KR101062682B1 - Process apparatus using plasma which injects and vents proocess gas through inner side wall of process chamber, and method of processing a substrate using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 내부에 일정한 반응공간을 형성하는 챔버와: 상기 챔버의 일 측벽에 형성되며, 공정가스를 분사하는 제1 분사포트와; 상기 분사포트와 대향하는 측벽에 형성되며, 배기가스를 배출하는 제1 배기포트와; 상기 챔버의 내부에 위치하며, 상면에 기판을 안치하는 서셉터와; 상기 서셉터의 상부에 위치하며, RF전력을 공급하는 RF전원과 연결되는 플라즈마 전극을 포함하는 플라즈마를 이용하는 공정장비와, 이를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 고가의 샤워헤드를 없앨 수 있고, 가스가 공급되는 공간을 최소화함으로써, 챔버 내부에 위치한 기판 표면에서의 진공 균일도를 향상시킬 뿐만 아니라, 공정가스나 세정가스를 절약할 수 있게 되므로 원가절감과 생산성향상을 도모할 수 있게 된다.
또한 본 발명에 따르면 챔버 내부에 공급되는 공정가스의 균일도를 향상시킴으로써 공정의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.The present invention provides a chamber for forming a constant reaction space therein; a first injection port formed on one sidewall of the chamber and spraying a process gas; A first exhaust port formed on a side wall facing the injection port and discharging exhaust gas; A susceptor positioned inside the chamber and for placing a substrate on an upper surface thereof; Located on top of the susceptor, there is provided a process equipment using a plasma comprising a plasma electrode connected to the RF power supply for supplying RF power, and a method of treating a substrate using the same.
According to the present invention, it is possible to eliminate expensive showerheads and to minimize the space in which gas is supplied, thereby improving vacuum uniformity on the surface of the substrate located inside the chamber, as well as saving process gas or cleaning gas. Cost reduction and productivity improvement can be achieved.
In addition, according to the present invention it is possible to improve the uniformity of the process by improving the uniformity of the process gas supplied into the chamber.
Description
본 발명은 플라즈마를 이용하는 공정장비에 관한 것으로서, 특히 공정가스를 챔버의 측벽에서 분사하고 챔버의 측벽으로 배출하는 공정장비에 관한 것이다.
The present invention relates to a process equipment using plasma, and more particularly, to a process equipment for injecting a process gas from the side wall of the chamber and discharged to the side wall of the chamber.
일반적으로 액정표시소자나 반도체 웨이퍼(이하 '기판'이라 함)를 제조하기 위해서는, 기판 상에 유전체 물질 등을 박막으로 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수 차례 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.In general, in order to manufacture a liquid crystal display device or a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate), a thin film deposition process for depositing a dielectric material or the like on a substrate as a thin film, or using a photosensitive material to expose or conceal selected areas of the thin film. The photolithography process, the etching process of removing the thin film of the selected region and patterning as desired, the washing process to remove the residue, etc. must be repeated several times. The optimal environment is carried out inside the chamber.
도 1은 이러한 기판을 제조하는 장비 중에서 플라즈마를 이용하여 박막증착을 하는 PECVD 장비의 내부구성을 개략적으로 도시한 구성도로서, 내부에 일정한 반응공간을 형성하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부에 위치하며 상면에 기판(40)을 안치하고 상하운동하는 서셉터(20)와, 서셉터(20)의 상부에서 공정가스를 분사하는 샤워헤드(70)와, 외부의 가스공급부(미도시)에 연결되어 샤워헤드(70)로 공정가스를 유입하는 가스유입관(90)과, 챔버(10) 내벽의 프레임지지대(50) 위에 위치하는 에지프레임(60)을 포함한다. 상기 서셉터(20)에는 기판을 안치하기 위해 리프트핀(미도시)이 결합된다.FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an internal configuration of a PECVD apparatus for thin film deposition using plasma among equipment for manufacturing such a substrate, and includes a
또한 플라즈마의 발생을 위해 RF전력을 공급하는 RF 전원(80)이 플라즈마전극이나 안테나에 연결되는데, 도면에서는 플라즈마 전극을 샤워헤드(70)와 일체로 형성하고, RF전력이 전극의 중심에 인가되도록 하기 위해 가스공급관(90)에 RF전원(80)을 연결하고 있다. 기판(40)에 입사하는 플라즈마의 에너지를 제어하기 위하여 서셉터(20)에도 별도의 RF전원을 인가하는 경우도 있다.In addition, an
샤워헤드(70)는 가스공급관(90)을 통해 유입된 공정가스가 분사되기 전에 샤워헤드(70) 내부에서 먼저 균일하게 확산하도록 형성된 버퍼공간(74)과, 수많은 관통홀로 구성되는 하부의 노즐부(72)를 포함한다.The
서셉터(20)에는 상면에 안치되는 기판(40)을 예열하거나 가열하기 위해 통상 내부에 히터(미도시)를 포함한다.The
이와 같은 구성을 가지는 공정챔버(10)에서 기판(40)을 공정위치까지 로딩하는 과정을 살펴보면, 먼저 로봇암(미도시)에 의해 기판(40)이 서셉터(20)의 상부에 안치되면, 서셉터(20)가 공정위치까지 상승하게 되는데 도중에 챔버 내벽의 프레임지지대(50) 위에 거치되어 있는 에지프레임(60)이 기판의 가장자리를 압착하면서 함께 상승한다. 이와 같이 서셉터(20)를 챔버의 상부로 상승시키는 이유는, 하부에 위치하는 배기구(미도시)에 의해 공정균일도에 악영향을 미치는 것을 방지하기 위해서이다.Looking at the process of loading the
기판(40)이 공정위치에 놓이면, 샤워헤드(70)를 통해 공정가스를 분사한 후, RF전력을 인가하여 공정가스를 강력한 산화력을 가지는 플라즈마 활성종으로 전이시킨다. 이 활성종이 기판(40)에 대한 박막증착 공정을 수행하게 되며, 공정 가스를 일정하게 유동시키기 위해서 공정진행 중에 챔버 하부의 배기구(30)를 통해 공정가스를 일정 유량으로 배출시키기도 한다.When the
