KR100952262B1

KR100952262B1 - Conductive pattern forming device

Info

Publication number: KR100952262B1
Application number: KR1020080061268A
Authority: KR
Inventors: 유우이찌로오 사노; 도오루 미야사까
Original assignee: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date: 2008-06-27
Filing date: 2008-06-27
Publication date: 2010-04-09
Also published as: KR20100001385A

Abstract

본 발명은, 도전 패턴 형성 장치에 있어서 현상제, 세정액 등의 액체 재료의 역류나 액 누설에 의한 패턴 또는 장치 내의 오염을 최소한으로 저감시키는 프로세스 장치를 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a process apparatus that minimizes contamination of a pattern or an apparatus due to backflow or liquid leakage of a liquid material such as a developer or a cleaning liquid in a conductive pattern forming apparatus.

이를 이루기 위해, 전자 사진 방식에 의한 도전 패턴 형성 장치에서의 현상/세정 장치를 감광체의 중심보다도 하부 영역에 배치, 용매 제거 공정을 감광체가 상승 방향으로 회전하는 영역에 배치, 전사액 도포/정전 전사 공정을 감광체의 중심보다도 상부 또한 감광체가 하강 방향으로 회전하는 영역에 설치한다.In order to achieve this, the developing / cleaning apparatus in the electrophotographic conductive pattern forming apparatus is disposed in the region below the center of the photoconductor, and the solvent removal process is disposed in the region in which the photoconductor rotates in the upward direction. The process is provided above the center of the photoconductor and in a region where the photoconductor rotates in the downward direction.

현상제, 세정액, 역류, 전자 사진 방식, 전사액 Developer, cleaning liquid, countercurrent, electrophotographic method, transfer liquid

Description

도전 패턴 형성 장치 {CONDUCTIVE PATTERN FORMING DEVICE}Conductive Pattern Forming Device {CONDUCTIVE PATTERN FORMING DEVICE}

본 발명은, 기능 재료의 패터닝을 행하는 장치에 관한 것으로, 특히 전자 사진 프로세스를 이용한 도전 패턴 형성 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for patterning functional materials, and more particularly, to a conductive pattern forming apparatus using an electrophotographic process.

최근, 고가의 마스크와 다단 공정을 갖는 포토리소그래프 방식의 대체 기술로서, 요판 인쇄법, 철판 인쇄법, 스크린 인쇄법, 디스펜서, 잉크제트 인쇄, 전자 사진 인쇄 등의 공정이 간편한 인쇄 프로세스에 의한 도전 패턴 형성 방식이 주목받고 있다. 이 모든 프로세스는 도전성 입자를 용매 중에 분산한 도전성 입자 분산 용액이나, 수지 중에 도전성 입자를 내부 첨가한 토너를 이용하여, 판이나 스크린을 사용한 간접 도포, 노즐 주사에 의한 직접 도포, 또는 임의의 정전 잠상으로의 정전 흡착에 의해 패터닝을 행한다. 그리고 이것을 가열 소성함으로써 미립자끼리 융착시켜 도체화하여 배선을 얻는다.Recently, as an alternative technology of the photolithography method having an expensive mask and a multi-stage process, a challenge by a printing process such as intaglio printing, iron printing, screen printing, dispenser, inkjet printing, and electrophotographic printing is easy. The pattern formation method is attracting attention. All these processes are indirect coating using a plate or screen, direct coating by nozzle scanning, or any electrostatic latent image using a conductive particle dispersion solution in which conductive particles are dispersed in a solvent or a toner in which conductive particles are internally added to a resin. The patterning is performed by electrostatic adsorption to. By heating and baking this, the fine particles are fused together and conductored to obtain wiring.

상기한 각종 인쇄 프로세스 중에서도, 특히 정전기력을 이용하여 절연 기판 상에 원하는 도전 패턴을 형성하는 전자 사진 방식은, 롤에 의한 연속 생산이 가능하기 때문에 대량 생산이나 대면적 패턴 형성에 대응 가능하다. 또한, 다품종 소량 생산에 유리한 도전 패턴의 변경도 용이하기 때문에, 다른 프로세스와 비교하여 유리한 점이 많다. 전자 사진 방식을 이용한 도전 패턴 형성 방법으로서는, 수지 중에 도전 입자를 내부 첨가한 건식 토너를 세라믹 그린 시트 등의 내열성이 높은 기판 상에 패터닝한 후에, 고온 가열하여 수지 성분을 제거 및 금속 성분을 융착하는 방법(예를 들어 특허 문헌1)이나, 패터닝 후의 토너 내의 금속 입자를 중심으로 한 도금을 행함으로써 도체 패턴을 형성하는 방법(예를 들어 특허 문헌2)이 알려져 있다. 그러나, 상기한 바와 같은 건식 토너를 이용할 경우, 분진 방지의 관점에서 공기 중에서 다룰 수 있는 토너의 최소 입경 한도는 5㎛ 이상이며, 예를 들어 10㎛ 이하의 도전 패턴을 형성하는 것은 물리적으로 불가능했다.Among the various printing processes described above, in particular, the electrophotographic method of forming a desired conductive pattern on an insulating substrate by using electrostatic force is possible to cope with mass production or large-area pattern formation because continuous production by a roll is possible. In addition, since it is easy to change the conductive pattern, which is advantageous for producing small quantities of various kinds, there are many advantages compared to other processes. As a conductive pattern forming method using an electrophotographic method, a dry toner having conductive particles added therein in a resin is patterned on a substrate having high heat resistance such as a ceramic green sheet, and then heated at a high temperature to remove the resin component and fuse the metal component. A method (for example, Patent Document 1) or a method (for example, Patent Document 2) for forming a conductor pattern by performing plating around a metal particle in a toner after patterning is known. However, in the case of using the dry toner as described above, the minimum particle size limit of the toner that can be handled in the air from the viewpoint of dust prevention is 5 µm or more, for example, it was physically impossible to form a conductive pattern of 10 µm or less. .

상기 과제에 대하여, 도전 재료의 미세 분말체를 액중에 분산시킨 도전 미립자 분산액 상태로 취급하는 패터닝 방법, 즉 액체 현상에 의한 도전 패턴 형성 방법이 몇가지 제안되어 있다(예를 들어 특허 문헌3, 4). 액체 중에서 입자를 핸들링함으로써 환경이나 인체에 영향을 미치는 분진 비산의 과제를 해결할 수 있기 때문에, 입경이 나노 스케일인 도전 입자도 취급할 수 있게 되어, 보다 고정밀한 패턴 형성을 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 액중에서의 이온 흡착 대전이 되기 때문에 고저항화의 원인으로 되는 수지 성분을 최대한 사용하지 않고 도체 입자의 직접 핸들링을 실현할 수 있다(예를 들어 특허 문헌3).With respect to the above-mentioned problems, some patterning methods for treating the fine powder of the conductive material in the state of the conductive fine particle dispersion liquid dispersed in the liquid, that is, the method of forming the conductive pattern by the liquid development, have been proposed (for example, Patent Documents 3 and 4). . By handling the particles in the liquid, the problem of dust scattering that affects the environment and the human body can be solved, so that it is possible to handle conductive particles having a particle size of nanoscale, and to realize a more precise pattern formation as well as a liquid. Because of the ion adsorption charging in the membrane, direct handling of the conductor particles can be realized without using the resin component that causes the high resistance as much as possible (for example, Patent Document 3).

<특허 문헌1> 일본 특허 공개 평11-251718호 공보 <Patent Document 1> Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251718

<특허 문헌2> 일본 특허 공개 제2004-48030호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-48030

<특허 문헌3> 일본 특허 공개 제2006-278801호 공보 Patent Document 3: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-278801

<특허 문헌4> 일본 특표2002-527783호 공보<Patent Document 4> Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-527783

그러나, 상기 방법을 이용한 경우, 액체를 핸들링하는 공정이 필수로 되기 때문에, 액체 핸들링 프로세스 시에 액 흘림, 역류 및 액 누설에 의한 패턴 파괴, 장치 오염이 발생한다는 과제가 있었다. However, when the above method is used, the process of handling the liquid is indispensable, and thus, there has been a problem in that during the liquid handling process, liquid spillage, pattern flow due to backflow and liquid leakage, and device contamination occur.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 액체 중에 분산한 입자, 특히 도전 미립자를 전자 사진 방식에 의해 직접 패터닝하는 도전 패턴 형성 장치에 있어서, 현상제, 세정액, 또는 전사액 등의 액체 재료의 액 흘림, 역류 및 액 누설에 의한 패턴 또는 장치 내의 오염을 최소한으로 저감시키는 프로세스 배치 및 그것에 의한 도전 패턴 형성 장치의 구성을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the said subject, In the conductive pattern forming apparatus which directly patterns the particle | grains disperse | distributed in the liquid, especially electroconductive fine particle by the electrophotographic system, Liquid material, such as a developer, a cleaning liquid, or a transfer liquid, It is an object of the present invention to provide a process arrangement for minimizing the pattern caused by liquid spillage, backflow, and liquid leakage, or contamination in the apparatus, and the configuration of the conductive pattern forming apparatus thereby.

상기 목적을 해결하기 위해, 전자 사진 방식에 의한 도전 패턴 형성 장치에서의 현상/세정 장치를 감광체 중심에 대하여 하부에 배치, 용매 제거 수단을 감광체가 상승 방향으로 회전하는 영역에 배치 및 전사액 도포/정전 전사 수단을 감광체 중심보다도 상부 또한 감광체가 하강 방향으로 회전하는 영역에 설치하는 것을 특징으로 한 도전 패턴 형성 장치로 한다.In order to solve the above object, the developing / cleaning apparatus in the electrophotographic conductive pattern forming apparatus is disposed below the center of the photoconductor, and the solvent removing means is arranged in the region where the photoconductor rotates in the upward direction and the transfer liquid is applied / The electrostatic transfer means is provided above the center of the photoconductor and in a region where the photoconductor rotates in the downward direction.

본 발명에서 제안하는 프로세스 배치 및 그것에 의한 장치 구성을 실현함으로써, 현상액, 세정액, 혹은 전사액 등의 액체가 다른 프로세스로 액 흘림을 일으키거나 역류를 하거나, 혹은 장치 내에서 누설된 경우에, 형성되는 패턴의 파괴나 장치 내 오염을 저감시킬 수 있다.By realizing the process arrangement proposed by the present invention and the device configuration thereby, a liquid such as a developing solution, a cleaning liquid, or a transfer liquid is formed when liquid flows to another process, flows back, or leaks inside the apparatus. It is possible to reduce pattern breakage and contamination in the apparatus.

이하, 본 발명에 관한 전자 사진 방식에 의한 도전 패턴 형성 방법에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the electroconductive pattern formation method by the electrophotographic system which concerns on this invention is demonstrated using drawing.

도1은, 본 발명에 있어서 제안하는 전자 사진 방식에 의한 도전 패턴 형성 방법을 적용한 장치를 모식적으로 도시한 것이다. 본 장치는 주로, 대전 장치(1), 감광체(11), 유전성 박막체(10), 노광 장치(3), 현상 장치(5), 도전성 입자 분산 용액(6), 세정 장치(8), 세정액(9), 용매 제거 수단(12), 전사액 도포 수단(13), 정전기적으로 전사하는 전사 수단(15), 기판(16), 잔존 전사액 제거 수단(20)에 의해 구성된다.Fig. 1 schematically shows an apparatus to which a conductive pattern forming method by the electrophotographic method proposed in the present invention is applied. The apparatus mainly includes the charging device 1, the photosensitive member 11, the dielectric thin film 10, the exposure apparatus 3, the developing apparatus 5, the conductive particle dispersion solution 6, the cleaning apparatus 8, and the cleaning liquid. (9), the solvent removal means 12, the transfer liquid application means 13, the electrostatic transfer means 15, the board | substrate 16, and the residual transfer liquid removal means 20 are comprised.

