JP2003302936A - ディスプレイ装置、ｏｌｅｄパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびｏｌｅｄディスプレイの制御方法 - Google Patents

ディスプレイ装置、ｏｌｅｄパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびｏｌｅｄディスプレイの制御方法

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JP2003302936A JP2002097545A JP2002097545A JP2003302936A JP 2003302936 A JP2003302936 A JP 2003302936A JP 2002097545 A JP2002097545 A JP 2002097545A JP 2002097545 A JP2002097545 A JP 2002097545A JP 2003302936 A JP2003302936 A JP 2003302936A
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隆俊 辻村
Koichi Miwa
宏一 三和
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光雄 師岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)にてＯＬＥＤを駆
動する際、薄膜トランジスタに生じるスレッショルド電
圧(Ｖth)のプラスシフトを軽減する。 【解決手段】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
e)の駆動用トランジスタであるアモルファスシリコンＴ
ＦＴにて、ゲート電圧とドレイン電圧とを同時にオン・
オフさせることで、スレッショルド電圧(Ｖth)の増加成
分を取り除く。即ち、ＯＬＥＤディスプレイ１０におい
て、アモルファスシリコンＴＦＴによってＯＬＥＤを駆
動する駆動回路２０と、この駆動回路２０のアモルファ
スシリコンＴＦＴにおけるゲート電極へのゲート電圧を
オン・オフする際に、アモルファスシリコンＴＦＴにお
けるドレイン電極への供給電圧をオフする供給線ドライ
バ１４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＬＥＤ(Organic
Light Emitting Diode)を採用したディスプレイ装置等
に係り、より詳しくは、ＯＬＥＤの駆動用トランジスタ
として薄膜トランジスタを用いたディスプレイ装置等に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＯＬＥＤ(有機ＥＬとも呼ばれる)は、電
場を加えることによって励起する蛍光性の有機化合物に
直流電流を流して発光させるものであり、薄型、高視野
角、広いガミュート(Gamut)等の点から次世代ディスプ
レイデバイスとして注目されている。このＯＬＥＤの駆
動方式にはパッシブ型とアクティブ型が存在するが、大
画面、高精細のディスプレイを実現するには、材料、寿
命、クロストークの面でアクティブ型が適している。こ
のアクティブ型では、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)駆
動が必要とされており、このＴＦＴ技術には、低温ポリ
シリコンを使用したものとａ-Ｓｉ(アモルファスシリコ
ン)を使用したものとが存在する。
【０００３】この低温ポリシリコンを用いたポリシリコ
ンＴＦＴは、移動度が大きく大電流を流すことができ、
画面を明るくすることができることから一般に広く用い
られている。しかしながら、このポリシリコンＴＦＴを
生成するプロセスは、現状の技術では例えば９ＰＥＰ
(ＰＥＰ：Photo Engraving Process：写真蝕刻工程)程
度が必要であり、工程数の複雑化に伴いコストが大きく
なる。また、ポリシリコンＴＦＴでは大画面化が難し
く、現状では１５インチ程度が限界である。一方、ａ-
Ｓｉ(アモルファスシリコン)ＴＦＴは少ない工程によっ
て形成することができ、コストの面で有利である。ま
た、大画面化が可能であると共に、輝度均一性等の画像
品質の観点からも好ましい結果が得られ、ポリシリコン
ＴＦＴと平行して検討が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＯＬＥＤは電
流駆動素子であり、駆動用トランジスタのばらつきや経
時劣化による電流のばらつきは、そのまま画質の悪化に
つながってしまう。ＴＥＴのスレッショルド(閾値)電圧
(Ｖth)を見ると、ポリシリコンＴＦＴを用いた駆動用ト
ランジスタでは、このスレッショルド電圧(Ｖth)の変動
