JPH11204403A - マスクの修正方法 - Google Patents
マスクの修正方法Info
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- JPH11204403A JPH11204403A JP449398A JP449398A JPH11204403A JP H11204403 A JPH11204403 A JP H11204403A JP 449398 A JP449398 A JP 449398A JP 449398 A JP449398 A JP 449398A JP H11204403 A JPH11204403 A JP H11204403A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短時間かつ加工精度の高い方法でＸ線縮小露
光用マスクの欠陥を修正する。 【解決手段】 吸収体の余剰欠陥をＦＩＢによるガスア
シストエッチングを用いて、また吸収体の欠落欠陥を吸
収体の物質に光学的性質がほぼ同じもしくは類似した物
質を含んだガスを欠陥部近傍に吹き付け、ＦＩＢでアシ
ストすることによって修正する。
光用マスクの欠陥を修正する。 【解決手段】 吸収体の余剰欠陥をＦＩＢによるガスア
シストエッチングを用いて、また吸収体の欠落欠陥を吸
収体の物質に光学的性質がほぼ同じもしくは類似した物
質を含んだガスを欠陥部近傍に吹き付け、ＦＩＢでアシ
ストすることによって修正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線領域あるいは
真空紫外領域のビームを用いて、解像力の高いパターン
を転写させる際に用いるマスクの欠陥修正方法、及び前
記欠陥修正方法により修正されたマスクを用いたパター
ン転写方法、及びそのパターン転写方法を用いて作製さ
れたデバイスに関する。
真空紫外領域のビームを用いて、解像力の高いパターン
を転写させる際に用いるマスクの欠陥修正方法、及び前
記欠陥修正方法により修正されたマスクを用いたパター
ン転写方法、及びそのパターン転写方法を用いて作製さ
れたデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク上に描かれた半導体集積回路等の
パターンをウエハ上に転写する投影露光においては、解
像度と焦点深度が重要である。一般に、結像光学系の開
口数をＮＡ、露光波長をλとすると、解像度Ｒと焦点深
度ＤＯＦはそれぞれ数１および数２で与えられる。
パターンをウエハ上に転写する投影露光においては、解
像度と焦点深度が重要である。一般に、結像光学系の開
口数をＮＡ、露光波長をλとすると、解像度Ｒと焦点深
度ＤＯＦはそれぞれ数１および数２で与えられる。
【０００３】
【数１】 Ｒ＝ｋ1λ／ＮＡ …（１）
【０００４】
【数２】 ＤＯＦ＝ｋ2λ／ＮＡ2 …（２） ただしｋ1，ｋ2は定数である。
【０００５】現在、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザーと、ＮＡ０.６ 程度のレンズ光学系，位相シフト
マスク，多層レジストを用いて、解像度０.１３ μｍ，
焦点深度１μｍが実現されている。半導体集積回路を高
密度化するために、更に高解像度の投影露光方法が要求
されている。数１から分かるように、ＮＡが大きいほ
ど、あるいは露光波長が短いほど解像度は向上する。し
かしＮＡを大きくすると、数２にしたがって焦点深度が
低下するので、この方法による高解像度化は限界があ
る。
ーザーと、ＮＡ０.６ 程度のレンズ光学系，位相シフト
マスク，多層レジストを用いて、解像度０.１３ μｍ，
焦点深度１μｍが実現されている。半導体集積回路を高
密度化するために、更に高解像度の投影露光方法が要求
されている。数１から分かるように、ＮＡが大きいほ
ど、あるいは露光波長が短いほど解像度は向上する。し
かしＮＡを大きくすると、数２にしたがって焦点深度が
低下するので、この方法による高解像度化は限界があ
る。
【０００６】一方露光波長を数十ｎｍないしは数ｎｍの
