KR100749545B1 - Plasma processing apparatus and method for treating semiconductor substrates using the same - Google Patents

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장용수
양준혁
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세메스 주식회사
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Abstract

A plasma processing apparatus and a substrate processing method using the same are provided to improve the uniformity of a substrate treatment process under a plasma condition by distributing uniformly a process gas supplied through an upper electrode using a driving unit for generating the centrifugal force. The plasma processing apparatus includes a process chamber(10) for performing a plasma treatment process, a lower electrode(100) for supporting a substrate in the process chamber, an upper electrode, and a driving unit. The upper electrode(200) is installed opposite to the lower electrode to spray a process gas onto the substrate. The driving unit(400) is used for rotating the upper electrode. The driving unit is composed of a driving source, a driving pulley at an output stage of the driving source, and a belt member for transmitting the torque of the driving pulley to the upper electrode.

Description

플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING THE SAME}Plasma processing apparatus and substrate processing method using the same {PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 구성도,1 is a schematic configuration diagram showing an example of a plasma processing apparatus according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 동작 상태를 설명하기 위해 도시해 보인 도면이다.2 is a view showing for explaining the operating state of the plasma processing apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 공정 챔버 20 : 플라즈마 처리 공간10 process chamber 20 plasma processing space

100 : 하부 전극 200 : 상부 전극100: lower electrode 200: upper electrode

210 : 가스 충전 공간 230 : 분사 홀210: gas filling space 230: injection hole

310 : 축 부재 400 : 구동부310: shaft member 400: drive part

410 : 구동원 420 : 구동 풀리410: drive source 420: drive pulley

430 : 벨트 부재430 belt member

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플 라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a plasma processing apparatus for processing a substrate using a plasma and a substrate processing method using the same.

일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.In general, plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like, and plasma is generated by a very high temperature, a strong electric field, or high frequency electromagnetic fields (RF Electromagnetic Fields).

특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유 전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유 전자는 가스 분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성종(Active Species)을 생성한다. 그리고, 이와 같은 활성종은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성종에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 플라즈마 표면 처리라고 한다.Particularly, plasma generation by glow discharge is performed by free electrons excited by direct current or high frequency electromagnetic field, and the excited free electrons collide with gas molecules to generate active species such as ions, radicals and electrons. ) In addition, such active species physically or chemically act on the surface of the material to change the surface properties. This change in the surface properties of the material by the active species is called plasma surface treatment.

플라즈마 처리 장치는 반응 물질을 플라즈마 상태로 만들어 반도체 기판상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 기판을 세정, 애싱(Ashing) 또는 식각 처리하는 장치를 말한다.The plasma processing apparatus refers to a device for depositing a reaction material into a plasma state and depositing the same on a semiconductor substrate, or cleaning, ashing, or etching a substrate using the reaction material in a plasma state.

플라즈마 처리 장치, 예컨대 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치는, 진공 챔버 내에 설치되어 기판을 탑재하는 하부 전극과, 하부 전극에 대향하도록 진공 챔버의 상부에 설치되는 상부 전극을 포함하며, 하부 전극과 상부 전극에 의해서 한 쌍의 평행 평판 전극을 이루는 구성을 가진다.A plasma processing apparatus, such as a parallel plate type plasma processing apparatus, includes a lower electrode disposed in a vacuum chamber to mount a substrate, and an upper electrode disposed above the vacuum chamber so as to face the lower electrode, wherein the lower electrode and the upper electrode By a pair of parallel plate electrodes.

플라즈마 처리 장치는 상부 전극을 통해 진공 챔버 내로 처리 가스를 공급함과 동시에, 진공 챔버 하부의 배기 포트로 배기시켜 진공 챔버 내부를 소정의 진공 도를 가지는 처리 가스 분위기로 만든다. 이러한 상태에서 하부 전극과 상부 전극의 사이에 소정 주파수의 고주파 전력을 공급해서 플라즈마를 생성시키고, 생성된 플라즈마를 기판에 작용시켜 세정, 애싱 또는 식각 등의 기판 처리를 수행한다.The plasma processing apparatus simultaneously supplies the processing gas into the vacuum chamber through the upper electrode and exhausts the exhaust gas to the exhaust port under the vacuum chamber to make the inside of the vacuum chamber a processing gas atmosphere having a predetermined degree of vacuum. In this state, a high frequency power of a predetermined frequency is supplied between the lower electrode and the upper electrode to generate a plasma, and the generated plasma is applied to the substrate to perform substrate processing such as cleaning, ashing, or etching.

