KR100988654B1 - 정전 용량형 입력 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제조 프로세스의 간소화를 도모하면서, 투광성 기판 상의 패턴이나 패턴끼리의 교차부를 눈에 띄지 않게 할 수 있는 정전 용량형 입력 장치를 제공하는 것이다. 이를 위해서, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)의 입력 장치(10)는 정전 용량형의 터치 패널로서, 투광성 기판(15)의 한쪽 면에는 막두께가 10~20nm인 ITO막, 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막, 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막이 순서대로 적층되어 이루어지는 다층막에 의해서, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있다. 교차 부분(18)에 있어서는, 제 1 투광성 전극 패턴(11)은 이어져 있는 한편, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 끊어져 있고, 교차 부분(18)에서 끊어져 있는 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 층간 절연막(4a)의 상층에 형성된 중계 전극(5a)에 의해서 전기적으로 접속되어 있다.

Description

정전 용량형 입력 장치{CAPACITIVE INPUT DEVICE}
본 발명은 손가락의 접촉 위치를 정전 용량의 변화로서 검출 가능한 정전 용량형 입력 장치에 관한 것이다.
휴대 전화, 카네비게이션, 퍼스널 컴퓨터, 발권기, 은행의 단말 등의 전자기기에서는, 최근, 액정 장치 등의 표면에 타블렛형의 입력 장치가 배치되고, 액정 장치의 화상 표시 영역에 표시된 지시 화상을 참조하면서, 이 지시 화상이 표시되어 있는 개소에 손가락 등을 접촉함으로써, 지시 화상에 대응하는 정보의 입력이 실행되는 것이 있다.
이러한 입력 장치(터치 패널)에는 저항막형, 정전 용량형 등이 있지만, 저항막형의 입력 장치는 필름과 유리의 2장 구조이고 필름을 눌러서 단락시키는 구조이기 때문에, 동작 온도 범위의 좁음이나, 시간 경과 변화에 약하다고 하는 결점을 갖고 있다.
이에 반하여, 정전 용량형의 입력 장치는 1장의 기판에 투광성 도전막을 형성하면 된다고 하는 이점이 있다. 이러한 정전 용량형의 입력 장치에서는, 예컨 대, 서로 교차하는 방향으로 전극 패턴을 연장시켜서, 손가락 등이 접촉했을 때, 전극간의 정전 용량이 변화하는 것을 검지하여 입력 위치를 검출하는 타입인 것이 있다(예컨대, 특허 문헌 1).
또한, 정전 용량형의 입력 장치로서는, 투광성 도전막의 양단에 동상(同相), 동전위의 교류를 인가하고, 손가락이 접촉 또는 근접해서 캐패시터가 형성될 때에 흐르는 미약 전류를 검지하여 입력 위치를 검출하는 타입인 것도 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-122326호 공보
정전 용량형 입력 장치를 구성함에 있어서, 투광성 기판의 입력 영역에, 제 1 방향으로 연장하는 복수의 제 1 투광성 전극 패턴과, 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 제 2 투광성 전극 패턴을 투광성 기판의 표면 및 이면에 각각 형성하면, 제조 프로세스가 번잡하게 되는 등의 문제점이 있다.
또한, 입력 장치에 있어서는, 액정 장치에서 표시된 화상을 입력 장치의 입력면 측으로부터 투과하여 시인하기 때문에, 기판 및 전극 패턴에는 투광성이 우수한 것이 이용되지만, 그래도, 투광성 전극 패턴 등이 형성되어 있는 영역과, 투광성 전극 패턴 등이 형성되어 있지 않은 영역 사이에서 반사율이 크게 상이하면, 투광성 전극 패턴의 존재 등의 존재가 눈에 띄게 되어 버려, 바람직하지 못하다. 그런데, 제 1 투광성 전극 패턴과, 제 2 투광성 전극 패턴을 투광성 기판의 표면 및 이면에 각각 형성하면, 제 1 투광성 전극 패턴과 제 2 투광성 전극 패턴 사이에 투광성 기판이 개재하기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역, 제 2 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역, 이들 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역에서 광학적인 구성이 크게 상위하는 결과, 각 영역간에서 반사율에 큰 차가 발생하여, 투광성 전극 패턴의 존재가 눈에 띄게 되어 버린다고 하는 문제점이 있다.
