KR100977095B1 - Ｅｕｖ 마스크 및 ｅｕｖ 마스크의 복구 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 상부에 존재하는 반사형 다층박막, 상기 반사형 다층박막 상에 하나 이상의 제1부분에 증착되는 위상-변이 물질, 및 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당하며, 상기 다층박막 상에 상기 기판의 제2부분에 배치되는 마스킹 물질을 포함하는 EUV 마스크에 관한 것이다. 또한, 기판, 상기 기판 상부에 존재하는 반사형 다층박막, 및 상기 다층박막 내 또는 다층박막 아래에 존재하는 하나 이상의 결함을 포함하는 EUV 마스크를 복구하는 방법에 관한 것으로서, 이는 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 결함에 의해 유발되는 기판의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계, 및 다층박막 위에 최소한 부분적으로 상기 결함 영역을 포함하는 기판의 제1부분에 위상-변이 물질을 증착시키는 단계를 포함한다.
EUV 마스크, 결함, 위상-변이 물질, EUV 마스크의 복구

Description

ＥＵＶ 마스크 및 ＥＵＶ 마스크의 복구 방법{EUV MASK AND METHOD FOR REPAIRING AN EUV MASK}
본 발명은 EUV 마스크 및 EUV 마스크의 결점 복구 방법에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉 장치 또는 미세동력디바이스와 같은 마이크로시스템 제조에 있어서, 구조체들은 리소그라피 공정에 의해 층 또는 기판의 형태로 형성되며, 통상 먼저 적합한 레지스트 물질에 레지스트 패턴이 형성되고, 후속하여 적절한 방법에 의해 레지스트 패턴이 층이나 기판에 전송된다. 리소그라피 공정으로서, 여러 방법 중 포토리소그라피 노출 공정이 사용되며, 마스크에 형성된 패턴이 레지스트 물질상에 투영된다. 이후 구조체의 소형화단계 과정에서, 극히 짧은 파장의 노출 공정이 사용되며, 예를 들면 EUV 리소그라피 공정은 13.6nm(EUV-극자외선(extreme ultra violet))의 파장을 사용한다. 사용된 EUV 마스크는 대부분 반사형 마스크인데, 거의 모든 물질들이 이 파장 범위의 광선을 강하게 흡수하기 때문이다. EUV 마스크는 통상 반사형 다층박막(reflective multilayer)이 증착된 기판 및 상기 다층박막에 증착된 패턴화된 마스킹 층을 포함한다.
그러나, EUV 블랭크 또는 기판 또는 EUV 마스크는 그 제조시 결함(defect)이 생겨, 레지스트 물질의 노출중에 결함을 유발할 수 있다. 이러한 결함의 예로서는, 마스크 표면의 오염, 마스킹 층의 패턴 결함 또는 다층박막 내 또는 다층박막 아래의 결함 등을 들 수 있다.
다층박막내 또는 다층박막 아래의 결함은 통상 다층박막 결함으로 지칭된다. 이들은 예를 들면, 다층박막내 또는 다층박막 아래에 포함되는 입자, 스크래치와 같은 기판 표면상의 범프(bump)나 피트(pit)로 인한 다층박막의 변형, 또는 층 두께의 국소적 차이 또는 다층박막내 단일층의 거칠기(roughness) 등을 들 수 있다. 이러한 결함은 다층박막에 의해 반사되는 광선의 위상 또는 진폭에 변동을 유발할 수 있다. 결함이 없는 부분에 의해 반사된 광선을 기준으로 볼 때 이러한 방식으로 초래된 위상 차이는 간섭으로 인해 반사되는 광선의 강도의 변동을 유발할 수 있다.
본 발명은 결함이 복구된 EUV 마스크 및 EUV 마스크의 결함을 복구하는 방법을 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 EUV 마스크로서, 기판과, 상기 기판 상부에 존재하는 반사형 다층박막과, 상기 다층박막 상에, 하나 이상의 상기 기판의 제1부분에 배열되는 위상-변이 물질 및 상기 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당하며, 상기 다층박막 상에 상기 기판의 제2부분에 배열되는 마스킹 물질을 포함하는 EUV 마스크를 제공한다. 이러한 본 발명의 구성에 의하면 결함에 의해 발생하는 광선의 위상 변동 문제를 완화시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 기판, 상기 기판의 상부에 존재하는 반사형 다층박막, 및 상기 다층박막 내 또는 다층박막 아래에 존재하는 하나 이상의 결함을 포함하는 EUV 마스크의 복구 방법으로서, 기판의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계로서, 상기 결함 영역의 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는, 기판의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계; 및 상기 다층박막 상에, 적어도 부분적으로 상기 결함 영역을 포함하는 하나 이상의 기판의 제1부분에 위상-변이 물질을 증착시키는 단계;를 포함하는 EUV 마스크의 복구 방법을 제공한다. 나아가, 본 발명은 하나 이상의 층을 포함하는 시스템에서 층 내 또는 층 아래에 존재하는 결함에 의해 유발되는 위상 결함을 복구하는 복구 방법으로서, 상기 결함에 의하여 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는 시스템의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계와; 적어도 부분적으로 상기 결함 영역을 포함하는 하나 이상의 상기 시스템의 제1부분 위에 위상-변이 물질을 증착시키는 단계;를 포함하는 복구 방법을 제공한다. 이러한 본 발명에 따른 복구방법을 이용하면 EUV 마스크 제조시 발생하는 결함을 간단하고 정확히 복구할 수 있다.
본 발명의 방법은 EUV 마스크의 제조시 기판 또는 다층박막 등에서 생기는 결점을 간단하고 정확하게 복구할 수 있게 하며, 비파괴적이므로, 다층박막 등 결함을 포함하는 물질들이 복구중에 변경되거나 직접적으로 영향을 받지 않아 반복적인 시행이 가능하다.
하기 도면은 본 발명의 실시형태들을 더욱 명확히 설명하기 위해 제공된 것이며, 본 명세서의 일 부분을 구성한다. 도면들은 본 발명의 실시형태들을 도시한 것으로, 본 발명의 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다. 본 발명의 다른 실시형태나 의도된 많은 이점은 하기 설명에 의해 더욱 잘 이해될 것이다. 도면의 부재들은 서로에 대해 정확한 비율로 된 것은 아니다. 또한 부호들은 상응하는 유사한 부분들에 대해 사용된다.
이하, 본 발명을 도면과 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다.
하기 참조 번호는, 본 명세서의 일 부분이며 본 발명이 실행되는 특정 실시형태들이 도시된 첨부되는 도면과 관련하여 된 것이다. 본 명세서에서, "상부", "바닥", "전면", "후면", "앞서는", "뒤잇는" 등의 방향과 관련된 용어들은 도시된 도면의 배향을 기준으로 하여 사용되었다. 본 발명 실시형태의 구성부분은 다양한 다른 배향으로 위치될 수 있기 때문에, 상기 방향과 관련된 용어는 단지 본 발명을 설명할 목적으로 사용된 것일 뿐, 본 발명을 제한하지 않는다. 또한 본 발명의 범 위 내에서 다른 실시형태도 사용될 수 있으며, 구조적이거나 논리적인 변경도 이루어질 수 있음은 용이하게 이해될 것이다. 따라서 하기 설명은 본 발명을 제한하는 것으로 간주하여서는 안 되며, 본 발명의 범위는 부속된 청구항에 의하여 정하여 진다.