소정 시간동안 증착 공정을 수행하고 나면, 배기구를 통해 잔류가스를 배출한 후, 서셉터(20)를 하강시키고 기판(40)을 공정챔버(10)로부터 반출하게 된다.After the deposition process is performed for a predetermined time, the residual gas is discharged through the exhaust port, and then the
그런데, 샤워헤드(70)에서 분사되는 공정가스의 균일도는 노즐부(72)의 관통홀의 크기 및 형태에 의해 좌우되므로, 관통홀은 최대한 균일하게 제작되어야 한다. 최근에는 특히 LCD 제조장비의 경우 기판(40)이 대면적화 되면서, 샤워헤드(70)의 면적이 함께 커지고 있고 따라서 관통홀도 더 많이 뚫어야 하는데, 가공 기술상 수만 개의 관통홀을 동일한 규격으로 뚫는 것이 용이하지 않을 뿐만 아니라, 가공기술의 난이도 때문에 샤워헤드(70)의 가격이 크게 상승하는 문제가 있다.However, since the uniformity of the process gas injected from the
또한 샤워헤드(70)를 이용하여 공정가스를 분사하는 경우, 하부에 형성되는 배기구(미도시)에 의해 공정에 미치는 영향을 줄이기 위해서, 서셉터를 상부의 공정위치까지 상승시켜 공정을 진행하게 되는데, 이로 인해 서셉터의 하부에 형성되는 공간으로 공정가스가 유동하여, 공정가스가 낭비되는 문제가 있다. 또한 서셉터(20)의 측벽이나 챔버(100) 내벽 등에도 플라즈마 활성종의 영향으로 불필요한 증착이 발생하게 되므로, 이를 세정하기 위해 인시튜(in-situ)세정을 하는 경우에도 세정가스가 공정챔버 전체에 공급되어야 하는 비효율적인 문제가 있다.In addition, when spraying the process gas using the
한편, 플라즈마 전극에 인가되는 RF전력은 플라즈마 전극의 표면에서 일정한 파장의 정재파를 형성하는데, 이로 인해 위치에 따라 RF전력이 불균일해지는 현상이 불가피해지며, 이러한 RF전력의 불균일은 공정균일도에 영향을 미치게 된다. 종래에는 플라즈마 전극이 정재파 파장에 비해 비교적 적은 사이즈를 가지고 있어, 이러한 영향이 무시될 수 있었지만, 최근에는 LCD 기판의 경우 그 크기가 대형화됨에 따라 이러한 영향을 고려하지 않을 수 없게 되었으므로, 이에 대한 개선방안의 마련도 시급한 실정이다.
On the other hand, the RF power applied to the plasma electrode forms a standing wave of a constant wavelength on the surface of the plasma electrode, which is inevitable phenomenon that the RF power is uneven depending on the position, this non-uniformity of the RF power affects the process uniformity Go crazy. Conventionally, since the plasma electrode has a relatively small size compared to the standing wave wavelength, such an effect can be ignored. However, in recent years, the LCD substrate has been forced to consider such an influence as the size of the LCD substrate is enlarged. The provision of urgent situation is also urgent.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정가스나 세정가스가 공급되는 공간을 최소화함으로써, 원가절감을 통한 생산성 향상을 도모하는 한편, 대면적 기판의 공정균일도를 향상시킬 수 있는 공정장비를 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention is to solve this problem, by minimizing the space supplied with the process gas or cleaning gas, to improve the productivity through cost reduction, while providing a process equipment that can improve the process uniformity of large area substrate Its purpose is to.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 반응공간을 형성하는 챔버: 상기 챔버의 제 1 측벽에 형성되며, 공정가스를 분사하는 제 1 분사포트; 상기 제 1 분사포트와 대향하는 상기 챔버의 제 2 측벽에 형성되며, 배기가스를 배출하는 제 1 배기포트; 상기 챔버의 내부에 위치하며, 상면에 기판을 안치하는 서셉터; 상기 챔버의 내벽에 설치되고 상기 서셉터에 안치되는 상기 기판의 가장자리를 압착하고 공정가스가 상기 서셉터의 하부로 누설되는 것을 방지하는 에지 프레임; 및 상기 서셉터의 상부에 위치하며, RF전력을 공급하는 RF전원과 연결되는 플라즈마 전극;을 포함하는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber for forming a reaction space: a first injection port formed on the first sidewall of the chamber and for injecting a process gas; A first exhaust port formed on a second sidewall of the chamber facing the first injection port and discharging exhaust gas; A susceptor positioned inside the chamber and for placing a substrate on an upper surface thereof; An edge frame installed on an inner wall of the chamber and compressing an edge of the substrate placed in the susceptor and preventing a process gas from leaking into the lower portion of the susceptor; And a plasma electrode positioned on the susceptor and connected to an RF power supply for supplying RF power.
상기 제 1 분사포트가 형성되는 상기 제 1 측벽에는 제 2 배기포트가 형성되고, 상기 제 1 배기포트가 형성되는 상기 제 2 측벽에는 제 2 분사포트가 형성되는플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.A second exhaust port is formed on the first sidewall on which the first injection port is formed, and a second injection port is formed on the second sidewall on which the first exhaust port is formed.
상기 제 1 및 제 2 분사포트는 서로 대칭되는 상기 제 1 및 제 2 측벽에 위치하고, 상기 제 1 및 제 2 배기포트는 서로 대칭되는 상기 제 1 및 제 2 측벽에 위치하는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The first and second injection ports are located on the first and second sidewalls symmetrical to each other, the first and second exhaust port is a process equipment using a plasma located on the first and second sidewalls symmetrical to each other. to provide.
상기 제 1 및 제 2 분사포트의 가로길이는 상기 제 1 및 제 2 분사포트와 대응되는 상기 기판의 변 길이보다 긴 플라즈마를 이용한 공정장비를 제공한다.The horizontal length of the first and second injection ports provides a process equipment using a plasma longer than the side length of the substrate corresponding to the first and second injection ports.