본 실시예에서는, 대전 영역(2)의 형성 수단으로서 감광성을 갖는 유전성 박막체(10)를 표면에 설치한 드럼 형상 또는 벨트 형상의 감광체(11)와 대전 장치(1)를 사용하고 있다. 이 감광체(11)의 주위에 설치한 대전 장치(1)(콜로트론+스콜로트론 대전기 또는 롤러 접촉 대전기 또는 브러시 접촉 대전기 중 하나로 구성되어 있다)에 의해, 그 표면을 균일하게 대전한다. 대전 장치(1)로 균일하게 대전된 대전 영역(2)에, 퍼스널 컴퓨터 등의 화상 정보 처리 장치로부터의 화상 신호에 따라 노광 장치(3)가 레이저광을 주사하거나, 또는 복수의 어레이 형상으로 배열한 광원의 각각을 상기 화상 신호에 따라 ON/OFF 제어함으로써, 임의의 위치에 광을 조사하여 원하는 정전 잠상 패턴(4)을 형성한다. 또한 다른 방법으로서, 미리 원하는 패턴 형상(볼록부)을 표면에 가공한 정전 잠상 전사체의 볼록 부분에 정전하를 부 여한다. 이 정전 잠상 전사체를 균일하게 대전된 유전성 박막체(10)의 표면에 접촉시킴으로써 목적하는 정전 잠상 패턴(4)을 형성한다. 소위 스탬프 대전 방법을 이용해도 된다. 그러나, 정전 잠상 패턴(4)의 용이한 변경을 실현하기 위해서는, 전자(前者)의 균일하게 대전된 대전 영역(2)에 광을 조사함으로써 정전 잠상 패턴(4)을 형성하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다. 여기서, 어느 방법에 있어서도, 부여되는 대전 영역(2)은 양전하 및 음전하 중 어느 쪽에 의한 것이어도 상관없다. 노광 장치(3)는, 감광체(11)의 회전 방향에 대하여, 후술하는 현상 장치(5) 바로 앞에 설치되는 것이다. 그 이유는, 현상 장치(5)로부터 도전성 입자 분산 용액(6)이 역류 방향으로 흐른 경우, 오염되어 버려 정전 잠상 패턴(4)을 형성할 수 없게 되기 때문이다. 따라서, 노광 장치(3)는 감광체(11)의 회전 방향이 하강 방향인 영역이며, 현상 장치(5)의 설치 위치보다도 상부에 설치되는 것이 바람직하다.In this embodiment, the drum-shaped or belt-shaped photosensitive member 11 and the charging device 1 in which the dielectric thin film 10 having photosensitivity on the surface are used as the forming means of the charging region 2. The surface is uniformly charged by the charging device 1 (consisted of one of a Colotron + Scolotron charger, a roller contact charger, or a brush contact charger) provided around the photosensitive member 11. . In the charging region 2 uniformly charged by the charging apparatus 1, the exposure apparatus 3 scans a laser beam or arranges in a plurality of array shapes in accordance with an image signal from an image information processing apparatus such as a personal computer. By controlling ON / OFF of each of the light sources in accordance with the image signal, light is irradiated to an arbitrary position to form a desired electrostatic latent image pattern 4. As another method, an electrostatic charge is applied to the convex portion of the electrostatic latent image transfer member in which the desired pattern shape (convex portion) is processed on the surface in advance. The electrostatic latent image transfer member is brought into contact with the surface of the uniformly charged dielectric thin film 10 to form the target electrostatic latent image pattern 4. You may use the so-called stamp charging method. However, in order to realize easy change of the electrostatic latent image pattern 4, it is preferable to use the method of forming the electrostatic latent image pattern 4 by irradiating light to the former uniformly charged charging region 2. Do. Here, in any of the methods, the charging region 2 to be applied may be either positive or negative charge. The exposure apparatus 3 is provided just in front of the developing apparatus 5 described later with respect to the rotation direction of the photosensitive member 11. This is because, when the conductive particle dispersion solution 6 flows from the developing apparatus 5 in the counterflow direction, it is contaminated and the electrostatic latent image pattern 4 cannot be formed. Therefore, the exposure apparatus 3 is an area | region in which the rotation direction of the photosensitive member 11 is a downward direction, and it is preferable to be provided above the installation position of the developing apparatus 5.

현상 장치(5)는, 감광체(11) 상에 형성된 정전 잠상 패턴(4)에 도전성 입자 분산 용액(6)을 공급함으로써, 도전 패턴 전구체(7)를 현상 형성하는 것이다. 이 현상 장치(5)에는, 도시하지 않은 도전성 입자 분산 용액(6)을 저장하는 탱크와, 유전성 박막체(10) 상의 정전 잠상 패턴(4)에 도전성 입자 분산 용액(6)을 공급하는 공급 수단을 구비하고 있다. 도전성 입자 분산 용액(6)을 정전 잠상 패턴(4)으로 공급하는 수단으로서는 다음 3가지의 방식이 있다. 우선 첫번째 방식은, 공급 롤이라고 불리는 롤 상에 도전성 입자 분산 용액(6)의 층을 형성하고, 이것을 정전 잠상 패턴(4)에 접촉시켜 현상하는 롤 현상 방식이다. 두번째 방식은, 슬릿 형상 의 공급구(28)로부터 도전성 입자 분산 용액(6)을 정전 잠상 패턴(4)으로 공급하는 슬릿 현상 방식이다(도4 참조). 세번째 방식은, 도전성 입자 분산 용액(6)을 담은 액조 내에 정전 잠상 패턴(4)을 형성한 유전성 박막체(10)를 침지시키는 침지 현상 방식이다.The developing apparatus 5 develops and forms the conductive pattern precursor 7 by supplying the electroconductive particle dispersion solution 6 to the electrostatic latent image pattern 4 formed on the photosensitive member 11. This developing apparatus 5 includes a tank for storing the conductive particle dispersion solution 6 (not shown) and supply means for supplying the conductive particle dispersion solution 6 to the latent electrostatic image pattern 4 on the dielectric thin film body 10. Equipped with. As a means for supplying the electroconductive particle dispersion solution 6 to the electrostatic latent image pattern 4, there are the following three methods. First, the first system is a roll development system in which a layer of the electroconductive particle dispersion solution 6 is formed on a roll called a supply roll, and this is brought into contact with the electrostatic latent image pattern 4 for development. The second method is a slit development method in which the conductive particle dispersion solution 6 is supplied to the latent electrostatic image pattern 4 from the slit-shaped supply port 28 (see Fig. 4). The third method is an immersion developing method in which the dielectric thin film body 10 in which the electrostatic latent image pattern 4 is formed in the liquid tank containing the conductive particle dispersion solution 6 is immersed.

도전 패턴 전구체(7)의 현상 시에 정전적인 조력(助力)을 부여하기 위해, 롤 현상 방식에서의 공급 롤 및 슬릿 현상 방식에서의 슬릿 형상의 공급구(28) 중, 적어도 감광체(11)에 가장 근접하는 부위의 표면은 도전성의 부재로 이루어지며, 전압을 인가할 수 있는 구성인 것이 바람직하다. 상술한 각 현상 장치(5) 중에서도, 특히 슬릿 현상 방식은 구성이 간소하여 필요 체적이 적고, 다른 방법에 비교해 단위 시간당 도전성 입자 분산 용액(6)의 공급량이 많다. 이 때문에, 도전 패턴(17)에서 대전류를 흘리기 위해 필요해지는 높은 막 두께 형성을 하기 위해서는 유리하며, 바람직한 방식이다.In order to give electrostatic assistance at the time of image development of the conductive pattern precursor 7, at least to the photosensitive member 11 of the supply roll 28 in the roll image development system, and the slit-shaped supply port 28 in the slit image development system. The surface of the nearest portion is made of a conductive member, and preferably has a configuration capable of applying a voltage. Among the above-described developing apparatuses 5, in particular, the slit developing method is simple in configuration and has a small volume, and the supply amount of the conductive particle dispersion solution 6 per unit time is large compared with other methods. For this reason, in order to form the high film thickness required for flowing a large current in the conductive pattern 17, it is advantageous and a preferable method.

도4에 슬릿 현상에 이용하는 슬릿 액체 공급 장치의 개략도를 도시한다. 도4와 같이, 슬릿 형상의 공급구(28) 주위에 도전 입자를 잃은 용매 성분이나 잉여의 도전성 입자 분산 용액(6)을 부압에 의해 회수하는 회수구(29)를 설치한 구성을 취하는 것이 바람직하다. 이렇게 회수구(29)를 설치함으로써, 도전성 입자 분산 용액(6)의 액 흘림이나 역류 및 액 누설을 저감시킬 수 있다. 상기 구성으로 함으로써, 도전성 입자 분산 용액(6)의 공급구(28)를 감광체(11)에 대하여 하향에 설치하는 것도 가능하다. 이 때문에, 도전형 장치에서의 배치의 자유도가 높은 점에서도 슬릿 방식이 바람직하다. 현상 장치(5)는 전자 사진 방식에 있어서, 전술한 노광 장치(3)와 후술하는 세정 장치(8) 사이에 배치하고 있다.4 shows a schematic diagram of a slit liquid supply apparatus used for slit development. As shown in Fig. 4, it is preferable to adopt a configuration in which a recovery port 29 for recovering the solvent component having lost conductive particles or the excess conductive particle dispersion solution 6 by negative pressure is provided around the slit-shaped supply port 28. Do. Thus, by providing the recovery port 29, the liquid flow, the backflow of the electroconductive particle dispersion solution 6, and liquid leakage can be reduced. By setting it as the said structure, it is also possible to provide the supply port 28 of the electroconductive particle dispersion solution 6 with respect to the photosensitive member 11 downward. For this reason, a slit system is preferable also in the point of freedom of arrangement | positioning in a conductive type apparatus. The developing apparatus 5 is arrange | positioned between the exposure apparatus 3 mentioned above and the washing | cleaning apparatus 8 mentioned later in the electrophotographic system.

여기서, 도전성 입자 분산 용액(6)이 액 흘림이나 역류 및 액 누설을 일으킨 경우, 후(後) 프로세스의 세정 장치(8)에서는 세정액(9)과 함께 흘러 온 도전성 입자 분산 용액(6)을 회수할 수 있다. 그러나，전(前) 프로세스의 노광 장치(3)는 도전성 입자 분산 용액(6)에 의한 오염이 발생하면, 복구가 현저하게 곤란하게 된다. 이 때문에, 노광 장치(3)측으로의 도전성 입자 분산 용액(6)의 액 흘림이나 역류 및 액 누설은 발생하지 않는 구성으로 하는 것이 필요하다.Here, when the electroconductive particle dispersion solution 6 has caused liquid flow, backflow, and liquid leakage, the electroconductive particle dispersion solution 6 which flowed with the washing | cleaning liquid 9 is collect | recovered in the washing | cleaning apparatus 8 of a post process. can do. However, in the exposure apparatus 3 of the previous process, when contamination by the electroconductive particle dispersion solution 6 generate | occur | produces, recovery becomes remarkably difficult. For this reason, it is necessary to set it as the structure which does not generate | occur | produce liquid flow, backflow, and liquid leakage of the electroconductive particle dispersion solution 6 to the exposure apparatus 3 side.