이상의 문제점을 감안하여, 본 발명의 과제는 제조 프로세스의 간소화를 도모하면서, 투광성 기판 상의 패턴이나 패턴끼리의 교차부를 눈에 띄지 않게 할 수 있는 정전 용량형 입력 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는, 투광성 기판의 입력 영역에, 제 1 방향으로 연장하는 복수의 제 1 투광성 전극 패턴과, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 제 2 투광성 전극 패턴이 형성된 정전 용량형 입력 장치에 있어서, 상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴은 상기 투광성 기판의 동일면 상에 형성되고, 상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴의 교차 부분에서는, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴 중 한쪽의 전극 패턴이 이어져 있는 한편, 다른쪽의 전극 패턴은 끊어져 있고, 적어도 상기 교차 부분에 있어서의 상기 한쪽의 전극 패턴의 상층 쪽에 투광성의 층간 절연막이 형성되어 있고, 또한, 상기 층간 절연막의 상층에는, 상기 교차 부분에서 끊어져 있는 상기 다른쪽의 전극 패턴끼리를 전기적으로 접속하는 투광성의 중계 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 정전 용량형 입력 장치에서는, 투광성 기판의 동일면 상에 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴이 형성되어 있기 때문에, 투광성 기판의 표면 및 이면 각각에 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴을 형성한 경우와 비교하여 제조 프로세스를 간소화할 수 있다. 여기서, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴을 투광성 기판의 동일면 쪽에 형성하면, 제 1 투광성 전극 패턴과 제 2 투광성 전극 패턴을 교차시킬 필요가 있고, 이러한 교차 부분의 막 구성은, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴과 상위해 버린다. 이 때문에, 액정 장치 등에서 표시된 화상을 입력 장치의 입력면 쪽에서 보았을 때, 투광성 전극 패턴 등이 형성되어 있는 영역과, 투광성 전극 패턴 등이 형성되어 있지 않은 영역 사이에서의 반사율의 차가 작아지도록 투광성 전극 패턴을 형성하여, 투광성 전극 패턴을 눈에 띄지 않게 하더라도 교차 부분이 눈에 띄게 되어 버리게 된다. 그런데, 본 발명에서는, 교차 부분에 있어서 전극 패턴이 끊어져 있고, 이러한 끊어진 전극 패턴끼리는, 투광성의 층간 절연막의 상층에 형성된 투광성의 중계 전극에 의해서 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 교차 부분이 차지하는 면적이 좁다. 또한, 교차 부분은 투광성의 박막이 적층된 구조로 되어 있기 때문에, 교차 부분의 존재를 눈에 띄지 않게 할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에 의하면, 입력 장치의 입력면 쪽에서 보았을 때, 교차 부분의 존재가 눈에 띄지 않기 때문에, 입력 장치의 배면 쪽에 화상 생성 장치를 배치한 경우, 품위가 높은 화상을 표시할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴은 동일 부재에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 제 1 투광성 전극 패턴과 제 2 투광성 전극 패턴을 동일한 층에 의해 형성하면, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴을 상이한 층에 의해 형성한 경우와 비교하여 제조 프로세스를 간소화할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴은 각각, 상기 교차 부분 사이에 유지된 영역에 대면적 부분을 구비하고, 상기 한쪽의 전극 패턴에 있어서 상기 교차 부분에 위치하는 접속 부분, 및 상기 중계 전극은, 상기 대면적 부분보다 폭이 좁은 세폭(細幅) 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴에 대하여 대면적 부분을 마련하면, 입력 위치를 정밀하게 검출할 수 있는 한편, 한쪽의 전극 패턴에 있어서 교차 부분에 위치하는 부분, 및 중계 전극을 세폭으로 하면, 교차 부분의 존재를 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴은, 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리가 겹치도록 형성된 다층막으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이렇게 구성하면, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역과, 이들 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차를 작게 할 수 있기 때문에, 입력 장치를 그 입력면 쪽에서 본 경우, 전극 패턴이 눈에 띄지 않는다. 즉, 굴절률이 작은 매체로부터 굴절률이 큰 매체를 진행할 때, 입사광은 매체간의 계면에서 반사한다. 따라서, 투광성 기판 상에 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 경우에는, 입력면 쪽의 공기층/투광성 전극 패턴의 계면과, 투광성 전극 패턴/투광성 기판과의 계면이 존재하기 때문에, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역과, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역에서는 반사율에 차가 발생하여, 투광성 전극 패턴의 존재가 보여져 버리는 결과로 되지만, 다층막을 이용하여, 각 계면에서 반사한 광의 위상을 역전시켜서 서로 없애도록 하면, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역과, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차를 해소할 수 있다. 그 때문에, 투광성 전극 패턴의 존재가 눈에 띄지 않을 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 다층막으로서는, 상기 투광성 박막으로서, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막, 및 실리콘 산화막이나 실리콘 질산화막 등이라고 한 투광성의 실리콘 화합물이 적층되서 이루어지는 구성을 채용할 수 있다.
예컨대, 상기 투광성 기판이 유리 기판인 경우, 상기 다층막은 막두께가 10~20nm인 제 1 ITO막, 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막, 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막이 순서대로 적층되어 이루어지는 구성을 채용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 중계 전극으로서는, 막두께가 10~15nm인 ITO막 등이하고 한 투광성의 도전성 금속 산화막을 이용할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 투광성 기판에 있어서 상기 입력 영역의 바깥쪽 영역에는, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴 각각에 전기적으로 접속하는 복수의 금속 배선이 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다. 이렇게 구성하면, 투광성 전극 패턴을 그대로 배선으로서 이용한 경우에 비교하여 배선 저항을 저감할 수 있다.