상기 제 1 및 제 2 분사포트 각각은 동일한 가스공급부와 연결되거나, 서로 다른 가스공급부와 연결되는 플라즈마를 이용한 공정장비를 제공한다.Each of the first and second injection ports provides a process equipment using plasma connected to the same gas supply unit or connected to different gas supply units.
상기 제 1 분사포트를 통해 공급되는 공급되는 상기 제 1 공정가스의 유량은 상기 제 2 분사포트를 통해 공급되는 상기 제 1 공정가스의 유량과 동일한 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다. The flow rate of the first process gas supplied through the first injection port provides a process equipment using the same plasma as the flow rate of the first process gas supplied through the second injection port.
상기 제 1 배기포트를 통해 배기되는 배기유량은 상기 제 2 배기포트를 통해 배기되는 배기유량과 동일한 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다. The exhaust flow rate exhausted through the first exhaust port provides a process equipment using the same plasma as the exhaust flow rate exhausted through the second exhaust port.
상기 제 1 분사포트와 상기 제 2 분사포트는 장방형의 슬릿형상인 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The first injection port and the second injection port provide a process equipment using a plasma having a rectangular slit shape.
상기 제 1 분사포트와 상기 제 2 분사포트는 다수의 분사구로 형성되고, 상기 제 1 배기포트와 상기 제 2 배기포트는 다수의 배기홀로 형성되는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The first injection port and the second injection port is formed of a plurality of injection holes, the first exhaust port and the second exhaust port provides a process equipment using a plasma formed by a plurality of exhaust holes.
상기 에지 프레임은 상기 챔버의 내벽에 고정되거나, 상기 서셉터와 함께 상승하는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The edge frame is fixed to the inner wall of the chamber, or provides a process equipment using the plasma rising with the susceptor.
상기 서셉터의 가장자리에는 상기 서셉터가 상승하였을 때, 상기 에지 프레임의 하면과 접촉하는 단차부가 형성된 플라즈마를 이용한 공정장비를 제공한다.The edge of the susceptor is provided with a process equipment using a plasma formed with a stepped portion is in contact with the bottom surface of the edge frame when the susceptor is raised.
상기 에지 프레임의 하면에는 상기 공정가스의 누설을 방지하기 위한 실링(sealing)이 형성되는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The lower surface of the edge frame provides a process equipment using a plasma is formed (sealing) is formed to prevent the leakage of the process gas.
상기 실링은 오링(O-ring)인 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The sealing provides a process equipment that uses an O-ring plasma.
상기 서셉터 또는 상기 플라즈마 전극 중 적어도 하나에는 상기 기판을 예열하기 위한 히터가 형성되는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.At least one of the susceptor or the plasma electrode is provided with a process equipment using a plasma is formed a heater for preheating the substrate.
상기 플라즈마 전극은 다수의 전극 블록으로 구성되는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.The plasma electrode provides a process equipment using a plasma composed of a plurality of electrode blocks.
상기 다수의 전극 블록에는 다수의 상기 RF 전원이 각각 연결되거나, 하나의 상기 RF 전원이 연결되는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.A plurality of the RF power is connected to each of the plurality of electrode blocks, or a process equipment using a plasma to which one of the RF power is connected.
상기 RF전원은 펄스(pulse) 파형으로 상기 플라즈마 전극에 RF전력을 공급하는 플라즈마를 이용하는 공정장비를 제공한다.
The RF power supply provides a process equipment using plasma that supplies RF power to the plasma electrode in a pulse waveform.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 반응공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버의 제 1 측벽에 형성되며, 공정가스를 분사하는 제 1 분사포트, 상기 제 1 분사포트와 대향하는 제 2 측벽에 형성되며, 배기가스를 배출하는 제 1 배기포트, 상기 챔버의 내부에 위치하며, 상면에 기판을 안치하는 서셉터, 상기 챔버의 내벽에 설치되고 상기 서셉터에 안치되는 상기 기판의 가장자리를 압착하고 공정가스가 상기 서셉터의 하부로 누설되는 것을 방지하는 에지 프레임, 및 상기 서셉터의 상부에 위치하며, RF전력을 공급하는 RF전원과 연결되는 플라즈마 전극을 포함하는 플라즈마를 이용하는 공정장비에 있어서, 상기 서셉터 위에 상기 기판을 안치하는 단계; 상기 제 1 분사포트에서 상기 공정가스를 분사하여, 상기 기판을 처리하기 위한 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제 1 배기포트로 상기 배기가스를 배기하는 단계;를 포함하는 기판의 처리방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber for forming a reaction space, a first injection port formed on a first sidewall of the chamber, and a second injection side port for injecting a process gas and a second sidewall facing the first injection port. A first exhaust port configured to discharge the exhaust gas, a susceptor positioned inside the chamber, and having a substrate placed on an upper surface thereof, and an edge of the substrate installed on an inner wall of the chamber and placed on the susceptor; And an edge frame for preventing process gas from leaking into the lower part of the susceptor, and a plasma electrode disposed on an upper part of the susceptor and connected to an RF power supply for supplying RF power. Placing the substrate on the susceptor; Injecting the process gas from the first injection port to perform a process for treating the substrate; And exhausting the exhaust gas to the first exhaust port.
상기 플라즈마를 이용하는 공정장비는 상기 제 1 분사포트가 형성되는 상기 제 1 측벽에 형성된 제 2 배기포트와 상기 제 1 배기포트가 형성되는 상기 제 2 측벽에는 형성된 제 2 분사포트를 더욱 포함하고, 상기 서셉터 위에 상기 기판을 안치하는 제 1 단계; 상기 제1 분사포트에서 상기 공정가스를 분사하여 상기 제 1 배기포트로 배기시키며 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 제 2 단계; 및 상기 제2 분사포트에서 상기 공정가스를 분사하여 상기 제 2 배기포트로 배기시키며 상기 기판을 처리하기 위한 공정을 수행하는 제 3 단계;를 더욱 포함하는 기판의 처리방법을 제공한다.The process equipment using the plasma further includes a second exhaust port formed on the first sidewall on which the first injection port is formed and a second injection port formed on the second sidewall on which the first exhaust port is formed, A first step of placing the substrate on a susceptor; A second step of injecting the process gas from the first injection port and exhausting the process gas to the first exhaust port and performing a process on the substrate; And a third step of injecting the process gas from the second injection port, exhausting the process gas to the second exhaust port, and performing a process for treating the substrate.
