KR100834828B1 - 정전방전 특성을 강화한 반도체 장치 - Google Patents
정전방전 특성을 강화한 반도체 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (36)
- 정전방전을 위한 보호 다이오드가 복수로 형성되어 있는 다이오드 영역과;상기 다이오드 영역의 상부에 중첩적으로 위치되고 외부 접속단자에 대응적으로 설치되는 패드가 형성되어 있는 패드 영역과;상기 다이오드 영역을 구성하는 액티브 영역들 중의 하나와 상기 패드간을 상기 다이오드 영역 내에서 직접적으로 서로 연결하는 콘택 플러그부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택 플러그부는,상기 패드와 연결되고 상기 패드의 하부에 존재하는 상부 금속층과 상기 상부 금속층의 하부에 존재하는 하부 금속층간을 서로 전기적으로 연결하는 비아 콘택부와;상기 하부 금속층과 상기 액티브 영역간을 서로 전기적으로 연결하며 상기 비아 콘택부와는 중첩적으로 수직 하부에 위치되는 메탈 콘택부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 하부 금속층의 패턴은,상기 다이오드 영역의 제1 도전형 액티브 영역에 대응하여 연속하는 게이트 프레임 형상으로 이루어진 제1 패턴과;상기 제1 패턴과 함께 웹(거미줄) 구조를 이루며 상기 다이오드 영역의 제2 도전형 액티브 영역에 대응하여 상기 제1 패턴의 오픈영역 내에서 상기 제1 패턴의 단위 게이트 프레임과는 고립되어 있는 실체적으로 직사각형의 제2 패턴으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 다이오드 영역의 제1 도전형 액티브 영역은, 상기 다이오드 영역 내에서 상기 제1 패턴과 실질적으로 동일한 형상임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 다이오드 영역의 제2 도전형 액티브 영역은, 상기 다이오드 영역 내에서 상기 제2 패턴과 실질적으로 동일한 형상임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 외부 접속단자는 신호를 전달하기 위한 핀임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 보호 다이오드는 상기 패드에 양전압의 정전기가 유입되었을 경우에 내부회로를 보호하기 위해 양의 정전기를 방전하는 피 타입 다이오드임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 보호 다이오드는 상기 패드에 음전압의 정전기가 유입되었을 경우에 내부회로를 보호하기 위해 음의 정전기를 방전하는 엔 타입 다이오드임을 특징으로 하는 반도체 장치.
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- 제3항에 있어서, 상기 비아 콘택부와 상기 메탈 콘택부는 복수의 유닛 비아 콘택과 복수의 유닛 메탈 콘택을 각기 가짐을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 도전형 액티브 영역이 고농도 엔형 디퓨젼 영역일 경우에 상기 제2 도전형 액티브 영역은 고농도 피형 디퓨젼 영역임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 패드는 입력 패드, 출력패드, 또는 입력 및 출력패드임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 메탈 콘택부의 하부에 다마신 공정에 의해 형성되는 금속층이 더 존재할 경우에 상기 메탈 콘택부의 하부에는 텅스텐 콘택부가 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 기판에 형성된 웰 영역 내에서 연속하는 게이트 프레임 형상으로 이루어진 제1 도전형 액티브 영역과, 상기 게이트 프레임의 오픈 영역마다 상기 제1 도전형 액티브 영역과는 고립적으로 형성된 제2 도전형 액티브 영역을 갖는 보호 소자와;상기 제1 도전형 액티브 영역의 상부에서 상기 연속하는 게이트 프레임 형상과 중첩되는 형상으로 이루어진 제1 패턴과, 상기 제1 패턴과 함께 동일층에서 웹 구조를 이루며 상기 제2 도전형 액티브 영역에 대응하여 상기 제1 패턴의 오픈영역 내에서 상기 제1 패턴의 단위 게이트 프레임과는 고립되어 있는 실체적으로 직사각형의 제2 패턴을 갖는 제1 금속층과;상기 제1 금속층의 상부에 형성된 제2 금속층과;상기 보호 소자를 상부에서 커버하며 상기 제2 금속층의 상부에 형성되며 외부 접속 핀과 연결되는 패드와;상기 패드와 상기 제2 금속층을 전기적으로 서로 연결하는 제2 비아 콘택부와, 상기 제2 도전형 액티브 영역의 수직 상부에서 상기 제2 금속층과 상기 제1 금속층의 제2 패턴을 전기적으로 서로 연결하는 제1 비아 콘택부와, 상기 제1 비아 콘택부와 수직적으로 중첩되며 상기 제1 금속층의 제2 패턴과 상기 제2 도전형 액티브 영역을 전기적으로 서로 연결하는 메탈 콘택부를 포함하는 콘택부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 금속층의 제1 패턴에 연결되는 메탈 콘택은 상기 제1 도전형 액티브 영역 상에서 형성되고, 비아 콘택은 상기 보호 소자가 존재하는 영역의 외부에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제15항에 있어서, 상기 외부 접속 핀은 신호 또는 전원전압을 전달하기 위한 핀임을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제16항에 있어서, 상기 보호 소자는 피 타입 다이오드로서 상기 패드에 양전압의 정전기가 유입되었을 경우에 내부회로를 보호하기 위해 양의 정전기를 전원전압 라인으로 방전하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제16항에 있어서, 상기 보호 소자는 엔 타입 다이오드로서 상기 패드에 음전압의 정전기가 유입되었을 경우에 내부회로를 보호하기 위해 음의 정전기를 그라운드로 방전하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 삭제
- 제17항에 있어서, 상기 제1 도전형 액티브 영역이 고농도 엔형 디퓨젼 영역일 경우에 상기 제2 도전형 액티브 영역은 고농도 피형 디퓨젼 영역임을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제17항에 있어서, 상기 패드는 입력 패드, 출력패드, 또는 입력 및 출력패드임을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 제15항에 있어서, 상기 메탈 콘택부의 하부에 다마신 공정에 의해 형성되는 금속층이 더 존재할 경우에 상기 메탈 콘택부의 하부에는 텅스텐 콘택부가 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 하부연결 구조.
