KR101697970B1 - Plasma processing apparatus and method for cleaning chamber using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 대면적 기판에 대한 플라즈마 공정을 수행하기 위한 챔버의 세정 효율을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 챔버 세정 방법에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재; 상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원; 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및 상기 전극부에 제 2 RF 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a plasma processing apparatus capable of improving a cleaning efficiency of a chamber for performing a plasma process on a large area substrate, and a chamber cleaning method using the same, the plasma processing apparatus including a chamber for providing a processing space; A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate; A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space; A first high frequency power supply for supplying a first RF power to the gas injection member; An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And a second RF power supply for supplying a second RF power to the electrode unit.
Description
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 대면적 기판에 대한 플라즈마 공정을 수행하기 위한 챔버의 세정 효율을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 챔버 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of improving a cleaning efficiency of a chamber for performing a plasma process on a large area substrate, and a chamber cleaning method using the plasma processing apparatus.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자(Semiconductor Device), 평판 디스플레이 소자(Flat Panel Display Device) 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 회로 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 영역의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display device or the like, a predetermined circuit pattern must be formed on the surface of the substrate, A thin film deposition process for depositing a thin film, a photo process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film in an exposed region.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 플라즈마 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a plasma processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.
플라즈마 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치 및 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.Plasma processing apparatuses include a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film by using plasma, and a plasma etching apparatus for patterning a thin film by etching.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general plasma processing apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 플라즈마 처리 장치는 챔버(10), 챔버 리드(Chamber Lid; 20), 기판 지지부재(30), 가스 분사부재(40), 및 고주파 전원(50)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general plasma processing apparatus includes a
챔버(10)는 상부가 개구된 상자 형태로 형성되어 플라즈마 공정을 위한 공정 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면에는 공정 공간의 가스를 배기시키기 위한 배기관(12)이 접속된다.The
챔버 리드(20)는 공정 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치되어 가스 분사부재(40)를 지지한다.The
기판 지지부재(30)는 챔버(10)의 내부에 승강 가능하도록 설치되어 외부로부터 로딩되는 기판(S)을 지지한다. 이러한 기판 지지부재(30)는 챔버(10)의 바닥면을 관통하는 승강축(32)에 의해 승강 가능하게 지지됨과 아울러 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The
가스 분사부재(140)는 챔버 리드(120)의 중앙 부분을 관통하는 가스 공급관(142)에 연통되도록 챔버 리드(20)의 하부에 설치된다. 이러한, 가스 분사부재(40)는 가스 공급관(42)을 통해 공급되는 플라즈마 공정을 위한 공정 가스를 기판(S) 상에 분사한다.The
고주파 전원(50)은 가스 공급관(42)에 전기적으로 접속되어 소정의 주파수를 가지는 RF(Radio Frequency) 전력을 생성한다. 이러한, 고주파 전원(50)은 가스 공급관(42)을 통해 RF 전력을 가스 분사부재(40)에 공급함으로써 공정 공간, 즉 기판 지지부재(30)와 가스 분사부재(40) 사이에 전기장을 형성한다.The high
이와 같은, 일반적인 플라즈마 처리 장치는 기판(S)을 기판 지지부재(30)에 로딩시킨 다음, 가스 분사부재(40)를 통해 챔버(10)의 공정 공간에 공정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사부재(40)에 RF 전력을 공급하여 공정 공간에 플라즈마를 형성함으로써 공정 가스를 이온화시키거나 여기시켜 기판(S) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.Such a general plasma processing apparatus loads the substrate S into the
한편, 일반적인 플라즈마 처리 장치에서는 플라즈마 공정 이후에 챔버 내부의 반응 부산물이 챔버(10)의 외부로 배기되지 않고, 챔버(10)의 내부에 부착되어 기판(S)이 오염되는 것을 방지하기 위하여, 플라즈마 공정 이후에 챔버(10)의 내부를 세정하는 챔버 세정 공정을 추가로 수행하게 된다.On the other hand, in the general plasma processing apparatus, in order to prevent the reaction by-products in the chamber from being exhausted to the outside of the
챔버 세정 공정은 공정 가스 대신에 부식성이 강한 세정 가스를 이용한 플라즈마 공정을 수행함으로써 플라즈마 이온(Ion)이나 라디칼(Radical)을 이용하여 챔버(10)의 내부를 세정하게 된다.In the chamber cleaning process, a plasma process using a highly corrosive cleaning gas is performed in place of a process gas, thereby cleaning the interior of the
그러나, 일반적인 플라즈마 처리 장치의 챔버 세정 공정은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the chamber cleaning process of a general plasma processing apparatus has the following problems.
첫째, 가스 분사부재(40)에 공급되는 RF 전력에 의해 챔버(10)의 공정 공간에 형성되는 플라즈마의 형성 공간에 제한이 있기 때문에 세정 가스의 유입과 확산 및 배기의 경로에 따라 공간적 또는 거리적으로 먼 챔버(10)의 내측면(A)에서 불완전한 세정이 이루어져 세정 효율이 낮다는 문제점이 있다.First, because there is a limitation on the formation space of the plasma formed in the process space of the
둘째, 상술한 불완전한 세정을 해결하기 위해서는 세정 가스의 유량을 증가시킴과 동시에 RF 전력을 증가시키고, 챔버 내부의 압력을 조절하는 등의 부가적인 방법이 필요하다는 문제점이 있다.Second, in order to solve the above-mentioned incomplete cleaning, there is a problem that an additional method such as increasing the flow rate of the cleaning gas and increasing the RF power and controlling the pressure inside the chamber is required.
셋째, 챔버 세정 시간의 증가와 세정 주기가 단축되어 생산성이 저하된다는 문제점이 있다.Third, there is a problem in that the increase in the chamber cleaning time and the cleaning cycle are shortened and the productivity is lowered.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대면적 기판에 대한 플라즈마 공정을 수행하기 위한 챔버의 세정 효율을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 챔버 세정 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is a technical object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of improving a cleaning efficiency of a chamber for performing a plasma process on a large area substrate and a chamber cleaning method using the plasma processing apparatus .
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재; 상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원; 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및 상기 전극부에 제 2 RF 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber for providing a processing space; A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate; A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space; A first high frequency power supply for supplying a first RF power to the gas injection member; An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And a second RF power supply for supplying a second RF power to the electrode unit.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재; 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및 상기 가스 분사부재와 상기 전극부에 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber for providing a processing space; A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate; A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space; An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And a power supply unit for supplying power to the gas injection member and the electrode unit.
상기 전원 공급부는 상기 챔버 내부의 세정 공정시 상기 가스 분사부재와 상기 전극부에 전기적으로 병렬 접속되어 상기 가스 분사부재와 상기 전극부 각각에 RF(Radio Frequency) 전력을 공급하는 것을 특징으로 한다.The power supply unit is electrically connected in parallel to the gas injection member and the electrode unit during a cleaning process inside the chamber, and supplies RF (Radio Frequency) power to each of the gas injection member and the electrode unit.
상기 전원 공급부는 상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원; 및 상기 전극부에 제 2 RF 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the power supply unit includes: a first high frequency power supply for supplying a first RF power to the gas injection member; And a second RF power supply for supplying a second RF power to the electrode unit.
