KR100896405B1 - 손실성 매체를 포함하는 emi 쉴딩 - Google Patents

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Abstract

EMI 전송을 억제하기 위해 손실성 재료가 사용될 수 있다. EMI 쉴드 효과를 개선하기 위해 EMI 쉴드형 엔클로져에 손실있는 재료를 가하기 위한 방법 및 이에 의해 산출된 EMI 쉴드형 엔클로져가 개시된다. 일부 실시예에서, EMI 쉴드형 엔클로져는 인쇄회로 보드 장착 가능한 디바이스를 포함한다. 일 실시예에서, 손실성 재료는 접착제를 이용하여 EMI 쉴드형 엔클로져의 내부에 도포될 수 있다. 또 다른 실시예에서, EMI 쉴드형 엔클로져상에 부수하는 EMI를 억제하기 위해 EMI 엔클로져의 외부에 손실성 재료가 도포될 수 있다. 이에 의해, EMI 쉴드형 엔클로져내에 내포되는 전자 소자의 분극율을 감소시킨다. 또 다른 실시예에서는 EMI 엔클로져의 내부 및 외부 모두에 손실성 재료가 도포될 수 있다.
EMI 엔클로져(enclosure)

Description

손실성 매체를 포함하는 EMI 쉴딩{EMI SHIELDING INCLUDING A LOSSY MEDIUM}
본 발명은 전자 부품 패키징에 관한 것으로, 특히 전자기 간섭(Electormagnetic interference, EMI)에 대하여 보호하기 위하여 쉴드된 전자 부품 패키지에 관한 것이다.
이하 사용되는 용어 중에서, EMI는 전자기 간섭과 무선 주파주 간섭(radio frequency interference, RFI) 방출의 양자 둘 다를 지칭하는 것이며, 용어 "전자기(electromagnetic)"는 일반적으로 전자기와 무선 주파수를 지칭하는 것이다.
통상의 동작 과정 중, 전자 장비는 대개 바람직하다고 볼 수 없는 전자기 에너지를 방출하게 되고, 이 에너지는 방사(radiation)와 전도(conduction)에 의한 EMI 전송에 기인하여 인접하여 위치한 전자 장비에 간섭을 일으킬 수 있다. 이 전자기 에너지는 넓은 범위의 파장과 주파수에 영향을 줄 수 있다. EMI와 연관된 문제를 최소화하기 위해서, 바람직하지 않은 전자기 에너지 소스가 쉴드되고, 전기적으로 접지되어야 한다. 또한, 부가적으로, EMI의 서셉터(susceptors)가 쉴드되고, 전기적으로 접지될 수 있다. 쉴드는 하우징 또는 전자 장비가 위치한 다른 엔클로져(enclosure)에 대하여 전자기 에너지의 인입과 인출 모두를 방지하도록 설계된다. 이와 같은 엔클로져는 종종 인접 액세스 패널들과 주위 도어들 사이에서 갭 또는 틈(seam)을 포함하며, 엔클로져내의 갭들은 그들 사이로 EMI의 전이를 방지하지 못하기 때문에, 효과적인 쉴드가 어려운 점이 있다. 또한, 전기적 도전성 금속으로 이루어진 엔클로져의 경우, 이들 갭들은 이로운 패러데이 캐이지 효과(Faraday Cage Effect)를 방해하기도 하는데, 이는 엔클로져를 통하여 접지 도전성 경로의 효율성을 저하시키는 엔클로져의 도전성에서 불연속의 형성에 기인한 것이다. 더우기, 일반적으로 엔클로져의 것과 크게 상이한 갭에서의 전기 전도 레벨이 존재함으로써, 갭은 슬롯 안테나로 작용할 수 있고, 이는 결과적으로 엔클로져 그 자체가 EMI의 두번째 소스로 될 수 있다는 것이다.
쉴드는 보통 특별한 파장에서 또는 파장범위에서 EMI를 감소시키도록 설계된다. EMI 쉴드는 전형적으로 EMI의 방사 소자를 반영하고, EMI의 전도 소자를 전기적 접지를 위한 드레인하기 위하여 동작하는 고 전도 재료로 만들어진다. 예를들면, EMI 쉴드는 전형적으로 구리, 알루미늄, 금, 주석, 강 그리고 스테인레스 강, 강판, 니켈과 같은 금속으로 제조된다. EMI 쉴드는 또한 니켈 코팅 구리, 그리고 금속 도금 플라스틱과 같은 전기적 절연체와 전도성 재료를 혼합하는 서로 상이한 금속을 조합하여 만들어진다. 요약하면, 이상적인 EMI 쉴드는 개구, 틈, 갭 등이 없이 무한한 전도성 재료의 만들어진 완전히 폐쇄된 하우징으로 구성된 것일 수 있다. 그러나, 실제의 응용분야에서, 엔클로져는 유한한 전도성 재료로 이루어지고 일부 개구도 가지고 있다. 보통, 개구의 총 수를 감소시킴과 동시에 임의의 개구의 가장 큰 치수(총면적만이 아닌)를 감소시킴으로써 엔클로져의 EMI 보호 또는 쉴드효과를 증가시키는 경향이 있다. 개구는 냉각중 에어의 흐름을 수용하기 위한 것과 같은 의도적인 것일 수도 있지만, 한편 제조공정중에 발생한 틈과 같은 것일 수도 있다. 특별한 제조방법, 예로 용접 또는 틈의 납땜 또는 캐버티의 밀림 등의 방법이 쉴딩효과를 향상시키기 위하여 이용될 수 있다. 개구를 갖는 EMI 엔클로져의 쉴딩효과는 EMI의 파장의 기능이다. 일반적으로, 쉴딩 효과는 개구의 가장 큰 치수가 파장의 것과 비교하여 작을때 향상된다. (즉 파장의 반보다 작을때). 그러나, 동작 주파수가 증가함에 따라, 야기된 EMI의 관련 파장은 감소하고, 이는 이상적이지 못한 EMI 엔클로져를 위한 쉴딩효과의 감소를 일으키게 된다.
