KR100880597B1 - 자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법 - Google Patents

자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100880597B1
KR100880597B1 KR1020020020670A KR20020020670A KR100880597B1 KR 100880597 B1 KR100880597 B1 KR 100880597B1 KR 1020020020670 A KR1020020020670 A KR 1020020020670A KR 20020020670 A KR20020020670 A KR 20020020670A KR 100880597 B1 KR100880597 B1 KR 100880597B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
permanent magnet
magnet assembly
magnetic field
heat treatment
heat
Prior art date
Application number
KR1020020020670A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020081109A (ko
Inventor
구리야마요시히코
우시지마마코토
아즈마야스유키
Original Assignee
히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 filed Critical 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
Publication of KR20020081109A publication Critical patent/KR20020081109A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100880597B1 publication Critical patent/KR100880597B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/22—Furnaces without an endless core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/04—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering with simultaneous application of supersonic waves, magnetic or electric fields
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Heat Treatment Of Articles (AREA)

Abstract

본 발명은, (a) 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 외측 링형 영구 자석 조립체와, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 내측에 구비되고, 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 내측 링형 영구 자석 조립체를 가지는 자장 발생 수단과, (b) 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내에 위치하고, 외측으로부터 내측으로 차례로 냉각 수단과, 가열 수단과, 복수의 피열처리품을 유지하는 열처리용 유지구를 포함하는 열처리 용기를 구비한 열처리 수단을 구비하는 자장 중 열처리로를 이용하여, 복수의 피열처리품을 동시에 열처리하는 방법으로서, (1) 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 상기 피열처리품을 적층한 열처리용 유지구를 상기 열처리 용기 내에 삽입하고, (2) 상기 외측 링형 영구 자석 조립체를 상기 내측 링형 영구 자석 조립체에 대하여 상대적으로 회전시킴으로써 상기 중앙 공동부 내에 소정의 자장을 존재시킨 상태에서, 상기 가열 수단에 의해 상기 열처리 용기 내의 피열처리품을 열처리하는 동시에, 상기 냉각 수단에 의해 상기 자장 발생 수단을 냉각하고, (3) 상기 피열처리품의 열처리가 완료된 후, 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 열처리품을 상기 열처리 용기로부터 꺼내는 것을 특징으로 하는 자장 중 열처리 방법에 있어서, 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 내경은 120mm 이상이며, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 300mm 이상이며, 또한 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 또는 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이는 100mm 이상이며, 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 H와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 2 ≤ D2/H ≤ 10의 요건을 만족하고, 상기 영구 자석 세그먼트는 복수의 영구 자석 피스를 조합하여 구성되어 있으며, 상기 피열처리품이 표면에 자성막을 형성한 웨이퍼 기판인 것을 특징으로 한다.
자속, 자장, 공동, 열처리 용기, 냉각 수단.

Description

자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법 {HEAT TREATMENT METHOD USING HEAT-TREATING FURNACE WITH MAGNETIC FIELD}
도 1 (a)는 참고예의 제1 자장 중 열처리로의 일례를 나타내는 종단면도이며, 도 1 (b)는 본 발명에 사용되는 제2 자장 중 열처리로의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 2 (a)는 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로의 자장 발생 수단에 있어서, 외측 링형 영구 자석 조립체 및 내측 링형 영구 자석 조립체의 각 영구 자석 세그먼트의 자화(磁化) 방향과 일치하고 있는 경우를 나타내는 개략 단면도이며, 도 2 (b)는 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로의 자장 발생 수단에 있어서, 외측 링형 영구 자석 조립체 및 내측 링형 영구 자석 조립체의 각 영구 자석 세그먼트의 자화 방향이 거의 정반대인 경우를 나타내는 개략 단면도이며, 도 2 (c)는 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로의 자장 발생 수단에 있어서, 내측 링형 영구 자석 조립체에 대하여 외측 링형 영구 자석 조립체를 각도 α로 회전시킨 경우를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체 조합의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체 조립의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체 조합의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 6 (a)는 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 관계의 일례를 나타내는 단면도이며, 도 6 (b)는 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 관계의 다른 예를 나타내는 단면도이며, 도 6 (c)는 내측 링형 영구 자석 조립체 및 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 관계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향에 따른 중앙 공동부(空洞部) 내의 자장 강도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 8은 자기 회로의 외경 및 축선 방향 길이에 대한 중앙 공동부 내의 자속(磁束) 밀도의 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 9는 내측 링형 영구 자석 조립체에 대한 외측 링형 영구 자석 조립체의 회전 각도와 합성 자장의 편향각과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 복수의 영구 자석 피스로 이루어지는 영구 자석 세그먼트의 일례를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 11은 복수의 영구 자석 피스로 이루어지는 영구 자석 세그먼트의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 12 (a)는 영구 자석 세그먼트의 단면 형상의 일례를 나타내는 평면도 및 단면도이며, 도 12 (b)는 영구 자석 세그먼트의 단면 형상의 다른 예를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 13은 자화 방향과 상이한 2 종류의 영구 자석으로 이루어지는 링형 영구 자석 조립체의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 14는 주위 방향으로 8 개의 영구 자석 세그먼트로 이루어지는 링형 영구 자석 조립체와, 12 개의 영구 자석 세그먼트로 이루어지는 링형 영구 자석 조립체에 대하여, 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내의 축선 상의 자석 밀도와 링형 영구 자석 조립체의 중심으로부터의 축선 방향 거리와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 전자석을 가지는 종래의 자장 중 열처리로를 나타내는 개략 단면도이다.
도 16 (a)는 할바흐(Halbach) 자기 회로로서, 외측 링형 영구 자석 조립체 및 내측 링형 영구 자석 조립체의 영구 자석 세그먼트의 자화 방향이 일치되어 있는 경우를 나타내는 개략 단면도이며, 도 16 (b)는 할바흐 자기 회로로서, 외측 링형 영구 자석 조립체 및 내측 링형 영구 자석 조립체의 영구 자석 세그먼트의 자화 방향이 대략 정반대인 경우를 나타내는 개략 단면도이다.
본 발명은 MR(Magnetoresisitive) 헤드, GMR(Giant Magnetoresisitive) 헤드, MRAM(Magnetic Rendom Access Memory) 등의 제조 프로세스에 있어서, 이들을 형성하기 위한 웨이퍼 기판 등을 자장 중에서 열처리하는 노(爐)를 이용한 열처리 방법에 관한 것이다.
자기 헤드는 일반적으로 기판 상에 복수의 강자성층(强磁性層)이 적층된 구조를 가진다. 예를 들면, GMR 헤드는 강자성층 사이에 비자성 절연층이 형성된 구조를 가진다. 또 MRAM 헤드는 기판측으로부터 차례로 반(反)강자성층, 고정 자성층, 비자성 도전층 및 프리 자성층을 가지는 구조를 가진다. 고정 자성층은 전체적으로 한 방향으로 자화(磁化)되어 있다.
고정 자성층을 한 방향으로 자화하기 위해서는 기판 상에 자성 박막을 형성한 후, 자장 중에서 열처리를 실행할 필요가 있다. 통상 0.5T(테슬라) 이상의 배향(配向) 자장을 인가(印加)할 필요가 있고, 고정 자성층의 재질에 따라서는 1.0T를 초과하는 배향 자장이 필요하다. 웨이퍼 기판에 배향 자장을 인가하기 위해, 종래부터 도 15에 나타내는 진공 열처리로가 이용되고 있다. 이 진공 열처리로는 냉각관(112)을 구비한 자장 발생용 코일(113)과, 코일(113)의 내측에 설치한 고주파 코일(114)과, 고주파 코일(114)의 내측에 설치된 복수의 웨이퍼 기판(110)을 지지하는 진공 용기(106)로 이루어진다.