상기 전원 공급부는 상기 가스 분사부재에 RF 전력을 공급하는 고주파 전원; 및 상기 전극부에 직류 전력을 공급하는 직류 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The power supply unit includes a high frequency power supply for supplying RF power to the gas injection member; And a DC power supply for supplying DC power to the electrode unit.
상기 전극부는 상기 기판 지지부재의 측면에 인접한 상기 챔버의 내측면에 설치된 것을 특징으로 한다.And the electrode portion is provided on the inner surface of the chamber adjacent to the side surface of the substrate support member.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면을 완전히 두르도록 설치된 것을 특징으로 한다.And the electrode unit is installed so as to completely surround the inner surface of the chamber.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면의 각 모서리 부분에 설치된 것을 특징으로 한다.And the electrode portion is provided at each corner of the inner surface of the chamber.
상기 플라즈마 처리 장치는 상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내부의 가스를 배기하는 배기구를 더 포함하며, 상기 전극부의 면적은 상기 배기구에 인접할수록 작은 것을 특징으로 한다.The plasma processing apparatus may further include an exhaust port installed in the chamber and exhausting gas inside the chamber, wherein an area of the electrode portion is smaller as the exhaust port is closer to the exhaust port.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면에 오목하게 형성된 전극 삽입 홈; 상기 전극 삽입 홈에 절연되도록 설치된 전극; 상기 전극 삽입 홈에 대응되는 상기 챔버의 내측면에 형성된 케이블 관통부; 및 상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전원 공급부로부터의 전력을 상기 전극에 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the electrode portion includes an electrode insertion groove formed concavely in an inner surface of the chamber; An electrode insulated from the electrode insertion groove; A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode insertion groove; And a cable which penetrates the cable penetration portion and is electrically connected to the electrode, and supplies power from the power supply portion to the electrode.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치되어 소정 두께로 돌출된 전극; 상기 전극에 대응되는 상기 챔버의 내측면 또는 상기 챔버의 바닥면에 형성된 케이블 관통부; 및 상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전원 공급부로부터의 전력을 상기 전극에 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The electrode portion being insulated from the inner surface of the chamber and protruding to a predetermined thickness; A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode or a bottom surface of the chamber; And a cable which penetrates the cable penetration portion and is electrically connected to the electrode, and supplies power from the power supply portion to the electrode.
상기 전극부는 상기 챔버의 외측벽으로부터 돌출되는 돌출부; 상기 돌출부에 대응되는 상기 챔버의 내측면으로부터 오목하게 형성된 전극 삽입 홈; 상기 전극 삽입 홈에 절연되도록 설치된 전극; 상기 전극 삽입 홈에 대응되는 상기 챔버의 내측면에 형성된 케이블 관통부; 및 상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전원 공급부로부터의 전력을 상기 전극에 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the electrode portion includes: a protrusion protruding from an outer wall of the chamber; An electrode insertion groove recessed from an inner surface of the chamber corresponding to the protrusion; An electrode insulated from the electrode insertion groove; A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode insertion groove; And a cable which penetrates the cable penetration portion and is electrically connected to the electrode, and supplies power from the power supply portion to the electrode.
상기 전극부는 상기 전극 전체를 감싸도록 형성되어 상기 챔버 벽과 상기 전극을 전기적으로 절연시키는 제 1 절연체; 및 상기 케이블 전체를 감싸도록 형성되어 상기 케이블 관통부와 상기 케이블을 전기적으로 절연시키는 제 2 절연체를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The electrode unit may include a first insulator formed to surround the entire electrode and electrically insulate the chamber wall from the electrode. And a second insulator formed to surround the entire cable so as to electrically insulate the cable penetration portion and the cable.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 챔버의 세정 방법은 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재; 상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원; 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및 상기 전극부에 제 2 RF 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하여 구성되는 플라즈마 처리 장치의 챔버 세정 방법에 있어서, 상기 가스 분사부재를 통해 상기 공정 공간에 상기 세정 가스를 분사하는 단계; 및 상기 보조 전극부에 상기 제 2 RF 전력을 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chamber cleaning method comprising: a chamber for providing a processing space; A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate; A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space; A first high frequency power supply for supplying a first RF power to the gas injection member; An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And a second RF power supply for supplying a second RF power to the electrode unit, the method comprising the steps of: injecting the cleaning gas into the process space through the gas injection member; And supplying the second RF power to the auxiliary electrode unit.
상기 챔버 세정 방법은 상기 가스 분사부재에 상기 제 1 RF 전력을 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 RF 전력은 상기 제 2 RF 전력과 동일하거나 높은 주파수를 가지는 것을 특징으로 한다.The chamber cleaning method may further include supplying the first RF power to the gas injection member, wherein the first RF power has a frequency equal to or higher than the second RF power.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 챔버의 세정 방법은 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재; 상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및 상기 가스 분사부재와 상기 전극부에 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하여 구성되는 플라즈마 처리 장치의 챔버 세정 방법에 있어서, 상기 가스 분사부재를 통해 상기 공정 공간에 상기 세정 가스를 분사하는 단계; 및 상기 전극부에 RF 전력 또는 직류 전력을 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chamber cleaning method comprising: a chamber for providing a processing space; A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate; A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space; An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And a power supply unit for supplying power to the gas injection member and the electrode unit, the method comprising: injecting the cleaning gas into the process space through the gas injection member; And supplying RF power or DC power to the electrode unit.
상기 챔버 세정 방법은 상기 가스 분사부재에 상기 RF 전력과 동일하거나 높은 주파수를 가지는 RF 전력을 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The chamber cleaning method may further include supplying RF power having a frequency equal to or higher than the RF power to the gas injection member.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 챔버의 세정 방법은 플라즈마 공정을 위한 챔버 내부의 세정 방법에 있어서, 상기 챔버에 설치된 가스 분사부재를 통해 상기 챔버에 마련된 공정 공간에 세정 가스를 공급하는 단계; 및 상기 챔버의 내측면과 상기 가스 분사부재 사이로 유동되는 세정 가스를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a chamber, the method comprising: supplying a cleaning gas to a process space provided in the chamber through a gas injection member installed in the chamber; step; And changing the cleaning gas flowing between the inner surface of the chamber and the gas injection member.
상기 챔버 세정 방법은 제 1 RF 전력을 생성하는 단계; 및 상기 제 1 RF 전력을 상기 가스 분사부재에 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The chamber cleaning method includes generating a first RF power; And supplying the first RF power to the gas injection member.
상기 세정 가스를 변화시키는 단계는 상기 제 1 RF 전력과 동일하거나 낮은 주파수를 가지는 제 2 RF 전력을 생성하는 단계; 및 상기 제 2 RF 전력을 상기 챔버의 내측면에 설치된 전극에 공급하여 상기 챔버의 내측면에 인접한 영역에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Wherein the changing the cleaning gas includes generating a second RF power having a frequency equal to or lower than the first RF power; And supplying the second RF power to an electrode provided on an inner surface of the chamber to form a plasma in a region adjacent to the inner surface of the chamber.