EMI 쉴드형 엔클로져는 보통 캐버티내에서 전자기 에너지의 공진(resonance)을 야기하는 전도성 재료로 제조된다. 예로, 캐버티의 바운더리에서 전자기 필드의 리플렉션(reflection)은 어떤 조건하에서 캐버티내에 스탠딩 파(standing wave)를 만들 수 있다. 그와 같은 공진은 다중 리플렉션의 부가적 효과를 통하여 전자기 에너지의 피크 크기를 증가시키는 경향이 있다. 이들 공진 효과는 엔클로져 내에서 피크 에너지 레벨을 증가시킴으로서, 레소넌트 주파수에서 명백한 쉴딩 효과를 감소시킬 수 있고, 이는 동일한 엔클로져가 EMI의 보다 큰 소스를 쉴딩하기 때문이다. (즉 레소넌트 피크 전자기 에너지)
EMI 보호는 작고 조밀하게 패키지되고 민감하게 고주파수에서 동작하는 전자응용분야에서 특히 중요하다. 일분야를 살펴보면, 기가비트 인터페이스 컨버터(GBIC)와 같은 통신 트랜시버(transceiver)에서 전기 전류는 광섬유 케이블상에서 전송하기에 적합한 광학 시그널로 변하고, 광학 시그널은 전기 전류로 변한다. GBICS는 광섬유 통신과 고속 네트워킹용 인터페이스로서 네트워킹 시스템에서 이용된다. 명칭에서 알 수 있는 바와 같이, 전송 데이터 속도는 초당 일 기가비트(Gbps)보다 크다. 일부 응용분야에서, GBIC 모듈이 EMI 엔클로져내에 설치된다. 도 1a, 1b에서 보여지는 바와 같이, EMI 케이지(50) 또는 하우징을 위한 하나의 특별형태 인자(form factor)가 관련 산업내에서 몇개의 상호협조 멤버에 의하여 준비된 다중 소스 협약(MSA)에 기재되어 있다. 도 1에서와 같이, 하우징(50)의 일단부(55)는 GBIC 트랜시버(즉, 2000년 9월 14일자 "Cooperation Agreement for Small Form-Factor Pluggable Transceivers,"에서 기술된 Small Form-Factor Pluggable 사양서(이는 본 명세서의 일부로서 참조됨)에 부합하는 형태 인자를 갖는 트랜시버)의 삽입과 추출을 수용하기 위하여 개방되어 있다. MSA 추천 EMI 케이지(50)은 1Gbps에서 GBIC 동작을 위한 쉴딩 효과의 디자인 레벨을 제공한다. 그러나 동작 주파수가 증가함에 따라 추천 EMI 케이지의 쉴딩 효과는 수정 없이는 적당하지 않다. 예로, Synchronous Optical Network(SONET) 표준에 기술된 광 케리어 프로토콜을 사용하는 이머징(emerging) 응용분야는 1Gbps 를 상회하여 동작할 수 있다 (예로, OC-48 프로토콜은 최대 데이터 속도 2.5Gbps를 지원하고, OC-192 프로토콜은 최대 데이터 속도 10Gbps를 지원함).
전자 부품에서 EMI 쉴드를 제공하기 위한 여러 방법이 알려져 있다. 예로, 미국 특허 5,639,989 (Higgins에게 허여됨)가 본 명세서에서 참조될 수 있다. Higgins는 필러 입자(filler particles)를 포함하는 폴리머로 이루어진 제1 EMI 재료로 모든 내부 표면이 공형 코팅된 하우징의 사용을 개시한다. Higgins의 방법은 공형 코팅(conformal coating)으로서 제1 EMI 재료를 도포한다. 상기 개시된 방법은 필러 입자로 상이한 재료를 선택하는 것이 특정 주파수 범위내의 전자기 에너지의 감쇄를 일으킨다는 것을 또한 보여준다.
발명의 요약
일반적으로, 본 발명은 EMI의 일부를 흡수하기 위한 전기적 흡수성 또는 손실성(lossy) 재료를 포함하고, 이에 의해 작동 주파수의 범위 이상으로 EMI 쉴드의 성능을 증강시키는 고전도성 금속 엔클로져 또는 케이지와 같은 EMI 쉴드에 관한 것이다. 흡수재는 저항 손실 과정(열적 가열의 형태로 EMI의 일부를 사라지게 함)에 의해 환경으로부터 EMI의 일부를 제거할 수도 있다. 흡수재는, 또한, 이것이 전도성 캐비티 내에 위치되는 경우, 캐비티의 공진 특성을 캐비티 내에 전자기적 필드의 공진 "피크"를 감소하도록 및/또는 주파수에서 공진 피크 또는 컷오프를 평행이동하도록 변경할 수도 있다.
하나의 측면에서, 본 발명은 고주파 전자기적 간섭으로부터 쉴드를 제공하기 위한 쉴드 시스템에 관한 것이다. 상기 쉴드 시스템은 디바이스의 적어도 일부를 커버하는데 적합한 전기적-전도성 쉴드를 포함한다. 쉴드 시스템은 또한 전기적-전도성 쉴드의 제 1 면에 배치된 전자기적 흡수재를 포함한다. 조합된 전기적으로-전도성 쉴드 및 전자기적 흡수재는 쉴드된 디바이스에 대해서 전자기적 에너지의 전달을 약화시킨다.
일 실시예에서, 쉴드 시스템은 기판 설치된 디바이스와 같은 디바이스를 하우징하기 위해 적합한 캐비티를 한정하는 엔클로져를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 하우징은 디바이스의 실질적으로 모든 측면을 엔클로우징하기 위해 적합하다. 또 다른 실시예에서, 전자기적 흡수재는 내부 표면의 적어도 일부에 도포된다.
일 실시예에서, 하우징은 회로 기판에 부착하는데 적합하다. 또 다른 실시예에서, 하우징은 탈부착가능한 적어도 일부를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 전기적으로-전도성 쉴드는 광학 섬유(fiber optic) 트랜스미터와 광학 섬유 리시버중 적어도 하나를 하우징하는데 적합하다. 또 다른 실시예에서, 전기적-전도성 쉴드는 기가바이트 인터페이스 컨버터(GBIC)를 하우징하는데 적합하다. 또 다른 실시예에서, 전기적-전도성 쉴드는 실질적으로 소형-형태-인자-플러거블 표준(small-form-factor-pluggable standard)에 부합하는 형태 인자를 포함한다.
일 실시예에서, 전기적-전도성 쉴드는 알루미늄, 니켈, 주석, 실버, 골드, 베릴륨(beryllium), 인청동(phosphor bronze), 스틸, 스테인레스 스틸 및 이들의 조합물로 이루어진 군에서 선택된다. 또 다른 실시예에서, 전기적-전도성 쉴드는 시트 금속을 포함한다.
