KR101153754B1 - 유리판 및 그 제조 방법 그리고 ｔｆｔ 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

B2O3 의 함유율이 낮고, LCD 패널 등의 유리판으로서 사용할 수 있는 유리판의 제공.
산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서, SiO2 : 53 ～ 74, Al2O3 : 15 ～ 23, B2O3 : 0 ～ 3, MgO : 2 ～ 17, CaO : 0 ～ 12, SrO : 0 ～ 6, MgO ＋ CaO ＋ SrO : 6 ～ 28, Na2O : 0 ～ 9, K2O : 0 ～ 6, Na2O ＋ K2O : 0.8 ～ 11 을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고, 50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상인 유리판.
유리판

Description

유리판 및 그 제조 방법 그리고 ＴＦＴ 패널의 제조 방법{GLASS PLATE,METHOD FOR PRODUCING THE SAME,AND METHOD FOR PRODUCING TFT PANEL}
본 발명은, 액정 디스플레이 (LCD) 패널, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 등의 각종 디스플레이 패널이나 태양 전지용 기판에 사용되는 유리판, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 유리판은, LCD 패널용 유리판으로서 특히 바람직하다.
종래부터 LCD 패널용 유리 기판에는, 알칼리 금속 산화물을 함유하지 않는 무알칼리 유리가 사용되고 있다. 그 이유는, 유리 기판 중에 알칼리 금속 산화물이 함유되어 있으면, LCD 패널의 제조 공정에서 실시되는 열처리 중에, 유리 기판 중의 알칼리 이온이 LCD 패널의 구동에 사용되는 박막 트랜지스터 (TFT) 의 반도체막에 확산되어, TFT 특성의 열화를 초래할 우려가 있기 때문이다.
또한, 무알칼리 유리는 열팽창 계수가 낮고 (30 × 10-7 ～ 60 × 10-7/℃), 변형점이 높기 때문에, LCD 패널의 제조 공정에서의 치수 변화가 적고, LCD 패널 사용시의 열응력에 의한 표시 품질에 대한 영향이 적은 점에서도, LCD 패널용 유리 기판으로서 바람직하다.
그러나, 무알칼리 유리는 제조면에 있어서 이하에 서술하는 바와 같은 과제를 갖고 있다.
무알칼리 유리는 점성이 매우 높아, 용융이 곤란하다는 성질을 가져, 제조에 기술적인 곤란성을 수반한다.
또한, 일반적으로 무알칼리 유리는 청징제의 효과가 부족하다. 예를 들어, 청징제로서 SO3 을 사용한 경우, SO3 이 분해되어 발포하는 온도가 유리의 용융 온도보다 낮기 때문에, 청징이 이루어지기 전에, 첨가된 SO3 의 대부분이 분해되고 용융 유리로부터 휘산되어, 청징 효과를 충분히 발휘할 수 없다.
최근의 기술 진보에 의해, LCD 패널용 유리 기판으로서, 알칼리 금속 산화물을 함유하는 알칼리 유리 기판을 사용하는 것도 검토되기 시작하였다 (특허 문헌 1, 2 참조). 이것은 TFT 패널 제조 공정에 있어서의 열처리를, 종래 350 ～ 450 ℃ 에서 실시해 온 것을 비교적 저온 (250 ～ 300 ℃ 정도) 에서 실시하는 것이 가능해지고 있기 때문이다.
알칼리 금속 산화물을 함유하는 유리는 일반적으로 열팽창 계수가 높기 때문에, LCD 패널용 유리 기판으로서 바람직한 열팽창 계수 (30 × 10-7 ～ 60 × 10-7/℃) 로 하려면, 열팽창 계수를 저감시키는 효과를 갖는 B2O3 이 통상적으로 함유된다 (특허 문헌 1, 2 참조).
그러나, B2O3 을 함유하는 유리 조성으로 한 경우, 유리를 용융시켰을 때에, 특히 용해 공정 및 청징 공정에 있어서 B2O3 이 휘산되기 때문에, 유리 조성이 불균질해지기 쉽다. 유리 조성이 불균질해지면, 판 형상으로 성형할 때의 평탄성에 영향을 준다. LCD 패널용 유리 기판은, 표시 품질 확보를 위해, 액정을 사이에 두는 2 장의 유리 간격, 즉 셀 갭을 일정하게 유지하기 위해 고도의 평탄도가 요구된다. 이 때문에, 소정의 평탄도를 확보하기 위해, 플로트법에 의해 판유리로 성형된 후, 판유리의 표면을 연마하지만, 성형 후의 판유리에서 소정의 평탄성이 얻어지지 않으면, 연마 공정에 필요한 시간이 길어져 생산성이 저하된다. 또한, 상기 B2O3 의 휘산에 의한 환경 부하를 고려하면, 용융 유리 중의 B2O3 함유율은 보다 낮은 것이 바람직하다.
그러나, B2O3 의 함유율이 낮으면 열팽창 계수를 낮추는 것은 곤란했다. 나아가서는 점성의 상승을 억제하면서 소정의 변형점 등을 얻는 것도 곤란했다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2006-137631호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2006-169028호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은, 알칼리 금속 산화물을 함유하고, B2O3 의 함유율이 낮고, LCD 패널이나 태양 전지용 유리 기판으로서 사용할 수 있는 유리판, 및 그 유리판을 플로트법을 사용하여 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 전술한 저온에서의 열처리에 있어서, 저온에서의 유리의 컴팩션 (열수축률) 이 유리 기판 상의 성막 (成膜) 품질 (성막 패턴 정밀도) 에 크게 영향을 줄 수 있다는 것도 알아냈다.