상기 세정 가스를 변화시키는 단계는 직류 전력을 생성하는 단계; 상기 직류 전력을 상기 챔버의 내측면에 설치된 전극에 직류 전력을 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The step of varying the cleaning gas may include generating DC power; And supplying DC power to the electrode provided on the inner side surface of the chamber.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 챔버 세정 방법은 챔버의 내측면에 전극부를 설치하여 플라즈마 처리 공정 이후에 수행되는 챔버 세정 공정시 전극부를 이용하여 챔버의 내측면에 인접한 영역에 플라즈마를 형성함으로써 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the plasma processing apparatus and the chamber cleaning method using the plasma processing apparatus according to the present invention are characterized in that the electrode unit is provided on the inner surface of the chamber, and the electrode unit is used in a region adjacent to the inner surface of the chamber during the chamber cleaning process performed after the plasma processing. The following effects can be obtained by forming a plasma.
첫째, 챔버의 내측면에 인접한 영역을 통과하는 비활성화된 성분들을 재활성화시켜 세정 가스의 분해율을 증가시킴으로써 챔버의 내측면에서도 완전한 세정을 수행할 수 있기 때문에 세정 효율을 증가시킬 수 있다.First, by increasing the decomposition rate of the cleaning gas by reactivating the deactivated components passing through the region adjacent to the inner side of the chamber, it is possible to increase the cleaning efficiency since it is possible to perform complete cleaning even on the inner side of the chamber.
둘째, 세정 효율이 증가되므로 챔버 세정 시간을 감소시킴과 아울러 챔버 세정 주기를 증가시켜 생산성을 증가시킬 수 있다.Second, since the cleaning efficiency is increased, the chamber cleaning time can be reduced and the chamber cleaning period can be increased to increase the productivity.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 제 1 실시 예에 따른 전극부의 설치 구조를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 제 2 실시 예에 따른 전극부의 설치 구조를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 도 2에 도시된 제 3 실시 예에 따른 전극부의 설치 구조를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 전극부의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 챔버 세정 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 전극부의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 10에 도시된 전극부의 다른 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 전극부의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general plasma processing apparatus.
2 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3A and 3B are views for schematically explaining an installation structure of the electrode unit according to the first embodiment shown in FIG.
4A and 4B are views for schematically explaining an installation structure of the electrode unit according to the second embodiment shown in FIG.
5A and 5B are views for schematically explaining an installation structure of the electrode unit according to the third embodiment shown in FIG.
FIG. 6 is a view for schematically explaining the configuration of the electrode unit shown in FIG. 2. FIG.
7 is a schematic view for explaining a chamber cleaning method using the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
8 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
10 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
11 is a view for schematically explaining the configuration of the electrode unit shown in FIG.
12 is a view for schematically explaining another configuration of the electrode unit shown in FIG.
13 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
14 is a view for schematically explaining the configuration of the electrode portion shown in Fig.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.2 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110), 챔버 리드(120), 기판 지지부재(130), 가스 분사부재(140), 전원 공급부(150), 및 전극부(160)를 포함하여 구성된다.2, the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a
챔버(110)는 상부가 개구된 상자 형태로 형성되어 플라즈마 공정을 위한 공정 공간을 제공한다. 이때, 챔버(110)의 일측 바닥면에는 공정 공간의 가스를 배기시키기 위한 배기관(112)이 접속된다.The
챔버 리드(120)는 공정 공간을 밀폐하도록 챔버(110)의 상부에 설치되어 가스 분사부재(140)를 지지한다.The
기판 지지부재(130)는 챔버(110)의 내부에 승강 가능하도록 설치되어 외부로부터 로딩되는 기판(S)을 지지한다. 이러한, 기판 지지부재(130)는 챔버(110)의 바닥면을 관통하는 승강축(132)에 의해 승강 가능하게 지지됨과 아울러 승강축(132)을 통해 전기적으로 접지된다.The
승강축(132)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(132)은 챔버(10)의 바닥면에 설치된 벨로우즈(미도시)의 내부에 설치된다. 이에 따라, 승강축(132)이 관통하는 챔버(110)의 바닥면은 벨로우즈에 의해 밀봉된다.The lifting
가스 분사부재(140)는 챔버 리드(120)의 중앙 부분을 관통하는 가스 공급관(142)에 연통되도록 챔버 리드(120)의 하부에 설치된다. 이러한, 가스 분사부재(140)는 가스 공급관(142)을 통해 공급되는 플라즈마 공정을 위한 공정 가스 또는 플라즈마 세정 공정을 위한 세정 가스를 균일하게 확산시켜 기판 지지부재(130) 쪽으로 분사한다. 이때, 공정 가스는 기판(S) 상에 형성될 박막에 대응되는 물질로 이루어지고, 세정 가스는 부식성이 강한 SF6 또는 NF3 등과 같은 활성종이 될 수 있다. 여기서, 세정 가스는 He, N2, Ar 등의 운반가스를 포함할 수 있다.The
전원 공급부(150)는 가스 공급관(142)을 통해 가스 분사부재(140)에 전기적으로 접속됨과 아울러 전극부(160)에 전기적으로 접속된다. 이때, 전원 공급부(150)는 가스 분사부재(140)와 전극부(160)에 전기적으로 병렬 접속된다. 이를 위해, 전원 공급부(150)는 고주파 전원(152), 제 1 전원 케이블(153), 및 제 2 전원 케이블(155)을 포함하여 구성된다.The
고주파 전원(152)은 소정의 주파수를 가지는 RF(Radio Frequency) 전력을 생성한다. 여기서, RF 전력은 13.56MHz의 주파수를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 크기에 따라 달라질 수 있다.The
제 1 전원 케이블(153)은 고주파 전원(152)에 전기적으로 접속됨과 아울러 가스 공급관(142)을 통해 가스 분사부재(140)에 전기적으로 접속되어 고주파 전원(152)으로부터 공급되는 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급한다. 이때, 제 1 전원 케이블(153)은 RF 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다.The
제 2 전원 케이블(155)은 고주파 전원(152)에 전기적으로 접속됨과 아울러 전극부(160)에 전기적으로 접속되어 고주파 전원(152)으로부터 공급되는 RF 전력을 전극부(160)에 공급한다. 이때, 제 2 전원 케이블(155)은 RF 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다.The
한편, 제 2 전원 케이블(155)에는 전원 스위치가 설치될 수 있다. 전원 스위치는 스위칭에 따라 고주파 전원(152)으로부터 출력되는 RF 전력을 전극부(160)에 공급하거나, 고주파 전원(152)으로부터 전극부(160)에 공급되는 RF 전력을 차단한다.On the other hand, the