軟Ｘ線領域まで短波長化すると、焦点深度１μｍを確保
しながら解像度０.１μｍ 以下を達成することが可能で
ある。しかし軟Ｘ線では物質の屈折率が極めて１に近い
ので、レンズ型光学系の適用は困難であり、ミラー（反
射型）光学系を使用する必要がある。
軟Ｘ線領域まで短波長化すると、焦点深度１μｍを確保
しながら解像度０.１μｍ 以下を達成することが可能で
ある。しかし軟Ｘ線では物質の屈折率が極めて１に近い
ので、レンズ型光学系の適用は困難であり、ミラー（反
射型）光学系を使用する必要がある。
【０００７】近年、屈折率の異なる２種類の物質の薄膜
を交互に多数積層した多層膜ミラーが実用化され、軟Ｘ
線を任意の入射角度で高効率で反射させることが可能と
なった。そこで、多層膜ミラーを用いた結像光学系によ
るＸ線投影露光方法の検討が盛んに行われている。
を交互に多数積層した多層膜ミラーが実用化され、軟Ｘ
線を任意の入射角度で高効率で反射させることが可能と
なった。そこで、多層膜ミラーを用いた結像光学系によ
るＸ線投影露光方法の検討が盛んに行われている。
【０００８】多層膜の周期長をΛ、反射波長をλ、入射
角をθ（θ＝０°で直入射）とすると数３の条件が満た
されたときに反射が起こる。
角をθ（θ＝０°で直入射）とすると数３の条件が満た
されたときに反射が起こる。
【０００９】
【数３】 ２Λcosθ＝ｎλ（ｎ＝１，２，３，４，...） …（３） 多層膜の反射には選択性があり、数３より、入射角が変
化すると反射される波長領域が変化することが分かる。
Ｘ線縮小露光用のマスクは、この軟Ｘ線反射用多層膜を
平滑な基板上に形成して軟Ｘ線の反射部とし、その反射
部上に軟Ｘ線を吸収する物質を形成し（吸収体）、エッ
チング等の手段で吸収体をパターニングすることで非反
射部（遮光部）とした反射型構造を有している。
化すると反射される波長領域が変化することが分かる。
Ｘ線縮小露光用のマスクは、この軟Ｘ線反射用多層膜を
平滑な基板上に形成して軟Ｘ線の反射部とし、その反射
部上に軟Ｘ線を吸収する物質を形成し（吸収体）、エッ
チング等の手段で吸収体をパターニングすることで非反
射部（遮光部）とした反射型構造を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線縮小露光用の反射
型マスクの断面構造を図４（ａ）に示す。平滑な基板４
５上に軟Ｘ線を高効率で反射するＭｏ／Ｓｉ多層膜４１
が形成され、その多層膜上にＸ線を反射しないＷ（タン
グステン）吸収体層が成膜された後、ドライエッチング
等の手段により所望の回路パターン４２が形成されてい
る。
型マスクの断面構造を図４（ａ）に示す。平滑な基板４
５上に軟Ｘ線を高効率で反射するＭｏ／Ｓｉ多層膜４１
が形成され、その多層膜上にＸ線を反射しないＷ（タン
グステン）吸収体層が成膜された後、ドライエッチング
等の手段により所望の回路パターン４２が形成されてい
る。
【００１１】このような構造のマスクに関して、吸収体
余剰の黒欠陥を有する場合のマスクの断面構造を図４
（ｂ）に示す。図４（ａ）と比較すると、マスク表面の
Ｗパターンの間にＷパターン寸法の半分程度の大きさの
Ｗのパーティクル４３が余分に付着している。
余剰の黒欠陥を有する場合のマスクの断面構造を図４
（ｂ）に示す。図４（ａ）と比較すると、マスク表面の
Ｗパターンの間にＷパターン寸法の半分程度の大きさの
Ｗのパーティクル４３が余分に付着している。
【００１２】従来はこのような黒欠陥を、ＦＩＢを用い
たスパッタエッチングにより除去していた。リフトオフ
法と比較すると工程数が少なく新たな欠陥の発生が少な
い等の長所がある。しかし、Ｘ線縮小露光用のマスクに
とっては、高加速のイオンにより欠陥部の下地の多層膜
層がダメージを受け、反射率が減少し、修正した部分の
転写パターンのコントラストが低下してしまうという問
題点が有る。
たスパッタエッチングにより除去していた。リフトオフ
法と比較すると工程数が少なく新たな欠陥の発生が少な
い等の長所がある。しかし、Ｘ線縮小露光用のマスクに
とっては、高加速のイオンにより欠陥部の下地の多層膜
