KR100951779B1 - 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법은 발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계; 상기 리드프레임의 패드부 상부면과 상기 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 반드시 덮도록 하는 절연수지 몰딩단계; 상기 절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제1패드부의 칩 실장영역과 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역에 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계; 상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여 제1패드부와 댐부재의 중첩되는 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금단계; 상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계; 상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계; 상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 열전도성이 높고 고반사율 을 갖는 발광다이오드 패키지가 제공된다.
리드프레임, 패키지베이스, 사출성형, 발광다이오드, 댐부재, 전기도금

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{LED Package and The Method of Manufacturing Thereof}
본 발명은 발광다이오드 칩이 실장될 수 있는 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 제 1패드부에 칩이 실장되어 상기 칩으로부터 방사되는 광을 집광하기에 용이한 캐비티를 구비한 댐부재를 적층하되, 상기 칩으로부터 발생된 열을 잘 방출할 수 있는 발광다이오드 칩 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light Emitting Diode) 패키지의 주된 특징 중의 하나는 LED칩으로부터 방사되는 광을 집광함과 동시에 LED칩과 본딩와이어를 보호하기 위한 투광수지를 담기에 용이한 캐비티를 가지는 것이다.
이러한 캐비티는 플라스틱 인쇄회로기판, 세라믹 인쇄회로기판, 금속의 리드프레임 등 기판의 종류에 따라서 다양한 재료와 방법으로 형성될 수 있다.
그러나, 생산성 및 경제성에 따라 광반사효율만을 최우선으로 고려하여 방열성, 내광성, 내열성 등의 다른 조건들은 비교적 작게 고려되었다.
그런데, 고출력 대형LED, 자외선LED 내지 고신뢰성을 요구하는 용도의 LED의 경우 광반사효율 뿐만 아니라, 방열성(放熱性), 내광성(耐光性) 및 내열성(耐熱性) 이 중요한 조건으로 고려되어야만 했다.
이에 따라, 캐비티를 금속 재료를 사용함으로써 상술한 다양한 조건을 만족시킬 수 있었는데, 종래는 금속 재료로서 캐비티를 형성하기 위해서 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판 등에서는 금속 댐부재를 부착한 LED패키지가 일반적이었고, 이와 같은 금속 댐부재를 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판 등에 부착하기 위해 통상적으로 브레이징(Brazing)이 사용되었다.
이와 같은 LED패키지에서 LED의 동작열은 칩이 부착된 기판으로 전달되며, 이 전달된 열은 댐부재에 전달되어 댐부재에 의해 외부로 방열된다.
한편, 금속의 리드프레임을 기반으로 한 경우에는, 리드프레임은 인쇄회로기판에 비해 월등한 금속의 체적비를 가지고, 여기에 금속의 댐부재를 부착하기 때문에 플라스틱 인쇄회로기판 또는 세라믹 인쇄회로기판을 기반으로 하는 LED패키지보다 방열 성능이 더 효과적일 수 있다.
그러나, 리드프레임은 전극의 전기적 절연을 위해서 형성되는 이격 홈이 있어 상기 홈을 절연수지로 돌출되지 않게 채워야 하고, 적층되는 댐부재 역시 고정과 절연을 위해 열저항을 유발하는 비전도성 수지접착제를 그 사이에 개입한 형태로만 패키지를 제작해야만 했으므로 칩에 의해 발생된 열을 효과적으로 외부로 방출하는데에는 한계가 있었다.
또한, 금속 댐부재와 리드프레임 사이에 절연 접착제를 개재하는 것만으로는 패키지를 제작하기에 어려움이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광다이오드 동작열이 금속의 댐부재로 효과적으로 전달되어 방열될 수 있도록 상기 발광다이오드가 부착된 패드부와 상기 댐부재의 접합하는 접합수단을 용접 및 전기전도성 접착제 등으로 접합하는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.
또한, 상기 댐부재 및 상기 패드부 중 절연수지로부터 노출된 금속부분에 전기도금을 이용해 도금함으로써 발광다이오드의 동작열을 용이하게 외부로 방출할 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.
또한, 칩본딩을 하는 패드부와 와이어본딩을 하는 패드부를 절연시키는 절연수지를 최소화하여 발광다이오드의 동작열을 외부로 효과적으로 전달되어 방열하 f수 있는 발광다이오드 패키지를 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 발광다이오드 패키지에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제2패드부에서 연장되어 상부면이 상기 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준을 이루는 리드부를 가진 리드프레임; 상기 리드프레임의 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮도록 몰딩되되, 상기 제1패드부와 상기 제 2패드부의 이격공간을 충전(充塡)하도록 몰딩되고, 상기 제1, 제2패드부의 상면 및 저면 그리고 상기 리드부의 저면을 노출하도록 몰딩된 제 1절연수지; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지에 의해 달성된다.
