KR100934511B1 - Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 270
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 56
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 36
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 24
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- -1 hydrogen halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/14—Deposition of only one other metal element
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/45563—Gas nozzles
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
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Abstract
Description
Claims (21)
- 챔버 내에서, 적어도 표면이 Ni함유 재료로 이루어지는 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 챔버 내의 탑재대 상에 배치된 피처리체의 표면에 Ti계 막을 성막하는 Ti계 막의 성막 방법으로서,상기 가스 토출 부재의 온도를 300℃ 이상 425℃ 미만으로 하고, 상기 탑재대의 온도를 300℃ 이상 650℃ 이하로 하고, 또한, TiCl4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는, TiCl4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 해서 소정 매수의 피처리체에 대해 Ti계 막을 성막하는 것과,그 후, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 가스 토출 부재의 온도를 200~300℃로 하고, 상기 탑재대의 온도를 100℃ 이상 300℃ 이하로 해서 상기 챔버 내에 불소계의 클리닝 가스를 도입하여 상기 챔버 내를 클리닝하는 것을 포함하며,상기 피처리체를 가열하는 제 1 히터와는 별도로 제 2 히터를 마련하고, 상기 제 2 히터로 상기 가스 토출 부재를 가열하는Ti계 막의 성막 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 Ti계 막의 성막에 앞서, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 적어도 상기 가스 토출 부재의 표면에 프리코트막을 형성하는 것을 더 포함하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소정 매수의 피처리체에 대한 Ti계 막의 성막과, 상기 챔버 내의 클리닝을 복수회 반복하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 Ti계 막은 Ti막인 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 처리 가스는 환원 가스로서의 수소 가스를 포함하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 Ti계 막의 성막은 Ti 막을 성막한 후에 질화 처리를 실시하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 클리닝 가스는 ClF3 가스인 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스 토출 부재는, 피처리체와 대향하여 마련되고, 다수의 가스 토출 구멍이 형성된 샤워헤드인 Ti계 막의 성막 방법.
- 챔버 내에서, 적어도 표면이 Ni함유 부재로 이루어지는 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 챔버 내의 탑재대 상에 배치된 피처리체의 표면에 Ti계 막을 성막하는 Ti계 막의 성막 방법으로서,상기 가스 토출 부재가 표면에 Ni함유 재료가 노출해 있는 상태인 경우에, 상기 챔버 내에 피처리체를 존재시키지 않은 상태에서, 상기 챔버 내에 패시베이션용 가스를 공급하고, 적어도 상기 가스 토출 부재 표면에 패시베이션막을 형성하는 것과,상기 가스 토출 부재의 온도를 300℃ 이상 425℃ 미만으로 하고, 상기 탑재대의 온도를 300℃ 이상 650℃ 이하로 하고, 또한, TiCl4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는 TiCl4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 하여 소정 매수의 피처리체에 대해 Ti계 막을 성막하는 것과,그 후, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 가스 토출 부재의 온도를 200~300℃로 하고, 상기 탑재대의 온도를 100℃ 이상 300℃ 이하로 해서 상기 챔버 내에 불소계의 클리닝 가스를 도입하여 상기 챔버 내를 클리닝하는 것을 포함하며,상기 피처리체를 가열하는 제 1 히터와는 별도로 제 2 히터를 마련하고, 상기 제 2 히터로 상기 가스 토출 부재를 가열하는Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 패시베이션용 가스는 상기 클리닝 가스인 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 Ti계 막의 성막에 앞서, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 적어도 상기 가스 토출 부재의 표면에 프리코트막을 형성하는 것을 더 포함하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 소정 매수의 피처리체에 대한 Ti계 막의 성막과, 상기 챔버 내의 클리닝을 복수회 반복하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 Ti계 막은 Ti막인 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 처리 가스는 환원 가스로서의 수소 가스를 포함하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 Ti계 막의 성막은 Ti막을 성막한 후에 질화 처리를 실시하는 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 클리닝 가스는 ClF3 가스인 Ti계 막의 성막 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 가스 토출 부재는, 피처리체와 대향하여 마련되고, 다수의 가스 토출 구멍이 형성된 샤워헤드인 Ti계 막의 성막 방법.
- 컴퓨터 상에서 동작하여, 성막 장치를 제어하는 프로그램이 기억된 기억 매체로서,상기 프로그램은, 실행시에챔버 내에서, 적어도 표면이 Ni함유 재료로 이루어지는 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 챔버 내의 탑재대 상에 배치된 피처리체의 표면에 Ti계 막을 성막하는 Ti계 막의 성막 방법으로서,상기 피처리체를 가열하는 제 1 히터와는 별도로 제 2 히터를 마련하고, 상기 제 2 히터로 상기 가스 토출 부재를 가열하여 상기 가스 토출 부재의 온도를 300℃ 이상 425℃ 미만으로 하고, 상기 제 1 히터로 가열하여 상기 탑재대의 온도를 300℃ 이상 650℃ 이하로 하고, 또한, TiCl4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는, TiCl4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 해서 소정 매수의 피처리체에 대해 Ti계 막을 성막하는 것과,그 후, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제 2 히터로 가열하여 상기 가스 토출 부재의 온도를 200~300℃로 하고, 상기 제 1 히터로 가열하여 상기 탑재대의 온도를 100℃ 이상 300℃ 이하로 해서 상기 챔버 내에 불소계의 클리닝 가스를 도입하여 상기 챔버 내를 클리닝하는 것을 포함하는 Ti계 막의 성막 방법이 행해지도록 상기 성막 장치를 제어시키는 기억 매체.