그런데, 상부 전극에 형성된 분사 홀들을 통해 기판 상부에 공급되는 처리 가스는 분사 홀들의 형태나 배열 또는 가공 정도 등에 따라 그 흐름의 변화가 심하게 되고, 공정 조건에 따라 분사 홀들의 형태나 배열 등을 수시로 변경해야 하기 때문에, 기판 처리 공정의 균일도 및 효율이 저하되는 문제점이 있었다.However, the flow of the processing gas supplied to the upper portion of the substrate through the injection holes formed in the upper electrode is severely changed depending on the shape, arrangement, or processing degree of the injection holes, and the shape or arrangement of the injection holes is often Since it must be changed, there existed a problem that the uniformity and efficiency of a substrate processing process fall.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 통상적인 플라즈마 처리 장치가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판 처리 공정의 균일도 및 효율을 증가시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Therefore, the present invention was created to solve the problems in view of the conventional conventional plasma processing apparatus as described above, the object of the present invention is to increase the uniformity and efficiency of the substrate processing process plasma processing apparatus And to provide a substrate processing method using the same.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 기판을 지지하는 하부 전극과; 상기 하부 전극과 마주보도록 설치되며, 상기 기판을 향해 처리 가스를 분사하는 상부 전극과; 상기 상부 전극을 회전시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to the present invention includes a process chamber in which a plasma processing process is performed; A lower electrode installed inside the process chamber and supporting the substrate; An upper electrode disposed to face the lower electrode and injecting a processing gas toward the substrate; And a driving unit for rotating the upper electrode.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 구동부는 구동원과; 상기 구동원의 출력단에 설치된 구동 풀리와; 상기 구동 풀리의 회전력을 상기 상부 전극에 전달하는 벨트 부재;를 포함하는 것이 바람직하다.In the plasma processing apparatus of the present invention having the configuration as described above, the drive section includes a drive source; A drive pulley installed at an output end of the drive source; It is preferable to include a; belt member for transmitting the rotational force of the drive pulley to the upper electrode.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은, 공정 챔버에 설치되는 상부 전극과 하부 전극 사이의 플라즈마 처리 공간에 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 어느 하나의 전극에 전원을 공급하여 상기 플라즈마 처리 공간에 전계를 형성하고, 상기 전계에 의해 상기 플라즈마 처리 공간 내의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성시켜 상기 기판을 처리하되, 공정 진행시 상기 상부 전극을 회전시키면서, 상기 상부 전극을 통해 상기 하부 전극에 놓인 기판을 향해 처리 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate processing method of the present invention is a method for processing a substrate using a plasma generated in a plasma processing space between an upper electrode and a lower electrode installed in a process chamber, wherein the upper electrode and A power is supplied to any one of the lower electrodes to form an electric field in the plasma processing space, and the substrate is processed by generating a plasma from the processing gas in the plasma processing space by the electric field. While rotating the electrode, the processing gas is supplied through the upper electrode toward the substrate placed on the lower electrode.

상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 공정 진행시 상기 상부 전극은 정방향과 역방향으로 연속 교번 회전되는 것이 바람직하다.In the substrate processing method according to the present invention having the features as described above, the upper electrode is preferably rotated alternately in the forward direction and the reverse direction during the process.