여기서, 상기 리드프레임의 패드부는 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와, 상기 제1패드부와 대응되는 두께로 형성되며 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제2패드부와, 상기 제2패드부로부터 외측방향으로 연장되며 상부면이 상기 제1, 제2 패드부의 상부면 보다 낮은 수준으로 형성된 리드부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1패드부는 상면 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰된 칩수용부가 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일 측에 홈이 형성되며, 상기 홈에 상기 댐부재와 상기 제1절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함할 수 있다.
상기 목적은, 본 발명의 다른 측면에 따라, 발광다이오드 패키지에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부, 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제1, 제2패드부 각각의 일측 및 타측에서 외측방향으로 하향 절곡되어 연장된 제1리드부와 제2리드부를 가진 리드프레임; 상기 리드프레임의 제1, 제2 패드부의 상면과 제1, 제2 리드부의 최저면만을 노출하도록 일정 두께로 몰딩된 제1절연수지; 상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재; 상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서, 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층; 상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어; 상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징 으로 하는 발광다이오드 패키지에 의해 달성된다.
여기서, 상기 리드프레임은 제1, 제2패드부의 상면이 동일평면상에 위치하고, 상기 제1, 제2패드부로부터 하향 절곡된 제1, 제2리드부의 최저면은 동일평면상에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 리드프레임의 패드부 중 제1패드부는 발광다이오드 칩이 실장되도록 중앙영역에 함몰된 칩 수용부가 형성되고, 상기 칩수용부의 저면은 상기 제1, 제2리드부의 최저면과 동일평면 상에 위치하여 상기 제1절연수지의 외부로 노출되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일측 또는 타측 중 적어도 어느 하나에 홈이 형성되며, 상기 홈을 몰딩하여 상기 댐부재와 상기 절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함할 수 있다.
상기 목적은, 본 발명의 또 다른 측면에 따라, 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제1패드부 및 제2패드부를 포함하는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 상기 패드부의 상부면 보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계; 상기 리드프레임의 패드부 상부면과 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮는 제1절연수지 몰딩단계; 상기 제1절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제 1패드부의 칩 실장영역과 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역이 타공되어 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계; 상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여, 제1패드부와 댐부재의 중첩된 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 제1절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금 단계; 상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계; 상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계; 상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 전기도금단계 이전에 실행되며, 상기 리드프레임과 금속의 댐부재의 밀착 고정을 위해 레이저 용접, 전기압점용접, 또는 접착제 중 어느 하나를 사용하되, 상기 리드프레임과 상기 댐부재와 맞닿는 면 중 다수의 스폿을 통해 상호접합을 이루는 접합단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 투광수지 몰딩단계 이전에 실행되며, 상기 리드부를 절연하는 상기 제1절연수지와 상기 댐부재와의 중첩되는 부분을 기밀하게 하기 위해 상기 댐부 재에 상기 제1절연수지의 상면이 상부로 노출되도록 측면에 홈이 형성되고, 상기 홈을 제2절연수지로 충전하여 몰딩하는 제2절연수지 몰딩단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광다이오드 동작열이 금속의 댐부재로 효과적으로 전달되어 방열될 수 있도록 상기 발광다이오드가 부착된 패드부와 상기 댐부재의 접합하는 접합수단을 용접 및 전기전도성 접착제 등으로 접합하는 발광다이오드 패키지제공된다.
또한, 상기 댐부재 및 상기 패드부 중 절연수지로부터 노출된 금속부분에 전기도금을 이용해 도금함으로써 발광다이오드의 동작열을 용이하게 외부로 방출할 수 있는 발광다이오드 패키지가 제공된다.
또한, 칩본딩을 하는 패드부와 와이어본딩을 하는 패드부를 절연시키는 절연수지를 최소화하여 발광다이오드의 동작열을 외부로 효과적으로 전달되어 방열할 수 있는 발광다이오드 패키지가 제공된다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 전기전자소자용 리드프레임에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지(P1)는 리드프레임(10), 제1절연수지(20), 댐부재(30), 접합수단(40), 제2절연수지(50), 전기도금층(60), 발광다이오드 칩(70), 와이어(80), 투광수지(90)로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 각 구성에 대해 상세히 살펴본다. 도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 배면사시도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 리드프레임(10)은 제1패드부(11), 제2패드부(13), 리드부(14)로 구성될 수 있다. 이때, 리드프레임(10)은 전기적으로 도통되거나 후술할 발광다이오드 칩의 동작열을 외부로 방열할 수 있도록 금속재질로 마련될 수 있다.
또한, 리드프레임(10)은 상면 및 배면이 하프에칭((half etching)되어 제 1패드부(11), 제2패드부(13) 및 리드부(14)가 형성될 수 있다.
여기서, 제1패드부(11)는 소정의 두께로 마련되며, 상부의 중앙영역에는 하프에칭(half etching)되어 함몰된 칩수용부(12)가 형성되어 후술할 발광다이오드 칩이 실장될 수 있다.