본 발명에 의하면, 제조 프로세스의 간소화를 도모하면서, 투광성 기판 상의 패턴이나 패턴끼리의 교차부를 눈에 띄지 않게 할 수 있어, 품위가 높은 화상을 표시할 수 있다.
도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 참조하는 도면에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 때문에, 각 층이나 각 부재마다 축척을 상이하게 하고 있다.
[실시예 1]
(전체 구성)
도 1(a), (b)는 각각, 본 발명을 적용한 입력 장치 부착된 표시 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 설명도, 및 이 입력 장치 부착된 표시 장치의 평면적인 구성을 모식적으로 나타내는 설명도이다. 또한, 도 1(b)에서, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴에 대해서 실선으로 간략화하여 표시하고 있고, 그것들의 수도 줄여서 표시하고 있다.
도 1(a)에서, 본 형태의 입력 장치 부착된 표시 장치(100)는 개략적으로, 화상 생성 장치로서의 액정 장치(50)와, 이 화상 생성 장치에 있어서 표시광을 출사하는 쪽의 면에 겹쳐서 배치된 패널 형상의 입력 장치(10)(터치 패널)를 갖고 있다. 액정 장치(50)는 투과형, 반사형 또는 반투과 반사형의 액티브 매트릭스형 액정 패널(50a)을 구비하고 있고, 투과형 또는 반투과 반사형의 액정 패널의 경우, 표시광의 출사측과는 반대쪽에 백라이트 장치(도시하지 않음)가 배치된다. 또한, 액정 장치(50)에 있어서는, 액정 패널(50a)에 대하여 위상차판이나 편광판(도시하지 않음)이 겹쳐서 배치된다. 액정 패널(50a)은 소자 기판(51)과, 소자 기판(51) 에 대하여 대향 배치된 대향 기판(52)과, 대향 기판(52)과 소자 기판(51) 사이에 유지된 액정층을 구비하고 있고, 소자 기판(51)에 있어서, 대향 기판(52)의 가장자리로부터 돌출한 영역에는 플렉서블 기판(53)이 접속되어 있다. 소자 기판(51)에는 구동용 IC가 COG 실장되는 경우도 있다. 어떠한 경우에도, 액정 장치(50)는 동화상이나 정지 화상을 표시 가능하고, 입력 장치 표시 장치(100)에 대한 입력을 행할 때, 입력 정보에 대응하는 지시 화상을 표시한다. 따라서, 이용자는 입력 장치 표시 장치(100)에서 표시된 지시 화상을 손가락으로 접촉하면, 정보의 입력을 행할 수 있다.
입력 장치(10)는 정전 용량형의 터치 패널로서, 1장의 투광성 기판(15)과, 투광성 기판(15)의 단부에 접속된 플렉서블 기판(19)을 구비하고 있다. 플렉서블 기판(19)에는, 입력 장치(10)에 있어서 입력 위치의 검출을 행하기 위한 구동 회로(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 입력 장치(10)에 있어서는, 투광성 기판(15)의 상면에 의해서 입력면(10b)이 구성되어 있고, 투광성 기판(15)의 입력면(10b)의 대략 중앙 영역이 손끝에 의한 입력이 행해지는 입력 영역(10a)으로 이루어져 있다.
도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 투광성 기판(15)의 입력면(10b) 중, 입력 영역(10a)에는, 화살표 X로 표시하는 제 1 방향으로 연장하는 복수열의 제 1 투광성 전극 패턴(11)과, 화살표 Y로 표시하는 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수열의 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있다.
이러한 구성의 입력 장치(10)에서는, 복수의 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 복수의 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 순차적으로 전압 인가하여 전하를 부여했을 때, 어느 하나의 개소에 도전체인 손가락이 닿으면, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)과, 손가락과의 사이에서도 용량을 가지고, 그 결과로서 정전 용량이 저하하기 때문에, 어느 쪽의 개소에 손가락이 닿았는지를 검출할 수 있다.
(입력 장치(10)의 상세 구성)
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치에 형성한 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴의 평면적인 구성을 나타내는 설명도이다. 도 3(a), (b), (c)는 각각, 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치의 A1-A1' 단면도, 투광성 전극 패턴과 금속 배선과의 접속 구조를 나타내는 단면도, 및 광학 간섭을 이용한 반사 방지 기술의 설명도이다. 또한, 도 2에서는, 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴의 일부를 발췌하여 나타내고 있다.
도 1(b), 도 2 및 도 3(a)에 도시하는 바와 같이, 본 형태의 입력 장치(10)에 있어서, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 투광성 기판(15)의 동일면 상에 동일층에 의해 형성되어 있다. 또한, 투광성 기판(15)의 입력 영역(10a)에 있어서, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 투광성 기판(15)의 동일면 상에 동일층에 의해 형성되어 있기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)과의 교차 부분(18)이 복수 존재한다.
