KR100916931B1 - Apparatus for cleaning substrate - Google Patents

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KR100916931B1
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김종학
조길영
이일환
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주식회사 테스
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Abstract

An apparatus for cleaning a substrate is provided to clean a back plane of a substrate safely by dividing an internal space of a chamber into a lower part and upper part of the reaction space and generating plasma in the lower part. In an apparatus for cleaning a substrate, a first electrode part(20) sprays an inert gas while being in the upper inside of the chamber(10), and a second electrode part(30) sprays a reaction gas while being in the lower inside of the chamber. A mounting part in which an edge of the substrate(W) is settled is formed in inner circumference of the substrate support frame. A substrate support unit(100) comprises a space division part divining a reaction space into an upper region(S1) and a lower region(S2).

Description

기판 처리 장치{Apparatus for cleaning substrate}Substrate processing apparatus {Apparatus for cleaning substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 로딩되어 안착된 기판을 기준으로 챔버의 반응공간을 상측 영역과 하측 영역으로 구획하고, 하측 영역에서만 플라즈마를 형성시켜 기판 후면에 형성된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, wherein a reaction space of a chamber is partitioned into an upper region and a lower region on the basis of a loaded and mounted substrate, and a plasma can be formed only in the lower region to remove foreign substances formed on the rear surface of the substrate. It relates to a processing device.

일반적으로 반도체 장치 및 평판 표시 장치는 기판의 전면에 다수의 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴의 소자들을 형성하여 제작한다. 즉, 소정의 증착 장비를 이용하여 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장비를 이용하여 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다. In general, semiconductor devices and flat panel displays are manufactured by depositing and etching a plurality of thin films on the entire surface of a substrate to form elements having a predetermined pattern. That is, the thin film is deposited on the entire surface of the substrate using a predetermined deposition equipment, and a portion of the thin film is etched using the etching equipment to produce the thin film having a predetermined pattern.

박막의 증착 및 식각시 여러 이유로 기판의 후면에 박막이 증착되거나 식각 잔류물(즉, 파티클)이 흡착되는 문제가 발생한다. 이러한 기판 후면에 흡착된 불순물(원치 않는 박막 및 파티클)을 제거하지 않은 상태에서 계속적인 박막 증착과 식각을 수행하게 되면 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제 점이 발생된다.During deposition and etching of the thin film, a problem arises in that the thin film is deposited on the back side of the substrate or the etching residue (ie, particles) is adsorbed. If a continuous thin film deposition and etching is performed without removing impurities (undesired thin films and particles) adsorbed on the back surface of the substrate, many problems, such as bending of the substrate or difficulty in aligning the substrate, occur.

그래서 최근에는 플라즈마를 이용한 건식 세정을 통해 기판 후면의 박막 및 파티클을 제거하는 방법이 사용되고 있다. 이러한 플라즈마를 이용한 건식 세정 장비는 기판의 후면과 하부 전극 사이 공간으로 반응 가스를 제공하여 플라즈마를 형성함에 따라 기판 후면을 세정하도록 구성된다. Therefore, recently, a method of removing the thin film and particles on the back of the substrate through dry cleaning using plasma has been used. The dry cleaning equipment using the plasma is configured to clean the back side of the substrate by providing a reaction gas to a space between the back side of the substrate and the lower electrode to form a plasma.

이때 기판 후면 세정 장치는 기판 전면의 보호를 위하여 챔버 상측에 마련된 상부 전극과 기판의 전면이 인접 배치되도록 상부 전극 또는 기판을 승하강시켜서 상부 전극과 기판 전면 사이 공간에 플라즈마가 발생되지 않도록 한다. 하지만, 매 기판이 인입될 때마다 기판과 상부 전극 사이의 거리를 정밀하게 세팅하여야 하는 어려움이 있었고, 이러한 작업이 원활하기 진행되지 않는 경우 기판의 상부 영역, 즉 기판의 전면측에 플라즈마가 형성되어 기판 전면영역에서 원치않는 증착 또는 식각이 일어날 수 있는 문제점도 있었다.At this time, the substrate rear cleaning apparatus lifts and lowers the upper electrode or the substrate so that the upper electrode provided at the upper side of the chamber and the front surface of the substrate are disposed adjacent to protect the front surface of the substrate so that plasma is not generated in the space between the upper electrode and the substrate front surface. However, there is a difficulty in setting the distance between the substrate and the upper electrode precisely every time the substrate is drawn in. If this operation does not proceed smoothly, plasma is formed in the upper region of the substrate, that is, the front side of the substrate. There was also a problem that unwanted deposition or etching could occur in the front region of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판을 지지하는 기판 지지유닛을 이용하여 챔버의 반응 공간을 상측 영역과 하측 영역으로 구획하여 반응 공간의 하측 영역, 즉 기판의 후면 영역에서만 플라즈마를 형성시켜 기판의 후면만을 안전하게 세정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by partitioning the reaction space of the chamber into an upper region and a lower region by using a substrate support unit for supporting the substrate only in the lower region of the reaction space, that is, the rear region of the substrate It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of safely cleaning only the rear surface of a substrate by forming a plasma.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기판 처리 장치는 기판의 처리가 이루어지는 반응공간을 갖는 챔버와; 상기 챔버 내부의 상측에 배치되어 비활성 가스를 분사하는 제 1 전극부와; 상기 챔버 내부의 하측에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 2 전극부와; 내주부에 기판의 가장자리가 안착되는 안착부가 형성되는 기판지지체와, 상기 기판지지체의 외측으로 구비되고 상기 챔버의 내벽에 밀착되도록 안착되어 상기 반응공간을 상측 영역과 하측 영역으로 구획하는 공간분할체가 구비되는 기판 지지유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus for achieving the above object includes a chamber having a reaction space in which the substrate is processed; A first electrode part disposed above the chamber and injecting an inert gas; A second electrode part disposed under the chamber to inject a reaction gas; A substrate support having a seating portion on which an edge of the substrate is seated at an inner circumference thereof, and a space splitter disposed outside the substrate support and seated to be in close contact with the inner wall of the chamber to partition the reaction space into an upper region and a lower region. Characterized in that it comprises a substrate support unit.

상기 기판 지지유닛은, 상기 공간분할체에 상하를 관통하는 다수의 관통공이 형성된 압력조절부가 형성되는 것을 특징으로 한다.The substrate support unit is characterized in that the pressure regulator is formed with a plurality of through holes penetrating up and down in the space divider.

이때 상기 관통홀의 직경은 3mm 이하인 것이 바람직하다.At this time, the diameter of the through hole is preferably 3mm or less.

상기 기판 지지유닛은 상기 기판지지체와 공간분할체가 일체 또는 탈착 가능 하도록 분리되어 구비되는 것을 특징으로 한다.The substrate support unit is characterized in that the substrate support and the space divider is separated and provided to be integral or removable.

상기 안착부의 내주연 크기는 기판의 크기에 대응되어 가변되는 것을 특징으로 한다.The inner circumferential size of the seating portion is variable to correspond to the size of the substrate.

상기 기판 지지유닛은 상기 안착부와 인접된 외측은 외측에서 내측 방향으로 하향 경사지는 가이드부가 형성되는 것을 특징으로 한다.The substrate supporting unit is characterized in that the outer side adjacent to the seating portion is formed with a guide portion inclined downward from the outer side to the inner side.