또한, 현상 장치(5)로서 슬릿 현상 방식을 채용한 경우, 감광체(11)에 대하여 슬릿 형상의 공급구(28)가 아래를 향한 구성, 즉 감광체(11)의 중심보다도 상부로의 현상 장치(5)의 배치가 가능하다. 그러나, 도전성 입자 분산 용액(6)이 액 누설을 일으킨 경우, 모든 프로세스로의 오염이 발생한다. 이 때문에, 현상 장치(5)는 감광체(11)의 중심보다 하방측에 배치하는 것이 바람직하다. 특히, 세정 장치(8)를 제외한 모든 프로세스에 대하여 가장 아래의 위치에 설치되는 것이 바람직하다. 이상을 고려하면, 현상 장치(5)의 설치 위치는 감광체(11)의 중심보다도 하부 영역이며, 또한 감광체(11)의 회전 방향의 하강 영역 또는 노광 장치(3)보다도 하측에 배치되는 것이 바람직하다.In addition, when the slit developing method is adopted as the developing apparatus 5, the constitution in which the slit-shaped supply port 28 is directed downward with respect to the photosensitive member 11, that is, the developing apparatus above the center of the photosensitive member 11 ( 5) arrangement is possible. However, when the conductive particle dispersion solution 6 causes liquid leakage, contamination to all processes occurs. For this reason, it is preferable to arrange the developing apparatus 5 below the center of the photosensitive member 11. In particular, it is preferable to be provided at the lowest position for all processes except the cleaning apparatus 8. In consideration of the above, it is preferable that the installation position of the developing apparatus 5 is lower than the center of the photosensitive member 11 and disposed below the lowering region of the rotation direction of the photosensitive member 11 or the exposure apparatus 3. .

현상 장치(5)의 저장 탱크 내에는 도전성 입자 분산 용액(6) 중의 도전 입자 농도를 일정하게 유지하기 위해, 도전 입자 농도를 검출하는 농도 검출 수단을 마련하는 것이 바람직하다. 이 농도 검출 수단에 의해 얻어진 농도 정보에 기초하여 저장 탱크 내에 무극성 용매(22)의 첨가, 또는 도전성 입자(24)를 첨가함으로써, 농도를 조정하는 농도 조정 수단을 마련하고 있다. 또한, 저장 탱크에는 침강 방지, 전체 영역 농도 균일화를 위해 교반 수단을 구비하고 있다. 교반 수단으로서는, 초음파 조사 수단, 액중 내를 기계적으로 교반하기 위한 교반 날개 등을 사용하는 교반 수단, 저장 탱크 자체를 가진함으로써 교반하는 가진 수단 등을 이용할 수 있다. 슬릿 현상 방식의 경우, 재료의 사용량을 저감시키기 위해, 회수구(29)로부터 부압에 의해 회수된 도전성 입자 분산 용액(6)은, 도전 입자 농도 검지 결과에 기초하여 농도를 조정한 후, 다시 저장 탱크 내로 복귀되어 도전성 입자 분산 용액(6)으로서 이용되는 순환 구성인 것이 바람직하다.In the storage tank of the developing apparatus 5, in order to maintain the electroconductive particle density | concentration in the electroconductive particle dispersion solution 6, it is preferable to provide density | concentration detection means which detects electroconductive particle density | concentration. Based on the density | concentration information obtained by this density | concentration detection means, the density adjustment means which adjusts a density | concentration is provided by adding the nonpolar solvent 22 or the electroconductive particle 24 to the storage tank. In addition, the storage tank is equipped with a stirring means for preventing sedimentation and equalizing the overall area concentration. As the stirring means, an ultrasonic irradiation means, a stirring means using a stirring blade for mechanically stirring the liquid in the liquid, an exciting means for stirring by having the storage tank itself, and the like can be used. In the case of the slit development system, in order to reduce the amount of material used, the conductive particle dispersion solution 6 recovered by the negative pressure from the recovery port 29 is stored again after adjusting the concentration based on the conductive particle concentration detection result. It is preferable that it is a circulation structure which returns to a tank and is used as the electroconductive particle dispersion solution 6.

도전성 입자 분산 용액(6)의 상세를 도2에 도시한다. 도전성 입자 분산 용액(6)은, 표면에 이온성 유기 분자(23)가 흡착된 입경 100㎚ 이하의 도전성 입자(24)를 무극성 용매(22) 중에 분산시킨 것이다.The detail of the electroconductive particle dispersion solution 6 is shown in FIG. The electroconductive particle dispersion solution 6 disperse | distributes the electroconductive particle 24 with a particle diameter of 100 nm or less in which the ionic organic molecule 23 was adsorbed on the surface in the nonpolar solvent 22.

이온성 유기 분자(23)로서는, 고분자의 경우에는, 폴리스틸렌, 폴리―p-크롤스틸렌, 폴리비닐톨루엔, 스틸렌-p-크롤스틸렌 공중합체, 스틸렌비닐톨루엔 공중합체 등의 스틸렌 및 그 치환체의 단독 중합체 및 그들의 공중합체, 스틸렌아크릴산 메틸 공중합체, 스틸렌아크릴산 에테르 공중합체, 스틸렌아크릴산-n-부틸 공중합체 등의 스틸렌과 아크릴산 에스테르의 공중합체, 스틸렌메타크릴산 메틸 공중합체, 스틸렌-메타크릴산 에틸 공중합체, 스틸렌메타크릴산-n-부틸 공중합체 등의 스틸렌과 메타크릴산 에스테르의 공중합체, 스틸렌과 아크릴산 에스테르와 메타크릴산 에스테르의 다원 공중합체, 스틸렌아크릴로니트릴 공중합체, 스틸렌비닐메틸에테르 공중합체, 스틸렌부타디엔 공중합체, 스틸렌비닐메틸케톤 공중합체, 스틸렌-말레산 에스테르 공중합체 등의 스틸렌과 다른 비닐계 모노머의 스틸렌계 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트 등의 메타크릴산 에스테르 수지, 폴리아크릴산메틸, 폴리아크릴산 에틸, 폴리아크릴산 부틸 등의 아크릴산 에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 시클로올레핀 공중합체 등, 이상에서 예를 든 고분자 수지 단독 또는 혼합한 고분자 수지에, 카본 산기나 아미노 산기 등의 이온성을 부여할 수 있는 관능기가 첨가된 것을 들 수 있다.As the ionic organic molecule 23, in the case of a polymer, a homopolymer of styrene and its substituents, such as polystyrene, poly-p-crostyrene, polyvinyl toluene, styrene-p-crostyrene copolymer, styrene vinyl toluene copolymer And copolymers of styrene and acrylic esters such as copolymers thereof, methyl styrene acrylate copolymer, styrene acrylate ether copolymer, styrene acrylate-n-butyl copolymer, styrene methacrylate methyl copolymer, styrene-methacrylate methacrylate Copolymers of styrene and methacrylic acid esters, such as copolymers and styrene-methacrylate-n-butyl copolymers, multi-component copolymers of styrene and acrylic acid esters and methacrylic acid esters, styrene acrylonitrile copolymers, and styrene vinyl methyl ethers Copolymer, Styrene Butadiene Copolymer, Styrene Vinyl Methyl Ketone Copolymer, Styrene-Maleic Acid Ester Ball Styrene copolymers of styrene such as copolymerization and other vinyl monomers, methacrylic ester resins such as polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, acrylic ester resins such as methyl polyacrylate, ethyl polyacrylate, and butyl polyacrylate And those in which a functional group capable of imparting ionicity, such as a carbon acid group or an amino acid group, is added to the polymer resin alone or a mixture of the polymer resins cited above, such as a polyester resin, an epoxy resin, and a cycloolefin copolymer. have.

저분자량의 유기 분자의 경우에는, 옥살산, 말론산, 숙신산, 아디핀산, 글루타르산, 2, 4-디에틸글루타르산, 피메린산, 아제라인산, 세바신산, 시클로헥산 지카르본산, 말레산, 푸마르산, 디글리콜산 등의 디카르본산이나, 카프릴산, 라우릴산,미리스트산, 팔미트산, 스테아린산, 아라킨산, 베헤닌산, 리놀산(CLA), 올레인산, 리노렌산 등의 지방산이나, 젖산, 히드록시 피발산, 디메티롤 프로피온산, 시트르산, 말산, 글리세린산 등의 히드로키시카르본산, 등의 지방족 카르본산에 의한 지방족 카르본산 이온19와, Ag, Cu, Au, Pd, Pt, Ni, W, Mo, Cr 등의 무기 이온 18로 이루어지는 지방족 카르본산 무기염 등을 들 수 있다.In the case of low molecular weight organic molecules, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, adipic acid, glutaric acid, 2,4-diethylglutaric acid, pimeric acid, azeline acid, sebacic acid, cyclohexane gicarboxylic acid, male Dicarboxylic acids such as acid, fumaric acid, and diglycolic acid; caprylic acid, lauryl acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, arachnic acid, behenic acid, linoleic acid (CLA), oleic acid, linolenic acid, etc. Aliphatic carboxylic acid ions 19, including Ag, Cu, Au, Pd, And aliphatic carboxylic acid inorganic salts composed of inorganic ions 18 such as Pt, Ni, W, Mo, and Cr.

도전 패턴 전구체(7)를 도체화하기 위해서는, 도전성 입자(24) 주위의 유기 성분인 이온성 유기 분자(23)를 가열하여 태워 날릴 필요가 있다. 또한, 고분자 성분보다도 저분자 성분이 소성에 필요한 열 에너지가 더 낮다. 따라서, 도전 패턴(17) 형성용의 대상의 기판(16)으로서, 내열 온도가 낮은 폴리이미드 등의 수지성의 기판을 이용하는 경우에는, 소성 온도가 낮은 저분자 유기 분자를 이용하는 편이 낫다. 또한, 저분자 유기 분자를 이용하면, 도체 패턴(17)의 고저항화를 초 래하는 패턴 내의 잔존 유기 분자 비율이 고분자 유기 분자를 이용한 경우에 비교해 낮아진다. 이상의 관점에서, 도전성 입자(24) 주위의 이온성 유기 분자(23) 성분은, 저분자량의 유기 분자인 것이 바람직하다.In order to conductorize the conductive pattern precursor 7, it is necessary to heat and burn the ionic organic molecule 23 which is an organic component around the electroconductive particle 24. In addition, the thermal energy required for firing of the low molecular weight component is lower than that of the high molecular weight component. Therefore, when using resinous board | substrates, such as polyimide with low heat resistance temperature, as the board | substrate 16 for object formation of the conductive pattern 17, it is better to use low molecular organic molecules with low baking temperature. In addition, when the low molecular weight organic molecules are used, the proportion of the remaining organic molecules in the pattern resulting in higher resistance of the conductor pattern 17 is lower than when the high molecular weight organic molecules are used. In view of the above, it is preferable that the ionic organic molecule 23 component around the electroconductive particle 24 is a low molecular weight organic molecule.