상기 제 3 단계 이후에, 상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계를 다시 순차적으로 반복하는 기판의 처리방법을 제공한다.After the third step, there is provided a method of treating a substrate in which the second step and the third step are sequentially repeated again.
상기 기판을 처리하기 위한 공정을 수행하는 단계는, 상기 공정가스에 연속적인 상기 RF전력을 인가하여 생성되는 연속 플라즈마를 이용하는 기판의 처리방법을 제공한다.The performing of the process for treating the substrate may provide a method of treating a substrate using a continuous plasma generated by applying the RF power continuously to the process gas.
상기 기판에 대한 공정을 수행하는 단계는, 상기 공정가스에 펄스 파형의 상기 RF전력을 공급하여 생성되는 펄스 플라즈마를 이용하는 기판의 처리방법을 제공한다.
The performing of the process on the substrate provides a method of treating a substrate using a pulsed plasma generated by supplying the RF power of a pulse waveform to the process gas.
본 발명에 따르면, 고가의 샤워헤드를 없앨 수 있고, 가스가 공급되는 공간을 최소화함으로써, 챔버 내부에 위치한 기판 표면에서의 진공 균일도를 향상시킬 뿐만 아니라, 공정가스나 세정가스를 절약할 수 있게 되므로 원가절감과 생산성향상을 도모할 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to eliminate expensive showerheads and to minimize the space in which gas is supplied, thereby improving vacuum uniformity on the surface of the substrate located inside the chamber, as well as saving process gas or cleaning gas. Cost reduction and productivity improvement can be achieved.
또한 본 발명에 따르면, 챔버 내부에 공급되는 공정가스의 균일도를 향상시킴으로써 공정의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
In addition, according to the present invention, it is possible to improve the uniformity of the process by improving the uniformity of the process gas supplied into the chamber.
도 1은 종래 PECVD 장비의 개략 구성도
도 2는 종래 PECVD 장비에서 기판이 공정위치까지 로딩된 모습을 도시한 구성도
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PECVD 장비의 구성도
도 4는 히터가 내장된 플라즈마 전극의 단면도
도 5는 도 3의 A-A선에 따른 단면도
도 6은 도 5의 분사포트 및 배기포트를 다르게 형성한 구성도
도 7은 기판에 증착되는 박막의 두께를 도시한 그래프
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PECVD 장비의 구성도
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 전극의 평면도
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PECVD 장비에서 기판이 공정위치까지 로딩된 모습을 도시한 구성도1 is a schematic configuration diagram of a conventional PECVD equipment
2 is a block diagram showing a state in which the substrate is loaded to the process position in the conventional PECVD equipment
3 is a block diagram of a PECVD apparatus according to a first embodiment of the present invention
4 is a cross-sectional view of a plasma electrode with a heater built therein;
5 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3.
6 is a configuration diagram in which the injection port and the exhaust port of FIG. 5 are formed differently;
7 is a graph showing the thickness of a thin film deposited on a substrate.
8 is a block diagram of a PECVD apparatus according to a second embodiment of the present invention
9 is a plan view of a plasma electrode according to a second embodiment of the present invention;
10 is a configuration diagram showing a state in which the substrate is loaded to the process position in the PECVD apparatus according to the first embodiment of the present invention
이하에서는 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 또한 본 발명의 실시예는 챔버 내부에서 공정가스를 분사한 후 이를 플라즈마 상태로 여기시켜, 기판에 대한 공정을 수행하는 PECVD장비나 에처(Etcher) 등에 관한 것으로서 LCD 제조장비뿐만 아니라 반도체 제조장비에도 적용될 수 있는 것이다. 따라서 이하에서 언급하는 기판은 유리기판 뿐만 아니라 반도체 웨이퍼도 포함하는 것이며, 설명의 편의를 위해 이하에서는 PECVD 장비를 예를 들어 설명하기로 한다.
Hereinafter, with reference to the drawings will be described a preferred embodiment of the present invention; In addition, the embodiment of the present invention relates to a PECVD equipment or an etcher (Etcher) for performing a process for a substrate by injecting the process gas into the plasma state after the injection of the process gas in the chamber as well as LCD manufacturing equipment as well as semiconductor manufacturing equipment It can be. Therefore, the substrate mentioned below includes not only a glass substrate but also a semiconductor wafer, and for the convenience of description, the following description will be made using PECVD equipment as an example.
본 발명의 실시예는 기본적으로 공정을 수행하는 챔버 측벽의 분사포트에서 공정가스를 분사하고, 반대편 측벽의 배기포트로 배기가스를 배출하는 장비에 관한 것이며, 예상되는 공정 불균일을 해소하기 위하여 후술하는 다양한 방안을 제시하고 있다.
Embodiment of the present invention basically relates to the equipment for injecting the process gas from the injection port of the chamber side wall to perform the process, and exhaust gas to the exhaust port of the opposite side wall, which will be described later to solve the expected process unevenness Various ways are suggested.