상기 기판 지지유닛은 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 한다.The substrate supporting unit is formed of a conductive material.

상기 제 1 전극부는 접지에 접속되는 상부 전극판과; 상기 기판의 상면과 대면되도록 상기 상부 전극판의 하면에 형성되는 절연판을 포함하고, 상기 제 2 전극부는 플라즈마 전원을 인가받는 하부 전극판을 포함하는 것을 특징으로 한다.An upper electrode plate connected to the ground of the first electrode part; And an insulating plate formed on a lower surface of the upper electrode plate so as to face an upper surface of the substrate, and wherein the second electrode part includes a lower electrode plate to which plasma power is applied.

이때 상기 상부 전극판에는 히팅수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.At this time, the upper electrode plate is characterized in that the heating means is provided.

상기 제 2 전극부과 상기 기판 지지유닛 사이로 반응가스를 제공하는 측면 가스 공급유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.And a side gas supply unit for providing a reaction gas between the second electrode portion and the substrate support unit.

이때 상기 측면 가스 공급유닛은 상기 챔버 내벽에 안착되어 제공받은 반응가스를 다수개의 분기유로로 1차 분기하는 제 1 측면공급부재와; 상기 제 1 공급부재에 안착되고, 상기 다수개의 분기유로와 연통되어 1차 분기된 반응가스를 2차 분기하여 상기 기판의 측면에서 기판의 하부영역으로 토출하는 다수의 측면 분사공이 형성된 제 2 측면공급부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the side gas supply unit includes a first side supply member for first branching the reaction gas received by being seated on the inner wall of the chamber into a plurality of branch passages; A second side supply provided with a plurality of side injection holes seated on the first supply member and in communication with the plurality of branch flow paths to branch the first branched reaction gas to discharge from the side of the substrate to the lower region of the substrate And a member.

상기 챔버의 벽면에는 상기 반응공간의 상측 영역과 하측 영역을 연통하는 적어도 하나의 연통유로가 형성되고, 상기 상측 영역과 하측 영역 중 어느 한 영역에는 진공 배기부와 연결되는 도관이 형성되는 것을 특징으로 한다.At least one communication passage communicating with the upper region and the lower region of the reaction space is formed on the wall of the chamber, and one of the upper region and the lower region is formed with a conduit connected to the vacuum exhaust unit. do.

또한, 상기 챔버의 벽면에는 반응공간의 상측 영역과 하측 영역에 각각 진공 배기부와 연결되는 도관이 형성되고, 상기 각각의 도관에는 밸브가 구비되며, 상기 챔버 반응공간의 상측 영역과 하측 영역의 압력을 각각 측정하는 압력 게이지가 구비되고, 상기 각각의 압력 게이지에서 측정된 상측 영역과 하측 영역의 압력 값에 따라 상기 각각의 밸브 개폐를 제어하는 제어기가 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, conduits are formed on the wall of the chamber to be connected to the vacuum exhaust in the upper region and the lower region of the reaction space, and each of the conduits is provided with a valve, and the pressure in the upper region and the lower region of the chamber reaction space. Is provided with a pressure gauge for measuring each, characterized in that provided with a controller for controlling the opening and closing of each valve in accordance with the pressure value of the upper region and the lower region measured in the respective pressure gauge.

본 발명에 따르면, 기판이 안착된 기판 지지유닛이 챔버에 접지되면서 기판을 접지시키고, 기판 지지유닛의 설치에 의해 기판을 기준으로 챔버 내부의 반응공간을 상측 영역과 하측 영역으로 구획함에 따라 기판의 하면, 즉 반응공간의 하측 영역에만 플라즈마를 형성하여 기판의 후면만을 안전하면서 효율적으로 세정할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the substrate support unit on which the substrate is seated is grounded to the chamber while grounding the substrate, and by installing the substrate support unit, the reaction space inside the chamber is divided into an upper region and a lower region based on the substrate. That is, the plasma is formed only in the lower region of the reaction space, so that only the rear surface of the substrate can be safely and efficiently cleaned.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 지지유닛을 나타내는 사시도이며, 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 지지유닛을 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 측면 가스 공급유닛을 나타내는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view showing a substrate support unit according to a first embodiment of the present invention, Figures 3a and 3b is a second embodiment of the present invention 4 is a perspective view showing a substrate support unit according to the present invention, and FIG. 4 is a perspective view showing a side gas supply unit according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)의 처리가 이루어지는 반응공간(S)을 갖는 챔버(10)와; 상기 챔버(10) 내부의 상측에 배치되는 제 1 전극부(20)와; 상기 챔버(10) 내부의 하측에 배치되는 제 2 전극부(30)와; 내주부에 기판(W)의 가장자리가 안착되어 지지되고, 외주부는 상기 챔버(10)의 내벽에 밀착되도록 안착되어 상기 반응공간(S)을 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)으로 구획하는 기판 지지유닛(100,200)을 포함한다.As shown in the drawing, the substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a chamber 10 having a reaction space S in which a substrate W is processed; A first electrode part 20 disposed above the inside of the chamber 10; A second electrode part 30 disposed below the inside of the chamber 10; The edge of the substrate W is seated and supported on the inner circumference, and the outer circumference is seated to be in close contact with the inner wall of the chamber 10 so that the reaction space S is moved to the upper region S 1 and the lower region S 2 . It includes a substrate support unit (100,200) for partitioning.

챔버(10)는 내부에 반응공간(S)이 마련되는 통 형상으로 제작된다. 이때, 상기 챔버(10)의 내부 형상은 그 수평 단면 형상이 일정한 형태에 한정되지 않고, 후면 세정이 수행되는 기판(W)의 형상에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 본 실시예의 챔버(10)는 측벽면과 바닥면을 구성하는 하부 몸체부(10b)와, 상측면을 구성하는 상부 몸체부(10a)로 구성된다. 그리고, 챔버(10)의 측벽면의 일측에는 기판(W)의 인입 및 인출을 위한 게이트(11)가 마련된다. 그리고, 상기 게이트(11)는 개폐부(13)에 의해 개폐된다. 이때, 상기 개폐부(13)로 게이트 벨브 또는 슬릿 밸브를 사용하는 것이 가능하다. 물론 이에 한정되지 않고, 개폐부(13)로 기판(W) 인입후 챔버(10) 내부를 진공으로 유지할 수 있는 다양한 형태의 개폐 수단이 사용될 수 있다. The chamber 10 is manufactured in a cylindrical shape in which a reaction space S is provided therein. At this time, the internal shape of the chamber 10 is not limited to the horizontal cross-sectional shape is a constant shape, it can be variously changed according to the shape of the substrate (W) on which the back cleaning is performed. The chamber 10 of this embodiment includes a lower body portion 10b constituting the side wall and the bottom surface, and an upper body portion 10a constituting the upper side. In addition, a gate 11 for drawing in and out of the substrate W is provided at one side of the sidewall surface of the chamber 10. The gate 11 is opened and closed by the opening and closing portion 13. At this time, it is possible to use a gate valve or a slit valve as the opening and closing portion 13. Of course, the present invention is not limited thereto, and various types of opening / closing means capable of maintaining the vacuum in the chamber 10 after the substrate W is drawn into the opening / closing unit 13 may be used.