層がダメージを受け、反射率が減少し、修正した部分の
転写パターンのコントラストが低下してしまうという問
題点が有る。
【００１３】これとほぼ同様の修正方法が、例えばオー
エスエイ プロシーディングズ シリーズ（ＯＳＡ Pr
oceedings Series)，vol.２３，２０４(１９９１）に開
示されている。２５ｋｅＶのＧａイオンを用いて（Ｍｏ
／Ｓｉ）多層膜上の吸収体（Ａｕ；５０ｎｎ／Ｃｒ；５
ｎｍ）を除去したが、打ち込まれたＧａによる軟Ｘ線の
吸収等の影響で、多層膜の反射率が大幅に低下してしま
った。
エスエイ プロシーディングズ シリーズ（ＯＳＡ Pr
oceedings Series)，vol.２３，２０４(１９９１）に開
示されている。２５ｋｅＶのＧａイオンを用いて（Ｍｏ
／Ｓｉ）多層膜上の吸収体（Ａｕ；５０ｎｎ／Ｃｒ；５
ｎｍ）を除去したが、打ち込まれたＧａによる軟Ｘ線の
吸収等の影響で、多層膜の反射率が大幅に低下してしま
った。
【００１４】また、図４（ｃ）に示した吸収体欠落の白
欠陥４４を有する場合のマスクの修正方法に関しては、
白欠陥の近接部に炭化水素系ガスを供給しながら、白欠
陥部へＦＩＢを照射し、イオンビームに含まれる元素−
炭化水素系の膜を形成して遮光膜とし欠陥修正する方法
があげられる。
欠陥４４を有する場合のマスクの修正方法に関しては、
白欠陥の近接部に炭化水素系ガスを供給しながら、白欠
陥部へＦＩＢを照射し、イオンビームに含まれる元素−
炭化水素系の膜を形成して遮光膜とし欠陥修正する方法
があげられる。
【００１５】これとほぼ同様の修正方法が、例えばジャ
ーナル オブ バキューム サイエンス アンド テク
ノロジー(J.Vac.Sci.Technol.)Ｂ１２，３８３３(１９
９４)に開示されている。ここでは白欠陥領域にフェニ
ルアセチレンを供給しながらＧａビームを照射し、厚さ
５０ｎｍ程度のＧａ−Ｃ膜を堆積している。吸収体の欠
落を補完する材料には、露光波長でのＸ線吸収率が吸収
体と同等であること、マスクの洗浄プロセスに対し十分
な耐性をもつこと、吸収体材料との密着性がよいことな
どが要求される。しかし、従来方法では欠落した欠陥部
に堆積させる材料は、イオンビームを構成する物質もし
くはその化合物に限定されてしまい、前出の条件を全て
満たす物質を見出すことは非常に困難である。
ーナル オブ バキューム サイエンス アンド テク
ノロジー(J.Vac.Sci.Technol.)Ｂ１２，３８３３(１９
９４)に開示されている。ここでは白欠陥領域にフェニ
ルアセチレンを供給しながらＧａビームを照射し、厚さ
５０ｎｍ程度のＧａ−Ｃ膜を堆積している。吸収体の欠
落を補完する材料には、露光波長でのＸ線吸収率が吸収
体と同等であること、マスクの洗浄プロセスに対し十分
な耐性をもつこと、吸収体材料との密着性がよいことな
どが要求される。しかし、従来方法では欠落した欠陥部
に堆積させる材料は、イオンビームを構成する物質もし
くはその化合物に限定されてしまい、前出の条件を全て
満たす物質を見出すことは非常に困難である。
【００１６】以上のように従来のＸ線縮小露光用のマス
クの吸収体の余剰欠陥や欠落欠陥に関しては、有効な修
正方法は開示されていなかった。
クの吸収体の余剰欠陥や欠落欠陥に関しては、有効な修
正方法は開示されていなかった。
【００１７】本発明は以上のような背景からなされたも
ので、Ｘ線縮小露光用マスクの吸収体の欠落欠陥または
余剰欠陥を、下地の多層膜にダメージを与えず、かつ欠
落欠陥を修正する材料を広く選択できるＸ線縮小露光用
マスクの欠陥修正方法を提供することを目的とする。
ので、Ｘ線縮小露光用マスクの吸収体の欠落欠陥または
余剰欠陥を、下地の多層膜にダメージを与えず、かつ欠
落欠陥を修正する材料を広く選択できるＸ線縮小露光用
マスクの欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明では、Ｘ線縮小露
光用マスクの吸収体の余剰欠陥に起因する黒欠陥に関し
ては、反応ガスを噴射すると共にＦＩＢを照射すること
により、前記欠陥を高選択比でかつ短時間で除去するこ
