KR101109878B1 - 재박리형 감압성 점착 시트 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트는, 기재 필름상에 형성된 점착제층 및 기재 필름과 점착제층과의 사이에 1층 이상의 중간층을 포함하는 것으로, 여기서, 중간층이 23℃에서의 저장 탄성율(G')이 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이며, 또한 200℃에서의 저장 탄성율(G')이 1.0×103 내지 8.0×104 Pa인 재박리형 감압성 점착 시트이다. 이러한 재박리형 감압성 접착 시트 및 반도체 웨이퍼가 서로 부착하고, 부착한 상태에서, 가열 환경하에 놓여졌을 경우에도, 웨이퍼의 휨이 방지될 수 있다.

Description

재박리형 감압성 점착 시트{RE-PEELABLE PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET}
도 1은 다이싱용 감압성 점착 시트의 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 기재 필름 12 : 중간층
13 : 점착제층 14 : 세퍼레이터
본 발명은 재박리형 감압성 점착 시트, 재박리형 감압성 점착 시트를 이용한 반도체 소자의 제조방법, 및 이 제조방법에 의해 수득된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트는 웨이퍼 가공용 점착 시트로서 유용하다. 예컨대, 각종 반도체의 제조 공정 중 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 전방 표면을 보호하기 위해 사용하는 보호 시트나, 반도체 웨이퍼를 소자 소편으로 절단?분할하고, 상기 소자 소편을 픽업 방식으로 자동 회수하는 다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 이면에 부착하는 고정 지지용 감압성 점착 시트 등으로서 유용하다. 또한, 이들 점착 시트는 웨이퍼의 가공 후에 박리된다.
반도체 웨이퍼에 패터닝이 실시될 때까지(또는 예비 공정중에) 취급을 용이하게 하기 위해서 웨이퍼는 일정 두께를 갖는다. 한편, 웨이퍼에 패터닝을 실시한 후(후-공정)에는 웨이퍼 이면에 기계 연삭을 실시하고, 웨이퍼를 소정 두께까지 박형화하는 공정, 추가로 박형화한 웨이퍼를 절단에 의해 칩화하는 공정이 실시된다. 일반적으로, 이러한 후공정에서 웨이퍼 박형화 공정에서는 웨이퍼의 패터닝 표면을 보호하고, 또한 박형화 웨이퍼를 절단할 때에는 박형화 웨이퍼를 고정하여 지지하기 위해서 반도체 웨이퍼에는 감압성 점착 시트가 웨이퍼에 접합된 상태에서 각 가공이 실시된다. 특히, 반도체 웨이퍼를 박형으로 가공한 후에 반도체 웨이퍼의 이면에 에칭 처리나 스퍼터?증착 처리 등이 실시되는 경우, 또는 다이 본딩 필름을 웨이퍼에 부착하는 경우에는 웨이퍼에 보호 시트를 부착한 상태에서 100 내지 200℃ 정도의 온도로 웨이퍼를 가열한다.
최근에는 반도체 웨이퍼의 대형화, 또한 IC 카드 용도 등으로의 웨이퍼의 박형화가 진행되고 있다. 그러나, 대형화, 박형화한 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 박형화 공정, 가열 환경하에서 열에 의해 크게 휘어짐이 발생하여, 웨이퍼가 파손되기 쉽다. 그 때문에, 반도체 웨이퍼가 반송 카세트에 저장될 수 없거나, 반송중이나 점착 시트의 박리 중에 웨이퍼가 균열되거나, 패턴면에 손상이 발생하는 등의 문제가 발생하였다(일본특허 공개 공보 제1994-322338호 및 일본특허 공개 공보 제2000- 355678호 참조)
본 발명은 기재 필름상에 점착제층을 포함하는 재박리형 감압성 점착 시트에 있어서, 시이트는 반도체 웨이퍼가 서로 부착한 상태에서 가열 환경하에 놓여졌을 경우에도 웨이퍼의 휨을 방지할 수 있는 재박리형 감압성 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 재박리형 감압성 점착 시트를 이용한 반도체 소자의 제조방법, 및 상기 제조방법에 의해 수득된 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이하에 나타내는 재박리형 감압성 점착 시트에 의해 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 기재 필름상에 형성되어 있는 점착제층; 및 기재 필름과 점착제층과의 사이에 1층 이상의 중간층을 포함하는 재박리형 감압성 점착 시트에 관한 것으로,
중간층이 23℃에서의 저장 탄성율(G')이 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이며, 또한 200℃에서의 저장 탄성율(G')이 1.0×103 내지 8.0×104 Pa인 재박리형 감압성 점착 시트에 관한 것이다.
본 발명자들은 열 공정에 의해 발생하는 웨이퍼의 휨이 감압성 점착 시트 자체가 크게 열 수축하는 것이 주된 원인이라 생각하였다. 이러한 견지에서, 본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트는 기재 필름과 점착제층과의 사이에 상기 소정의 저장 탄성율(G')을 갖는 중간층을 형성한 것이다. 상기 중간층에 의해 기재 필름의 열수축 응력을 완화시킬 수 있어, 웨이퍼 및 시트가 가열 환경하에 놓여졌을 경우에도 웨이퍼의 휨을 대폭 저감시킬 수 있다. 그 결과, 웨이퍼의 균열 등의 문제를 해결할 수 있고, 원활한 웨이퍼 가공 프로세스를 계속적으로 실시할 수 있다.