본 발명은, 더욱 바람직하게는, TFT 패널 제조 공정에 있어서의 저온 (150 ～ 300 ℃) 에서의 열처리 (구체적으로는 게이트 절연막을 성막하는 공정에서의 열처리) 시의 컴팩션이 작고, 특히 대형 (예를 들어 1 변이 2 m 이상인 사이즈) 의 TFT 패널용 유리 기판으로서 바람직하게 사용할 수 있는 디스플레이 패널용 유리판과 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은,
산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모 (母) 조성으로서,
SiO2 53 ～ 74,
Al2O3 15 ～ 23,
B2O3 0 ～ 3,
MgO 2 ～ 17,
CaO 0 ～ 12,
SrO 0 ～ 6,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 28,
Na2O 0 ～ 9,
K2O 0 ～ 6,
Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 11
을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고,
50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상인 유리판을 제공한다.
또한, 본 발명은,
산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
SiO2 53 ～ 74,
Al2O3 15 ～ 23,
B2O3 0 ～ 3,
MgO 2 ～ 17,
CaO 0 ～ 12,
SrO 0 ～ 6,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 28,
Na2O 0 ～ 9,
K2O 0 ～ 6,
Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 11
을 함유하는 유리가 얻어지도록 원료를 조제하고, 그 원료 100 질량％ 에 대하여, 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 질량％ 첨가하여 유리 원료로 하고, 그 유리 원료를 용해시킨 후, 판유리로 성형하여 청구항 1 에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법을 제공한다.
발명의 효과
본 발명의 유리판은, 50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상, 바람직하게는 650 ℃ 이상이기 때문에, 패널의 제조 공정에서의 치수 변화가 적고, 패널 사용시의 열응력에 의한 표시 품질에 대한 영향이 적은 점에서, 특히 LCD 패널용 유리 기판으로서 바람직하다.
또한, 본 발명의 유리판은 B2O3 의 함유율이 낮으므로, 유리 제조시에 있어서의 B2O3 의 휘산이 적은 점에서, 유리판의 균질성이 우수하여, 평탄성이 우수하고, 유리판으로 성형한 후의 유리판 표면의 연마가 적어도 되어, 생산성이 우수하다.
또한, 본 발명의 유리판은 알칼리 금속 산화물을 함유하기 때문에, 저점성이고, 원료를 용융시키기 쉬워 제조가 용이하다. 또한, SO3 이 분해되어 발포하는 온도가, 원료가 용융 유리가 되는 온도보다 높은 점에서, SO3 에 의한 청징제 효과가 우수하여, 기포 품질이 우수하다.
또한, 플로트법에 의해 성형을 실시하기 때문에, 특히 대형의 디스플레이용 유리판 (예를 들어 1 변이 2 m 이상) 을 안정적이고 효율적으로 생산할 수 있다.
또한, 본 발명의 유리판은, 바람직한 태양 (이하, 「태양 A」라고 한다) 로 하면, 열수축률 (C) 가 20 ppm 이하이기 때문에, TFT 패널 제조 공정에 있어서의 저온 (150 ～ 300 ℃) 에서의 열처리에 있어서 컴팩션이 작고, 유리 기판 상의 성막 패턴의 어긋남이 잘 발생하지 않는다.
본 발명의 유리판은 LCD 패널용 유리 기판으로서 바람직한데, 다른 디스플레이용 기판, 예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 무기 일렉트로?루미네선스?디스플레이 등에 사용할 수 있다. 예를 들어, PDP 용 유리판으로서 사용한 경우, 종래의 PDP 용 유리판에 비해 열팽창 계수가 작기 때문에, 열처리 공정에 있어서의 유리의 균열을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 유리판은 디스플레이 패널 이외의 용도에도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 태양 전지 기판용 유리판으로도 사용할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 유리판에 대해 설명한다.
본 발명의 유리판은, 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
SiO2 53 ～ 74,
Al2O3 15 ～ 23,
B2O3 0 ～ 3,
MgO 2 ～ 17,
CaO 0 ～ 12,
SrO 0 ～ 6,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 28,
Na2O 0 ～ 9,
K2O 0 ～ 6,
Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 11
을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고, 50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 본 발명의 유리판은, 실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고, 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
SiO2 53 ～ 74,
Al2O3 15 ～ 23,
MgO 2 ～ 17,
CaO 0 ～ 12,
SrO 0 ～ 6,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 28,
Na2O 0 ～ 9,
K2O 0 ～ 6,
Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 9
를 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고, 변형점이 650 ℃ 이상이다.
본 발명의 유리판에 있어서, 상기 조성으로 한정하는 이유는 이하와 같다.
본 발명의 유리판은, B2O3 의 함유율이 3 질량％ (이하 간단히 ％ 로 기재한다) 이하로 낮다. 그 때문에 유리판 제조시에 유리를 용융시킬 때의 용해 공정, 청징 공정 및 성형 공정에서의, 특히 용해 공정 및 청징 공정에서의 B2O3 의 휘산이 적어, 제조되는 유리 기판이 균질성 및 평탄성이 우수하다. 그 결과, 고도의 평탄성이 요구되는 LCD 패널용 유리판으로서 사용하는 경우, 종래의 디스플레이 패널용 유리판에 비해, 유리판의 연마량을 줄일 수 있다.
