KR101108765B1

KR101108765B1 - 형광방전관 전극 및 그 전극을 구비한 형광방전관

Info

Publication number: KR101108765B1
Application number: KR1020077001113A
Authority: KR
Inventors: 토모히로 사이토; 히로시 미우라; 시게지 마츠바라
Original assignee: 가부시키가이샤 네오맥스 마테리아르
Priority date: 2004-07-29
Filing date: 2005-07-25
Publication date: 2012-03-13
Also published as: KR20070046069A; TWI351710B; CN1993799A; JP4279314B2; TW200618030A; CN100561658C; WO2006011431A1; JPWO2006011431A1

Abstract

[과제] 램프수명이 길고, 성형가공성이 양호한 형광방전관 전극용 합금, 형광방전관 전극, 그 전극을 구비한 형광방전관을 제공한다.

[해결수단] 본 발명에 의한 형광방전관 전극용 합금은 mass%로 Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만 함유하고, 잔부 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Ni-Nb합금에 의해 형성된 것이다. 본 발명에 의한 형광방전관 전극(2)은 상기 Ni-Nb합금에 의해 형성되고, 일단이 개방된 관부(3)와, 상기 관부(3)의 타단을 폐쇄하는 단판부(4)를 구비한다. 상기 단판부(4)는 관부(3)의 관벽 두께보다 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 판단부(4)는 관부(3)와 동심형상으로 급전용 도전체 위치결정용 오목부(6)를 형성할 수 있다.

형광방전관, 전극, 합금, 램프수명, 성형가공성

Description

형광방전관 전극 및 그 전극을 구비한 형광방전관{FLUORESCENT DISCHARGE LAMP ELECTRODE, AND FLUORESCENT DISCHARGE LAMP HAVING THE ELECTRODE}

본 발명은 예컨대 액정의 백라이트(backlight)로서 사용되는 형광방전관, 그 전극 및 전극용 합금에 관한다.

액정장치에는, 백라이트로서 소형의 형광방전관이 사용된다. 이러한 형광방전관은 도 3에 도시하는 바와 같이 내벽면에 형광막(도시 생략)이 형성되고, 그 내부에 방전용 가스(아르곤 가스 등의 희(希)가스 및 수은증기)가 봉입된 유리관(11)과, 그 유리관(11)의 양단부(兩端部)에 설치된 한 쌍의 냉음극(冷陰極)을 구성하는 전극(12)을 구비하고 있다. 상기 전극(12)은 일단(一端)이 개방된 통(筒)형상의 관부(管部, 13)와, 이 관부(13)의 타단(他端)을 폐쇄하는 단판부(端板部, 14)에 의해 바닥이 있는 통형상(컵(cup)형상)으로 일체적으로 형성되어 있다. 상기 단판부(14)에는, 상기 유리관(11)의 단부를 관통하도록 밀봉된 봉(棒)형상의 도전체(導電體, 15)의 일단이 용접되고, 이 도전체(15)의 타단에 리드선(17)이 접속된다.

상기 전극(12)은 종래, 순(純)Ni에 의해 형성되며, 그 크기는 백라이트 등의 소형의 형광방전관용의 것으로서는, 예컨대, 내경(內徑) 1.5mm 정도, 전장(全長) 5mm 정도, 벽부(壁部, 13)의 두께 0.1mm 정도이다. 이러한 통형상 전극은 통상, 상기 관부의 두께와 동등한 두께를 갖는 순Ni 박판(薄板)을 심인발(deep drawability) 성형함으로써 일체적으로 형성된다.

상기한 바와 같이, 형광방전관 전극은 성형성이 양호하고, 재질적으로도 안정한 순Ni에 의해 형성되었지만, 램프수명이 비교적 짧은 문제가 있다. 즉, 형광방전관은 점등시, 전극에 이온 등이 충돌하여 전극금속으로부터 원자를 방출하는 현상(스퍼터링(sputtering))이 생긴다. 이 스퍼터링에 의해 방출된 전극금속의 원자는 유리관 내에 봉입된 수은과 결합하여, 유리관 내의 수은증기를 소모시킨다. 종래, 전극금속을 형성하는 Ni는 스퍼터(sputter)시의 원자 방출량이 많은, 즉, 스퍼터율이 높고, 수은의 소모가 크기 때문에, 방전관의 수명이 저하하기 쉬운 문제가 있다.