도전성 입자(24)의 입경은 저온 융착을 가능하게 하여, 도전 패턴(17)이 고해상도가 되도록 100㎚ 이하로 할 필요가 있다. 단，200도 이하의 온도로 가열하여 도전성 입자(24)를 융착하여 도전 패턴 전구체(7)를 도체화하기 위해서는, 도전성 입자(24)의 입경을 10㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 100㎚ 이하의 선폭의 도전 패턴(17)이 필요할 때는 도전성 입자(24)의 입경을 5㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다.The particle diameter of the electroconductive particle 24 needs to be 100 nm or less so that low temperature fusion can be performed and the conductive pattern 17 will be high resolution. However, in order to fuse the conductive particles 24 to conduct the conductive pattern precursor 7 by heating to a temperature of 200 degrees or less, the particle diameter of the conductive particles 24 is preferably 10 nm or less. When the conductive pattern 17 of the line width of 100 nm or less is needed, it is preferable to make the particle diameter of the electroconductive particle 24 into 5 nm or less.

도전성 입자(24)에는, Ag 또는 Cu, Au, Pd, Pt, Ni, W, Mo, Cr 등의 단체 금속 또는 이들의 금속 산화물, 이들의 금속 합금을 이용한다. 도전체가 필요할 때는, 체적 저항율이 낮은 Ag 또는 Cu를 이용한다. 또한, 상기 금속이나, 또는 그 산화물, 또는 그 합금을 복수 혼합하여 이용할 수도 있다.As the conductive particles 24, a single metal such as Ag or Cu, Au, Pd, Pt, Ni, W, Mo, Cr, metal oxides thereof, or metal alloys thereof are used. When a conductor is needed, Ag or Cu with low volume resistivity is used. Moreover, the said metal, its oxide, or its alloy can also be mixed and used in multiple numbers.

무극성 용매(22)에는, 지방족 탄화수소계 용매를 이용한다. 지방족 탄화수소계 용매로서는, 이소 파라핀계 또는 석유 나프사계, 아이소파(엑슨 케미컬사), IP 솔벤트(이데이쯔 석유사)산, 솔톨(필립스 석유사), 그 밖의 탄화수소가 있다.As the nonpolar solvent 22, an aliphatic hydrocarbon solvent is used. Examples of the aliphatic hydrocarbon solvents include isoparaffinic or petroleum naphtha, isopa (Exxon Chemical Co., Ltd.), IP solvent (Idetsu Petroleum Co.) acid, soltol (Philips petroleum company), and other hydrocarbons.

세정 장치(8)는, 감광체(11) 상에 현상 직후의 도전 패턴 전구체(7) 상 또는 잔존하는 무극성 용매(22) 중에 현상되지 않고 부유하는 잉여의 도전 입자를 제거하는 것이다. 이 세정 장치(8)는, 도전 입자를 포함하지 않는 용매를 세정액(9)으로서 공급하여, 흡인함으로써 잉여 도전 입자를 제거하는 구성으로 되어 있다. 또 한, 이 세정 장치(8)는, 도시하지 않은 세정액(9)을 저장하는 탱크와, 유전성 박막체(10) 상의 도전 패턴 전구체(7)로 세정액(9)을 공급하는 공급 수단을 구비하고 있다. 세정액(9)의 공급 수단으로서는, 현상 장치(5)와 마찬가지로 슬릿 형상의 공급구로부터 세정액(9)을 공급하여 감광체(11) 상의 도전 패턴 전구체(7)와 세정 장치(8)의 공급구 사이의 갭에 세정액(9)을 공급하는 슬릿 세정 방식, 세정액(9)을 담은 액조 내에 도전 패턴 전구체(7)를 형성한 유전성 박막체(10)를 침지시키는 침지 세정 방식 등을 들 수 있다.The washing | cleaning apparatus 8 removes the excess electroconductive particle which floats, without developing on the conductive pattern precursor 7 immediately after image development on the photosensitive member 11, or in the remaining nonpolar solvent 22. As shown in FIG. This washing | cleaning apparatus 8 is set as the structure which removes excess electroconductive particle by supplying the solvent which does not contain electroconductive particle as the washing | cleaning liquid 9, and aspirating. Moreover, this washing | cleaning apparatus 8 is equipped with the tank which stores the washing | cleaning liquid 9 which is not shown in figure, and supply means which supplies the washing | cleaning liquid 9 to the conductive pattern precursor 7 on the dielectric thin film body 10. have. As the supply means for the cleaning liquid 9, similarly to the developing apparatus 5, the cleaning liquid 9 is supplied from a slit-shaped supply port and between the conductive pattern precursor 7 on the photoconductor 11 and the supply port of the cleaning device 8. And a slit cleaning method for supplying the cleaning liquid 9 to the gap of the thin film, and an immersion cleaning method for immersing the dielectric thin film 10 in which the conductive pattern precursor 7 is formed in the liquid tank containing the cleaning liquid 9.

그러나, 현상 장치(5)에서 기술한 바와 같이, 구성이 간단하고, 체적이 적고, 설치 자유도가 높다고 하는 관점에서 슬릿 세정 방식이 바람직하다. 슬릿 세정 방식에서의 슬릿 형상의 세정액(9)의 공급구의 적어도 감광체(11)에 가장 근접하는 부위의 표면은 도전성의 부재로 형성하는 것이 바람직하다. 이 이유는, 도전 패턴 전구체(7) 상에 부유되거나, 비패턴 형성 영역에 부착된, 잉여의 도전 입자를 정전적으로 끌어 당겨 제거할 수 있게 전압을 인가할 수 있는 구성으로 하기 위해서이다. 슬릿 방식으로는 슬릿 형상 공급구의 주위에 부압에 의해 세정 후 용액을 회수하는 회수구를 설치한 구성인 것이 바람직하다. 회수구로부터 부압에 의해 회수된 사용후 세정액은, 여과, 흡착 등의 수단에 의해 정제되어 다시 세정액(9)으로서 저장 탱크 내로 복귀되는 순환 구성으로 하는 것이 바람직하다. 세정액(9)으로서는 도전성 입자 분산 용액(6)에서의 용매와 혼화하는 용매이면 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 도전 패턴 전구체(7)를 파괴하지 않는 상태를 유지한다는 관점에서, 도전성 입자 분산 용액(6)에서의 용매와 동일한 것이 바람직하다.However, as described in the developing apparatus 5, the slit cleaning method is preferable from the viewpoint of the simple configuration, small volume, and high installation freedom. It is preferable to form the surface of the site | part which is closest to the photosensitive member 11 of the supply port of the slit-shaped cleaning liquid 9 in a slit cleaning system by an electroconductive member. This is because the voltage can be applied so as to electrostatically pull out and remove excess conductive particles suspended on the conductive pattern precursor 7 or attached to the non-pattern formation region. It is preferable that it is a structure which provided the recovery port which collect | recovers a solution after washing | cleaning by negative pressure around a slit-shaped supply port as a slit system. The used washing liquid recovered by the negative pressure from the recovery port is preferably circulated to be purified by means of filtration, adsorption, etc., and then returned to the storage tank as the washing liquid 9 again. It will not specifically limit, if it is a solvent mixed with the solvent in the electroconductive particle dispersion solution 6 as the washing | cleaning liquid 9. However, the same thing as the solvent in the electroconductive particle dispersion solution 6 is preferable from a viewpoint of maintaining the state which does not destroy the conductive pattern precursor 7.

세정 장치(8)는 전자 사진 방식에 있어서, 전술한 현상 장치(5)와 후술하는 용매 제거 수단(12)의 사이에 배치된다. 여기서, 세정액(9)이 누설된 경우, 전 프로세스의 현상 장치(5)에서는, 특히 슬릿 방식의 경우, 부압에 의한 회수구(29)로부터 잉여의 도전성 입자 분산 용액(6)과 함께 회수할 수 있기 때문에, 현상 장치(5)측으로 세정액(9)이 역류되거나 액 흘림이 되어도 상관없다. 그러나, 후 프로세스의 용매 제거 수단(12)의 방향으로 세정액(9)이 흐르면, 용매 제거 수단(12)에서의 용매 제거 능력을 초과해 버려, 후술하는 전사액 도포 수단(13)에 이르기까지, 도전 패턴 전구체(7) 상으로부터 잔존하는 세정액(9)을 충분히 제거할 수 없다는 과제가 우려된다. 그로 인해, 용매 제거 수단(12)측으로의 액 흐름이 발생하지 않는 구성의 것이 필요하다. 또한, 슬릿 세정 방식의 경우, 감광체(11)에 대하여 공급구를 하향에 배치한 구성, 즉 감광체(11)의 중심보다도 상부로의 세정 장치(8)의 배치가 가능하게 된다. 그러나, 현상 장치(5)의 경우와 마찬가지로, 세정액(9)이 누설된 경우, 모든 프로세스에의 오염 리스크가 높아지기 때문에, 세정 장치(8)는 감광체(11)의 중심보다도 하측, 또는 현상 장치(5)를 제외한 모든 프로세스에 대하여 가장 하위에 설치되는 것이 바람직하다. 이상을 고려하면, 세정 장치(8)의 설치 위치는 감광체(11)의 중심보다도 하부 영역이며, 또한 감광체(11)의 회전 방향의 상승 영역, 또는 용매 제거 수단(12)보다도 하부에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 현상 장치(5)에서의 현상 시에 잉여 입자의 발생을 충분히 저감시킬 수 있는 경우에는, 상기에 기술한 세정 장치(8)는 본 발명의 도전 패턴 형성 장치에 설치되지 않아도 상관없다.The cleaning apparatus 8 is disposed between the developing apparatus 5 described above and the solvent removing means 12 described later in the electrophotographic method. Here, when the washing | cleaning liquid 9 leaks, in the developing apparatus 5 of the whole process, especially in the case of a slit system, it can collect | recover with the excess electroconductive particle dispersion solution 6 from the recovery port 29 by a negative pressure. Therefore, the cleaning liquid 9 may flow back to the developing apparatus 5 side or may flow. However, when the washing | cleaning liquid 9 flows in the direction of the solvent removal means 12 of a post process, it will exceed the solvent removal ability in the solvent removal means 12, and will be until the transfer liquid application means 13 mentioned later, There is a concern that the remaining cleaning solution 9 cannot be sufficiently removed from the conductive pattern precursor 7. Therefore, the thing of the structure which the liquid flow to the solvent removal means 12 side does not generate | occur | produce is necessary. In addition, in the case of the slit cleaning method, the configuration in which the supply port is disposed downward with respect to the photoconductor 11, that is, the arrangement of the cleaning device 8 above the center of the photoconductor 11 becomes possible. However, as in the case of the developing apparatus 5, when the cleaning liquid 9 leaks, the risk of contamination to all processes increases, so that the cleaning apparatus 8 is lower than the center of the photosensitive member 11 or the developing apparatus ( It is preferable to install at the lowest level for all processes except 5). In view of the above, the installation position of the cleaning apparatus 8 is a lower region than the center of the photoconductor 11, and is disposed below the elevated region in the rotational direction of the photoconductor 11 or the solvent removing means 12. desirable. In addition, when the generation | occurrence | production of surplus particle | grains at the time of image development in the image development apparatus 5 can fully be reduced, the cleaning apparatus 8 mentioned above does not need to be provided in the electrically conductive pattern formation apparatus of this invention.