또한, B2O3 의 휘산에 의한 환경 부하를 고려해도, B2O3 의 함유율은 보다 낮은 것이 바람직하고, B2O3 의 함유율은 0 ～ 2.0 ％ 가 바람직하다. 실질적으로 함유하지 않는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 실질적으로 B2O3 을 함유하지 않는다는 것은, 원료 등으로부터 혼입 되는 불가피적 불순물 이외에는 B2O3 을 함유하지 않는 것을 의미한다. 즉, B2O3 을 의도적으로 함유시키지 않는 것을 의미한다.
SiO2 : 유리의 골격을 형성하는 성분으로서, 53 ％ 미만에서는 유리의 내열성이 나빠져, 화학적 내구성이 저하된다. 그러나, 74 ％ 초과에서는 유리의 고온 점도가 상승하여, 용융성이 나빠진다.
SiO2 의 함유량은 55 ％ 이상인 것이 바람직하고, 57 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 상기 이유 및 컴팩션의 저감을 고려하면 58 ％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 한편, SiO2 의 함유량은, 67 ％ 이하인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 64 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 63 ％ 이하이다.
Al2O3 : 유리 전이점을 높여 내열성 및 화학적 내구성을 향상시키지만, 그 함유량이 15 ％ 미만이면 열팽창 계수가 커지고, 변형점도 저하된다. 그러나, 23 ％ 초과에서는 유리의 고온 점도가 상승하여, 용융성이 나빠진다. 또한, 실투 온도가 상승하여, 성형성이 나빠진다.
Al2O3 의 함유량은, 15 ～ 21 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션를 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 16 ～ 21 ％ 인 것이 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 17 ～ 20 ％ 이다.
MgO : 유리의 용해시 점성을 낮춰 용해를 촉진시키는 효과가 있으므로 함유 시키지만, 2 ％ 미만이면 유리의 고온 점도가 상승하여, 용융성이 나빠진다. 그러나, 17 ％ 초과에서는 유리의 열팽창 계수가 커진다.
MgO 의 함유량은, 4 ～ 14 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션를 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 4 ～ 13 ％ 인 것이 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 6 ～ 9 ％ 이다.
CaO : 유리의 용해시 점성을 낮춰 용해를 촉진시키는 효과가 있으므로 함유시킬 수 있다. 그러나, 12 ％ 초과에서는 유리의 열팽창 계수가 커진다.
CaO 의 함유량은 상기 이유에서 1 ％ 이상인 것이 바람직하고, 2 ％ 이상인 것이 바람직하다. 한편, CaO 의 함유량은 상기 이유에서 8 ％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 6 ％ 이하이다. 또한, 5 ％ 이하인 것이 컴팩션를 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 특히 바람직하다.
SrO : 유리의 용해시 점성을 낮춰 용해를 촉진시키는 효과가 있으므로 함유시킬 수 있다. 그러나, 6 ％ 초과에서는 유리의 열팽창 계수가 커지고, 또한 유리의 비중도 커진다.
SrO 의 함유량은 0 ～ 5 ％ 인 것이 바람직하고, 0 ～ 3 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 0 ～ 2 ％ 이다.
MgO, CaO 및 SrO 는 유리의 용해 온도에서의 점성을 낮춰 용해되기 쉽게 하기 위해, 합계량으로 6 ％ 이상 함유한다. 그러나, 합계량으로 28 ％ 초과에서는 유리의 열팽창 계수가 커진다.
MgO, CaO 및 SrO 의 합계량은 10 ～ 28 ％ 인 것이 바람직하고, 10 ～ 20 ％ 인 것이 보다 바람직하고, 10 ～ 19 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 특히 바람직하고, 특히 바람직하게는 11 ～ 14 ％ 이다.
또한, MgO, CaO, SrO 와 동일한 효과를 얻기 위기 위해, BaO 를 함유시켜도 된다. 단, BaO 의 함유는 유리의 비중 (밀도) 증가, 열팽창 계수의 증가를 초래하므로, 5 ％ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, BaO 를 함유시키는 경우, MgO, CaO, SrO 및 BaO 의 합계량은 바람직하게는 6.5 ～ 28 ％ 이고, 보다 바람직하게는 10.5 ％ ～ 28 ％ 이고, 더욱 바람직하게는 10.5 ～ 20 ％ 이고, 특히 바람직하게는 10.5 ～ 19 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션를 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 12 ～ 15 ％ 이다.
단, 환경 부하를 고려하면, BaO 는 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.
Na2O : 유리 용해 온도에서의 점성을 낮춰 용해되기 쉽게 하기 때문에 0 ～ 9 ％ 함유시킨다. 그러나, 9 ％ 초과에서는 열팽창 계수가 커진다.
Na2O 의 함유량은, 1 ％ 이상인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하다. 한편, Na2O 의 함유량은, 5 ％ 이하인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ％ 이하이다.
K2O : Na2O 와 동일한 효과가 있기 때문에, 0 ～ 6 ％ 함유시킨다. 그러나, 6 ％ 초과에서는 열팽창 계수가 커진다.
K2O 의 함유량은, 0 ～ 5 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 ～ 3 ％ 이다.
Na2O, K2O : 적어도 일방은 필수이고, 합계량으로 0.8 ％ 이상 함유한다. 그러나, 합계량으로 11 ％ 초과에서는 열팽창 계수가 커진다. 이들의 합계량은 1 ～ 11 ％ 인 것이 바람직하고, 2 ～ 11 ％ 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이들의 합계량은, 1 ～ 9 ％ 인 것이 상기 이유 및 컴팩션을 저감시키는 효과를 얻기 쉽기 때문에 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 ～ 9 ％ 이고, 특히 바람직하게는 4 ～ 7 ％ 이다.