が少ない。しかしながら、アモルファスシリコンＴＦＴ
では、経時劣化に伴い、Ｖthが大きくシフトしてしま
う。
【０００５】このスレッショルド電圧(Ｖth)がシフトす
る原因としては、まず第１に、電子がＴＦＴのチャネル
を流れる際に、電子がゲート絶縁膜に飛び込むことが挙
げられる。また第２に、電子がＴＦＴのチャネルを流れ
る際に、電子がＳｉの結合を切るために、Ｓｉが帯電す
ることが挙げられる。
【０００６】図６は、アモルファスシリコンＴＦＴを用
いたときの経時に伴うスレッショルド電圧(Ｖth)のシフ
ト量を示した図である。横軸は時間を、縦軸はＶthのシ
フト量を示している。図６に示すように、アモルファス
シリコンＴＦＴにてＯＬＥＤを駆動した場合には、最初
は例えば０.７Ｖ程度であったＶthが、時間と共に大き
く変動してしまい、例えば１０時間程度で約２Ｖ程度ま
で達してしまう。このようにスレッショルド電圧(Ｖth)
がシフトすると、電流値が下がってしまい、画面が暗く
なる。また、階調を刻む場合には、黒に近いグレースケ
ール部分が潰れてしまうという問題が生じる。
【０００７】本発明は、以上のような技術的課題を解決
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、薄膜トランジスタにてＯＬＥＤを駆動する際に生
じるスレッショルド電圧(Ｖth)のシフト量を軽減するこ
とにある。また他の目的は、特にアモルファスシリコン
薄膜トランジスタにてスレッショルド電圧(Ｖth)のシフ
ト量を小さくすることで、アモルファスシリコン薄膜ト
ランジスタを駆動トランジスタとするＯＬＥＤディスプ
レイの長寿命化を図ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的のもと、本発
明は、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)の駆動
用トランジスタである例えばアモルファスシリコンＴＦ
Ｔにて、ゲート電圧とドレイン電圧(ソース電圧)とをほ
ぼ同時にオン・オフさせることで、スレッショルド電圧
(Ｖth)の増加成分を取り除くことにある。即ち、本発明
が適用されるディスプレイ装置は、ＯＬＥＤ(Organic L
ight Emitting Diode)と、このＯＬＥＤを駆動するアモ
ルファスシリコン薄膜トランジスタと、このアモルファ
スシリコン薄膜トランジスタのゲート電極へのゲート電
圧をオフする際にソース電極またはドレイン電極への供
給線電圧をオフする供給線ドライバとを含んでいる。ま
た、この供給線ドライバは、ゲート電圧をオンする際に
は供給線電圧がオンの状態にあることを特徴としてい
る。ここで、ソース電極またはドレイン電極とあるの
は、呼び名が異なる場合があることを考慮したものであ
る。以下同様である。
【０００９】また、本発明が適用されるディスプレイ装
置は、駆動用トランジスタによってＯＬＥＤを駆動する
に際し、供給線ドライバでは、この駆動用トランジスタ
のソース電極またはドレイン電極に対してオン・オフを
繰り返して電圧を供給している。ここで、この供給線ド
ライバは、駆動用トランジスタのゲート電圧のオン・オ
フと同様なタイミングでソース電極またはドレイン電極
への供給線電圧をオン・オフしている。
【００１０】一方、本発明が適用されるディスプレイ装
置は、ＯＬＥＤを薄膜トランジスタを用いて駆動する駆
動手段と、この駆動手段における薄膜トランジスタのゲ
ート電極に対してゲート電圧をオン・オフするゲート電
圧供給手段と、このゲート電圧供給手段によりゲート電
極に対するゲート電圧をオフする際に、薄膜トランジス
タにおけるドレイン電極とソース電極との間の電位差を
なくすように制御する制御手段とを含んでいる。ここ
で、このゲート電圧供給手段は、走査線ドライバから供
給される走査線信号およびデータ線ドライバから供給さ
れるデータ線信号とに基づいてゲート電圧がオン・オフ
され、制御手段は、ゲート電圧供給手段によるゲート電
圧のオフに同期して薄膜トランジスタへの供給線電圧を
オフすることを特徴としている。
【００１１】また、本発明が適用されるＯＬＥＤパネル
は、画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤと、このＯ
ＬＥＤを駆動するアモルファスシリコン薄膜トランジス
タとを含み、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ
は、ゲート電極への電圧供給がオフのときにドレイン−
ソース間の電圧が０Ｖになるようにして、ゲート電極へ
の電圧供給がオフのときに正孔をアモルファスシリコン
内にトラップさせてスレッショルド電圧(Ｖth)のシフト
量を低減するように制御される。
【００１２】更に、本発明が適用される薄膜トランジス