중간층의 저장 탄성율(G')은 23℃에서 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이다. 23℃ 에서의 저장 탄성율(G')이 상기 범위인 경우, 재박리형 감압성 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 접착할 때에, 중간층의 돌출에 의한 웨이퍼 오염이나 접착 롤러(laminating roller) 등의 장치를 오염시키는 문제가 발생하지 않는다. 따라서, 양호한 적층(또는 접착) 작업성을 확보할 수 있다. 중간층의 23℃에서의 저장 탄성율(G')은, 바람직하게는 5.0×104 내지 5.0×107 Pa, 더욱 바람직하게는 5.0×10 4 내지 5.0×106 Pa이다.
또한, 중간층의 저장 탄성율(G')은 200℃의 온도 범위에 있어서, 1.0×103 내지 8.0×104 Pa이다. 200℃의 온도 범위에 있어서의 저장 탄성율(G')이 상기 범위내이면, 기재 필름의 열수축 응력을 충분히 완화시킬 수 있고, 대폭적인 반도체 웨이퍼 휨의 저감이 가능하다. 중간층의 200℃의 온도 범위에 있어서의 저장 탄성율(G')은 바람직하게는 1.0× 103 내지 5.0×104 Pa, 더욱 바람직하게는 1.0×103 내지 2.0×104 Pa 이다.
상기 재박리형 감압성 점착 시트에 있어서의 중간층은 유기 점탄성체에 의해 형성할 수 있다. 상기 유기 점탄성체의 겔 분률은 40 중량% 이하인 것이 상기 저장 탄성율(G')의 중간층을 형성하는 데에 있어서 바람직하다. 유기 점탄성체의 겔 분률은 바람직하게는 10 내지 40 중량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 30 중량%이다.
상기 재박리형 감압성 점착 시트에 있어서의 중간층은 열 가소성 수지에 의해 형성할 수 있다. 상기 열 가소성 수지의 융점(시차 열분석에 기초함)은 70℃ 이하인 것이 상기 저장 탄성율(G')의 중간층을 형성하는 데에 있어서 바람직하다. 열 가소성 수지의 융점은, 바람직하게는 40 내지 70℃, 흔히 바람직하게는 40 내지 60℃이다.
상기 재박리형 감압성 점착 시트에 있어서, 기재 필름은 유리전이온도(Tg)가 70℃ 이상이고, 융점(시차 열분석에 기초함)이 200℃ 이상인 재료에 의해 형성된 필름인 것이 바람직하다.
본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트내 상기 중간층이 가열 환경하에서의 기재 필름의 열 수축을 완화하기 때문에, 기재 필름은 특별히 제한되지 않으며, 다소의 열변형은 허용된다. 단, 기재 필름이 평활성을 크게 손상시킬 정도까지 변형되어 버리면, 웨이퍼의 큰 휨, 나아가서는 웨이퍼의 균열이 발생한다. 이러한 문 제가 없는 기재 필름으로서, 예컨대, 유리전이온도가 70℃ 이상, 융점이 200℃ 이상인 재료를 이용한 필름을 바람직하게 사용할 수 있다. 유리전이온도는 70 내지 180℃, 바람직하게는 100 내지 180℃이다. 또한 융점은 200 내지 300℃, 바람직하게는 220 내지 280℃이다.
또한, 상기 재박리형 감압성 점착 시트에 있어서, 기재 필름은 200℃의 조건하에 2 시간 두었을 경우의 가열 수축률이 2% 이하인 필름인 것이 바람직하다.
본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트는 기재 필름으로서 가열 수축률이 2% 이하인 필름을 사용함으로써 가혹한 가열 조건하에서도 기재 필름의 치수 변화를 매우 작게 할 수 있다. 그 결과, 상기 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 부착한 상태인 채로, 예컨대, 약 100 내지 200℃ 정도의 열처리 환경하에 놓여졌을 경우에도, 반도체 웨이퍼의 휨을 방지할 수 있다. 기재 필름의 가열 수축률은 MD 방향, TD 방향 중 어느 하나에 대해서도 가열 수축률이 2% 이하인 것, 보다 바람직하게는 모두 1.5% 이하인 것, 더욱 보다 바람직하게는 1.0% 이하인 것이 바람직하다. 값이 작을수록, 우수한 결과가 수득된다.
또한, 본 발명은 상기 재박리형 감압성 점착 시트를, 반도체 웨이퍼에 접합한 상태에서 반도체 웨이퍼에 가공을 실시하는 반도체 소자의 제조방법, 및 상기 제조방법에 의해 수득된 반도체 소자에 관한 것이다.