일 실시예에서, 에너지 흡수재는 전기적 전도성 재료, 카르보닐 철 분말, 센더스트, 페라이트, 철, 실리사이드, 마그네틱 합금, 마그네틱 플레이크(flakes) 및 이들의 조합물로 이루어진 군에서 선택된다. 또 다른 실시예에서, 에너지 흡수재는 매트릭스내에 부유된 전기적 흡수성 입자를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 에너지 흡수재는 전기적 전도성 재료, 탄소, 카르보닐 철 분말, 센더스트, 페라이트, 철, 실리사이드, 마그네틱 합금, 마그네틱 플레이크, 스틸울(steel wool), 탄소-침지된 고무, 플라스틱 나선형 캐리어(plastic stranded carrier)내의 페라이트, 금속 호일, 금속 클래드 재료(철, 니켈 및 철/니켈 조성물 포함), 페이트스 조성물(철, 니켈, 에폭시를 갖는 구리, 락커(lacquer) 바인더 및 이들의 조합물로 이루어진 군에서 선택) 및 이들의 조합물로 이루어진 군에서 선택된다. 또 다른 실시예에서, 에너지 흡수재는 감압성 접착제를 사용하여 부착된다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 디바이스에 대한 고주파 전자기적 에너지의 전달을 약화시키기 위한 프로세스에 관한 것이다. 상기 프로세스는 디바이스의 적어도 일부를 커버하기에 적합한 전기적-전도성 쉴드에서 전자기적 에너지를 반사하는 단계, 전기적-전도성 쉴드와 관련된 전자기적 공진을 변경하는 단계; 및 전기적-전도성 쉴드에 근접한 전가기적 에너지의 일부를 흡수하는 단계를 포함한다. 이것에 의해 쉴드는 디바이스에 대한 전자기적 에너저의 전달을 감소시킨다. 일 실시예에서, 전자기적 공진을 변경하는 단계는 전자기적 공진의 피크 진폭을 감소시키는 단계를 포함한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 디바이스에 대한 고주파 전자기적 에너지의 전달을 약화시키는 프로세스에 관한 것이다. 상기 프로세스는 디바이스의 적어도 일부를 커버하기에 적합한 전기적-전도성 쉴드를 제공하는 단계, 및 선정된 범위의 파장내에서 전자기적 에너지의 적어도 일부를 흡수하기 위해 적합한 전자기적 흡수재를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 프로세스는 또한 전자기적 흡수재로 전기적-전도성 쉴드의 적어도 일부를 처리하는 단계 및 처리된 전기적-전도성 쉴드를 장치의 바로 근처에 위치시키는 단계를 포함한다. 전기적-전도성 쉴드는 디바이스에 대한 전자기적 에너지의 전달을 감소시킨다.
일 실시예에서, 처리 단계는 전자기적 흡수재를 전기적-전도성 쉴드의 제 1 면에 가하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 처리 단계는 페인팅, 딥핑(dipping), 분사(spraying), 증착, 실크 스크리닝, 기계적 고정(fastening), 화학적 결합 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된다. 또 다른 실시예에서, 처리 단계는 전기적-전도성 쉴드상에 전자기적 흡수재를 몰딩, 성형(forming) 및 소정 위치에의 형성 중 적어도 일부를 포함한다.
일 실시예에서, 전자기적 흡수재를 제공하는 단계는 선정된 두께를 갖는 흡수재의 시트를 형성하는 단계, 및 전기적-전도성 쉴드의 제 1 측면에 도포하기 위한 흡수재의 시트를 채택하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 채택 단계는 흡수재의 적어도 한 측면에 화학적 고정재(fastener)를 가하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 채택 단계는 감압성 접착제를 흡수재의 적어도 한 측면에 도포하는 단계를 포함한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 디바이스에 대한 고주파 전자기적 에너지의 전달을 약화시키기 위한 쉴드에 관한 것이고, 쉴드는 디바이스의 적어도 일부를 커버하는데 적합한 전자기적 에너지를 반사하기 위한 수단, 상기 전자기적 에너지를 반사하기 위한 수단과 관련된 전자기적 공진 응답을 변경하기 위한 수단, 및 전자기적 에너지를 반사하기 위한 수단에 근접한 전자기적 에너지의 적어도 일부를 흡수하는 수단을 포함한다. 이에 의해, 쉴드는 디바이스에 대한 전자기적 에너지의 전달을 감소시킨다. 일 실시예에서, 전자기적 에너지를 반사히기 위한 수단은 전기적-전도성 쉴드를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 전자기적 공진을 변경하기 위한 수단은 전자기적 흡수재를 포함한다.
본 발명은 첨부된 청구항에 상세히 나타내어진다. 본 발명의 이점은 첨부하는 도면과 함께 하기 설명을 참조하여 더 잘 이해될 수 있다.
도 1a는 디바이스용 전자기적-전도성 EMI 케이지의 상부, 측면, 하단의 외부직교면을 나타낸 개략도이다.
도 1b는 도 1a의 전기적-전도성 EMI 케이지의 바닥의 외부면을 나타낸 개략도이다.
도 2a는 손실성 재료가 엔클로져의 일부분의 내부에 도포된 것을 나타낸 본 발명에 따른 일 실시예를 나타낸 개략도이다.
도 2b는 손실성 재료가 엔클로져의 일부분의 외부에 도포된 것을 나타낸 본 발명에 따른 일 실시예를 나타낸 개략도이다.
도 2c 는 손실성(lossy) 재료가 EMI 엔클로져의 내부 및 외부 양측에 도포된 본 발명의 또 다른 실시예의 구조도;
도 3 은 도 2a에 도시된 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 나타낸 도면;
도 4a 는 손실성 재료가 EMI 엔클로져의 외부에 도포된 본 발명의 또 다른 실시예의 구조도;
도 4b는 손실성 재료가 EMI 엔클로져의 내부에 도포된 본 발명의 또 다른 실시예의 구조도;
도 4c 는 손실성(lossy) 재료가 EMI 엔클로져의 내부 및 외부 양측에 도포된 본 발명의 또 다른 실시예의 구조도;
도 5 는 손실성 재료가 전자 부품에 직접 도포된 본 발명의 실시예에 따른 구조도;
도 6 은 손실성 재료가 EMI 엔클로져의 제 1 측면에 도포된 본 발명의 일 실시예를 나타내는 구조도;
도 7 은 본 발명의 실시예에 따른 방사 방출 성능과 종래 쉴딩을 비교한 테스트 결과를 나타내는 그래프;
도 8 은 도 2a에 도시하는 본 발명의 실시예의 단계를 나타내는 흐름도;
도 9a 는 본 발명의 회로 기판 장착 실시예의 구조도;
도 9b 는 도 9a에 도시된 실시예의 테이프와 릴 패키징 구성을 나타내는 구조도;
도 10a 및 도 10b 는 본 발명의 2개의 회로 기판 장착 실시예를 나타내는 구조도;
도 10c 및 도 10d 는 도 10a 및 도 10b에 도시된 실시예의 테이프와 릴 패키징 구성(reel packaging configuration)을 각각 나타내는 구조도 이다.