본 발명에서의 전자 사진 방식에 의한 도전 패턴(17) 형성 수단에서는, 유전성 박막체(10) 상의 현상된 도전 패턴 전구체(7)를 파괴하지 않고 고효율로 전사할 필요가 있다. 이 때문에, 대상으로 되는 기판(16) 상에 전사하기 전에, 현상 장치(5) 및 세정 장치(8)를 통과 직후부터 도전 패턴 전구체(7) 상에 잔존하는 용매 성분을 한번 제거한 후, 다시 전사액(14)을 도전 패턴 전구체(7) 상에 재도포하고, 또한 기판(16) 등에 전압을 인가하여 전기 영동에 의해 도전 패턴 전구체(7)를 전사하는 건조 응집 정전 전사 방식의 채용이 바람직하다.In the electrophotographic conductive pattern 17 forming means in the present invention, it is necessary to transfer with high efficiency without destroying the developed conductive pattern precursor 7 on the dielectric thin film 10. For this reason, before the transfer to the target substrate 16, the solvent component remaining on the conductive pattern precursor 7 is removed once after passing through the developing apparatus 5 and the cleaning apparatus 8, and then transferred again. It is preferable to employ a dry coagulation electrostatic transfer method in which the liquid 14 is re-coated on the conductive pattern precursor 7 and the voltage is applied to the substrate 16 or the like to transfer the conductive pattern precursor 7 by electrophoresis. .

상기와 같이, 본 발명에서의 도전 패턴 형성 장치에는 용매 제거 수단(12)이 구비되어 있다. 이 용매 제거 수단(12)에 의해, 현상 직후의 도전 패턴 전구체(7) 상으로부터 잔존하는 용매 성분을 한번 제거함으로써, 도전 패턴 전구체(7)를 구성하는 도전성 입자(24)가 응집되어, 입자간력이 증가한다. 이 때문에, 패턴 유지성이 향상되어, 전사 시의 패턴 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 잔존하는 용매 성분을 제거함으로써, 유전성 박막체(10) 상에 잔존하는 정전 잠상 패턴(4)이 소거되어, 도전 패턴 전구체(7)는 유전성 박막체(10) 상으로부터 박리되기 쉬워져, 전사 효율이 향상된다. 현상 장치(5) 및 세정 장치(8) 직후의 도전 패턴 전구체(7) 상으로부터 잔존하는 용매 성분을 한번 제거하는 용매 제거 수단(12)으로서는, 가열이나 열풍 분무에 의해 용매를 증발 건조시키는 가열 수단에 의한 가열 방식이나, 기체류를 액막에 분무하여 액막을 흐르게 하여 도전 패턴 전구체(7) 상으로부터 잔존하는 용매 성분을 불어내는 송풍 수단 및 불어내어진 용매를 회수하는 수단을 갖는 기체류 방식을 들 수 있다.As mentioned above, the solvent removal means 12 is provided in the electrically conductive pattern formation apparatus in this invention. By this solvent removal means 12, the solvent component remaining on the conductive pattern precursor 7 immediately after image development is removed once, and the electroconductive particle 24 which comprises the conductive pattern precursor 7 aggregates, and the interparticle force is carried out. This increases. For this reason, pattern retention can be improved and pattern breakage at the time of transfer can be prevented. In addition, by removing the remaining solvent component, the latent electrostatic latent image pattern 4 remaining on the dielectric thin film body 10 is erased, and the conductive pattern precursor 7 easily peels off from the dielectric thin film body 10, The transfer efficiency is improved. As the solvent removal means 12 which removes the solvent component which remains on the conductive pattern precursor 7 immediately after the developing apparatus 5 and the washing | cleaning apparatus 8, the heating means which evaporates and dries a solvent by heating or hot air spraying. And a gas flow system having a blowing means for spraying a gas stream onto the liquid film to allow the liquid film to flow to blow the remaining solvent components from the conductive pattern precursor 7, and a means for recovering the blown solvent. Can be.

또한, 가열 방식으로는 용매가 증발하기 위해 걸리는 시간이 길고, 열에 의해 유전성 박막체(10)의 열화가 촉진되는 것이 우려된다. 이 때문에, 감광체(11)에의 데미지가 적고 또한 신속하게 용매를 제거하는 것이 가능한 기체류 방식을 이용하는 것이 바람직하다. 기체류를 분무하는 방향은, 불어내어진 잔존 용매 성분이 전사되는 방향(이미 제거된 도전 패턴 전구체(7) 방향)이나, 현상 방향(잔존하는 용매 성분을 갖는 현상 직후의 도전 패턴 전구체(7) 방향)으로 흘러 가는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 중앙으로부터 유전성 박막체(10) 단부 방향(폭 방향)으로 액막을 불어내거나, 혹은 동일하게 폭 방향으로 한 쪽의 유전성 박막체(10) 단부로부터 다른 한 쪽의 유전성 박막체(10) 단부로 액막을 불어내어, 유전성 박막체(10) 단부에 설치된 용매 제거 수단(12)에 의해 회수되는 방법이 바람직하다.In addition, the heating method takes a long time for the solvent to evaporate, and there is a concern that deterioration of the dielectric thin film body 10 is accelerated by heat. For this reason, it is preferable to use the gas flow system which can reduce the damage to the photoreceptor 11 and can remove a solvent promptly. The direction of spraying the gas stream is the direction in which the blown out residual solvent component is transferred (the direction of the conductive pattern precursor 7 which has already been removed) or the developing direction (the conductive pattern precursor 7 immediately after development having the remaining solvent component). Direction) is undesirable. Therefore, the liquid film is blown from the center in the end direction (width direction) of the dielectric thin film body 10, or the other end of the dielectric thin film body 10 from one end of the dielectric thin film body 10 in the same width direction. It is preferable that the liquid film is blown into the furnace to be recovered by the solvent removing means 12 provided at the ends of the dielectric thin film body 10.

용매 제거 수단(12)으로서는, 유전성 박막체(10) 단부에 홈을 형성하고, 이 홈에 잔존하는 용매를 회수하는 방법이나, 잔존하는 용매를 흡수할 수 있는 스폰지 부재를 구비하는 방법을 생각할 수 있다. 또한, 액체 제거 시간을 단축하기 위해 유전성 박막체(10)의 단부에 부압에 의해 흘러 온 잔존 용매를 흡인 회수하는 구성이어도 된다. 용매 제거 수단(12)의 다른 구성으로서는 현상 장치(5) 및 세정 장치(8)에서 기술한 도4에 도시한 바와 같은 슬릿형 구성의 부재를 유전성 박막체(10) 상의 도전 패턴 전구체(7)에 근접시켜, 감광체(11)와 동일폭 또는 그 이상의 폭을 갖는 슬릿형 공급구(28)로부터 기류를 분출시켜, 슬릿구에 인접한 위치에 설치한 회수구(29)로부터 부압에 의해 잔존하는 용매를 회수하는 구성이어도 된다. 또한, 1개의 슬릿형의 용매 제거 수단(12)에 의해 모든 잔존하는 용매를 제거하기 위해 사용하면, 강력한 기류 분무력 및 부압력이 필요하게 되어, 도전 패턴 전구체(7)는 파괴되어 버릴 가능성이 높다. 이 때문에, 도전 패턴 전구체(7)를 파괴하지 않을 정도의 기류 분무력 및 부압력을 갖는 슬릿형의 용매 제거 수단(12)을 감광체(11) 회전 방향으로 복수개 병렬시킨 구성이어도 된다. 또한, 회수된 용매는 현상 장치(5)나 세정 장치(8)로 운반되어, 리사이클되는 구성으로 하는 것이 바람직하다.As the solvent removing means 12, a method of forming a groove at the end of the dielectric thin film body 10, recovering the solvent remaining in the groove, or a method of providing a sponge member capable of absorbing the remaining solvent can be considered. have. Moreover, the structure which sucks and collect | recovers the residual solvent which flowed by the negative pressure to the edge part of the dielectric thin film body 10 in order to shorten liquid removal time may be sufficient. As another configuration of the solvent removing means 12, a member having a slit-like configuration as shown in FIG. 4 described in the developing apparatus 5 and the cleaning apparatus 8 may be formed of the conductive pattern precursor 7 on the dielectric thin film 10. Solvent is blown off from the slit feed port 28 having a width equal to or greater than that of the photoconductor 11, and remains under negative pressure from a recovery port 29 provided at a position adjacent to the slit port. The structure which collect | recovers may be sufficient. In addition, when used to remove all remaining solvent by one slit-type solvent removing means 12, a strong airflow spraying force and a negative pressure are required, and the conductive pattern precursor 7 may be destroyed. high. For this reason, the structure which multiple slit type solvent removal means 12 which has the airflow spraying force and negative pressure of the grade which do not destroy the conductive pattern precursor 7 in parallel in the photosensitive member 11 rotation direction may be sufficient. Moreover, it is preferable to set it as the structure which the collect | recovered solvent is conveyed to the developing apparatus 5 and the washing | cleaning apparatus 8, and is recycled.

용매 제거 수단(12)은 전자 사진에 있어서, 전술한 현상 장치(5) 및 세정 장치(8)와, 후술하는 전사액 도포 수단(13)의 사이에 위치하는 프로세스이다. 여기서, 용매 제거 수단(12)의 영역에 있어서, 용매 제거 수단(12) 전단부는 잔존하는 용매를 유지한 상태이며, 용매 제거 수단(12) 후단부는 잔존하는 용매가 제거된 상태이다. 이 때문에, 용매 제거 수단(12) 전단부로부터 잔존하는 용매가 장치 후단부로 흐르지 않도록, 용매 제거 수단(12) 후단부는 전단부보다 상측의 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 용매 제거 수단(12)은 감광체(11) 회전 방향이 상승 영역에 설치될 필요가 있다. 또한，전 프로세스인 현상 장치(5) 및 세정 장치(8)로부터의 도전성 입자 분산 용액(6) 또는 세정액(9)의 액 흐름이나 누설에 의한 오염으로부터 회피하기 위해, 용매 제거 수단(12)은 현상 장치(5) 및 세정 장치(8)보다도 상방에 배치할 필요가 있다. 또한，후 프로세스인 전사액 도포 수단(13)으로부터의 액 누설·역류에 의한 패턴 오염을 회피하기 위해, 용매 제거 수단(12) 후단부는 전사액 도포 수단(13)보다도 상방에 배치할 필요가 있다. 또한, 용매 제거 수단(12)에서의 용매 제거 공정에서는, 현상된 패턴을 파괴하지 않도록, 주의 깊게 도전 패턴 전구체(7)로부터 용매를 충분히 제거하기 위해, 도1과 같이 다른 프로세스에 비교하여 광범위한 영역을 필요로 한다.The solvent removal means 12 is a process located between the developing apparatus 5 and the washing | cleaning apparatus 8 mentioned above and the transcription | transfer liquid application means 13 mentioned later in the electrophotographic. Here, in the area | region of the solvent removal means 12, the front end part of the solvent removal means 12 is a state which hold | maintained the remaining solvent, and the rear end part of the solvent removal means 12 is the state from which the remaining solvent was removed. For this reason, it is preferable that the rear end of the solvent removing means 12 is disposed at a position above the front end so that the solvent remaining from the front end of the solvent removing means 12 does not flow to the rear end of the apparatus. In addition, the solvent removal means 12 needs to be provided in the area | region which the photosensitive member 11 rotation direction raises. Moreover, in order to avoid contamination by the liquid flow or leakage of the electroconductive particle dispersion | distribution solution 6 or the washing | cleaning liquid 9 from the developing apparatus 5 and the washing | cleaning apparatus 8 which are all processes, the solvent removal means 12 is It is necessary to arrange above the developing apparatus 5 and the washing | cleaning apparatus 8. Moreover, in order to avoid the pattern contamination by the liquid leakage and backflow from the transfer liquid application means 13 which is a post process, it is necessary to arrange | position the rear end of the solvent removal means 12 above the transfer liquid application means 13. . Further, in the solvent removing step in the solvent removing means 12, in order to carefully remove the solvent from the conductive pattern precursor 7 carefully so as not to destroy the developed pattern, a wide range of regions as compared with other processes as shown in FIG. need.