とが可能となった。また吸収体の欠落欠陥に起因する白
欠陥に関しては、吸収体を構成する物質または吸収体の
物質に光学的性質が類似した物質を含んだ反応ガスを噴
射すると共にＦＩＢを照射することにより、前記欠陥を
任意の種類の元素もしくは化合物で修正することが可能
になった。
光用マスクの吸収体の余剰欠陥に起因する黒欠陥に関し
ては、反応ガスを噴射すると共にＦＩＢを照射すること
により、前記欠陥を高選択比でかつ短時間で除去するこ
とが可能となった。また吸収体の欠落欠陥に起因する白
欠陥に関しては、吸収体を構成する物質または吸収体の
物質に光学的性質が類似した物質を含んだ反応ガスを噴
射すると共にＦＩＢを照射することにより、前記欠陥を
任意の種類の元素もしくは化合物で修正することが可能
になった。
【００１９】
【発明の実施の形態】（実施例１）以下、本発明の第１
の実施例を図面に基づいて説明する。図１は第１の実施
例のＸ線縮小露光用マスクの欠陥修正方法を適用する、
吸収体に余剰欠陥を有するＸ線縮小露光用マスクの断面
図であり、（ａ）は修正前の断面図、（ｂ）は修正工程
の断面図、（ｃ）は修正後の断面図である。
の実施例を図面に基づいて説明する。図１は第１の実施
例のＸ線縮小露光用マスクの欠陥修正方法を適用する、
吸収体に余剰欠陥を有するＸ線縮小露光用マスクの断面
図であり、（ａ）は修正前の断面図、（ｂ）は修正工程
の断面図、（ｃ）は修正後の断面図である。
【００２０】Ｘ線縮小露光用マスクは石英基板１１、そ
の上部に配置された（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜１２，遮光部
であるＷ（タングステン）吸収体１３からなる。上記
（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜１２はイオンビームスパッタリン
グ法で周期長６.７ｎｍ を５０層対形成し、続いて上記
Ｗ吸収体層を１００ｎｍ形成した。その後電子線レジス
トを塗布し、電子線描画により所定のパターニングを行
い、Ｗ吸収体１３をドライエッチングしてパターン形成
することによりマスクを製造した。そして、レジスト塗
布工程が原因と思われる図１（ａ）に示すような、Ｗの
余剰欠陥部１４が多層膜１２上に発生した。
の上部に配置された（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜１２，遮光部
であるＷ（タングステン）吸収体１３からなる。上記
（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜１２はイオンビームスパッタリン
グ法で周期長６.７ｎｍ を５０層対形成し、続いて上記
Ｗ吸収体層を１００ｎｍ形成した。その後電子線レジス
トを塗布し、電子線描画により所定のパターニングを行
い、Ｗ吸収体１３をドライエッチングしてパターン形成
することによりマスクを製造した。そして、レジスト塗
布工程が原因と思われる図１（ａ）に示すような、Ｗの
余剰欠陥部１４が多層膜１２上に発生した。
【００２１】そこで、図１（ｂ）に示すように、Ｘ線縮
小露光用マスクをマスク欠陥修正装置に入れ、約１０-6
Torrまで真空引きした。余剰欠陥部１４の近傍にノズル
を通じて二弗化キセノンＸｅＦ2１６ を吹き付けなが
ら、上記欠陥部にＦＩＢ１８を照射する。これにより図
１（ｃ）に示すように、余剰欠陥部１４がエッチング除
去され、マスクパターンが修正される。
小露光用マスクをマスク欠陥修正装置に入れ、約１０-6
Torrまで真空引きした。余剰欠陥部１４の近傍にノズル
を通じて二弗化キセノンＸｅＦ2１６ を吹き付けなが
ら、上記欠陥部にＦＩＢ１８を照射する。これにより図
１（ｃ）に示すように、余剰欠陥部１４がエッチング除
去され、マスクパターンが修正される。
【００２２】従来のＸ線縮小露光用マスクの欠陥修正方
法では、欠陥修正後の余剰欠陥の下地の（Ｍｏ／Ｓｉ）
多層膜１７の反射率がマスクの反射部１５の多層膜反射
率の５０％しかなかった。しかし、本実施例の修正方法
の場合は、マスクの反射部１５の多層膜反射率の９９.