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손실성 재료는 예를 들어 전자기 에너지를 열 에너지와 같은 다른 형태의 에너지로 변화시킴으로써 EMI 전달을 억제하기 위해 사용될 수 있다. 전자기장은 전류가 유한 전기 도전도를 갖는 손실성 재료 내에서 흐르게 할 수 있으며, 이로 인하여 저항 손실이 발생한다. 일 실시예에 있어서, 손실성 재료는 레진 바인더(resin binder)와 같은 엘라스토머(elastomer)에 혼합된 페라이트와 같은 재료로 구성될 수 있다. 손실성 재료는 기판 피복을 위하여 시트(sheet) 형태 또는 액체 형태로 구성될 수 있다. 손실성 재료의 몇몇은 전기적 전도성 재료, 탄소, 철, 카르보닐 철 분말, 센더스트(sendust), 페라이트, 철 실리사이드, 마그네틱 합금, 마그네틱 플래이크(flakes), 스틸 울(steel wool), 및 그들의 조합으로 구성된다. 손실성 재료의 다른 예로는 탄소-침지된 고무(carbon-impregnated rubber), 플라스틱 나선형 캐리어 내의 페라이트, 금속 호일, 금속 크래드 재료(철, 니켈 및 철/니켈 조성물), 페이스트 조성물(철, 니켈, 에폭시 구리, 락커(lacqer) 바인더 및 그들의 조합물 및 이전의 전형적인 손실성 재료과 조합을 이루는 군에서 선택됨)가 있다. 전자기 효과를 달성하기 위해 사용된 다른 재료는 알루미늄(Al2O3), 사파이어(sapphire), 실리카(SiO2), 티타늄 옥사이드(TiO2) 및 그들의 조합을 포함한다.
몇몇의 실시예에서, 손실성 재료는 요구된 효과를 달성하기 위해 다른 재료와 결합될 수 있다. 예를 들어, 손실성 재료는 엄격한 인화성 기준(stringent flammability standards)을 만족시키기 위해 방화제(fire retardant)와 결합될 수 있다. 인화성 기준의 하나는 UL94VO 버티컬 플래임 테스트이며, Underwriyer Laboratories Standard 94, 1996년 제 5판에 "Test for Flammability of Plastic Materials for Parts in Device and Appliances"의 제목으로 상세히 기술되어 있으며, 이는 본 명세서에 전체적으로 참조된다. 일 실시예에 있어서, 방화제는 카르보닐 철 분말과 같은 첨가제가 특정 형태로 준비되어 손실성 재료와 결합되는데, 이에 의해 각 첨가제가 엘라스토머, 또는 레진 바인더와 같은 매트릭스로 부유된다.
다양한 미국 특허가 손실성 재료 및 그들의 사용을 개시하고 있다. 예를 들어, Adkins의 미국 특허 제 4,408,255호, 무어 등의 미국특허 제 5,689,275호, 킴 등의 미국 특허 제 5,617,095호, 및 브라운 등의 미국 특허 제 5,428,506호가 있으며, 이들은 본 명세서에 전체적으로 참조된다. 2002년 10월 21일 출원에 출원되어 미국특허청에 계류 중인 가특허 출원 번호 60/419,873(본 명세서에 전체적으로 참조됨) 역시 손실성 재료를 개시하고 있다. 손실성 재료의 몇몇 제조사로는, 캘리포니아주, 산 마르코스의 R＆F 프로덕트, 캘리포니아주, 산 호세의 ARC Technical Resources, Inc, 캘리포니아주, 유니온 시티의 Tokin America, Inc., 뉴욕주, 롱아일랜드 시티의 Intermark-USA, Inc., 일리노이주, 마운트 프로스펙트의 TDK, 메사추세츠주 캔톤의 Emerson＆ Curning Composite Materials, Inc., 메사츠세츠주 아본의 Cuming Corp. Microwave Products, 뉴욕주 인우드의 Capcon을 들 수 있다.
본원 발명에 따르면, 제1의 고주파수 흡수 EMI 재료를 제2의 반사 EMI 재료에 가함으로써 전기 소자를 위해 새롭게 제조되거나 기존의 패키지 또는 하우징에 EMI 쉴드가 추가될 수 있다. 고주파수 흡수재는 손실성 재료를 포함한다. 일부 실시예에서, 손실성 재료는 본질상 광범위한 주파수 위의 EMI 에너지 흡수하는 브로드 밴드이다. 반사 EMI 재료는 본 기술분야의 당업자들에게 의해 현재 사용되는 시트 금속을 포함하는 금속과 같은 임의의 EMI 쉴드 재료일 수 있다.
일 실시예에서, 손실성 재료는 시트로 제조되고 메탈릭 EMI 쉴드와 같은 전도성 EMI 쉴드의 일부에 도포된다. 대안적으로, 손실성 재료는 제조 공정 중에 시트 또는 코팅으로서 도포될 수 있다. 손실성 재료는 EMI 쉴드의 내부, 외부 또는 내부 및 외부 모두에 부가될 수 있다.
도 2a는 반사성 재료(100)에 도포되는 흡수재(102)를 포함하는 EMI 엔클로져(99)로 구성되는 EMI 쉴드의 일 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 흡수재 또는 손실성 재료(102)은 접착제(104)를 이용하여 반사재료의 적어도 일부분에 도포된다. 접착제는 에폭시와 같은 경화성 접착제 또는 감압성 접착제와 같은 비경화성 접착제일 수 있다. 접착제는 경화성 접착제 또는 비경화성 접착제일 수 있다.
EMI 엔클로져(99)는 높은 전도성 반사 재료(100), 예를 들어, 알루미늄, 구리,니켈, 주석, 은, 금, 베릴륨, 스틸, 스테인레스 스틸, 니켈 플레이트형 구리, 인청동, 틴 플레이트형 스틸등과 같은 상이한 전도성 재료의 조합 또는 합성물을 포함하는 시트 금속일 수 있다. EMI 엔클로져(99)는 또한 전기적 전도성으로 적합하게 코팅된 클라스틱 또는 메탈릭층과 같은 절연성 재료를 포함할 수 있다. 이러한 금속 코팅된 플라스틱 어플리케이션들은 소형의 경량의 전자 소자 패키징에 흔하다.
EMI 엔클로져(99)는 상자와 같이 실질적으로 닫혀진 콘테이너 또는 6면보다 적은 면을 갖는 상자 또는 케이지(cage)와 같은 일부 개방형 콘테이너일 수 있다. 예를 들어, 회로 보드, 기판, 또는 전도성 엔클로져와 같은 또 다른 표면상으로 EMI 엔클로져(99)가 설치되는 어플리케이션의의 경우, EMI 엔클로져(99)는 단지 다섯개의 측면만을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, EMI 엔클로져(99)는 전자 디바이스에 고정되기에 적합한 플레이트와 같은 평면일 수 있다. EMI 엔클로져(99)는 또한 하나 이상의 개구(106)를 포함하 수 있다. 예를 들어, 개구는 전기 소자 및/또는 그 내부에 배치된 소자들에 상호연결을 제공하는데 유용하다. 또한, 개구는 냉각을 위해 또는 폐쇠 표면이 불필요한 어플리케이션을 위해 비용 및/또는 용량절약을 위한 경우에도 유용하다.