도 1a는 EUV 마스크(10)의 단면도를 도시한 것이다. EUV 마스크(10)는 기판(11), 반사형 다층박막(12), 위상-변이 물질(phase-shifting material; 13) 및 마스킹 물질(14)을 포함한다. 기판(11)은 유리 및 세라믹과 같이 어떠한 종류의 기판 또는 캐리어 물질일 수 있으며, 추가적인 층들을 포함할 수 있다. 다층박막(12)은 기판(11)의 상부에 증착된다. 이들 다층박막(12)은 예를 들면 30 내지 60 주기의 교대층을 포함하는 층 스택일 수 있으며, 이들 교대층은 몰리브덴 및 실리콘과 같이 서로 다른 굴절지수를 갖는 물질들을 포함한다. 이들 층의 일 주기는 예를 들면 약 7 nm의 두께를 갖는다. 몰리브덴 및 실리콘 이외에 다른 물질들, 예를 들면 베릴륨 또는 루테늄 등도 사용될 수 있다. 또한 한 주기의 층 사이의 모든 또는 일부 경계면에 중간층이 증착될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴/루테늄/실리콘 또는 몰리브덴/탄소/실리콘과 같이 될 수 있다.
마스킹 물질(14)은 다층박막(12)의 상부에 기판(11)의 제2부분(112)에 증착된다. 마스킹 물질(14)은 흡수 물질, 반사 물질 또는 위상-변이 물질일 수 있으며, 상이한 물질들의 층 스택을 포함할 수 있다. 마스킹 물질(14)은 예를 들면 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐과 같은 금속, 또는 TaN, TaBN, TaSix 또는 TiN와 같은 금속 화합물, 또는 다층박막과 유사한 반사형 층 스택, 또는 지르코늄, 몰리브덴, 베릴륨, 탄소, 실리콘 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 위상-변이물질일 수 있다. 마스킹 물질(14)은 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당한다. 마스킹 물질(14)는 두께 d2를 갖는다.
위상-변이 물질(13)은 다층박막(12)의 상부에 기판(11)의 제1 부분(111)에 증착된다. 위상-변이 물질(13)은 제1 부분(111)에서 두께 d1을 갖는다. 상기 두께 d1은 제1 부분(111)의 전체에서 동일할 수 있고, 또는 제1 부분(111)을 걸쳐 변동될 수 있다. 두께 d1은 마스킹 물질(14)의 두께 d2와 동일하거나 상이할 수 있다. 위상-변이 물질(13)은 마스킹 물질(14)과 동일하거나 다른 물질을 포함할 수 있다. 위상-변이 물질(13)과 마스킹 물질(14)이 동일한 경우, 위상-변이 물질(13)의 두께 d1은 마스킹 물질(14)의 두께 d2와 상이하다. 위상-변이 물질(13)의 두께 d1은 예를 들면 100 nm 이하일 수 있다. 그럼에도, 두께 d1은 100 nm 보다 더 클 수 있으며 마스킹 물질(14)의 두께 d2 보다 더 클 수 있다.
위상-변이 물질(13)은 예를 들면, 지르코늄, 베릴륨, 탄소 또는 실리콘 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함한다. 그럼에도, 다른 물질들 또는 다른 물질들의 층 스택도 가능하다. 위상-변이 물질(13)은 예를 들면 가능한 한 작은 흡수력을 가지며 가능한 한 큰 위상-변이 능력을 갖는다. 또한 위상-변이 물질(13)은 부가적인 물질들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 위상-변이 물질(13)은 화학적으로 결합되지 않는 탄소인 원자 탄소, 및 수소를 포함할 수 있다. 또한 위상-변이 물질(13)은 유기 화합물의 잔여물을 포함할 수 있는 무정형 탄소를 포함할 수 있다. 위상-변이 물질(13)은 위상-변이 물질(13)의 두께 d1에 대하여, 마스킹 물 질(14) 보다 낮은, 또는 최대한으로 마스킹 물질(14)과 동일한 흡수력을 가진다. 위상-변이 물질(13)의 흡수 계수 그 자체는 마스킹 물질(14)의 흡수 계수보다 더 클 수 있다.
위상-변이 물질(13)은 여러 층의 상이한 물질로 된 층 스택을 포함할 수 있다. 최소한 한 층의 물질은 위상-변이 능력을 갖는다. 다른 층의 물질은 위상-변이 능력이 없을 수 있다. 예를 들면, 캡층(cap layer)이 층 스택의 최상층으로서 증착되며, 상기 캡층은 층 스택의 신뢰성을 개선하거나 또는 EUV 마스크의 가공 또는 사용 중 층 스택에 긍정적인 효과를 나타낸다.
물질의 광학적 성질은 하기와 같이 복합 굴절 지수 n으로 표현할 수 있다.
n = n(1 - iκ), (1)
상기 식에서, n은 복합 굴절 지수의 실수 부분이며, κ는 흡수 지수이다. 복합 굴절 지수 n의 허수 부분, 즉 k = nκ는 물질의 흡수력을 나타내며, 여기에서 실수 부분은 물질에 의해 유발되는 위상 변이를 나타낸다. 복합 굴절 지수 n의 허수 부분 k는 위상-변이 물질(13)에 대한 EUV 범위의 파장에 대해 작은 양의 수일 수 있다. 복합 굴절 지수 n의 실수 부분은 위상-변이 물질(13)에 대한 EUV 범위의 파장에 대해 1에 가까운 양의 수일 수 있다. 통상치는 0.95 내지 1의 범위 내에 있으며, 다른 값도 가능하다.
위상-변이 물질(13)은 다층박막(12)에 의해 반사되는 입사 노출 빔의 위상 변이에 있어서 차이를 보상하는 역할을 한다. 이러한 위상-변이 차이는 예를 들면 다층박막(12)의 내부 또는 다층박막 아래, 예를 들면 다층박막(12)의 아래에 위치 하는 결함(15)에 의해 유발될 수 있다. 위상-변이 차이는 기판(11)의 결함이 없는 부분에 비교하여 위상-변이에서의 차이를 의미한다. 도 1a는 다층박막(12) 아래에 범프-타입의 결함(15)을 예시하고 있다. 그럼에도, 결함(15)은 예를 들면 다층박막(12)의 단일층들이 국소적으로 층 두께가 상이하거나 또는 다층박막(12)에 입자가 끼워져 있는 등에 의해, 다층박막(12) 내에서도 형성될 수 있다. 상기 결함(15)은 예를 들면 기판(11) 표면의 기공 또는 스크래치에 의해 유발되거나, 또는 국소적으로 층이 형성되지 않거나 또는 매우 작은 두께로 국소적으로 형성되는 다층박막(12)내 층들에 의해 유발되는 피트-타입의 결함일 수 있다. 결함(15)은 레지스트 물질상으로 투영되는 마스크 패턴도 아니고, 의도적으로 형성되는 패턴도 아닌 마스크의 불규칙한 패턴일 수 있다.
위상-변이 물질(13)이 배열되는 제1부분(111)은 최소한 부분적으로 기판(11)의 결함영역을 포함하며, 이 영역에서의 노출 광선의 위상 변이 차이는 결함(15)에 의해 유발된다. 이 영역은 결함(15)이 배열된 기판(11) 부분에만 한정되는 것은 아니다. 환언하면: 제1부분(111)은 결함(15)이 배열되는 기판(11) 부분을 최소한 부분적으로 포함한다. 제1 부분(111)은 결함(15)이 배열되지 않지만, 결함(15)에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는 기판(11) 부분도 포함할 수 있다. 따라서, 제1 부분(111)은 결함(15)이 부분적으로, 전체적으로 또는 전혀 배열되어 있지 않은 기판(11) 부분을 포함할 수 있다.