그리고, 챔버(10)는 접지 연결되어 챔버(10)를 통하여 전류가 흐르지 않으면서, 후술되는 기판 지지유닛(100,200)이 접지되도록 구성된다.In addition, the chamber 10 is connected to the ground and is configured such that the substrate supporting units 100 and 200 described below are grounded without current flowing through the chamber 10.

제 1 전극부(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 반응공간(S)의 상측영역(S1)에 배치되도록 상부 몸체부(10a)에 설치된다. 제 1 전극부(20)는 접지에 접속되는 상부 전극판(21)과; 상기 반응 공간(S)으로 로딩되어 안착된 기판(W)의 상면과 대면되도록 상기 상부 전극판(21)의 하면에 형성되는 절연판(22)을 포함한다. 그리고, 상기 상부 전극판(21)의 상면을 지지하는 제 1 지지로드(23)가 챔버(10)의 상부 몸체부(10a)를 관통하여 설치되고, 상기 절연판(22)에는 기판(W)의 상면 방향으로 비활성 가스를 분사하는 복수의 제 1 분사공(25)이 구비된다. As shown in FIG. 1, the first electrode part 20 is installed in the upper body part 10a to be disposed in the upper region S 1 of the reaction space S of the chamber 10. The first electrode portion 20 includes an upper electrode plate 21 connected to the ground; It includes an insulating plate 22 formed on the lower surface of the upper electrode plate 21 to face the upper surface of the substrate (W) loaded and seated in the reaction space (S). In addition, a first support rod 23 supporting the upper surface of the upper electrode plate 21 is installed through the upper body portion 10a of the chamber 10, and the insulating plate 22 is formed of the substrate W. A plurality of first injection holes 25 for injecting inert gas in the upward direction are provided.

상기 제 1 분사공(25)은 챔버(10)의 외부에 구비되어 비활성 가스를 제공하기 위한 비활성 가스 공급부(26)에 연결된다. 그래서, 비활성 가스를 제 1 분사공(25)을 통하여 토출시켜 기판(W)의 상면에 분사시킴에 따라 제 1 전극부(20)와 기판(W)의 전면 사이 공간에 활성화된 반응 가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이때 상기 비활성 가스는 플라즈마 형성시 상승되는 챔버(10) 내부의 온도와 대응되는 온도로 가열되어 공급될 수 있다.The first injection hole 25 is provided outside the chamber 10 and is connected to an inert gas supply unit 26 for providing an inert gas. Accordingly, as the inert gas is discharged through the first injection hole 25 to inject the upper surface of the substrate W, the activated reaction gas flows into the space between the first electrode portion 20 and the front surface of the substrate W. Can be prevented. In this case, the inert gas may be heated and supplied to a temperature corresponding to the temperature inside the chamber 10 which is raised during plasma formation.

그리고, 플라즈마 형성시 상승되는 챔버(10) 내부의 온도와 기판(W)의 온도차를 줄여서 공정 진행시 발생되는 기판(W)의 손상, 예를 들어 기판(W)이 휘는 것(warpage)을 방지하기 위하여 상기 상부 전극판(21)에는 비활성 가스 및 기판(W) 의 온도를 상승시킬 수 있는 히팅수단(27)이 구비될 수 있다. 상기 히팅수단(27)은 비활성 가스 및 기판(W)의 온도를 상승시킬 수 있다면 어떠한 수단이라도 사용될 수 있다. 예를 들어 전원의 공급에 의해 가열되는 열선과 같은 코어히터 또는 램프히터 등이 사용될 수 있다. 또한, 기판(W)의 온도 상승폭만큼 가열된 온수를 상부 전극판(21) 내부 또는 외부로 유동시킬 수도 있을 것이다.In addition, by reducing the temperature difference between the temperature inside the chamber 10 and the temperature of the substrate W raised during plasma formation, damage to the substrate W generated during the process, for example, warpage of the substrate W is prevented. In order to increase the temperature of the inert gas and the substrate (W) to the upper electrode plate 21 may be provided with a heating means (27). The heating means 27 can be used as long as it can raise the temperature of the inert gas and the substrate W. For example, a core heater or a lamp heater such as a heating wire heated by supply of power may be used. In addition, hot water heated by the temperature rise of the substrate W may flow into or out of the upper electrode plate 21.

또한, 상기 제 1 전극부(20)는 승하강을 위하여 제 1 지지로드(23)와 연결되는 제 1 구동수단(24)이 구비된다. 상기 제 1 구동수단(24)은 상기 제 1 전극부(20)를 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식이 사용되어도 무방하고, 예를 들어 LM가이드식, 실린더식, 래크앤피니언식 등이 사용될 수 있을 것이다.In addition, the first electrode part 20 is provided with first driving means 24 connected to the first support rod 23 to move up and down. As long as the first driving means 24 can raise and lower the first electrode portion 20, any method may be used, and for example, an LM guide type, a cylinder type, a rack and pinion type or the like may be used. will be.

제 2 전극부(30)는 플라즈마 전원을 인가받는 하부 전극판(31)과; 상기 하부 전극판(31)을 지지하는 전극 지지부(32)를 포함한다. 그리고, 상기 전극 지지부(32)의 하면을 지지하는 제 2 지지로드(33)가 챔버(10)의 하부 몸체부(10b)를 관통하여 설치되고, 상기 하부 전극판(31)에는 기판(W)의 상면 방향으로 반응 가스를 분사하는 복수의 제 2 분사공(35)이 구비된다. The second electrode part 30 includes a lower electrode plate 31 to which plasma power is applied; And an electrode support part 32 supporting the lower electrode plate 31. In addition, a second support rod 33 supporting the lower surface of the electrode support part 32 is installed through the lower body part 10b of the chamber 10, and the lower electrode plate 31 is provided with a substrate (W). A plurality of second injection hole 35 for injecting the reaction gas in the upper surface direction of the is provided.

이때, 상기 하부 전극판(31)에는 플라즈마 전원을 제공하기 위한 별도의 플라즈마 전원부(37)가 연결된다. 플라즈마 전원부(37)는 플라즈마 전원으로 고주파 전원을 제공한다. 이때 플라즈마 전원부(37)를 통해 제공되는 전원의 전력은 100W 내지 100KW이고, 전원의 주파수는 2MHz 내지 100MHz인 것이 효과적이다.In this case, a separate plasma power supply 37 for supplying plasma power is connected to the lower electrode plate 31. The plasma power supply 37 provides a high frequency power supply to the plasma power supply. At this time, the power of the power provided through the plasma power supply 37 is 100W to 100KW, it is effective that the frequency of the power source is 2MHz to 100MHz.

하부 전극판(31)과 전극 지지부(32) 및 제 2 지지로드(33)는 동일 물질로 제작될 수 있다. 이러한 경우 상기 제 2 지지로드(33)와 챔버(10)의 바닥면 사이에는 절연성 물질이 마련될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 하부 전극판(31)과 전극 지지부(32) 및 제 2 지지로드(33)를 서로 다른 전기적 특성의 물질로 제작할 수 있다. 즉, 전극 지지부(32) 및 제 2 지지로드를 절연성 물질로 제작할 수도 있다. The lower electrode plate 31, the electrode support part 32, and the second support rod 33 may be made of the same material. In this case, an insulating material may be provided between the second support rod 33 and the bottom surface of the chamber 10. However, the present invention is not limited thereto, and the lower electrode plate 31, the electrode support part 32, and the second support rod 33 may be made of materials having different electrical characteristics. That is, the electrode support part 32 and the second support rod may be made of an insulating material.