손실성 재료(102)은 EMI 엔클로져(99)의 전체적인 내부면 및/또는 외부면에 선택적으로 도포될 수 있다. 대안으로, 손실성 재료(102)는 내부면 및/또는 외부면의 일부에 선택적으로 도포될 수 있다. 예를 들어, 전자기 에너지가 바람직한 분극을 갖는 애플리케이션에서 또는 EMI 엔클로져(99)의 일부만이 EMI 에너지에 노출되는 애플리케이션에서, 손실성 재료(102)는 제한된 방식으로 도포되어, 대부분의 취약한 표면(즉, 노출된 표면)을 덮을 수 있다.
손실성 재료(102)은 제조공정 동안 도포될 수 있거나 또는 손실성 재료(102)은 제조 후에 도포될 수 있다. 비전도성의 감압성 접착제(104)의 사용은 제조공정 후에 손실성 재료(102)의 도포를 용이하게 한다. 예를 들어, 손실성 재료(102)는 기판수준의 조립동안, 공형 코팅의 도포 전후에, 시스템 수준의 조립동안, 또는 설치 후에 도포될 수 있다. 이러한 방식에서, 손실성 재료는 어느 때에나 EMI 노출부에 도포될 수 있다. 예를 들어, EMI에 기인한 간섭은 장치 설치 또는 업그레이드 동안 또는 직후에 종종 먼저 발생하거나 또는 처음에 밝혀진다(first-evident). 이러한 순간에 전자기 환경이 비예측적인 방식으로 종종 변경하는 것은 일반적이다. 따라서, 손실성 재료의 도포를 필요에 따라 맞춤화함으로서, 설치-이후 시나리오동안 EMI를 경감시키는 것이 유익하다.
도 2b를 참조하면, 접착제(104)를 사용하여 손실성 재료(102)가 EMI 엔클로져(99)의 외부면에 도포되는 EMI 엔클로져(99)의 다른 실시예가 도시된다. 외부 도포는 다른 외부의 시스템 및 장치로부터 EMI에 대한 충격을 감쇄시킨다. 부가적으로, 손실성 재료(102)의 외부 도포는 엔클로져(99)에 잔류하는 표면전류 뿐만 아니라 근사한 인접 필드를 감쇄시킨다.
도 2c는 도전성 하우징(100)의 내부면 및 외부면 모두에 접착제(104)를 사용하여 손실성 재료(102)가 도포되어 있어 EMI 엔클로져(99)의 양측면의 EMI를 감쇄시키는 EMI 엔클로져(99)를 나타낸다.
도 3은 흡수재(102)가 도 1a 및 도 1b의 EMI 케이지(50; cage)에 도포되는 실시예의 직교상의 투시도, 외부의 상부, 측면 및 바닥을 나타낸다. 흡수재(102)는 EMI 케이지(50)의 내부 상부면을 따라서 맞추어지도록 치수화된 직사각형 시트에 준비된다. 일 실시예에서, 약 0.03 인치의 두께를 갖는 EMI 재료(102)의 시트가 형성된다. 흡수 시트(102)는 접착제를 사용하여 내부 상부면에 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 흡수 시트(102)는 그 안에 삽입된 때 적절하게 치수화된 부품에 의해 제공된 기계적 압력에 의존하여 EMI 케이지(105)의 내부 상부면에 탈부착가능하게 부착될 수 있다.
도 4a는 외부 손실성 재료층(200)이 도전성 재료(100)의 외부면에 도포되어 있는 EMI 엔클로져(99)의 단면도를 나타낸다. 이러한 도포시, 손실성 재료(200)는 접착제의 사용없이 도포된다. 도전성 재료(100)에 손실성 재료(200)를 도포하는 다른 공정은 페인팅, 딥핑(dipping), 분사, 인킹(inking), 실크 스크리닝 및 기술 분야의 숙련된 당업자에게 공지된 다른 공정 등과 같은 다양한 코팅 공정을 포함한다.
도 4b는 내부 손실성 재료층(202)이 도전성 재료(100)의 내부면에 유사하게 도포되어 있는 EMI 엔클로져(99)의 단면도를 나타낸다. 도 4c는 엔클로져(99)의 내부면과 외부면 모두에 각각 도포되어 있는 외부 손실성 재료층(200)과 내부 손실성 재료층(202)을 갖는 EMI 엔클로져(99)의 단면도를 나타낸다.
도 5는 EMI 엔클로져(99)가 전자부품 또는 장치(400)에 직접 도포되어 있는 다른 실시예를 나타낸다. 예를 들어, EMI 엔클로져(99)는 집적회로 또는 장치 케이스의 적어도 일면에 선택적으로 도포될 수 있다. 일 실시예에서, EMI 엔클로져(99)는 고도의 도전층(100), 최적의 접착층(104), 손실성 재료층(102) 및 제2접착층(103)을 포함하는 EMI 쉴드를 형성한다. 다른 실시예에서, EMI 엔클로져(99)는 접착층(104)없이 스크류, 클립 또는 마찰 클램프와 같은 다른 고정수단을 사용하여 장치(400)에 고정될 수 있다.
도 6은 실질적으로 EMI 쉴드(105)의 전체 외부면이 손실성 재료(102)의 층으로 보호되어 있는 EMI 엔클로져(99)의 일 실시예의 분해도를 나타낸다. 손실성 재료(102)에는 상술된 바와 같이 접착제(104)가 도포되고 손실성 재료(102)에 개구가 제공되어 EMI 쉴드(105)의 내부 개구를 수용한다. 이 기술은 EMI 쉴드(105)의 외부면을 피복하도록 사용될 수 있다. 손실성 재료(102)는 EMI 쉴드에 도포되기 전에 미리 정해진 치수에 따라서 미리절단되거나 또는 미리성형될 수 있다. 대안으로, 손실성 재료(102)는 컴플라이언트 구조로 제작되어 손실성 재료(102)는 EMI 엔클로져의 적어도 일부 주위에 형성(예를 들어, 중첩)될 수 있다. 컴플라이언트 구조의 예는 고무화 흡수재(예를 들어, 흡수입자를 포함하는 폴리머 또는 러버 매트릭스)와 같은 가요성 흡수재를 포함한다. 필요하다면, 개구(106)가 다시 제공되어, 상호접속, 냉각 공기의 흐름 등의 편의를 도모할 수 있다.