이 때문에, 최근, 일본특개2002-110085호 공보(특허문헌1)에 기재되어 있는 바와 같이, 전극을 스퍼터율이 낮은, Nb, Ti, Ta 또는 이들의 합금으로 형성하는 것이 시도되고 있다.

특허문헌1: 일본특개2002-110085호 공보(특허청구의 범위)

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

그러나, 이들의 금속 원소는 Ni에 비하여 고가이고, 또한 고융점의 산화하기 쉬운 재료이기 때문에, 그 제조에 있어서도 플라즈마 아크 용해법이나 분말야금법 등, 통상의 용해?주조법과는 다른 특수한 방법에 의해 벌크(bulk)재를 제조할 필요가 있다. 또한, Nb에 대하여는 그 박판에 대하여 인발가공을 실시할 수 있지만, 벌크재의 압연에 있어서 진공소둔 등의 무산화(無酸化) 분위기 소둔과 압연을 반복하여 박육화(薄肉化)할 필요가 있다. 이와 같이, Nb, Ta 등은 대개 소형의 통형상 전극을 제조하는 데 있어서, 성형 가공성이 떨어지고, 제조비용이 매우 높은 문제가 있다.

본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, Ni전극에 비하여 램프수명이 길고, 또한 성형가공성이 뛰어난 형광방전관 전극용 합금, 그 합금에 의해 형성된 형광방전관 전극, 또한 상기 전극을 구비한 형광방전관을 제공하는 것을 목적으로 한다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명의 발명자는 Ni-Nb합금의 Nb첨가량에 따라 스퍼터율의 변화를 상세하게 관찰하였던 바, 소량의 Nb첨가에 의해 스퍼터율이 감소하고, 한편 Nb를 과다하게 첨가하면 Ni-Nb합금 중에 NbNi₈의 금속간화합물이 생성하게 되어, 스퍼터율이 상승함과 아울러 가공성이 열화(劣化)한다는 것을 알아, 본 발명을 완성시키는 데에 이르렀다.

즉, 본 발명에 의한 형광방전관 전극용 합금은 mass%(이하, 간단히 「%」로 표시함)로 Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만 함유하고, 잔부 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Ni-Nb합금에 의해 형성된 것이다.

이 전극용 합금은 Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만 함유하고, 잔부 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Ni-Nb합금이므로, 스퍼터율이 낮은 Nb만에 의해 전극을 형성하는 경우에 비하여 스퍼터율은 약간 높지만, Nb의 첨가량이 2.0% 이상, 6.0% 미만으로 소량이기 때문에, Ni-Nb합금 중에서 Ni와 Nb와의 금속간화합물을 생성하지 않고, Ni와 Nb가 고용(固溶)한 상태로 된다. 이 때문에, 종래의 순Ni에 의해 전극을 형성하는 하는 경우에 비하여 스퍼터율을 저하시킬 수 있어, 램프수명을 향상시킬 수 있다. 한편, 6.0% 이상에서는, Ni-Nb합금 중에 NbNi₈의 금속간화합물이 생성하게 되기 때문에, 스퍼터율이 상승하고, 또한 성형성도 열화하게 된다. 또한 Nb양이 2.0% 이상, 6.0% 미만 정도에서는 실용상, 순Ni의 경우와 마찬가지로 용해?주조할 수 있어, 플라즈마 아크 용해나 진공소둔을 이용하는 일 없이 제조할 수 있다. 또한 양호한 성형 가공성을 갖기 위하여, 소형의 통형상 전극에 용이하게 인발성형이나 냉간폐쇄단조(충격(impact)성형)할 수 있어, 생산성이 뛰어나다.

또한, 본 발명에 의한 형광방전관용 전극은 일단이 개방된 관부와, 상기 관부의 타단을 폐쇄하는 단판부(端板部)를 구비하고, 상기 관부와 단판부가 상기 Ni-Nb합금을 이용하여 일체적으로 형성된 것이다. 이 전극에 의하면, 상기 Ni-Nb합금으로 형성하는 것에 의한 이점을 갖는다.