그래서, 본 형태에서는, 복수의 교차 부분(18) 중 어디에 있어서도, 제 1 투 광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12) 중 한쪽의 전극 패턴은, 교차 부분(18)에서도 이어져 있는 한편, 다른쪽의 전극 패턴은 끊어져 있는 구성으로 되어 있다. 본 형태에서는, 복수의 교차 부분(18) 중 어디에 있어서도, 제 1 투광성 전극 패턴(11)이 이어져 있는 한편, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 끊어져 있는 구성으로 되어 있다.
또한, 교차 부분(18)에서의 제 1 투광성 전극 패턴(11)의 상층 쪽에는, 투광성의 층간 절연막(4a)이 형성되어 있고, 또한, 이 층간 절연막(4a)의 상층에는, 교차 부분(18)에서 끊어져 있는 제 2 투광성 전극 패턴(12)끼리를 전기적으로 접속하는 투광성의 중계 전극(5a)이 형성되어 있다. 이 때문에, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 제 2 방향에서 전기적으로 접속되어 있다.
여기서, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 각각, 교차 부분(18) 사이에 유지된 영역에 마름모 형상의 대면적의 패드부(11a, 12a)(대면적 부분)를 구비하고 있고, 제 1 투광성 전극 패턴(11)에 있어서 교차 부분(18)에 위치하는 접속 부분(11c)은 패드부(11a)보다 폭이 좁은 세폭 형상으로 되어 있다. 또한, 중계 전극(5a)도 패드부(11a, 12a)보다 폭이 좁은 세폭 형상으로 직사각형으로 형성되어 있다.
도 1(a), (b), 및 도 3(b)에 도시하는 바와 같이, 투광성 기판(15)에 있어서 입력 영역(10a)의 바깥쪽 영역에는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 각각에 전기적으로 접속하는 복수의 금속 배선(9a)이 형성되어 있고, 이들 금속 배선(9a)의 단부는 플렉서블 기판(19)을 접속하기 위한 단자(19a)를 구성하고 있다.
이와 같이 구성한 입력 장치(10)에 있어서, 본 형태에서는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있는 영역과, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차에 기인하여, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 존재가 보여져 버리는 것을 방지하는 것을 목적으로, 도 3(c)을 참조하여 이하에 설명하는 광학 간섭을 이용한 반사 방지 기술에 근거하여, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 재질 및 두께를 설정하고 있다.
먼저, 도 3(c)에 도시하는 바와 같이, 광학 간섭을 이용한 반사 방지 기술이란, 입사광이 박막의 표면, 및 기판과 박막의 계면에서 반사했을 때, 이 표면 반사광과 계면 반사광의 위상을 역전시켜서 서로 없앰으로써 반사광을 경감하는 기술이다. 즉, 도 3(c)에 있어서, 박막의 굴절률(n1)과 막두께(d1)와, 기판의 굴절률(n2)이, 하기의 식
(n1)2=n0×n2
n1×d1=λ/4
을 만족하는 경우, 파장 λ(nm)에서의 반사율이 0%로 된다. 여기서, 반사 방지 효과는 파장 의존성이 있고, 박막의 막 의존성도 있기 때문에, 광학 시뮬레이션을 행한 바, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을, 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리가 겹치도록 형성된 다층막, 예컨대, 투광성의 도전성 금속 산화막, 및 투광성의 실리콘 화합물이 적층되어 이루어지는 구조를 채용하면, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있는 영역과, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차가 해소되어, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 존재를 보이지 않게 할 수 있다고 하는 결론을 얻었다.
그래서, 본 형태에서는, 투광성 기판(15)이 유리 기판(굴절률=1.52)인 것이고, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 구성하는 다층막에 대해서는, 막두께가 10~20nm인 제 1 ITO막(1a)(굴절률=1.80), 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막(2a)(굴절률=1.46), 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막(3a)(굴절률=1.80)이 순서대로 적층되어 이루어지는 구조를 채용하고 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 구성하는 다층막에 대해서는, 제 1 ITO막(1a), 실리콘 산화막(2a), 및 제 2 ITO막(3a)의 막두께를 각각 10nm, 40nm 및 10nm의 조건, 또는 15nm, 50nm 및 15nm의 조건으로 설정하고 있다.
이 때문에, 본 형태의 입력 장치(10)에 있어서, 중계 전극(5a)은 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 있어서 최상층에 적층된 제 2 ITO막(3a)에 접속되어 있게 된다. 또한, 금속 배선(9a)은 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 있어서 최상층에 적층된 제 2 ITO막(3a)에 접속되어 있게 된다.
여기서, 중계 전극(5a)은 박막의 ITO막(막두께는 10~15nm)으로 이루어진다. 층간 절연막(4a)은 감광성 수지로 이루어지고, 본 형태에 있어서, 층간 절연막(4a) 은 두께가 1~2㎛인 아크릴 수지(굴절률=1.52)로 이루어진다. 이 때문에, 교차 부분(18)에 대해서도, 중계 전극(5a)은 세폭 형상으로 면적이 작아, 그 존재가 눈에 띄지 않도록 되어 있다.