EMI 엔클로져(99) 상에 대한 손실성 재료층(102)의 부가는 1GHz 을 초과하는 주파수에서 쉴드 효과를 개선시키는 데 특히 효과적이다. 예를 들어, 도 3에 도시된 EMI 엔클로져의 상부에 대한 카르보닐-철 분말(CIP; carbonyl-iron powder)이 부가된 실리콘 엘라스토머로 구성된 손실성 재료층(102)의 도포에 의해서, 도 1에 도시된 종래기술 장치(50)와 비교하여 개선된 쉴딩 효율성을 제공된다. 특히, 손실성 재료층(102)의 부가는 도 1에 도시된 종래기술 장치(50)에서 문제화되는 것으로 알려진 주파수에서의 쉴딩 효율성을 개선시킨다. 일 실시예에서, 손실성 재료(102)는 예를 들어 거의 0.02 인치의 두께를 갖는 시트로 형성될 수 있다. 이 후에, 손실성 재료(102)의 시트는 비도전성의 감압성 접착제(104)를 사용하여 종래기술의 장치(50)와 같은 쉴드형 케이지의 상부 내면으로 형상화하도록 다이 절단되고 이에 도포될 수 있다. 특정 어플리케이션, 작동 조건, 손실성 재료(102) 및 도포되는 방법 및 장소에 따라, 약 10dB 이상의 쉴딩 효율성의 개선이 달성될 수 있다.
이제, 도 7을 참조하면, 도 1에 예시된 장치(50)에 유사한 EMI 엔클로져의 방사 방출 성능과 흡수재 또는 손실성 재료를 갖춘 동일한 EMI 엔클로져의 방사 방출 성능을 그래프적으로 비교한 테스트 결과가 제공된다. 특히, 테스트된 흡수재(102)는 카르보닐 철 분말이 부가된 0.02 인치 두께의 실리콘 엘라스토머로서 제작되었다. 부가된 엘라스토머는 다이 절단되고 EMI 엔클로져의 내부 상면에 도포되었다. 그래프의 수직축은 각각의 엔클로져에 의해 제공된 감쇄 또는 손실(데시벨 "dB"로 측정됨)을 나타내고 수평축은 대응하는 주파수(메가헤르쯔 "MHz"로 측정됨)를 나타낸다. 결과는 흡수제로 처리된 쉴드가 비처리된 쉴드보다도 측정된 모든 주파수에 있어서 더 큰 감쇄를 제공하는 것을 나타낸다. 예를 들어, 약 2,000 MHz에서, 흡수제 처리된 쉴드는 개선 또는 감쇄의 차(즉, "△") 또는 적어도 약 8dB의 개선을 제공한다.
도 8을 참조하면, 전자 소자를 쉴드하기 위한 프로세스는 고-전도 EMI 재료과 갖은 EMI 쉴드를 제공하는 단계(500)를 포함한다. 일반적으로, 고-전도 재료 또는 EMI 쉴드는 하나 이상의 전자 소자를 둘러싸도록 형성된다. EMI 쉴드는 방사된 전자기 에너지를 반사하도록 작동하여, 쉴드의 한 측면에서 발생한 전자기 에너지를 해당 측면에 유지하려는 경향이 있다. 그러나, 쉴드내에 개구(aperture)가 있다면, 일부 EMI는 다른 측면으로 침투할 것이다. 또한, EMI 쉴드는 전도된 EMI를 수집하도록 동작하여 그것을 전기 접지로 향하게 한다.(예를 들면, EMI 쉴드는 인쇄회로 기판과 같은 기판으로 표면-장착 용접을 통해 전기적으로 접지될 수 있다). EMI 쉴드는 또한 하나 이상의 접지 리드 또는 본딩 스트랩(bonding strap), 또는 전기 접지에 상호연결되도록 설계된 하나 이상의 설치 핀을 통해 접지될 수 있다. EMI 쉴드는 내포된 전자 소자에 의해 생성된 EMI 부분을 자신의 밀폐된 캐비티내에 억제시킴과 동시에, 상기 내포된 소자를 외부 전자기 에너지의 자화성(susceptibility)으로부터 보호한다.
다음, 흡수재가 제공된다(단계 510). 흡수 또는 손실성 재료는 EMI 에너지를 열 에너지와 같은 다른 형태의 에너지로 전환하여, EMI의 변환된 부분을 환경으로부터 제거한다. 흡수재는 내표면, 외표면, 또는 양측면에, 부분적 또는 전체적으로 도포될 수 있다. 손실성 재료가 캐비티를 형성하는 EMI 쉴드의 내측 부분에 도포되는 애플리케이션의 경우에, EMI의 일부를 흡수하는 것에 부가하여, 손실성 재료가 캐피티에 의해 형성된 공진의 품질 인자를 바꾼다. 손실성 재료가 넓은 범위의 주파수에 걸쳐 작동하는 애플리케이션의 경우에, 손실성 재료의 광대역 특징은 광대역 주파수에 걸친 공진을 제거하도록 동작한다. 끝으로, 제2 EMI 재료(즉, 손실성 재료)가 본딩되고, 고정되고, 또는 그렇지 않으면 제1 EMI 재료(즉, EMI 쉴드)에 도포된다(단계 520).
임의의 실시예에서, 프로세스는 인쇄기판과 같은 기판에 흡수 EMI 쉴드를 고정시키기 위한 추가 단계를 포함한다(단계 525). 따라서, 일부 어플리케이션에서, 디바이스 또는 심지어 소자 수준에서 EMI 보호를 제공하는 이점이 있다. 이러한 목표화된 쉴드는 비용을 절약하고, 복잡성을 줄이고, 성능을 개선시킨다. 인쇄 회로 기판과 같은 회로 보드상에 장착된 전자 디바이스를 하우징하기 위해 채용되는 제품 쉴드("보드 레벨 쉴드(board-level shield)")는 상업적으로 입수 가능하다. 보드-레벨 EMI 쉴드의 공급자중 하나는 일리노이주 샴버그의 BMI사이다. 바람직한 보드-레벨 전기-전도 EMI 쉴드에는 BMI 부품 번호 BMI-S-101 내지 BMI-S-107, 및 BMI-S-201 내지 BMI-S-207가 있다.