５％ であった。軟Ｘ線反射率計の計測誤差を考慮する
と、余剰欠陥修正の前後で欠陥部の下地の多層膜の反射
率はほぼ同一であるといえる。これは従来方法に比べ、
余剰吸収体の（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜に対するエッチング
の選択比が１５倍に向上したために、余剰欠陥の下地の
多層膜がダメージを受けなかったのが原因と考えられ
る。また加工速度が従来の４倍になっており、マスクの
修正に要する時間を従来の７０％に低減することができ
た。
法では、欠陥修正後の余剰欠陥の下地の（Ｍｏ／Ｓｉ）
多層膜１７の反射率がマスクの反射部１５の多層膜反射
率の５０％しかなかった。しかし、本実施例の修正方法
の場合は、マスクの反射部１５の多層膜反射率の９９.
５％ であった。軟Ｘ線反射率計の計測誤差を考慮する
と、余剰欠陥修正の前後で欠陥部の下地の多層膜の反射
率はほぼ同一であるといえる。これは従来方法に比べ、
余剰吸収体の（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜に対するエッチング
の選択比が１５倍に向上したために、余剰欠陥の下地の
多層膜がダメージを受けなかったのが原因と考えられ
る。また加工速度が従来の４倍になっており、マスクの
修正に要する時間を従来の７０％に低減することができ
た。
【００２３】第１の実施例記載の方法で修正されたマス
クを用いてパターン転写を行ったところ、余剰欠陥部で
あった部分はウエハ上のレジストパターンとして転写さ
れており、形成されているレジストパターンの寸法も許
容範囲内であった。
クを用いてパターン転写を行ったところ、余剰欠陥部で
あった部分はウエハ上のレジストパターンとして転写さ
れており、形成されているレジストパターンの寸法も許
容範囲内であった。
【００２４】（実施例２）次に本発明の第２の実施例を
図面に基づいて説明する。図２は第２の実施例のＸ線縮
小露光用マスクの欠陥修正方法を適用する、吸収体に欠
落欠陥を有するＸ線縮小露光用マスクの断面図であり、
（ａ）は修正前の断面図、（ｂ）は修正工程の断面図、
（ｃ）は修正後の断面図である。
図面に基づいて説明する。図２は第２の実施例のＸ線縮
小露光用マスクの欠陥修正方法を適用する、吸収体に欠
落欠陥を有するＸ線縮小露光用マスクの断面図であり、
（ａ）は修正前の断面図、（ｂ）は修正工程の断面図、
（ｃ）は修正後の断面図である。
【００２５】第１の実施例と同様な方法で、Ｘ線縮小露
光用マスクが形成される。そして、図２（ａ）に示すよ
うな、レジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部２
４が遮光部である吸収体２３に発生した。
光用マスクが形成される。そして、図２（ａ）に示すよ
うな、レジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部２
４が遮光部である吸収体２３に発生した。
【００２６】そこで、図２（ｂ）に示すように、Ｘ線縮
小露光用マスクをマスク欠陥修正装置に入れ、約１０-6
Torrまで真空引きした。欠落欠陥部２４の近傍にノズル
を通じて蒸発させたタングステンカルボニルガスＷ(Ｃ
Ｏ)6２６ を吹き付けながら、上記欠陥部にＦＩＢ２８
を照射する。これにより図２（ｃ）に示すように、Ｗ膜
が堆積し、堆積部２７が形成され、欠落欠陥部２４が修
正される。
小露光用マスクをマスク欠陥修正装置に入れ、約１０-6
Torrまで真空引きした。欠落欠陥部２４の近傍にノズル
を通じて蒸発させたタングステンカルボニルガスＷ(Ｃ
Ｏ)6２６ を吹き付けながら、上記欠陥部にＦＩＢ２８
を照射する。これにより図２（ｃ）に示すように、Ｗ膜
が堆積し、堆積部２７が形成され、欠落欠陥部２４が修
正される。
【００２７】このように堆積された堆積部２７は吸収体
２３と同じ材料のため密着性に問題はなく、その後のＸ
線縮小露光用マスク用の洗浄にもパターン剥がれ等の問
題は起こらなかった。
２３と同じ材料のため密着性に問題はなく、その後のＸ
線縮小露光用マスク用の洗浄にもパターン剥がれ等の問
題は起こらなかった。
【００２８】本実施例の方法で修正されたマスクを用い
てパターン転写を行ったが、欠落欠陥部はウエハ上へ転
写されていなかった。また上記欠落欠陥部に接するマス
クの反射部に対応するレジストパターンの寸法精度も許
容範囲内であった。
てパターン転写を行ったが、欠落欠陥部はウエハ上へ転
写されていなかった。また上記欠落欠陥部に接するマス
クの反射部に対応するレジストパターンの寸法精度も許
容範囲内であった。
【００２９】（実施例３）次に本発明の第３の実施例と
して、半導体デバイスを製造した例を示す。Ｎ−基板３
０を通常の方法でＰウェル層３１,Ｐ層３２,フィールド
酸化膜３３，poly−Ｓｉ／ＳｉＯ2 ゲート３４，Ｐ高濃
度拡散層３５，Ｎ高濃度拡散層３６などを形成した（図
２（ａ））。次に通常の方法でＢＰＳＧ等の絶縁膜３７