또한, 제2패드부(13)는 후술할 와이어(80)를 본딩할 수 있도록 형성되되, 제1패드부(11)와 대응되는 두께로 마련되며, 제1패드부(11)와 동일평면상에서 이격되어 배치되도록 형성되도록 상면 및 배면이 하프에칭((half etching)된다.
즉, 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 동일평면상에서 이격되어 배치됨으로써 발생하는 공간인 이격홈(A)으로는 후술할 제1절연수지(20)가 몰딩될 수 있게 되고, 이에 따라 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 상호 절연될 수 있게 되는 것이다.
한편, 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)는 배면 하프에칭(half etching)시 제 1패드부의(11)의 제1이탈방지홈(11a)이 형성되고, 제 2패드부(13)의 제2이탈방지홈(13a)이 형성된다. 이와 같은 이탈방지홈들이 형성됨으로써 후술할 제1절연수지(20)가 이격홈(A)으로 몰딩되더라도 이탈을 방지할 수 있게 된다.
리드부(14)는 상술한 제2패드부(13)로부터 외측방향으로 평행하게 연장형성되되, 상면 하프에칭((half etching)시 상부 일부가 반식각되어 형성될 수 있다.
또한, 리드부(14)는 저면이 전기적 접속단자로 이용될 수 있도록 단자부(14a)가 마련된다. 즉, 후술할 제1절연수지(20)에 의해 몰딩되더라도 단자부(14a)는 전기적 접속을 위해 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출되도록 형성되는 것이다.
다음으로, 제1절연수지에 대해 설명한다. 도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이고, 도 5는 도 2의 배면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제1절연수지(20)는 상술한 리드프레임(10)의 두께 내에서 상기 리드부(14)를 덮도록 몰딩되어 제1패드부(11)와 제2패드부(13)를 절연시키는 수지이다.
또한, 제1절연수지(20)는 제1패드부(11)와 제2패드부(13) 사이의 절연홈(A)을 충전(充塡)하며, 제2패드부(13)의 상면 및 단자부(14a)의 저면을 노출하도록 몰딩된다. 이때, 제1패드부(10) 및 제2패드부(13)에 형성된 제1, 제2이탈방지홈(11a)(13a)까지 제1절연수지(20)가 충전됨으로써 몰딩된 제1절연수지(20)가 리드프레임(10)으로부터 쉽게 이탈되지 않게 된다.
이와 같이 제1절연수지(20)에 의해 몰딩됨으로써 리드프레임(10)의 제1패드부(11)와 제2패드부(13)는 제1절연수지(20)에 의해 절연되고, 제2패드부(13)는 아일랜드(island) 형태로 형성될 수 있다. 또한, 제2패드부(13)의 상면은 후술할 와이어(80)를 본딩할 수 있도록 제1절연수지(20)의 외부로 노출되고, 리드부(14)의 단자부(14a)는 전기적 접속단자로 이용될 수 있도록 제1절연수지(20)의 외부로 노출될 수 있게 된다.
댐부재(30)는 상술한 제1절연수지(20)가 몰딩된 리드프레임(10)의 크기와 대응되는 크기로 마련되어 리드프레임(10)의 상부에 적층된다. 여기서, 댐부재(30)는 열전도율 및 방열성이 좋은 금속재질로 마련될 수 있다.(도 1 참조)
또한, 댐부재(30)는 상술한 리드부(14) 상부에 몰딩된 제1절연수지(20)가 노출되도록 측부에 홈(31)이 마련될 수 있다. 이같은 홈(31)이 마련되어 후술할 제2절연수지(50)을 홈(31)에 몰딩함으로써 제1절연수지(20)와 댐부재(30)가 접합될 수 있게 된다.
한편, 댐부재(30)는 상술한 제1패드부(11)의 칩수용부(12) 및 제2패드부(13)를 댐부재(30)의 상부 외측으로 노출할 수 있는 홀 형태의 관통홀(32)이 형성될 수 있다.
이와 같이 형성된 관통홀(32)를 통해 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)가 댐부재(30)의 상부 외측으로 노출됨으로써 후술할 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)에 실장하여 전기적으로 연결할 수 있게 되면, 상기 관통홀(32)은 캐비티(cavity)로서의 역할을 하여, 칩수용부(12)에 실장되는 후술할 발광다이오드 칩(70)으로부터 방사되는 광을 집광하기에 용이하게 된다.
다음으로, 접합수단, 제2절연수지 및 전기도금층에 대해 설명한다. 도 6은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다. 도 6은 이해를 돕기 위해 투광수지(90)는 분리된 상태로 도시되어 있고, 전기도금층(60)은 과장된 형태로 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 접합수단(40)은 제 1패드부(11)와 댐부재(30) 사이에 개재되어 상기 제 1패드부(11)와 상기 댐부재(30)를 상호 접합하게 된다.