1. 제1 실시예1. First embodiment
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PECVD 장비의 구성을 도시한 것으로서, 분사포트와 배기포트를 대칭적으로 구성하는 것을 특징으로 하고 있으며, 구체적으로는 내부에 일정한 반응공간을 형성하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내부에 위치하며, 상면에 기판(200)이 안치되는 서셉터(110)와, 상기 서셉터(110)이 상부에 위치하는 플라즈마 전극(140)과, 상기 플라즈마 전극(140)에 연결되어 챔버(100) 내부에 RF전력을 인가하는 RF전원(150)과, 챔버(100)의 내벽에 위치하며 서셉터(110)에 안치된 기판(200)의 가장자리를 압착하는 에지프레임(120)과, 챔버(100)의 제1 측벽에 형성되는 제1 분사포트(132)와, 제1 분사포트(132)의 하부에 위치하는 제2 배기포트(164)와, 상기 제1 분사포트(132)의 대향하는 제2 측벽에 형성되는 제2 분사포트(134)와, 상기 제2 분사포트(134)의 하부에 위치하는 제1 배기포트(162)를 포함한다. FIG. 3 illustrates a configuration of a PECVD apparatus according to a first embodiment of the present invention, wherein the injection port and the exhaust port are symmetrically configured, and specifically, a chamber for forming a constant reaction space therein. 100, a
상기 에지 프레임(120)은 챔버(100)의 내벽에 고정되는 것이 바람직한데, 이는 제1 및 제2 분사포트(132, 134)를 통해 분사되는 공정가스가 서셉터(110)의 하부 공간으로 누설되는 것을 방지하여, 공정가스를 절약하기 위함이다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니므로, 종래 방식처럼 에지 프레임(120)이 기판(200)의 가장자리를 압착한 채 상승하도록 구성할 수도 있다.The
에지 프레임(120)을 고정 설치하는 경우에는 누설을 방지하기 위하여, 서셉터(110)의 가장자리에 단차부(112)를 형성하여, 서셉터(110)가 상승하였을 때 상기 에지 프레임(120)의 하면과 상기 단차부(112)가 접하도록 하는 것이 바람직하다. 보다 기밀을 유지하기 위해서는 에지 프레임(120)의 하면에 실링(sealing)을 형성하는 것이 바람직하며, 실링수단으로는 오링(O-ring) 등을 예상할 수 있다.In the case where the
도 4는 히터(170)가 내장된 플라즈마 전극(140)을 개략적으로 도시한 것이다. 종래의 장비는 통상적으로 서셉터(110)에만 히터를 내장하고 있어 기판(200)을 하부에서만 가열하고 있으나, 이와 같이 기판(200)의 상부에 위치한 플라즈마 전극(140)에 내장된 히터(170)를 통해서도 예열할 수 있도록 하면, 공정속도나 공정 균일도를 보다 향상시킬 수 있기 때문이다. 도면은 플라즈마 전극(140)의 내부에 히터(170)가 내장된 것을 도시하고 있으나, 이에 한하는 것은 아니므로 외면에 부착될 수도 있다.4 schematically illustrates a
도 3에서는 제1 분사포트(132)와 제2 분사포트(134)의 하부에 제2 배기포트(164)와 제1 배기포트(162)가 각 위치하는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니므로 제1 및 제2 분사포트(132,134)와 제1 및 제2 배기포트(162,164)의 상하 위치는 달라질 수 있다. 그러나 이 경우에도 제1 및 제2 분사포트(132, 134) 각각과 제1 및 제2 배기포트(162, 164) 각각은 서로 대칭적인 위치에 동일한 모양으로 형성되는 것이 바람직하다.In FIG. 3, although the
상기 제1 및 제2 분사포트(132, 134)는 도 3의 A-A선에 따른 단면을 도시한 도 5와 같이, 챔버(100) 측벽에 장방형의 긴 슬릿으로 형성하거나, 도 6과 같이 다수의 분사구로 형성할 수 있는데, 어떠한 형상을 가지든지 간에 분사되는 공정가스가 기판(200) 전체를 커버할 수 있도록, 제1 및 제2 분사포트(132, 134)의 가로길이는 인접한 기판(200)의 변보다는 길어야 한다.
The first and
제1 및 제2 배기포트(162,164)의 형상도 도 5 또는 도 6과 같이 장방형의 슬릿이나 다수의 배기홀로 형성할 수 있다. 도면에서는 제1 및 제2 배기포트(162, 164)와 제1 및 제2 분사포트(132, 134)가 동일한 형상으로 도시되어 있으나, 제1 분사포트(132)와 제2 분사포트(134)를 서로 대칭적으로 형성하고, 제1 배기포트(162)와 제2 배기포트(164)를 서로 대칭적으로 형성하기만 하면 무방하므로, 제1 및 제2 배기포트(162, 164)와 제1 및 제2 분사포트(132, 134)의 각 형상이 반드시 동일할 필요는 없다.The shapes of the first and
상기 제1 및 제2 분사포트(132,134)는 챔버(100) 외부의 가스공급부(미도시)에 연결되는데, 제1 및 제2 분사포트(132, 134) 각각이 동일한 가스공급부에 연결될 수도 있고 별개 설치된 가스공급부에 각 연결될 수도 있으나, 제1 및 제2 분사포트(132,134) 각각과 가스공급부의 사이에는 유량조절장치(미도시)를 설치하여 제1 및 제2 분사포트(132,134)에서 공급되는 가스유량이 동일하도록 제어하는 것이 바람직하다.The first and
제1 및 제2 배기포트(162,164)도 챔버(100) 외부의 배기펌프(미도시)에 연결되는데, 제1 및 제2 배기포트(162,164)의 배기유량을 같게 할 필요가 있으므로, 제1 및 제2 배기포트(162,164) 각각 마다 배기펌프(미도시)를 설치하여 제1 및 제2 배기포트(162,164)를 통과하는 가스의 유량을 정밀하게 제어하는 것이 바람직하다.The first and
이와 같이 제1 및 제2 분사포트(132,134)와 제1 및 제2 배기포트(162,164)를 대칭적으로 형성하는 이유는 다음과 같다. The reason why the first and
제1 분사포트(132)로부터 분사된 공정가스는 인가되는 RF전력에 의해 제1 분사포트(132)의 근처에서 활성종으로 여기되어, 기판(200) 위에 증착되는 한편 제1 배기포트(162)를 향해 유동하게 되므로, 제1 분사포트(132)로부터 멀어질수록 공정에 기여한 만큼 활성종이 감소하게 된다.The process gas injected from the
따라서 제1 분사포트(132)에서 공정가스를 분사하는 경우 기판(200)에 증착되는 박막의 두께는 제1 분사포트(132)로부터 멀어질수록 선형적으로 얇아지게 되며, 이는 제2 분사포트(134)에서 공정가스를 분사하는 경우에도 마찬가지이다.