を形成した（図２（ｂ））。その上にレジスト４０を塗
布した後、本発明による第１の実施例で示した方法を用
いて検査し、ＦＩＢ装置で修正したマスクを用いて、ホ
ールパターンを形成した（図２（ｃ））。
して、半導体デバイスを製造した例を示す。Ｎ−基板３
０を通常の方法でＰウェル層３１,Ｐ層３２,フィールド
酸化膜３３，poly−Ｓｉ／ＳｉＯ2 ゲート３４，Ｐ高濃
度拡散層３５，Ｎ高濃度拡散層３６などを形成した（図
２（ａ））。次に通常の方法でＢＰＳＧ等の絶縁膜３７
を形成した（図２（ｂ））。その上にレジスト４０を塗
布した後、本発明による第１の実施例で示した方法を用
いて検査し、ＦＩＢ装置で修正したマスクを用いて、ホ
ールパターンを形成した（図２（ｃ））。
【００３０】次にこのレジストをマスクとして絶縁膜３
７をドライエッチングし、コンタクトホールを形成し
た。そして通常の方法によりＷ／Ｔｉ電極配線３８を形
成した後、層間絶縁膜３９をＣＶＤにより成膜した（図
２（ｄ））。以降の工程は通常と同様の方法で形成し
た。なお本実施例では主な製造工程のみを説明したが、
コンタクトホール形成のリソグラフィ工程で使用したマ
スクが本発明の第１の実施例を用いて修正されているこ
と以外は従来と同じ工程を用いた。マスクの欠陥修正の
加工精度が従来方法と比べ向上しているため、ＣＭＯＳ
−ＬＳＩを高歩留まりで作製することができた。
７をドライエッチングし、コンタクトホールを形成し
た。そして通常の方法によりＷ／Ｔｉ電極配線３８を形
成した後、層間絶縁膜３９をＣＶＤにより成膜した（図
２（ｄ））。以降の工程は通常と同様の方法で形成し
た。なお本実施例では主な製造工程のみを説明したが、
コンタクトホール形成のリソグラフィ工程で使用したマ
スクが本発明の第１の実施例を用いて修正されているこ
と以外は従来と同じ工程を用いた。マスクの欠陥修正の
加工精度が従来方法と比べ向上しているため、ＣＭＯＳ
−ＬＳＩを高歩留まりで作製することができた。
【００３１】上記実施例では、Ｘ線縮小露光用マスクの
吸収体の欠陥修正について示したが、本発明はＸ線縮小
露光用位相シフトマスクのシフタ層の修正や、多層膜層
と吸収体層の間に形成されることのあるエッチングスト
ッパ層の完全除去についても、同様の方法が適用可能で
あるし、また露光波長１３ｎｍのＸ線縮小露光に対する
マスク装置に限定されず、Ｘ線領域，真空紫外，極真空
紫外領域の任意の波長に適用できることも言うまでもな
い。
吸収体の欠陥修正について示したが、本発明はＸ線縮小
露光用位相シフトマスクのシフタ層の修正や、多層膜層
と吸収体層の間に形成されることのあるエッチングスト
ッパ層の完全除去についても、同様の方法が適用可能で
あるし、また露光波長１３ｎｍのＸ線縮小露光に対する
マスク装置に限定されず、Ｘ線領域，真空紫外，極真空
紫外領域の任意の波長に適用できることも言うまでもな
い。
【００３２】また、上記の実施例では、吸収体と同じ材
料であるＷ膜を堆積させることで吸収体の欠け欠陥を修
正したが、必ずしも吸収体と同一材料である必要はな
く、吸収体の物質に類似した光学的性質を有する材料の
膜を形成すればよい。また、ＦＩＢとしてＧａビームを
使用したが、本発明の構成はＦＩＢのビームの種類に制
限されるものでないことは言うまでもない。
料であるＷ膜を堆積させることで吸収体の欠け欠陥を修
正したが、必ずしも吸収体と同一材料である必要はな
く、吸収体の物質に類似した光学的性質を有する材料の
膜を形成すればよい。また、ＦＩＢとしてＧａビームを
使用したが、本発明の構成はＦＩＢのビームの種類に制
限されるものでないことは言うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、Ｘ線縮
小露光用マスクの吸収体の余剰欠陥をＦＩＢによるガス
アシストエッチングを用いて修正することで、下地の多
層膜にダメージを与えない欠陥修正がより短時間で可能
になった。また、吸収体の欠落欠陥に関しては、吸収体
を構成する物質または吸収体の物質に光学的性質が類似
した物質を含んだガスを欠陥部近傍に吹き付けＦＩＢを
照射することで、前記欠陥を任意の種類の元素もしくは
化合物で修正することが可能になった。
小露光用マスクの吸収体の余剰欠陥をＦＩＢによるガス
アシストエッチングを用いて修正することで、下地の多
層膜にダメージを与えない欠陥修正がより短時間で可能
になった。また、吸収体の欠落欠陥に関しては、吸収体
を構成する物質または吸収体の物質に光学的性質が類似
した物質を含んだガスを欠陥部近傍に吹き付けＦＩＢを
照射することで、前記欠陥を任意の種類の元素もしくは
化合物で修正することが可能になった。
【図１】本発明の第１の実施例のＸ線縮小露光用マスク
の欠陥修正方法を示す断面図。
の欠陥修正方法を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例のＸ線縮小露光用マスク
の欠陥修正方法を示す断面図。
の欠陥修正方法を示す断面図。
