KR19990045278A - 과불화물의 처리 방법 및 그 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
No. | PFC 가스 | 가스의 물성 | 일본의 소비량 | 주요 용도 | ||
온난화 계수 | 대기중 수명(년) | 독성, 반응성 | ||||
1 | CF4(프레온14) | 6,300 | 50,000 | 불연성저독성 | 300톤/년('94)394톤/년('95) | 에칭 가스 : 75 %CVD 클리닝 가스 : 25 % |
2 | C2F6(프레온116) | 12,500 | 10,000 | 불연성저독성 | 4톤/년('94)200톤/년('95) | P-CVD 클리닝 가스 |
3 | NF3(삼불화 질소) | 9,720 | 179 | 독성 있음 | 25톤/년('94)39톤/년('95) | CVD 클리닝 가스 : 92 %IC 에칭 가스 : 8 % |
4 | CHF3(프레온23) | 12,100 | 250 | 55톤/년('94) | 드라이 에칭 | |
5 | C4F8(프레온C318) | 8,700 | 3,200 | 에칭 | ||
6 | C3F8(프레온218) | 7,000 | 2,600 | P-CVD 클리닝 가스 | ||
7 | SF6(육불화유황) | 24,900 | 3,200 | 26톤/년('94) | 드라이 에칭용 : 90 %CVD 클리닝 가스 : 10 % |
Claims (26)
- 과불화물 및 규소 성분을 포함하는 배기 가스로부터 이 규소 성분을 제거하고, 그 후, 물 및 수증기 중 어느 하나가 첨가된 상기 과불화물을 함유하는 배기 가스를 가열하여 촉매가 충전된 촉매층에 공급하고, 상기 배기 가스에 함유된 상기 과불화물을 상기 촉매에 의해 분해하고, 상기 과불화물의 분해에 의해 발생된 분해 가스를 함유하는 배기 가스를 냉각하여 배기하는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매층에 공급하는 상기 배기 가스를 설정 온도로 가열하는 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 설정 온도가 650 ℃ 내지 750 ℃의 범위인 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 냉각된 배기 가스로부터 산성 가스를 제거하는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배기 가스로부터의 규소 성분의 제거는 상기 규소 성분을 포함하는 배기 가스와 물을 접촉시킴으로써 행하는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 분해 가스를 함유하는 배기 가스의 냉각은 상기 배기 가스와 냉각수의 접촉에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 배기 가스로부터의 규소 성분의 제거는 제1 규소 성분 제거 장치 및 제2 규소 성분 제거 장치를 이용하여 행해지고, 상기 제1 규소 성분 제거 장치로부터 배출된 상기 배기 가스를 상기 제2 규소 성분 제거 장치에 공급하고, 상기 제2 규소 성분 제거 장치 내에서 물과 상기 배기 가스를 접촉시키고, 상기 제1 규소 성분 제거 장치 내에서, 상기 제2 규소 성분 제거 장치로부터의 배수 및 상기 분해 가스를 포함하는 배기 가스와 접촉된 상기 냉각수와 상기 규소 성분을 포함하는 배기 가스를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수증기는 상기 촉매층으로부터 배출된 상기 배기 가스와 물의 열교환에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매가 알루미나계 촉매인 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배기 가스는 반도체 제조 장치로부터 배출된 배기 가스인 것을 특징으로 하는 과불화물의 처리 방법.