상기 전극에 있어서, 상기 단판부는 관부의 관벽두께보다 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성함으로써, 관부의 관벽의 두께가 얇은 경우이라도, 급전(給電)용 도전체가 용착(溶着)되는 단판부의 두께가 관부의 관벽의 두께보다 두껍게 형성되므로, 상기 도전체의 단부를 단판부에 맞대는 형상으로 용착할 때, 용접 출력 등의 용착 출력의 미묘한 제어를 행하는 일 없이 도전체의 단부를 단판부에 용이하게 용착할 수 있어, 양쪽의 용착 불량을 방지할 수 있다. 이 때문에, 도전체와 전극과의 전기적, 열적 접합이 확실하게 이루어지, 방전 상태, 방열 상태가 안정하고, 형광방전관 램프수명의 저하를 방지할 수 있고, 또한 형광방전관의 제조수율을 향상시킬 수 있다.

상기 전극에 있어서, 상기 단판부의 외측에 상기 관부와 동심형상으로 배치된 도전체 위치결정용 오목부(凹部)를 마련하는 것이 바람직하다. 이러한 도전체 위치결정용 오목부를 마련함으로써, 도전체의 단부를 상기 오목부에 삽입하여 용착 하는 것만으로, 전극의 단판부에 도전체를 동심형상으로 확실하게 용착할 수 있다. 이 때문에, 도전체를 유리관의 단부에 동심형상으로 밀봉함으로써, 전극과 유리관이 동심형상으로 배치되어, 유리관 내에서의 방전 상태의 균일성, 안정성이 향상하고, 램프수명을 더욱 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 형광방전관은 내벽면에 형광막이 형성되고, 그 내부에 방전용 가스가 봉입된 유리관과, 그 유리관의 양단부에 유리관과 동심형상이면서 유리관이 내외(內外)에 관통형상으로 밀봉된 급전용 도전체와, 상기 유리관의 내부에 배치되고, 상기 급전용 도전체의 단부에 접속된 한 쌍의 전극을 구비한 형광방전관으로서, 상기 전극으로서 상기 본 발명에 의한 형광방전관용 전극이 사용되며, 상기 전극의 단판부의 외측에 상기 급전용 도전체가 동심형상으로 용착된 것이다. 이 형광방전관에 의하면, 상기 본 발명에 의한 전극에 의한 각 효과를 갖춘다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 형광방전관 전극용 합금은 Ni에 Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만으로 소량 함유시킨 것이기 때문에, Ni-Nb합금 중에 NiNb 금속간화합물을 생성하는 일 없이, Ni와 Nb가 고용한 상태로 되고, 인발성형이나 충격성형 등에 대한 성형 가공성을 손상하는 일 없이, 순Ni에 비하여 스퍼터율을 효과적으로 저하시킬 수 있으며, 나아가 램프수명을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명의 전극은 상기 전극용 합금으로 형성된 것이다. 상기 전극에 있어서, 단판부의 두께를 관부의 관벽두께보다 두껍게 형성함으로써, 급전용 도전체의 용착이 용이하게 되고, 전극에의 전기적, 열적 접합이 확실하게 되며, 방전 상태, 방열 상태가 안정하고, 형광방전관 램프수명의 저하를 방지할 수 있고, 또한 형광방전관의 제조수율을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 형광방전관 전극을 구비한 형광방전관의 주요부 단면도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 있어서 충격성형한 형광방전관 전극의 단면도이다.

도 3은 종래의 형광방전관 전극을 구비한 형광방전관의 주요부 단면도이다.

도 4는 실시예에서의 Nb첨가량과 상대 스퍼터율과의 관계를 나타내는 그래프이다.

부호의 설명

1 : 유리관

2 : 전극

3 : 관부

4 : 단판부

5 : 도전체

6 : 도전체 위치결정용 오목부

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

본 발명의 형광방전관 전극용 합금은 합금원소로서 Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만 함유하고, 잔부 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 Ni-Nb합금이다. 2.0 % 이상, 6.0% 미만의 Nb첨가량에서는, NiNb 금속간화합물을 생성하는 일 없고, Ni와 Nb가 고용한 상태가 되기 때문에, 성형성, 가공성을 그다지 열화시키지 않고, 첨가량에 비해서는 스퍼터율을 효과적으로 저하시킬 수 있다. 즉, 2.0% 미만에서는, Nb양이 과소(過小)하고, 한편 6.0% 이상에서는, Ni-Nb합금 중에 NbNi₈ 금속간화합물이 생성하게 되기 때문에, 스퍼터율이 오히려 상승하게 됨과 아울러 성형성, 가공성이 저하하게 된다. 이 때문에, Nb양의 하한을 2.0%, 바람직하게는 3.0% 초과하게 하고, 그 상한을 6.0% 미만, 바람직하게는 5.5%로 한다.