제 1 및 제 2 전원 케이블(153, 155) 각각에는 정합부재(미도시)가 설치될 수 있다. 정합부재 각각은 고주파 전원(152)으로부터 출력되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.Each of the first and
전극부(160)는 챔버(110)의 내측면에 절연되도록 설치되어 제 2 전원 케이블(155)을 통해 고주파 전원(152)에 전기적으로 접속된다. 이때, 전극부(160)는 기판 지지부재(130)의 측면에 인접한 챔버(110)의 내측면에 설치된다. 여기서, 전극부(160)는 기판(S) 상에 박막을 형성하는 플라즈마 공정 동안 전극으로 동작할 수 있지만, 챔버 세정 공정시에만 제한적으로 사용되는 것이 바람직하다. 이러한, 전극부(160)는 기판(S)이 기판 지지부재(130)에서 언로딩된 이후, 고주파 전원(152)으로부터 공급되는 RF 전력에 따라 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 챔버 세정 공정을 위한 플라즈마를 형성함으로써, 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역을 통과하는 세정 가스의 흐름을 제어하여 챔버(110)의 벽 하부 및 하부 벽에 부착된 반응 부산물을 제거하게 된다. 즉, 전극부(160)는 RF 전력에 따라 플라즈마를 형성함으로써 가스 분사부재(140)에 의해 공급되는 RF 전력에 따른 플라즈마에 의해 해리된 활성종이 챔버(110) 내에서 이동 중 재결합 등으로 인해 비활성화된 성분들을 재활성화시켜 세정 가스의 분해율을 증가시킨다.The
제 1 실시 예에 따른 전극부(160)는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 챔버(110)의 내측면을 완전히 두르도록 설치될 수 있다. 이때, 전극부(160)는 챔버(110)의 바닥면으로부터 소정 간격 이격된 챔버(110)의 내측면의 제 1 높이와 기판 지지부재(130)의 높이에 대응되는 챔버(110)의 내측면의 제 2 높이 사이에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 챔버(110)의 바닥면의 챔버(110)의 내측면으로부터 상기의 제 2 높이 사이에 형성될 수도 있다.The
제 2 실시 예에 따른 전극부(160)는, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 챔버(110)의 내측면의 각 모서리 부분에 설치될 수 있다. 이때, 각 모서리 부분에 설치된 전극부(160)는 챔버(110)의 중심부를 기준으로 대칭 구조를 갖는다. 여기서, 각 모서리 부분에 설치된 전극부(160)는 고주파 전원(152)에 공통적으로 접속되어 고주파 전원(152)으로부터 RF 전력을 공급받는다.The
제 3 실시 예에 따른 전극부(160)는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 챔버(110)의 중심부를 기준으로 비대칭 구조를 가지도록 챔버(110)의 내측면의 각 모서리 부분에 설치된다. 이때, 전극부(160)는 배기구(112)에 인접할수록 작은 면적으로 갖는다. 여기서, 각 모서리 부분에 설치된 전극부(160)는 고주파 전원(152)에 공통적으로 접속되어 고주파 전원(152)으로부터 RF 전력을 공급받는다.5A and 5B, the
상술한 제 1 내지 제 3 실시 예에 따른 전극부(160)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 전극 삽입 홈(161), 전극(162), 제 1 절연체(163), 케이블 관통부(164), 및 제 2 절연체(166)를 포함하여 구성된다.6, the
전극 삽입 홈(161)은 챔버(110)의 내측면에 소정 깊이를 가지도록 오목하게 형성된다.The
전극(162)은 케이블(155)과 전기적으로 접속되도록 전극 삽입 홈(161)에 절연되도록 삽입된다. 이때, 전극(162)의 전면은 공정 공간으로 노출되어 기판 지지부재(130)의 측면에 대향된다. 이러한, 전극(162)은 공정 가스 또는 세정 가스의 분사 조건, 배기 조건에 대응되도록 판 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 전극(162)은 전극 삽입 홈(161) 또는 챔버(110)의 내측면에 형합되는 형태를 갖거나, 굽혀질 수 있도록 유연성을 가질 수 있다.The
제 1 절연체(163)는 전극 삽입 홈(161)과 전극(162) 사이에 형성되어 전극(162) 전체를 감싸도록 형성되어 전극(162)을 챔버(110)로부터 전기적으로 절연시킴과 아울러 전극(162)의 전면이 공정 공간으로 노출되지 않도록 한다. 여기서, 제 1 절연체(163)는 소정 두께를 가지도록 전극(162) 전체에 코팅될 수 있다. 이때, 제 1 절연체(163)의 각 측면과 전극 삽입 홈(161) 사이에는 소정의 갭이 존재할 수도 있다.The
케이블 관통부(164)는 전극 삽입 홈(161)에 연통되도록 챔버(110)의 내측면에 형성된다. 이러한, 케이블 관통부(164)에는 전극(162)과 고주파 전원(152)을 전기적으로 접속시키는 제 2 전원 케이블(155)이 관통한다.The
제 2 절연체(166)는 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(164) 사이에 형성되어 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(164)를 전기적으로 절연시킨다. 이때, 제 2 절연체(166)는 제 1 절연체(163)와 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 다른 재질로 형성될 수도 있다.The
한편, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 케이블 관통부(164)를 실링하는 실링 수단(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있다.The plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention may further include a sealing means (not shown) for sealing the
실링 수단(미도시)은 제 2 전원 케이블(155)이 관통하는 케이블 관통부(164)와 챔버(110) 사이를 실링하여 챔버(110) 내부의 기밀을 유지시킨다.The sealing means (not shown) seals between the
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 기판(S)을 기판 지지부재(130)에 로딩시킨 다음, 가스 분사부재(140)를 통해 챔버(110)의 공정 공간에 공정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사부재(140)에 RF 전력을 공급하여 공정 공간에 플라즈마를 형성함으로써 기판(S) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.The plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention loads the substrate S to the
그리고, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 공정 이후 기판 지지부재(130)에서 기판(S)이 제거되면 챔버(110) 내부의 세정 공정을 수행하게 된다.The plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention performs a cleaning process inside the
챔버 세정 공정은, 도 7에 도시된 바와 같이, 공정 가스 대신에 부식성이 강한 세정 가스를 가스 분사부재(140)에 공급한 후, 고주파 전원(152)에 의해 생성되는 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급함과 아울러 고주파 전원(152)에 의해 생성되는 RF 전력을 전극부(160)에 공급함으로써 가스 분사부재(140)에 공급되는 RF 전력에 의한 제 1 플라즈마(P1)를 챔버(110)의 공정 공간에 형성함과 동시에 전극부(160)의 전극(162)에 공급되는 RF 전력에 의한 제 2 플라즈마(P2)를 챔버(110) 하부 내측면에 인접한 영역에 형성한다. 이에 따라, 챔버(110)의 내부는 제 1 및 제 2 플라즈마에 따라 생성되는 플라즈마 이온(Ion)이나 라디칼(Radical)에 의해 완전하게 세정된다.The chamber cleaning step is a step of supplying a cleaning gas with high corrosiveness instead of the process gas to the
따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 챔버 세정 방법은 플라즈마 처리 공정 이후에 수행되는 챔버 세정 공정시 챔버(110)의 내측면에 설치된 전극부(160)를 이용하여 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 제 2 플라즈마를 형성함으로써 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역을 통과하는 비활성화된 성분들을 재활성화시켜 세정 가스의 분해율을 증가시킨다. 즉, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버 리드(120) 쪽에 주 전극부, 예컨데 가스 분사부재(140)가 설치되고, 챔버(110)의 하부 내측면에 전극부(160)가 설치되어 있어서 챔버(110)의 내측면 쪽으로 가스 흐름을 보다 원활하게 하여 챔버(110)의 내측면에 대한 세정 효율을 증가시킨다.Therefore, in the plasma processing apparatus and the chamber cleaning method according to the first embodiment of the present invention, in the chamber cleaning process performed after the plasma processing process, the
결과적으로, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110)의 하부 모서리 부분에 인접한 영역에 플라즈마 형성하여 챔버(110)의 내측면에서도 완전한 세정을 수행할 수 있기 때문에 세정 효율을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 챔버 세정 시간을 감소시킴과 아울러 챔버 세정 주기를 증가시켜 생산성을 증가시킬 수 있다.As a result, the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention can perform a complete cleaning even on the inner surface of the