- 외부 접속단자에 대응 연결되는 입출력 패드와, 상기 입출력 패드의 하부에 절연막을 개재하여 위치되며 내부 회로소자를 정전기로부터 보호하기 위한 보호 소자의 액티브 영역 사이를, 콘택 플러그부를 통하여 상기 액티브 영역 내에서 수직 선형적으로 연결한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결 구조.
- 제24항에 있어서, 상기 콘택 플러그부는 서로 수직으로 중첩되는 비아 콘택과 메탈 콘택을 포함함을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결 구조.
- 제25항에 있어서, 상기 절연막의 내부에는 상기 메탈 콘택이 존재하는 메탈 콘택층, 제1 금속층, 상기 비아 콘택이 존재하는 비아 콘택층, 제2 금속층이 적층순으로 존재함을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결구조.
- 제25항에 있어서, 상기 외부 접속단자는 신호를 전달하기 위한 핀임을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결구조.
- 제25항에 있어서, 상기 보호 소자는 상기 입출력 패드에 양전압의 정전기가 유입되었을 경우에 내부회로를 보호하기 위해 양의 정전기를 출력용 전원공급전압 라인(VDDQ)으로 방전하는 피 타입 다이오드임을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결구조.
- 제25항에 있어서, 상기 액티브 영역은 고농도 피형 디퓨젼 영역 또는 엔형 디퓨젼 영역 중의 하나임을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결구조.
- 제25항에 있어서, 상기 메탈 콘택부의 하부에 다마신 공정에 의해 형성되는 금속층이 더 존재할 경우에 상기 메탈 콘택부의 하부에는 텅스텐 콘택부가 더 형성됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결구조.
- 정전방전을 위한 보호 소자의 제1 액티브 영역을, 상기 보호 소자가 복수로 형성된 소자 형성영역의 상부에 위치되어지는 본딩 패드에 전기적으로 연결할 경우에, 상기 본딩 패드의 하부와 상기 제1 액티브 영역의 상부사이를 절연막을 통하여 수직적으로 연결하는 콘택 플러그를 사용함을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 보호 소자의 상기 제1 액티브 영역의 상부에는 메탈 콘택과 비아 콘택이 중첩적으로 함께 형성되고 상기 보호 소자의 제2 액티브 영역의 상부에는 메탈 콘택이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로용 보호소자와 본딩 패드간의 전기적 연결 방법.
- 반도체 장치의 ESD 프로텍션 회로에 있어서:각기 대응되는 외부 접속 단자와 상기 반도체 장치의 내부회로 사이에서 전기적으로 연결되며 패드 오픈 영역에 존재하는 복수의 패드들과;상기 복수의 패드들의 각 하부 제1 영역 내에서 제2 디퓨젼 영역으로 형성되어 상기 패드들과 전원공급전압간에 접속된 피형 프로텍션 다이오드들과;상기 각 하부 제1 영역에 인접한 각 하부 제2 영역 내에서 제1 디퓨젼 영역으로 형성되어 상기 패드들과 접지전압간에 접속된 엔형 프로텍션 다이오드들을 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 ESD 프로텍션 회로.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 디퓨젼 영역 또는 상기 제2 디퓨젼 영역을 상기 패드에 전기적으로 연결할 경우에 상기 패드 하부의 알루미늄 층 및 금속 층을 거쳐 상기 디퓨젼 영역까지 다이렉트로 연결하는 콘택 구조를 가짐을 특징으로 반도체 장치의 ESD 프로텍션 회로.
- 제33항에 있어서, 상기 반도체 장치가 스태이틱 램인 경우에 상기 스태이틱 램의 메모리 셀은 6개의 셀 트랜지스터들로 이루어지고, 상기 6개의 셀 트랜지스터들은 서로 동일층 또는 서로 다른 층에서 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 ESD 프로텍션 회로.
- 제1,2 액티브 영역이 이격적으로 접합된 정전방전용 보호 다이오드들을 갖는 반도체 장치에서 입출력 패드 하부의 전기적 연결구조에 있어서:전원공급전압이나 접지전압에 연결되며 상기 입출력 패드 하부의 중앙 영역에 복수로 형성된 파워용 보호 다이오드와;상기 입출력 패드에 연결되며 상기 입출력 패드 하부의 에지 영역에 복수로 형성된 신호용 보호 다이오드를 구비하며,상기 입출력 패드와 상기 신호용 보호 다이오드의 제2 액티브 영역간의 수직적 연결이 적어도 하나의 비아 콘택을 사용하여 상기 제2 액티브 영역상에서 이루어진 것을 특징으로 하는 입출력 패드 하부의 전기적 연결구조.
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