상기 전극용 합금은 고융점의 난가공성(難加工性) 원소를 포함하지만, 순Ni와 같이 성형성, 가공성이 뛰어나므로, 대기(大氣)하에서 주조한 후, 그 주조편(鑄造片)을 대기하에서 열간압연하고, 필요에 따라 불활성 분위기하에서 소둔한 후, 냉간압연함으로써 0.1mm 정도의 시트(sheet)로 가공할 수 있다. 그리고, 필요에 따라 마무리소둔(연화(軟化)소둔)한 후, 상기 시트를 인발성형함으로써, 통(筒)형상 전극을 제조할 수 있다. 인발성형은 이후에 설명하는 충격성형에 비하여 양산성이 뛰어난 이점이 있다.

또한, 주조편을 열간압연이나 열간단조에 의해 봉재(棒材)로 가공하고, 이것을 신선(伸線)하여, 얻어진 선재(線材)를 적당한 길이로 절단하여 단축(短軸)형상소재(「슬래그(slag)」라고 함)를 얻고, 필요에 따라 마무리소둔한 후, 이것을 충격성형(냉간폐쇄단조)함으로써 통형상 전극을 얻을 수 있다. 충격성형하는 경우, 통형상 전극의 단판부의 판두께를 통형상부에 비하여 용이하게 두껍게 할 수 있고, 또한 단판부에 도전체 위치결정용의 오목부를 용이하게 일체 형성할 수 있ㅇ어 생산성이 뛰어나다.

한편, 마무리소둔은 800～950℃ 정도로 3분에서 3시간 정도 유지하면 좋다. 소둔 분위기는, Nb는 산화 및 질화하기 쉬우므로, 진공분위기 혹은 Ar 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행하는 것이 바람직하다. 상기 「800～950℃」는 800℃ 이상, 950℃ 이하를 의미한다. 이하, 「N1(숫자)～N2(숫자)」는 N1 이상, N2 이하를 의미한다.

다음에, 본 발명의 실시형태에 의한 형광방전관 및 그 전극에 대하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 의한 형광방전관의 주요부 단면도이며, 이 형광방전관은 내벽면에 형광막(8)이 형성되고, 방전용 가스(아르곤 가스 등의 희가스 및 수은증기)가 봉입된 유리관(1)과, 그 유리관(1)의 양단부에 설치된 한 쌍의 냉음극을 구 성하는 전극(2)을 구비하고 있다.

상기 전극(2)은 일단이 개방된 관부(3)와, 이 관부(3)의 일단을 폐쇄하는 단판부(4)가 일체적으로 형성되어 있다. 상기 단판부(4)에는, 급전용의 봉형상의 도전체(5)와 상기 관부(3)가 동심형상으로 배열되도록 상기 도전체(5)의 일단이 끼워 맞춤되는 도전체 위치결정용 오목부(6)가 형성되어 있다. 상기 도전체(5)는 유리관(1)의 단부를 내외에 관통하도록 밀봉되고, 유리관(1)의 안쪽의 단부가 상기 오목부(6)에 끼워 맞춰지고, 단판부(4)와의 경계 외주부(外周部)에 있어서 레이저 용접, 저항 용접, 납땜 등에 의해 용착되어 있다. 상기 유리관(1)의 외측에 위치하는, 상기 도전체(5)의 타단에는 급전용의 리드선(7)이 접속된다.