이때, 접합수단(40)은 전기압점용접 또는 레이저용접 등을 이용한 용접일 수 있다. 이같은 용접을 이용하여 제 1패드부(11)와 댐부재(30)가 접합됨으로써 상호 간 열전도율을 높일 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1패드부(11)와 댐부재(13) 상호 간 접합 할 수 있도록 개재되는 접합수단(40)은 접착제(40a)일 수 있다. 여기서, 접착제(40a) 대신에 박막의 양면접착필름을 사용할 수도 있다.
또한, 도시된 도면에서는 한 개 지점에서만 접합되는 것으로 도시되었으나, 필요에 따라 다수의 스폿(지점)에서 상술한 바와 같은 접합수단(40)을 개재할 수 있다.
제2절연수지(50)는 댐부재(30)의 홈(31)에 주입되어 제1절연수지(20)의 상부로 적층된 댐부재(30)와의 중첩되는 부분을 기밀(氣密)하도록 몰딩하는 접합수단이다.(도 6참조) 이때, 제2절연수지(50)는 에폭시수지일 수 있다.
다음으로 전기도금층(60)을 설명한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 전기도금층(60)은 접합수단(40)과 제2절연수지(50)에 의해 결합된 댐부재(30)와 리드프레임(10)을 소정의 전기도금조를 통해 형성될 수 있다. 이때, 관통홀(32)의 내측벽면(32a)을 포함한 댐부재(30)의 노출된 금속표면과, 리드프레임(10) 중 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출된 금속표면에 형성될 수 있다.
또한, 전기도금층(60)을 형성하는 금속으로는 열전도 및 반사율이 좋은 은(Ag) 등의 금속을 이용하는 것이 바람직하다. 이같은 은도금층이 형성됨으로써 발광다이오드로부터 방사되는 빛을 효율적으로 집광할 수 있게 되고, 열전도율이 좋아 발생되는 열을 외부로 잘 방출할 수 있게 된다. 특히, 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 전기도금층(60)이 형성됨으로써 종래보다 집광효율이 더욱 증대되게 된다.
또한, 전기도금층(60)은 제1패드부(11)와 댐부재(30)의 중첩된 부분의 미세한 사이공간을 충전(充塡)하며 형성될 수 있다. 즉, 제1패드부(11)와 댐부재(30)가 접합수단(40) 및 제2절연수지(50)을 통해 접합되어 있기는 하되, 접촉하고 있는 접촉면 모두가 접합되어 있지 않아 상호 간에 미세한 사이공간이 발생하여 열전도율이 낮을 수 있다. 따라서, 이 같은 미세한 사이공간을 전기도금층(60)이 충전함으로써 제1패드부(11)와 댐부재(30)의 상호 간 열전도율이 더욱 향상될 수 있게 된다.
이어서, 발광다이오드 칩(70), 와이어(80) 및 투광수지(90)를 설명한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 발광다이오드 칩(70)은 제1패드부(11)의 칩수용부(12)에 실장되어 소정의 접착수단에 의해 본딩될 수 있다. 또한, 와이어(80)는 칩수용부(12)에 실장된 발광다이오드 칩(70)과 제1패드부(11) 및 제2패드부(13)와 본딩되어 발광다이오드 칩(70)이 전기적으로 연결되도록 한다.
한편, 투광수지(90)는 광을 투과시킬 수 있는 수지로써, 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내부로 몰딩형성된다. 이때, 몰딩되는 투광수지(90)의 높이는 관통홀(32)의 높이와 대응되도록 몰딩되는 것이 바람직하다.
도 2를 참조하면, 이와 같이 몰딩됨으로써, 본딩된 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 보호할 수 있게 된다. 또한, 제2패드부(13)로부터 소정의 전기적 신호를 전달받으면 발광다이오드로 칩부터 빛이 방사되고, 방사된 빛은 캐비티(cavity) 역할을 하는 관통홀(32)을 통해 집광될 수 있고, 이후 투광수지(90)를 통해 외부로 방사할 수 있게 되는 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 열을 방출할 수 있는 제1패드부의 노출된 금속표면적이 넓게 형성됨으로써 열 방출효율이 증대될 수 있고, 리드프레임과 댐부재의 사이공간을 충전하는 전기도금층이 형성됨으로써 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열은 리드프레임으로부터 댐부재로 효과적으로 전달될 수 있게 된다. 또한, 노출되는 금속표면에 전기도금층이 형성됨으로써 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있다.
지금부터는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 대해서 설명한다. 도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법의 개략적인 순서도이고, 도 9 내지 도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조공정을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 9를 참조하면, 상술한 바와 같은 리드프레임(10)이 측부로부터 연장되어 일렬로 다수 개가 결합된 프레임패널(100)을 제공한다(S10).