보드-레벨 EMI 쉴드는 전기적 전도성이 있으며, 일반적으로, 박스의 하부면이 개방된 다섯개 면을 가지는 박스를 형성한다. 그러므로, 개방형 박스는 보드-장착 전자 디바이스의 상부에 배치될 수 있다. 도 9a는 보드-레벨 쉴드(600)의 일 실시예의 상부, 전면, 측면을 도시한다. 보드-레벨 쉴드(600)는, 도시된 바와 같이, 상부 도전 표면(604)상에 하나 이상의 개구(602)를 선택적으로 포함할 수 있다. 다시말해, 개구(602)는 공기 흐름의 냉각을 허용할 뿐만 아니라, 쉴드된 디바이스와의 상호접속을 도모할 수 있다. 또한,보드-레벨 쉴드(600)의 도전측면(605a)은 기판에 설치되도록 개조될 수 있다. 예를 들면, 측면(605a)은 표면 장착 어플리케이션에 대한 설치 패드 또는 설치핀을 포함할 수 있는데, 이는 용접에 의해 보드-레벨 쉴드(600)를 회로보드에 고정시키는데 이용될 수 있다. 임의의 실시예에서, 핀(610)은 회로보드를 통해 및/또는 회로보드로 확장되어 측면의 설치에지(615)가 회로보드와 접촉하도록 한다. 회로보드를 갖는 쉴드(600)의 측면의 가까운 접촉은 일반적으로 EMI가 전파될 수 있는 원치않는 개구를 줄이는데 바람직하다. 그다음, 전술한 바와 같이, 전자기 흡수체(absorber:618)가 보드-레벨 쉴드(600)의 하나 이상의 도전면(604, 605a, 605b)에 도포될 수 있다. 도시된 바와 같이, 흡수체(618)는 시트로서 구성되며 쉴드의 내측 상면(604)에 설치된다. 임의 실시예에서, 흡수체(618)는 추가적으로 또는 대안적으로 측면(604, 605a, 605b)에 설치되고/설치되거나 임의의 외부 표면에 설치될 수 있다.
도 9b는 보드-레벨 흡수 EMI 쉴드(600)의 하나의 패키징 실시예를 도시한다. 여러개의 보드 레벨 쉴드(600)가 릴(reel) 위에 감겨질 수 있는 테이프(620)에 패키지될 수 있다. 이러한 테이프 및 릴 패키징 실시는 고-체적, 고-효율성 어플리케이션의 인쇄회로 기판을 포퓰레이트(populate)하기 이용되는 자동화 디바이스에 잘 채용된다. 예는 인쇄 회로 기판 어플리케이션에 관한 것이지만, 본 발명은 확장가능하며, 반도체 기판과 같은 다른 표면에 설치하기 위해 채용될 수 있다.
도 10a내지 도 10d는 두개의 보드- 레벨 흡수 EMI 쉴드를 포함하는 대안적인 실시예를 도시한다. 도시한 바와 같이, 표면중 적어도 하나가 탈착가능하다는 점을 제외하고는, 전기적 도전 프레임(700)은 전술한 하나의 보드-레벨 쉴드(600)과 유사하게 구성된다. 예를 들면, 프레임(700)은 하나의 표면이 실질적으로 개방되도록 하나 이상의 개구(705)를 포함할 수 있으며, 이에 의해 그내부에 하우징된 임의의 소자 및/또는 디바이스에 대한 액세스를 허용한다. 선택적으로, 지지부재(710)은 자동화 디바이스에 의해 프레임(700)의 처리를 촉진하기 위해 및/또는 구조물 지지를 위해 제공될 수 있다. 상부 또는 커버(740)과 같은 별도의 표면이 제공될 수 있으며, 이에 의해 상부가 프레임(700)에 고정될 수 있다. 임의의 실시예에서, 커버(740)는, 예를 들어, 마찰 피트(frictional fit) 또는 장력 피트(예, 스프링 핑거(spring finger))를 제공하는 기계적 고정 수단을 이용하여 착탈식으로 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 커버(70)는 도전성 접착제 또는 솔더와 같은 화학적 고정재(fastener)를 이용하여 착탈식 부착될 수 있다. 커버(740)와 같은 적어도 하나의 측면은 흡수체(744)와, 선택적으로, 상호 연결 및/또는 냉각을 위한 개구(742)를 포함할 수 있다. 도 10c 및 10d에 도시된 바와 같이, 두개의 EMI 쉴드는 또한 고-체적 질량 제품을 제공하기 위해 테이프 및 릴 구성으로 패키지될 수 있다. 도 10c에 도시된 일 실시예에서, 프레임(700)은 제1 테이프(750a)상에 설치된다. 도 10d에 도시된 두번째 실시예에서 커버(740)는 제2 테이프(750b)상에 설치된다. 다른 실시예에서, 결합된 프레임(710) 및 커버(740)은 단일 테이프상에서 프리-어셈블링되어 패키징될 수 있다.
청구된 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않는 범위에서 본 명세서에서 설명된 실시예들의 변경, 수정 및 다른 실시예가 당업자들에게 자명할 것이다. 도시된 다양한 특징 및 구성및 등가물은 다양한 결합 및 교환으로 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 전술한 설명에 제한되지 않으며,이하의 청구항에 의해 제한될 것이다.

Claims (28)

  1. 고주파수의 전자기 간섭으로부터 쉴드를 제공하기 위한 장치에 있어서,
    상기 장치는,
    전기적 도전 프레임 및 상기 전기적 도전 프레임에 부착되는 착탈식 커버를 포함하며, 디바이스의 적어도 일부를 커버하는 전기적-전도성 쉴드와,
    상기 전기적-전도성 쉴드의 상기 착탈식 커버의 제1 측면상에 배치되는 전자기 흡수재
    를 포함하며,
    상기 전자기 흡수재는 실리콘 엘라스토머 및 카르보닐 철 분말을 함유하는 매트릭스를 포함하며, 상기 전자기 흡수재의 두께는 2000 MHz 에서 10,000 MHz 범위 내의 주파수를 갖는 전자기 에너지를 흡수하기 위한 것이며, 상기 전기적-전도성 쉴드와 상기 전자기 흡수재의 결합에 의해서 상기 디바이스에 대한 전자기적 에너지 전달이 감쇄되는, 쉴드 제공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 다바이스를 하우징하는 캐비티를 정의하는 엔클로져(enclosure)를 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 엔클로져는 모든 측면에서 상기 디바이스를 둘러싸는, 쉴드 제공 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 엔클로져는 보드-장착형 디바이스를 커버하는, 쉴드 제공 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 전자기 흡수재는 내부 표면의 적어도 일부에 도포되는, 쉴드 제공 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 엔클로져는 회로 보드에 부착되는, 쉴드 제공 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 엔클로져는 착탈식으로 부착가능한 커버를 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드는 광섬유 전송기 및 광섬유 수신기중 적어도 하나를 하우징하는, 쉴드 제공 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드는 기가비트 인터페이스 변환기(GBIC)를 하우징하는, 쉴드 제공 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드는 소형-형태-인자 플러거블 표준(small-form-factor-pluggable standard)에 부합하는 형태 인자를 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드는 알루미늄, 구리, 니켈, 주석, 은, 금, 베릴륨, 인청동(phosphor bronze), 스틸, 스테인레스 스틸 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 쉴드 제공 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드는 시트(sheet) 금속을 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전자기 흡수재는 전기적 전도성 재료, 카르보닐기 철 분말, 센더스트(sendust), 페라이트, 철 실리사이드, 자기 합금, 자기 플레이크(flake) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 전기적 전도성 재료를 더 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전자기 흡수재는 매트릭스 형태로 부유되는 전기적 흡수성 미립자를 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 전자기 흡수재는,
    전기적 전도성 재료, 탄소,카르보닐 철 분말, 센더스트(sendust), 페라이트, 철 실리사이드, 자기 합금, 자기 플레이크(flake), 스틸 울(steel wool), 탄소-침지된 고무(carbon-impregnated rubber), 플라스틱 나선형 캐리어(plastic stranded carrier)의 페라이트, 금속 호일, 철, 니켈 및 철/니켈 조성물을 포함하는 금속 클래드(clad) 재료, 철, 니켈, 에폭시를 갖는 구리, 락커 바인더(lacquer binders) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 페이스트 조성물, 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 전기적 전도성 재료를 더 포함하는, 쉴드 제공 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 전자기 흡수재는 감압성 접착제를 이용하여 부착되는, 쉴드 제공 장치.