또한, Na2O, K2O 와 동일한 효과를 얻기 위해, Li2O 를 함유시켜도 된다. 단, Li2O 의 함유는 변형점의 저하를 초래하므로, Li2O 의 함유량은 5 ％ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, Li2O 를 함유시키는 경우, Na2O, K2O 및 Li2O 의 합계량은 1 ～ 9 ％ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4 ～ 7 ％ 이다. 단, 변형점을 높게 유지하는 점, 및 SO3 에 의한 청징 효과를 높게 유지하는 점을 고려하면, Li2O 는 실질적으로 함유시키지 않는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 유리판은, 모조성으로서, B2O3, SiO2, Al2O3, MgO, CaO, SrO, Na2O 및 K2O 로 이루어지는 것이 바람직하다.
SO3 : 알칼리 함유 유리의 경우, SO3 은 청징제로서 충분한 효과를 발휘할 수 있다. SO3 이 분해되어 발포하는 온도가, 원료가 용융 유리가 되는 온도보다 높기 때문이다.
SO3 원 (源) 으로서, 황산칼륨 (K2SO4), 황산나트륨 (Na2SO4), 황산칼슘 (CaSO4) 등의 황산염이 유리 원료에 투입되는데, 원료 100 ％ 에 대하여 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 ％ 이고, 0.05 ～ 0.3 ％ 인 것이 바람직하다. 유리 기판에서의 잔존량은 SO3 환산으로 100 ～ 500 ppm 이고, 바람직하게는 100 ～ 400 ppm 이다.
본 발명의 유리판은, 상기 성분 이외에, 유리 기판에 악영향을 미치지 않는 범위에서 다른 성분을 함유시켜도 된다. 구체적으로는, 유리의 용해성, 청징성을 개선하기 위해, F, Cl, SnO2 를 합계량으로 2 ％ 이하 함유해도 된다.
또한, 기판 유리의 화학적 내구성 향상을 위해, ZrO2, Y2O3, La2O3, TiO2, SnO2 를 합계량으로 5 ％ 이하 함유해도 된다. 이들 중, Y2O3, La2O3 및 TiO2 는 유리의 영률 향상에도 기여한다.
추가로, 기판 유리의 색조를 조정하기 위해, Fe2O3, CeO2 등의 착색제를 함유해도 된다. 이와 같은 착색제의 함유량은 합계량으로 1 질량％ 이하가 바람직 하다.
본 발명의 유리판은, 환경 부하를 고려하면 As2O3, Sb2O3 을 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 안정적으로 플로트 성형하는 것을 고려하면, ZnO 를 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명 유리판의 바람직한 태양인 태양 A 는 다음과 같다.
<태양 A>
산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
SiO2 58 ～ 67,
Al2O3 15 ～ 21,
B2O3 0 ～ 3,
MgO 4 ～ 14,
CaO 0 ～ 5,
SrO 0 ～ 3,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 19,
Na2O 1 ～ 9,
K2O 0 ～ 5,
Na2O ＋ K2O 1 ～ 11
을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고, 열수축률 (C) 가 20 ppm 이하인 유 리판이다.
더욱 바람직하게는, 실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고, 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
SiO2 58 ～ 67,
Al2O3 15 ～ 21,
MgO 4 ～ 14,
CaO 0 ～ 5,
SrO 0 ～ 3,
MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 19,
Na2O 1 ～ 9,
K2O 0 ～ 5,
Na2O ＋ K2O 1 ～ 9
를 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고, 열수축률 (C) 가 20 ppm 이하인 유리판이다.
여기서, 컴팩션이란, 가열 처리시에 유리 구조의 완화에 의해 발생하는 유리 열수축률이다.
본 발명에 있어서 열수축률 (C) (컴팩션 (C)) 란, 유리판을 전이점 온도 Tg ＋ 50 ℃ 까지 가열하여 1 분간 유지하고, 50 ℃/분으로 실온까지 냉각시킨 후, 유 리판의 표면에 소정 간격으로 압흔을 2 지점 찍고, 그 후, 유리판을 300 ℃ 까지 가열하여 1 시간 유지한 후, 100 ℃/시간으로 실온까지 냉각시킨 경우의, 압흔 간격 거리의 수축률 (ppm) 을 의미하는 것으로 한다.
컴팩션 (C) 에 대해, 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명에 있어서 컴팩션 (C) 란, 하기에 설명하는 방법으로 측정한 값을 의미하는 것으로 한다.
처음에, 대상이 되는 유리판을 1600 ℃ 에서 용융시킨 후, 용융 유리를 유출시켜 판 형상으로 성형 후 냉각시킨다. 얻어진 유리판을 연마 가공하여 100 ㎜ × 20 ㎜ × 2 ㎜ 의 시료를 얻는다.
다음으로, 얻어진 유리판을 전이점 온도 Tg ＋ 50 ℃ 까지 가열하여 이 온도에서 1 분간 유지한 후, 강온 속도 50 ℃/분으로 실온까지 냉각시킨다. 그 후, 유리판의 표면에 압흔을 장변 방향으로 2 지점, 간격 A (A ＝ 90 ㎜) 로 찍는다.