이때, 프레임패널(100)에는 리드프레임(10)의 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)의 이격된 공간인 이격홈(A)으로 제1절연수지(20)가 주입될 수 있도록 상기 이격홈(A)과 연통되는 수지주입홈(110)이 마련될 수 있다.
한편, 도 9에서는 일방향으로 일렬로 연결된 것을 도시하고 있으나, 이와 같은 것을 좌우대칭으로 마련하고, 하나의 수지주입홈(110)과 네 개의 리드프레임(10)의 이격홈(A)과 연통되도록 형성하면 한 번의 제1절연수지(20) 주입으로 다 수 개의 리드프레임(10)에 제1절연수지(20)를 몰딩할 수 있도록 프레임패널을 마련할 수 도 있다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제공된 프레임패널(100)을 소정의 격벽이 마련되어 각 리드프레임을 구획할 수 있는 상부금형틀 및 하부 금형틀(미도시)의 사이에 배치한 후, 제1절연수지(20)를 프레임패널(100)의 수지주입홈(110)으로 주입하여 각각의 리드프레임(10)의 리드부(14)의 상부를 덮도록 주입하되, 리드프레임(10)의 두께와 대응되며 제1패드부(11)와 제2패드부(13)의 이격홈(A)을 완전히 충전(充塡)하도록 주입한다(S20).
이때, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2패드부(13)의 상면과 리드부(14)의 저면인 단자부(14a)는 외부로 노출되도록 제1절연수지(20)를 주입 및 경화시켜 몰딩하는 것이 바람직하다.
다음, 제1절연수지(20)가 몰딩된 리드프레임(10)을 상부 및 하부금형틀을 분리한다. 이어, 도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 프레임패널(100)에 결합된 리드프레임(10)과 대응되도록 댐부재프레임(200)에 결합된 댐부재(30)를 프레임패널(10)의 상부에 적층한다(S30). 이때, 댐부재(30)는 중앙영역에 관통홀(32)이 형성되고 일 측부에 홈(31)이 형성된 것이 바람직하며, 상기 관통홀(32)를 통해 제1패드부(11)의 칩 실장영역과 제2패드부(13)를 상부로 노출시키도록 적층하는 것이 바람직하다. 한편, 댐부재(30)는 각 리드프레임(10)의 상부에 개별적으로 제공될 수도 있다.
이어, 도 12에서 도시된 바와 같이, 댐부재(30)와 제1패드부(11)가 접촉하는 부분 중 한 개 지점 또는 복수 지점에서 접합수단(40)을 통해 접합한다(S40). 이때, 사용되는 접합수단(40)은 전기압점용접 또는 레이저용접 등의 용접일 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 접합수단(40)은 댐부재(30)와 제1패드부(11)의 사이에 소정의 접착제 또는 박막의 양면접착필름 등을 개재시켜 접합할 수도 있다.
이후, 접합된 리드프레임(10)과 댐부재(30)를 소정의 전기도금조(미도시)에 담궈 노출된 금속표면에 소정의 금속을 증착시켜 전기도금층(60)을 형성한다(S50).
여기서, 전기도금층(60)은 접합수단(40)을 통해 접합된 댐부재(30)와 리드프레임(10) 및 제1절연수지(20)의 미세한 틈을 충전(充塡)하면서 증착될 수 있다. 또한, 전기도금층(60)은 댐부재(30)의 노출된 금속표면 및 제1절연수지(20)의 외부로 노출된 리드프레임(10)의 금속표면에 증착되어 형성될 수 있다.
이와 같이 형성된 전기도금층(60) 중 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 증착되는 전기도금층(60)은 발광다이오드 칩으로부터 방사되는 빛을 더욱 잘 반사할 수 있다. 또한, 댐부재(30)와 리드프레임(10)의 사이공간을 충전하도록 증착된 전기도금층(60)은 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있도록 용이하게 전달할 수 있는 역할을 할 수 있게 된다. 한편, 여기서 전기도금되는 금속으로는 열전도율 및 광반사도가 좋은 은(Ag)등이 바람직하다.
이어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 댐부재(30)의 관통홀(32)를 통해 상부로 노출된 제 1패드부(10) 및 제 2패드부(20)에 발광다이오드 칩(70) 및 와이어(80)를 본딩하여 전기적 결선을 이룬다(S60).
이어, 댐부재(30)의 홈(31)으로 에폭시수지 등의 제2절연수지(50)을 주입 및 몰딩하여 댐부재(30)와 제1절연수지(20)를 접합시킨다(S70).
여기서, 제2절연수지를 몰딩하는 단계는 후술할 투광수지 몰딩단계 이전에만 실행되면 되므로, 반드시 칩 및 와이어를 본딩한 후에 이뤄지는 공정은 아닐 수 있다.