본 발명에서의 도전 패턴 전구체(7)를 형성하는 도전성 입자(24)는, 용매 중에서만 대전한다. 이 때문에, 정전 전사를 행할 때에는, 유전성 박막체(10)와 기판(16) 사이의 갭에는 용매의 개재가 필수이다. 이 때문에, 잔존한 용매를 제거한 도전 패턴 전구체(7) 상에 다시 전사액(14)을 재첨가하여 액막을 형성할 필요가 있다. 전사액 도포 수단(13)으로서는, 전사액(14)을 채운 수용 접시 형상의 부재에 도전 패턴 전구체(7)를 유지한 유전성 박막체(10)를 침지시키면서 통과시키는 방법이나, 스프레이에 의해 전사액(14)을 분무하여 액막을 재형성하는 방법, 슬릿 형상이나 복수의 노즐을 병렬한 디스펜서에 의해 전사액(14)을 도포하는 방법 등을 생각할 수 있다.The electroconductive particle 24 which forms the conductive pattern precursor 7 in this invention charges only in a solvent. For this reason, when electrostatic transfer is performed, interposition of the solvent is essential in the gap between the dielectric thin film 10 and the substrate 16. For this reason, it is necessary to add the transfer liquid 14 again on the conductive pattern precursor 7 from which the residual solvent was removed, and to form a liquid film. As the transfer liquid applying means 13, a method of passing the dielectric thin film 10 holding the conductive pattern precursor 7 through the receiving plate-shaped member filled with the transfer liquid 14 while immersing the transfer liquid by a method or spraying The method of spraying (14) and reforming a liquid film, the method of apply | coating the transfer liquid 14 with the slit shape, the dispenser which paralleled some nozzle, etc. can be considered.

여기서, 전사액(14)을 도포한 후의 도전 패턴 전구체(7)는, 용매 제거 시의 잔존 잠상 소거에 수반하여, 유전성 박막체(10) 표면과의 상호 작용이 저하되어 있기 때문에, 물리적 외력에 의해 박리되기 쉽게 되어 있다. 이 때문에, 스프레이 분무에 의한 전사액(14)의 도포 방법에서는, 기류의 분무에 수반하여 물리적인 힘이 패턴에 작용하기 때문에 패턴의 파괴가 우려된다. 또한, 전사액(14)을 채운 수용 접시에 도전 패턴 전구체(7)를 침지시키면서 통과시키는 방법의 경우, 전사액 도포 수단의 배치가 감광체(11)의 하강 방향으로부터 상승 방향으로 절환되는 위치로 한정된다. 이 때문에, 프로세스 배치의 우도가 현저하게 저하된다. 따라서, 슬릿 형상이나 복수의 노즐을 병렬한 디스펜서에 의해 전사액(14)을 도포하는 방법 을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 디스펜서 외에, 잉크제트에 의한 전사액(14)의 도포이어도 된다. 전사액 도포 수단(13)은, 전술한 용매 제거 수단(12)과 후술하는 전사 수단(15)의 사이에 위치하는 프로세스이다. 여기서, 전사액(14)이 전사 수단(15)측으로 흐른 경우, 전사 수단(15)에서는 원래 정전 전사 시에 용매의 개재가 필요하고, 또한 그 후의 프로세스인 클리닝 수단(18)에 의해 과잉의 전사액(14)은 회수되기 때문에 전사액(14)이 흘러도 문제는 없다. 그러나, 전 프로세스의 용매 제거 수단(12)측으로의 전사액(14)의 역류는, 용매 제거 중인 도전 패턴 전구체(7) 상에 과잉의 전사액(14)이 흐르게 된다. 그로 인해, 정상적인 용매 제거를 할 수 없게 될 가능성이 있어, 용매 제거 수단(12)측으로의 전사액(14)의 흐름은 발생하지 않는 구성인 것이 필요하다. 또한, 슬릿 형상이나 복수의 노즐을 병렬한 디스펜서에 의해 전사액(14)을 도포하는 방법을 채용한 경우, 감광체(11)에 대하여 하방으로부터 전사액(14)을 도포하는 것도 가능하다. 그러나, 정상적으로 전사액(14)을 도포하여 액막을 얻기 위해서는, 감광체(11)에 대하여 상방으로부터 전사액(14)을 도포하는 구성으로 하고, 도포 후의 전사액(14)에 의한 액막은 감광체(11)의 중심보다도 상부측에서 형성되는 것이 바람직하다.Here, the conductive pattern precursor 7 after applying the transfer liquid 14 has a lower interaction with the surface of the dielectric thin film 10 due to the removal of the latent latent image when the solvent is removed. It is easy to peel off. For this reason, in the application | coating method of the transfer liquid 14 by spray spraying, since a physical force acts on a pattern with spray of airflow, breakage of a pattern is feared. In the case of passing the conductive pattern precursor 7 in the receiving plate filled with the transfer liquid 14, the arrangement of the transfer liquid applying means is limited to the position switched from the downward direction of the photosensitive member 11 to the upward direction. do. For this reason, the likelihood of process arrangement falls remarkably. Therefore, it is preferable to use the method of apply | coating the transfer liquid 14 with the slit shape or the dispenser which paralleled some nozzle. In addition to the dispenser, the transfer liquid 14 may be coated with an ink jet. The transfer liquid application means 13 is a process located between the solvent removal means 12 mentioned above and the transfer means 15 mentioned later. Here, when the transfer liquid 14 flows to the transfer means 15 side, the transfer means 15 requires the interposition of a solvent at the time of the electrostatic transfer, and the excessive transfer by the cleaning means 18 which is a subsequent process. Since the liquid 14 is recovered, there is no problem even if the transfer liquid 14 flows. However, the reverse flow of the transfer liquid 14 to the solvent removal means 12 side of the previous process causes the excess transfer liquid 14 to flow on the conductive pattern precursor 7 which is being removed. Therefore, there is a possibility that normal solvent removal cannot be performed, and the flow of the transfer liquid 14 toward the solvent removal means 12 needs to be a configuration that does not occur. Moreover, when employ | adopting the method of apply | coating the transfer liquid 14 by the dispenser which paralleled the slit shape and some nozzle, it is also possible to apply the transfer liquid 14 to the photosensitive member 11 from below. However, in order to apply the transfer liquid 14 normally and obtain a liquid film, it is set as the structure which apply | coats the transfer liquid 14 with respect to the photosensitive member 11, and the liquid film by the transfer liquid 14 after application | coating is a photosensitive member 11 It is preferable that it is formed in the upper side rather than the center of ().

이상을 고려하여, 전사액 도포 수단(13)의 배치는 감광체(11) 중심보다도 상부측에 위치하고, 감광체(11) 회전 방향에서 하강하는 영역에 배치하거나, 또는 전사 수단(15)보다도 상방이며 용매 제거 수단(12) 후단부보다도 하방에 배치하거나, 또는 세정 장치(8)의 배치 위치에 대하여 감광체(11)를 사이에 두고 대각의 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 여기서, 전사액(14)으로서는, 도전 패턴 전구체(7)를 파괴하지 않고, 또한 전사액(14) 중에서 전기 영동이 가능한 용매이면 특별히 한정되지 않으나, 도전성 입자 분산 용액(6)에서의 무극성 용매(22) 성분과 마찬가지의 것이 바람직하다.In view of the above, the arrangement of the transfer liquid applying means 13 is located above the center of the photoconductor 11 and disposed in an area descending in the rotational direction of the photoconductor 11 or above the transfer means 15. It is preferable to arrange | position below the rear end of the removal means 12, or to arrange | position diagonally across the photosensitive member 11 with respect to the arrangement | positioning position of the washing | cleaning apparatus 8. Here, the transfer liquid 14 is not particularly limited as long as it is a solvent capable of electrophoresis in the transfer liquid 14 without destroying the conductive pattern precursor 7, but the nonpolar solvent in the conductive particle dispersion solution 6 ( 22) The same thing as a component is preferable.

본 발명의 도전 패턴 형성 장치에서는, 감광체(11)에 현상된 도전 패턴 전구체(7)를 정전 전사하는 방식을 이용하고 있다. 그로 인해, 전사 직전에 전사액(14)을 도포함으로써 액중에서 재차 대전한 도전성 입자(24)로 이루어지는 도전 패턴 전구체(7)에 정전기력을 작용시키는 것이 가능하게 된다. 그리고, 유전성 박막체(10) 상으로부터 인쇄 대상물이 되는 기판(16) 상에, 정전기력에 의해 패턴을 유지한 채 이동시키기 위한 전사 수단(15)을 구비하고 있다. 전사 수단(15)으로서는, 도5에 도시한 바와 같이 도전 패턴 전구체(7)는 유전성 박막체(10)면과 기판(16) 표면 사이에 끼워진 상태가 된다. 유전성 박막체(10)와 기판(16) 표면 사이의 갭은 전사액 도포 수단(13)에 의해 부여된 전사액(14)에 의해 채워진 상태로 된다. 이 상태로 인쇄 대상의 기판(16)의 배면측으로부터 전압을 인가한다. 이에 의해, 도전 패턴 전구체(7)가 유전성 박막체(10)측으로부터 기판(16)측으로 전기 영동에 의해 전사한다. 전사 수단(15)에 인가하는 전압의 부호는, 도전 패턴 전구체(7)를 구성하는 도전성 입자(24)가 전사액(14)으로 부(-)대전시킨 경우에는 정바이어스가 되고, 정(+)대전시킨 경우에는 부바이어스가 된다.In the conductive pattern forming apparatus of the present invention, a method of electrostatically transferring the conductive pattern precursor 7 developed on the photosensitive member 11 is used. Therefore, by applying the transfer liquid 14 immediately before the transfer, electrostatic force can be applied to the conductive pattern precursor 7 made of the conductive particles 24 charged again in the liquid. And the transfer means 15 for moving on the board | substrate 16 used as a printing object from the dielectric thin film body 10, hold | maintains a pattern by electrostatic force. As the transfer means 15, as shown in FIG. 5, the conductive pattern precursor 7 is sandwiched between the surface of the dielectric thin film 10 and the surface of the substrate 16. The gap between the dielectric thin film 10 and the surface of the substrate 16 is filled with the transfer liquid 14 imparted by the transfer liquid applying means 13. In this state, a voltage is applied from the back side of the substrate 16 to be printed. As a result, the conductive pattern precursor 7 is transferred by electrophoresis from the dielectric thin film body 10 side to the substrate 16 side. The sign of the voltage applied to the transfer means 15 becomes positive bias when the conductive particles 24 constituting the conductive pattern precursor 7 are negatively charged with the transfer liquid 14, and positive (+ In case of charging, it becomes sub bias.