  17. 디바이스에 대한 고주파수 전자기 에너지의 전달을 감쇄시키기 위한 방법에 있어서,
    디바이스의 적어도 일부를 커버하는 전기적-전도성 쉴드에서 전자기 에너지를 반사시키는 단계 -상기 전기적-전도성 쉴드는 상기 디바이스로의 액세스를 허용하는 개구를 갖는 전기적 도전 프레임과, 상기 디바이스를 커버하기 위해 상기 전기적 도전 프레임에 착탈식으로 부착되는 커버를 포함함- 와,
    상기 전기적-전도성 쉴드와 관련된 전자기 공진을 변경시키는 단계와,
    실리콘 엘라스토머 및 카르보닐 철 분말을 함유하는 매트릭스를 포함하는 전자기 흡수재에 의해 상기 전기적-전도성 쉴드에 근접한 전자기 에너지의 일부를 흡수함에 따라 상기 디바이스에 대한 전자기 에너지의 전달을 감소시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 전자기 흡수재의 두께는 2000 MHz 에서 10,000 MHz 범위 내의 주파수를 갖는 전자기 에너지를 흡수하기 위한 것인, 에너지 전달 감쇄 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 전자기 공진을 변경시키는 단계는,
    상기 전자기 공진의 피크 진폭을 감소시키는 단계를 포함하는, 에너지 전달 감쇄 방법.
  19. 디바이스에 대한 고주파수 전자기 에너지의 전달을 감쇄시키기 위한 방법에 있어서,
    디바이스의 적어도 일부를 커버하는 전기적-전도성 쉴드를 제공하는 단계 -상기 전기적-전도성 쉴드는 상기 디바이스로의 액세스를 허용하는 개구를 갖는 전기적 도전 프레임과, 상기 디바이스를 커버하기 위해 상기 전기적 도전 프레임에 착탈식으로 부착되는 커버를 포함함- 와,
    실리콘 엘라스토머 및 카르보닐 철 분말을 함유하는 매트릭스를 포함하는 전자기 흡수재를 제공하는 단계와,
    상기 전기적-전도성 쉴드의 적어도 일부를 상기 전자기 흡수재로 처리하는 단계와,
    처리된 상기 전기적-전도성 쉴드를 상기 디바이스에 근접하여 배치하는 단계
    를 포함하며,
    상기 전자기 흡수재의 두께는 2000 MHz 에서 10,000 MHz 범위 내의 주파수를 갖는 전자기 에너지를 흡수하기 위한 것이며, 처리된 상기 전기적-전도성 쉴드는 상기 디바이스에 대한 전자기적 에너지의 전달을 감소시키는, 에너지 전달 감쇄 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 처리 단계는 상기 전자기 흡수재를 상기 전기적-전도성 쉴드의 제1 측면에 도포하는 단계를 포함하는 에너지 전달 감쇄 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 처리는 페인팅, 딥핑(dipping), 분사(spraying), 기상 증착, 실크 스크리닝(silk screening), 기계적 고정(mechanically fastening), 화학적 본딩(bonding) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 에너지 전달 감쇄 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 처리는, 상기 전자기 흡수재를 상기 전기적-전도성 쉴드상에 몰딩, 성형(formiong) 및 소정 위치에서의 형성중 적어도 하나를 포함하는 에너지 전달 감쇄 방법.
  23. 제19항에 있어서,
    전자기 흡수재를 제공하는 상기 단계는,
    선정된 두께를 갖는 흡수재의 시트(sheet)를 형성하는 단계와,
    상기 전기적-전도성 쉴드의 제1 측면에 도포하기 위해 상기 흡수재의 시트를 개조하는(adapting) 단계
    를 포함하는, 에너지 전달 감쇄 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드의 제1 측면에 도포하기 위해 상기 흡수재의 시트를 개조하는 상기 단계는,
    상기 흡수재의 시트의 적어도 한 측면에 화학적 고정재(fastener)를 도포하는 단계를 포함하는 에너지 전달 감쇄 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 전기적-전도성 쉴드의 제1 측면에 도포하기 위해 상기 흡수재의 시트를 개조하는 상기 단계는,
    상기 흡수재의 시트의 적어도 한 측면에 감압성 접착제를 도포하는 단계를 포함하는 에너지 전달 감쇄 방법.
  26. 디바이스에 대한 고주파수 전자기 에너지의 전달을 감쇄시키기 위한 장치에 있어서,
    상기 장치는,
    디바이스의 적어도 일부를 커버하며, 전자기 에너지를 반사시키기 위한 수단 -상기 전자기 에너지를 반사시키기 위한 수단은 상기 디바이스로의 액세스를 허용하는 개구를 갖는 전기적 도전 프레임과, 상기 디바이스를 커버하기 위해 상기 전기적 도전 프레임에 착탈식으로 부착되는 커버를 포함함- 과,
    상기 전자기 에너지를 반사시키기 위한 수단과 관련된 전자기 공진을 변경시키기 위한 수단과,
    전자기 에너지의 일부를 흡수하기 위한 수단
    을 포함하며,
    상기 전자기 에너지의 일부를 흡수하기 위한 수단은 실리콘 엘라스토머 및 카르보닐 철 분말을 함유하는 매트릭스를 포함하며, 상기 전자기 에너지의 일부를 흡수하기 위한 수단의 두께는 2000 MHz 에서 10,000 MHz 범위 내의 주파수를 갖는, 에너지 전달 감쇄 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 전자기 에너지를 반사시키기 위한 수단은 전기적-전도성 쉴드를 포함하는, 에너지 전달 감쇄 장치.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 전자기 공진을 변경시키기 위한 수단은 전자기적 흡수재를 포함하는 에너지 전달 감쇄 장치.
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