본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 공정은 플라즈마를 이용하여 상기 기판상의 감광막 층을 제거하는 애싱 공정인 것이 바람직하다.According to one feature of the invention, the step is preferably an ashing step of removing the photoresist layer on the substrate using a plasma.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대 한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus and a substrate processing method using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시예 )(Example)

본 실시예의 플라즈마 처리 장치로는 플라즈마를 이용하여 사진 공정 후 기판상에 남아있는 불필요한 감광막 층을 제거하는 플라즈마 애싱 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하여 기판상에 막질을 증착하거나 기판을 세정 또는 식각 처리하는 다른 종류의 장치에도 적용될 수 있다.As the plasma processing apparatus of this embodiment, a plasma ashing apparatus for removing an unnecessary photoresist layer remaining on a substrate after a photographic process using plasma will be described as an example. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and may be applied to other types of devices for depositing film quality on a substrate or cleaning or etching the substrate using plasma.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing an example of a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버(10)의 내측에는 한 쌍의 평행 평판형 전극이 구비된다. 전극은 공정 챔버(10)의 하단에 설치되는 하부 전극(100)과, 하부 전극(100)에 대향하도록 공정 챔버(10)의 상단에 설치되는 상부 전극(200)을 가진다.Referring to FIG. 1, a pair of parallel plate type electrodes is provided inside the process chamber 10 in which a plasma processing process is performed. The electrode has a lower electrode 100 installed at the lower end of the process chamber 10 and an upper electrode 200 provided at the upper end of the process chamber 10 so as to face the lower electrode 100.

하부 전극(100)에는 정합기(112a,112b)를 통해 고주파 전원(110a,110b)이 연결되고, 하부 전극(100)의 상면에는 반도체 기판(W)을 지지하기 위한 정전척(120)이 설치된다. 정전척(120)은 절연층(122) 내에 정전척용 전극(124)이 배치된 구성을 가지며, 정전척용 전극(124)에는 직류 전원(126)이 연결된다. 그리고, 하부 전극(100)의 둘레에는 하부 전극(100)과 상부 전극(200) 사이의 플라즈마 처리 공간(20)에 생성된 반응 부산물을 배출시키는 배플 플레이트(130)가 배치된다. High frequency power supplies 110a and 110b are connected to the lower electrode 100 through matching devices 112a and 112b, and an electrostatic chuck 120 for supporting the semiconductor substrate W is installed on the upper surface of the lower electrode 100. do. The electrostatic chuck 120 has a configuration in which the electrode 124 for the electrostatic chuck is disposed in the insulating layer 122, and a DC power supply 126 is connected to the electrode for the electrostatic chuck 124. In addition, a baffle plate 130 is disposed around the lower electrode 100 to discharge the reaction by-products generated in the plasma processing space 20 between the lower electrode 100 and the upper electrode 200.

상부 전극(200)은 접지되어 있으며, 외부로부터 공급된 처리 가스가 채워지는 가스 충전 공간(210)이 내부에 형성된다. 상부 전극(200)의 하면, 즉 플라즈마 노출면(220)은 세라믹을 이용하여 코팅 처리될 수 있으며, 플라즈마 노출면(220)에는 가스 충전 공간(210)에 채워진 처리 가스가 기판(W)을 향해 분사되도록 다수의 분사 홀(230)들이 형성된다. 상부 전극(200)의 상면 즉, 플라즈마 노출면의 반대 면에는 상부 전극(200)을 냉각시키기 위한 냉각 부재(300)가 결합되고, 냉각 부재(300)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 라인들(320)이 형성되어 있다. 그리고, 냉각 부재(300)의 상측에는 상부 전극(200)의 가스 충전 공간(210)에 처리 가스를 공급하는 가스 유로가 형성된 축 부재(310)가 결합되며, 상부 전극(200)과 냉각 부재(300)의 사이에는 상부 전극(200)의 열이 냉각 부재(300)에 효율적으로 전달되도록 열전달 부재(330)가 구비될 수 있다.The upper electrode 200 is grounded, and a gas filling space 210 filled with a processing gas supplied from the outside is formed therein. The lower surface of the upper electrode 200, that is, the plasma exposure surface 220 may be coated with ceramic, and the plasma exposure surface 220 may have a processing gas filled in the gas filling space 210 toward the substrate W. A plurality of injection holes 230 are formed to be injected. Cooling members 300 for cooling the upper electrode 200 are coupled to an upper surface of the upper electrode 200, that is, an opposite surface of the plasma exposure surface, and cooling lines through which cooling fluid circulates inside the cooling member 300. 320 is formed. In addition, the shaft member 310 having the gas flow path for supplying the processing gas to the gas filling space 210 of the upper electrode 200 is coupled to the upper side of the cooling member 300, and the upper electrode 200 and the cooling member ( The heat transfer member 330 may be provided between the 300 to efficiently transfer the heat of the upper electrode 200 to the cooling member 300.