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.8 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110), 챔버 리드(120), 기판 지지부재(130), 가스 분사부재(140), 전원 공급부(250), 및 전극부(260)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예는 전원 공급부(250)를 제외하고는 도 2 내지 도 6에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.Referring to FIG. 8, the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention includes a
전원 공급부(250)는 제 1 고주파 전원(252), 제 1 전원 케이블(153), 제 2 고주파 전원(254), 및 제 2 전원 케이블(155)을 포함하여 구성된다.The
제 1 고주파 전원(252)은 소정의 제 1 주파수를 가지는 제 1 RF 전력을 생성한다. 제 1 RF 전력은 13.56MHz의 주파수를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 크기에 따라 달라질 수 있다.The first
제 1 전원 케이블(153)은 제 1 고주파 전원(252)에 전기적으로 접속됨과 아울러 가스 공급관(142)을 통해 가스 분사부재(140)에 전기적으로 접속되어 제 1 고주파 전원(252)으로부터 공급되는 제 1 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급한다. 이때, 제 1 전원 케이블(153)은 제 1 RF 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다.The first
제 1 전원 케이블(153)에는 정합부재(미도시)가 설치될 수 있다. 정합부재 각각은 제 1 고주파 전원(252)으로부터 출력되는 제 1 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The
제 2 고주파 전원(254)은 소정의 제 2 주파수를 가지는 제 2 RF 전력을 생성한다. 제 2 RF 전력은 제 1 RF 전력보다 낮은 제 2 주파수를 가지며, 예를 들어, 대략 400㎑의 주파수를 가질 수 있다. 그리고, 제 2 RF 전력의 크기는 수십 W 내지 수 ㎾이 될 수 있다. The second
제 2 전원 케이블(155)은 제 2 고주파 전원(254)에 전기적으로 접속됨과 아울러 전극부(160)의 전극(162)에 전기적으로 접속되어 제 2 고주파 전원(254)으로부터 공급되는 제 2 RF 전력을 전극(162)에 공급한다. 이때, 제 2 전원 케이블(155)은 제 2 RF 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다. 이에 따라, 전극부(160)는 제 2 고주파 전원(254)으로부터 공급되는 제 2 RF 전력을 이용하여, 도 7에 도시된 바와 같이, 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 제 2 플라즈마를 형성함으로써 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역을 통과하는 비활성화된 성분들을 재활성화시켜 세정 가스의 분해율을 증가시킨다.The
제 2 전원 케이블(155)에는 정합부재(미도시)가 설치될 수 있다. 정합부재 각각은 제 2 고주파 전원(254)으로부터 출력되는 제 2 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The
또한, 제 2 전원 케이블(155)에는 전원 스위치가 설치될 수 있다. 전원 스위치는 스위칭에 따라 제 2 고주파 전원(254)으로부터 출력되는 제 2 RF 전력을 전극(162)에 공급하거나, 제 2 고주파 전원(254)으로부터 전극(162)에 공급되는 제 2 RF 전력을 차단한다.Further, the
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 챔버 세정 공정시, 부식성이 강한 세정 가스를 가스 분사부재(140)에 공급한 후, 제 1 고주파 전원(252)에 의해 생성되는 제 1 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급함과 아울러 제 2 고주파 전원(254)에 의해 생성되는 제 2 RF 전력을 전극부(160)에 공급함으로써 제 1 RF 전력에 의한 제 1 플라즈마(P1)를 챔버(110)의 공정 공간에 형성함과 동시에 제 2 RF 전력에 의한 제 2 플라즈마(P2)를 챔버(110) 하부 내측면에 인접한 영역에 형성한다. 이에 따라, 챔버(110)의 내부는 제 1 및 제 2 플라즈마에 따라 생성되는 플라즈마 이온(Ion)이나 라디칼(Radical)에 의해 완전하게 세정된다.In the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention as described above, after the cleaning gas with high corrosiveness is supplied to the
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 챔버 세정 방법은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일하게 챔버(110)의 내측면에 대한 세정 효율을 증가시킴으로써 챔버(110)의 세정 효율을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 챔버 세정 시간을 감소시킴과 아울러 챔버 세정 주기를 증가시켜 생산성을 증가시킬 수 있다.Accordingly, the plasma processing apparatus and the chamber cleaning method according to the second embodiment of the present invention increase the cleaning efficiency of the inner surface of the
도 9는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 9 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110), 챔버 리드(120), 기판 지지부재(130), 가스 분사부재(140), 전원 공급부(350), 및 전극부(260)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 3 실시 예는 전원 공급부(350)를 제외하고는 도 8에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.9, a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention includes a
전원 공급부(350)는 고주파 전원(352), 제 1 전원 케이블(153), 직류 전원(354), 및 제 2 전원 케이블(155)을 포함하여 구성된다.The
고주파 전원(352)은 소정의 주파수를 가지는 RF 전력을 생성한다. RF 전력은 13.56MHz의 주파수를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 크기에 따라 달라질 수 있다.The
제 1 전원 케이블(153)은 고주파 전원(352)에 전기적으로 접속됨과 아울러 가스 공급관(142)을 통해 가스 분사부재(140)에 전기적으로 접속되어 고주파 전원(352)으로부터 공급되는 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급한다. 이때, 제 1 전원 케이블(153)은 RF 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다.The
제 1 전원 케이블(153)에는 정합부재(미도시)가 설치될 수 있다. 정합부재 각각은 고주파 전원(352)으로부터 출력되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The
직류 전원(354)은 소정의 전압을 가지는 직류 전력을 생성한다.The
제 2 전원 케이블(155)은 직류 전원(354)에 전기적으로 접속됨과 아울러 전극부(160)의 전극(162)에 전기적으로 접속되어 직류 전원(354)으로부터 공급되는 직류 전력을 전극(162)에 공급한다. 이때, 제 2 전원 케이블(155)은 직류 전력이 공급되는 급전선, 및 급전선을 감싸도록 형성된 절연 피복을 포함하여 구성될 수 있다. 이에 따라, 전극부(160)는 직류 전원(354)으로부터 공급되는 직류 전력을 이용하여 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역(챔버 벽과 기판 지지부재(130) 사이)을 통과하는 세정 가스의 흐름을 보다 원활하게 제어함으로써 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 대한 세정 효율을 증가시킨다.The
또한, 제 2 전원 케이블(155)에는 전원 스위치가 설치될 수 있다. 전원 스위치는 스위칭에 따라 직류 전원(354)으로부터 출력되는 직류 전력을 전극(162)에 공급하거나, 직류 전원(354)으로부터 전극(162)에 공급되는 직류 전력을 차단한다.Further, the
이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 챔버 세정 공정시, 부식성이 강한 세정 가스를 가스 분사부재(140)에 공급한 후, 고주파 전원(352)에 의해 생성되는 RF 전력을 가스 분사부재(140)에 공급함과 아울러 직류 전원(354)에 의해 생성되는 직류 전력을 전극부(160)에 공급함으로써 RF 전력에 의한 플라즈마를 챔버(110)의 공정 공간에 형성함과 동시에 직류 전력에 따라 챔버(110) 하부 내측면에 인접한 영역을 통과하는 세정 가스의 흐름을 보다 원활하게 한다.In the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, after the cleaning gas with high corrosiveness is supplied to the
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 챔버 세정 방법은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일하게 챔버(110)의 내측면에 대한 세정 효율을 증가시킴으로써 챔버(110)의 세정 효율을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 챔버 세정 시간을 감소시킴과 아울러 챔버 세정 주기를 증가시켜 생산성을 증가시킬 수 있다.Accordingly, the plasma processing apparatus and the chamber cleaning method according to the second embodiment of the present invention increase the cleaning efficiency of the inner surface of the