그러나, 이 자장 중 열처리로의 자장 발생 수단은 전자석으로 이루어지며, 1.0T 이상의 자장을 발생하기 위해서는 코일에 500-800A라고 하는 대전류를 흐르게 할 필요가 있고, 안전성의 면에서 바람직하지 않다. 또 대전류를 이용하기 위한 설비가 필요할 뿐만 아니라, 자장 발생용으로 고액의 전기료가 들고, 또 대전류에 의해 발생한 열을 제거하기 위해 대량의 냉각수를 이용해야 한다. 이들을 위해 처리 비용은 비싸지지 않을 수 없다. 또한 상기 구성에서는 누설 자속이 매우 크기 때 문에, 인체에 주는 위험성을 고려하면 설비 스페이스 이외에 안전 확보를 위한 큰 빈 스페이스를 만들어야 할 뿐만 아니라, 주위의 전자 기기에의 영향을 억제하기 위해 장치를 철이나 퍼멀로이 등의 자성체로 둘러쌀 필요가 있다.
초전도 코일을 이용하면, 대량의 전력을 이용하지 않고 자장을 발생시킬 수 있다. 초전도 코일을 이용하는 경우, 전자석과 비교하여 여자(勵磁) 전류 소비는 억제되지만, 초전도 상태를 유지하기 위해 액체 질소 또는 헬륨을 항상 소비해야 해 운전 비용이 높다. 또 초전도 코일을 이용하는 방식에서는 자장이 변동되면 국부적으로 초전도 상태가 정상 전도 상태로 되어 코일이 발열되고, 방치하면 장치 전체의 초전도 상태가 무너져 버린다. 또 초전도 코일은 수T~수10T의 강자장을 발생할 수 있지만, 전자석과 마찬가지로 그 자장 강도에 비례하여 강한 누설 자장의 범위도 넓어진다. 그러므로, 전자석과 동일 누설 자장의 문제가 있다.
여자 전류를 이용하지 않고 자장 강도를 적당히 변경할 수 있는 것으로서, 대략 동일 자력을 가지지만 자화 방향이 상이한 복수의 영구 자석 세그먼트를 조합시켜 이루어지는 할바흐형(Halbach-type) 자기 회로가 있다. 예를 들면, "Journal of Applied Physics Vol. 86, No. 11, 1 December 1999" 및 "Journal of Applied Physics Vol. 64, No. 10, 15 November 1988", 및 일본국 특개평 6(1994)-224027호를 참조.
할바흐형 자기 회로의 일례를 도 16에 나타낸다. 도 16에 나타내는 원통형 할바흐형 자기 회로는 서로 회전 가능한 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)에 의해 구성되어 있다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)가 도 16 (a)에 나타내는 위치에 있을 때, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 자장 방향과 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 자장(磁場) 방향은 동일이다. 그러므로, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 중앙 공동부(20)에는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)로부터 발생하는 자장과 외측 링형 영구 자석 조립체(2)로부터 발생하는 자장을 합친 강도의 화살표 방향의 합성 자장이 있다.
한편, 도 16 (b)에 나타낸 바와 같이 도 16 (a)의 위치로부터 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 180도 회전시킨 상태에서는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 자기 회로에서 발생하는 자장과 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 자기 회로에서 발생하는 자장과는 반대의 자화 방향을 때문에 서로 상쇄된다. 따라서, 중앙 공동부(20) 내에서는 자장은 거의 제로가 된다. 이와 같이, 양 원통의 회전 각도에 따라 자장 크기를 제로로부터 최대까지 조정할 수 있다.
피열처리품이 자기 저항막을 가지는 웨이퍼 기판의 경우, 자기 저항 효과를 안정적으로 향상시키기 위해서는 통상 1.0T 이상으로 큰 자장이 필요하는 뿐만 아니라, 자장을 자성막의 자화 방향에 대하여 평행 또한 균일할 필요가 있다. 그러나 종래의 전자석을 가지는 열처리로에서는 자성막과 평행하는 균일 자장 발생시킬 수 없었다.
따라서 본 발명의 목적은 균일한 평행 자장을 발생하는 동시에, 누설 자장이 저감된, 안전성이 높고 소형으로 고정밀도의 자장 중 열처리로를 이용한 피열처리품의 자장 중 열처리 방법을 제공하는 것이다.
삭제
복수의 피열처리품을 한번에 자장 중 열처리하는 경우, 피열처리품을 가열하는 수단의 외주에 냉각 수단을 설치함으로써, 자장 발생 수단으로서 영구 자석을 이용할 수 있는 것, 또한 자장 발생 수단으로서 이중 원통형 할바흐형 자기 회로를 사용함으로써, 열처리 중 피열처리품의 직경 방향으로 고정밀도로 균일한 평행 자장을 인가할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명에 이르렀다.
본 발명에 사용되는 제1 자장 중 열처리로는 (a) 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 하나의 링형 영구 자석 조립체로 이루어지는 자장 발생 수단과, (b) 상기 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내에 위치하고, 외측으로부터 내측으로 차례로 냉각 수단과, 가열 수단과, 복수의 피열처리품을 유지하는 열처리용 유지구를 포함하는 열처리 용기를 구비한 열처리 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 링형 영구 자석 조립체는 120mm 이상의 내경 및 300mm 이상의 외경을 가지며, 또한 100mm 이상의 축선 방향 길이를 가지는 것이 바람직하다. 또 상기 링형 영구 자석 조립체는 반경 방향 외측으로 갈수록 축선 방향으로 짧아지는 것이 바람직하다.
상기 링형 영구 자석 조립체를 구성하는 각 영구 자석 세그먼트는 1.1T 이상의 잔류 자속 밀도 및 1114kA/m, 즉 14kOe 이상의 보자력(保磁力)을 가지는 것이 바람직하다.
상기 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 H와 외경 D1은 2 ≤D1 / H ≤10의 요건을 만족시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 제2 자장 중 열처리로는 (a) 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 외측 링형 영구 자석 조립체와, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 내측에 구비되고, 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 내측 링형 영구 자석 조립체를 가지는 자장 발생 수단과, (b)상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내에 위치하고, 외측으로부터 내측으로 차례로 냉각 수단과, 가열 수단과, 복수의 피열처리품을 유지하는 열처리용 유지구를 포함하는 열처리 용기를 구비한 열처리 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
제1 및 제2 자장 중 열처리로에 있어서, 열처리로 내는 진공인 것이 바람직하지만, 진공도는 한정적이 아니다. 또 열처리로 내에 소량의 불활성 가스를 포함해도 된다.
제1 및 제2 자장 중 열처리로에 있어서, 상기 냉각 수단은 냉각액이 흐르는 냉각관과, 상기 냉각관의 외주에서 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 내측에 설치된 히트 싱크판을 가지는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 자장 중 열처리로에 있어서, 상기 자장 발생 수단의 축선 방향 자장 중심과, 상기 열처리 용기 내에 삽입되는 피열처리품 집합체의 축선 방향 자장 중심은 일치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 외측 링형 영구 자석 조립체와 상기 내측 링형 영구 자석 조립체는 상대적으로 회전 가능하고, 또한 상기 중앙 공동부에서 열처리되는 피열처리품과 내측 링형 영구 자석 조립체는 상대적으로 방향이 바뀌지 않는 것이 바람직하다. 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 및 상기 외측 링형 영구 자석 조립체가 상대적으로 회전 가능하기 때문에, 상기 중앙 공동부 내의 자장은 0-2T의 범위에서 증감 가능하다.
