로 은 또는 은합금층을 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트는 예를 들어 지대주의 표면에만 은합금층이 위치할 수도 있으며, 지대주 나사의 표면에만 은합금층이 위치할 수도 있다. 또한, 본 발명의 일실시예에 따른 치과용 임플란트는 예를 들어 지대주와 지대주 나사의 표면에 은합금층이 위치할 수도 있고, 픽스쳐, 지대주, 지대주 나사의 표면 모두에도 은합금층이 위치할 수도 있다.
상술한 바와 같이 임플란트에 포함되는 지대주 및 지대주 나사 중 적어도 하나의 부재의 표면에 은합금층이 더 위치함으로써, 임플란트와 생체 접촉면에서의 치은 및 치조골 조직의 염증을 감소시켜 임플란트 주위염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 지대주 나사의 풀림 현상을 방지할 수 있어, 보다 안정적인 임플란트 시술을 기대할 수있다.
계속해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 부재의 제조 방법을 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임플란트 부재의 제조 방법을 공정 순서대로 도시한 순서도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 우선 은 또는 은합금층을 형성하고자 하는 치과용 임플란트 부재, 예를 들어 지대주 및 지대주 나사 등을 준비하여, 그 표면을 세정한다(S1).
상술한 부재는 통상적으로 치과용 임플란트에 사용되는 것으로, 지대주 등은 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하여 이루어질 수 있고, 지대주 나사는 타이타늄, 타이타늄 합금, 스테인리스강, 금 또는 금 합금을 포함하여 이루어질 수도 있다.
이러한 각 부재는 예를 들어 이온 세정을 실시할 수 있다. 이온 세정은 아르곤 가스를 이용할 수 있다.
다음, 도 4에 도시한 바와 같이 세정된 각 부재를 스퍼터링(sputtering)과 아크이온플레이팅(arc ion plating) 공정을 동시 또는 개별적으로 행하여 부재 표면에 은 또는 은합금층을 형성한다(S2).
이를 보다 상세하게 설명하면, 표면에 불순물이 제거된 부재에 은을 포함하는 타켓 또는 은과 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 하나를 포함하는 타켓을 사용하여 스퍼터링과 아크이온프레이팅 공정을 통해 은 또는 은합금층을 형성한다. 이때, 은합금층을 형성하기 위한 타켓에 포함되는 은을 제외한 금속의 중량%는 예를 들어 50중량% 이하, 바람직하게는 20중량%일 수 있다.
스퍼터링 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기 하에서, 100 내지 400W의 스퍼터파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서 1 내지 500분 동안 실시될 수 있다.
또한, 아크이온플레이팅 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기하에서, 40 내지 80A의 아크파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서, 1 내지 120분 동안 실시될 수 있다.
이어, 도 5에 도시한 바와 같이 은 또는 은합금층이 형성된 부재에 열처리를 행할 수 있다(S3).
이러한 열처리는 은 또는 은합금층의 부재 표면에서의 결합력을 증가시키기 위한 것으로, 은 또는 은합금층과 부재 사이의 결합력이 충분할 경우 생략될 수도 있다.
은 또는 은합금층이 형성된 부재를 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 예를 들어 약 200 내지 600℃의 온도에서 약 1 내지 8시간 정도 열처리를 행한다. 이러한 열처리를 통해 은 또는 은합금층 형성 시 발생할 수 있는 잔류 응력을 해소하고, 접착력을 보완할 수 있다.
상술한 바와 같이 형성된 부재 표면의 은 또는 은 합금층 상에 표면 특성상 필요시에는 선택적으로 전기 도금을 실시하고, 2차로 열처리를 실시할 수도 있다. 이러한 선택적인 전기 도금을 실시할 경우 은 또는 은합금판을 이용하거나 은이 함유된 전해액을 사용할 실시할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 치과용 임플란트 부재의 제조 방법은 은 또는 은합금층의 접착성이 우수하고, 변색이 거의 발생하지 않는 부재를 포함하는 치과용 임플란트를 제공할 수 있다.
도면의 간단한 설명의 내용에 포함

Claims (16)

  1. 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치하는 지대주 나사.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함하는 지대주 나사.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 은 또는 은합금층은 상기 지대주 나사의 표면 전체에 위치하는 지대주 나사.
  4. 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치하는 지대주.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 지대주.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 은 또는 은합금층은 상기 지대주가 치조골과 접촉하는 표면에 위치하는 지대주.
  7. 인공 치관을 지지하는 픽스쳐; 상기 픽스쳐와 상기 인공 치관을 연결하는 지대주; 및 상기 지대주를 상기 픽스쳐에 결합하는 지대주 나사를 포함하고, 상기 지대주 및 상기 지대주 나사 중 적어도 하나는 그 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 두께의 은 또는 은합금층이 위치하는 치과용 임플란트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 은합금층은 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함하는 치과용 임플란트.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 은 또는 은합금층은 상기 지대주 나사의 표면 전체에 위치하는 치과용 임플란트.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 은 또는 은합금층은 상기 지대주가 치조골과 접촉하는 상기 지대주의 표면에 위치하는 치과용 임플란트.
  11. 은 또는 은과, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 백금, 팔라듐, 이트륨, 마그네슘 및 타이타늄 중 적어도 하나를 포함하는 은합금층을 형성하고자 하는 임플란트 부재를 세척하는 단계; 및 상기 세척된 부재를 스퍼터링과 아크이온플레이트 공정을 동시 또는 개별적으로 행하여 상기 부재 표면의 적어도 일부에 나노 또는 마이크로 단위의 상기 은합금층을 형성하는 단계를 포함하는 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 임플란트 부재는 지대주 및 지대주 나사 중 어느 하나인 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기 하에서, 100 내지 400W의 스퍼터파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서 1 내지 500분 동안 실시되는 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 아크이온플레이팅 공정은 3 내지 20mTorr의 압력 하에서, 0 내지 100sccm의 유량의 불활성 가스 분위기 하에서, 40 내지 80A의 아크파워로, 0 내지 900V의 바이어스 전압으로, 25 내지 350℃의 온도에서 1 내지 120분 동안 실시되는 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 은 또는 은합금층 형성 단계 후, 상기 은 또는 은합금층이 형성된 상기 임플란트 부재에 열처리를 행하는 단계를 더 포함하는 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 열처리는 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 200 내지 600℃의 온도에서 1 내지 8시간 동안 실시되는 치과용 임플란트 부재의 제조 방법.
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