도 1b를 참조하여, 다층박막 내에 또는 다층박막 아래에 결함이 형성되어 있는 기판 부분, 상기 결함에 의해 노출 광선의 위상 변위 차이가 유발되는 기판의 결함 영역, 및 위상-변이 물질이 배열되어 상기 결함을 보상하는 부분인 제1부분과의 상관성에 대하여 설명한다. 도 1b에는 기판(11), 기판의 상부에 증착된 다층박막(12) 및 상기 다층박막(12) 상에 증착된 마스킹 물질(14)이 도시되어 있다. 결함(15)은 다층박막(12)의 밑에 위치하며, 결함 영역(116) 내에서 반사되는 노출 광선의 위상 변이에 있어서 차이를 유발한다. 상기 결함 영역(116)은 결함(15)의 바로 위 기판(11) 부분보다 더 클 수 있다. 결함 영역(116)은 결함(15)의 바로 위 기판(11) 부분에서 떨어져 배열될 수도 있다. 위상-변이 물질(13)은 다층박막(12) 상에 제1부분(111)내 배열된다. 제1 부분(111)은 환상으로, 예를 들면 도 5b의 평면도에 도시한 바와 같이 고리의 형태로 형성될 수 있다. 따라서 제1 부분(111)은 도 1b의 단면도에서 두 개의 분리된 부분으로 나타난다. 제1 부분(111)은 최소한 부분적으로 결함 영역(116)을 포함한다. 또한 결함 영역(116)과 영향을 받지 않은 위상을 갖는 기판 부분 사이의 위상 변이에서의 구배를 줄이기 위하여 상기 위상-변이 물질(13)은 상기 결함 영역(116) 바깥에 형성될 수도 있다.
도 1a 및 도 1b에서는 결함(15)이 마스킹 물질(14)이 배열되는 제2부분(112) 사이에 배열되어 있다. 다른 실시형태에서, 상기 결함(15)은 제2부분(112)에 배열될 수 있다. 그러한 경우, 마스킹 물질(14)이 반사형 또는 위상-변이 물질인 경우, 마스킹 물질(14) 아래에 위치한 결함(15)은 또한 바람직하지 않은 반사 노출 빔의 위상 변이를 유발할 수 있다. 따라서, 위상-변이 물질(13)은 마스킹 물질(14) 위에상응하는 제2부분(112) 및 제1부분(111)이 최소한 부분적으로 중첩될 수 있도록 형성될 수 있다. 그러나, 위상-변이 물질(13)은 또한 흡수성 마스킹 물질(14) 상에도 증착될 수 있다.
위상-변이 물질(13)이 형성되는 제1부분(111)은 측면 너비(lateral spatial extension) w1을 갖는다. w1과 제1부분(111)의 형상은 결함(15)의 형상의 측면 너비에 의해 정하여진다. 제1부분(111)의 w1은 결함(15)의 너비보다 작거나 더 크거나 또는 동일할 수 있다. 예를 들어 w1이 결함(15)의 너비보다 작은 경우, 위상-변이 물질(13)을 갖는 수개의 제1부분(111)을 결함(15) 위에 배열할 수 있다. w1은 예를 들어 100 nm보다 작거나 동일할 수 있다. w1은 예를 들어 50nm보다 더 크거나 동일할 수 있다.
모든 물질은 일정한 광학적 성질을 가지며, 이는 광선이 물질에 부딪히거나 충격을 주었을 경우 그 흡수, 반사 또는 위상 변이를 설명한다. 물질의 두께나 배열이 국소적으로 다른 경우, 예를 들면 결함 때문에, 물질을 투과하거나 물질에 의해 반사되는 광선에 있어서 국소적인 차이가 발생한다. 이러한 차이는 투과하거나 반사되는 광선의 위상 또는 진폭에 영향을 준다. 결함에 의해 유발된 투과 또는 반사된 광선의 위상 차이는, 위상-변이 물질을 결함을 포함하는 물질 위에 투과광선 또는 반사광선이 결함에 의해 영향을 받는 부분에 배열시킴으로써, 무시할 정도로 경감될 수 있다. 따라서, 결함에 의해 유발된 위상 차이의 보상하기 위한 위상-변이 물질을 배열하는 것은 EUV 마스크 또는 본 명세서에 기재된 다른 반사형 물질에 제한되지 않으며, 예를 들면 통상적인 투명 포토마스크나, 렌즈 또는 거울과 같은 광학적 디바이스 또는 광선에 영향을 주는 층들과 같은 다양한 응용에 사용될 수 있다.
이는 위상 결함을 복구할 수 있도록 허용하며, 결함을 포함하는 물질 또는 결함을 포함하는 물질을 포함하는 장치의 추가적인 특징들과 독립적이다. 예로서, 상기 복구는 마스킹 물질을 EUV 마스크상에 배열하는 것, 즉 EUV 마스크의 디자인과 독립된다. 따라서, 예를 들면 마스킹 물질을 구비하는 마스크 부분과 멀리 떨어져 배열된 결함이 보상될 수 있다. 또한, 위상-변이 차이를 유발하는 피트-타입과 범프-타입의 결함이 보상될 수 있다. 이러한 보상은 측면 너비 및 형상뿐 아니라 결함의 위상-변이 영향에 대해 매우 정확하게 조정될 수 있다.
또한 위상-변이 물질의 배열은 매우 작은 정도로 결함을 포함하는 물질 또는 결함을 포함하는 물질을 포함하는 장치에도 영향을 미친다. 예를 들면, 정전기적 충전 또는 열적 스트레스에 의해 유발되는 단지 매우 작은 효과가 복구중에 발생한다. 이러한 복구는 비-파괴적이며, 즉 결함을 포함하는 물질, 예를 들면 다층박막은 복구중에 변경되거나 직접적으로 영향을 받지 않는다. 따라서 첫 번째 복구 시도가 성공적이지 않은 경우, 새로운 복구가 가능하다.
도 2a 및 2b는 위상-변이 물질(13)의 효과를 나타낸 것이다. 상세한 EUV 마스크의 단면을 도 2a에 나타내었다. 반사형 다층박막(12)이 기판(11)의 상부에 증착되며, 결함(15)이 다층박막(12) 아래에 위치되어 있다. 예로서, 피트-타입 결함(15)이 도시되었다. 다층박막(12)은 동위상 파면(phase front, 211)을 갖는 입사 노출 광선(21)을 반사한다. 반사된 노출 광선(22)은 결함(15)이 아래에 있는 다층박막(12)에 의해 반사된 것으로, 결함이 없는 다층박막(12)에 의해 반사된 반사 노출 광선에 비교시 지체되는 동위상 파면(221)을 갖는다.
본 발명에 따른 일 실시형태의 EUV 마스트의 단면을 더욱 상세하게 도 2b에 도시하였다. 위상-변이 물질(13)은 다층박막(12) 상에, 결함(15) 윗부분에 증착된다. EUV 노출 광선의 위상은 통상적으로 위상-변이 물질을 통과하는 동안 전진하기 때문에, 결함에 의해 유발된 반사 노출 광선(22')의 위상 지체는 최소한 부분적으로 보상된다. 따라서, 아래에 결함(15)을 갖는 다층박막(12)에 의해 반사된 부분과 결함이 없는 다층박막(12)에 의해 반사된 다른 부분과의 동위상 파면(221')의 위상 차이는, EUV 마스크를 사용한 노광 영향이 무시할 수 있는 정도로 감소된다.