상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 내경은 120mm 이상이며, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경은 300mm 이상이며, 또한 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 또는 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이는 1OOmm 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에서는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 및 상기 외측 링형 영구 자석 조립체가 상이한 축선 방향 길이를 가진다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 및/또는 상기 외측 링형 영구 자석 조립체는 반경 방향 외측으로 갈수록 축선 방향으로 짧아진다.
상기 외측 링형 영구 자석 조립체 및 상기 내측 링형 영구 자석 조립체를 구성하는 각 영구 자석 세그먼트는 1.1T 이상의 잔류 자속 밀도 및 1114kA/m, 즉 14kOe 이상의 보자력을 가지는 것이 바람직하다.
상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 H와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 2 ≤D2 / H ≤10의 요건을 만족시키는 것이 바람직하다.
상기 자장 중 열처리로를 사용하여 복수의 피열처리품을 동일하게 열처리하는 본 발명의 방법은 (1) 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 상기 피열처리품을 적층한 열처리용 유지구를 상기 열처리 용기 내에 삽입하고, (2) 상기 외측 링형 영구 자석 조립체를 상기 내측 링형 영구 자석 조립체에 대하여 상대적으로 회전시킴으로써 상기 중앙 공동부 내에 소정의 자장을 존재시킨 상태에서, 상기 가열 수단에 의해 상기 열처리 용기 내의 피열처리품을 열처리하는 동시에, 상기 냉각 수단에 의해 상기 자장 발생 수단을 냉각하여, (3) 상기 피열처리품의 열처리가 완료된 후, 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 열처리품을 상기 열처리 용기로부터 꺼내고, 상기 피열처리품은 표면에 자성막을 형성한 웨이퍼 기판인 것을 특징으로 한다.
삭제
복수의 상기 피열처리품의 집합체의 축선 방향 중심이 상기 자장 발생 수단의 축선 방향 자장 중심과 일치되는 위치에서, 상기 피열 처리품 집합체를 상기 열처리 용기 내에 유지하는 것이 바람직하다.
상기 열처리 용기 내를 진공으로 한 상태에서 열처리를 실행하는 것이 바람직하다.
도 1 (a)에 도시한 바와 같이, 참고예의 제1 자장 중 열처리로는 열처리 용기(6)와 가열 수단(5)으로 이루어지는 열처리 수단의 외주에, 냉각 수단(3)을 통해 링형 영구 자석 조립체(1)를 설치하여 이루어지므로, 수평면 내에서 한 방향의 균일 자장을 저비용으로 안정적으로 발생시킬 수 있다.
또 도 1 (b) 에 도시한 바와 같이, 본 발명에 사용되는 제2 자장 중 열처리로는 열처리 용기(6)와 가열 수단(5)으로 이루어지는 열처리 수단의 외주에, 냉각 수단(3)을 통해 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)로 이루어지는 2중 원통식의 할바흐형 자기 회로를 가지는 자장 발생 수단을 가짐으로써, 축선 방향으로 비교적 한정된 범위에 집중된 수평면 내에서 한 방향의 균일 자장을 저비용으로 안정적으로 발생시킬 수 있다. 또 중앙 공동부(20) 내의 자장 강도는 임의로 조절할 수 있다. 따라서, 비교적 얇고 대경(예를 들면, 6-8인치 또는 그 이상)인 자성막 웨이퍼 기판 A를 복수 매 한번에 열처리하는 데 바람직하다.
제2 자장 중 열처리로에 있어서, 자장 발생 수단을 구성하는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)는 상대적으로 회전 가능하지만, 피열처리품 A와 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와는 상대적으로 방향이 변하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 피열처리품 A와 내측 링형 영구 자석 조립체(1)를 함께 비회전으로 해도 된다. 또는 피열처리품 A와 내측 링형 영구 자석 조립체(1)를 동일하게 회전시키고, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 이들에 대하 여 회전시켜도 된다. 동심원 상의 2중의 링형 자기 회로(1,2)가 상대적으로 회전함으로써, 내외의 링형 영구 자석 조립체(1,2)가 발생하는 자장은 합성되어, 중앙 공동부(20) 내에 임의의 합성 자장 강도가 얻어진다. 이와 같이 중앙 공동부(20) 내의 수평 평면 내 평행 자장은 각 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 자장 강도를 1T로 하면, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 회전에 따라 대략 0∼2T의 범위에서 변동할 수 있다.
자장 중 열처리할 부재의 품질 안정화를 위해, 피열처리품 A를 열처리로(6)에 삽입할 때 및 꺼낼 때 중앙 공동부(20) 내의 자장 강도를 제로로 하는 것이 바람직하다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1)에 대하여 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 회전시키면, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 중앙 공동부(20) 내의 합성 자장은 도 9에 나타낸 바와 같이 회전하면서, 약 0∼2T의 범위에서 변화된다.
따라서, 본 발명의 열처리 방법은 (1) 외측 링형 영구 자석 조립체(2)가 발생하는 자장과 내측 링형 영구 자석 조립체(1)가 발생하는 자장이 정반대의 방향으로 되도록 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 회전시키고, 자장 강도를 대략 제로로 한 상태에서 피열처리품 A를 열처리 용기(6) 내에 삽입하여, 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 자기 회로에서 발생한 합성 자장의 축선 방향 중심으로 피열처리품 A를 설치하고, (2) 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 회전시키고, 자장 강도를 원하는 강도로 조정한 상태에서 피처리품 A를 열처리하고, (3) 열처리 완료 후 인가 자장 강도를 상기와 동일하게 하여 다시 대략 제로로 한 상태에서 열처리품 A를 열처리 용기로부터 꺼내는 공정을 가진다. 이 때, 만일 피열처리품 A를 고정하여 내측 링형 영구 자석 조립체(1)를 회전시키고 있으면, 피열처리품 A에 이러한 자장은 변동되므로, 열처리품 A의 자기 특성에 불균일이나 열화가 나타날 우려가 있다. 따라서 중앙 공동부(20) 내에서 열처리되는 피열처리품 A와 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와는 상대적으로 방향이 바꾸지 않도록 하는 것이 바람직하다.
양 링형 영구 자석 조립체(1,2)가 발생하는 자장은 벡터 합성된다. 그러므로, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)가 발생하는 자장의 강도가 함께 예를 들면 0.5T인 경우, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)에 대한 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 회전 각도 α와 합성 자장의 편향각(θ)과의 관계는 도 9에 나타낸 바와 같이 된다. 이와 같이 내측 링형 영구 자석 조립체(1)를 회전하여 자장 강도를 변화시킨 경우, 자장 방향은 최종적으로는 정반대 방향(180°)이 된다. 그러나 외측 링형 영구 자석 조립체(2)가 회전한 경우, 합성 자장의 편향각(θ)은 최대 90° 이다. 열처리 종료 후에 자장을 제로로 되돌리는 동안, 열처리품 A에 일정 방향의 자장이 인가되도록 하기 위해서는 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 합성 자장 방향으로 맞추어, 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 또는 열처리용 유지구(10)를 회전시킨다.
내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 간극 없이 동심원 상에 배치하면, 하나의 링형 자기 회로로 간주할 수 있다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)에 간극이 있으면, 양자 사 이에 자기 저항이 증대되고, 내측링형 영구 자석 조립체(1)의 중앙 공동부(20) 내의 자장 강도는 저하된다. 그러므로, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2) 사이에 간극이 없는 경우, 자장 발생 수단은 가장 작다. 따라서, 자장 발생 수단의 성능은 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 외경에 의해 결정된다.