또한, 상기 제 2 전극부(30)는 승하강을 위하여 제 2 지지로드(33)와 연결되는 제 2 구동수단(34)이 구비된다. 상기 제 2 구동수단(34)은 상기 제 1 구동수단(24)과 마찬가지로 상기 제 2 전극부(30)를 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식이 사용되어도 무방하고, 예를 들어 LM가이드식, 실린더식, 래크앤피니언식 등이 사용될 수 있을 것이다.In addition, the second electrode part 30 is provided with second driving means 34 connected to the second support rod 33 to move up and down. As long as the second driving means 34 can raise and lower the second electrode portion 30 similarly to the first driving means 24, any method may be used. For example, the LM guide type or the cylindrical type may be used. , Rack and pinion may be used.

또한, 상기 제 2 전극부(30)에는 기판(W) 로딩시 일시적으로 기판(W)을 안착하고 승하강시키는 수단이 구비될 수 있다. 예를 들어 제 2 전극부(30)에 다수의 리프트핀(51)이 구비된다. 상기 리프트핀(51)은 하부 전극판(31) 및 전극 지지부(32)를 관통하여 설치된다. 상기 다수의 리프트핀(51)은 리프트핀 승강플레이트(53)에 의해 일체로 승하강되며 상기 리프트핀 승강플레이트(53)는 별도의 리프트핀 구동수단(55)에 의해 승하강 된다.In addition, the second electrode part 30 may be provided with a means for temporarily seating and lifting the substrate W when loading the substrate W. For example, a plurality of lift pins 51 are provided in the second electrode part 30. The lift pins 51 are installed through the lower electrode plate 31 and the electrode support part 32. The plurality of lift pins 51 are raised and lowered integrally by the lift pin lift plate 53 and the lift pin lift plate 53 is lifted by a separate lift pin drive means 55.

그리고, 상기 제 2 분사공(35)은 챔버(10)의 외부에 구비되어 반응 가스를 제공하기 위한 반응 가스 공급부(36)에 연결된다. 그래서, 반응 가스를 제 2 분사공(35)을 통하여 토출시켜 기판(W)의 후면에 분사시킴에 따라 반응 가스들이 플라즈마에 의해 활성화되어 기판(W) 후면의 세정 작업이 수행될 수 있다.The second injection hole 35 is provided outside the chamber 10 and is connected to a reaction gas supply unit 36 for providing a reaction gas. Thus, as the reaction gas is discharged through the second injection hole 35 and sprayed on the rear surface of the substrate W, the reaction gases are activated by the plasma, and the cleaning operation on the rear surface of the substrate W may be performed.

기판 지지유닛(100,200)은 기판(W)이 안착되어 지지되면서, 안착된 기판(W) 을 기준으로 챔버(10)의 반응공간(S)을 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)으로 구획하고, 기판(W)을 챔버(10)와 전기적으로 접속되게 하여 접지시키는 수단이다. 이러한 기판 지지유닛(100)은 도 2에 도시된 제 1 실시예와 같이 몸체의 외주부가 상기 챔버(10)의 내벽에 안착되고, 몸체의 외주부와 인접된 내측에는 상하를 관통하는 다수의 관통공(111)이 형성된 압력조절부(110)가 형성되며, 상기 압력조절부(110)의 내측 부위는 중공되어 몸체의 내주부에 기판(W)의 가장자리가 안착되는 안착부(130)가 형성된다. 그리고, 상기 압력조절부(110)와 안착부(130) 사이는 외측에서 내측 방향으로 하향 경사지는 가이드부(120)가 형성되어 상기 안착부(130)에 안착되는 기판(W)이 바람직하게 안착되도록 가이드한다.The substrate support units 100 and 200 support the reaction space S of the chamber 10 on the upper region S 1 and the lower region S 2 with the substrate W mounted thereon and supported by the substrate W. The substrate W is electrically connected to the chamber 10 and grounded. As shown in FIG. 2, the substrate support unit 100 includes a plurality of through holes penetrating up and down inside the outer peripheral part of the body to the inner wall of the chamber 10 and adjacent to the outer peripheral part of the body. A pressure regulating unit 110 in which the 111 is formed is formed, and an inner portion of the pressure regulating unit 110 is hollow, and a seating unit 130 in which an edge of the substrate W is seated is formed at an inner circumference of the body. . In addition, a guide portion 120 that is inclined downward from the outside to the inward direction is formed between the pressure adjusting part 110 and the seating part 130, and preferably, the substrate W seated on the seating part 130 is seated. Guide as much as possible.

상기와 같이 기판 지지유닛(100)은 하나의 몸체로 이루어지는 것에 한정되지 않고, 도 3a 및 도 3b에 도시된 제 2 실시예에 도시된 기판 지지유닛(200)과 같이 외주부가 상기 챔버(10)의 내벽에 안착되고, 외주부와 인접된 내측에는 상하를 관통하는 다수의 관통공(211a)이 형성된 압력조절부(211)가 형성되며, 상기 압력조절부(211)의 내측은 중공되어 그 내주부에 안착턱(213)이 형성되는 공간분할체(210)와; 외주부가 상기 공간분활체(210)의 안착턱(213)에 안착되고, 외주부의 내측은 중공되어 그 내주부에 기판(W)의 가장자리가 안착되는 안착부(223)가 형성되는 기판지지체(220)로 구분되어 구비될 수 있다. 이때 상기 기판지지체(220)의 외주부와 안착부(223) 사이는 외측에서 내측 방향으로 하향 경사지는 가이드부(221)가 형성되어 상기 안착부(223)에 안착되는 기판(W)이 바람직하게 안착되도록 가이드한다. 이렇게 기판지지체(220)와 공간분할체(210)를 별도로 구비함에 따라 상기 기판지지체(220)를 공간분할체(210)에 분리하거나 결합하여 탈착 가능하도록 구비시킬 수 있다.As described above, the substrate support unit 100 is not limited to a single body, and the outer circumferential portion of the substrate support unit 200 as shown in the second embodiment shown in FIGS. 3A and 3B may be formed in the chamber 10. The pressure adjusting unit 211 is formed on the inner wall of the inner side and adjacent to the outer circumferential portion and has a plurality of through holes 211a penetrating up and down, and the inner circumferential portion of the pressure adjusting unit 211 is hollow. A space dividing body 210 in which a seating jaw 213 is formed; A substrate support 220 having an outer circumferential portion seated on the seating jaw 213 of the spatial divider 210, and an inner side of the outer circumferential portion hollowed so that a seating portion 223 is formed on an inner circumferential portion thereof. It may be provided separated by. At this time, between the outer peripheral portion and the seating portion 223 of the substrate support 220 is formed a guide portion 221 which is inclined downward from the outside inward direction is preferably mounted on the substrate (W) to be seated on the seating portion 223 Guide as much as possible. As such, since the substrate support 220 and the space divider 210 are separately provided, the substrate support 220 may be detached or coupled to the space divider 210 to be detachable.