도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.10 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110), 챔버 리드(120), 기판 지지부재(130), 가스 분사부재(140), 전원 공급부(252, 254), 및 전극부(260)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예는 전극부(260)를 제외하고는 도 8에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.10, a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention includes a
전극부(260)는 챔버(110)의 내측면에 절연되도록 설치되어 전원 공급부의 제 2 고주파 전원(254)으로부터 공급되는 제 2 RF 전력을 이용하여 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 플라즈마의 형성을 위한 전기장을 형성한다. 이를 위해, 전극부(260)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 전극(262), 제 1 절연체(263), 케이블 관통부(264), 및 제 2 절연체(266)를 포함하여 구성된다.The
전극(262)은 챔버(110)의 내측면에 절연되도록 소정 두께로 설치되어 기판 지지부재(130)에 대향된다. 이러한, 전극(262)은 공정 가스 또는 세정 가스의 분사 조건, 배기 조건에 대응되도록 판 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 전극(262)은 챔버(110)의 내측면과 동일한 형태를 갖거나, 굽혀질 수 있도록 유연성을 가질 수 있다.The
한편, 전극(262)은 챔버(110)의 내측면에 소정 두께를 가지도록 설치되기 때문에 그 두께가 지나치게 두꺼울 경우 챔버(110)의 내측면과 기판 지지부재(130) 사이를 통과하는 공정 가스 또는 세정 가스의 흐름을 방해할 수 있다. 전극(262)의 두께는 가스의 흐름을 방해하지 않는 범위 내에서 최대한 얇게 설정되는 것이 바람직하다.Since the
제 1 절연체(263)는 챔버(110)의 내측면과 전극(262) 사이에 설치되어 전극(262) 전체를 감싸도록 형성되어 전극(262)을 챔버(110)로부터 전기적으로 절연시킴과 아울러 전극(262)의 전면이 공정 공간으로 노출되지 않도록 한다. 여기서, 제 1 절연체(263)는 소정 두께를 가지도록 전극(262) 전체에 코팅될 수 있다.The
한편, 전극(262)과 제 1 절연체(263)는 하나의 자켓 전극으로 구성되는 것으로, 자켓 전극은 별도의 고정수단(미도시)에 의해 챔버(110)의 내측면에 설치될 수 있다.Meanwhile, the
케이블 관통부(264)는 전극(262)의 하측부에 대응되도록 챔버(110)의 바닥면에 형성된다. 이러한, 케이블 관통부(264)에는 전극(262)과 제 2 고주파 전원(254)을 전기적으로 접속시키는 제 2 전원 케이블(155)이 관통한다.The
한편, 케이블 관통부(264)는, 도 12에 도시된 바와 같이 전극(262)의 중앙부에 대응되도록 챔버(110)의 내측면에 형성될 수도 있다. 이러한, 케이블 관통부(264)에는 전극(262)과 제 2 고주파 전원(254)을 전기적으로 접속시키는 제 2 전원 케이블(155)이 관통한다.The
제 2 절연체(266)는 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(264) 사이에 형성되어 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(264)를 전기적으로 절연시킨다. 이때, 제 2 절연체(266)는 제 1 절연체(263)와 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 다른 재질로 형성될 수도 있다.The
한편, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 케이블 관통부(264)를 실링하는 실링 수단(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있다.Meanwhile, the plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention may further include a sealing means (not shown) for sealing the
실링 수단(미도시)은 제 2 전원 케이블(155)이 관통하는 케이블 관통부(264)와 챔버(110) 사이를 실링하여 챔버(110) 내부의 기밀을 유지시킨다.The sealing means (not shown) seals between the
이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110) 내벽에 소정 두께를 가지는 전극부(260)를 설치함으로써 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 챔버(110) 벽의 두께에 구속받지 않고 전극부(260)를 구성할 수 있다는 효과를 더 제공할 수 있다.The plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention provides the same effect as the first embodiment of the present invention by providing the
한편, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치에서 전원 공급부는 2개의 고주파 전원(252, 254)을 포함하도록 구성되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 고주파 전원(152)으로 구성되거나, 도 9에 도시된 바와 같이, 하나의 고주파 전원(352)과 하나의 직류 전원(354)으로 구성될 수 있다.Meanwhile, in the plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, the power supply unit includes two high-
도 13은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.13 is a schematic view for explaining a plasma processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110), 챔버 리드(120), 기판 지지부재(130), 가스 분사부재(140), 전원 공급부(250), 및 전극부(360)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 5 실시 예는 전극부(360)를 제외하고는 도 8에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.13, a plasma processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention includes a
전극부(360)는 챔버(110)의 내측면에 절연되도록 설치되어 제 2 고주파 전원(254)으로부터 공급되는 제 2 RF 전력을 이용하여 챔버(110)의 내측면에 인접한 영역에 플라즈마의 형성을 위한 전기장을 형성한다. 이를 위해, 전극부(360)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 돌출부(367), 전극 삽입 홈(361), 전극(362), 제 1 절연체(363), 케이블 관통부(364), 및 제 2 절연체(366)를 포함하여 구성된다.The
돌출부(367)는 챔버(110)의 외측벽으로부터 돌출된다.The
전극 삽입 홈(361)은 돌출부(367)에 대응되는 챔버(110)의 내측면으로부터 소정 깊이를 가지도록 오목하게 형성된다.The electrode insertion groove 361 is recessed to have a predetermined depth from the inner surface of the
전극(362)은 케이블(365)과 전기적으로 접속되도록 전극 삽입 홈(361)에 절연되도록 삽입된다. 이때, 전극(362)의 전면은 공정 공간으로 노출되어 기판 지지부재(130)의 측면에 대향된다. 이러한, 전극(362)은 공정 가스 또는 세정 가스의 분사 조건, 배기 조건에 대응되도록 판 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 전극(362)은 전극 삽입 홈(361) 또는 챔버(110)의 내측면에 형합되는 형태를 갖거나, 굽혀질 수 있도록 유연성을 가질 수 있다.The
한편, 전극(362)은 챔버(110)의 내측면에 형성된 전극 삽입 홈(361)에 삽입되기 때문에, 챔버(110)의 내측면과 기판 지지부재(130) 사이를 통과하는 공정 가스 또는 세정 가스의 흐름을 방해하지 않는다.Since the
제 1 절연체(363)는 전극 삽입 홈(361)과 전극(362) 사이에 형성되어 전극(362) 전체를 감싸도록 형성되어 전극(362)을 챔버(110)로부터 전기적으로 절연시킴과 아울러 전극(362)의 전면이 공정 공간으로 노출되지 않도록 한다. 여기서, 제 1 절연체(363)는 소정 두께를 가지도록 전극(362) 전체에 코팅될 수 있다. 이때, 제 1 절연체(363)의 각 측면과 전극 삽입 홈(361) 사이에는 소정의 갭이 존재할 수도 있다.The
케이블 관통부(364)는 전극 삽입 홈(361)에 연통되도록 챔버(110)의 내측면에 형성된다. 이러한, 케이블 관통부(364)에는 전극(362)과 제 2 고주파 전원(254)을 전기적으로 접속시키는 제 2 전원 케이블(155)이 관통한다.The cable penetration portion 364 is formed on the inner surface of the
제 2 절연체(366)는 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(364) 사이에 형성되어 제 2 전원 케이블(155)과 케이블 관통부(364)를 전기적으로 절연시킨다. 이때, 제 2 절연체(366)는 제 1 절연체(363)와 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 다른 재질로 형성될 수도 있다.The
한편, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 케이블 관통부(364)를 실링하는 실링 수단(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있다.The plasma processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention may further include a sealing means (not shown) for sealing the cable penetration portion 364.