열처리 해야할 웨이퍼의 직경을 30mm로 하면, 웨이퍼 외주와 진공 용기(6)의 내벽과의 간극을 10mm 확보하는 경우, 진공 용기(6)의 내경은 50mm가 된다. 진공 용기(6)의 벽두께는 50mm로 한다. 진공 용기의 벽두께는 예를 들면 5mm이며, 히터(5)의 두께는 예를 들면 5mm이며, 냉각 수단(3)의 두께는 예를 들면 20mm이므로, 각 부재 사이의 클리어런스의 합계를 10mm로 하고, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경은 120mm이다.
영구 자석의 잔류 자속 밀도 Br를 1.45T로 하면, 중앙 공동부(20) 내의 자장 강도가 1T를 초과하는 데는 도 8에 나타낸 바와 같이 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경 D0이 120mm인 경우에, 링형 영구 자석 조립체의 외경 D는 300mm 이상인 것이 바람직하고, 그 축선 방향 길이 H는 100mm 이상인 것이 바람직하다.
"Journal of Applied Physics Vol.86, No.11, 1December 1999"에 의하면, 내측 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내의 자장 강도 B는 B = Br/(Ro/Ri)(단 Ri는 중앙 공동부의 반경이며, Ro는 외측 링형 영구 자석 조립체의 외측 반경임)에 의해 계산할 수 있다. 그러나 자장 강도를 시뮬레이션에 의해 계산한 결과, 도 8 에 나타낸 바와 같이 자장 강도는 링형 영구 자석 조립체(1)의 축선 방향 길이에 따라 변화되어, 링형 영구 자석 조립체(1)가 짧아지면 중앙 공동부(20) 내의 자장 강도는 작아지는 것을 알 수 있었다. 그 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 중앙 공동부(20) 내의 자속 밀도를 1T 이상으로 하기 위해서는 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 축선 방향 길이 및 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 축선 방향 길이는 모두 1OOmm 이상일 필요가 있다.
누설 자속을 저감시키기 위해, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)보다 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 축선 방향으로 짧게 하는 것이 바람직하다. 또 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및/또는 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 반경 방향 외측으로 갈수록 짧아지게 함으로써, 축선 방향의 누설 자장을 보다 저감할 수 있는 것을 알 수 있었다. 이와 같은 구조에 의해, 링형 자기 회로의 누설 자속을 작게 할 수 있어, 자기 회로의 소형화 및 경량화가 가능하게 된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 자기 회로를 소형화하기 위해, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 축선 방향 길이 H1을 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 H보다 작게 해도 된다. 동일 길이의 균일 자장 영역을 확보하는 데에는 링형 영구 자석 조립체의 반경을 크게 하기보다 길게 하는 쪽이 효율적이고, 설치 면적을보다 작게 할 수 있다.
내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)에 사용하는 영구 자석은 1.1T 이상의 잔류 자속 밀도 및 1114kA/mm, 즉 14kOe 이상의 보자력을 가지고, 또한 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 축선 방향 길이 H1와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 외경 D2와는 2 ≤D2 / H1 ≤10의 요건을 만족시키는 것이 바람직하다. 이 비 D2 / H1이 커질 수록 균일한 자장이 축선 방향에 의해 광범위하게 발생한다. 이 범위 내이면, 링형 영구 자석 조립체(1,2) 전체의 중량을 적게 하여 큰 자장을 발생시킬 수 있다.
본 발명에 사용되는 제2 자장 중 열처리로에 있어서, 열처리 수단은 도 1 (b)에 나타낸 바와 같이 경면(鏡面)을 가지는 케이스 내에 설치된 냉각관(4)을 가지는 냉각 수단(3)과, 석영 유리 내에 매설(埋設)된 카본 히터 등으로 이루어지는 가열 수단(5)과, 투명한 석영 유리로 이루어지는 진공 용기(6)를 구비하고, 진공 용기(6) 내에는 피열처리품 A를 복수 매 탑재한 열처리용 유지구(10)가 삽입된다. 이 열처리 수단에 의해, 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)로 이루어지는 자장 발생 수단의 자장 중심과 피열처리품 A 집합체의 중심을 일치시키기 쉽다. 또 가열 수단(5)과 자장 발생 수단과의 사이에 냉각 수단(3)이 있으므로, 영구 자석에의 열 영향이 차단된다. 그러므로 250∼300℃ 정도의 열처리 온도에도 불구하고, 영구 자석은 열 열화되지 않는다. 그리고 열처리 수단을 질소가스 등의 비산화성 분위기 하에 두어도 된다.
내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)에 사용하는 영구 자석으로서는 Ba 페라이트계 자석, Sr 페라이트계 자석, La 및 Co 첨가의 페라이트계 자석 등의 페라이트자석 외에, Nd-Fe-B계 자석, Sm-Co계 자석, Sm-Fe-N계 자석 등의 희토류계 자석 등을 들 수 있지만, 특히 높은 잔류 자속 밀도를 가지는 Nd-Fe-B계 자석이 바람직하다. 영구 자석은 소결 자석에 한정되지 않고 본드 자석이라도 된다. Nd-Fe-B계 자석은 내열 온도가 낮으므로 종래의 열처리로에 사용하는 것은 곤란했지만, 열처리 수단과 자장 발생 수단과의 사이에 냉각 수단(3)을 설치함으로써 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로에 적용 가능하게 되었다.
열처리 중에 자장를 계속 인가하는 경우, 자장을 조정할 필요가 없기 때문에, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 외측에 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 배치하지 않아도 된다.
실시예 1
도 1 (b)에 나타내는 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로의 자장 발생 수단은 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 가진다. 각 자기 회로(1,2)를 구성하는 영구 자석 세그먼트를 모두 1.4T의 잔류 자속 밀도 및 1192kA/m의 보자력을 가지는 Nd-Fe-B계 영구 자석에 의해 형성했다. 도 2는 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 횡단면 구조를 나타낸다.
이 예에서는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)는 자화 방향이 상이한 3종류의 부채형 영구 자석 세그먼트(11,12,13)를 주위 방향으로 모두 12개 배열함으로써 형성되어 있다. 부채형 영구 자석 세그먼트(11,12,13)는 동일 형상을 가지므로, 부채형의 중심각은 30°이다. 또 외측 링형 영구 자석 조립체(2)도 자화 방향이 상이한 3종류의 부채형 영구 자석 세그먼트(21,22,23)를 주위 방향으로 모두 12개 배열함으로써 형성되어 있다. 부채형 영구 자석세그먼트(21,22,23)도 동일 형상을 가지므로, 부채형의 중심각은 30°이다. 또 각 영구 자석 세그먼트(11,l2,13,21,22,23)의 수평 단면 형상을 부채형으로 하는 대신에, 사다리꼴로 해도 된다.
각 링형 영구 자석 조립체(1,2)에서의 복수의 영구 자석 세그먼트는 자화 방향이 자속의 흐름과 일치하는 동시에, 중앙 공동부 내를 직경 방향으로 자속이 흐르도록 링형으로 조합되어 있다. 이 때문에, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 합성 자장(화살표로 나타냄)은 중앙 공동부(20)에 반경 방향으로 인가된다.
이 예에서는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경 D0은 360mm, 외경 D1은 560mm였다. 또한 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 외경 D2는 1200mm였다. 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 축선 방향 길이(높이) H는 420mm였다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)는 서로 회전 가능하게 되도록, 양자 사이에 약간의 간극이 있다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1)는 고정되어 있다. 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 구동 수단(도시하지 않음)으로서, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 유지 부재(15) 하부에 기어(도시하지 않음)가 설치되어 있으며, 기어는 서보 모터 등에 맞물려 있다. 따라서, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)는 내측 링형 영구 자석 조립체(1)에 대하여 회전 가능하다.