제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 지지유닛(100,200)에 형성된 압력조절부(110,211)의 관통공(111,211a)은 기판 지지유닛(100,200)에 의해 구획되는 챔버(10)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)을 연통시켜 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력을 일정하게 유지하기 위한 수단이다. 따라서, 관통공(111,211a)의 형성 개수는 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력이 일정하게 유지될 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 하지만, 상기 관통공(111,211a)을 통하여 하부 전극판(31)에 인가되는 고주파 전력이 통과되어 상측 영역(S1)으로 인가되지 않도록 상기 관통공(111,211a)의 직경은 3mm 이하인 것이 바람직하다.The through holes 111 and 211a of the pressure regulators 110 and 211 formed in the substrate support units 100 and 200 according to the first and second embodiments are upper regions S of the chamber 10 partitioned by the substrate support units 100 and 200. 1 ) and the lower region S 2 are in communication with each other to maintain a constant pressure between the upper region S 1 and the lower region S 2 . Therefore, the number of through holes 111 and 211a may be formed such that the pressure in the upper region S 1 and the lower region S 2 can be kept constant. However, the diameter of the through holes 111 and 211a is preferably 3 mm or less so that the high frequency power applied to the lower electrode plate 31 passes through the through holes 111 and 211a and is not applied to the upper region S 1 . .

또한, 본 실시예에서는 챔버(10)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력을 일정하게 하기 위한 수단으로 챔버(10)의 벽면에 상기 반응공간(S)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)을 연통하는 적어도 하나의 연통유로(17)를 형성할 수 있다. 그래서, 챔버(10)의 진공 분위기 조성시 상기 압력조절부(110,211)의 관통공(111,211a)과 연통유로(17)를 통하여 반응공간(S)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)이 연통되도록 한다. 이때 챔버(10)의 벽면 또는 바닥면에는 상기 반응공간(S)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2) 중 어느 한 영역, 예를 들어 하측 영역(S2)에 진공 배기 부(19)와 연통된 적어도 하나의 도관(15)이 마련된다. 그리고, 상기 도관(15)에는 챔버(10) 내부의 압력 조절을 위한 밸브(16)가 구비되고, 상기 챔버(10) 내부의 압력을 측정하는 압력 게이지(18)가 구비되며, 상기 압력 게이지(18)에서 측정된 챔버(10) 내부의 압력에 따라 상기 밸브(16)의 개폐를 조절하는 제어기(50)가 마련된다. 이와 같이 챔버(10)가 도관(15)을 통해 진공 배기부(19)와 연통됨으로 인해 압력 게이지(18)에 의해 챔버(10) 내부의 압력을 계측하고, 그 값에 따라 밸브(16)의 개폐를 제어하여 챔버(10) 내부의 압력을 원하는 상태로 유지할 수 있다. 이때 상기 압력조절부(110,211) 및 연통유로(17)를 통하여 반응공간(S)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력이 일정하게 유지된다. 또한, 도관(15)을 통해 챔버(10) 내부의 불순물이 배기 될 수 있다.In addition, in the present embodiment, the upper region (S 1 ) of the chamber 10 and the upper region (S) of the reaction space (S) on the wall surface of the chamber 10 as a means for keeping the pressure of the lower region (S 2 ) constant. At least one communication passage 17 communicating with S 1 ) and the lower region S 2 may be formed. Therefore, when the vacuum atmosphere of the chamber 10 is formed, the upper region S 1 and the lower region S of the reaction space S through the through holes 111 and 211 a and the communication passage 17 of the pressure regulating units 110 and 211. 2 ) to communicate. In this case, the vacuum exhaust unit (A) may be formed at any one of the upper region S 1 and the lower region S 2 of the reaction space S on the wall or bottom surface of the chamber 10, for example, the lower region S 2 . At least one conduit 15 is provided in communication with 19. In addition, the conduit 15 is provided with a valve 16 for adjusting the pressure in the chamber 10, a pressure gauge 18 for measuring the pressure in the chamber 10, the pressure gauge ( A controller 50 is provided to control the opening and closing of the valve 16 according to the pressure inside the chamber 10 measured at 18. As the chamber 10 communicates with the vacuum exhaust unit 19 through the conduit 15 as described above, the pressure in the chamber 10 is measured by the pressure gauge 18, and according to the value of the valve 16, The opening and closing may be controlled to maintain the pressure inside the chamber 10 in a desired state. At this time, the pressure in the upper region (S 1 ) and the lower region (S 2 ) of the reaction space (S) through the pressure adjusting unit (110,211) and the communication flow path 17 is kept constant. In addition, impurities inside the chamber 10 may be exhausted through the conduit 15.

그리고, 상기 안착부(130,223)의 내주연 형상은 기판(W)의 형상과 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 안착부(130,223)의 내주연 크기는 기판(W)의 크기에 대응되어 가변될 수 있을 것이다. 이때 안착부(130,223)의 내주연 크기는 기판(W)의 가장자리가 안착되는 길이만큼 기판(W)의 외주연 크기보다 작은 것이 바람직하다.In addition, the inner circumferential shape of the seating parts 130 and 223 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate W. In addition, the inner circumferential sizes of the seating parts 130 and 223 may be varied corresponding to the size of the substrate (W). In this case, the inner circumferential size of the seating portions 130 and 223 may be smaller than the outer circumferential size of the substrate W by the length of the edge of the substrate W.

그래서, 제 1 실시예와 같은 일체형의 기판 지지유닛(100)의 경우, 기판(W)의 형상 및 크기에 따라 안착부(130)의 형상 및 크기가 다양하게 변화된 다수개의 기판 지지유닛(100)을 준비하여 기판(W)의 형상 및 크기에 대응하는 기판 지지유닛(100)을 선택하여 사용할 수 있다. Thus, in the case of the integrated substrate support unit 100 as in the first embodiment, a plurality of substrate support units 100 varying in shape and size of the mounting portion 130 according to the shape and size of the substrate W. To prepare a substrate supporting unit 100 corresponding to the shape and size of the substrate (W) can be selected and used.

또한, 제 2 실시예와 같은 분리형의 기판 지지유닛(200)의 경우, 하나의 공간분할체(210)를 준비하고, 도 3a 및 도 3b와 같이 기판(W)의 형상 및 크기에 따라 안착부(223)의 형상 및 크기가 다양하게 변화된 다수개의 기판 지지체(220)를 준비하여 기판(W)의 형상 및 크기에 대응하는 기판 지지체(220)를 선택하여 공간분할체(210)에 안착시켜서 사용함에 따라 기판 지지유닛(200)의 활용 폭을 넓게 할 수 있다.In addition, in the case of the detachable substrate support unit 200 as in the second embodiment, one space divider 210 is prepared, and a seating part is formed according to the shape and size of the substrate W as shown in FIGS. 3A and 3B. A plurality of substrate supports 220 having various shapes and sizes of 223 are prepared, and a substrate support 220 corresponding to the shape and size of the substrate W is selected and mounted on the space divider 210. As a result, the utilization width of the substrate support unit 200 can be widened.

상기 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 사용되는 기판 지지유닛(100,200)은 전도성 재료로 제조함에 따라 챔버(10) 및 기판(W)과 전기적으로 접속되어 기판(W)이 접지되도록 하는 것이 바람직하다. 이때 사용되는 전도성 재료는 기판(W)을 챔버(10)와 전기적으로 접속할 수 있다면 어떠한 전도성 재료가 사용되어도 무방하다. 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 사용될 수 있다.Substrate support units (100,200) used in the first and second embodiments are preferably made of a conductive material to be electrically connected to the chamber (10) and the substrate (W) so that the substrate (W) is grounded. Do. The conductive material used may be any conductive material as long as the substrate W can be electrically connected to the chamber 10. For example aluminum or aluminum alloys can be used.