다음으로 유리판을 300 ℃ 까지 승온 속도 100 ℃/시 (＝ 1.6 ℃/분) 로 가열하여 300 ℃ 에서 1 시간 유지한 후, 강온 속도 100 ℃/시로 실온까지 냉각시킨다. 그리고, 다시 압흔 사이 거리를 측정하여, 그 거리를 B 로 한다. 이와 같이 하여 얻은 A, B 로부터 하기 식을 사용하여 컴팩션 (C) 를 산출한다. 또한, A, B 는 광학 현미경을 사용하여 측정한다.
C [ppm] ＝ (A － B) / A × 106
본 발명의 유리판은 50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이 하이기 때문에, 본 발명의 유리판을 LCD 패널용 유리판으로서 사용하는 경우, LCD 패널 제조시에 실시되는 열처리 공정에서의 기판 치수 변화는 종래의 무알칼리 유리와 손색 없는 레벨로 억제된다.
50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수는 56 × 10-7/℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 × 10-7 ～ 53 × 10-7 이다.
또한, LCD 패널 제조시에 실시되는 열처리 공정에서의 기판 치수 변화 허용량은 LCD 패널의 사이즈에 따라 상이하므로, 유리판의 열팽창 계수 (50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수) 는 60 × 10-7/℃ 이하, 바람직하게는 56 × 10-7/℃ 이하, 보다 바람직하게는 40 × 10-7 ～ 53 × 10-7 중에서 제조되는 LCD 패널의 사이즈에 따라 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 유리판은, 변형점이 600 ℃ 이상이다. 변형점이 600 ℃ 이상이면, LCD 패널 제조시에 실시되는 열처리 공정에 있어서의 기판 치수 변화를 실질상 문제가 되지 않을 정도로 적게 억제할 수 있다. 변형점은 650 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 660 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 변형점은 JIS R 3103 에 따라 측정한 값을 의미한다.
또한, 유리 전이점 (Tg) 에서는, 상기 변형점과 동일한 이유로 680 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 690 ℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 700 ℃ 이상이다.
본 발명의 유리 기판은, 비중이 2.70 이하인 것이 바람직하다. 특히 대형 디스플레이용 유리 기판으로서 사용되는 경우에는, 균열의 방지나 핸들링성의 향상이 되기 때문에 유효하다. 비중은 2.60 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 유리판의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 유리판을 제조하는 경우, 종래의 유리판을 제조할 때와 동일하게, 용해?청징 공정 및 성형 공정을 실시한다. 또한, 본 발명의 유리판은 알칼리 금속 산화물 (Na2O, K2O) 을 함유하는 알칼리 유리 기판이기 때문에, 청징제로서 SO3 을 효과적으로 사용할 수 있고, 성형 방법으로서 플로트법에 적합하다.
유리판의 제조 공정에 있어서, 유리를 판 형상으로 성형하는 방법으로는, 최근의 액정 텔레비전 등의 대형화에 수반하여, 대면적의 유리판을 용이하게 안정적으로 성형할 수 있는 플로트법을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리판의 제조 방법의 바람직한 태양에 대해 설명한다.
처음에, 원료를 용해시켜 얻은 용융 유리를 판 형상으로 성형한다. 예를 들어, 얻어지는 유리판의 조성이 되도록 원료를 조제하고, 상기 원료를 용해로에 연속적으로 투입하고, 1450 ～ 1650 ℃ 정도로 가열하여 용융 유리를 얻는다. 그리고 이 용융 유리를 예를 들어 플로트법을 적용하여 리본 형상의 유리판으로 성형한다.
다음으로, 리본 형상의 유리판을 플로트 성형로로부터 꺼낸 후에 냉각 수단 에 의해 실온 상태까지 냉각시키고, 절단 후 유리판을 얻는다. 여기서 냉각 수단은, 상기 플로트 성형로로부터 꺼내진 리본 형상 유리판의 표면 온도를 TH (℃), 실온을 TL (℃) 로 하고, 또한 상기 리본 형상 유리판의 표면 온도가 TH 에서 TL 로 냉각될 때까지의 시간을 t (분) 로 한 경우, (TH － TL) / t 로 나타내는 평균 냉각 속도를 10 ～ 300 ℃/분으로 하는 냉각 수단이다. 구체적인 냉각 수단은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 냉각 방법이어도 된다. 예를 들어 온도 구배를 갖는 가열로를 사용하는 방법을 들 수 있다.
TH 는 유리 전이점 온도 Tg ＋ 20 ℃, 구체적으로는 540 ～ 730 ℃ 가 바람직하다.
상기 평균 냉각 속도는 15 ～ 150 ℃/분인 것이 바람직하고, 20 ～ 80 ℃/분인 것이 보다 바람직하고, 40 ～ 60 ℃/분인 것이 더욱 바람직하다. 상기의 유리판 제조 방법에 의해, 컴팩션 (C) 가 20 ppm 이하인 유리판이 용이하게 얻어진다.
다음으로, 본 발명의 유리판 표면에, 어레이 기판에 있어서의 게이트 절연막을 성막하는 성막 공정을 구비하는 TFT 패널의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 TFT 패널의 제조 방법은, 본 발명의 유리판 표면의 성막 영역을 150 ～ 300 ℃ 의 범위 내의 온도 (이하, 성막 온도라고 한다) 까지 승온시킨 후, 상기 성막 온도에서 5 ～ 60 분간 유지하여, 상기 성막 영역에 상기 어레이 기판 게이트 절연막을 성막하는 성막 공정을 구비하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 여기서 성막 온도는 150 ～ 250 ℃ 인 것이 바람직하고, 150 ～ 230 ℃ 인 것이 보다 바람직하고, 150 ～ 200 ℃ 인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 이 성막 온도로 유지하는 시간은 5 ～ 30 분간인 것이 바람직하고, 5 ～ 20 분간인 것이 보다 바람직하고, 5 ～ 15 분간인 것이 더욱 바람직하다.