본 실시예의 열처리 수단은 경면(鏡面)이 되도록 내면을 도금 처리한 스테인 리스 강판을 가지는 수냉(水冷) 수단(3)과, 진공 용기(6) 내의 피열처리품 A를 가열하는 전기 히터(5)와, 전기 히터(5)의 내측에 설치된 내경 약 220mm의 석영 유리로 이루어지는 진공 용기(6)를 구비한다. 수냉 수단(3) 내에 냉각관(4)이 구비되어 있다. 수냉 수단(3)은 수냉관(4) 외에 히트 싱크판을 가져도 되며, 히트 싱크판은 수냉관(4)과 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 사이에 설치된다. 진공 중의 가열은 주로 복사열에 의하기 때문에, 진공 용기(6)를 구성하는 석영 유리는 투명한 것이 바람직하다. 피열처리품 A로서 6∼8인치의 웨이퍼 기판이 상정(想定)되기 때문에, 진공 용기(6)의 내경은 약 170∼220mm인 것이 바람직하다.
진공 용기(6)의 일단은 실 부재(seal member)(7)에 의해 밀봉되고, 타단은 실용용 수나사부(8)와 실용 암나사부(9)에 의해 밀봉되어 있다. 실용 암나사부(9)의 축(19)에는 피열처리품 A를 진공 용기(6)의 대략 중앙부에 유지하기 위한 열처리용 유지구(10)가 구비되어 있다.
열처리용 유지구(10)는, 예를 들면 자성막이 형성된 웨이퍼 기판을 탑재하기 위한 트레이를 약 6mm 간격으로 25매 정도 축선 방향으로 배치한 구조를 가진다. 열처리용 유지구(10)는 진공 용기(6) 내에서 수평면 내로 회전 가능하다. 자장 조정을 위해 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 회전시키면, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 합성 자장도 필연적으로 회전한다. 따라서, 피열처리품 A에 대한 합성 자장의 회전을 방지하기 위해, 피열처리품 A가 합성 자장과 항상 동일 방향이 되도록 열처리용 유지구(10)를 회전시키는 것이 바람직하다.
열처리용 유지구(10)의 상단, 중앙 및 하단에 구비된 열전쌍에 의해 온도를 측정하여, 전기 히터(5)의 온도를 PID 제어한다. 실부(seal portion)(7)에는 흡기구가 구비되어 있다. 배기구는 진공 용기(6) 상부에 설치되어 진공 펌프(도시하지 않음)와 접속하고 있어, 진공 용기(6) 내를 진공 상태로 유지한다. 예를 들면, 피열처리품 A가 자성 박막을 형성한 기판의 경우, 약 1 ×10-5∼1 ×10-6Pa의 진공 상태에서 열처리하는 것이 바람직하다. 흡기구는 질소 가스 봄베와 접속되어 있고, 필요에 따라 진공 용기(6) 내를 불활성 분위기로 한다.
도 2 (b)에 도시한 바와 같이, 중앙 공극부(20) 내의 자장이 거의 제로가 되는 위치까지, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 회전시킨다. 복수의 강자성층을 비자성 절연층을 통해 적층한 자성막을 구비한 복수의 웨이퍼 기판을 열처리용 유지구(10)의 트레이 상에 배열하여, 진공 용기(6) 내에 삽입한다. 이 때, 적층한 기판 전체의 중심을 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 중심과 대략 일치시켰다.
실용 수나사부(8)에 실용 암나사부(9)를 나사 부착시켜 진공 용기(6) 내를 기밀 상태로 한 후, 진공 펌프에 의해 진공 용기(6) 내를 배기하여, 1 ×10-5∼1 ×10-6Pa의 진공도로 했다. 웨이퍼 기판과 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와의 상대 위치를 고정하여, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)만 회전시켰다. 중앙 공동부(20) 내에 원하는 크기의 합성 자장을 만들기 위해, 도 2 (c)에 나타낸 바와 같이 내측 링형 영구 자석 조립체(1)에 대하여 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 원하는 각도 α만큼 회전시킬 수 있다.
냉각관(4)에 냉각수를 흐르게 하는 동시에, 전기 히터(5)에 의해 5℃/min의 속도로 웨이퍼 기판을 승온(昇溫)시켰다. 300℃ ±3%의 온도에 30-60분 간 유지하고, 그 후 진공 용기(6) 내의 온도를 2℃/min의 속도로 내려, 웨이퍼 온도가 150℃ 이하로 되었을 때, 다시 도 2 (b)에 나타낸 바와 같이 내측 링형 영구 자석 조립체(1)와 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 각도 α를 조절하여, 자장를 제로로 했다.
표 1에서, 중앙 공동부(20) 내의 자장은 축선 방향 자장 중심에서 5% 이내로 균일한 것이 확인되었다. 도 7에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 기판이 구비되는 양 링형 자기 회로의 축선 방향 길이(420mm)의 중앙으로부터 ±80mm의 범위내에서 10% 이하의 균일한 자장 강도가 얻어졌다. 각 측정 위치의 자장 스큐 각도는 모두 2°이내였다. 이와 같은 자장 중 열처리를 실행한 웨이퍼 기판을 사용하여 형성한 자기 헤드의 자기 특성은 양호해, 불량률은 0이었다.
자기 회로 단면으로부터 축선 방향으로 350mm 떨어진 위치에서의 누설 자장은 10mT 이하로 작고, 또 자기 회로 측면으로부터 1m 떨어진 위치에서의 누설 자장도 1mT 이하로 작았다.
표 1
중심으로부터의 축선 방향 거리 △H(mm) 중앙 공동부 내의 자속 밀도
최대값 Tmax (T) 최소값 Tmin (T) 균일도(1) (%) 최대 스큐 각(deg)
0 1.096 1.034 5.7 1.0
75 1.056 0.988 6.4 1.3
0-75의 범위 1.096 0.988 9.9 1.3
주 (1) 자속 밀도의 균일도는 (Tmax - Tmin) / Tmax에 의해 산출.
실시예 2
도 3에 나타낸 바와 같이 외측 링형 영구 자석 조립체(2A)와 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)의 축선 방향 길이를 바꾸고, 또 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)와 함께 웨이퍼 기판이 회전하지 않도록 한 이외, 실시예 1과 동일 자장 중 열처리를 실행했다. 각 링형 영구 자석 조립체는 자화 방향이 상이한 3종류의 부채형 영구 자석 세그먼트로 이루어지고, 주위 방향으로 12개 배열되어 있다. 각 영구 자석 세그먼트의 자화 방향은 도 2에 나타내는 것과 동일이다.
8인치의 웨이퍼 기판의 자장 중 열처리로로서, 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)의 내경 D0을 360mm로 하고, 외경 D1을 560mm로 했다. 또 외측 링형 영구 자석 조립체(2A)의 외경 D2는 1100mm로 했다. 또한 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)의 축선 방향 길이 H1을 420mm로 하고, 외측 링형 영구 자석 조립체(2A)의 축선 방향 길이 H를 500mm로 했다.
도 2에 도시한 바와 같이, 중앙 공극부(20) 내에 ±5% 이하의 균일 자장 강도가 얻어졌다. 또 자장 강도의 변동을 측정한 바, 길이 420mm의 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)의 축선 중심으로부터 ±80mm의 범위에서 ±5% 이내의 균일한 자장 강도가 얻어지고 있는 것이 확인되었다. 이 범위 내에 웨이퍼 기판을 설치하는 것이 바람직하다. 이 범위 밖에 웨이퍼 기판을 유지하면, 자장 균일도가 낮기 때문에, 웨이퍼 기판으로부터 얻어진 자기 헤드의 특성은 열화된다. 각 측정 위치의 자장 스큐 각도는 모두 2°이내였다. 본 실시예에 의해 자장 중 열처리를 한 웨이퍼 기판을 사용하여 형성한 자기 헤드의 자기 특성은 양호하여, 불량률은 0이었다. 열처리 완료 후 웨이퍼 온도가 50℃ 이하로 된 상태에서 내측 링형 영구 자석 조립체(1A)와 웨이퍼 기판을 회전시키지 않고 자장을 실험적으로 제로로 해도, 얻어진 자기 헤드는 양호한 성능을 가지고 있었다.