상기와 같은 구성을 가지는 하부 전극(100)과 상부 전극(200) 사이의 플라즈마 처리 공간(20)에는 상부 전극(200)의 분사 홀(230)을 통해 처리 가스가 공급된다. 그리고, 이와 동시에 하부 전극(100)에 소정 주파수의 고주파 전력이 공급되어 플라즈마가 생성된다. 이때, 본 발명에는 소량의 처리 가스를 이용하여 플라즈마 반응을 극대화시키면서 처리 가스의 흐름을 균일하게 분산시키기 위해, 플라즈마 처리 공간(20)에 처리 가스를 공급하는 상부 전극(200)을 회전시키도록 구동부(400)가 구비된다. The processing gas is supplied to the plasma processing space 20 between the lower electrode 100 and the upper electrode 200 having the above configuration through the injection hole 230 of the upper electrode 200. At the same time, high frequency power of a predetermined frequency is supplied to the lower electrode 100 to generate plasma. At this time, the driving unit to rotate the upper electrode 200 for supplying the processing gas to the plasma processing space 20 to uniformly distribute the flow of the processing gas while maximizing the plasma reaction by using a small amount of the processing gas. 400 is provided.

구동부(400)는 모터 등과 같이 회전력을 제공하는 구동원(410)과, 구동원(410)의 출력단에 설치된 구동 풀리(420)를 포함하며, 구동 풀리(420)는 벨트 부 재(430)를 매개로 축 부재(310)에 연결되어 구동원(410)의 회전력을 상부 전극(200)에 전달한다. 구동부(400)는 상기와 같은 구성 이외에도 다양한 형태의 구동원과 구동원의 동력을 전달할 수 있는 여러 가지 동력 전달 부재로 마련될 수 있다. 구동원으로는 실린더 기구 또는 자석을 이용한 부재 등이 사용될 수 있고, 동력 전달 부재로는 기어 트레인 또는 스프라켓 등이 사용될 수 있으며, 이들을 조합한 형태의 동력 전달 부재도 사용될 수 있다. 여기서, 상부 전극(200)은 구동원(410)의 회전력을 전달받아 정방향 또는 역방향 중 어느 일 방향으로 연속 회전될 수 있으며, 또한 정방향과 역방향으로 연속 교번 회전될 수도 있다.The driving unit 400 includes a driving source 410 for providing rotational force, such as a motor, and a driving pulley 420 installed at an output end of the driving source 410, and the driving pulley 420 is provided through the belt member 430. It is connected to the shaft member 310 to transfer the rotational force of the drive source 410 to the upper electrode 200. The driving unit 400 may be provided with various power transmission members capable of transmitting power of various types of driving sources and driving sources in addition to the above configuration. As a driving source, a member using a cylinder mechanism or a magnet may be used. As the power transmission member, a gear train or a sprocket may be used, and a power transmission member having a combination thereof may also be used. Here, the upper electrode 200 may receive a rotational force of the driving source 410 and may be continuously rotated in one of the forward and reverse directions, and may also be rotated alternately in the forward and reverse directions.

상기와 같은 구성에 의해 상부 전극(200)을 회전시키면서 기판(W)상에 처리 가스를 공급하면, 공급 처리 가스의 흐름이 난류를 형성하게 된다. 처리 가스의 흐름이 난류를 형성하게 되면, 처리 가스의 흐름이 층류를 형성할 경우와 비교하여 상대적으로 소량의 처리 가스를 이용해서 플라즈마를 생성시킬 수 있게 된다. 또한 처리 가스가 원심력에 의해 플라즈마 처리 공간의 중앙부에서 가장자리부로 균일하게 분산되기 때문에 기판상의 감광막을 제거하는 에싱 공정의 균일성이 증대될 수도 있다.When the processing gas is supplied onto the substrate W while the upper electrode 200 is rotated by the above configuration, the flow of the supply processing gas forms turbulent flow. When the flow of the processing gas forms a turbulent flow, the plasma can be generated using a relatively small amount of the processing gas as compared with the case where the flow of the processing gas forms a laminar flow. In addition, since the processing gas is uniformly dispersed from the center portion of the plasma processing space to the edge portion by centrifugal force, the uniformity of the ashing process for removing the photosensitive film on the substrate may be increased.

