KR100812861B1 - 디스플레이 패널 - Google Patents
디스플레이 패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100812861B1 KR100812861B1 KR1020067022107A KR20067022107A KR100812861B1 KR 100812861 B1 KR100812861 B1 KR 100812861B1 KR 1020067022107 A KR1020067022107 A KR 1020067022107A KR 20067022107 A KR20067022107 A KR 20067022107A KR 100812861 B1 KR100812861 B1 KR 100812861B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wiring
- transistor
- transistors
- light emitting
- pixel
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 139
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 복수의 픽셀을 가지고 각 픽셀마다 복수의 트랜지스터를 구비하여 형성된 트랜지스터 배치기판;상기 트랜지스터 배치기판의 표면에 돌출되도록 형성되고 서로 평행하게 배치된 복수의 배선;각 픽셀마다 구비되고, 상기 배선들을 따라 상기 트랜지스터 배치기판의 표면 상에 상기 배선들 사이로 배치된 복수의 픽셀전극;각 픽셀전극 상에 각각 형성된 복수의 발광층; 및상기 발광층 상에 적층된 대향전극;을 포함하며,상기 트랜지스터 각각은 게이트, 게이트 절연막, 소스 및 드레인을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는 소스와 드레인 중 하나가 상기 픽셀전극에 도통된 구동트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 기입 전류를 공급하는 스위치 트랜지스터와, 그리고 발광구간에 상기 구동트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전압을 유지하는 유지트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 2 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 구동트랜지스터의 소스와 드레인 중 다른 하나에 도통된 적어도 하나의 급전배선과, 상기 스위치 트랜지스터를 선택하는 선택배선과, 그리고 상기 대향전극에 도통된 공통배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 3 항에 있어서,상기 발광층은 상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 2 개 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 복수의 배선은 순서를 가지고 배치된 상기 급전배선, 상기 선택배선 및 상기 공통배선을 포함하는 각 집합을 복수개 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 적색 픽셀, 녹색 픽셀 및 청색 픽셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 6 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 순서를 가지는 상기 적색 픽셀, 상기 녹색 픽셀 및 상기 청색 픽셀을 포함하는 각 집합을 복수개 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 1.31 내지 6.00 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 7.45 내지 44.00 ㎛의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 2.1 내지 9.6 μΩcm의 저항률을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 픽셀전극으로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 픽셀전극으로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 복수의 픽셀전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 구비되는 복수의 발광층;상기 복수의 발광층에 구비되는 대향전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 도통되는 복수의 구동트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터들 중 대응되는 한 구동트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 기입 전류를 각각 공급하는 복수의 스위치 트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터들 중 대응되는 한 구동트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전압을 각각 유지하는 복수의 유지트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스, 드레인 및 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 복수의 구동트랜지스터의 드레인에 도통되는 복수의 급전배선;상기 스위치 트랜지스터를 각각 선택하는 복수의 선택배선; 및상기 대향전극에 각각 도통된 복수의 공통배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 선택배선은 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스와 드레인으로 사용되는 층과, 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 복수의 공통배선은 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스와 드레인으로 사용되는 층과, 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 픽셀전극으로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 픽셀전극으로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 복수의 픽셀전극;상기 복수의 픽셀전극마다 구비되는 복수의 발광층;상기 발광층에 구비되는 대향전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 도통되는 복수의 구동트랜지스터;상기 구동트랜지스터의 소스와 드레인 사이에 기입 전류를 각각 공급하는 복수의 스위치 트랜지스터;상기 구동트랜지스터의 소스와 게이트 사이에 전압을 각각 유지하는 복수의 유지트랜지스터;상기 스위치 트랜지스터를 선택하는 선택배선;상기 구동트랜지스터, 상기 스위치 트랜지스터 및 상기 유지트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 대향전극에 도통되는 공통배선;상기 구동트랜지스터, 상기 스위치 트랜지스터 및 상기 유지트랜지스터의 소스, 드레인, 및 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 공통배선보다 두꺼운 급전배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 각 픽셀마다 복수의 트랜지스터를 구비하여 형성된 트랜지스터 배치기판;상기 트랜지스터 배치기판 상의 복수의 열에 구비되는 복수의 픽셀전극;제 1 색을 발광하기 위해 제 1 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 1 발광층;제 2 색을 발광하기 위해 제 2 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 2 발광층;제 3 색을 발광하기 위해 제 3 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 3 발광층;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층 상에 구비되는 대향전극;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 복수의 트랜지스터 중 적어도 하나를 선택하는 선택배선;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 대향전극에 도통된 공통배선; 및상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 복수의 트랜지스터의 상기 복수의 픽셀전극에 도통된 급전배선;을 포함하며,상기 트랜지스터 각각은 게이트, 게이트 절연막, 및 소스/드레인을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 1 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고,상기 제 2 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고, 삽입된 조합은 상기 제 1 발광층이 삽입된 조합과는 다르며, 그리고상기 제 3 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고, 삽입된 조합은 상기 제 1 발광층이 삽입된 조합과 상기 제 2 발광층이 삽입된 조합과는 다른 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004283824A JP4254675B2 (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | ディスプレイパネル |
JPJP-P-2004-00283824 | 2004-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070027538A KR20070027538A (ko) | 2007-03-09 |
KR100812861B1 true KR100812861B1 (ko) | 2008-03-11 |
Family
ID=35585813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067022107A KR100812861B1 (ko) | 2004-09-29 | 2005-09-27 | 디스플레이 패널 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7446338B2 (ko) |
EP (3) | EP2109145B1 (ko) |
JP (1) | JP4254675B2 (ko) |
KR (1) | KR100812861B1 (ko) |
CN (1) | CN100472797C (ko) |
TW (1) | TWI293853B (ko) |
WO (1) | WO2006035970A2 (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003159786A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corp | 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置 |
JP4484451B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2010-06-16 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
JP4327042B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2009-09-09 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
JP4265515B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
JP4923505B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-04-25 | ソニー株式会社 | 画素回路及び表示装置 |
JP2009037123A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Canon Inc | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
US7977678B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