실시예 1보다 실시예 2 쪽이 외측 링형 영구 자석 조립체는 축선 방향으로 약 19% 길고 반경 방향으로 약 10% 짧지만, 외측 링형 영구 자석 조립체는 실시예 2 쪽이 실시예 1보다 약간 경량이다. 따라서, 실시예 2 쪽이 실시예 1보다 자장 발생 수단의 설치면적이 작고, 균일 자장 영역이 길다.
표 2
중심으로부터의 축선 방향 거리 △H(mm) 중앙 공동부 내의 자속 밀도
최대값 Tmax (T) 최소값 Tmin (T) 균일도(1) (%) 최대 스큐 각(deg)
0 1.086 1.031 5.0% 1.0
80 1.046 0.979 6.4% 1.3
0-80 1.086 0.979 9.8% 1.3
주 (1) 자속 밀도의 균일도는 (Tmax - Tmin) / Tmax에 의해 산출.
비교예 1
히터(5)를 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 축선 방향 외측에 설치한 이외 실시예 1과 동일하게 하여 자장 중 열처리 실험을 실행했다. 열처리용 유지구(10)의 각 위치에 있어서 온도 분포에 불균일이 발생하여, 각 자기 헤드의 자기 특성에도 불균일 발생했다.
비교예 2
냉각 수단(3)을 분리한 이외 실시예 1과 동일하게 하여, 자장 중 열처리 실험을 했다. 열처리용 유지구(10)의 각 위치에서 온도 분포의 불균일은 발생하지 않았지만, 열처리 중의 열에 의해 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 영구 자석이 감자(減磁)되어 버려, 충분한 자장 강도를 얻을 수 없었다.
실시예 3
실시예 1과 동일하게, 각각 도 2에 나타내는 자화 방향의 12개 영구 자석 세그먼트로 이루어지는 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 가지는 자장 중 열처리로를 사용했다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경 D0은 360mm이고, 외경 D1은 560mm였다. 또 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 외경 D2는 1100mm 였다. 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 축선 방향 길이(높이) H는 420mm였다.
내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 케이스(11) 하부에 기어가 설치되어 있으므로, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)는 모터에 의해 외측 링형 영구 자석 조립체(2) 및 웨이퍼기판에 대하여 회전 가능하다. 따라서 웨이퍼 기판과 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 상대 위치가 변화되었다. 그 이외는 실시예 1과 동일했 다.
중앙 공극부(20)의 자장은 표 2와 동일하며, 축선 방향 중심에서 ±5% 이하의 균일한 강도를 가지고 있었다. 축선 방향 길이 H에 따른 자장 강도의 변동을 측정했지만, 축선 방향 길이 H의 중앙으로부터 ±80mm의 범위에서 ±5% 이하의 균일한 자장 강도가 얻어졌다. 각 측정 위치의 자장 스큐 각도는 2°이내였다. 이 실시예에 의해 자장 중 열처리를 한 웨이퍼 기판을 사용하여 형성한 자기 헤드의 자기 특성은 양호했지만, 실시예 1 및 2의 것보다 낮았다.
실시예 4
도 4는 내측 링형 영구 자석 조립체(1B) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2B)의 조합의 다른 예를 나타낸다. 외측 링형 영구 자석 조립체(2B)의 축선 방향 길이(높이)는 내측 링형 영구 자석 조립체(1B)의 그것보다도 짧다. 또 도 5의 예에서는 외측 링형 영구 자석 조립체(2C)의 축선 방향 길이(높이)는 내측 링형 영구 자석 조립체(1C)보다 짧고, 또한 내외의 링형 영구 자석 조립체(1C,2C)의 축선 방향 길이는 반경 방향 외측으로 향해 서서히 짧아진다. 이 구조에 의해, 축선 방향의 누설 자장을 보다 저감시킬 수 있다. 이에 따라 링형 영구 자석 조립체의 소형화 및 경량화가 가능하여, 자장 중 열처리로 전체를 낮게 할 수 있다.
도 6 (a)는 외측 링형 영구 자석 조립체(2)가 내측 링형 영구 자석 조립체(1)보다 피열처리품으로서의 웨이퍼 A의 대기위치로부터 축선 방향으로 △L만 먼 배치예를 나타낸다. 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)는 동일 축선 방향 길이 L을 가진다.
도 6 (b)는 도 6 (a)와 동일하게 외측 링형 영구 자석 조립체(2)를 △L만큼 웨이퍼 A의 대기 위치로부터 떨어지게 하고, 또한 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 축선 방향 길이 L2를 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 축선 방향 길이 L1보다 짧게 한 예를 나타낸다. 내측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 L1을 1000mm로 하고, 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 L2를 각각 600mm, 800mm, 1000mm로 하고, 중앙 공동부(20) 내의 자속 밀도 및 링형 영구 자석 조립체의 단면보다 축선 방향으로 150mm 떨어진 위치에서의 누설 자속 밀도를 시뮬레이션했다. 결과를 도 3에 나타낸다. 중앙부 공동부(20)의 내경은 300mm, 내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 외경 D1은 450mm, 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 670mm였다.
도 3
자장 강도 외측 링형 영구 자석 조립체의 길이 L2 (mm)
600 800 1000
중앙 공동부의 중심 자장(T) 0.913 0.943 0.956
150mm 외측의 누설 자장(T) 0.067 0.089 0.138
양 링형 영구 자석 조립체의 하면을 맞춘 경우의 누설 자장(T) 0.021 0.028 0.035

표 3으로부터 양 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 축선 방향 길이가 모두 동일한 경우의 누설 자장은 약 0.14T였지만, 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 길이가 80Omm 이하에서는 누설 자장은 0.1T 이하, 즉 35% 이하로 저감된 것을 알 수 있다. 또 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 길이가 600mm에서는 누설 자장은 더욱 저감되었다. 외측 링형 영구 자석 조립체(2)의 길이가 800mm인 때의 중앙 공동부(20) 중심에서의 자속 밀도는 1000mm의 때보다 약 3% 밖에 작아지지 않았다. 누설 자장의 저감에 대하여, 외측 링형 영구 자석 조립체의 길이의 영향이 큰 것을 알 수 있다. 축선 방향으로 누설 자장을 작게 하고 싶은 경우, 도 6 (c)에 나타낸 바와 같이 내외의 링형 영구 자석 조립체(1,2)의 하단을 맞추고, 외측 링형 자석 조립체(2)의 상단을 내측 링형 자석 조립체(1)의 상단보다 거리 △L 낮게 하는 것이 바람직하다.
내측 링형 영구 자석 조립체(1)의 내경이 커지는 데 따라, 자기 회로의 각 영구 자석 세그먼트는 1개의 영구 자석 피스로 구성하는 것이 곤란하게 된다. 그러므로, 복수의 영구 자석 피스를 조합하여 각 영구 자석 세그먼트를 구성하는 것이 바람직하다. 링형 자기 회로의 영구 자석 세그먼트의 일례를 도 10에 나타낸다. 이 예에서는 영구 자석 세그먼트는 반경 방향으로 배열된 3개의 영구 자석 피스로 이루어지지만, 일반적으로 2개 이상의 영구 자석 피스를 사용하면 된다. 내측의 영구 자석 피스는 외측 반경 Ra 및 축선 방향 길이 La를 가지고, 중앙의 영구 자석 피스는 내반경 Ra, 외반경 Rb 및 축선 방향 길이 Lb를 가지고, 외측의 영구 자석 피스는 내반경 Rb, 외반경 Rc 및 축선 방향 길이 Lc를 가진다. 각 영구 자석 피스의 축선 방향 길이는 La > Lb > Lc이며, 외측으로 향해 점점 짧아진다.