본 실시예에서는 기판(W)의 후면과 하부 전극판(31) 사이에 반응 가스를 공급하는 수단으로 하부 전극판(31)에 형성된 제 2 분사공(35)에 한정되지 않고, 측면 가스 공급유닛(40)을 더 구비할 수 있다.In the present embodiment, the side gas supply unit is not limited to the second injection hole 35 formed in the lower electrode plate 31 as a means for supplying the reaction gas between the rear surface of the substrate W and the lower electrode plate 31. 40 may be further provided.

측면 가스 공급유닛(40)은 상기 챔버(10) 내벽에 안착되어 제공받은 반응가스를 다수개의 분기유로(43a)로 1차 분기하는 제 1 측면공급부재(41)와; 상기 제 1 측면공급부재(41)에 안착되고, 상기 다수개의 분기유로(43a)와 연통되어 1차 분기된 반응가스를 2차 분기하여 상기 기판(W)의 측면에서 기판(W)의 하부영역으로 토출하는 다수의 측면 분사공(47)이 형성된 제 2 측면공급부재(45)를 포함한다. 그리고, 측면 가스 공급유닛(40)에 반응 가스를 공급하는 측면 가스 공급부(49)가 더 구비될 수 있다.The side gas supply unit 40 includes a first side supply member 41 for firstly branching the reaction gas received by being seated on the inner wall of the chamber 10 into a plurality of branch flow paths 43a; The lower region of the substrate (W) at the side of the substrate (W) by secondary branching the reaction gas, which is seated on the first side supply member (41) and communicated with the plurality of branch passages (43a), to the first branch. It includes a second side supply member 45 is formed with a plurality of side injection holes 47 for discharging. And, the side gas supply unit 49 for supplying the reaction gas to the side gas supply unit 40 may be further provided.

제 1 측면공급부재(41)는 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 측벽을 통하여 공급되는 반응가스를 1차 분기하는 수단으로, 상기 챔버(10)의 내벽에 안착되면서 챔버(10)와 소정간격 이격되도록 그 외주연에는 등간격으로 돌출부(44)가 형성된다. 그래서 상기 돌출부(44)가 챔버(10)의 내벽에 안착되고, 돌출부(44)가 형성되지 않은 부분은 챔버(10)의 내벽과 소정 간격으로 이격된다. 그래서, 상기 이격된 공간을 통하여 챔버(10)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)이 연통되어 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력이 일정하게 유지되도록 한다. 이때 상기 제 1 측면공급부재(41)의 내부에는 공급된 반응 가스의 다수개의 분기유로(43a)가 분기되도록 구비된다. 그래서, 상기 다수개의 분기유로(43a)는 제 2 측면공급부재(45)로 연통된다. 본 실시예에서 제 1 측면공급부재(41)는 그 내주부에 상기 제 2 측면공급부재(45)가 안착되는 돌출턱(42)이 형성되고, 상기 돌출턱(42)의 상면으로 상기 분기유로(43a)의 단부가 노출되도록 형성하였다.As shown in FIGS. 1 and 4, the first side supply member 41 is a means for firstly branching the reaction gas supplied through the side wall of the chamber 10. The first side supply member 41 is seated on the inner wall of the chamber 10. Protruding portions 44 are formed at equal intervals on the outer circumference thereof so as to be spaced apart from the predetermined interval 10. Thus, the protrusion 44 is seated on the inner wall of the chamber 10, and a portion where the protrusion 44 is not formed is spaced apart from the inner wall of the chamber 10 at a predetermined interval. Therefore, the upper region S 1 and the lower region S 2 of the chamber 10 communicate with each other through the spaced space to maintain a constant pressure between the upper region S 1 and the lower region S 2 . . At this time, the plurality of branch passages 43a of the supplied reaction gas are branched inside the first side supply member 41. Thus, the plurality of branch passages 43a communicate with the second side supply member 45. In the present embodiment, the first side supply member 41 has a protruding jaw 42 in which the second side supply member 45 is seated at an inner circumference thereof, and the branch flow path is formed on the upper surface of the protruding jaw 42. The end portion of 43a was formed to be exposed.

그리고, 상기 제 2 측면공급부재(45)는 그 하면에 상기 분기유로(43a)의 단부와 연통되는 다수의 분기유로(43b)가 형성되고, 상기 다수의 분기유로(43b)는 제 2 측면공급부재(45)의 내부에서 2차 분기되어 그 내주면에 형성된 다수의 측면 분사공(47)과 연통된다.In addition, the second side supply member 45 has a plurality of branch passages 43b communicating with an end portion of the branch passage 43a at a lower surface thereof, and the plurality of branch passages 43b have a second side supply. The second branch is branched inside the member 45 to communicate with a plurality of side injection holes 47 formed on the inner circumferential surface thereof.

이때 상기 측면 가스 공급유닛(40)의 분기유로(43a,43b) 및 측면 분사공(47)은 챔버(10)의 외부에 구비되어 반응 가스를 제공하기 위한 측면 가스 공급부(49) 에 연결되어 반응 가스가 1차 및 2차 분기되어 각각의 측면 분사공(47)에서 균일하게 공급된다. 물론, 상기 측면 가스 공급유닛(40)의 분기유로(43a,43b) 및 측면 분사공(47)은 별도의 측면 가스 공급부(49)에 연결되지 않고, 상기 제 2 분사공(35)으로 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(36)에 연결될 수 있다. 또한, 측면 가스 공급유닛(40)은 제시된 실시예에 따른 구성에 한정되지 않고 반응가스를 기판(W)의 후면과 하부 전극판(31) 사이의 측부로 반응 가스를 공급할 수 있다면 다양하게 변경되어 실시될 수 있을 것이다.At this time, the branch flow paths 43a and 43b and the side injection holes 47 of the side gas supply unit 40 are connected to the side gas supply part 49 provided to the outside of the chamber 10 to provide the reaction gas. Gas is first and second branched and uniformly supplied from each side injection hole 47. Of course, the branch flow paths 43a and 43b and the side injection holes 47 of the side gas supply unit 40 are not connected to a separate side gas supply part 49, but react gas into the second injection holes 35. It may be connected to the reaction gas supply unit 36 for supplying. In addition, the side gas supply unit 40 is not limited to the configuration according to the present embodiment, if the reaction gas can be supplied to the side between the rear side of the substrate (W) and the lower electrode plate 31 is changed in various ways May be implemented.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이 기판 지지유닛(300)에는 상기 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 지지유닛(100,200)에 형성된 압력조절부(110,211)를 생략할 수 있다. 다만, 압력조절부(110,211)가 생략되는 경우에는 챔버(10)의 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)의 압력을 일정하게 유지하기 위한 수단으로, 상기 챔버(10)의 상측 영역(S1) 및 하측 영역(S2) 각각에 도관(15a,15b)을 형성하고, 상기 각각의 도관(15a,15b)을 진공 배기부(19)와 연결하며, 상기 각각의 도관(15a,15b)에는 밸브(16a,16b)가 구비되고, 상기 챔버(10)의 상측 영역(S1) 및 하측 영역(S2) 내부의 압력을 측정하는 압력 게이지(18a,18b)가 구비되며, 상기 압력 게이지(18a,18b)에서 측정된 챔버(10)의 상측 영역(S1) 및 하측 영역(S2) 내부의 압력에 따라 상기 밸 브(16a,16b)의 개폐를 조절하는 제어기(50)가 마련된다. 그래서, 상기 챔버(10) 상측 영역(S1) 및 하측 영역(S2)의 압력을 각각 별도로 계측 및 조절하여 상측 영역(S1) 및 하측 영역(S2)의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있다. 이때 상기 기판 지지유닛(300)은 상기 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로 일체형 또는 분리형으로 제작될 수 있을 것이다.As shown in FIG. 5, the pressure regulating units 110 and 211 formed in the substrate supporting units 100 and 200 according to the first and second embodiments may be omitted in the substrate supporting unit 300. However, when the pressure regulators 110 and 211 are omitted, the upper region S 1 and the lower region S 2 of the chamber 10 are means for maintaining a constant pressure, and the upper region of the chamber 10 is provided. Conduits 15a and 15b are formed in S 1 and the lower region S 2 , respectively, and each of the conduits 15a and 15b is connected to a vacuum exhaust 19. 15b) are provided with valves 16a and 16b, and pressure gauges 18a and 18b for measuring the pressure inside the upper region S 1 and the lower region S 2 of the chamber 10. The controller 50 controls the opening and closing of the valves 16a and 16b according to the pressure in the upper region S 1 and the lower region S 2 of the chamber 10 measured by the pressure gauges 18a and 18b. Is prepared. Thus, the chamber 10, the upper region (S 1) and a lower region (S 2), the pressure of each separate measurement and control by an upper region (S 1) and a lower region (S 2) in to maintain a constant pressure in the have. In this case, the substrate support unit 300 may be manufactured in one piece or in a separate manner as in the first and second embodiments.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사용 상태를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The state of use of the substrate processing apparatus according to the present invention configured as described above will be described with reference to the drawings.