상기 단판부(4)의 두께(도전체(5)가 용착되는 부위의 두께 t)는 상기 오목부(6)을 형성함과 아울러 도전체(5)를 단판부(4)에 충분히 용착할 수 있도록, 상기 관부(3)의 관벽의 두께보다 두껍게 형성되어 있다. 소형의 형광방전관에서는, 전극(2)의 길이는 4～10mm 정도, 관부(3)의 두께는 0.08～0.2mm 정도로 형성되고, 상기 단판부(4)의 두께는 상기 관부(3)의 두께가 두꺼운 3～10배 정도로 형성된다. 한편, 단판부(4)에서의 오목부(6)의 깊이는 관부(3)의 관벽 두께 이상, 바람직하게는 관벽 두께의 2배 이상으로 하는 것이 좋고, 또한 오목부(6)의 바닥면과 관부측 내면과의 두께는 관벽의 두께 정도 이상이면 좋다.

상기 전극(2)은 상기 Ni-Nb전극용 합금으로 형성된다. 상기 Ni-Nb합금을 이용함으로써, 양호한 냉간 성형성을 가짐과 아울러, 스퍼터율을 순Ni에 비하여 저감할 수 있어, 램프수명을 향상시킬 수 있다. 이 통형상 전극은 충격성형에 의해 일 체로 형성할 수 있다.

상기 실시형태에서는, 도전체 위치결정용 오목부(6)가 단판부(4)에 일체 형성된 예를 나타냈지만, 상기 오목부(6)는 반드시 필요로 하지 않는다. 다만, 상기 오목부(6)를 형성함으로써, 도전체(5)와 전극(2)의 관부(3)가 동심형상으로 배치되므로, 상기 도전체(5)를 유리관(1)에 동심형상으로 밀봉함으로써, 전극(2)과 유리관(1)을 동심형상으로 용이하게 배치할 수 있고, 방전 상태의 불균일화를 방지할 수 있고, 방전의 안정화, 램프수명의 향상을 도모할 수 있다. 물론, 형광방전관 전극은 충격성형에 한정되지 않고, 도 3에 도시하는 바와 같이 심인발 성형에 의해 바닥이 있는 통형상으로 성형한 것이라도 좋다.

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정적으로 해석되는 것은 아니다.

실시예

표 1에 나타내는, 여러 가지의 Nb양의 Ni-Nb합금(4kg)을 진공유도로(眞空誘導爐)에서 1500℃에서 용해하고, 각 용탕(溶湯)을 사용하여 주조한 주조편을 대기중에서 1100℃에서 열간단조한 후, 압연시작 온도 1100℃로 열간압연을 행하여고, 각각의 Ni-Nb합금에 대하여 열간압연판 및 열연선재를 얻었다. 이들의 열연재는 질소 및 수소의 혼합가스(대기압) 중에서 소둔(900℃ 에서 2시간 유지)되었다. 그 후, 상기 열간압연판은 냉간압연이 실시되어, 판두께 0.15mm의 박판으로 가공되었다. 또한 상기 열연선재는 냉간신선(冷間伸線)이 실시되어, 외경 1.7mmφ의 선재로 가공되었다. 이와 같이하여 제작된 시료를 사용하여 가공성을 평가하여, 스퍼 터율을 측정하였다. 가공성은 충격성형시험, 인발성형시험(에릭센(Erichsen) 시험)에 의해 평가하였다.

충격성형시험은 상기 선재를 1.8mm의 길이의 슬래그로 절단하여, 마무리소둔(진공분위기 하, 900℃에서 2시간 유지)한 후, 이것을 이용하여 도 2에 나타낸, 내경 1.5mmφ, 외경1.7mmφ, 전장 5.4mm, 도전체 위치결정용 오목부 깊이 0.2mm의 통형상 전극을 실제로 형성함으로써 행하여졌다. 사용한 성형형(成形型)의 펀치(punch)는 외경 1.5mmφ, 선단부 개방각(角) 150°, 재질 다이스(dice) 강(鋼)(JIS규격 SKD11)이다. 한편, 다이는 내경은 1.7mmφ, 재질 초경합금(D종 6호)이다.

충격성형성의 평가는, 성형 회수가 1000번에 도달한 시점에서 다이의 파손이나 펀치의 변형이 생기지 않고, 또한 성형가능하였던 것을 AA, 500번 이상 성형가능하였지만, 1000번에 도달하기 전에 다이가 파손하고, 혹은 펀치가 변형하였기 때문에 성형할 수 없었던 것을 A, 500번에 도달하기 전에 다이가 파손하고, 혹은 펀치가 변형하였기 때문에 성형할 수 없었던 것을 B로 평가하였다. 실용적으로는 500번 이상 성형가능한 것, 즉 상기 AA 혹은 A가 바람직하다.