본 발명의 추가적인 목적 및 이들의 특징 및 장점은 하기 설명에 기초하여 충분히 이해될 것이다. 본 발명의 바람직한 효과는 첨부된 도면을 참고하여 하기 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트를 도 1을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예의 재박리형 감압성 점착 시트는 기재 필름(11) 상에 중간층(12)을 통해서 점착제층(13)이 형성되어 있다. 시트는 하나 이상의 중간층(12)을 갖는다. 도 1에서는 시트에는 1층의 중간층(12)이 형성되어 있다. 또한, 필요에 따라 점착제층(13) 상에 세퍼레이터(14)를 갖는다. 도 1에서는, 시트에 기재 필름(11)의 한 면에 점착제층을 갖지만, 기재 필름(11)의 양면에 점착제층을 형성할 수도 있다. 재박리형 감압성 점착 시트는 시트를 감아 테이프 형상으로 할 수도 있다.
기재 필름의 재료로서는, 각종 재료를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교호)공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전체-방향족 폴리아마이드, 폴리페닐 설파이드, 아르아마이드(종이), 유리, 유리 클로스(cloth), 불소-함유 수지, 폴리염화바이닐, 폴리염화바이닐리덴, 셀룰로즈계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
기재 필름의 재료로서는, 상술한 바와 같이, 유리전이온도(Tg)가 70℃ 이상, 융점이 200℃ 이상인 재료, 또는 가열 수축률이 2% 이하인 재료가 바람직하게 사용될 수 있다. 이러한 기재 필름의 재료로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트와, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전체-방향족 폴리아마이드, 폴리페닐 설파이드, 아르아마이드(종이), 유리, 유리 클로스, 불소-함유 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한, 기재 필름의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 또한 기재 필름은 연신되지 않은 것을 사용할 수 있거나, 필요에 따라 1축 또는 2축 연신 처리를 실시한 것을 사용할 수 있다. 기재 필름의 표면에는, 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리, 가교 처리(실레인에 의한 화학 가교 처리) 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.
상기 각 기재 필름의 재료는 전술한 것을 적당히 선택하여 사용할 수 있다. 필요에 따라 동종 또는 이종에 속하는 몇 종류를 블랜드한 것을 사용할 수 있다. 기재 필름은 단층 또는 2종 이상의 다층일 수 있다. 또한, 점착제층이 방사선 경화형인 경우에는 X선, 자외선, 전자선 등의 방사선을 적어도 일부 투과시키는 재료를 사용한다.
기재 필름의 두께는 보통 5 내지 1000μm이다. 절단 등의 작업성의 관점에서, 바람직하게는 7 내지 500μm, 보다 바람직하게는 10 내지 100μm이다.
중간층을 형성하는 재료로서는, 상기 저장 탄성율을 만족시키며, 가열시의 응력 완화 기능을 갖는 재료를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 중간층의 형성 재료로서는, 유기 점탄성체이나 열 가소성 수지를 들 수 있다. 특히 분자 설계의 범용성, 생산성의 관점에서 유기 점탄성체가 바람직하다. 특히 고무계 또는 아크릴계의 유기 점탄성체가 보다 바람직하다.
고무계의 유기 점탄성체로서는, 예컨대, 천연 고무, 폴리아이소부틸엔 고무, 스타이렌?부타디엔 고무, 스타이렌?아이소프렌?스타이렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리아이소부틸엔 고무, NBR와 같은 고무계 폴리머를 들 수 있다. 아크릴계의 유기 점탄성체로서는, 아크릴산 내지 메타크릴산의 알킬 에스터를 주성분으로 하는 아크릴계 폴리머를 들 수 있다. 아크릴계 폴리머는 점착제층에 사용하는 것과 동일한 것을 예시할 수 있다.
상술한 바와 같이, 유기 점탄성체로서는 겔 분률은 40% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 유기 점탄성체는 중량평균분자량이 10,000 내지 750,000, 바람직하게는 50,000 내지 500,000인 것이, 중간층으로서 바람직한 기능을 발현할 수 있다. 중량평균분자량은 GPC에 의해 측정된다.
중간층의 형성 재료로서는, 이들 유기 점탄성체를 단독으로 사용할 수 있다. 이들을 베이스 폴리머로서 함유하는 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 유기 점탄성체로서 사용할 수 있다. 점착제에는, 후술하는 점착제와 같이, 필요에 따라, 가교제, 가소제, 충전제, 안료, 점착 부여제 등, 적당한 첨가제를 배합할 수도 있다.
또한, 중간층의 형성 재료로서는, SIS, SBS, SEBS, EMA, EEA 등의 열 가소성 수지를 들 수 있다. 이들 열 가소성 수지로서는, 상술한 바와 같이, 융점이 70℃(시차 열분석에 의해 측정함) 이하인 것이 바람직하다. 나아가, MRF가 5g/분(JIS K6730) 이상인 것이 바람직하다.
중간층의 두께는 기재 필름이나 점착제층의 종류에 따라 적당히 결정되지만, 보통 5 내지 250μm, 바람직하게는 10 내지 150μm이다.