(입력 장치(10)의 제조 방법)
도 4(a)~(e)는 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다. 또한, 도 4(a)~(e)에는, 투광성 전극 패턴, 교차부 및 금속 배선을 모아서 나타내고 있고, 왼쪽에는 도 3(a)에 상당하는 부분을 나타내며, 오른쪽에는 도 3(b)에 상당하는 부분을 나타내고 있다.
본 형태의 입력 장치(10)를 제조하기 위해서는, 먼저, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 투광성 기판(15)(유리 기판)의 한쪽 면 전체에, 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 1 ITO막(1), 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막(2), 및 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 2 ITO막(3a)을 형성한 후, 금속막(9)을 형성한다.
다음에, 금속막의 표면에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태로 금속막을 에칭하여, 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 금속 배선(9a)을 패터닝 형성한 후, 에칭 마스크를 제거한다.
다음에, 금속 배선(9a) 및 제 2 ITO막(3) 등의 상층 쪽에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서, 제 1 ITO막(1), 실리콘 산화막(2), 및 제 2 ITO막(3)을 에칭하여, 도 4(c)에 도시하는 바와 같이, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 패터닝 형성한 후, 에칭 마스크를 제거한다. 이렇게 해서 형성한 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패 턴(12)과의 교차 부분(18)에 있어서, 제 1 투광성 전극 패턴(11)은 패드부(11a)가 접속 부분(11c)을 사이에 두고 이어져 있는 한편, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 끊어져 있다.
다음에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 표면 쪽에 아크릴 수지를 도포한 후, 노광 현상하여, 도 4(d)에 도시하는 바와 같이, 제 1 투광성 전극 패턴(11)의 접속 부분(11c)을 덮도록 층간 절연막(4a)을 형성한다.
다음에, 층간 절연막(4a)의 상층 쪽에 아몰퍼스의 ITO막을 형성한 후, ITO막의 표면에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서 ITO막을 에칭하고, 도 4(e)에 도시하는 바와 같이, 층간 절연막(4a)의 상층에, 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 끊어짐 부분을 잇도록 중계 전극(5a)을 형성한다. 그 후에는, 온도가 200℃ 이상의 조건, 예컨대, 온도가 220℃, 시간이 20~30분의 조건으로 소성을 행하여, 중계 전극(5a)을 구성하는 ITO막을 다결정의 ITO막으로 한다. 아몰퍼스의 ITO막이면 옥살산 등으로 에칭할 수 있고, 옥살산이면 다결정의 ITO막을 에칭하지 않기 때문에, 중계 전극(5a)을 패터닝 형성할 때, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 구성하는 제 2 ITO막(3a)이 손상하는 일이 없다. 또한, 소성에 의해, 중계 전극(5a)을 구성하는 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 때문에, 중계 전극(5a)의 전기적 저항을 저감할 수도 있다.
(본 형태의 주된 효과)
이상 설명한 바와 같이, 본 형태에서는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리가 겹치도록 형성 된 다층막으로 이루어지기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있는 영역과, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차를 해소할 수 있다. 즉, 본 형태에서는, 투광성 기판(15)이 유리 기판이고, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 구성하는 다층막은 막두께가 10~20nm인 제 1 ITO막(1a), 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막(2a), 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막(3a)이 순서대로 적층되어 이루어지는 구성을 갖고 있기 때문에, 각 계면에서 반사한 광의 위상을 역전시켜서 서로 없애는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있는 영역과, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사율의 차를 해소할 수 있기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 존재가 보여져 버리는 것을 방지할 수 있다.
특히 본 형태에서는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 대면적의 패드부(11a, 12a)를 구비하고 있기 때문에, 눈에 띄기 쉬운 형상이지만, 본 발명을 적용하면, 이러한 형상의 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 형성한 경우에도, 눈에 띄는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 본 형태에서는, 투광성 기판(15)의 동일면 상에 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있기 때문에, 투광성 기판(15)의 표면 및 이면 각각에 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 형성한 경우와 비교하여 제조 프로세스를 간소화할 수 있다. 게다가, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 동일층에 의해 형성되어 있기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 상이한 층에 의해 형성한 경우와 비교하여 제조 프로세스를 간소화할 수 있다.
여기서, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 투광성 기판(15)의 동일면 쪽에 동일층에 의해 형성하면, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 교차시킬 필요가 있어, 이러한 교차 부분(18)의 막구성은 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)과 상위해 버린다. 이 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 존재를 눈에 띄지 않게 하더라도, 교차 부분(18)의 존재가 눈에 띄게 되어 버린다. 그런데, 본 형태에서는, 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 끊어짐 부분에 대해서는, 층간 절연막(4a)의 상층에 형성된 중계 전극(5a)에 의해서 전기적으로 접속하는 구성을 채용하고, 또한, 제 1 투광성 전극 패턴(11)에 있어서 교차 부분(18)에 위치하는 접속 부분(11c), 및 중계 전극(5a)을 세폭으로 했기 때문에, 교차 부분(18)이 차지하는 면적이 좁다. 또한, 중계 전극(5a)은 막두께가 10~15nm인 ITO막으로 이루어지고, 층간 절연막(4a)은 아크릴 수지로 이루어지기 때문에, 교차 부분(18)에 대해서도 그 존재가 눈에 띄지 않는다. 그 때문에, 본 발명에 의하면, 입력 장치(10)의 입력면(10b) 쪽에서 보았을 때, 교차 부분(18)의 존재가 눈에 띄지 않기 때문에, 액정 장치(50) 등으로 표시된 화상을 입력 장치(10)의 입력면(10b) 쪽에서 보았을 때, 화상의 품위가 높다.