이후, 도 14에 도시된 바와 같이발광다이오드 칩(70)과 와이어(80)를 덮도록 댐부재(30)의 관통홀(32)에 투광수지(90)를 주입하고 경화한다(S80).
이어, 상술한 공정을 모두 거친 후에 프레임패널(100)에 일렬로 연결된 리드프레임(10)과 댐부재(30)를 커팅라인(CL)에서 쏘우(Saw) 또는 금형 타발로 개별화하여 도 2에서와 같은 발광다이오드 패키지(P1)를 완성하게 된다.
이와 같이 형성된 발광다이오드 패키지는 일정한 체적 내에서 열전도성이 비교적 작은 수지몰딩부분을 최소화하고, 방열수단인 제1패드부(11)의 면적을 최대로 하여 발광다이오드 칩으로부터 전도된 열을 외부로 방출이 용이해진다.
또한, 댐부재(30)와 리드프레임(10) 상호 간의 접합은 전기도금층(60)을 통해 넓은 면적에서 접촉 되도록 접합되고, 열전도성이 좋은 물질로 접합됨으로써 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 댐부재(30)로 효과적으로 전달할 수 있고, 이에 따라 댐부재(30)를 통해 외부로 열이 용이하게 방출될 수 있게 된다.
아울러, 댐부재(30)의 관통홀(32)의 내측벽면(32a)에 금속도금층(60)이 형성됨으로써 관통홀(32)이 캐비티(cavity)역할을 하여 발광다이오드 칩으로부터 방사되는 광을 효과적으로 집광할 수 있게 된다.
다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 대하여 설명한다. 도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도이고, 도 16은 본 발명의 제 2실시예에 따른 발광다이오드의 사시도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에에 따른 발광다이오드 패키지(P2)는 리드프레임(10), 제1절연수지(20), 댐부재(30), 접합수단(40), 전기도금층(60), 발광다이오드 칩(70), 와이어(80), 투광수지(90)로 구성된다.
본 발명의 제2실시예는 제1실시예와 비교하여 리드프레임과 댐부재의 형태를 달리한다. 도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 리드프레임의 사시도이고, 도 16은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'의 단면도이고, 도 17은 도 15의 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도이다.
도 15 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 리드프레임(10)은 제1실시예와 같이 전기적으로 도통 및 열이 전도될 수 있도록 금속재질로 마련될 수 있으며, 제 1패드부(11), 제 2패드부(13), 제 1리드부(15), 제 2리드부(16)로 구성될 수 있다.
제 1패드부(11)에는 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰형 성된 칩수용부(12)가 마련되고, 제 2패드부(13)는 제 1패드부(11)와 대응되는 두께로 형성되며, 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된다.
또한, 제 1리드부(15)는 제 1패드부(11)의 일측 및 타측으로부터 외측방향으로 하향절곡되어 연장형성되고, 제 2리드부(16)는 제 2패드부(13)의 외측방향으로 하향절곡되어 연장형성될 수 있다.
한편, 칩수용부(12)의 저면과 제 1리드부(15) 및 제 2리드부(16)의 저면은 동일평면상에 위치하도록 형성되는 것이 전기접속 단자로 이용되는 각 리드부의 저면이 후술할 제1절연수지(20)의 외부로 노출될 수 있어 바람직하다.
본 발명의 제 2실시예에 따른 제1절연수지(20)는, 도 15 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에서와 같이 리드프레임(10)의 제 1패드부(11) 및 제 2패드부(13)의 이격공간인 이격홈(A)에 주입형성되어 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)를 절연시킬 수 있다.
이때, 제1절연수지(20)는 제 1패드부(11)와 제 2패드부(13)의 상면 및 저면과 제 1리드부(14)와 제 2리드부(15)의 저면을 제1절연수지(20)의 외부로 노출되도록 형성되어 전기적 연결을 용이하게 하고, 발광다이오드 칩(70)으로부터 전도되는 열을 방출함에 있어 외부와 닿는 표면적을 더 넓힐 수 있어 효율적일 수 있다.
또한, 제 2실시예에서는 칩수용부(12)의 저면이 각 리드부의 저면과 동일평면상에 위치함으로써 제1절연수지(20)로부터 외부로 노출형성될 수 있다. 이같이 형성됨으로써 발광다이오드 칩(70)으로부터 직접적으로 열을 전달받은 것을 외부로 방출할 수 있어 바람직하다.
여기서, 본 발명의 제 2실시예에 따른 댐부재(30)는 제1실시예와는 달리 홈이 일측 및 타측 즉, 양측부에 형성되어 있다(도 15참조). 이는 제1실시예에서는 제1절연수지(20)의 상부에 적층시 제1절연수지(20)와 맞닿는 부분이 일 측부였으나, 제2실시예에서는 몰딩되는 제1절연수지(20)가 양 측으로 형성되어 있으므로 상기 제1절연수지(20)와 댐부재(30)를 접합하기 위한 수단인 제2절연수지(50)을 양 측 홈(31)으로 주입하여 접합하기 위해 이와 같이 형성된다.