상기 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 예컨대, 일반적으로 사용되고 있는 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 이들의 예로는 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등의 점착제를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 재박리형 감압성 점착 시트에 부착된 반도체 웨이퍼가 열공정을 거치는 경우에는, 내열성, 피착체 오염성이나 범용성의 관점에서 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하게 사용된다.
상기 아크릴계 폴리머로서는, 예컨대, (메트)아크릴산 알킬 에스터(예컨대, 메틸 에스터, 에틸 에스터, 프로필 에스터, 아이소프로필 에스터, 부틸 에스터, 아이소부틸 에스터, s-부틸 에스터, t-부틸 에스터, 펜틸 에스터, 아이소펜틸 에스터, 헥실 에스터, 헵틸 에스터, 옥틸 에스터, 2-에틸헥실 에스터, 아이소옥틸 에스터, 노닐 에스터, 데실 에스터, 아이소데실 에스터, 운데실 에스터, 도데실 에스터, 트리데실 에스터, 테트라데실 에스터, 헥사데실 에스터, 옥타데실 에스터, 에이코실 에스터 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄형 또는 분지쇄형의 알킬 에스터 등) 및 (메트)아크릴산 사이클로알킬 에스터(예컨대, 사이클로펜틸 에스터, 및 사이클로헥실 에스터 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, "(메트)아크릴산 에스터"란 아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터를 말하며, 본 발명의 "(메트)"와는 모두 동일한 의미이다.
상기 아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터 또는 사이클로알킬 에스터와 공중합성 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있을 수 있다. 이러한 단량체 성분으로서, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸(메트)아크릴레이트, 카복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 단량체; 무수말레산, 무수이타콘산 등의 산무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, 4-하이드록시메틸사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 단량체; 스타이렌 설폰산, 알릴 설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로판설폰산, (메트)아크릴아마이드프로판설폰산, 설포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 단량체; 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아마이드, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합성 단량체의 사용량은 전체 단량체 성분의 40 중량% 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는 가교시키기 위해, 다작용성 단량체 등도 필요 에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다작용성 단량체로서, 예컨대, 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스터(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 다작용성 단량체중 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다작용성 단량체의 사용량은 점착 특성 등의 면에서 전체 단량체 성분의 30 중량% 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합함으로써 수득된다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로도 실시할 수도 있다. 점착제층은 반도체 웨이퍼 등의 오염 방지 등의 면에서 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계폴리머의 수평균 분자량은, 바람직하게는 300,000 이상, 더욱 바람직하게는 400,000 내지 3,000,000 정도이다.
또한, 상기 점착제에는 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리아이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 또는 멜라민계 화합물 등의 소위 가교제를 첨가하여 가교결합 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 의해, 나아가 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 약 1 내지 5 중량부 정도 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 이외에, 공지된 각종 첨가제가 도입될 수 있다. 첨가제의 예로는 각종 점착 부여제, 가소제, 안료, 충전제, 노화방지제 등의 첨가제를 사용할 수 있다.
또, 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제를 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가지면서, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 방사선(특별히 자외선)조사에 의해 점착력이 저하되는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대, 일반적인 점착제에, 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다. 일반적인 점착제로서는, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 감압성 점착제와 동일한 것을 들 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부테인다이올 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있다. 분자량이 100 내지 30,000 정도의 범위인 올리고머가 적당하다. 방사선 경화성 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 5 내지 500 중량부, 바람직하게는 40 내지 150 중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화성 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 외에 내재형의 방사선 경화성 접착제일 수 있다. 이러한 내재형 점착제는 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제는 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없다. 대부분의 경우, 점착제는 임의의 저분자량 성분을 포함하지 않는다. 따라서, 시간 경과에 따라 올리고머 성분 등이 점착제내로 이동하는 일 없고, 안정한 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있다.
상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 전술한 베이스 폴리머는 탄소-탄소 2중 결합을 가지면서 점착성을 갖는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머로의 탄소-탄소 2중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있다. 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 2중 결합 을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 2중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 작용기의 조합의 예로서는, 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지리딘기, 하이드록실기와 아이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이성 때문에 하이드록실기와 아이소시아네이트기와의 조합이 바람직하다. 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 바와 같은 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 쪽에도 있을 수 있다. 전술한 바람직한 조합에 있어서 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 가지며, 상기 화합물이 아이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아이소시아네이트 화합물로서는, 예컨대, 메타크릴로일아이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소시아네이트, m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질아이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시한 하이드록시기 함유 단량체나 2-하이드록시에틸 바이닐 에터, 4-하이드록시부틸 바이닐 에터, 다이에틸렌 글라이콜 모노바이닐 에터의 에터계 화합물 등을 공중합한 것을 사용할 수 있다.