도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.6 is a use state diagram showing a use state of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 기판(W)의 로딩을 위하여 리프트핀(51)이 상승하여 기판(W)을 로딩할 수 있는 지점에 위치시킨 상태에서 기판(W)을 로딩시켜 리프트핀(51)의 상단에 기판(W)을 안착시킨다. 그리고, 기판(W)이 안착된 리프트핀(51)을 하강시켜 기판의 가장자리가 기판 지지유닛(100)의 안착부(130)에 안착되면서 지지되도록 한다. 이렇게 기판(W)이 기판 지지유닛(100)의 안착부(130)에 안착되었다면, 기판 지지유닛(100) 및 기판(W)에 의해 챔버(10)의 반응공간(S)은 상측 영역(S1)과 하측 영역(S2)으로 구획된다.As shown in the drawing, in order to load the substrate W, the lift pin 51 is lifted to load the substrate W in a state where it is positioned at a point where the substrate W can be loaded. The substrate W is seated on the top. Then, the lift pin 51 on which the substrate W is seated is lowered so that the edge of the substrate is supported while being seated on the seating portion 130 of the substrate support unit 100. When the substrate W is seated on the seating part 130 of the substrate support unit 100, the reaction space S of the chamber 10 is formed by the substrate support unit 100 and the substrate W. 1 ) and the lower region S 2 .

그런 다음, 배기부(19)를 작동시켜 챔버(10) 내부를 원하는 상태, 예를 들어 진공상태로 조성한다. 그러면 챔버(10)의 하측 영역(S2)에 형성된 도관(15)을 통하 여 챔버(10)의 하측 영역의 공기가 배기되어 진공 분위기가 조성된다. 이때 챔버(10)의 하측 영역(S2)과 상측 영역(S1)은 기판 지지유닛(100)의 압력조절부(110)에 형성된 다수의 관통홀(111) 및 챔버(10)의 벽면에 형성된 연통유로(17)를 통하여 연통되어 양 영역간의 압력이 일정하게 유지된다.Then, the exhaust 19 is operated to create the interior of the chamber 10 in a desired state, for example a vacuum state. Then, the air in the lower region of the chamber 10 is exhausted through the conduit 15 formed in the lower region S 2 of the chamber 10 to create a vacuum atmosphere. In this case, the lower region S 2 and the upper region S 1 of the chamber 10 are formed on the wall surfaces of the chamber 10 and the plurality of through holes 111 formed in the pressure regulating unit 110 of the substrate support unit 100. Communication through the formed communication flow path 17 is maintained to maintain a constant pressure between the two areas.

이렇게 챔버(10) 내부를 진공 분위기로 일정하게 조성하였다면, 제 1 전극부(20)를 하강시켜 기판(W)의 전면과 제 1 전극부(20) 사이에서 플라즈마(P)가 형성되지 않을 정도의 간격까지 근접시킨다. 그리고, 제 2 전극부(30)를 상승시켜 기판(W)의 후면과 제 2 전극부(30) 사이에서 플라즈마(P)가 바람직하게 형성될 정도의 간격까지 근접시킨다.When the inside of the chamber 10 is uniformly formed in a vacuum atmosphere, the first electrode part 20 is lowered to the extent that the plasma P is not formed between the front surface of the substrate W and the first electrode part 20. Close to the interval of. Then, the second electrode 30 is raised to bring the plasma P closer to the distance between the rear surface of the substrate W and the second electrode 30 so that the plasma P is preferably formed.

그리고, 제 1 분사공(25)에서는 비활성 가스를 공급하여 기판(W)의 전면으로 반응가스가 공급되는 것을 차단하여 플라즈마(P)의 형성을 억제시키는 동시에 제 2 분사공(35) 및 측면 분사공(47)에서는 반응 가스를 분사하여 기판(W)의 후면과 제 2 전극부(30) 사이로 반응 가스가 균일하게 공급되도록 한다. 그런 다음 제 2 전극부(30)의 하부 전극판(31)에 고주파 전원을 인가한다. 그러면 기판 지지유닛(100)에 의해 챔버(10)와 접속되어 접지된 기판(W)은 캐소드의 역할을 하게 되고, 하부 전극판(31)은 애노드의 역할을 하게 되며, 캐소드 및 애노드 사이의 반응가스에 예를 들어 13.56 ㎒의 고주파가 부여되여 플라즈마(P)가 생성된다. 그래서 기판(W)의 후면과 하부 전극판(31)의 상면 사이에 플라즈마(P)가 생성된다. 이렇게 생성된 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)의 후면 세정 공정을 수행하게 된다.In addition, the first injection hole 25 supplies an inert gas to block the reaction gas from being supplied to the front surface of the substrate W to suppress the formation of the plasma P, and at the same time, the second injection hole 35 and the side portion In the hole hole 47, the reaction gas is injected to uniformly supply the reaction gas between the rear surface of the substrate W and the second electrode part 30. Then, a high frequency power is applied to the lower electrode plate 31 of the second electrode part 30. Then, the substrate W connected to the chamber 10 by the substrate support unit 100 and grounded serves as a cathode, and the lower electrode plate 31 serves as an anode, and the reaction between the cathode and the anode is performed. A high frequency of, for example, 13.56 MHz is applied to the gas to generate the plasma P. Thus, the plasma P is generated between the rear surface of the substrate W and the upper surface of the lower electrode plate 31. The plasma P generated as described above is used to perform a rear cleaning process of the substrate W.