【図３】本発明の第３の実施例を用いて作製されたデバ
イスの断面構造を示す断面図。
イスの断面構造を示す断面図。
【図４】Ｘ線縮小露光用マスクの吸収体の欠陥を示す断
面図。
面図。
１１…石英基板、１２…（Ｍｏ／Ｓｉ）多層膜、１３…
Ｗ吸収体、１４…Ｗ吸収体余剰欠陥部、１５…マスクの
反射部の多層膜、１６…二弗化キセノン、１７…余剰欠
陥の下地の多層膜、１８…ＦＩＢ、２３…Ｗ吸収体、２
４…Ｗ吸収体欠落欠陥部、２６…タングステンカルボニ
ルガス、１７…堆積部、１８…ＦＩＢ、３０…Ｎ−基
板、３１…Ｐウェル層、３２…Ｐ層、３３…フィールド
酸化膜、３４…polyＳｉ／ＳｉＯ2 ゲート、３５…Ｐ高
濃度拡散層、３６…Ｎ高濃度拡散層、３７…絶縁膜、３
８…Ｗ／Ｔｉ電極配線、３９…層間絶縁膜、４０…レジ
スト、４１…Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、４２…Ｗ（タングステ
ン）吸収体パターン、４３…Ｗのパーティクル（黒欠
陥）、４４…Ｗ吸収体欠落の白欠陥、４５…基板。
Ｗ吸収体、１４…Ｗ吸収体余剰欠陥部、１５…マスクの
反射部の多層膜、１６…二弗化キセノン、１７…余剰欠
陥の下地の多層膜、１８…ＦＩＢ、２３…Ｗ吸収体、２
４…Ｗ吸収体欠落欠陥部、２６…タングステンカルボニ
ルガス、１７…堆積部、１８…ＦＩＢ、３０…Ｎ−基
板、３１…Ｐウェル層、３２…Ｐ層、３３…フィールド
酸化膜、３４…polyＳｉ／ＳｉＯ2 ゲート、３５…Ｐ高
濃度拡散層、３６…Ｎ高濃度拡散層、３７…絶縁膜、３
８…Ｗ／Ｔｉ電極配線、３９…層間絶縁膜、４０…レジ
スト、４１…Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、４２…Ｗ（タングステ
ン）吸収体パターン、４３…Ｗのパーティクル（黒欠
陥）、４４…Ｗ吸収体欠落の白欠陥、４５…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 老泉 博昭 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】軟Ｘ線を反射する多層膜上に軟Ｘ線を反射
しにくい物質がパターニングされた構造を有するマスク
を、軟Ｘ線領域のビームを照明光学系を介して照明し、
前記マスク上に描かれている微細パターンを結像光学系
を介して、ウエハ基板上に縮小転写するＸ線縮小露光
の、前記マスク上の吸収体余剰に起因する黒欠陥部を修
正する欠陥修正方法において、前記黒欠陥部にガスを噴
射すると共にＦＩＢ（Focused Ion Beam：収束イオンビ
ーム）を照射することにより、前記欠陥部を除去し修正
することを特徴とするマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項２】軟Ｘ線を反射する多層膜上に軟Ｘ線を反射
しにくい物質がパターニングされた構造を有するマスク
を、軟Ｘ線領域のビームを照明光学系を介して照明し、
前記マスク上に描かれている微細パターンを結像光学系
を介して、ウエハ基板上に縮小転写するＸ線縮小露光
の、マスク上の吸収体欠落に起因する白欠陥部を修正す
る欠陥修正方法において、前記欠陥部に前記吸収体を構
成する元素を含んだガスを噴射すると共にＦＩＢを照射
することにより、前記欠陥部に反応物を堆積させ前記欠
陥部を修正することを特徴とするマスクの欠陥修正方
法。 - 【請求項３】軟Ｘ線を反射する多層膜上に軟Ｘ線を反射
しにくい物質がパターニングされた構造を有するマスク
を、軟Ｘ線領域のビームを照明光学系を介して照明し、
前記マスク上に描かれている微細パターンを結像光学系
を介して、ウエハ基板上に縮小転写するＸ線縮小露光
の、前記マスク上の吸収体余剰に起因する黒欠陥部を修
正する欠陥修正装置において、前記黒欠陥部にガスを噴
射すると共にＦＩＢを照射することにより、前記欠陥部
を除去し修正する手段を具備することを特徴とするマス
クの欠陥修正装置。 - 【請求項４】軟Ｘ線を反射する多層膜上に軟Ｘ線を反射
しにくい物質がパターニングされた構造を有するマスク
を、軟Ｘ線領域のビームを照明光学系を介して照明し、
前記マスク上に描かれている微細パターンを結像光学系
を介して、ウエハ基板上に縮小転写するＸ線縮小露光
の、前記マスク上の吸収体欠落に起因する白欠陥部を修
正する欠陥修正装置において、前記欠陥部に前記吸収体
を構成する元素を含んだガスを噴射すると共にＦＩＢを
照射することにより、前記欠陥部に反応物を堆積させ前
記欠陥部を修正する手段を具備することを特徴とするマ
スクの欠陥修正装置。 - 【請求項５】請求項１に記載のガスがＣｌ，Ｈ，Ｆ等の
元素を含んだ反応性のガスであることを特徴とするマス
ク欠陥修正方法。 - 【請求項６】請求項２に記載のガスが、吸収体に含まれ
ている元素とほぼ同じもしくは類似した光学的性質を露
光波長において有する元素を含んだ反応性のガスである
ことを特徴とするマスク欠陥修正方法。 - 【請求項７】請求項１または２のいずれかに記載の修正