상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있다. 베이스 폴리머의 특성을 악화시키지 않는 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 베이스 폴리머에 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은 보통 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 0 내지 30 중량부의 범위이며, 바람직하 게는 0 내지 10 중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제가 자외선 등에 의해 경화되는 경우에는 광중합 개시제가 함유된다. 광중합 개시제로서는, 예컨대, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 및 1-하이드록시사이클로헥실페닐 케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-다이에톡시아세토페논, 및 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-모폴리노프로페인-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 및 아니소인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물; 벤질 다이메틸 케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설포닐 클로라이드 등의 방향족 설포닐 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이오잔톤, 2-클로로싸이오잔톤, 2-메틸싸이오잔톤, 2,4-다이메틸싸이오잔톤, 아이소프로필싸이오잔톤, 2,4-다이클로로싸이오잔톤, 2,4-다이에틸싸이오잔톤, 2,4-다이이소프로필싸이오잔톤 등의 싸이오잔톤계 화합물; 캄포 퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥사이드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.1 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부 정도이다.
점착제층의 두께는 적절히 결정할 수 있지만, 특히 절단 등의 작업성의 면에서 1 내지 500μm, 바람직하게는 3 내지 250μm이다.
점착제층의 점착력은 사용 목적 등에 따라 적절히 결정되지만, 일반적으로는 반도체 웨이퍼에 대한 밀착 유지성이나 웨이퍼로부터의 박리성 등의 면에서 점착력(25℃, 180° 박리치, 박리 속도 300 mm/분)이 0.01 내지 15 N/25mm 테이프폭, 바람직하게는 0.05 내지 10 N/25mm 테이프폭 이상이다. 방사선 경화형 점착제의 경우에는, 에너지선 조사 후의 점착력이 0.5 N/25mm 테이프폭 이하가 바람직하다.
또한, 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우에는, 사용 조건이나 조성, 배합에 의해 피착체를 접합하기 전에 미리 방사선을 조사하여 점착력을 저하시킨 상태에서 접합하는 것도 가능하다.
본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트의 제작은, 예컨대, 기재 필름의 표면에 중간층을 형성한 후, 그 중간층의 표면에 추가로 점착제를 도포하여 점착제층(13)을 형성하고, 필요에 따라 이 점착제층의 표면에 세퍼레이터를 접합함으로써 실시할 수 있다. 또한, 별도로 세퍼레이터에 점착제층 및 중간층을 형성한 후, 이들을 전사함으로써 점착제층, 및 중간층을 형성할 수 있다. 중간층 및 점착제층은 1층 또는 2층 이상 적층될 수 있다.
재박리형 감압성 점착 시트는 용도에 따라 어떠한 형상도 취할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 연삭 용도로서는, 미리 웨이퍼와 동일 형상으로 절단 가공된 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
세퍼레이터는 재박리형 감압성 점착 시트가 실용에 제공될 때까지 점착제층을 보호한다. 또한, 세퍼레이터는 점착제층으로 이물질이 부착되는 것을 방지하는 외에, 시트의 지지체의 역할을 한다. 세퍼레이터의 구성 재료로서는, 종이, 폴리 에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 점착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리, 황화 몰리브덴 처리 등의 박리 처리가 실시될 수 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트라이플루오로에틸렌, 폴리불화바이닐, 폴리불화바이닐리덴, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로트라이플루오로에틸렌-불화바이닐리덴 공중합체 등의 불소-함유 폴리머로 이루어진 저접착성 기재, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌과 같은 무극성 폴리머로 이루어진 저접착성 기재 등이 사용된다. 세퍼레이터의 두께는 보통 약 10 내지 200μm, 바람직하게는 25 내지 100μm 정도이다.
본 발명의 재박리형 감압성 점착 시트는 일반적인 방법에 따라, 예컨대, 반도체 웨이퍼의 보호시트로서 사용된다. 반도체 웨이퍼의 패턴면으로의 보호 시트의 부착은 테이블 상에 패턴면이 위가 되도록 반도체 웨이퍼를 탑재하고, 그 위에 보호 시트의 점착제층을 패턴면에 중첩시켜, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 부착한다. 또한, 가압가능한 용기(예컨대, 오토클레이브 등) 중에서 반도체 웨이퍼와 보호 시트를 상기한 바와 같이 중첩시키고, 용기내를 가압함으로써 웨이퍼에 부착할 수도 있다. 이 때, 가압 수단에 의해 가압하면서 부착할 수도 있다. 또한, 진공 챔버내에서 상기와 같이 부착할 수도 있다. 부착 방법은 이들에 한정되는 것은 아니며, 부착할 때에 반도체 웨이퍼 및 보호 시트는 가열될 수도 있다.
반도체 웨이퍼의 박형 가공은 통상적인 방법으로 채용할 수 있다. 박형 가 공기로서는, 연삭기(후방 연삭기(back grinder)), CMP 패드 등을 들 수 있다. 박형 가공은 반도체 웨이퍼가 원하는 두께가 될 때까지 실시된다. 박형 가공 후에는 보호 시트가 박리된다. 보호 시트의 점착제층으로서, 방사선 조사에 의해 점착력이 저하되는 방사선 경화형 점착제를 이용하고 있는 경우에는, 보호 시트에 방사선을 조사하여 점착력을 저하시키고 나서 박리한다. 방사선 조사의 수단은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 자외선 조사 등에 의해 실시된다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(저장 탄성율)
중간층 형성재를, 레오메트릭 사이언스 인코포레이티드(RHEOMETRIC SCIENCE, INC.) 제품인 점탄성 스펙트로미터(주파수 1Hz, 샘플 두께 2mm, 압착 하중 100g)를 이용하여, 각 측정 온도(23℃, 200℃)에서 측정한 값이다.