도 11은 제1 영구 자석 피스(41) 및 제2 영구 자석 피스(42)를 조합한 영구 자석 세그먼트의 예를 나타낸다. 도시한 예에서는 제1 및 제2 영구 자석 피스(41,42)을 각각 2개씩 조합하고 있지만, 홀수개 조합해도 된다. 도면 중의 화살표는 각 영구 자석 피스의 자화 방향을 나타낸다.
작은 영구 자석 세그먼트의 경우, 1개의 영구 자석 피스로 구성할 수 있다. 누설 자장을 저감시키 위해, 예를 들면 도 12 (a) 및 도 12 (b)에 도시한 바와 같이, 영구 자석의 축선 방향 단면을 대략 사다리꼴로 하는 것이 바람직하다.
상기 각 실시예에서는 자화 방향이 상이한 3종류의 영구 자석을 조합하여 각각 내측 링형 영구 자석 조립체(1) 및 외측 링형 영구 자석 조립체(2)에 사용했지만, 도 13에 나타낸 바와 같이 자화 방향이 상이한 2종류의 영구 자석(43,44)에 의해 자기 회로를 구성할 수도 있다.
각 링형 영구 자석 조립체(1,2)에 있어서, 일주(一周)의 영구 자석 세그먼트의 수는 8개 이상인 것이 바람직하다. 120mm의 내경 및 200mm의 외경을 가지는 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부의 자장(T)을 측정했다. 도 14는 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이(mm)와, 자장(T)(중앙 공동부 중심의 자속 밀도)과의 관계를 나타낸다. 도 14로부터, 중앙 공동부(20)의 자장은 일주의 영구 자석 세그먼트의 수가 12인 경우는 8인 경우보다도 5% 정도 큰 것을 알수 있었다.
그리고, 본 명세서에서 용어 "자장 중 열처리"를 사용했지만, 이 열처리는 "어닐링"이라고 부를 수 있는 것이다.
본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로에서는 복수 매의 자성막 기판과 같은 피열처리품에 균일한 평행 자장을 인가할 수 있으므로, 열처리한 자성막 기판의 품질이 한결같이 안정된다. 또 중앙 공동부의 피열처리품에 대하여 자장 강도를 조절할 수 있다. 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로는 또 누설 자장이 작기 때문 자기 실드의 필요성이 없어, 장치 전체를 소형화할 수 있다. 또한 자장 발생용 전력을 필요로 하지 않기 때문에, 설비 비용 및 운전 비용을 저감시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자장 발생용 코일의 발열에 따르는 문제도 없다.
내측 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내에 설치하는 냉각 수단에는 열처리 온도에 의한 영구 자석의 특성 열화를 일으키지 않는 양의 냉각수를 흐르게 하면 된다. 따라서, 본 발명에 사용되는 자장 중 열처리로는 운전 비용이 낮다.

Claims (23)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. (a) 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 외측 링형 영구 자석 조립체와, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 내측에 구비되고, 직경 방향으로 자속이 흐르도록 배향한 자화 방향을 가지는 복수의 영구 자석 세그먼트를 링형으로 조합하여 이루어지는 내측 링형 영구 자석 조립체를 가지는 자장 발생 수단과, (b) 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 중앙 공동부 내에 위치하고, 외측으로부터 내측으로 차례로 냉각 수단과, 가열 수단과, 복수의 피열처리품을 유지하는 열처리용 유지구를 포함하는 열처리 용기를 구비한 열처리 수단을 구비하는 자장 중 열처리로를 이용하여, 복수의 피열처리품을 동시에 열처리하는 방법으로서, (1) 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 상기 피열처리품을 적층한 열처리용 유지구를 상기 열처리 용기 내에 삽입하고, (2) 상기 외측 링형 영구 자석 조립체를 상기 내측 링형 영구 자석 조립체에 대하여 상대적으로 회전시킴으로써 상기 중앙 공동부 내에 소정의 자장을 존재시킨 상태에서, 상기 가열 수단에 의해 상기 열처리 용기 내의 피열처리품을 열처리하는 동시에, 상기 냉각 수단에 의해 상기 자장 발생 수단을 냉각하고, (3) 상기 피열처리품의 열처리가 완료된 후, 상기 중앙 공동부 내의 직경 방향 자장이 제로가 되는 상기 내측 링형 영구 자석 조립체와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체와의 상대적 회전 위치에서, 복수의 열처리품을 상기 열처리 용기로부터 꺼내는 자장 중 열처리 방법에 있어서,
    상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 내경은 120mm 이상이며, 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 300mm 이상이며, 또한 상기 내측 링형 영구 자석 조립체 또는 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이는 100mm 이상이며, 상기 내측 링형 영구 자석 조립체의 축선 방향 길이 H와 상기 외측 링형 영구 자석 조립체의 외경 D2는 2 ≤ D2/H ≤ 10의 요건을 만족하고, 상기 영구 자석 세그먼트는 복수의 영구 자석 피스를 조합하여 구성되어 있으며,
    상기 피열처리품이 표면에 자성막을 형성한 웨이퍼 기판인 것
    을 특징으로 하는 자장 중 열처리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    복수의 상기 피열처리품 집합체의 축선 방향 중심이 상기 자장 발생 수단의 축선 방향 자장 중심과 일치되는 위치에서, 상기 피열처리품 집합체를 상기 열처리 용기 내에 유지하는 것을 특징으로 하는 자장 중 열처리 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 열처리 용기 내를 진공으로 한 상태에서 열처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 자장 중 열처리 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 외측 링 영구 자석 조립체 및 상기 내측 링 영구 자석 조립체를 구성하는 각 영구 자석 세그먼트는, 1.1T 이상의 잔류 자속 밀도 및 1114 kA/m, 즉 14kOe 이상의 보자력을 가지는 것을 특징으로 하는 자장 중 열처리 방법.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
KR1020020020670A 2001-04-17 2002-04-16 자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법 KR100880597B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00118623 2001-04-17
JP2001118623 2001-04-17

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080101514A Division KR100944745B1 (ko) 2001-04-17 2008-10-16 자장 중 열처리로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020081109A KR20020081109A (ko) 2002-10-26
KR100880597B1 true KR100880597B1 (ko) 2009-01-30

Family

ID=18968992

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020020670A KR100880597B1 (ko) 2001-04-17 2002-04-16 자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법
KR1020080101514A KR100944745B1 (ko) 2001-04-17 2008-10-16 자장 중 열처리로

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080101514A KR100944745B1 (ko) 2001-04-17 2008-10-16 자장 중 열처리로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6833107B2 (ko)
KR (2) KR100880597B1 (ko)
CN (1) CN1220221C (ko)
DE (1) DE10216865A1 (ko)
TW (1) TW564442B (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6918965B2 (en) * 2002-08-28 2005-07-19 Micron Technology, Inc. Single substrate annealing of magnetoresistive structure
JP2004263206A (ja) 2003-02-10 2004-09-24 Fuyuutec Furness:Kk 熱処理装置
JP3546238B1 (ja) * 2003-04-23 2004-07-21 学校法人慶應義塾 磁気リングユニット及び磁気メモリ装置
US20060226940A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Hitachi Global Storage Technologies Method and apparatus for setting a sensor AFM with a superconducting magnet
US7861769B2 (en) * 2005-10-21 2011-01-04 Oracle America, Inc. Magneto-hydrodynamic hot spot cooling heat sink
EP2274953B1 (en) 2008-04-11 2015-07-15 The Timken Company Inductive heating using permanent magnets for hardening of gear teeth and components alike
JP5382744B2 (ja) * 2009-06-24 2014-01-08 キヤノンアネルバ株式会社 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法
CN101949643B (zh) * 2010-09-10 2013-07-10 中国科学院合肥物质科学研究院 磁场下高温热处理装置及其制备铁酸铋薄膜的方法
US8993942B2 (en) 2010-10-11 2015-03-31 The Timken Company Apparatus for induction hardening
CN102796857A (zh) * 2012-08-22 2012-11-28 无锡鹰贝精密轴承有限公司 内孔高频淬火处理感应圈