피트-타입 결함(15) 및 결함의 복구 효과를 도 2a 및 도 2b에 도시하였다. 피트-타입 결함(15)은 반사된 노출 광선(22)의 위상의 지체를 유발하며, 반면 범프-타입의 결함은 반사 노출 광선(22)의 위상을 전진시킨다. EUV 범위내 광선의 위상은 통상적으로 물질을 통과하는 중에 전진되기 때문에, 아래에 결함(15)을 갖는 다층박막(12)에 의해 반사된 부분과 결함이 없는 다층박막(12)에 의해 반사된 다른 부분 사이의 동위상 파면(221')의 위상 차이가 거의 0°로 경감되게 반사 노출 광선(22')의 위상을 전진시키도록 위상-변이 물질(13)을 배열할 수 있다. 따라서 이러한 결함(15)이 EUV 마스크를 이용한 노광에 대해 미치는 영향은 무시될 수 있는 정도로 경감된다.
주어진 노출 광선에 대한 위상-변이 물질(13)에 의해 유발되는 위상 변이 정도는 사용된 물질 및 그 두께에 의존하기 때문에, 위상 변위는 위상-변이 물질의 종류 및 두께에 영향을 받을 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시형태에 따른 EUV 마스크는 노출되는 동안 어떠한 부분에서도 바람직하지 못한 광파의 파괴적 간섭이 일어나지 않도록 위상-변이 차이가 보상될 수 있다. 그럼에도, EUV 마스크 상에서 원하지 않은 파괴성 광파의 간섭이 일어나는 부분을 허용할 수 있다. 이 경우, 이 부분의 자연적인 공간 너비를 감소시켜, 투영 광학의 제한된 해상도나 마스크 패턴이 프린트될 레지스터 물질의 제한된 해상도 때문에, 노광되는 동안 레지스터 물질로 인쇄되지 않게 할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 위상-변이 물질 (131 또는 132)이 각각 제1 부분(111)의 전체를 따라 균일하고 일정한 층 두께를 갖는 일 실시형태의 EUV 마스크의 단면을 상세히 나타낸 것이다. 본 발명에서 "일정한 층 두께"는 층 두께가 제1 부분(111)의 전체를 따라 5% 미만으로 변동되는 것을 의미한다. 도 3a는 피트-타입의 결함(151)을 도시한 것이고, 도 3b는 범프-타입의 결함(152)을 도시한 것이다. 위상-변이 물질(131 또는 132)은 각각 제1부분(111)의 전체에 걸쳐 고정된 정도로 위상 변이를 유발한다. 결함(151 또는 152)에 의해 유발된 위상-변이 차이는 완전히 보상되지 않을 수 있다. 예를 들어, 반사 노출 광선의 동위상 파면에 있어서 차이가 양이거나 음인 부분이 존재할 수 있다. 그러나 생성되는 차이는 미리 결정된 역치보다 더 작은 값으로 감소될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 위상-변이 물질 (133 또는 134)이 각각 제1 부분(111)에 걸쳐 다양한 층 두께를 갖는 실시형태의 EUV 마스크의 단면을 상세히 나타낸 것이다. 도 4a는 피트-타입의 결함(151)을 도시한 것이고, 도 4b는 범프-타입의 결함(152)을 도시한 것이다. 위상-변이 물질(133 또는 134)의 층 두께는 각각 이 위치에서 일어나며, 결함(151 또는 152)에 의해 유발되는 위상 변이에 대해 국소적으 로 맞춰진다. 따라서 위상-변이 차이는 도 3a 및 3b에 도시된 실시형태에 비하여 더 정확하고 스무드하게 보상될 수 있다.
도 5a 내지 5e는 위상-변이 물질이 다르게 배열된 수개의 실시형태를 평면도로 도시한 것이다. 결함(15)을 내부 또는 아래에 갖는 다층박막(12)을 도 5a 내지도 5e에 도시하였다. 간략하게 결함(15)은 원형으로 도시하였으나, 결함(15)은 타원형으로, 직선형으로 또는 기타 다른 형상으로도 존재할 수 있다. 결함(15) 윗부분은 예를 들면 결함의 특징적인 너비에 상응하는 측면 너비 w3을 가질 수 있다. 이 특징적인 너비는 예를 들면 반사 광선의 위상 차이가 결함에 의해 영향을 받지 않는 부분에서의 위상에 비해 30°이상의 위상 차이를 갖는 부분의 너비일 수 있다.
콤팩트한 상태(폐쇄)로 배열된 위상-변이 물질(13)과 결함(15) 위의 연속성 제1부분(111) 및 다층박막(12)이 도 5a에 도시되어 있다. 제1부분(111)은 결함(15) 위의 전체 부분을 포함한다. 제1부분(111)의 형상은 결함(15)의 형상에 맞춰질 수 있다. 도 5a에 나타낸 실시형태에서, 제1부분(111)의 측면 너비 w1은 결함(15) 위 부분의 측면 너비 w3보다 더 크다. 그럼에도, 위상-변이 물질(13)은 측면 너비 w1이 측면 너비 w3과 동일하거나 더 작은 제1부분(111)에 콤팩트한 층으로 배열될 수 있다. 제1부분(111)은 결함(15)을 중심으로 하여 그 위에 배열될 수 있다. 다른 실시형태에 의하면 제1부분(111)은 결함(15)에서 편심되어 그 위에 배열될 수 있으며, 즉 제1부분(111)의 중심은 결함(15) 위의 부분의 중심에 대하여 이동될 수 있다. 제1부분(111)의 경계선은 결함(15)의 경계선에서 일정 거리를 두고 배열될 수 있으며, 상기 거리는 제1부분(111)의 경계선의 상이한 위치들에 대해 서로 다를 수 있다.
도 5b는 결함(15) 위에 위상-변이 물질(13)이 고리-형상으로 배열된 것을 도시한 것이다. 위상-변이 물질(13)은 제1부분(111)에 배열되며, 연속적인 고리-형상 구조를 형성한다. 제1부분(111)은 결함(15) 윗부분의 가장자리를 덮지만, 결함(15) 윗부분의 내부는 가리지 않는다. 제1부분(111)은 도 5b에 보인 바와 같이 결함(15)의 중심에 대해 동심원적으로 배열될 수 있으나, 결함(15)의 중심에서 이동되어 배열될 수도 있다. 또한 제1부분(111)은 결함(15) 윗 부분의 가장자리를 완전하게 중첩하지 않을 수 있다. 다른 실시형태에 따르면, 제1부분(111)은 결함(15) 윗부분의 내부에 완전히 확장되거나 결함(15) 윗부분의 외부로 완전히 확장될 수 있다.