상술한 바와 같은 리드프레임(10)과 댐부재(30) 외에는 제1실시예와 동일하므로 발광다이오드 패키지에 대한 이하 설명은 생략한다.
한편, 제조방법에 있어서도 제공되는 리드프레임(10) 및 댐부재(30)의 형태만 달리할 뿐 제 1실시예와 동일하나, 다만 리드프레임(10)의 형태가 달라짐으로써 주입되는 제1절연수지(20)는 리드프레임(10) 중 제 1패드부(10)와 제 2패드부(20)의 저면 및 각 리드부의 저면까지 주입되는 것이 바람직하며, 댐부재(30) 접합시에도 양측에 형성된 홈(32)에 각각 에폭시수지를 주입하는 것이 바람직하다.
이외 다른 공정들은 제1실시예와 동일하므로 이하 설명은 생략하고, 이와 같은 방법으로, 도 20에 도시된 바와 같이 완성된 패키지의 형태로 제조될 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하 는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도,
도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 사시도,
도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 리드프레임의 배면사시도,
도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도,
도 5는 도 2의 배면도
도 6 및 도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법의 개략적인 순서도,
도 9 내지 도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조공정도,
도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해사시도,
도 16는 본 발명의 제 2실시예에 따른 리드프레임의 사시도,
도 17은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'의 단면도,
도 18은 도 15의 Ⅳ-Ⅳ'의 단면도,
도 19은 도 15의 Ⅴ-Ⅴ'의 단면도,
도 20은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광다이도 패키지의 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 리드프레임 20 : 제1절연수지 30 : 댐부재
40 : 접합수단 50 : 제2절연수지 60 : 전기도금층
70 : 발광다이오드 칩 80 : 와이어 90 : 투광수지

Claims (13)

  1. 발광다이오드 패키지에 있어서,
    발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제2패드부에서 연장되어 상부면이 상기 제1, 제2패드부의 상부면보다 낮은 수준을 이루는 리드부를 가진 리드프레임;
    상기 리드프레임의 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮도록 몰딩되되, 상기 제1패드부와 상기 제2패드부의 이격공간을 충전(充塡)하도록 몰딩되고, 상기 제1, 제2패드부의 상면 및 저면 그리고 상기 리드부의 저면을 노출하도록 몰딩된 제1절연수지;
    상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재;
    상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층;
    상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어;
    상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리드프레임의 패드부는 발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부와, 상기 제1패드부와 대응되는 두께로 형성되며 동일평면상에서 이격되어 배치되고 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제2패드부와, 상기 제2패드부로부터 외측방향으로 연장되며 상부면이 상기 제1, 제2 패드부의 상부면 보다 낮은 수준으로 형성된 리드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1패드부는 상면 중앙영역에 발광다이오드 칩이 실장될 수 있도록 함몰된 칩수용부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일 측에 홈이 형성되며, 상기 홈에 상기 댐부재와 상기 제1절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 발광다이오드 패키지에 있어서,
    발광다이오드 칩이 실장되는 제1패드부, 상기 발광다이오드 칩과의 와이어 본딩을 위한 제2패드부로 구분되는 적어도 두 개 이상의 패드부가 형성되되, 각 패드부는 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 제1, 제2패드부 각각의 일측 및 타측에서 외측방향으로 하향 절곡되어 연장된 제1리드부와 제2리드부를 가진 리드프레임;
    상기 리드프레임의 제1, 제2 패드부의 상면과 제1, 제2 리드부의 최저면만을 노출하도록 일정 두께로 몰딩된 제1절연수지;
    상기 리드프레임의 상부에 적층되며, 상기 제1패드부의 칩 실장영역 및 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시켜 상기 제1, 제2패드부에 칩본딩 및 와이어본딩이 가능하도록 중앙영역에 관통홀이 형성되고, 상기 리드부와는 상기 제1절연수지를 사이에 두고 절연되는 금속의 댐부재;
    상기 댐부재와 상기 제1패드부의 사이를 충전하면서, 상기 댐부재의 외부표면과 상기 리드프레임 중 상기 제1절연수지로부터 외부로 노출된 표면에 증착된 전기도금층;
    상기 리드프레임의 제1패드부에 실장되는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩과 제2패드부를 전기적으로 연결하도록 마련된 와이어;