게이트 절연막의 성막은 상기와 같은 성막 온도 및 유지 시간의 범위 내에서 실시되므로, 그 동안에 유리판이 열수축된다. 또한, 한 번 유리판이 열수축된 후에는, 그 이후의 냉각 조건 (냉각 속도 등) 에 의해서는 상기의 열수축 결과에 큰 영향을 미치지 않는다. 본 발명의 태양 A 에 있어서의 유리판은 컴팩션 (C) 가 작으므로, 유리판의 상기 열수축이 작고, 성막 패턴의 어긋남이 잘 발생하지 않는다.
성막 공정에 있어서의 성막은, 예를 들어 종래 공지된 CVD 법에 의해 달성할 수 있다.
본 발명의 TFT 패널의 제조 방법에서는, 공지된 방법에 의해 어레이 기판을 얻을 수 있다. 그리고, 그 어레이 기판을 사용하여 이하와 같은 공지된 공정에 의해 TFT 패널을 제조할 수 있다.
즉, 상기 어레이 기판, 컬러 필터 기판 각각에 배향막을 형성하고, 러빙을 실시하는 배향 처리 공정, TFT 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 소정의 갭을 유지하며 고정밀도로 접착시키는 접착 공정, 기판으로부터 셀을 소정 사이즈로 분단시키는 분단 공정, 분단된 셀에 액정을 주입하는 주입 공정, 셀에 편광판을 부착시키는 편광판 부착 공정으로 이루어지는 일련의 공정에 의해 TFT 패널을 제조할 수 있 다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명에 대해 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
각 성분의 원료를 표에 질량％ 로 표시한 목표 조성 (SiO2 ～ K2O) 이 되도록 조합 (調合) 하고, 백금 도가니를 사용하여 1550 ～ 1650 ℃ 의 온도에서 3 시간 가열하여 용융시켰다. 용융시에는, 백금 스터러(stirrer)를 삽입하고 1 시간 교반하여 유리의 균질화를 실시하였다. 이어서 용융 유리를 유출시켜, 판 형상으로 성형한 후 서냉시켰다.
이렇게 하여 얻어진 유리의 비중, 평균 열팽창 계수 (단위 : × 10-7/℃), 변형점 (단위 : ℃), 유리 전이점 (Tg) (단위 : ℃), 유리 중의 SO3 잔존량 (단위 : ppm) 및 고온 점도로서, 용융 유리의 점도가 102 dPa?s 가 되는 온도 T2 (단위 : ℃) 와 104 dPa?s 가 되는 온도 T4 (단위 : ℃) 를 측정하여, 표 1 ～ 4 에 나타냈다. 또한, 표 중의 괄호안에 기재한 값은 계산에 의해 구한 것이다. 이 중, 예 1 ～ 14 및 예 18 ～ 24 는 실시예이고, 예 15 ～ 17 은 비교예이다.
이하에 각 물성의 측정 방법을 나타낸다.
비중 : 기포를 포함하지 않는 약 20 g 의 유리 덩어리를 아르키메데스법에 의해 측정하였다.
평균 열팽창 계수 : 시차 열팽창계를 사용하여 측정하고, 50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수를 산출하였다.
변형점 : JIS R 3103 에 따라 측정한 값을 의미한다. 하기 표 중의 「*1」은 Tg 의 값보다 650 ℃ 이상이 되는 것을 나타낸다. 또한, 하기 표 중의 「*2」는 Tg 의 값보다 600 ℃ 이상이 되는 것을 나타낸다.
SO3 잔존량 : 유리를 분쇄하고, 형광 X 선에 의해 구하였다. 또한, 하기 표 중의 「미 (未)」는 미측정인 것을 나타낸다.
고온 점도 : 회전 점도계를 사용하여 점도를 측정하여, 점도가 102 dPa?s 가 될 때의 온도 T2 와 104 dPa?s 가 될 때의 온도 T4 를 측정하였다.
점도 102 dPa?s 는, 유리의 용해 공정에 있어서 유리 융액의 점도가 충분히 낮아진 것을 나타내는 기준 점도이다. 점도가 102 dPa?s 가 될 때의 온도 T2 는 1690 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1670 ℃ 이하이다.
점도 104 dPa?s 는 유리를 플로트 성형할 때의 기준 점도이다. 점도 104 dPa?s 가 될 때의 온도 T4 는 1300 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1280 ℃ 이하이다.
컴팩션 (C) : 전술한 컴팩션 (C) 의 측정 방법에 의해 측정하였다.
Figure 112009076309389-pct00001
Figure 112009076309389-pct00002
Figure 112009076309389-pct00003
Figure 112009076309389-pct00004
표 1, 2 및 4 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 (예 1 ～ 14 및 예 18 ～ 24) 의 유리는, 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상이기 때문에, LCD 패널용 유리판으로서 사용한 경우, LCD 패널 제조 공정에서의 치수 변화를 억제할 수 있다.