실링 수단(미도시)은 제 2 전원 케이블(155)이 관통하는 케이블 관통부(364)와 챔버(110) 사이를 실링하여 챔버(110) 내부의 기밀을 유지시킨다.The sealing means (not shown) seals between the cable penetration portion 364 through which the
이와 같은, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(110)의 외벽에 돌출부(367)를 형성함과 아울러 돌출부(367)에 전극 삽입 홈(361)을 형성하고, 전극 삽입 홈(361)에 전극부(360)를 삽입하여 설치함으로써 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 챔버(110) 벽의 두께에 구속받지 않고 전극부(360)를 구성할 수 있다는 효과를 더 제공할 수 있다.In the plasma processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention, the
한편, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치에서 전원 공급부는 2개의 고주파 전원(252, 254)을 포함하도록 구성되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 고주파 전원(152)으로 구성되거나, 도 9에 도시된 바와 같이, 하나의 고주파 전원(352)과 하나의 직류 전원(354)으로 구성될 수 있다.Meanwhile, in the plasma processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention, the power supply unit includes two high
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
110: 챔버 120: 챔버 리드
130: 기판 지지부재 140: 가스 분사부재
150, 250, 359: 전원 공급부 152, 252, 254, 352: 고주파 전원
160, 260, 360: 전극부 162, 262, 362: 전극
354: 직류 전원110: chamber 120: chamber lead
130: substrate support member 140: gas injection member
150, 250, 359:
160, 260, 360:
354: DC power source
Claims (24)
상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재;
상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원;
상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및
상기 전극부에 제 2 RF 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하고,
상기 가스 분사부재는 상기 공정 공간에 위치하도록 설치되어서 상기 제 1 고주파 전원으로부터 공급된 제 1 RF 전력을 이용하여 상기 공정 공간에 세정을 위한 제 1 플라즈마를 형성하며,
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면에 설치되어서 상기 제 2 고주파 전원으로부터 공급된 제 2 RF 전력을 이용하여 상기 기판 지지부재의 측면과 상기 챔버의 내측면 사이에 세정을 위한 제 2 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.A chamber providing a process space;
A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate;
A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space;
A first high frequency power supply for supplying a first RF power to the gas injection member;
An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And
And a second high frequency power source for supplying a second RF power to the electrode unit,
Wherein the gas injection member is installed in the process space to form a first plasma for cleaning in the process space using a first RF power supplied from the first RF power supply,
Wherein the electrode portion is provided on an inner surface of the chamber and uses a second RF power supplied from the second RF power supply to form a second plasma for cleaning between a side surface of the substrate support member and an inner surface of the chamber Wherein the plasma processing apparatus is a plasma processing apparatus.
상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 공정 공간에 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사부재;
상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치된 전극부; 및
상기 가스 분사부재와 상기 전극부에 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하고,
상기 가스 분사부재는 상기 공정 공간에 위치하도록 설치되어서 상기 전원 공급부로부터 공급된 전력을 이용하여 상기 공정 공간에 세정을 위한 제 1 플라즈마를 형성하며,
상기 전극부는 상기 챔버의 하부 내측면에 설치되어서 상기 전원 공급부로부터 공급된 전력을 이용하여 상기 기판 지지부재의 측면과 상기 챔버의 내측면 사이에 세정을 위한 제 2 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.A chamber providing a process space;
A substrate support member installed inside the chamber and supporting the substrate;
A gas injection member installed in the chamber so as to face the substrate supporting member and injecting a process gas or a cleaning gas into the process space;
An electrode unit insulated from the inner surface of the chamber; And
And a power supply unit for supplying power to the gas injection member and the electrode unit,
Wherein the gas injection member is installed in the process space to form a first plasma for cleaning in the process space using electric power supplied from the power supply unit,
Wherein the electrode portion is provided on a lower inner surface of the chamber and forms a second plasma for cleaning between a side surface of the substrate supporting member and an inner surface of the chamber using power supplied from the power supply portion, Processing device.
상기 전원 공급부는 상기 챔버 내부의 세정 공정시 상기 가스 분사부재와 상기 전극부에 전기적으로 병렬 접속되어 상기 가스 분사부재와 상기 전극부 각각에 RF(Radio Frequency) 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the power supply unit is electrically connected in parallel to the gas injection member and the electrode unit during a cleaning process inside the chamber to supply RF (Radio Frequency) power to each of the gas injection member and the electrode unit. Device.
상기 전원 공급부는,
제 1 RF 전력을 생성하여 상기 가스 분사부재에 공급하는 제 1 고주파 전원; 및
제 2 RF 전력을 생성하여 상기 전극부에 공급하는 제 2 고주파 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method of claim 2,
The power supply unit,
A first RF power supply for generating a first RF power and supplying the first RF power to the gas injection member; And
And a second RF power supply for generating and supplying a second RF power to the electrode unit.
상기 제 2 고주파 전원은 상기 챔버 내부의 세정 공정시 상기 제 1 RF 전력보다 낮은 주파수를 갖는 상기 제 2 RF 전력을 상기 전극부에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The method according to claim 1 or 4,
Wherein the second RF power supply supplies the second RF power having a frequency lower than the first RF power to the electrode unit during a cleaning process inside the chamber.
상기 전원 공급부는,
상기 가스 분사부재에 RF 전력을 공급하는 고주파 전원; 및
상기 전극부에 직류 전력을 공급하는 직류 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method of claim 2,
The power supply unit,
A high frequency power supply for supplying RF power to the gas injection member; And
And a DC power supply for supplying DC power to the electrode unit.