- 과불화물 및 규소 성분을 포함하는 배기 가스로부터 이 규소 성분을 제거하는 규소 성분 제거 장치와, 상기 규소 성분 제거 장치의 배출 후에 물 및 수증기 중 어느 하나가 첨가된 상기 과불화물을 함유하는 배기 가스를 가열하는 가열 장치와, 상기 가열 장치로부터 배출된 상기 배기 가스에 함유된 과불화물을 분해하는 촉매가 충전된 촉매층과, 상기 촉매층으로부터 배출된 상기 배기 가스를 냉각하는 냉각 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 촉매층으로부터 배출된 상기 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출기와, 이 온도 검출기의 측정 온도에 의거하여 상기 가열 장치를 제어하는 제어 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 냉각 장치로부터 배출된 상기 배기 가스에 함유된 산성 가스를 제거하는 산성 가스 제거 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 규소 성분 제거 장치는 물을 분사하는 스프레이 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 냉각 장치는 상기 배기 가스의 냉각을 행하는 냉각수를 분사하는 스프레이 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 규소 성분 제거 장치는 제1 규소 성분 제거 장치 및 상기 제1 규소 성분 제거 장치로부터의 상기 배기 가스가 공급되는 제2 규소 성분 제거 장치를 포함하고 있으며, 상기 제2 규소 성분 제거 장치 내에 물을 분사하는 제1 스프레이 장치를 설치하고, 상기 제1 스프레이 장치로부터 분사된 물 및 상기 냉각 장치의 상기 스프레이 장치로부터 분사된 물을 분사하는 제2 스프레이 장치를 상기 제1 규소 제거 장치 내에 설치한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 규소 성분 제거 장치로부터 상기 가열 장치에 상기 배기 가스를 유도하는 관로에, 상기 가열 장치로부터 상기 규소 성분 제거 장치로의 상기 배기 가스의 역류를 방지하는 역지 밸브를 설치한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 가열기, 상기 촉매층 및 상기 냉각 장치를 이 순서로 일체 구조로 한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 일체 구조는 상기 가열기, 상기 촉매층 및 상기 냉각 장치를 수평 방향으로 배치하는 가로형을 이루고, 상기 촉매층의 상부에 미분해 과불화물의 흐름을 차단하는 배플 부재를 설치한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 촉매층으로부터 배출된 배기 가스와 물 사이에서 열교환을 행하고, 또 상기 수증기를 생성하는 열교환기를 상기 촉매층과 상기 냉각 장치 사이에 설치한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 촉매층이 내부에 형성된 카트리지 및 이 카트리지가 착탈 가능하게 부착된 케이싱을 구비하고, 상기 가열기, 상기 케이싱 및 상기 냉각 장치를 이 순서로 일체 구조로 한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 카트리지, 상기 카트리지가 수납되는 내관 및 상기 케이싱을 갖는 반응기를 구비하고, 상기 가열기의 케이싱은 상기 반응기의 상기 케이싱을 공용하고 있는 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제14항에 있어서, 과불화물 및 규소 성분을 함유하는 상기 배기 가스를 상기 규소 성분 제거 장치에 공급하는 배기 가스 도입부가 상기 규소 성분 제거 장치 내부까지 연장되어 있으며, 상기 배기 가스 도입부의 가스 배출구는 상기 스프레이 장치보다도 하방에 위치하고, 상기 가스 배출구는 상기 규소 성분 제거 장치 내에서 하향 개구하고 있는 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 스프레이 장치로부터의 분사 물을 확산시키는 확산부를 상기 규소 성분 제거 장치 내에서, 상기 스프레이 장치와 상기 배기 가스 도입부 사이에 배치한 것을 특징으로 하는 과불화물 처리 장치.
- 반도체 제조 장치로부터 배출된 과불화물 및 규소 성분을 함유하는 배기 가스로부터 이 규소 성분을 제거하는 규소 성분 제거 장치와, 상기 규소 성분 제거 장치의 배출 후에 물 및 수증기 중 어느 하나가 첨가된 상기 과불화물을 함유하는 배기 가스를 가열하는 가열 장치와, 상기 가열 장치로부터 배출된 상기 배기 가스에 함유된 과불화물을 분해하는 촉매가 충전된 촉매층과, 상기 촉매층으로부터 배출된 상기 배기 가스를 냉각하는 냉각 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 가스 처리 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 가열기, 상기 촉매층 및 상기 냉각 장치를 이 순서로 일체 구조로 하고, 일체 구조로 된 상기 가열기, 상기 촉매층 및 상기 냉각 장치를 상기 반도체 제조 장치가 설치되는 건물 내에 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 가스 처리 장치.
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