(겔 분률)
겔 분률은 중량이 W1(g)인 중간층 형성재를, 아세트산 에틸 100g에 23℃에서 168 시간침지한 후, 건조하고, 건조한 후의 중량: W2(g)을 구하고, {(W1-W2)/W1}×100(%)에 의해 구해진 값이다.
(가열 수축률)
20 mm× 150 mm 크기의 필름(가열 처리전의 치수)을, 200℃의 오븐중에 2 시간 두어 가열 처리한 후, 필름은 상온(23℃)에서 정치하여 상온이 된 필름(가열 처 리 후의 치수)으로부터 하기 수학식 1에 의해 구한 값이다. 측정은 MD 측정에서는 MD150mm/ TD20mm, TD 측정에서는 MD20mm/TD150mm으로 하고, 측정 방향을 길게 하여 측정하였다:
Figure 112004035111324-pat00001
실시예 1
(중간층의 형성)
기재 필름으로서, 두께 25μm의 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름(상품명: 테오넥스(Teonex) TM-Q83, 데이진 듀퐁 필름 재팬 리미티드(Teijin Du Pont Films Japan Ltd.) 제품)을 이용하였다. 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름의 가열 수축률은 0.90%이었다. 유리전이온도는 121℃이고, 융점은 269℃였다.
상기 기재 필름상에 중량평균분자량 70,000의 폴리아이소부틸렌(겔 분률 30 중량%)의 톨루엔 용액(40 중량%)을 도포이고, 건조하여, 두께 80μm의 폴리아이소부틸렌 중간층을 형성하였다.
폴리아이소부틸렌 중간층의 저장 탄성율(G')은 23℃에서 5.5×104 Pa이고, 200℃ 에서 1.1×103 Pa였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
부틸 아크릴레이트 85 중량부, 에틸 아크릴레이트 15 중량부, 아크릴산 5 중량부 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 2 중량부를 공중합하여 중량평균분자량 800,000의 아크릴계 폴리머의 용액(30 중량%의 톨루엔 용액)을 조제하였다. 아크릴계 폴리머 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 에폭시계 가교제(미쓰비시가스화학사 제품, 테트래드(TETRAD-C) 0.5 중량부 및 아이소시아네이트계 가교제(닛폰폴리우레탄사 제품, 코로네이트 L) 3 중량부를 배합하여 아크릴점착제 용액을 조제하였다. 상기 아크릴계 점착제 용액을 폴리에스터 세퍼레이터(상품명: 세라필(Cerapeel) BNA(S), 도요 메탈라이징 캄파니 리미티드(Toyo Metallizing Co., Ltd.) 제품) 상에 도포하고, 건조하여 20μm 두께의 아크릴계 점착제층을 형성하였다. 이 아크릴계 점착제층을 상기 폴리아이소부틸렌 중간층에 전사하여 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다.
실시예 2
(중간층의 형성)
2-에틸헥실 아크릴레이트 100 중량부 및 아크릴산 2.5 중량부를 공중합하여 중량평균분자량 400,000의 아크릴계 폴리머(겔 분률 30 중량%) 용액(40 중량%의 톨루엔 용액)을 조제하였다. 상기 아크릴계 폴리머 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 에폭시계 가교제(미쓰비시가스 케미칼 캄파니 리미티드 제품, 테트래드 C) 0.03 중량부를 배합하여 아크릴계 점착제 용액을 조제하였다. 실시예 1에 있어서, 점착제 용액 대신에 아크릴계 점착제 용액을 이용하여 중간층을 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 아크릴계 중간층을 형성하였다.
아크릴계 중간층의 저장 탄성율(G')은 23℃에서 3.4×106 Pa이고, 200℃에서 8.3×103 pa였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
실시예 1과 동일하게 하여, 상기 아크릴계 중간층 상에 동일한 아크릴계 점착제층을 전사하여 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다.
실시예 3
(중간층의 형성)
기재 필름으로서, 두께 25μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(상품명: S-105, 도레이 인더스트리즈 인코포레이티드(Toray Industries, Inc.) 제품)을 사용하였다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 가열 수축률은 2.0%였다. 유리전이온도는 120℃이고, 융점은 258℃였다.
상기 기재 필름 상에 실시예 2에서 조제한 아크릴계 점착제 용액을 도포, 건조하여, 두께 80μm의 아크릴계 중간층을 형성하였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
실시예 1과 동일하게 하여, 상기 아크릴계 중간층 상에 동일한 아크릴계 점착제층을 전사하여 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다.
실시예 4
(중간층의 형성)
기재 필름으로서, 두께 25μm의 폴리이미드 필름(상품명: 아피칼(APICAL) 50HP, 가네카 코포레이션(Kaneka Corp.) 제품)을 사용하였다. 폴리이미드 필름의 가열 수축률은 0.1%였다. 유리전이온도는 400℃ 이상이고, 융점이 없었다.