[실시예 2]
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치에 형성한 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴의 평면적인 구성을 나타내는 설명도이다. 도 6(a), (b)는 각각, 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치의 A2-A2' 단면도, 및 투광성 전극 패턴과 금속 배선의 접속 구조를 나타내는 단면도이다. 또한, 본 형태의 기본적인 구성은 실시예 1과 마찬가지이기 때문에, 공통되는 부분에는 동일한 부호를 부여해서 도시하는 것으로 하여 그것들의 설명을 생략한다.
도 5 및 도 6(a)에 있어서, 본 형태의 입력 장치(10)도 실시예 1과 마찬가지로 정전 용량형의 터치 패널이며, 투광성 기판(15)의 입력면(10b) 중, 입력 영역(10a)에는, 제 1 방향으로 연장하는 복수열의 제 1 투광성 전극 패턴(11)과, 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수열의 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 형성되어 있다. 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 모두, 투광성 기판(15)의 동일면 상에 대하여, 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리가 겹치도록 형성된 다층막으로 이루어진다. 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 교차 부분(18)에 있어서, 제 1 투광성 전극 패턴(11)은 이어져 있는 한편, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 끊어져 있다.
여기서, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 상층 쪽에는, 투광성의 층간 절연막(4b)이 입력 영역(10a)의 대략 전체에 형성되고, 이러한 층간 절연막(4b)의 상층에는, 층간 절연막(4b)의 콘택트 홀(4c)을 사이에 두고, 교차 부분(18)에서 끊어져 있는 제 2 투광성 전극 패턴(12)끼리를 전기적으로 접속하는 투광성의 중계 전극(5a)이 형성되어 있다. 이 때문에, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 제 2 방향에서 전기적으로 접속되어 있다.
본 형태에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 막두께가 10~20nm인 제 1 ITO막(1a), 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막(2a), 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막(3a)이 순서대로 적층되어 이루어지는 다층막으로 이루어지고, 중계 전극(5a)는 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 있어서 최상층에 적층된 제 2 ITO막(3a)에 접속되어 있다. 본 형태에 있어서, 중계 전극(5a)은 막두께가 10~15nm인 ITO막으로 이루어진다. 또한, 층간 절연막(4b)은 감광성 수지로 이루어지고, 본 형태에 있어서, 층간 절연막(4b)은 두께가 1~2㎛인 아크릴 수지로 이루어진다.
제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 각각, 교차 부분(18) 사이에 유지된 영역에 마름모 형상의 패드부를 구비하고 있고, 제 1 전극 패턴에 있어서 교차 부분(18)에 위치하는 접속 부분(11c)은 패드부보다 폭이 좁은 세폭 형상으로 되어 있다. 또한, 중계 전극(5a)도 패드부보다 폭이 좁은 세폭 형상으로 직사각형으로 형성되어 있다.
도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 투광성 기판(15)에 있어서 입력 영역(10a)의 바깥쪽 영역에는, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 각각에 전기적으로 접속하는 복수의 금속 배선(9a)이 형성되어 있고, 이들 금속 배선(9a)의 단부는 플렉서블 기판을 접속하기 위한 단자(19a)를 구성하고 있다.
여기서, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 모두, 제 1 ITO막(1a), 실리콘 산화막(2a), 및 제 2 ITO막(3a)이 순서대로 적층되어 이루어지는 다층막으로 이루어지기 때문에, 금속 배선(9a)은 제 1 투광성 전극 패턴(11) 배선 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 있어서 최상층에 적층된 제 2 ITO막(3a)에 접속되어 있다. 또한, 중계 전극(5a)도 금속 배선(9a)과 마찬가지로, 제 2 투광성 전극 패턴(12)에 있어서 최상층에 적층된 제 2 ITO막(3a)에 접속되어 있다.
(입력 장치(10)의 제조 방법)
도 7(a)~(e)는 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다. 또한, 도 7(a)~(e)에는 투광성 전극 패턴, 교차부 및 금속 배선을 모아서 나타내고 있으며, 왼쪽에는 도 6(a)에 상당하는 부분을 나타내고, 오른쪽에는 도 6(b)에 상당하는 부분을 나타내고 있다.
본 형태의 입력 장치(10)를 제조하기 위해서는, 먼저, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 투광성 기판(15)(유리 기판)의 한쪽 면 전체에, 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 1 ITO막(1a), 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막(2a), 및 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 2 ITO막(3a)을 형성한 후, 금속막을 형성한다.