    상기 발광다이오드 칩과 상기 와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 몰딩된 투광수지;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 리드프레임은 제1, 제2패드부의 상면이 동일평면상에 위치하고, 상기 제1, 제2패드부로부터 하향 절곡된 제1, 제2리드부의 최저면은 동일평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 리드프레임의 패드부 중 제1패드부는 발광다이오드 칩이 실장되도록 중앙영역에 함몰된 칩 수용부가 형성되고, 상기 칩수용부의 저면은 상기 제1, 제2리드부의 최저면과 동일평면 상에 위치하여 상기 제1절연수지의 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 전기도금층이 형성된 상기 제1패드부와 상기 댐부재는 상호 접합을 위해 상호 맞닿는 면에 레이저용접, 전기압점용접 또는 접착제 중 어느 하나인 접합수단이 더 형성되며, 상기 접합수단은 상기 제1패드부와 상기 댐부재의 맞닿는 면 에서 다수 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 댐부재는 상기 제1절연수지의 상면을 노출하도록 일측 또는 타측 중 적어도 어느 하나에 홈이 형성되며, 상기 홈을 몰딩하여 상기 댐부재와 상기 절연수지의 중첩되는 부분을 기밀토록 몰딩되는 제2절연수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서,
    발광다이오드 칩이 실장되고, 칩본딩 및 와이어본딩을 할 수 있도록 마련된 제1패드부 및 제2패드부를 포함하는 적어도 두 개 이상의 패드부가 동일평면상에서 이격되어 배치되고, 상기 패드부 중 적어도 어느 하나로부터 연장되어 상부면이 상기 패드부의 상부면 보다 낮은 수준인 리드부를 가진 리드프레임이 일렬로 다수 배치되는 프레임패널 제공단계;
    상기 리드프레임의 패드부 상부면과 리드부 저면을 노출하는 두께 내에서 상기 리드부의 상부를 덮는 제1절연수지 몰딩단계;
    상기 제1절연수지가 몰딩된 리드프레임의 상부에 적층하여, 상기 제 1패드부의 칩 실장영역과 상기 제 2패드부 전체를 상부로 노출시키도록 중앙영역이 타공되어 관통홀이 형성된 금속의 댐부재 제공단계;
    상기 댐부재와 상기 리드프레임을 적층 고정하여, 제1패드부와 댐부재의 중첩된 부분의 사이공간을 충전하고, 상기 댐부재의 표면 및 상기 제1절연수지에 의해 노출된 상기 리드프레임의 표면에 금속을 증착시키는 전기도금 단계;
    상기 댐부재의 상부로 노출된 제1패드부 및 제2패드부에 발광다이오드 칩 및 와이어를 본딩하여 전기적 결선을 이루는 칩 실장단계;
    상기 칩 실장단계에서 실장된 발광다이오드 칩과 본딩와이어를 덮도록 상기 댐부재의 관통홀에 투광수지를 주입하고 경화하는 투광수지 몰딩단계;
    상기 투광수지 몰딩단계 이후 일렬로 다수 배치된 상기 리드프레임 및 상기 댐부재를 절단하여 개별화된 패키지를 완성하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 전기도금단계 이전에 실행되며, 상기 리드프레임과 금속의 댐부재의 밀착 고정을 위해 레이저 용접, 전기압점용접, 또는 접착제 중 어느 하나를 사용하되, 상기 리드프레임과 상기 댐부재와 맞닿는 면 중 다수의 스폿을 통해 상호접합을 이루는 접합단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 투광수지 몰딩단계 이전에 실행되며, 상기 리드부를 절연하는 상기 제1절연수지와 상기 댐부재와의 중첩되는 부분을 기밀하게 하기 위해 상기 댐부재에 상기 제1절연수지의 상면이 상부로 노출되도록 측면에 홈이 형성되고, 상기 홈을 제2절연수지로 충전하여 몰딩하는 제2절연수지 몰딩단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111710769A (zh) * 2020-06-19 2020-09-25 深圳成光兴光电技术股份有限公司 一种led晶元封装结构及其制作工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169064A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュール
JP2006509372A (ja) 2002-12-06 2006-03-16 クリー インコーポレイテッド 複合リードフレームLEDパッケージおよびその製造方法本願は、2002年12月6日付け米国仮特許出願第60/431,523号、名称「熱拡散を改良したリードフレームベースのLEDあるいは半導体パッケージ(LeadframebasedLEDorsemiconductorpackagewithimprovedheatspreading)」の米国特許商標庁への出願日の恩恵を主張する。
KR20060068857A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2006286837A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Toyoda Gosei Co Ltd Led装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169064A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュール
JP2006509372A (ja) 2002-12-06 2006-03-16 クリー インコーポレイテッド 複合リードフレームLEDパッケージおよびその製造方法本願は、2002年12月6日付け米国仮特許出願第60/431,523号、名称「熱拡散を改良したリードフレームベースのLEDあるいは半導体パッケージ(LeadframebasedLEDorsemiconductorpackagewithimprovedheatspreading)」の米国特許商標庁への出願日の恩恵を主張する。
KR20060068857A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2006286837A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Toyoda Gosei Co Ltd Led装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044344A (ko) * 2019-10-14 2021-04-23 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
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