상기 기재 필름상에 실시예 2에서 조제한 아크릴계 점착제 용액을 도포, 건조하여, 두께 80μm의 아크릴계 중간층을 형성하였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
실시예 1과 동일하게 하여 상기 아크릴계 중간층 상에 아크릴계 점착제층을 전사하여 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다.
실시예 5
(점착제의 조제)
2-에틸헥실 아크릴레이트 75 중량부, 아크릴로일모르폴린 25 중량부 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 7 중량부를 공중합하여 중량평균분자량 600,000의 아크릴계 폴리머의 용액(35 중량%의 톨루엔 용액)을 조제하였다. 상기 아크릴계 폴리머의 2-하이드록시에틸 아크릴레이트의 하이드록실기 1당량에 대하여 0.8 당량의 메타크릴로일옥시에틸렌 아이소시아네이트를 부가하여 자외선 경화성 아크릴계 폴리머를 조제하였다. 자외선 경화성 아크릴계 폴리머 100 중량부에, 아이소시아네이트계 가교제(닛폰 폴리우레탄 인더스트리즈 캄파니 리미티드, 코로네이트 L) 0.8 중량부 및 광반응 개시제(치바 스페셜티 케미칼즈 인코포레이티드(Ciba specialty chemicals Inc.), 이르가큐어(IRGACURE) 651) 1.5 중량부를 배합하여 자외선 경화성 아크릴계 점착제를 조제하였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
상기 자외선 경화성 아크릴계 점착제를, 폴리에스터 세퍼레이터(상품명: 세라필 BNA(S), 도요 메탈라이징 캄파니 리미티드 제품) 상에 도포하고, 건조하여 20μm의 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 실시예 2에 있어서 작성한 아크릴계 중간층상에 이 자외선 경화형 점착제층을 전사하여, 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다. 이 감압성 점착 시트에 세퍼레이터측으로부터 자외선을 조사(자외선 조사 장치: NEL UM-110, 닛토세이키 인코포레이티드(Nitto Seikio Inc.) 제조, 자외선 조사 적산 광량: 500 mJ/cm2)하고 나서, 시트를 사용하였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 폴리아이소부틸렌 중간층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 재박리형 감압성 점착 시트를 작성하였다.
비교예 2
실시예 2에 있어서, 아크릴계 중간층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 재박리형 감압성 점착 시트를 작성하였다.
비교예 3
실시예 3에 있어서, 아크릴계 중간층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 3와 동일한 방법으로 재박리형 감압성 점착 시트를 작성하였다.
비교예 4
실시예 4에 있어서, 아크릴계 중간층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 4와 동일한 방법으로 재박리형 감압성 점착 시트를 작성하였다.
비교예 5
실시예 5에 있어서, 아크릴계 중간층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 재박리형 감압성 점착 시트를 작성하였다.
비교예 6
(중간층의 형성)
2-에틸헥실 아크릴레이트 30 중량부, 메틸아크릴레이트 70 중량부 및 아크릴산 10 중량부를 공중합하여 중량평균분자량 1,200,000의 아크릴계 폴리머의 용액(30 중량%의 아세트산 에틸 용액)을 조제하였다. 상기 아크릴계 폴리머 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 에폭시계 가교제(미쓰비시 가스 케미칼 캄파니, 인코포레이티드 제품, 테트래드 C) 2.0 중량부를 배합하여 아크릴계 점착제 용액을 조제하였다. 실시예 1에서 사용한 기재 필름 상에 상기 아크릴계 점착제 용액을 이용하여 도포, 건조하여 두께 50μm의 중간층을 형성하였다.
아크릴계 중간층의 저장 탄성율(G')은 23℃에서 5.8×106 Pa이고, 200℃에서 1.2×105 Pa였다.
(재박리형 감압성 점착 시트의 제작)
실시예 1과 동일하게 하여 상기 아크릴계 중간층 상에 동일한 아크릴계 점착제층을 전사하여 재박리형 감압성 점착 시트를 제작하였다.
(평가 방법)
실시예 및 비교예에서 수득된 재박리형 감압성 점착 시트와 8인치 실리콘 웨 이퍼(두께 750μm)를 적층 또는 접착(접합 장치: DR-8500 II, 닛토세이키 인코포레이티드 제품), 연삭 장치(DFG-840, 디스코 코포레이션 제품)로 웨이퍼 두께 100μm까지 연삭하였다. 웨이퍼를 하측으로 하고, 시트를 상측으로 하여 수평판 상에 생성된 라미네이트를 탑재하고, 웨이퍼 중심부를 원점으로 하여 웨이퍼 최외주 부분의 들뜸량을 디지털 마이크로스코프(제품명: VH-6300, 키엔스 코포레이션(Keyence Corp.) 제품)로 측정하고, 이를 연삭후 웨이퍼 휨량(mm)으로 하였다. 그 후, 재박리형 감압성 점착 시트가 접합된 상태로의 연삭 웨이퍼를 180℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 가열한 후, 자연적으로 냉각시켰다. 방냉후의 웨이퍼 외주 들뜸량을 상기와 동일하게 측정하고, 이를 가열후 휨량(mm)으로 정의하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
Figure 112004035111324-pat00002
일반적인 웨이퍼 반송용 카세트에 저장할 수 있는 휨량 10 mm를 표준으로 하여, 10 mm 미만의 것을 "양호"라고 판단하고, 10 mm 이상의 것을 "불량"이라고 판단할 수 있다. 연삭후 휨량은 실시예 및 비교예 모두에서 양호한 결과를 얻었다. 단, 비교예에서는 실시예에 비해 연삭후 휨량이 크다. 또한, 가열후 휨량은 실시예에서는 양호하였다. 그러나, 대조적으로 모든 대조예에서, 가열후 휨량은 모두 15 mm를 초과하여 불량하였으며, 가열 후에 웨이퍼가 균열된 것도 있었다.