다음에, 금속막의 표면에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서 금속막을 에칭하여, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 금속 배선(9a)을 패터닝 형성한 후, 에칭 마스크를 제거한다.
다음에, 금속 배선(9a) 등의 상층 쪽에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서, 제 1 ITO막(1a), 실리콘 산화막(2a), 및 제 2 ITO 막(3a)을 에칭하고, 도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)을 패터닝 형성한 후, 에칭 마스크를 제거한다.
다음에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 표면 측에 아크릴 수지를 도포한 후, 노광 현상하여, 도 7(d)에 도시하는 바와 같이, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 교차 부분(18)에 겹치도록 층간 절연막(4b)을 형성한다. 그때, 층간 절연막(4b)에는 콘택트 홀(4c)이 동시 형성된다.
다음에, 층간 절연막(4b)의 상층 쪽에 다결정의 ITO막을 형성한 후, ITO막의 표면에 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서 ITO막을 에칭하여, 중계 전극(5a)을 형성한다. 그때, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 층간 절연막(4b)으로 덮여져 있기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 손상하는 일이 없다. 또한, 다결정의 ITO막 대신에, 아몰퍼스의 ITO막을 형성하여, 감광성 수지 등으로 이루어지는 에칭 마스크를 형성한 상태에서 옥살산에 의해 에칭하고, 패턴 형성 후에 어닐하여 다결정의 ITO막으로 해도 좋다.
(본 형태의 주된 효과)
이상 설명한 바와 같이, 본 형태이더라도, 실시예 1과 마찬가지로, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)은 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리가 겹치도록 형성된 다층막으로 이루어지기 때문에, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있는 영역과, 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역과의 반사 율의 차를 해소할 수 있기 때문에, 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 존재가 눈에 띄지 않는다. 또한, 본 형태에서는, 투광성 기판(15)의 동일면 상에 제 1 투광성 전극 패턴(11) 및 제 2 투광성 전극 패턴(12)이 동일층에 의해 형성되어 있기 때문에, 제조 프로세스를 간소화할 수 있다. 또한, 제 1 투광성 전극 패턴(11)과 제 2 투광성 전극 패턴(12)의 교차 부분(18)이 점유하는 면적이 좁고, 또한, 교차 부분(18)도 막두께가 10~15nm인 ITO막을 이용하기 때문에, 존재가 눈에 띄지 않는다.
[그 밖의 실시예]
상기 형태에서는, 금속 배선(9a)의 단부를 그대로 단자(19a)로서 이용했지만, 금속 배선(9a)의 단부의 상층에 ITO층을 중계 전극(5a)과 동시 형성하여, 단자(19a)로 해도 좋다. 또한, 실시예 2에서는, 입력 영역(10a)에만 층간 절연막(4b)을 형성했지만, 단자(19a)의 표면을 제외한 대략 전면에 층간 절연막(4b)을 형성해도 좋다.
또한, 박막 광학 간섭을 이용한 다층막 구성의 예로서, 하층부터 순서대로 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 1 ITO막, 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막, 막두께가 10~20nm인 다결정의 제 2 ITO막으로 한 상기의 예 외에, 하층부터 순서대로 막두께가 30nm인 실리콘 산화막(굴절률=1.46), 막두께가 10nm인 다결정의 ITO막을 적층하는 경우나, 하층부터 순서대로 막두께가 100nm인 실리콘 산화 질화막(굴절률=1.60), 막두께가 10nm인 다결정의 ITO막을 적층하는 경우도 유효하다. 이 경우, 투광성 전극 패턴 부분은 실리콘 산화 질화막/ITO막, 또는 실리콘 산화 질화막/ITO막이며, 투광성 전극 패턴이 형성되지 않은 부분에는, 각각, 막두께가 30nm인 실리콘 산화막, 또는, 막두께가 100nm인 실리콘 산화 질화막이 남아서, 양자의 반사율 차가 없어지도록 구성된다.
상기 형태에서는, 화상 생성 장치로서의 액정 장치(50)를 이용했지만, 유기 전계 발광 장치나 플라즈마 표시 장치를 화상 생성 장치로서 이용해도 좋다.
[전자기기로의 탑재예]
다음에, 상술한 실시예에 따른 입력 장치 부착된 표시 장치(100)를 적용한 전자기기에 대해서 설명한다. 도 8(a)에, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)를 구비한 모바일형 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타낸다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는 표시 유닛으로서의 입력 장치 부착된 표시 장치(100)와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 마련되어 있다. 도 8(b)에, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)를 구비한 휴대 전화기의 구성을 나타낸다. 휴대 전화기(3000)는 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002), 및 표시 유닛으로서의 입력 장치 부착된 표시 장치(100)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)에 표시되는 화면이 스크롤된다. 도 8(c)에, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)를 적용한 정보 휴대 단말(PDA: Personal Digital Assistants)의 구성을 나타낸다. 정보 휴대 단말(4000)은 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002), 및 표시 유닛으로서의 입력 장치 부착된 표시 장 치(100)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케줄 리스트라고 한 각종 정보가 입력 장치 부착된 표시 장치(100)에 표시된다.