CN103103332A (zh) * 2013-02-19 2013-05-15 浙江工商职业技术学院 高性能磁芯横磁场热处理炉
US9508914B2 (en) 2013-03-21 2016-11-29 Tokyo Electron Limited Magnetic annealing apparatus
US10297481B2 (en) 2013-03-21 2019-05-21 Tokyo Electron Limited Magnetic annealing apparatus
US9617189B2 (en) 2013-08-30 2017-04-11 Ut-Battelle, Llc Apparatus and method for materials processing utilizing a rotating magnetic field
US10319905B2 (en) 2014-01-24 2019-06-11 Tokyo Electron Limited Method and system for performing post-etch annealing of a workpiece
JP6333128B2 (ja) * 2014-09-03 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 磁気アニール装置
US9410742B2 (en) * 2014-09-08 2016-08-09 Tokyo Electron Limited High capacity magnetic annealing system and method of operating
DE102014116953B4 (de) * 2014-11-19 2022-06-30 Sensitec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Magnetfeldsensorvorrichtung, sowie diesbezüglicheMagnetfeldsensorvorrichtung
US9822424B2 (en) * 2014-12-17 2017-11-21 Tokyo Electron Limited High rate magnetic annealing system and method of operating
CN105032926B (zh) * 2015-08-17 2017-03-01 江苏大学 一种静磁场辅助作用下轧制金属线棒材的方法
CN106229138A (zh) * 2016-07-19 2016-12-14 宁波鑫其精密磁钢有限公司 一种提高钕铁硼薄片磁钢磁性能一致性的方法
CN106119500B (zh) * 2016-08-04 2017-11-07 江西大有科技有限公司 软磁材料磁芯加纵磁场热处理方法及装置
RU2721970C1 (ru) 2016-09-27 2020-05-25 Новелис Инк. Нагревание с магнитным подвешиванием металла с контролем качества поверхности
TWI767971B (zh) * 2017-01-03 2022-06-21 日商東京威力科創股份有限公司 工作件磁化系統及其操作方法
US10003018B1 (en) 2017-05-08 2018-06-19 Tokyo Electron Limited Vertical multi-batch magnetic annealing systems for reduced footprint manufacturing environments
CN108774674B (zh) * 2018-06-29 2023-07-25 华北电力大学 一种磁场热处理炉
US11376692B2 (en) * 2018-10-04 2022-07-05 Abb Schweiz Ag Articles of manufacture and methods for additive manufacturing of articles having desired magnetic anisotropy
US11417462B2 (en) * 2019-05-17 2022-08-16 Ford Global Technologies Llc One-step processing of magnet arrays
CN112059111B (zh) * 2020-09-09 2021-09-28 安徽应流集团霍山铸造有限公司 一种提高双相不锈钢材料铸件生产效率的方法
KR102206112B1 (ko) * 2020-11-11 2021-01-22 (주)신호엔지니어링 링형 자석조립체 제조장치 및 이에 의해 제조된 링형 자석조립체
CN112786277B (zh) * 2021-01-07 2023-07-25 仙桃市新核瑞新材料科技有限公司 磁力线的矫正方法
CN113549748B (zh) * 2021-07-22 2022-04-05 良启金属南通有限公司 热处理炉及用该热处理炉生产高强度金属棒材的制备工艺
WO2024014783A1 (ko) * 2022-07-12 2024-01-18 한국재료연구원 이방성 벌크 영구자석 제조용 자장열처리 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669360A (en) * 1979-11-12 1981-06-10 Tdk Corp Amorphous magnetic alloy material and its manufacture
US4339625A (en) * 1979-05-23 1982-07-13 Institut De Recherches De La Siderurgie Francaise (Irsid) Electric induction furnace with electrically discontinued cooling screen
JPS62209702A (ja) * 1986-03-10 1987-09-14 Canon Electronics Inc 磁気ヘツドの製造方法
JPH06224027A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁場発生装置
JPH07221232A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Hitachi Ltd インバータ装置
KR0176328B1 (ko) * 1995-12-19 1999-03-20 김은영 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4169962A (en) * 1974-10-02 1979-10-02 Daidoseiko Kabushikikaisha Heat treating apparatus
JPS63300419A (ja) * 1987-05-30 1988-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 軟磁性非晶質材料を含む磁気ヘッド製造用回転磁界中熱処理炉
US6303908B1 (en) 1999-08-26 2001-10-16 Nichiyo Engineering Corporation Heat treatment apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4339625A (en) * 1979-05-23 1982-07-13 Institut De Recherches De La Siderurgie Francaise (Irsid) Electric induction furnace with electrically discontinued cooling screen
JPS5669360A (en) * 1979-11-12 1981-06-10 Tdk Corp Amorphous magnetic alloy material and its manufacture
JPS62209702A (ja) * 1986-03-10 1987-09-14 Canon Electronics Inc 磁気ヘツドの製造方法
JPH06224027A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁場発生装置
JPH07221232A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Hitachi Ltd インバータ装置
KR0176328B1 (ko) * 1995-12-19 1999-03-20 김은영 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020081109A (ko) 2002-10-26
TW564442B (en) 2003-12-01
CN1389879A (zh) 2003-01-08
KR100944745B1 (ko) 2010-03-03
US6833107B2 (en) 2004-12-21
KR20080106879A (ko) 2008-12-09
US20020182557A1 (en) 2002-12-05
DE10216865A1 (de) 2002-12-12
CN1220221C (zh) 2005-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100880597B1 (ko) 자장 중 열처리로를 이용한 열처리 방법
US6885267B2 (en) Magnetic-field-generating apparatus and magnetic field orientation apparatus using it
US9410742B2 (en) High capacity magnetic annealing system and method of operating
EP2863401B1 (en) Permanent magnet type magnetic field generating apparatus
US7846310B2 (en) Encapsulated and water cooled electromagnet array
US7567083B2 (en) Superconductive magnetic apparatus for magnetic resonance imaging unit
TWI671419B (zh) 磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置
US10319905B2 (en) Method and system for performing post-etch annealing of a workpiece
US9822424B2 (en) High rate magnetic annealing system and method of operating
JP4423586B2 (ja) 磁場中熱処理炉
JPH0653177A (ja) プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法
JP4305810B2 (ja) 磁場中熱処理炉及びそれを用いた熱処理方法
JP4389194B2 (ja) 磁場中熱処理炉
JPH0637054A (ja) 基体処理装置
JP3862660B2 (ja) 磁場中熱処理装置
JP7112629B2 (ja) 設置面積を減少した製造環境のための垂直マルチ・バッチ磁気アニールシステム
EP3566241B1 (en) Workpiece magnetizing system and method of operating
US6879779B2 (en) Annealing oven with heat transfer plate
JP2004304173A (ja) 磁場発生装置及びそれを用いた磁場配向装置
JP4062587B2 (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 8