タの制御装置は、ゲート電圧供給手段がＯＬＥＤを駆動
させる薄膜トランジスタのゲート電極に対してゲート電
圧を供給しており、また、電圧供給手段は、薄膜トラン
ジスタのソース電極またはドレイン電極に対して電圧を
供給すると共に、ゲート電圧供給手段によりゲート電圧
をオフする際にソース電極またはドレイン電極に対する
電圧をオフしている。ここで、この電圧供給手段は、ゲ
ート電圧供給手段によりゲート電圧を供給する際に、ソ
ース電極またはドレイン電極に対して供給される電圧が
オンの状態にあるように構成することができる。
【００１３】他の観点から把握すると、本発明が適用さ
れる薄膜トランジスタの制御方法は、薄膜トランジスタ
のゲート電極に供給されるゲート電圧をオンする際には
この薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極
に供給される電圧がオンの状態にあるように電圧を制御
するステップと、ゲート電圧をオフする際にはソース電
極またはドレイン電極に供給される電圧をオフするよう
に制御するステップとを含むことを特徴としている。こ
こで、このゲート電圧のオンに同期してソース電極また
はドレイン電極へ供給される電圧をオンさせることを特
徴とすることができる。
【００１４】更に、本発明は、ＯＬＥＤディスプレイを
制御する制御方法であって、ＯＬＥＤを駆動する薄膜ト
ランジスタに対してデータ信号に基づく電圧を供給する
ステップと、所定のデューティにてオン・オフを繰り返
して薄膜トランジスタに供給線電圧を供給するステップ
とを含んでいる。また、この供給線電圧を供給するステ
ップは、薄膜トランジスタに供給すべき全体の電荷量か
ら供給線電圧の電圧値が決定されることを特徴とするこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施の
形態が適用されるアクティブマトリクス型のＯＬＥＤデ
ィスプレイ１０を示した図である。本実施の形態では、
ａ-Ｓｉ(アモルファスシリコン)ＴＦＴを用いたアクテ
ィブマトリクス型のＯＬＥＤディスプレイ１０を対象と
している。このＯＬＥＤディスプレイ１０は、ｍ×ｎ配
置のドットマトリクス型のディスプレイを駆動するにあ
たり、供給されるビデオ信号を処理して各ドライバ回路
に供給すべき制御信号を必要なタイミングで出力する制
御部１１、制御部１１からの制御信号に基づいてセレク
ト信号(アドレス信号)を走査線Ｙ１〜Ｙｎに供給する走
査線ドライバ１２、制御部１１からの制御信号に基づい
てデータ信号をデータ線Ｘ１〜Ｘｍに供給するデータ線
ドライバ１３、ＯＬＥＤに電流を流すための電流源であ
る供給線ドライバ１４、ＯＬＥＤに供給される電流をア
ースに落とすコモン線ドライバ１５、ｍ×ｎ個の画素毎
に設けられ、走査線ドライバ１２からのセレクト信号お
よびデータ線ドライバ１３からのデータ信号によって制
御される駆動回路２０を備えている。尚、制御部１１に
供給されるビデオ信号を生成する回路構成等をも含めて
ディスプレイ装置として把握される場合がある。また、
制御部１１等を除いたＯＬＥＤパネルとして流通される
場合もある。更に、コモン線ドライバ１５を設けること
なく、ＯＬＥＤに供給される電流を単にアースに落とす
ように構成することも可能である。
【００１６】図２は、ＯＬＥＤディスプレイ１０に用い
られる駆動回路２０の構成を示した図である。図２に示
す駆動回路２０では、発光層に有機化合物を用いたＯＬ
ＥＤ(Organic Light Emitting Diode)２１、ＯＬＥＤ２
１を駆動するアモルファスシリコンＴＦＴからなる駆動
用ＴＦＴ２２、走査線ドライバ１２から走査線を介して
得られるスキャン信号(走査信号)およびデータ線ドライ
バ１３からデータ線を介して得られるデータ信号に基づ
いてスイッチング動作を行うスイッチングＴＦＴ２３、
供給線ドライバ１４からの電流供給線に接続され、電荷
を蓄えてゲート電位を保つキャパシタ２４を備えてい
る。本実施の形態では、図１に示す制御部１１による制
御によって供給線ドライバ１４を制御し、駆動用ＴＦＴ
２２に供給されるゲート電圧と電流供給線を介して得ら
れる供給線電圧(本実施の形態ではドレイン電圧と呼ぶ)
とをほぼ同時にオン・オフさせている。尚、呼び方の違
い等によって、供給線電圧をソース電圧と呼ぶ場合もあ
る。
【００１７】この供給線ドライバ１４から駆動用ＴＦＴ
２２へ供給される、例えば１５Ｖ等の供給線電圧は、通
常、オン・オフが行われることはなく、電流は供給され
たままであることが一般的である。しかしながら、本実
施の形態では、この供給線電圧(ドレイン電圧)をゲート
電圧に伴ってオン・オフさせることで、駆動用ＴＦＴ２
２におけるスレッショルド電圧(Ｖth)のシフト量を減ら
すように構成している。尚、「電圧をオフする」という
ことは、必ずしも０Ｖにすることを指すのではなく、駆