본 실시예에서의 전사 수단(15)은, 전압을 인가하는 부재로서, 도전성의 탄성체를 표면에 설치한 롤 구조로 하고 있다. 이 롤은, 전사 시에 감광체(11)의 회전 방향에 종동 회전 방향으로 회전하는 구성으로 하고 있다. 이때, 갭 사이에 들 어가는 공기층을 밀어내기 위하여 감광체(11)에 대하여 100g중/cm 이상의 가압력을 부여할 수 있는 구성인 것이 바람직하다. 전사 수단(15)은, 전술한 전사액 도포 수단(13)과 후술하는 클리닝 수단(18) 사이에 위치하는 프로세스이다. 여기서, 전 프로세스의 전사액 도포 수단(13)으로부터 과잉의 전사액이 흐른 경우, 전사 수단(15)측으로 유도되도록 전사 수단(15)은 전사액 도포 수단(13)의 하방에 위치하는 것이 필요하다. 또한, 전사 후에 유전성 박막체(10) 상에 잔존하는 전사액(14)이 프로세스를 역류하지 않고, 전부가 후 프로세스인 클리닝 수단(18)측으로 유도되도록, 전사 수단(15)은 클리닝 수단(18)의 상방에 배치하는 구성으로 할 필요가 있다. 이상으로부터, 전사 수단(15)은, 감광체(11)의 중심보다 상부측에 배치되고, 또한 감광체(11)의 회전 방향에서 하강 영역에 배치된다. 또는, 클리닝 수단(18)보다도 상방측에 배치되고, 또한 전사액 도포 수단(13)보다도 하방측에 배치된다. 또는, 세정 장치(8)를 배치한 위치에 대하여, 감광체(11)를 사이에 두고 대각이 되는 위치에 배치되는 것이 바람직하다.The transfer means 15 in this embodiment is a member which applies a voltage, and has the roll structure which provided the electroconductive elastic body on the surface. The roll is configured to rotate in the driven rotational direction in the rotational direction of the photosensitive member 11 at the time of transfer. At this time, it is preferable that a configuration capable of applying a pressing force of 100 g / cm or more to the photoconductor 11 to push out the air layer entering between the gaps. The transfer means 15 is a process located between the transfer liquid application means 13 described above and the cleaning means 18 described later. Here, when an excessive transfer liquid flows from the transfer liquid applying means 13 in the whole process, the transfer means 15 needs to be located below the transfer liquid applying means 13 so as to be guided to the transfer means 15 side. . In addition, the transfer means 15 is provided with a cleaning means 18 so that the transfer liquid 14 remaining on the dielectric thin film 10 after transfer is guided to the cleaning means 18 side, which is not a back flow, but the entire process. It is necessary to set it as the structure arrange | positioned above. As mentioned above, the transfer means 15 is arrange | positioned above the center of the photosensitive member 11, and is arrange | positioned in the fall | down area | region in the rotation direction of the photosensitive member 11. As shown in FIG. Or, it is arrange | positioned above the cleaning means 18, and is arrange | positioned below the transfer liquid application | coating means 13 further. Or it is preferable to arrange | position to the position which becomes diagonal with the photosensitive member 11 with respect to the position which arrange | positioned the washing | cleaning apparatus 8.

본 발명에서의 전사의 대상으로서는, 도전 패턴(17)이 형성되는 기판(16) 상에 직접 전사하는 방법, 혹은 1차적으로 도전 패턴 전구체(7)를 도전 패턴 유지 기판(중간 전사체)에 유지하고, 그 후 전사된 도전 패턴 전구체(7)를 재차 대상의 기판(16) 상에 전사하는 방법이 있다. 직접 원하는 기판(16) 상에 전사하는 방법의 경우, 기판(16)은 150 내지 250℃의 가열에 대하여 내성을 갖고, 또한 기판(16)의 배면으로부터의 전사 바이어스 인가에 대응하기 위하여, 두께 1mm 이하의 시트 형상의 부재인 것이 바람직하다. 기판(16)을 구성하는 부재의 예로서는, 폴리이미드 로 이루어지는 수지 시트나 세라믹 그린 시트 등을 들 수 있다.As an object of transfer in the present invention, a method of transferring directly onto the substrate 16 on which the conductive pattern 17 is formed or primarily holding the conductive pattern precursor 7 on the conductive pattern holding substrate (intermediate transfer member) Then, there is a method of transferring the transferred conductive pattern precursor 7 onto the target substrate 16 again. In the case of the method of transferring directly onto the desired substrate 16, the substrate 16 is resistant to heating at 150 to 250 ° C., and also has a thickness of 1 mm in order to correspond to the transfer bias applied from the back of the substrate 16. It is preferable that it is a following sheet-like member. As an example of the member which comprises the board | substrate 16, the resin sheet which consists of polyimide, a ceramic green sheet, etc. are mentioned.

본 발명에서의 도전 패턴 형성 장치에서 기판(16)에 전사된 도전 패턴 전구체(7)를 기판(16)에 정착하고, 또한 도전성 입자(24)끼리 융착하여 도체화하여 도전 패턴(17)으로 하기 위한 소성 수단(21)을 구비하고 있다. 소성 수단(21)은, 도전성 입자(24)를 융착시킬뿐만 아니라, 도전성 입자(24) 표면에 부여한 분산제층을 소성한다. 이때, 가열과 동시에 도전 패턴(17)을 기판(16) 상에 가압할 수 있는 기구를 구비하여도 된다. 이때의 가열 온도는, 도전성 입자(24)를 충분히 융착하여, 이온성 유기 분자(23)을 소성시키고, 또한 기판(16)의 변형이나 변성을 방지하기 위해 300℃ 이하인 것이 바람직하다. 이때, 소성된 유기물 성분을 배기하는 배기 수단을 설치해도 된다. 또한, 가열 전의 기판 상의 도전 패턴 전구체(7)는 전사 시의 전사액(14)에 의한 액막이 잔존하고 있으므로, 소성 전에 액막을 제거하는 잔존 전사액 제거 수단(20)을 구비하고 있는 것이 바람직하다.In the conductive pattern forming apparatus according to the present invention, the conductive pattern precursor 7 transferred to the substrate 16 is fixed to the substrate 16, and the conductive particles 24 are fused and conductive to form the conductive pattern 17. The firing means 21 for this is provided. The baking means 21 not only fuse | melts the electroconductive particle 24, but also bakes the dispersing agent layer provided to the surface of the electroconductive particle 24. At this time, a mechanism capable of pressing the conductive pattern 17 on the substrate 16 at the same time as heating may be provided. It is preferable that the heating temperature at this time is 300 degrees C or less in order to fully fuse the electroconductive particle 24, to bake the ionic organic molecule 23, and to prevent the deformation | transformation and denaturation of the board | substrate 16. FIG. At this time, you may provide the exhaust means which exhausts the baked organic substance component. In addition, since the liquid film by the transfer liquid 14 at the time of transfer remains in the conductive pattern precursor 7 on the board | substrate before a heating, it is preferable to provide the residual transfer liquid removal means 20 which removes a liquid film before baking.

본 발명에서의 도전 패턴 형성 장치에서, 유전성 박막체(10)는 도전 패턴 전구체(7)를 전사 후, 클리닝 수단(18)을 통과함으로써, 초기의 유전성 박막체(10) 표면 상태로 복귀되어, 다시 잠상이 형성되어 도전성 입자 분산 용액(6)을 현상하는 구성이다. 감광체(11)의 형상으로서는 벨트 형상 또는 드럼 형상인 것이 바람직하다. 감광체(11)의 재료는, 용제에 대하여 내성이 있으며, 또한 환경 오염되지 않은 재료에 의한 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 아몰퍼스 실리콘과 같은 무기 재료에 의한 것이 바람직하다. 또한, 이때, 전사 후의 유전성 박막체(10)의 잔류한 도전성 입자(24)를 제거·회수하는 잔류 도전성 입자의 클리닝 수 단(18) 및 잔류 정전 잠상을 소거하는 잔류 잠상 소거 수단(19)을 구비하고 있다.In the conductive pattern forming apparatus of the present invention, the dielectric thin film 10 is transferred to the initial dielectric thin film 10 surface state by passing through the cleaning means 18 after transferring the conductive pattern precursor 7, The latent image is formed again to develop the conductive particle dispersion solution 6. The shape of the photosensitive member 11 is preferably a belt shape or a drum shape. The material of the photoconductor 11 is not particularly limited as long as it is made of a material that is resistant to solvents and is not environmentally contaminated, but is preferably made of an inorganic material such as amorphous silicon. At this time, the cleaning late stage 18 of the residual conductive particles for removing and recovering the conductive particles 24 remaining in the dielectric thin film 10 after transfer and the residual latent image erasing means 19 for erasing the residual electrostatic latent image Equipped.

또한, 클리닝 수단에 잔류 잠상 소거 기능을 갖게 하여 잔류 잠상 소거 수단(19)을 설치하지 않는 구성으로 해도 된다. 잔류 도전성 입자의 클리닝 수단(18)으로서는, 유전성 박막체(10)에 블레이드를 접촉시켜 긁어내는 방법이나, 용매에 의해 씻어 버리는 방법을 들 수 있다. 이때, 긁어 낸 도전 입자나 잔존 용매, 혹은 씻어 내리기에 사용한 세정 용매의 수용 접시가 되는 부재는, 그 수용면을 상방으로 한 구성인 것이 바람직하다. 따라서, 클리닝 수단(18)은 감광체(11) 회전 방향에서 하강하는 영역에 배치되는 것이 바람직하다. 이때, 제거·회수된 도전성 입자(24)나 용매는, 정제 분리 후, 현상 장치(5)나 세정 장치(8) 및 전사액 도포 수단(13)으로 복귀되어, 리사이클되어도 된다. The cleaning means may be provided with a residual latent image erasing function so as not to provide the residual latent image erasing means 19. As the cleaning means 18 of residual electroconductive particle, the method of contacting and scraping off a blade by contacting the dielectric thin film 10, and the method of washing off with a solvent are mentioned. At this time, it is preferable that the member used as the receiving plate of the electrically-conductive particle scraped off, the residual solvent, or the washing | cleaning solvent used for washing | cleaning is a structure which made the receiving surface upward. Therefore, it is preferable that the cleaning means 18 is arrange | positioned in the area | region which descend | falls in the photosensitive member 11 rotation direction. At this time, the electroconductive particle 24 and the solvent which were removed and recovered may be returned to the developing apparatus 5, the washing | cleaning apparatus 8, and the transfer liquid application means 13 after purification | separation, and may be recycled.

본 발명의 도전성 입자 분산 용액(6)에 의해 형성된 도전 패턴(17)은, 예를 들어 퍼스널 컴퓨터, 대형 전자 계산기, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 펜 입력 퍼스널 컴퓨터, 노트형 워드프로세서, 휴대 전화, 휴대 카드, 손목 시계, 카메라, 전기 면도기, 무선 전화, 팩시밀리, 비디오, 비디오 카메라, 전자 수첩, 전자 계산기, 통신 기능을 구비한 전자 수첩, 휴대 복사기, 액정 텔레비전, 전동 공구, 청소기, 가상현실 등의 기능을 갖는 게임 기기, 완구, 전동식 자전거, 의료 개호용 보행 보조기, 의료 개호용 휠체어, 의료 개호용 이동식 침대, 에스컬레이터, 엘리베이터, 포크리프트, 골프 카트, 비상용 전원, 로드 컨디셔너, 전력 저장 시스템 등의 기판의 배선으로서 사용할 수 있다. 또한, 민생용 외, 군수용, 우주용으로서도 이용할 수 있다.The conductive pattern 17 formed by the conductive particle dispersion solution 6 of the present invention may be, for example, a personal computer, a large electronic calculator, a notebook personal computer, a pen input personal computer, a notebook word processor, a mobile phone, a mobile card. Functions such as wristwatch, camera, electric shaver, cordless phone, facsimile, video, video camera, electronic notebook, electronic calculator, electronic notebook with communication function, portable copy machine, LCD television, power tools, vacuum cleaner, virtual reality Wiring of boards such as game devices, toys, electric bicycles, walking aids for medical care, wheelchairs for medical care, portable beds for medical care, escalators, elevators, forklifts, golf carts, emergency power supplies, load conditioners, and power storage systems It can be used as. In addition, it can be used not only for public welfare, but also for military use and space use.