상기 전극부는 상기 기판 지지부재의 측면에 인접한 상기 챔버의 내측면에 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the electrode portion is disposed on an inner surface of the chamber adjacent to a side surface of the substrate support member.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면을 완전히 두르도록 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the electrode unit is installed so as to completely surround the inner surface of the chamber.
상기 전극부는 상기 챔버의 내측면의 각 모서리 부분에 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the electrode portion is provided at each corner of the inner surface of the chamber.
상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내부의 가스를 배기하는 배기구를 더 포함하며,
상기 전극부의 면적은 상기 배기구에 인접할수록 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.11. The method of claim 10,
And an exhaust port installed in the chamber for exhausting gas inside the chamber,
Wherein an area of the electrode part is smaller as the area of the electrode part is closer to the exhaust port.
상기 전극부는,
상기 챔버의 내측면에 오목하게 형성된 전극 삽입 홈;
상기 전극 삽입 홈에 절연되도록 설치된 전극;
상기 전극 삽입 홈에 대응되는 상기 챔버의 내측면에 형성된 케이블 관통부; 및
상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전극에 전력을 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The electrode unit includes:
An electrode insertion groove recessed in an inner surface of the chamber;
An electrode insulated from the electrode insertion groove;
A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode insertion groove; And
And a cable penetrating the cable penetrating portion to be electrically connected to the electrode to supply electric power to the electrode.
상기 전극부는,
상기 챔버의 내측면에 절연되도록 설치되어 소정 두께로 돌출된 전극;
상기 전극에 대응되는 상기 챔버의 내측면 또는 상기 챔버의 바닥면에 형성된 케이블 관통부; 및
상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전극에 전력을 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The electrode unit includes:
An electrode disposed to be insulated from the inner surface of the chamber and protruding to a predetermined thickness;
A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode or a bottom surface of the chamber; And
And a cable penetrating the cable penetrating portion to be electrically connected to the electrode to supply electric power to the electrode.
상기 전극부는,
상기 챔버의 외측벽으로부터 돌출되는 돌출부;
상기 돌출부에 대응되는 상기 챔버의 내측면으로부터 오목하게 형성된 전극 삽입 홈;
상기 전극 삽입 홈에 절연되도록 설치된 전극;
상기 전극 삽입 홈에 대응되는 상기 챔버의 내측면에 형성된 케이블 관통부; 및
상기 케이블 관통부를 관통하여 상기 전극에 전기적으로 접속되어 상기 전극에 전력을 공급하는 케이블을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The electrode unit includes:
A projection projecting from an outer wall of the chamber;
An electrode insertion groove recessed from an inner surface of the chamber corresponding to the protrusion;
An electrode insulated from the electrode insertion groove;
A cable penetrating portion formed on an inner surface of the chamber corresponding to the electrode insertion groove; And
And a cable penetrating the cable penetrating portion to be electrically connected to the electrode to supply electric power to the electrode.
상기 전극부는,
상기 전극 전체를 감싸도록 형성되어 상기 챔버 벽과 상기 전극을 전기적으로 절연시키는 제 1 절연체; 및
상기 케이블 전체를 감싸도록 형성되어 상기 케이블 관통부와 상기 케이블을 전기적으로 절연시키는 제 2 절연체를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.13. The method of claim 12,
The electrode unit includes:
A first insulator formed to surround the entire electrode and electrically insulate the chamber wall from the electrode; And
Further comprising a second insulator formed to surround the entire cable so as to electrically insulate the cable penetration portion and the cable.
상기 케이블 관통부를 실링하여 상기 챔버 내부의 기밀을 유지하는 실링수단을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.13. The method of claim 12,
And sealing means for sealing the cable penetrating portion to maintain airtightness in the chamber.
상기 가스 분사부재를 통해 상기 공정 공간에 상기 세정 가스를 분사하는 단계; 및
상기 전극부에 상기 제 2 RF 전력을 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.The chamber cleaning method of the plasma processing apparatus according to claim 1,
Injecting the cleaning gas into the process space through the gas injection member; And
And supplying the second RF power to the electrode unit.
상기 가스 분사부재에 상기 제 1 RF 전력을 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지며,
상기 제 1 RF 전력은 상기 제 2 RF 전력과 동일하거나 높은 주파수를 가지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.18. The method of claim 17,
And supplying the first RF power to the gas injection member,
Wherein the first RF power has a frequency equal to or higher than the second RF power.
상기 가스 분사부재를 통해 상기 공정 공간에 상기 세정 가스를 분사하는 단계; 및
상기 전극부에 RF 전력 또는 직류 전력을 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.The chamber cleaning method of the plasma processing apparatus according to claim 2,
Injecting the cleaning gas into the process space through the gas injection member; And
And supplying RF power or DC power to the electrode unit.
상기 RF 전력과 동일하거나 높은 주파수를 가지는 RF 전력을 상기 가스 분사부재에 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.20. The method of claim 19,
And supplying RF power having a frequency equal to or higher than the RF power to the gas injection member.
상기 챔버에 설치된 가스 분사부재를 통해 상기 챔버에 마련된 공정 공간에 세정 가스를 공급하고, 상기 가스 분사부재에 제 1 RF 전력을 공급하여 상기 공정 공간에 세정을 위한 제 1 플라즈마를 형성하는 단계; 및
상기 챔버의 내측면과 상기 가스 분사부재 사이로 유동되는 세정 가스를 변화시키는 단계를 포함하고,
상기 세정 가스를 변화시키는 단계는, 상기 챔버의 내측면에 설치된 전극에 제 2 RF 전력 또는 직류 전원을 공급하여 상기 챔버의 내측면에 인접한 영역에 세정을 위한 제 2 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.A cleaning method inside a chamber for a plasma process,
Supplying a cleaning gas to a process space provided in the chamber through a gas injection member installed in the chamber and supplying a first RF power to the gas injection member to form a first plasma for cleaning in the process space; And
Changing the cleaning gas flowing between the inner side of the chamber and the gas injection member,
Wherein the step of changing the cleaning gas includes supplying a second RF power or DC power to an electrode provided on an inner side surface of the chamber to form a second plasma for cleaning in an area adjacent to the inner side surface of the chamber Wherein the chamber is cleaned.
제 1 RF 전력을 생성하는 단계; 및
상기 제 1 RF 전력을 상기 가스 분사부재에 공급하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.22. The method of claim 21,
Generating a first RF power; And
And supplying the first RF power to the gas injection member.
상기 세정 가스를 변화시키는 단계는,
상기 제 1 RF 전력과 동일하거나 낮은 주파수를 가지는 제 2 RF 전력을 생성하는 단계; 및
상기 제 2 RF 전력을 상기 챔버의 내측면에 설치된 전극에 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.23. The method of claim 22,
The step of changing the cleaning gas comprises:
Generating a second RF power having a frequency equal to or lower than the first RF power; And
And supplying the second RF power to an electrode provided on the inner side surface of the chamber.
상기 세정 가스를 변화시키는 단계는,
직류 전력을 생성하는 단계;
상기 직류 전력을 상기 챔버의 내측면에 설치된 전극에 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 세정 방법.23. The method of claim 21 or 22,
The step of changing the cleaning gas comprises:
Generating direct current power;
And supplying the DC power to an electrode provided on an inner side surface of the chamber.
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