인발성형시험은 상기 박판을 100mm 각(角)의 크기로 절단하고, 마무리소둔(진공분위기 하, 900℃에서 2시간 유지)한 후, 이것을 이용하여 JIS B 7729, 7777에 의해 에릭센 시험을 행하였다. 에릭센 시험은 소둔판 시료에 직경 20mm의 구상(球狀) 펀치를 5～20mm /분으로, 시료표면에 균열이 발생할 때까지 압입(押入)하고, 시료표면으로부터의 균열발생시까지의 펀치 선단의 이동거리(에릭센 값이라고 함. 단위 mm)를 구하는 것이며, 에릭센 값이 10 이상이면 압축성은 양호하며, 실용상 문제가 없는 레벨(level)이다.

또한, 스퍼터율은 이하의 요령에 의해 측정되었다. 상기 Ni-Nb합금박판으로 부터 시험편(10mm×10mm)을 채취하여, 시험면을 경면(鏡面)연마하였다. 이온빔장치(Veeco회사제, 형식: VE-747)를 이용하여, 상기 시험편을 타겟(target)으로 하고, 타겟과 기판과의 사이에 전압(500V)을 인가하여, 일정시간(120분) 아르곤 이온(1.3×1o^-6Torr)을 시험면에 가속 충돌시켜, 스퍼터링하였다. 시험면에는 경면의 일부를 마스킹(masking)한 비(非)스퍼터부가 형성되어 있고, 스퍼터링후에는 스퍼터링에 의해 시험편의 경면부가 깎여진 스퍼터부와 마스킹된 비스퍼터부와의 경계에 단차(段差)가 형성된다. 이 단차를 접촉식 조도계(粗度計)(Sloan회사제, 형식: DEKTAK2A)를 이용하여 측정하고, 하기식으로부터 스퍼터율(Å/min)을 구하였다. 또한, 각 시료의 스퍼터율을 순Ni(시료 No.1)로 나눈 상대 스퍼터율을 구하였다. 이들의 측정값을 표 1에 함께 나타낸다. 또한, Nb양과 상대 스퍼터율과의 관계를 정리한 그래프를 도 1에 나타낸다.

스퍼터율 = 단차(Å)/스퍼터 시간(120분)

표 1, 도 1로부터, 발명예의 시료 No.2에서부터 No.4는 상대 스퍼터율이 96% 이하이며, Nb에 의한 양호한 스퍼터 저감효과가 인정되며, 충격성형성, 인발성형성도 실용 수준에 있다는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 도 1로부터 Nb양이 6% 초과의 시료 No.5에서부터 No.9에서는 Nb의 첨가에 의해 일단 억제된 스퍼터율이 다시 상승으로 전환되어, 오히려 스퍼터율이 악화함과 아울러 성형성도 열화하였다.

Claims

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일단이 개방된 관부(管部)와, 상기 관부의 타단을 폐쇄하는 단판부(端板部)를 구비하고, 상기 관부와 단판부가 일체적으로 형성된 형광방전관 전극으로서,

상기 형광방전관 전극이 mass%로, Nb를 2.0% 이상, 6.0% 미만 함유하고, 잔부 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전극용 합금으로 형성되며,

상기 단판부가 관부의 관벽두께보다 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 형광방전관 전극.
제3항에 있어서,

상기 단판부는 그 외측에 상기 관부와 동심형상으로 배치된 도전체 위치결정용 오목부가 설치된 것을 특징으로 하는 형광방전관 전극.
내벽면에 형광막이 형성되고, 그 내부에 방전용 가스가 봉입된 유리관과, 그 유리관의 양단부에 유리관과 동심형상, 또한 유리관의 내외에 관통형상으로 밀봉된 급전(給電)용 도전체와, 상기 유리관의 내부에 배치되고, 상기 급전용 도전체의 단부에 접속된 한 쌍의 전극을 구비한 형광방전관으로서,

상기 전극으로서 제3항 또는 제4항에 기재한 형광방전관 전극이 사용되며, 상기 전극의 단판부의 외측에 상기 급전용 도전체가 동심형상으로 용착된 것을 특징으로 하는 형광방전관.