KR101004395B1 - 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 투광성 기판 위에 형성된 광반투과막을 가지는 포토마스크 블랭크에 있어서,상기 광반투과막은,위상차 Δθ1, 굴절율 n1 및 소쇠계수 k1가 Δθ1≤0, k1≥n1의 관계를 만족하는 위상차 저감층과, 반사 방지층을 구비하고,여기서, Δθ1은 위상차 저감층을 투과한 광의 위상으로부터 광반투과막이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값이며,상기 광반투과막 전체의 위상차가 -30°~ +30°의 범위인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상차 저감층의 소쇠계수 k1가 k1≥1.5인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막의 투과율은 15%이하인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막의 막두께는 1∼50㎚의 범위인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상차 저감층은 Ta, Hf, Si, Cr, Ag, Au, Cu, Al, 또는 Mo 중 어느 것인가를 1개 이상 포함한 재료로 이루어지는 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 반사방지층은, 위상차 Δθ2, 굴절율 n2, 및 소쇠계수 k2가 Δθ2>0, k2<n2의 관계를 만족하고,여기서, Δθ2는 상기 반사방지층을 투과한 광의 위상으로부터 상기 광반투과막이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 반사방지층은, 위상차 Δθ2, 굴절율 n2, 및 소쇠계수 k2가 Δθ2>0, k2<n2의 관계를 만족하고,여기서, Δθ2는 상기 반사방지층을 투과한 광의 위상으로부터 상기 광반투과막이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값이고,상기 위상차 저감층은 MoSi을 포함하는 재료로 이루어지며,상기 반사방지층은 MoSiN, MoSiO, MoSiON, SiN, SiO, SiON으로 이루어지는 포토마스크 블랭크.
- 제7항에 있어서,상기 위상차 저감층의 Mo 함유량은 30% 미만인 포토마스크 블랭크.
- 제7항에 있어서,상기 위상차 저감층은 Mo과 Si의 비율이 10:90 ∼ 30:70의 타겟을 사용하여 형성되는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 광반투과막 위에 형성된 차광막을 더 구비하는 포토마스크 블랭크.
- 제10항에 있어서,상기 광반투과막이 금속 및 Si를 포함한 재료로 이루어지고,상기 차광막이 Cr를 포함한 재료로 이루어진 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 광반투과막은 상기 투광성 기판에 접하여 형성되는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 투광성 기판과 상기 광반투과막의 사이, 또는 상기 광반투과막 위에 형성된 위상 쉬프트 막을 더 구비하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 따른 포토마스크 블랭크를 사용하여 제조되는 포토마스크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반사방지층은, 상기 위상차저감층 위에 설치되는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 포토마스크 블랭크는, 상기 광반투과막으로 이루어진 광반투과부와, 그 광반투과막에 설치된 개구부를 갖는 포토마스크를 제조하기 위한 것이고,상기 포토마스크를 제조할 때의 상기 개구부의 위상차는 150°∼210°의 범위인 포토마스크 블랭크.
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JP2008310091A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク |
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JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP5615488B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2014-10-29 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
JP4849276B2 (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法 |
KR101295235B1 (ko) | 2008-08-15 | 2013-08-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 그레이톤 마스크 블랭크, 그레이톤 마스크, 및 제품 가공 표지 또는 제품 정보 표지의 형성방법 |
JP4831368B2 (ja) * | 2008-08-15 | 2011-12-07 | 信越化学工業株式会社 | グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク |
JP5558359B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-07-23 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
WO2010050447A1 (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
TWI461833B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-11-21 | Hoya Corp | 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 |
JP5154626B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-02-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP6058318B2 (ja) | 2011-09-14 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
JP6420958B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-11-07 | Hoya株式会社 | インプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールド |
JP5976970B1 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-08-24 | 日東電工株式会社 | 光透過性フィルム |
JP6380204B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン露光方法 |
JP6087401B2 (ja) * | 2015-08-14 | 2017-03-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
KR102254035B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2021-05-20 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
TW201823855A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-07-01 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法 |
JP7037919B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-03-17 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法 |
JP2023050611A (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-11 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0695363A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びその製造方法並びにフォトマスク |
JP3229446B2 (ja) | 1993-07-13 | 2001-11-19 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
KR100295385B1 (ko) | 1993-04-09 | 2001-09-17 | 기타지마 요시토시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법 |
US5629115A (en) | 1993-04-30 | 1997-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask and method and apparatus for manufacturing the same |
JP3222678B2 (ja) | 1994-02-25 | 2001-10-29 | 株式会社東芝 | 半透明膜の設計方法 |
JPH08202016A (ja) | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Sony Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びレジスト露光方法 |
US5660955A (en) * | 1995-11-15 | 1997-08-26 | Lg Semkon Co., Ltd. | Phase shift mask and manufacturing method thereof |
JPH10198017A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランク |
JPH1126355A (ja) | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
JP2000181048A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Sharp Corp | フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法 |
JP4328922B2 (ja) | 1999-09-21 | 2009-09-09 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフト型フォトマスク |
US7385106B2 (en) | 2000-01-24 | 2008-06-10 | Ramot At Tel Aviv University Ltd. | Plants tolerant of environmental stress conditions, methods of generating same and novel polynucleotide sequence utilized thereby |
JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
KR100618811B1 (ko) | 2001-03-20 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
JP3708877B2 (ja) | 2001-05-01 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | フォトマスク |
JP2003050454A (ja) | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Canon Inc | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
DE10307518B4 (de) * | 2002-02-22 | 2011-04-14 | Hoya Corp. | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10307545A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-11-06 | Hoya Corp | Zuschnitt für halbtonartige Phasenverschiebungsmaske und zugehörige Phasenverschiebungsmaske |
JP4290386B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-07-01 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2003322947A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP3727318B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2005-12-14 | 松下電器産業株式会社 | フォトマスク及びその作成方法 |
JP2004085760A (ja) | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスク、並びにパターン転写法 |
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