Therefore, when the process gas is injected from the
즉 박막두께와 제1 및 제2 분사포트(132, 134) 각각으로부터의 거리는 도 7과 같이 반비례하는 관계가 성립하는데, Y1은 제2 분사포트(134)로부터 가스를 분사하는 경우 기판(200)에 증착되는 박막의 두께를 도시한 것이고, Y2는 제1 분사포트(132)로부터 가스를 분사하는 경우 기판(200)에 증착되는 박막의 두께를 도시한 것이다. That is, the thin film thickness and the distance from each of the first and
제1 및 제2 분사포트(134, 134)로부터의 공정가스가 분사되는 거리를 X라 하고, 박막두께 Y1, Y2와 X의 관계를 식으로 나타내 보면,When the distance from which the process gas is injected from the first and
Y1 = (Ymin-Ymax)*X/L + Ymax Y 1 = (Y min -Y max ) * X / L + Y max
Y2 = (Ymax-Ymin)*X/L + Ymin Y 2 = (Y max -Y min ) * X / L + Y min
이므로, 제1 분사포트(132)로부터 공정가스를 분사한 후, 동일 시간동안 동일 유량을 반대편의 제2 분사포트(134)로부터 분사하면, 최종적으로 기판(200)에 증착되는 박막의 두께는 아래와 같다.Therefore, after injecting the process gas from the
Y = Y1 + Y2 = Ymax + Ymin = 일정Y = Y 1 + Y 2 = Y max + Y min = constant
즉, 서로 대칭적인 제1 및 제2 분사포트(132, 134)를 통해 동일 유량의 공정가스를 동일 시간동안 교대로 분사하게 되면, 기판(200) 전체에서 균일한 박막을 형성할 수 있게 되는 것이다.
That is, when alternately spraying process gases of the same flow rate through the first and
2. 제2 실시예2. Second Embodiment
도 8은 본 발명의 제2 실시예를 도시한 것으로서, 분사포트의 대칭여부에 관계없이 적용될 수 있다. 제1 실시예의 경우를 도시하고 있는 도 3과 대비하면 전체 장비 중에서 RF전력이 인가되는 다수의 플라즈마 전극(142,144,146,148)과 다수의 RF전원(152, 154, 156, 158)을 제외한 나머지 부분은 동일하므로, 차이가 나는 부분에 대해서만 설명한다.8 shows a second embodiment of the present invention, and can be applied regardless of whether the injection port is symmetrical. Compared to FIG. 3 illustrating the case of the first embodiment, since the remaining portions except for the plurality of
챔버(100)의 상면에 위치한 플라즈마 전극은 제1, 제2, 제3, 및 제4 전극 블록(142,144,146,148)으로 분할되고, 제1 내지 제4 전극 블록(142, 144, 146, 148)마다 제1, 제2, 제3, 및 제4 RF전원(152, 154, 156, 158)이 각 연결되어 있다.The plasma electrode disposed on the upper surface of the
이와 같이 플라즈마 전극을 제1 내지 제4 전극블록(142, 144, 146, 148)으로 분할함으로써, 상술한 정재파로 인한 위치에 따른 RF전력의 편차가 최소화되어, 대면적 기판에서의 공정 균일도를 향상시킬 수 있게 된다. 한편 상기와 같이 플라즈마 전극을 다수의 전극 블록으로 분할하는 경우, RF전력은 각 전극 블록에 동시에 인가될 수도 있고, 공정에 따라서는 순차적으로 인가될 수도 있다. 또한 도면에서는 각 플라즈마 전극마다 RF전원을 인가하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니므로 하나의 RF전원에 다수의 전극블록을 연결할 수도 있다.By dividing the plasma electrode into the first to fourth electrode blocks 142, 144, 146, and 148 as described above, the variation of RF power according to the position due to the standing wave is minimized, thereby improving process uniformity on a large area substrate. You can do it. On the other hand, when the plasma electrode is divided into a plurality of electrode blocks as described above, RF power may be applied to each electrode block at the same time, depending on the process may be applied sequentially. In addition, in the drawing, RF power is applied to each plasma electrode. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of electrode blocks may be connected to one RF power source.
도 9는 이와 같이 분할된 제1, 제2, 제3, 및 제4 플라즈마 전극(142,144,146,148)의 평면을 도시한 것으로서, 4개의 직사각 형상의 전극 블록을 도시하고 있다. 플라즈마 전극을 이와 같이 세로방향으로 분할하지 않고, 가로방향으로 분할하여도 무방함은 물론이다.