또한, 입력 장치 부착된 표시 장치(100)가 적용되는 전자기기로서는, 도 8에 나타내는 것 외에, 디지털 스틸 카메라, 액정 텔레비전, 뷰파인더형, 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 카네비게이션 장치, 페이저, 전자 수첩, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크 스테이션, 픽쳐폰, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 각종 전자기기의 표시부로서, 상술한 입력 장치 부착된 표시 장치(100)가 적용 가능하다.
도 1(a), (b)는 각각, 본 발명을 적용한 입력 장치 부착된 표시 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 설명도, 및 상기 입력 장치 부착된 표시 장치의 평면적인 구성을 모식적으로 나타내는 설명도,
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치에 형성한 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴의 평면적인 구성을 나타내는 설명도,
도 3(a), (b), (c)는 각각, 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치의 A1-A1' 단면도, 투광성 전극 패턴과 금속 배선의 접속 구조를 나타내는 단면도, 및 광학 간섭을 이용한 반사 방지 기술의 설명도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 입력 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치에 형성한 제 1 투광성 전극 패턴 및 제 2 투광성 전극 패턴의 평면적인 구성을 나타내는 설명도,
도 6(a), (b)는 각각, 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치의 A2-A2' 단면도, 및 투광성 전극 패턴과 금속 배선의 접속 구조를 나타내는 단면도,
도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 입력 장치의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 입력 장치 부착된 표시 장치를 이용한 전자기기의 설명도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a: 제 1 ITO막, 2a: 실리콘 산화막, 3a: 제 2 ITO막, 4a, 4b: 층간 절연막, 5a: 중계 전극, 9a: 금속 배선, 10: 입력 장치, 11: 제 1 투광성 전극 패턴, 12: 제 2 투광성 전극 패턴, 15: 투광성 기판, 18: 교차 부분, 11a, 12a: 패드부(대면적 부분), 11c: 접속 부분, 50: 액정 장치(화상 생성 장치), 100: 입력 장치 부착된 표시 장치

Claims (11)

  1. 투광성 기판의 입력 영역에, 제 1 방향으로 연장하는 복수의 제 1 투광성 전극 패턴과, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 제 2 투광성 전극 패턴이 형성된 정전 용량형 입력 장치에 있어서,
    상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴은 상기 투광성 기판의 동일면 상에 형성되고,
    상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴의 교차 부분에서는, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴 중 한쪽의 전극 패턴이 이어져 있는 한편, 다른쪽의 전극 패턴은 끊어져 있고,
    적어도 상기 교차 부분에서의 상기 한쪽의 전극 패턴의 상층 쪽에 투광성의 층간 절연막이 형성되어 있고, 또한, 상기 층간 절연막의 상층에는, 상기 교차 부분에서 끊어져 있는 상기 다른쪽의 전극 패턴끼리를 전기적으로 접속하는 투광성의 중계 전극이 형성되어 있고,
    상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴은, 상이한 굴절률을 구비한 투광성 박막끼리 겹치도록 형성된 다층막으로 이루어지는 것
    을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 투광성 전극 패턴과 상기 제 2 투광성 전극 패턴은 동일 부재에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴은, 각각, 상기 교차 부분 사이에 유지된 영역에 대면적 부분을 구비하고,
    상기 한쪽의 전극 패턴에 있어서 상기 교차 부분에서의 접속 부분, 및 상기 중계 전극은, 상기 대면적 부분보다 폭이 좁은 세폭(細幅) 형상을 갖고 있는 것
    을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층막은, 상기 투광성 박막으로서, 투광성의 도전성 금속 산화막, 및 투광성의 실리콘 화합물이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 투광성 기판은 유리 기판이고,
    상기 다층막은, 막두께가 10~20nm인 제 1 ITO막, 막두께가 40~60nm인 실리콘 산화막, 및 막두께가 10~20nm인 제 2 ITO막이 순서대로 적층되어 이루어지는 것
    을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 중계 전극은 투광성의 도전성 금속 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 투광성 기판에 있어서 입력 영역의 바깥쪽 영역에는, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴 각각에 전기적으로 접속하는 복수의 금속 배선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 다층막은 상기 실리콘 화합물과 상기 도전성 금속 산화막을 이 순서로 상기 투광성 기판측으로부터 적층하여 구성되어 있고, 상기 실리콘 화합물은 상기 투광성 기판의 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는 실리콘 산화막이며, 상기 제 1 투광성 전극 패턴 및 상기 제 2 투광성 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 영역에도 상기 실리콘 화합물이 형성된 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 투광성의 층간 절연막의 굴절률은 상기 실리콘 산화막의 굴절률보다 크게 설정되고,
    상기 투광성의 층간 절연막의 막 두께는 상기 실리콘 산화막의 막 두께보다 크게 설정되어 있는 것
    을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 투광성의 층간 절연막은 두께가 1~2㎛인 아크릴 수지로 이루어지고,
    상기 중계 전극은 두께가 10~15㎚의 ITO로 이루어지는 것
    을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
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