도1은 본 발명에서의 전자 사진법에 의한 도전 패턴 형성 방법의 구성도.1 is a block diagram of a conductive pattern forming method by an electrophotographic method in the present invention.

도2는 본 발명에서의 도전성 입자 분산 용액의 개략도.2 is a schematic view of a conductive particle dispersion solution in the present invention.

도3은 저분자량의 이온성 유기 분자를 갖는 도전성 입자의 개략도.3 is a schematic view of conductive particles having low molecular weight ionic organic molecules.

도4는 본 발명에서의 슬릿형 액체/기체 공급 및 회수 장치의 개략도.4 is a schematic diagram of a slit liquid / gas supply and recovery apparatus in the present invention;

도5는 본 발명에서의 전기 영동에 의한 전사 수단의 개략도.Figure 5 is a schematic diagram of a transfer means by electrophoresis in the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 휴대 장치1: mobile device

2 : 대전 영역2: war zone

3 : 노광 장치3: exposure apparatus

4 : 정전 잠상 패턴4: electrostatic latent image pattern

5 : 현상 장치5: developing device

6 : 도전성 입자 분산 용액6: conductive particle dispersion solution

7 : 도전 패턴 전구체7: conductive pattern precursor

8 : 세정 장치8: cleaning device

9 : 세정액9: cleaning liquid

10 : 유전성 박막체10: dielectric thin film

11 : 감광체11: photosensitive member

12 : 용매 제거 수단12: solvent removal means

13 : 전사액 도포 수단13: transfer liquid applying means

14 : 전사액14: transfer liquid

15 : 전사 수단15: transfer means

16 : 기판16: substrate

17 : 도전 패턴17: challenge pattern

18 : 클리닝 수단18: cleaning means

19 : 잔류 잠상 소거 수단19: residual latent image erasing means

20 : 잔존 전사액 제거 수단20: residual transfer liquid removal means

21 : 소성 수단21: firing means

22 : 무극성 용매22: nonpolar solvent

23 : 이온성 유기 분자23: Ionic Organic Molecules

24 : 도전성 입자24: conductive particles

25 : 무기물 이온25: mineral ion

26 : 유기물 이온26: organic ion

27 : 슬릿 액체 공급 장치27: slit liquid supply device

28 : 공급구28: supply port

29 : 회수구29: recovery port

Claims

유전성 박막체를 표면에 구비한 감광체와, 상기 감광체 상에 정전 잠상 패턴을 형성하고, 상기 정전 잠상 패턴을 도전성 입자 분산액으로 현상하는 현상 장치와, 상기 감광체 상에 현상된 도전성 패턴 전구체로부터 액막을 제거하는 용매 제거 수단과, 상기 액막이 제거된 도전 패턴 전구체에 다시 전사 액막을 형성하는 전사액 도포 수단과, 상기 액막을 재부여받은 도전 패턴 전구체를 대상의 기판에 전사하는 전사 수단으로 이루어지는 도전 패턴 형성 장치에 있어서, Removing a liquid film from a photosensitive member having a dielectric thin film on the surface, a developing apparatus for forming an electrostatic latent image pattern on the photosensitive member, and developing the electrostatic latent image pattern with a conductive particle dispersion, and a conductive pattern precursor developed on the photosensitive member A conductive pattern forming apparatus comprising: solvent removing means for forming, transfer liquid applying means for forming a transfer liquid film on the conductive pattern precursor from which the liquid film has been removed, and transfer means for transferring the conductive pattern precursor, which has been reapplied with the liquid film, to a target substrate; To

상기 현상 장치를 상기 감광체 중심보다도 하측에 배치하고, 상기 용매 제거 수단을 상기 감광체의 회전의 상승 방향의 영역에 배치하고, 상기 전사액 도포 수단 및 전사 수단을 상기 감광체 중심보다도 상측이며, 또한 상기 감광체의 회전이 하강 방향의 영역에 배치하는 것을 특징으로 한 도전 패턴 형성 장치.The developing device is disposed below the center of the photoconductor, the solvent removing means is disposed in a region in an upward direction of rotation of the photoconductor, and the transfer liquid applying means and the transfer unit are above the center of the photoconductor and the photoconductor The conductive pattern forming apparatus, characterized in that the rotation is arranged in the region in the downward direction.

제1항에 있어서, 상기 현상 장치가, 상기 감광체 중심보다도 하측이며, 또한 상기 감광체의 회전이 하강 방향의 영역에 배치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 1, wherein the developing device is disposed below the center of the photoconductor, and the rotation of the photoconductor is disposed in a region in a downward direction.

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 현상 장치가, 노광 장치보다도 하측에 위치하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein the developing apparatus is disposed so as to be located below the exposure apparatus.

제1항에 있어서, 상기 현상 장치가, 도전 입자 분산액을 공급하는 공급구와, 부압에 의해 잉여의 도전 입자 분산액을 회수하는 회수구를 감광체에 대향하는 면에 구비한 슬릿형의 구성인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The said developing apparatus is a slit-like structure which provided the supply port which supplies a conductive particle dispersion liquid, and the recovery port which collect | recovers excess conductive particle dispersion liquid by negative pressure in the surface which opposes a photosensitive member. Conductive pattern forming apparatus.

제1항에 있어서, 현상 직후의 도전 패턴 전구체를 도전 입자가 포함되지 않은 용매에 의해 세정하는 세정 장치가 현상 장치와 용매 제거 수단의 사이에 설치된 구성인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 1, wherein a cleaning apparatus for cleaning the conductive pattern precursor immediately after development with a solvent that does not contain conductive particles is provided between the developing apparatus and the solvent removing means.

제5항에 있어서, 상기 세정 장치가, 감광체 중심에 대하여 하부에 위치하고, 또한 감광체의 회전이 상승 방향의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.6. The conductive pattern forming device as claimed in claim 5, wherein the cleaning device is located below the center of the photoconductor, and the rotation of the photoconductor is located in an area of the upward direction.

제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 세정 장치가 용매 제거 수단의 하방에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.7. The conductive pattern forming device as claimed in claim 5 or 6, wherein the cleaning device is located under the solvent removing means.

제5항에 있어서, 상기 세정 장치가, 감광체를 사이에 두고, 전사액 도포층 장치와 대각의 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.6. The conductive pattern forming device as claimed in claim 5, wherein the cleaning device is provided at a position diagonal to the transfer liquid coating layer device with the photosensitive member interposed therebetween.

제5항에 있어서, 상기 세정 장치가, 세정액을 공급하는 공급구와 부압에 의해 세정 후의 세정액을 회수하는 회수구를 감광체에 대향한 면에 구비된 슬릿형의 구성인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.6. The conductive pattern forming apparatus according to claim 5, wherein the cleaning device has a slit configuration provided on a surface of the supply port for supplying the cleaning liquid and the recovery port for recovering the cleaning liquid after cleaning by a negative pressure on a surface opposing the photosensitive member. .

제1항에 있어서, 상기 용매 제거 수단이, 감광체의 회전이 상승 방향의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.2. The conductive pattern forming apparatus as claimed in claim 1, wherein the solvent removing means is located in a region in which the rotation of the photoconductor is in an upward direction.

제10항에 있어서, 상기 용매 제거 수단과, 송풍 수단이 현상 장치와 전사 수단의 중간부에 설치되고, 그 기류 분무 방향이, 감광체의 폭 방향의 한 쪽의 단부측으로부터 다른 한 쪽의 단부측 방향, 혹은 감광체의 폭 방향의 중앙으로부터 양 단부측 방향인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The said solvent removal means and a blowing means are provided in the intermediate part of the developing apparatus and the transfer means, The airflow spray direction is the other end side from the one end side of the width direction of the photosensitive member. Direction, or both end side directions from the center of the width direction of a photosensitive member, The conductive pattern forming apparatus characterized by the above-mentioned.

제11항에 있어서, 상기 용매 제거 수단이, 감광체 단부에는 불어내어진 액막을 부압에 의해 회수하는 회수 수단을 마련한 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.12. The conductive pattern forming apparatus as set forth in claim 11, wherein said solvent removing means is provided with a collecting means for recovering the blown liquid film by negative pressure at a photosensitive member end portion.

제10항에 있어서, 상기 용매 제거 수단이, 기류를 공급하는 공급구와 기류에 의해 불어내어진 액막을 부압에 의해 회수하는 회수구를, 감광체에 대향한 면에 구비한 슬릿형의 구성인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The said solvent removal means is a slit-shaped structure of Claim 10 provided with the supply port which supplies an airflow, and the recovery port which collect | recovers the liquid film blown by the airflow by negative pressure in the surface which opposes the photosensitive member. A conductive pattern forming apparatus.

제13항에 있어서, 슬릿형의 용매 제거 수단이, 감광체 회전 방향으로 복수 나열되어 있는 구성인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 13, wherein the slit solvent removing means is arranged in plural in the photosensitive member rotation direction.

제1항에 있어서, 상기 전사액 도포 수단이, 액막 제거 수단과 전사 수단 사이에 설치되고, 감광체 중심에 대하여 하부에 위치하고, 또한 감광체의 회전이 하강 방향의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern according to claim 1, wherein the transfer liquid applying means is provided between the liquid film removing means and the transfer means, positioned below the center of the photoconductor, and the rotation of the photoconductor is located in an area in the downward direction. Forming device.

제5항에 있어서, 상기 전사액 도포 수단이, 감광체를 사이에 두고, 상기 세정 장치와 대각의 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 5, wherein the transfer liquid applying means is provided at a position diagonal to the cleaning device with the photosensitive member interposed therebetween.

제1항에 있어서, 상기 전사액 도포 수단이, 용매 제거 공정의 후단부보다도 하방, 또한 전사 수단보다도 상방에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 1, wherein the transfer liquid applying means is located below the rear end of the solvent removing step and above the transfer means.

제1항에 있어서, 상기 전사 수단이, 전사액 도포 수단과 클리닝 수단 사이에 설치되고, 감광체 중심에 대하여 상부에 위치하고, 또한 감광체의 회전이 하강 방향의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern formation according to claim 1, wherein the transfer means is provided between the transfer liquid applying means and the cleaning means, is located above the center of the photoconductor, and the rotation of the photoconductor is located in an area in the downward direction. Device.

제1항에 있어서, 상기 도전성 입자 분산 용액은, 가열 또는 가압에 의해 도체화하는 도전성 입자를 액중에 분산시킨 용액인 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming device according to claim 1, wherein the conductive particle dispersion solution is a solution obtained by dispersing conductive particles in a liquid by heating or pressurizing.

제19항에 있어서, 상기 도전성 입자 분산 용액은, 상기 액중에 분산시키는 도전성 입자의 입경이 100㎚ 이하로 한 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.20. The conductive pattern forming apparatus of claim 19, wherein the conductive particle dispersion solution has a particle size of 100 nm or less of conductive particles dispersed in the liquid.

제19항에 있어서, 상기 도전성 입자 분산 용액은, 상기 액중의 도전성 입자는 표면에 이온성 유기 분자를 갖고 있으며, 무극성 용매중에 분산시키고 있는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 장치.The conductive pattern forming apparatus according to claim 19, wherein the conductive particle dispersion solution in the liquid has ionic organic molecules on its surface and is dispersed in a nonpolar solvent.