도 5c에 도시된 실시형태에 따르면, 각각 위상-변이 물질(131, 132)을 갖는 두 개의 제1부분(1111, 1112)이 결함(15) 위에 배열되어 있다. 제1부분(1111)은 예를 들면 도 5b에 도시한 바 있는 고리-형상의 구조일 수 있다. 제1부분(1112)는 도 5a에 도시한 바와 같은 원형 구조일 수 있다. 제1부분(1112 및 1112)는 서로에 대해 분리된 부분일 수 있으며, 콤팩트 구조를 형성하지 않을 수 있다. 그럼에도, 이들은 완전히 또는 부분적으로 중첩될 수 있으며, 폐쇄된 구조를 형성할 수도 있다. 이들은 도 5c에 보인 바와 같이 동심원으로 배열될 수 있으며, 또는 각각에 대하여 편심되게 배열될 수 있다. 또한 제1부분(1111 및 1112)는 결함(15) 윗부분을 부분적으로 중첩하거나 또는 결함(15) 윗부분 내부 또는 결함 윗부분의 외부 영역을 덮을 수도 있다. 위상-변이 물질(131 및 132)는 동일하거나 또는 상이한 물질을 포함 할 수 있으며, 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있다.
도 5d는 추가적인 실시형태를 나타낸 것이며, 이 실시형태에서 위상-변이 물질(131, 132)는 결함(15) 위 제1부분(1111 및 1112)에 배열되어 있다. 상기 두 개의 제1부분들(1111 및 1112)는 고리-형상의 구조를 가지며, 제1부분(1111)은 예를 들면 도 5b에 도시된 바와 같이 배열될 수 있다. 상기 두 개의 제1 부분들(1111 및 1112)은 동심원으로 배열되거나 서로에 대해 편심되게 배열될 수 있다. 이 두 개의 제1 부분들은 결함(15) 윗부분의 내부에 완전히 배열될 수 있다. 그럼에도 하나 또는 두 개의 제1 부분들(1111 및 1112)은 결함(15) 윗부분의 외부에 배열될 수도 있다. 또한 위상-변이 물질을 갖는 추가적인 제1부분들이 도 5a에 기재한 바와 같이 원형 구조 또는 고리-형상 구조로 결함(15) 위에 배열될 수 있다.
도 5e는 또 다른 실시형태를 도시하며, 이 실시형태에서 위상 변이 물질들(131 내지 137)은 각각 제1부분들(1111 내지 1117)에 배열되어 있다. 예로서, 7개의 위상-변이 물질을 갖는 제1부분들을 도 5e에 도시하였다. 다른 실시형태에 따르면, 상기 7개보다 더 많거나 적은 위상-변이 물질을 갖는 제1부분들이 배열될 수 있다. 제1부분들(1111 내지 1117)은 예를 들면 각이나 내경 및 외경이 다른 상이한 단위를 갖는 고리 세그먼트로서 형성된다. 전술한 바와 같이, 특정한 제1부분들(1111 내지 1117)들은 서로 중첩되거나 중첩되지 않을 수 있으며, 결함(15) 윗부분에 대하여 동심원으로 또는 편심되어 배열된다. 제1부분들(1111 내지 1117)은 서로에 대해 분리되어 콤팩트 구조를 형성하지 않는 부분일 수 있으며, 서로에 대해 이동되어 배열될 수 있다. 다른 실시형태에 따르면, 제1부분들(1111 내지 1117) 및 추가적인 제1부분들은 원형, 타원형, 장방형 또는 기타-다른 형상의 부분을 형성할 수 있다. 상기 제1부분들(1111 내지 1117) 및 추가적인 제1부분들은 예를 들면, 체커보드 패턴, 교차선 또는 평행선의 형태와 같은 여러 패턴을 형성할 수 있다.
위상-변이 물질(131 내지 137) 및 추가적인 위상-변이 물질들은 동일한 물질이거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다. 위상-변이 물질들(131 내지 137)은 서로 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있다.
도 5a 및 5e에 나타낸 바와 같이, 어떠한 위상-변이 물질(13) 또는 이와 다른 위상 변이물질들은 결함(15)에 의해 유발된 위상-변이 차이가 가능한 한 양호하게 보상될 수 있도록 배열된다. 따라서 EUV 마스크상의 위상 결함은 보정되며, EUV 마스크는 복구된다. 도 5a 내지 5e에 도시한 바와 같이 제1부분(111)은 결함(15) 위 기판 부분을 최소한 부분적으로 포함한다. 그럼에도, 상기 제1부분(111)은 결함(15)에서 떨어져 있는 기판의 다른 부분에 배열될 수 있다. 환언하면: 제1부분(111)은 결함(15) 윗부분을 포함하지 않을 수 있다. 또한 마스킹 물질(14)을 갖는 제2부분(1112)은 결함(15) 윗부분을 최소한 부분적으로 중첩할 수 있다. 상기 제2부분(112)는 제1부분(111)을 부분적으로 또는 완전히 포함할 수 있다. 다른 실시형태에 따르면, 제1부분(111) 또는 수개의 제1부분들(111)은 마스킹 물질(14)을 갖는 제2부분(112)을 부분적으로 또는 완전히 포함할 수 있다.
도 6은 EUV 마스크 복구 방법의 일 실시형태에 대한 흐름도를 도시한 것이다. 복구되어야 할 EUV 마스크는 기판, 상기 기판상에 증착된 반사형 다층박막, 및 하나 이상의 상기 다층박막 내부 또는 다층박막 아래에 위치하는 결함을 포함한다. 임의로 상기 EUV 마스크는 상기 다층박막 위 기판의 제2부분에 배열되고 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당하는 마스킹 물질을 포함할 수 있다. 우선, 마스크의 결함을 확인하고, 상기 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는 기판내 결함 영역의 위치를 마스크상에서 측정한다(S10). 결함 영역의 위치는 마스크 기판의 공급자에 의해 만들어진 마스크 기판의 결함 맵 또는 마스크 기판 또는 패턴화된 EUV 마스크의 인스펙션 방법을 사용하여 측정할 수 있다. 결함 영역의 위치를 측정하는 것은 기판에 다층박막을 증착시키기 전이나 후에 수행될 수 있다. 따라서, 마스크 기판은 기판상에 증착된 다층박막을 포함하거나 또는 다층박막이 없는 기판일 수 있다.
임의로, 결함 영역의 측면 너비 및 다층박막에 의해 반사되는 광선의 위상-변이 차이를 측정할 수 있다(S11). 증착될 적합한 위상-변이 물질, 이의 적합한 두께 및 배열은 상기 측정된 데이타를 사용하여 선택될 수 있다(S12). 이 단계를 위해 시뮬레이션 방법이 사용될 수 있다. 위상-변이 물질, 그 두께 및 배열은, 반사된 광선의 위상-변이 차이가 상기 위상-변이 물질을 증착한 후에 미리 정해진 방식으로 영향받을 수 있도록 결정된다. 이러한 임의적인 단계들(S11 및 S12)는 예를 들어 평균값에 기초하여 결정된 두께와 배열로 위상-변이 물질을 증착하는 방법에 비하여, 확인된 위상-변이 결함을 더욱 정확하고 성공적으로 보상할 수 있다.
후속하여 위상-변이 물질을 상기 다층박막 위에 기판의 제1부분에 증착시키며, 이때 상기 제1부분은 최소한 부분적으로 상기 결함 영역을 포함한다(S20). 상기 제1부분은 기판 및 다층박막을 포함한다. 위상-변이 물질은 전자빔 유도 가스보 조 국소 물질 증착법(e-beam induced gas-assisted local material deposition method)을 사용하여 증착된다. 이 방법에서 하나 이상의 가스성 전구체가 복구될 EUV 마스크를 포함하는 증착 시스템에 도입된다. 상기 전구체 분자는 EUV 마스크의 표면상으로 흡착되며, 포커스된 전자 빔에 의해 국소적으로 활성화된다. 활성화된 전구체 분자들은 고체 증착 물질로 전환되며, 이것이 위상-변이 물질이다. 이러한 증착법은 위상-변이 물질을 미리 정해진 배열에 정확하게 증착할 수 있게 하며, 그 정확도는 전자빔의 해상도에 의해 결정된다. 또한 전자빔의 유도량을 국소적으로 조절함으로써 증착되는 위상-변이 물질의 두께를 정확히 확정할 수 있다. 이러한 방법으로, 위상-변이 물질의 두께는 국소적으로 변경될 수 있다.