"발명의 상세한 설명"에서 기술한 구체적인 실시양태 또는 실시예는 본 발명의 기술적 내용을 명백하게 설명한 실시양태 또는 실시예에 불과하다. 따라서, 본 발명은 이러한 구체적인 실시예로 한정되지 않고 좁은 범위로 해석되지 않아야만 한다. 본 발명은 본 발명의 진의 및 첨부된 특허청구범위의 범주내의 각종 방식으로 개조될 수 있다.
본 발명에 따른 재박리성 감압성 접착 시트는, 가열후 휨량이 양호하였으며, 가열후에도 웨이퍼의 균열 등의 문제점을 발생시키지 않았다.

Claims (9)

  1. 기재 필름상에 형성된 점착제층 및 기재 필름과 점착제층과의 사이에 1층 이상의 중간층을 포함하고,
    여기서, 중간층이 100 내지 200℃ 열처리하에서 발생되는 열수축 응력을 완화시키는 기능을 갖는 물질을 포함하고,
    상기 물질이 유기 점탄성체 또는 열 가소성 수지이고,
    상기 중간층이 폴리아이소부틸렌을 포함하고,
    상기 중간층이 23℃에서의 저장 탄성율(G')이 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이고, 또한 200℃에서의 저장 탄성율(G')이 1.0×103 내지 8.0×104 Pa이며,
    기재 필름이 200℃에서 2시간 동안 열처리시 MD(기계 방향) 및 TD(횡 방항) 방향 모두에서 2% 이하의 가열 수축률을 갖는 재박리형 감압성 점착 시트.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    유기 점탄성체의 겔 분률이 40 중량% 이하인 재박리형 감압성 점착 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    중간층이 열 가소성 수지를 포함하는 재박리형 감압성 점착 시트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    열 가소성 수지의 융점이 70℃ 이하인 재박리형 감압성 점착 시트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    기재 필름은, 유리전이온도(Tg)가 70℃ 이상이고, 융점이 200℃ 이상인 재료에 의해 형성된 필름인 재박리형 감압성 점착 시트.
  7. 삭제
  8. 기재 필름상에 형성된 점착제층 및 기재 필름과 점착제층과의 사이에 1층 이상의 중간층을 포함하며, 여기서, 중간층이 100 내지 200℃ 열처리하에서 발생되는 열수축 응력을 완화시키는 기능을 갖는 물질을 포함하고, 상기 물질이 유기 점탄성체 또는 열 가소성 수지이고, 상기 중간층이 폴리아이소부틸렌을 포함하고, 상기 중간층이 23℃에서의 저장 탄성율(G')이 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이고, 또한 200℃에서의 저장 탄성율(G')이 1.0×103 내지 8.0×104 Pa이며, 기재 필름이 200℃에서 2시간 동안 열처리시 MD 및 TD 방향 모두에서 2% 이하의 가열 수축률을 갖는 재박리형 감압성 점착 시트를, 반도체 웨이퍼에 접합하는 단계, 및 접합된 상태에서 반도체 웨이퍼를 가공하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  9. 기재 필름상에 형성된 점착제층 및 기재 필름과 점착제층과의 사이에 1층 이상의 중간층을 포함하며, 여기서, 중간층이 100 내지 200℃ 열처리하에서 발생되는 열수축 응력을 완화시키는 기능을 갖는 물질을 포함하고, 상기 물질이 유기 점탄성체 또는 열 가소성 수지이고, 상기 중간층이 폴리아이소부틸렌을 포함하고, 상기 중간층이 23℃에서의 저장 탄성율(G')이 3.0×104 내지 1.0×108 Pa이고, 또한 200℃에서의 저장 탄성율(G')이 1.0×103 내지 8.0×104 Pa이며, 기재 필름이 200℃에서 2시간 동안 열처리시 MD 및 TD 방향 모두에서 2% 이하의 가열 수축률을 갖는 재박리형 감압성 점착 시트를, 반도체 웨이퍼에 접합하는 단계, 및 접합된 상태에서 반도체 웨이퍼를 가공하는 단계를 수행함으로써 수득된 반도체 소자.
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