- 컴퓨터 상에서 동작하여, 성막 장치를 제어하는 프로그램이 기억된 기억 매체로서,상기 프로그램은, 실행시에챔버 내에서, 적어도 표면이 Ni함유 부재로 이루어지는 가스 토출 부재로부터 TiCl4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜서 챔버 내의 탑재대 상에 배치된 피처리체의 표면에 Ti계 막을 성막하는 Ti계 막의 성막 방법으로서,상기 가스 토출 부재가 표면에 Ni함유 재료가 노출해 있는 상태인 경우에, 상기 챔버 내에 피처리체를 존재시키지 않은 상태에서, 상기 챔버 내에 패시베이션용 가스를 공급하고, 적어도 상기 가스 토출 부재 표면에 패시베이션막을 형성하는 것과,상기 피처리체를 가열하는 제 1 히터와는 별도로 제 2 히터를 마련하고, 상기 제 2 히터로 상기 가스 토출 부재를 가열하여 상기 가스 토출 부재의 온도를 300℃ 이상 425℃ 미만으로 하고, 상기 제 1 히터로 가열하여 상기 탑재대의 온도를 300℃ 이상 650℃ 이하로 하고, 또한, TiCl4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는 TiCl4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 하여 소정 매수의 피처리체에 대해 Ti계 막을 성막하는 것과,그 후, 상기 챔버 내에 피처리체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제 2 히터로 가열하여 상기 가스 토출 부재의 온도를 200~300℃로 하고, 상기 제 1 히터로 가열하여 상기 탑재대의 온도를 100℃ 이상 300℃ 이하로 해서 상기 챔버 내에 불소계의 클리닝 가스를 도입하여 상기 챔버 내를 클리닝하는 것을 포함하는 Ti계 막의 성막 방법이 행해지도록 상기 성막 장치를 제어시키는 기억 매체.
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048311 | 2006-02-24 | ||
JPJP-P-2006-00048311 | 2006-02-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080116392A Division KR100945323B1 (ko) | 2006-02-24 | 2008-11-21 | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070088386A KR20070088386A (ko) | 2007-08-29 |
KR100934511B1 true KR100934511B1 (ko) | 2009-12-29 |
Family
ID=38509268
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070018558A KR100934511B1 (ko) | 2006-02-24 | 2007-02-23 | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 |
KR1020080116392A KR100945323B1 (ko) | 2006-02-24 | 2008-11-21 | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080116392A KR100945323B1 (ko) | 2006-02-24 | 2008-11-21 | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8257790B2 (ko) |
JP (1) | JP5020230B2 (ko) |
KR (2) | KR100934511B1 (ko) |
CN (1) | CN101310040B (ko) |
TW (1) | TWI403607B (ko) |
WO (1) | WO2007105432A1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102245802A (zh) * | 2008-12-12 | 2011-11-16 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜方法、成膜装置和存储介质 |
JP2010180434A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
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JP6456601B2 (ja) * | 2014-05-07 | 2019-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜装置 |
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-
2007
- 2007-02-21 WO PCT/JP2007/053152 patent/WO2007105432A1/ja active Application Filing
- 2007-02-21 JP JP2008505020A patent/JP5020230B2/ja active Active
- 2007-02-21 CN CN2007800001055A patent/CN101310040B/zh active Active
- 2007-02-21 US US12/280,044 patent/US8257790B2/en active Active
- 2007-02-23 KR KR1020070018558A patent/KR100934511B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-26 TW TW096106511A patent/TWI403607B/zh active
-
2008
- 2008-11-21 KR KR1020080116392A patent/KR100945323B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080108390A (ko) | 2008-12-15 |
CN101310040A (zh) | 2008-11-19 |
JPWO2007105432A1 (ja) | 2009-07-30 |
US20100227062A1 (en) | 2010-09-09 |
US8257790B2 (en) | 2012-09-04 |
KR20070088386A (ko) | 2007-08-29 |
CN101310040B (zh) | 2011-08-17 |
KR100945323B1 (ko) | 2010-03-08 |
JP5020230B2 (ja) | 2012-09-05 |
TWI403607B (zh) | 2013-08-01 |
WO2007105432A1 (ja) | 2007-09-20 |
TW200738903A (en) | 2007-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191202 Year of fee payment: 11 |