方法にて修正されたマスクを用いることを特徴とする微
細パターンの転写方法。 - 【請求項８】請求項１または２のいずれかに記載の修正
方法にて修正されたマスクを具備することを特徴とする
露光装置。 - 【請求項９】請求項７ないし８のいずれかにおいて、軟
Ｘ線領域のビームを放射する光源は、シンクロトロン放
射光，レーザプラズマＸ線源，Ｘ線レーザ，電子線励起
型Ｘ線源，エキシマレーザ，半導体レーザのいずれかで
あることを特徴とする微細パターン転写方法。 - 【請求項１０】請求項７ないし９のいずれかの微細パタ
ーン転写方法，露光装置を用いて製作されたことを特徴
とする電子デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449398A JPH11204403A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | マスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449398A JPH11204403A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | マスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204403A true JPH11204403A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11585616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP449398A Pending JPH11204403A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | マスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204403A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403933B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-10-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 마스크의 형성방법 |
| JP2009010373A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-15 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | Ｅｕｖマスク及びｅｕｖマスクの修正方法 |
| JP2011238800A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク |
| JP2012124372A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスク欠陥修正装置 |
| WO2014032312A1 (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的图形修补装置及方法 |
| CN111610693A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种掩膜板的修复方法 |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP449398A patent/JPH11204403A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403933B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-10-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 마스크의 형성방법 |
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| WO2014032312A1 (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的图形修补装置及方法 |
| CN111610693A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种掩膜板的修复方法 |
| CN111610693B (zh) * | 2019-02-26 | 2023-08-22 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种掩膜板的修复方法 |
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