위상-변이 물질은 거의 일정한 두께로 제1부분에 증착되거나, 또는 제1부분에 0 내지 최대 두께 사이에서 변하는 두께로 증착될 수 있다. 위상-변이 물질은 예를 들면 100 nm 이하의 두께로 증착될 수 있다. 위상-변이 물질은 EUV 마스크상에 증착된 또는 증착될 마스킹 물질과 동일하거나 상이한 두께로 증착될 수 있다.
위상-변이 물질은 마스킹 물질과 동일하거나 더 작은 흡수력을 가질 수 있으며, 이 흡수력은 위상-변이 물질 또는 마스킹 물질들 각각의 두께에 관련된다. 위상-변이 물질의 흡수 계수는 마스킹 물질의 흡수 계수보다 더 클 수 있다. 위상-변이 물질은 예를 들면 지르코늄, 몰리브덴, 베릴륨, 탄소 또는 실리콘 옥사이드에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 위상-변이 물질은 예를 들면 가능한 한 낮은 흡수력 및 가능한 한 높은 위상-변이 능력을 가진다. 또한 위상-변이 물질을 선택하는 경우 일반적인 요구조건, 예를 들면 공정 적합성 및 물질 안정성 등이 고려되어 야 한다.
위상-변이 물질은 도 5a 내지 5e에 기술한 바와 같이 상이한 배열로 증착될 수 있다. 예로서, 위상-변이 물질은 수 개의 제1부분내 증착될 수 있다. 상기 수 개의 제1부분내 위상 변이물질은 서로 상이한 물질을 포함할 수 있고, 상이한 두께를 가질 수 있다.
임의로, 위상-변이 물질의 증착에 후속하여 복구 성공을 검증하는 단계를 수행할 수 있으며, 이는 다층박막에 의해 반사된 광선의 위상-변이 차이를 측정함으로써 이루어지며, 이때 위상-변이 차이는 결함에 의해 유발된 것이며 위상-변이 물질에 의해 영향을 받는다(S30). 복구의 성공을 검증할 수 있는 다른 방법으로는 복구된 EUV 마스크에 의해 생성된 공간 영상(aerial image)을 측정하는 것이다.
상기 S30에서 측정된, 영향을 받은 위상-변이 차이 또는 복구된 EUV 마스크의 공간 영상은 각각 미리 정해진 위상-변이 차이 또는 미리 정해진 공간 영상과 비교될 수 있다(S40).
영향을 받은 위상-변이 차이가 미리 정해진 값보다 더 크거나 또는 측정된 공간 영상이 미리 정해진 공간 영상을 충족하지 못하는 경우, 추가적인 EUV 마스크 복구를 수행할 수 있다. 이러한 추가적 복구는 추가적인 위상-변이 물질을 상기 기판의 동일한 제1부분 또는 추가적인 제1부분에 증착하는 단계를 포함한다(S20). 그럼에도, 이러한 추가적은 복구는 상기 위상-변이 물질을 최소한 부분적으로 제거하고(S50), 새롭게 위상-변이 물질을 증착하는 단계(S20)를 포함할 수 있다. 이러한 새롭게 증착된 위상-변이 물질은 처음 증착된 위상-변이 물질과 다른 물질을 포함 하거나 다른 두께 및 배열을 가질 수 있다.
상기 위상 변이 물질을 증착한 후에 EUV 마스크 상태를 측정하는 단계(S30) 및 측정된 상태를 미리 정해진 상태와 비교하는 단계(S40) 및 추가적인 복구 단계는 측정된 상태가 미리 정해진 상태를 충족시킬 때까지 반복될 수 있다.
도 6에 나타낸 방법은 어떠한 다층박막 시스템에서의 위상 결함, 또는 광선이 투과하거나 반사되며, 이러한 광선에 영향을 주는 하나 이상의 층을 가지는 시스템에서의 위상 결함을 복구하는데 사용될 수 있다. 본 발명의 방법은 EUV 마스크의 복구에만 제한되는 것이 아니다.
본 명세서에서 기술된 실시형태는 본 발명을 단지 설명하기 위한 예시로 기술된 것이고, 본 발명을 제한하지 않는다. 본 발명의 범위에서 이루어지는 어떠한 개량이나 변경 및 균등한 배열은 본 발명의 범위에 속한 것이다.
당업자는 본 발명에서 기술된 특정 실시형태에 대해 본 발명의 범위에서 다양한 대체 및/또는 동등한 실행이 가능함을 인식할 수 있다. 본 발명은 기술된 특정 실시형태의 응용 및 변형을 포함하도록 의도된 것이다. 따라서, 본 발명은 오직 청구항 및 이와 균등한 범위에 의해 제한된다.
도 1a 및 1b는 다층박막 결함을 복구하기 위한 위상-변이물질을 구비한 본 발명의 EUV 마스크 단면을 도시한 것이다.
도 2a는 위상-면이 물질이 없는 경우, 노출 광선에 대한 결함의 영향을 도시한 것이다.
도 2b는 결함 복구를 위한 위상-변이 물질이 있는 경우, 노출 광선에 대한 결함의 영향을 도시한 것이다.
도 3a 및 3b는 균일한 두께의 위상-변위 물질을 갖는 실시형태의 EUV 마스크를 도시한 것이다.
도 4a 및 4b는 변동되는 두께의 위상-변이 물질을 갖는 추가적 실시형태의 EUV 마스크를 도시한 것이다.
도 5a 내지 도 5b는 결함 복구를 위한 위상-변이 물질을 다양하게 배열한 본 발명의 EUV 마스크들을 평면도로 도시한 것이다.
도 6은 일 실시형태의 EUV 마스크 복구방법의 흐름도를 도시한 것이다.