JP4688006B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-05-25 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR101513271B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP5381836B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-01-08 | カシオ計算機株式会社 | 画素回路基板、表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
US8599118B2 (en) | 2011-02-16 | 2013-12-03 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with electrode connectors |
KR20120124224A (ko) * | 2011-05-03 | 2012-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TW201318159A (zh) * | 2011-10-19 | 2013-05-01 | Dongguan Masstop Liquid Crystal Display Co Ltd | 觸控顯示面板 |
JP6322247B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-05-09 | Nissha株式会社 | 圧力センサ |
CN112470204B (zh) * | 2018-07-30 | 2023-01-10 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
CN114203780B (zh) * | 2021-12-03 | 2024-07-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 像素结构、显示面板及显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
EP1331666A2 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20040051611A (ko) * | 2002-08-26 | 2004-06-18 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 디스플레이장치 및 디스플레이장치 구동방법 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5640067A (en) | 1995-03-24 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
JP3927323B2 (ja) | 1998-09-11 | 2007-06-06 | パイオニア株式会社 | 有機elフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP4224652B2 (ja) | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TW511298B (en) | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP2002008871A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
JP2002195008A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Toshiba Corp | コンバインドサイクル発電プラント |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002352963A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sony Corp | 表示装置 |
JP3743387B2 (ja) | 2001-05-31 | 2006-02-08 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法 |
JP4650601B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2011-03-16 | 日本電気株式会社 | 電流駆動素子の駆動回路及び駆動方法ならびに画像表示装置 |
JP4896318B2 (ja) | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2003186420A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2003195810A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
US6835954B2 (en) | 2001-12-29 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device |
JP4627966B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
JP4310984B2 (ja) | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
JP2003330387A (ja) | 2002-03-05 | 2003-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
CN1299360C (zh) | 2002-03-20 | 2007-02-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵显示装置及其制造 |
US7045861B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
JP2003302936A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスプレイ装置、oledパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびoledディスプレイの制御方法 |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
TW594628B (en) | 2002-07-12 | 2004-06-21 | Au Optronics Corp | Cell pixel driving circuit of OLED |
JP2004145278A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP4089544B2 (ja) | 2002-12-11 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP3952965B2 (ja) | 2003-02-25 | 2007-08-01 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
US7520790B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
JP4443179B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
KR100755398B1 (ko) | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
JP4265515B2 (ja) | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
-
2004
- 2004-09-29 JP JP2004283824A patent/JP4254675B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-26 US US11/235,579 patent/US7446338B2/en active Active
- 2005-09-27 KR KR1020067022107A patent/KR100812861B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-27 CN CNB2005800157971A patent/CN100472797C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-27 WO PCT/JP2005/018240 patent/WO2006035970A2/en active Application Filing
- 2005-09-27 EP EP09165677.7A patent/EP2109145B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-27 EP EP05787737A patent/EP1794776A2/en not_active Ceased
- 2005-09-27 EP EP19165703.0A patent/EP3528289A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-28 TW TW094133637A patent/TWI293853B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
EP1331666A2 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20040051611A (ko) * | 2002-08-26 | 2004-06-18 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 디스플레이장치 및 디스플레이장치 구동방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070027538A (ko) | 2007-03-09 |
JP4254675B2 (ja) | 2009-04-15 |
TW200631453A (en) | 2006-09-01 |
WO2006035970A2 (en) | 2006-04-06 |
EP2109145B1 (en) | 2018-03-21 |
JP2006098654A (ja) | 2006-04-13 |
CN1954438A (zh) | 2007-04-25 |
US7446338B2 (en) | 2008-11-04 |
EP2109145A1 (en) | 2009-10-14 |
EP1794776A2 (en) | 2007-06-13 |
US20060066535A1 (en) | 2006-03-30 |
WO2006035970A3 (en) | 2006-11-16 |
CN100472797C (zh) | 2009-03-25 |
TWI293853B (en) | 2008-02-21 |
EP3528289A1 (en) | 2019-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100812861B1 (ko) | 디스플레이 패널 | |
US7573068B2 (en) | Transistor array substrate and display panel | |
US7576358B2 (en) | Display panel | |
US7498733B2 (en) | Display panel | |
JP4706296B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4217834B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4379278B2 (ja) | トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル | |
JP4747543B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4792748B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4192879B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4379285B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP5212405B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
KR100835032B1 (ko) | 디스플레이 패널 | |
JP4893753B2 (ja) | ディスプレイパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130221 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140221 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150223 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161229 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171228 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181227 Year of fee payment: 12 |