FIG. 9 illustrates the planes of the divided first, second, third, and
3. 제3 실시예3. Third embodiment
본 발명의 제3 실시예는 다수의 플라즈마 전극(140,142,144,146,148)에 인가되는 RF전력을 펄스(pulse)파 형태로 인가하는 방법을 제시하고 있다. 이러한 펄스파는 다수의 플라즈마 전극에 연결되는 RF전원을 일정 주기로 온/오프 시키거나, 별도의 펄스파 발생기를 연결함으로써 실현할 수 있으므로, 펄스파를 공급하는 RF전원(150, 152, 154, 156, 158)에 대해서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.The third embodiment of the present invention proposes a method of applying RF power applied to the plurality of
펄스파를 이용하는 이유는, 본 발명과 같이 챔버(100) 측벽의 제1 및 제2 분사포트(132,134)로부터 공정가스를 분사하고 연속적인 RF전력을 인가하면, 공정가스는 분사되자마자 활성종으로 여기되어 기판에 대한 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행하게 되므로, 증착공정의 경우 박막두께가 제1 및 제2 분사포트(132,134)에 가까운 쪽이 두껍고, 제1 및 제2 배기포트(162,164)쪽으로 갈수록 선형적으로 얇아지는 불균일 현상이 나타나게 되는데, 이를 방지하기 위한 것이다.The reason for using the pulse wave is that when the process gas is injected from the first and
설명의 편의를 위해 공정가스가 RF전력에 의해 활성종으로 여기되는 이온화율 또는 해리율을 100%라고 가정하고, RF전력이 연속적으로 공급된다면, 공정가스는 제1 및 제2 분사포트(132,134)로부터 분사된 직후 모두 활성종으로 전이되어 기판에 대한 공정을 수행하고, 잔류 활성종이 제1 및 제2 배기포트(162,164)까지 유동하면서 지속적으로 공정을 수행하게 되므로, 제1 및 제2 배기포트(162,164) 쪽으로 갈수록 활성종의 밀도가 작아지게 된다.For convenience of explanation, it is assumed that the ionization rate or dissociation rate at which the process gas is excited to the active species by the RF power is 100%, and if the RF power is continuously supplied, the process gas is supplied to the first and
이러한 활성종의 밀도차이는 제1 및 제2 분사포트(132,134)에서 제1 및 제2 배기포트(162,164)까지 기판에 대한 공정율이 선형적으로 감소하게 되는 결과를 초래하게 된다.The difference in density of the active species results in a linear decrease in the process rate for the substrate from the first and
그런데 펄스파 형태의 RF전력을 인가하게 되면, 플라즈마가 일정 주기로 발생과 소멸을 반복하게 되는데, 플라즈마가 발생한 순간에는 활성종에 의해 증착 또는 에칭 등의 공정이 진행되고 플라즈마가 소멸한 순간에는 공정이 중지되고 공정가스의 유동만 존재하는 상태가 된다. However, when the pulsed RF power is applied, the plasma is repeatedly generated and disappeared at a predetermined cycle. When the plasma is generated, a process such as deposition or etching is performed by active species, and the process is performed when the plasma is extinguished. It is stopped and only the flow of process gas exists.
기판(200)상의 일 지점을 기준으로 살펴보면, 플라즈마가 소멸되면 제1 및 제2 분사포트(132, 134) 쪽으로부터 활성종으로 여기되지 않은 공정가스가 유입되게 되므로, 공정 가스의 밀도를 전체적으로 균일하게 형성할 수 있게 된다.As a reference to one point on the
다른 관점으로 설명하면 공정가스가 분사되는 즉시 활성종으로 여기시키지 않고, 일정 시간동안 반대편 배기포트쪽으로 많이 유동한 후에 RF전력을 인가하면, 공정가스가 챔버(100) 내부에 균일하게 분사된 상태에서 활성종으로 여기되므로, 연속 플라즈마에 의한 공정 불균일을 크게 개선시킬 수 있게 되는 것이다.In other terms, if RF power is applied after a large amount of flow to the opposite exhaust port for a predetermined time, instead of exciting the active gas immediately after the process gas is injected, the process gas is uniformly injected into the
이와 같이 펄스 플라즈마를 이용하게 되면, 본 발명의 제1 실시예에서 제시하고 있는 바와 같이 챔버(100) 측벽에 대칭적인 제1 및 제2 분사포트(132,134)를 형성하지 않고, 일 측벽에만 분사포트를 설치하여도 공정 균일도를 충분히 확보할 수 있다는 장점이 있다.
As such, when the pulsed plasma is used, as shown in the first embodiment of the present invention, the injection ports are not formed on the side walls of the
이와 같은 PECVD 장비에서 기판(200)에 대한 공정이 수행되는 과정을 도 3을 참고로 하여 설명하면 다음과 같다. 이때 챔버(100)의 내벽에는 에지 프레임(120)이 고정 설치되고, 에지 프레임(120)의 하면에는 오링(122)이 형성되는 경우를 예를 들어 설명한다.Referring to FIG. 3, a process of performing a process for the
먼저 기판(200)이 반입되어 서셉터(110)의 상면에 안치된 다음 공정위치까지 서셉터(110)가 상승한다. 이때 도 10과 같이 서셉터(110) 가장자리의 단차부(112)가 에지 프레임(120)의 하면에 접하고, 에지 프레임(120)이 서셉터(110)의 상면에 안치된 기판의 가장자리를 압착하면서 서셉터(110)가 정지한다. 따라서 챔버(100)의 천정부 및 측벽과 서셉터(110)로 둘러싸인 밀폐된 반응공간이 형성된다. 챔버(100) 내부로 분사되는 공정가스는 상기 반응공간에서만 유동하게 되므로, 종전 방식에 비해 가스사용량을 크게 줄일 수 있게 된다.First, the
다음에 제1 분사포트(132)와 제1 배기포트(162)가 열리고, 공정가스가 제1 분사포트(132)로부터 챔버(100) 내부로 분사되어 반대편의 제1 배기포트(162)로 배출되게 한다. 이 과정에서 플라즈마전극(150)을 통해 RF전력이 인가되어 공정가스를 활성종으로 여기시키며, 이 활성종이 기판(200)위에서 증착공정을 수행하게 된다.Next, the
다음에, 제1 분사포트(132)와 제1 배기포트(162)를 닫고, 제2 분사포트(134)와 제2 배기포트(164)를 열어 제2 분사포트(134)로부터 공정가스를 챔버 내부로 2차 분사하여 증착공정을 수행하게 되면, 상술한 바와 같이 기판 전체에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있게 된다. 물론 이때 제1 분사포트(132)와 제2 분사포트(134)에서 분사되는 가스유량 및 분사시간이 동일하여야 하고, 제1 배기포트(162)와 제2 배기포트(164)를 통해 배기되는 배기유량도 동일하여야 한다.Next, the
이와 같이 제1,2 분사포트(132,134)를 통해 교대로 공정가스를 분사하여 증착하는 과정을 1회만 수행할 수도 있고, 이러한 과정을 수회 내지 수십회 반복할 수도 있는데, 많이 반복할수록 박막의 균일도가 증가할 것이다.As described above, the process of alternately spraying the process gas through the first and
증착공정이 이와 같이 서셉터(110) 상부의 밀페된 공간에서만 수행되기 때문에 서셉터(110) 측면이나 챔버(100)의 하부 측벽 등에 불필요한 증착이 일어나지 않으므로, 플라즈마를 이용하여 챔버(100) 내부를 인시튜(in-situ) 세정하는 때에도, 세정가스를 크게 절약할 수 있는 효과가 있다.Since the deposition process is performed only in the sealed space above the
한편 도 8과 같이 다수의 전극블록(142,144,146,148)과 다수의 RF전원(152, 154, 156, 158)을 포함하는 경우에는, 각 RF전력을 각 전극블록에 동시에 인가하거나, 시차를 두어 순차적으로 인가할 수도 있고, RF전력을 펄스파로 인가하게 되면, 공정가스의 균일도를 향상시켜 전체공정의 균일도를 크게 향상시킬 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.On the other hand, when the plurality of electrode blocks 142, 144, 146, 148 and a plurality of RF power source (152, 154, 156, 158) as shown in FIG. 8, each RF power is applied to each electrode block at the same time or sequentially applied with a time difference If the RF power is applied as a pulse wave, as described above, the uniformity of the process gas may be improved to greatly improve the uniformity of the entire process.