또한, 표 4 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 (예 18 ～ 20 및 예 22 ～ 24) 의 유리는, 컴팩션 (C) 가 20 ppm 이하이기 때문에, TFT 패널용 유리판으로서 사용한 경우, TFT 패널 제조 공정에 있어서의 저온에서의 열수축에 있어서, 유리판의 열수축을 억제할 수 있다.
또한, 실시예 (예 1 ～ 14 및 예 18 ～ 24) 의 유리는 비중이 2.7 이하이므로, 경량인 TFT 패널용 유리판으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
한편, 예 15 는 B2O3 을 많이 함유하고 있기 때문에, 유리 용융시의 휘산에 의해, 유리의 균질성이나 판 형상으로 성형하였을 때의 평탄성에 영향을 미치기 쉽다. 또한, 표 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 알칼리 산화물을 함유하지 않기 때문에, SO3 에 의한 청징이 불충분해진다. 또한, 예 16, 17 은 평균 열팽창 계수가 약 80 × 10-7/℃ 로 크기 때문에, LCD 패널 제조 공정에서의 치수 변화에 영향을 미칠 가능성이 있다.
본 발명의 바람직한 태양의 유리판의 제조예를 나타낸다.
표 1, 표 2 및 표 4 의 유리 조성이 되도록 각 성분의 원료를 조합하고, 그 원료를 연속적으로 용융로에 투입하고, 1550 ～ 1650 ℃ 의 온도에서 용해시킨다. 그리고, 플로트법에 의해 연속적으로 리본 형상 유리판으로 성형하고, 유리판 표면 온도가 전이점 온도 Tg ＋ 20 ℃ 에서 플로트로로부터 꺼내고, 냉각로에 의해 평균 냉각 속도 40 ～ 60 ℃/분으로, 유리판의 표면 온도가 실온 (TL ＝ 25 ℃) 이 될 때까지 냉각시킨다. 그 후, 소정의 치수 (1 변이 2 m 이상) 로 절단한다. 표 4 (예 18 ～ 20 및 예 22 ～ 24) 의 유리 조성에서는, 컴팩션 (C) 가 20 ppm 이하인 태양 A 의 유리판이 얻어진다.
본 발명에 있어서는, 유리의 용해 공정에 있어서, 청징제로서 SO3 을 사용하고 있으므로, 청징 효과가 우수하여 기포가 적은 유리가 얻어진다. 또한, B2O3 이 3 ％ 이하인 점에서 평탄성이 우수한 유리가 얻어진다.
본 발명의 유리판은, 특히 대형 (1 변이 2 m 이상) 의 TFT 패널용 유리 기판으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 TFT 패널의 제조예를 나타낸다.
어레이 기판의 제조 공정에 있어서, 본 발명의 유리판을 세정한 후, 게이트 전극, 배선 패턴을 형성한다.
다음으로, 유리판을 성막 온도 250 ℃ 에서 15 분 유지하고, CVD 법에 의해 게이트 절연막을 성막한다.
다음으로, a-Si 막을 성막하고, 채널 보호막을 성막하고, 패터닝하여 패턴을 형성한다.
다음으로, N＋ 형 a-Si 막, 화소 전극, 컨택트 패턴을 형성한다.
다음으로, 소스?드레인 전극을 형성하고, 다음으로 보호막을 성막하여 TFT 어레이 기판을 얻는다. 그 후, 이하와 같은 공지된 공정을 사용하여 TFT 패널을 얻는다.
즉, 상기 어레이 기판, 컬러 필터 기판 각각에 배향막을 형성하고, 러빙을 실시하는 배향 처리 공정, TFT 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 소정의 갭을 유지하며 고정밀도로 접착시키는 공정, 기판으로부터 셀을 소정 사이즈로 분단시키는 분단 공정, 분단된 셀에 액정을 주입하는 주입 공정, 셀에 편광판을 부착시키는 편광판 부착 공정으로 이루어지는 일련의 공정에 의해 TFT 패널을 제조할 수 있다.
본 발명의 태양 A 에 있어서의 유리판은 컴팩션 (C) 가 20 ppm 이하이기 때문에, 이와 같은 TFT 패널의 제조 방법에 제공해도 열수축은 작고, 성막 패턴의 어긋남이 잘 발생하지 않는다.
본 발명의 유리판은 LCD 패널용 유리 기판으로서 바람직한데, 다른 디스플레이용 기판, 예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 무기 일렉트로?루미네선스?디스플레이 등에 사용할 수 있다. 또한, 태양 전지 기판용 유리판으로도 사용할 수 있다.
또한, 2007년 8월 31일에 출원된 일본 특허출원 2007-225945호의 명세서, 특허청구의 범위 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.

Claims (10)

  1. 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모 (母) 조성으로서, 실질적으로 ZnO 를 함유하지 않고,
    SiO2 53 ～ 74,
    Al2O3 15 ～ 23,
    B2O3 0 ～ 3,
    MgO 2 ～ 17,
    CaO 0 ～ 12,
    SrO 0 ～ 6,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 28,
    Na2O 0 ～ 9,
    K2O 0 ～ 6,
    Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 11
    을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고,
    50 ～ 350 ℃ 의 평균 열팽창 계수가 60 × 10-7/℃ 이하이고, 변형점이 600 ℃ 이상이고, 열수축률 (C) 이 20 ppm 이하인 유리판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고, 또한, 실질적으로 ZnO 를 함유하지 않고,
    산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 53 ～ 74,
    Al2O3 15 ～ 23,
    MgO 2 ～ 17,
    CaO 0 ～ 12,
    SrO 0 ～ 6,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 28,
    Na2O 0 ～ 9,
    K2O 0 ～ 6,
    Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 9
    를 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고,
    변형점이 650 ℃ 이상이고, 열수축률 (C) 이 20 ppm 이하인 유리판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 58 ～ 67,
    Al2O3 15 ～ 21,
    B2O3 0 ～ 3,
    MgO 4 ～ 14,
    CaO 0 ～ 5,
    SrO 0 ～ 3,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 19,
    Na2O 1 ～ 9,
    K2O 0 ～ 5,
    Na2O ＋ K2O 1 ～ 11
    을 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고,
    열수축률 (C) 가 20 ppm 이하인 유리판.