한편, 공정 챔버(10)의 주위에는 공정 챔버(10) 내의 플라즈마 처리 공간(20)에 자장이 형성되도록 자장 형성 기구(500)가 배치되고, 공정 챔버(10) 내에 형성된 자장이 회전되도록 자장 형성 기구(500)에는 회전 기구(510)가 연결된다.Meanwhile, a magnetic field forming mechanism 500 is disposed around the process chamber 10 so that a magnetic field is formed in the plasma processing space 20 in the process chamber 10, and a magnetic field is formed so that the magnetic field formed in the process chamber 10 is rotated. Rotation mechanism 510 is connected to the mechanism 500.

그리고, 공정 챔버(10)의 하단에는 배플 플레이트(130)를 통과한 반응 부산물이 공정 챔버(10)의 외부로 배출되도록 배기 포트(610)가 형성되고, 배기 포 트(610)에는 반응 부산물을 펌핑하여 공정 챔버(10) 내부를 일정 진공 상태로 유지시키기 위한 배기부(600)가 연결된다.In addition, an exhaust port 610 is formed at a lower end of the process chamber 10 so that the reaction by-product passing through the baffle plate 130 is discharged to the outside of the process chamber 10, and the reaction by-product is provided at the exhaust port 610. An exhaust unit 600 is connected to the pump to maintain the inside of the process chamber 10 in a constant vacuum state.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the plasma processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above are as follows.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 동작 상태를 설명하기 위해 도시해 보인 도면이다.2 is a view showing for explaining the operating state of the plasma processing apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 플라즈마 처리 장치는, 정전척(120) 상에 반도체 기판(W)을 탑재하고, 정전척용 전극(124)으로 소정의 직류 전압을 인가하여 반도체 기판(W)을 흡착 유지한 상태에서, 구동부(400)에 의해 전달되는 회전력을 이용하여 상부 전극(200)을 회전 구동시킨다. 이때 상부 전극(200)은 정방향 또는 역방향 중 어느 일 방향으로 회전될 수 있으며, 또한 정방향과 역방향으로 연속 교번 회전될 수도 있다. 그리고, 상부 전극(200)이 회전하는 동안 상부 전극(200)의 분사 홀(230)을 통해 상부 전극(200)과 하부 전극(100) 사이의 플라즈마 처리 공간(20)에 처리 가스를 공급한다. 이와 동시에, 하부 전극(100)에 소정 주파수의 고주파 전력을 공급하여 플라즈마 처리 공간(20)에 고주파 전계를 형성한다. 또한, 처리 공간(20)에는 자장 형성 기구(500)에 의해 소정의 자장이 형성되고, 자장은 자장 형성 기구(500)에 연결된 회전 기구(510)에 의해 회전된다. 이것에 의해서 플라즈마 처리 공간(20)으로 공급된 처리 가스로부터 소정의 플라즈마가 생성되고, 생성된 플라즈마를 기판(W)에 작용시켜 기판(W)상에 남아 있는 불필요한 감광막 층을 제거한다. 감광막 층을 제거하는 애싱 공정이 진행되는 동안 플라즈마 처리 공 간(20)에는 반응 부산물이 생성되며, 생성된 반응 부산물은 배플 플레이트(130)를 통해 하부 전극(100) 하측의 배기 공간(30)으로 배출된 후, 배기 포트(610)를 통해 공정 챔버(10)의 외부로 배출된다.Referring to FIG. 2, the plasma processing apparatus mounts the semiconductor substrate W on the electrostatic chuck 120, applies a predetermined DC voltage to the electrode 124 for the electrostatic chuck, and holds the semiconductor substrate W by suction. In the state, the upper electrode 200 is driven to rotate by using the rotational force transmitted by the driving unit 400. At this time, the upper electrode 200 may be rotated in any one of the forward direction or the reverse direction, and may also be rotated alternately in the forward direction and the reverse direction. In addition, the processing gas is supplied to the plasma processing space 20 between the upper electrode 200 and the lower electrode 100 through the injection hole 230 of the upper electrode 200 while the upper electrode 200 rotates. At the same time, a high frequency electric power of a predetermined frequency is supplied to the lower electrode 100 to form a high frequency electric field in the plasma processing space 20. In addition, a predetermined magnetic field is formed in the processing space 20 by the magnetic field forming mechanism 500, and the magnetic field is rotated by the rotating mechanism 510 connected to the magnetic field forming mechanism 500. As a result, a predetermined plasma is generated from the processing gas supplied to the plasma processing space 20, and the generated plasma is applied to the substrate W to remove the unnecessary photoresist layer remaining on the substrate W. During the ashing process of removing the photoresist layer, reaction by-products are generated in the plasma treatment space 20, and the generated reaction by-products are passed through the baffle plate 130 to the exhaust space 30 under the lower electrode 100. After the discharge, the discharge port 610 is discharged to the outside of the process chamber 10.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상부 전극을 회전시키면서 기판상에 처리 가스를 공급하여, 처리 가스의 흐름이 난류를 형성하게 됨으로써, 처리 가스의 흐름이 층류를 형성할 경우와 비교하여 상대적으로 소량의 처리 가스를 이용해서 플라즈마를 생성시킬 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, the processing gas is supplied onto the substrate while the upper electrode is rotated so that the flow of the processing gas forms turbulent flow, so that the flow of the processing gas is relatively compared with the case of forming laminar flow. A small amount of processing gas can be used to generate the plasma.