Claims (37)

  1. EUV 마스크로서,
    기판;
    상기 기판 상부에 존재하는 반사형 다층박막;
    상기 다층박막 상에, 하나 이상의 상기 기판의 제1부분에 배열되는 위상-변이 물질; 및
    상기 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당하며, 상기 다층박막 상에 상기 기판의 제2부분에 배열되는 마스킹 물질;을 포함하는 EUV 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1부분은 적어도 부분적으로 기판의 결함 영역을 포함하며, 상기 결함 영역에서 다층박막내 또는 다층박막 아래에 위치된 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 상기 마스킹 물질과 동일하거나 더 얇은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질의 두께는 0nm 보다 크고 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 상기 마스킹 물질과 동일하고, 상기 위상-변이 물질의 두께는 상기 마스킹 물질의 두께와 다른 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질의 두께가 상기 제1 부분에서 변경되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질의 두께가 상기 제1 부분에서 일정한 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분의 측면 너비가 0nm 보다 크고 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 위상-변이 물질의 두께를 기준으로 상기 마스킹 물질과 동일하거나 더 낮은 흡수력을 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 지르코늄, 몰리브덴, 베릴륨, 탄소 및 실리콘 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 마스킹 물질보다 더 작은 흡수력 및/또는 마스킹 물질보다 더 큰 위상-변이 능력을 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 상이한 물질의 층 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 제1부분의 측면 너비가 전체 결함 영역의 측면 너비보다 작은 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1부분이 고리-형상의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분이 결함 영역 위에 다수로 배열되며, 상기 결함 영역에서 다층박막 내 또는 다층박막 아래에 위치된 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되며;
    상기 결함 영역 위에 배열되는 상기 제1 부분은 상기 결함에 맞추어 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 결함 영역 위의 상이한 제1부분의 위상-변이 물질들은 상이한 물질들을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질, 상기 위상-변이 물질의 두께, 및 상기 제1부분의 측면 너비는, 상기 다층박막에 의해 반사되는 노출 광선의 결함에 의해 유발되는 위상-변이 차이가 미리 정해진 방식으로 보상되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제1부분이 결함 영역 위에 다수로 배열되며, 상기 영역에서 다층박막 내 또는 다층박막의 아래에 위치된 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되며;
    상기 위상-변이 물질, 상기 위상-변이 물질의 두께, 다수의 상기 제1부분의 측면 너비, 및 상기 결함 영역 위의 다수의 제1부분의 배열이 각각의 제1부분에 대해 맞춰짐으로써 상기 위상-변이 차이가 미리 정해진 방식으로 보상되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
  19. 기판, 상기 기판의 상부에 존재하는 반사형 다층박막, 및 상기 다층박막 내 또는 다층박막 아래에 존재하는 하나 이상의 결함을 포함하는 EUV 마스크의 복구 방법으로서,
    기판의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계로서, 상기 결함 영역의 결함에 의해 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는, 기판의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계; 및
    상기 다층박막 상에, 적어도 부분적으로 상기 결함 영역을 포함하는 하나 이상의 기판의 제1부분에 위상-변이 물질을 증착시키는 단계;를 포함하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 결함 영역의 측면 너비 및/또는 위상-변이 차이를 측정하는 단계; 및
    반사된 광선의 위상-변이 차이가 위상-변이 물질을 증착시킨 후 미리 정해진 방식으로 영향을 받도록, 위상-변이 물질 및 이의 두께와 배열을 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 EUV 마스크는 EUV 마스크의 마스크 패턴에 해당하고, 다층박막 상에 기판의 제2부분에 배치되는 마스킹 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 전자빔 유도 가스-보조 국소 물질 증착법에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 제1부분에 균일한 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  24. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 제1 부분에 0 내지 최대 두께 사이에서 변하는 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 최대 100 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  26. 제21항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 마스킹 물질의 두께와 동일하거나 더 얇은 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 위상-변이 물질의 두께를 기준으로 상기 마스킹 물질과 동일하거나 더 낮은 흡수력을 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  28. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 지르코늄, 몰리브덴, 베릴륨, 탄소 및 실리콘 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스 크의 복구 방법.
  29. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 상이한 물질들의 층 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  30. 제19항에 있어서,
    상기 위상-변이 물질은 상기 결함 영역 위 다수의 제1부분에 증착되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 다수의 제1부분은 상기 결함 영역에 맞추어 미리 정해진 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  32. 제19항에 있어서,
    상기 제1부분은 고리-형상의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  33. 제19항에 있어서,
    위상-변이 물질을 증착시킨 후 다층박막에 의해 반사된 광선의 위상-변이 차 이를 측정하는 단계로서, 상기 위상-변이 차이는 결함에 의해 유발되고 위상-변이 물질에 의해 영향을 받는, 광선의 위상-변이 차이를 측정하는 단계;
    영향을 받은 위상-변이 차이를 미리 정해진 위상-변이 차이 값과 비교하는 단계; 및
    영향을 받은 위상-변이 차이가 미리 정해진 위상-변이 차이 값보다 더 큰 경우, 위상-변이 물질을 적어도 부분적으로 제거한 후 새로 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  34. 제19항에 있어서,
    위상-변이 물질을 증착시킨 후 다층박막에 의해 반사된 광선의 위상-변이 차이를 측정하는 단계로서, 상기 노출 광선의 위상-변이 차이는 결함에 의해 유발되고 위상-변이 물질에 의해 영향을 받는, 위상-변이 차이를 측정하는 단계;
    영향을 받은 위상-변이 차이를 미리 정해진 위상-변이 차이 값과 비교하는 단계; 및
    영향을 받은 위상-변이 차이가 미리 정해진 위상-변이 차이 값보다 더 큰 경우, 상기 기판의 동일 부분 또는 추가적인 제1부분에 위상-변이 물질을 추가로 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 복구 방법.
  35. 하나 이상의 층을 포함하는 시스템에서 층 내 또는 층 아래에 존재하는 결함에 의해 유발되는 위상 결함을 복구하는 복구 방법으로서,
    상기 결함에 의하여 노출 광선의 위상-변이 차이가 유발되는 시스템의 결함 영역의 위치를 측정하는 단계;
    적어도 부분적으로 상기 결함 영역을 포함하는 하나 이상의 상기 시스템의 제1부분 위에 위상-변이 물질을 증착시키는 단계;를 포함하는 복구 방법.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 결함 영역의 측면 너비 및/또는 시스템에 의해 영향을 받고 결함에 의해 유발되는 광선의 위상-변이 차이를 측정하는 단계; 및
    위상-변이 물질을 증착시킨 후 영향을 받은 광선의 위상-변이 차이를 미리 정해진 방식으로 변경시키도록, 위상-변이 물질, 상기 위상-변이 물질의 두께, 및 상기 위상-변이 물질의 배열을 선택하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복구 방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 시스템은 다층박막 시스템인 것을 특징으로 하는 복구 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9229327B2 (en) 2013-10-10 2016-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Electron beam exposure apparatus and method of detecting error using the same

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007028172B3 (de) * 2007-06-20 2008-12-11 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske
JP2010219445A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置
DE102009016952A1 (de) * 2009-04-07 2010-10-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Verifikationsverfahren für Reparaturen auf Photolithographiemasken
KR101096248B1 (ko) * 2009-05-26 2011-12-22 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 위상반전마스크의 제조 방법
EP2443651B1 (en) * 2009-06-19 2015-08-12 KLA-Tencor Corporation Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks
US8592102B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cost-effective method for extreme ultraviolet (EUV) mask production
KR101097026B1 (ko) 2010-02-01 2011-12-20 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법
DE102010025033B4 (de) * 2010-06-23 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Defekterkennung und Reparatur von EUV-Masken
US8217349B2 (en) 2010-08-05 2012-07-10 Hermes Microvision, Inc. Method for inspecting EUV reticle and apparatus thereof
US8555214B2 (en) 2010-09-14 2013-10-08 Luminescent Technologies, Inc. Technique for analyzing a reflective photo-mask
KR101179269B1 (ko) * 2010-11-30 2012-09-03 에스케이하이닉스 주식회사 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법
JP5537443B2 (ja) 2011-01-04 2014-07-02 株式会社東芝 Ｅｕｖマスク用ブランクの良否判定方法及びｅｕｖマスクの製造方法
US9005852B2 (en) 2012-09-10 2015-04-14 Dino Technology Acquisition Llc Technique for repairing a reflective photo-mask
JPWO2012114980A1 (ja) * 2011-02-24 2014-07-07 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP5691677B2 (ja) * 2011-03-10 2015-04-01 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法
US8492054B2 (en) 2011-03-25 2013-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for patterning fine features
JP5742389B2 (ja) * 2011-03-31 2015-07-01 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク
US8653454B2 (en) 2011-07-13 2014-02-18 Luminescent Technologies, Inc. Electron-beam image reconstruction
DE102011079382B4 (de) * 2011-07-19 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und zum Beseitigen eines Defekts einer EUV Maske