이어서, 플라즈마화된 반응가스가 기판(W) 후면에 증착된 불순물을 세정하는 공정이 완료된 다음, 반응 가스와 플라즈마 전원의 공급을 차단하고, 챔버(10) 내의 미 반응 가스를 모두 배기한다. 그리고, 제 1 전극부(20)를 상승시키고, 제 2 전극부(30)를 하강시킨다. 그런 다음, 리프트핀(51)을 상승시켜서 기판(W)을 안착시킨 다음, 계속 상승시켜 기판(W)이 언로딩 될 수 있는 지점까지 위치시킨 상태에서 게이트(11)를 오픈하고 기판(W)을 언로딩 시킨다.Subsequently, after the process of cleaning the impurities deposited on the back surface of the substrate W is completed, the plasmalized reaction gas is cut off, and the supply of the reactive gas and the plasma power is cut off, and all of the unreacted gas in the chamber 10 is exhausted. And the 1st electrode part 20 is raised and the 2nd electrode part 30 is lowered. Then, the lift pin 51 is raised to seat the substrate W, and then the gate 11 is opened and the substrate W is opened while being continuously raised to the point where the substrate W can be unloaded. Unload

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다. Although the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, one of ordinary skill in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit of the following claims.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention,

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 지지유닛을 나타내는 사시도이며,2 is a perspective view showing a substrate support unit according to a first embodiment of the present invention;

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 지지유닛을 나타내는 사시도이고,3A and 3B are perspective views illustrating a substrate support unit according to a second embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 측면 가스 공급유닛을 나타내는 사시도이고,4 is a perspective view showing a side gas supply unit according to the present invention;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이며,5 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.6 is a use state diagram showing a use state of the substrate processing apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

W: 기판 S: 반응공간W: Substrate S: Reaction Space

10: 챔버 17: 연통유로10: chamber 17: communication path

20: 제 1 전극부 30: 제 2 전극부20: first electrode portion 30: second electrode portion

40: 측면 가스 공급유닛 100,200: 기판 지지유닛40: side gas supply unit 100,200: substrate support unit

210: 공간분할체 220: 기판지지체210: space divider 220: substrate support

110,211: 압력조절부 111,211a: 관통공110,211: pressure regulator 111,211a: through hole

120,221: 가이드부 130: 223: 안착부120,221: guide part 130: 223: seating part

Claims (13)

기판의 처리가 이루어지는 반응공간을 갖는 챔버와;A chamber having a reaction space in which the substrate is processed; 상기 챔버 내부의 상측에 배치되어 비활성 가스를 분사하는 제 1 전극부와;A first electrode part disposed above the chamber and injecting an inert gas; 상기 챔버 내부의 하측에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 2 전극부와;A second electrode part disposed under the chamber to inject a reaction gas; 내주부에 기판의 가장자리가 안착되는 안착부가 형성되는 기판지지체와, 상기 기판지지체의 외측으로 구비되고 상기 챔버의 내벽에 밀착되도록 설치되어 상기 반응공간을 상측 영역과 하측 영역으로 구획하는 공간분할체가 구비되는 기판 지지유닛을 포함하고,A substrate support having a seating portion on which an edge of the substrate is seated at an inner circumference thereof, and a space divider provided outside the substrate support and installed to be in close contact with the inner wall of the chamber to partition the reaction space into an upper region and a lower region. Including a substrate support unit, 상기 기판 지지유닛은 상기 공간분할체에 상하를 관통하는 다수의 관통공이 형성된 압력조절부가 형성되며,The substrate support unit is formed with a pressure regulator formed with a plurality of through holes penetrating up and down in the space divider, 상기 챔버의 벽면에는 상기 반응공간의 상측 영역과 하측 영역을 연통하는 적어도 하나의 연통유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And at least one communication passage communicating with an upper region and a lower region of the reaction space on a wall surface of the chamber. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 관통홀의 직경은 3mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a diameter of the through hole is 3 mm or less. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 지지유닛은,The method according to claim 1, wherein the substrate support unit, 상기 기판지지체와 공간분할체가 일체 또는 탈착 가능하도록 분리되어 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the substrate support and the space divider are separated to be integrated or detachable. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 안착부의 내주연 크기는 기판의 크기에 대응되어 가변되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The inner circumferential size of the seating portion is variable corresponding to the size of the substrate. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 지지유닛은,The method according to claim 1, wherein the substrate support unit, 상기 안착부와 인접된 외측은 외측에서 내측 방향으로 하향 경사지는 가이드부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The outer side adjacent to the seating portion is a substrate processing apparatus, characterized in that the guide portion which is inclined downward from the outer side to the inner side is formed. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판 지지유닛은 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the substrate support unit is formed of a conductive material. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 전극부는 접지에 접속되는 상부 전극판과; 상기 기판의 상면과 대면되도록 상기 상부 전극판의 하면에 형성되는 절연판을 포함하고,An upper electrode plate connected to the ground of the first electrode part; An insulating plate formed on a lower surface of the upper electrode plate to face the upper surface of the substrate, 상기 제 2 전극부는 플라즈마 전원을 인가받는 하부 전극판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the second electrode unit comprises a lower electrode plate to which plasma power is applied. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 상부 전극판에는 히팅수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a heating means is provided on the upper electrode plate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 전극부과 상기 기판 지지유닛 사이로 반응가스를 제공하는 측면 가스 공급유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a side gas supply unit for providing a reaction gas between the second electrode portion and the substrate support unit. 청구항 10에 있어서, 상기 측면 가스 공급유닛은,The method of claim 10, wherein the side gas supply unit, 상기 챔버 내벽에 안착되어 제공받은 반응가스를 다수개의 분기유로로 1차 분기하는 제 1 측면공급부재와;A first side supply member for firstly branching the reaction gas received by being seated on the inner wall of the chamber into a plurality of branch passages; 상기 제 1 공급부재에 안착되고, 상기 다수개의 분기유로와 연통되어 1차 분기된 반응가스를 2차 분기하여 상기 기판의 측면에서 기판의 하부영역으로 토출하는 다수의 측면 분사공이 형성된 제 2 측면공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A second side supply provided with a plurality of side injection holes seated on the first supply member and in communication with the plurality of branch flow paths to branch the first branched reaction gas to discharge from the side of the substrate to the lower region of the substrate A substrate processing apparatus comprising a member. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 챔버 반응공간의 상측 영역과 하측 영역 중 어느 한 영역에는 진공 배기부와 연결되는 도관이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And at least one of an upper region and a lower region of the chamber reaction space is formed with a conduit connected to the vacuum exhaust unit. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 챔버의 벽면에는 반응공간의 상측 영역과 하측 영역에 각각 진공 배기부와 연결되는 도관이 형성되고,Conduits are formed on the wall of the chamber to be connected to the vacuum exhaust in the upper region and the lower region of the reaction space, respectively. 상기 각각의 도관에는 밸브가 구비되며,Each conduit is provided with a valve, 상기 챔버 반응공간의 상측 영역과 하측 영역의 압력을 각각 측정하는 압력 게이지가 구비되고,A pressure gauge for measuring the pressure in the upper region and the lower region of the chamber reaction space, respectively, 상기 각각의 압력 게이지에서 측정된 상측 영역과 하측 영역의 압력 값에 따라 상기 각각의 밸브 개폐를 제어하는 제어기가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a controller for controlling opening and closing of the respective valves according to the pressure values of the upper region and the lower region measured by the respective pressure gauges.
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