  4. 제 2 항에 있어서,
    실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고,
    산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 58 ～ 67,
    Al2O3 15 ～ 21,
    MgO 4 ～ 14,
    CaO 0 ～ 5,
    SrO 0 ～ 3,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 19,
    Na2O 1 ～ 9,
    K2O 0 ～ 5,
    Na2O ＋ K2O 1 ～ 9
    를 함유하고, SO3 을 100 ～ 500 ppm 함유하고,
    열수축률 (C) 가 20 ppm 이하인 유리판.
  5. 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 53 ～ 74,
    Al2O3 15 ～ 23,
    B2O3 0 ～ 3,
    MgO 2 ～ 17,
    CaO 0 ～ 12,
    SrO 0 ～ 6,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 28,
    Na2O 0 ～ 9,
    K2O 0 ～ 6,
    Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 11
    을 함유하는 유리가 얻어지도록 원료를 조제하고, 그 원료 100 질량％ 에 대하여, 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 질량％ 첨가하여 유리 원료로 하고, 그 유리 원료를 용해시킨 후, 판유리로 성형하여 제 1 항에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법.
  6. 실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고, 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 53 ～ 74,
    Al2O3 15 ～ 23,
    MgO 2 ～ 17,
    CaO 0 ～ 12,
    SrO 0 ～ 6,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 28,
    Na2O 0 ～ 9,
    K2O 0 ～ 6,
    Na2O ＋ K2O 0.8 ～ 9
    를 함유하는 유리가 얻어지도록 원료를 조제하고, 그 원료 100 질량％ 에 대하여, 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 질량％ 첨가하여 유리 원료로 하고, 그 유리 원료를 용해시킨 후, 판유리로 성형하여 제 2 항에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법.
  7. 산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 58 ～ 67,
    Al2O3 15 ～ 21,
    B2O3 0 ～ 3,
    MgO 4 ～ 14,
    CaO 0 ～ 5,
    SrO 0 ～ 3,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 6 ～ 19,
    Na2O 0 ～ 9,
    K2O 0 ～ 5,
    Na2O ＋ K2O 1 ～ 11
    을 함유하는 유리가 얻어지도록 원료를 조제하고, 그 원료 100 질량％ 에 대하여, 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 질량％ 첨가하여 유리 원료로 하고, 그 유리 원료를 용해시킨 후, 판유리로 성형하여 제 3 항에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법.
  8. 실질적으로 B2O3 을 함유하지 않고,
    산화물 기준의 질량％ 표시로, 유리 모조성으로서,
    SiO2 58 ～ 67,
    Al2O3 15 ～ 21,
    MgO 4 ～ 14,
    CaO 0 ～ 5,
    SrO 0 ～ 3,
    MgO ＋ CaO ＋ SrO 10 ～ 19,
    Na2O 1 ～ 9,
    K2O 0 ～ 5,
    Na2O ＋ K2O 1 ～ 9
    를 함유하는 유리가 얻어지도록 원료를 조제하고, 그 원료 100 질량％ 에 대하여, 황산염을 SO3 환산으로 0.05 ～ 1.0 질량％ 첨가하여 유리 원료로 하고, 그 유리 원료를 용해시킨 후, 판유리로 성형하여 제 4 항에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법.
  9. 원료를 용해시켜 얻은 용융 유리를 플로트 성형로에서 리본 형상의 유리판으로 성형한 후에 냉각 수단에 의해 냉각시켜, 실온 상태에 있는 제 3 항 또는 제 4 항에 기재된 유리판을 얻는 유리판의 제조 방법으로서,
    상기 플로트 성형로로부터 꺼내지는 유리판의 표면 온도를 TH (℃), 실온을 TL (℃) 로 하고, 또한 상기 유리판이 상기 냉각 수단에 의해 냉각되어, 그 표면 온도가 TH 로부터 TL 에 도달할 때까지의 시간을 t (분) 로 한 경우, 상기 냉각 수단이, (TH － TL) / t 로 나타내는 평균 냉각 속도를 10 ～ 300 ℃/분으로 하는 냉각 수단인 유리판의 제조 방법.
  10. 유리판의 표면에 어레이 기판 게이트 절연막을 성막 (成膜) 하는 성막 공정을 구비하고, 그 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 접착시키는 접착 공정을 구비하는 TFT 패널의 제조 방법으로서,
    상기 성막 공정이, 제 3 항 또는 제 4 항에 기재된 유리판 표면의 성막 영역을 150 ～ 300 ℃ 의 범위 내의 성막 온도까지 승온시킨 후, 상기 성막 온도에서 5 ～ 60 분간 유지하여, 상기 성막 영역에 상기 게이트 절연막을 성막하는 공정인 TFT 패널의 제조 방법.
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