DE102011080100B4 (de) 2011-07-29 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bearbeiten von Defekten eines optischen Elements für den EUV Bereich
KR20130028179A (ko) * 2011-08-09 2013-03-19 삼성전자주식회사 마스크 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US8748063B2 (en) 2012-08-01 2014-06-10 International Business Machines Corporation Extreme ultraviolet (EUV) multilayer defect compensation and EUV masks
US8785084B2 (en) 2012-09-04 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for mask fabrication and repair
US8739098B1 (en) 2013-02-20 2014-05-27 Globalfoundries Inc. EUV mask defect reconstruction and compensation repair
US9091935B2 (en) 2013-03-11 2015-07-28 Kla-Tencor Corporation Multistage extreme ultra-violet mask qualification
US9442384B2 (en) 2013-03-13 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US9494854B2 (en) 2013-03-14 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Technique for repairing an EUV photo-mask
US9195135B2 (en) 2013-03-15 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for mask fabrication and repair
JP2015056451A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社東芝 露光方法、露光装置及び反射型投影露光用マスク
KR20150066966A (ko) 2013-12-09 2015-06-17 삼성전자주식회사 포토마스크, 포토마스크의 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자 및 그 제조 방법
DE102013225952A1 (de) 2013-12-13 2015-01-15 Carl Zeiss Sms Gmbh Optisches Element für die Photolithographie, Verfahren und Vorrichtung zur Defektkorrektur des optischen Elements
US9612531B2 (en) * 2014-03-21 2017-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating an integrated circuit with enhanced defect repairability
US9964850B2 (en) 2014-07-31 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to mitigate defect printability for ID pattern
JP6386898B2 (ja) * 2014-12-15 2018-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法および検査装置
JP6513951B2 (ja) * 2015-01-08 2019-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
DE102016224200A1 (de) * 2016-12-06 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Reparieren von reflektiven optischen Elementen für die EUV-Lithographie
DE102016224690B4 (de) * 2016-12-12 2020-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Untersuchen eines Elements einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich
DE102017205629A1 (de) * 2017-04-03 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren von Defekten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich
KR20210127851A (ko) 2020-04-14 2021-10-25 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040048398A1 (en) 2001-06-29 2004-03-11 Ted Liang Mask repair with electron beam-induced chemical etching
JP2006332679A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Samsung Electronics Co Ltd 極紫外線露出用の反射マスク及びその製造方法
JP2009010373A (ja) * 2007-06-20 2009-01-15 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg Ｅｕｖマスク及びｅｕｖマスクの修正方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3153230B2 (ja) * 1990-09-10 2001-04-03 株式会社日立製作所 パタン形成方法
JPH04125642A (ja) * 1990-09-18 1992-04-27 Hitachi Ltd フォトマスクの欠陥修正方法
US5391441A (en) * 1992-02-21 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Exposure mask and method of manufacture thereof
JP2922715B2 (ja) * 1992-06-02 1999-07-26 三菱電機株式会社 位相シフトパターンの欠陥修正方法
JPH11204403A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Hitachi Ltd マスクの修正方法
US6235434B1 (en) * 1998-12-08 2001-05-22 Euv Llc Method for mask repair using defect compensation
US6821682B1 (en) * 2000-09-26 2004-11-23 The Euv Llc Repair of localized defects in multilayer-coated reticle blanks for extreme ultraviolet lithography
JP2002313694A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Nikon Corp 反射マスク
US6967168B2 (en) * 2001-06-29 2005-11-22 The Euv Limited Liability Corporation Method to repair localized amplitude defects in a EUV lithography mask blank
JP2004537758A (ja) * 2001-07-27 2004-12-16 エフ・イ−・アイ・カンパニー 電子ビーム処理
US6641959B2 (en) * 2001-08-09 2003-11-04 Intel Corporation Absorberless phase-shifting mask for EUV
US6818357B2 (en) * 2001-10-03 2004-11-16 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
US6627362B2 (en) * 2001-10-30 2003-09-30 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
US7001694B2 (en) * 2002-04-30 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask and method for producing the same
JP2004096063A (ja) * 2002-07-02 2004-03-25 Sony Corp 極短紫外光の位相シフトマスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法
WO2004006017A1 (ja) * 2002-07-02 2004-01-15 Sony Corporation 位相シフトマスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法
JP3958261B2 (ja) * 2002-07-29 2007-08-15 キヤノン株式会社 光学系の調整方法
US7662263B2 (en) * 2002-09-27 2010-02-16 Euv Llc. Figure correction of multilayer coated optics
US7022435B2 (en) * 2002-09-27 2006-04-04 Euv Limited Liability Corporation Method for the manufacture of phase shifting masks for EUV lithography
JP2004177682A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Seiko Instruments Inc 複合荷電粒子ビームによるフォトマスク修正方法及びその装置
JP3683261B2 (ja) * 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
US7499149B2 (en) * 2003-06-24 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Holographic mask for lithographic apparatus and device manufacturing method
US7212282B2 (en) * 2004-02-20 2007-05-01 The Regents Of The University Of California Method for characterizing mask defects using image reconstruction from X-ray diffraction patterns
JP4538254B2 (ja) * 2004-03-25 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用マスク基板及びその製造方法
JP2005321564A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Canon Inc 多層膜が形成された光学素子の製造方法
JP2005322754A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Canon Inc 反射型マスクの検査方法
US7282307B2 (en) * 2004-06-18 2007-10-16 Freescale Semiconductor, Inc. Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same
US7230695B2 (en) * 2004-07-08 2007-06-12 Asahi Glass Company, Ltd. Defect repair device and defect repair method
JP4482400B2 (ja) * 2004-08-17 2010-06-16 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Ｅｕｖｌマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法
JP2006060059A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Sii Nanotechnology Inc Ｅｕｖｌマスクのブランクス欠陥修正方法
JP4622504B2 (ja) * 2004-12-21 2011-02-02 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法
US7534532B2 (en) * 2005-01-27 2009-05-19 Intel Corporation Method to correct EUVL mask substrate non-flatness
JP4703353B2 (ja) * 2005-10-14 2011-06-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク
FR2894346B1 (fr) * 2005-12-02 2012-03-30 Commissariat Energie Atomique Masque de photolithographie en extreme ultra-violet, a cavites absorbantes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040048398A1 (en) 2001-06-29 2004-03-11 Ted Liang Mask repair with electron beam-induced chemical etching
JP2006332679A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Samsung Electronics Co Ltd 極紫外線露出用の反射マスク及びその製造方法
JP2009010373A (ja) * 2007-06-20 2009-01-15 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg Ｅｕｖマスク及びｅｕｖマスクの修正方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9229327B2 (en) 2013-10-10 2016-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Electron beam exposure apparatus and method of detecting error using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8142958B2 (en) 2012-03-27
TW200912519A (en) 2009-03-16
KR20080112167A (ko) 2008-12-24
JP2009010373A (ja) 2009-01-15
DE102007028172B3 (de) 2008-12-11
US20080318138A1 (en) 2008-12-25
TWI377436B (en) 2012-11-21

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