또한, 본 발명에 의하면, 상부 전극을 통해 공급되는 처리 가스가 원심력에 의해 플라즈마 처리 공간의 중앙부에서 가장자리부로 이동되기 때문에, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정의 균일성을 증대시킬 수 있다.Further, according to the present invention, since the processing gas supplied through the upper electrode is moved from the center portion of the plasma processing space to the edge portion by centrifugal force, the uniformity of the substrate processing process using plasma can be increased.

Claims (5)

플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와;A process chamber in which the plasma processing process is performed; 상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 기판을 지지하는 하부 전극과;A lower electrode installed inside the process chamber and supporting the substrate; 상기 하부 전극과 마주보도록 설치되며, 상기 기판을 향해 처리 가스를 분사하는 상부 전극과;An upper electrode disposed to face the lower electrode and injecting a processing gas toward the substrate; 상기 상부 전극을 회전시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a driving unit for rotating the upper electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동부는,The driving unit, 구동원과;A drive source; 상기 구동원의 출력단에 설치된 구동 풀리와;A drive pulley installed at an output end of the drive source; 상기 구동 풀리의 회전력을 상기 상부 전극에 전달하는 벨트 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a belt member for transmitting the rotational force of the driving pulley to the upper electrode. 공정 챔버에 설치되는 상부 전극과 하부 전극 사이의 플라즈마 처리 공간에 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a substrate using a plasma generated in the plasma processing space between the upper electrode and the lower electrode provided in the process chamber, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 어느 하나의 전극에 전원을 공급하여 상기 플라즈마 처리 공간에 전계를 형성하고, 상기 전계에 의해 상기 플라즈마 처 리 공간 내의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성시켜 상기 기판을 처리하되,Supplying power to one of the upper electrode and the lower electrode to form an electric field in the plasma processing space, and generates a plasma from the processing gas in the plasma processing space by the electric field to process the substrate, 공정 진행시 상기 상부 전극을 회전시키면서, 상기 상부 전극을 통해 상기 하부 전극에 놓인 기판을 향해 처리 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And processing gas supplied to the substrate placed on the lower electrode through the upper electrode while rotating the upper electrode during the process. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 공정 진행시 상기 상부 전극은 정방향과 역방향으로 연속 교번 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method of the above process, characterized in that the upper electrode is continuously rotated alternately in the forward direction and the reverse direction. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 공정은,The process, 플라즈마를 이용하여 상기 기판상의 감광막 층을 제거하는 애싱 공정인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.It is an ashing process of removing the photoresist layer on the said board | substrate using a plasma.
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