한편 이상에서는 PECVD 장비를 이용하여 기판(200)에 증착공정을 수행하는 경우에 대하여 설명하고 있으나, 에칭 등과 같이 플라즈마를 이용하는 다른 공정에도 동일하게 적용할 수 있음은 물론이다.
Meanwhile, the case in which the deposition process is performed on the
100 : 챔버 110 : 서셉터
112 : 단차부 120 : 에지 프레임
122 : 오링(O-ring) 132 : 제1 분사포트
134 : 제2 분사포트 140 : 플라즈마전극
142, 144, 146, 148 : 제1, 2, 3, 4 전극 블록
150 : RF전원 152, 154, 156, 158 : 제1, 2, 3, 4 RF전원
162 : 제1 배기포트 164 : 제2 배기포트
170 : 히터 200 : 기판100
112: stepped portion 120: edge frame
122: O-ring 132: first injection port
134: second injection port 140: plasma electrode
142, 144, 146, and 148: first, second, third and fourth electrode blocks
150:
162: first exhaust port 164: second exhaust port
170: heater 200: substrate
Claims (8)
상기 챔버의 제 1 측벽에 형성되며, 공정가스를 분사하는 제 1 분사포트;
상기 제 1 분사포트와 대향하는 상기 챔버의 제 2 측벽에 형성되며, 배기가스를 배출하는 제 1 배기포트;
상기 챔버의 내부에 위치하며, 상면에 기판을 안치하는 서셉터;
상기 챔버의 내벽에 설치되고 상기 서셉터가 공정위치로 상승했을 때 상기 서셉터에 안치되는 상기 기판의 가장자리를 압착하고 기밀을 유지하여 공정가스가 상기 서셉터의 하부로 누설되는 것을 방지하고, 상기 서셉터가 하강했을 때 상기 서셉터와 분리되는 에지 프레임; 및
상기 서셉터의 상부에 위치하며, RF전력을 공급하는 RF전원과 연결되는 플라즈마 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
Chamber forming reaction space:
A first injection port formed on the first sidewall of the chamber and injecting a process gas;
A first exhaust port formed on a second sidewall of the chamber facing the first injection port and discharging exhaust gas;
A susceptor positioned inside the chamber and for placing a substrate on an upper surface thereof;
When installed on the inner wall of the chamber and when the susceptor is raised to the process position, the edge of the substrate placed in the susceptor is pressed and kept airtight to prevent the process gas from leaking to the lower portion of the susceptor, An edge frame separated from the susceptor when a susceptor is lowered; And
A plasma electrode positioned on the susceptor and connected to an RF power supply for supplying RF power;
Process equipment using a plasma comprising a.
상기 제 1 분사포트가 형성되는 상기 제 1 측벽에는 제 2 배기포트가 형성되고, 상기 제 1 배기포트가 형성되는 상기 제 2 측벽에는 제 2 분사포트가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
The method of claim 1,
A second exhaust port is formed on the first sidewall on which the first injection port is formed, and a second injection port is formed on the second sidewall on which the first exhaust port is formed. .
상기 에지 프레임은 상기 챔버의 내벽에 고정되거나, 상기 서셉터와 함께 상승하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
The method of claim 1,
The edge frame is fixed to the inner wall of the chamber, or the process equipment using the plasma, characterized in that rising with the susceptor.
상기 서셉터의 가장자리에는 상기 서셉터가 상승하였을 때, 상기 에지 프레임의 하면과 접촉하는 단차부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 공정장비.
The method of claim 1,
The step of contacting the lower surface of the edge frame when the susceptor is raised, the edge of the susceptor is characterized in that the process equipment using the plasma.
상기 에지 프레임의 하면에는 상기 공정가스의 누설을 방지하기 위한 실링(sealing)이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
The method of claim 1,
Process equipment using a plasma, characterized in that the sealing (sealing) is formed on the lower surface of the edge frame to prevent the leakage of the process gas.
상기 실링은 오링(O-ring)인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
The method of claim 5, wherein
The sealing process equipment using a plasma, characterized in that the O-ring (O-ring).
상기 서셉터 또는 상기 플라즈마 전극 중 적어도 하나에는 상기 기판을 예열하기 위한 히터가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.
The method of claim 1,
At least one of the susceptor or the plasma electrode is provided with a heater for preheating the substrate.
상기 RF전원은 펄스(pulse) 파형으로 상기 플라즈마 전극에 RF전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하는 공정장비.The method of claim 1,
The RF power is a plasma processing equipment using a plasma, characterized in that for supplying RF power to the plasma electrode in a pulse (pulse) waveform.
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