動用ＴＦＴ２２のチャネルから伝導電子がほぼ消えると
いう状態であり、「ゲート電圧が閾値以下になる」と言
い換えることができる。
【００１８】ここで、駆動用ＴＦＴ２２に対して、例え
ば１μＡの電流を流そうとする場合に、この１μＡの流
し方にはいろいろな方法がある。例えば、ＤＣで１μＡ
を流す方法や、デューティ(Duty)５０％で２μＡの電流
を流す方法等、電流の流し方には幾つか考えられる。ま
た、ゲート電圧やドレイン電圧のセットとして考えるこ
ともでき、また、オン・オフを行う際のオフのかけ方に
も違いがある。結果として、トータルの電荷量を合わせ
ることが必要となる。発明者は、かかる電流の流し方に
ついて鋭意検討を加えた結果、ゲート電圧とドレイン電
圧とをほぼ同時にオン・オフさせることで、スレッショ
ルド電圧(Ｖth)のプラスシフト劣化を軽減することがで
きることを見いだすに至った。
【００１９】図３(ａ),(ｂ)は、本実施の形態における
制御部１１によって制御される駆動回路２０のタイミン
グチャートを示した図であり、図３(ａ)および図３(ｂ)
に２つの例が示されている。ここでは、コモン線ドライ
バ１５から得られるコモン線信号、供給線ドライバ１４
から得られる供給線信号、走査線ドライバ１２から得ら
れる走査線信号、データ線ドライバ１３から得られるデ
ータ線信号、および駆動回路２０の駆動用ＴＦＴ２２に
おけるゲート電極に現れるゲート電位が示されている。
供給線信号は、例えばデューティ(Duty)５０％で動作し
ており、例えば走査線信号の間でオン・オフを切り替え
(図３(ａ)の場合)、または走査線信号ごとに、順番にオ
ン・オフを切り替えている(図３(ｂ)の場合)。ゲート電
位は、供給線信号のオフに伴ってオフする。即ち、前述
したゲート電位とドレイン電位のオフは、供給線ドライ
バ１４からの供給線信号をオフすることによって実行す
ることができる。
【００２０】この図３(ａ),(ｂ)では、駆動用ＴＦＴ２
２のゲート電位と供給線信号とが同時にオン・オフする
タイミングが存在している。これは、図２に示すよう
に、供給線ドライバ１４からの電流供給線が、駆動用Ｔ
ＦＴ２２のゲート電極に繋がっていることによる。本実
施の形態では、駆動用ＴＦＴ２２のドレイン電極とゲー
ト電極との間にキャパシタ２４を入れ、この容量を介し
てこれらを同時にオン・オフできるように構成してい
る。この駆動用ＴＦＴ２２におけるドレイン電極とゲー
ト電極との電流供給線と、電源との間に、これらを同時
にオン・オフする供給線ドライバ１４を入れている。
尚、「同時に」とは、完全に時間が一致した状態だけを
指すのではない。本実施の形態における効果を達成する
ためには、所定の時間差を有する「ほぼ同時」でも同様
の効果を得ることができる。他の記載箇所も同様であ
る。
【００２１】図４は、駆動用ＴＦＴ２２の５０℃におけ
るＶthのシフト量を説明するための図である。図４にお
いて、縦軸はスレッショルド電圧(Ｖth)のシフト量(Ｖ)
を、横軸は時間(hours)を示しており、デューティ(Dut
y)５０％でゲート電圧、ドレイン・ソース電圧を順に変
えて駆動した状態を示している。図４に示す三角印によ
るプロットは、ゲート電圧Ｖgのオン・オフに対してド
レイン電圧Ｖdをオンにしたまま(１０Ｖのまま)の従来
の方式に基づくＶthのシフト量が示されている。また、
図４に示す四角印によるプロットは、ゲート電圧Ｖgの
オン・オフと共にドレイン電圧Ｖdをオン・オフ(１０Ｖ
と０Ｖ)したＶthのシフト量を示している。図４に示す
ように、ゲート電圧Ｖgとドレイン電圧Ｖdとをほぼ同時
にオン・オフさせると、Ｖthのシフト量が低減されるこ
とが理解できる。この結果、駆動用ＴＦＴ２０の寿命を
２倍以上とすることが可能となる。
【００２２】図５は、駆動用ＴＦＴ２２を３５℃で駆動
し、活性化エネルギの大きい電流による劣化成分(プラ
スシフト)を除いた結果を示した図である。縦軸はスレ
ッショルド電圧(Ｖth)のシフト量(Ｖ)を、横軸は時間(h
ours)を示しており、三角印によるプロットは、ゲート
電圧Ｖgのオン・オフに対してドレイン電圧Ｖdをオンに
したままの従来の方式に基づくＶthのシフト量が示され
ている。また、丸印はゲート電圧Ｖgが１０Ｖのオン・
オフに対してドレイン電圧Ｖdを１５Ｖのオン・オフで
制御した場合を示している。ひし形印は、ゲート電圧Ｖ
gが１０Ｖのオン・オフに対してドレイン電圧Ｖdを１０
Ｖのオン・オフで制御した場合を示している。この図５
から理解できるように、活性化エネルギの大きい電流に
よる劣化成分(プラスシフト)を除いた場合には、ゲート
電圧Ｖgとドレイン電圧Ｖdとをほぼ同時にオン・オフさ
せることでマイナスシフトが生じる。
【００２３】一般的に、マイナスシフトが生じるメカニ
ズムとしては、正電荷がトラップされることや、もとか
ら存在した負電荷が放出されることが考えられる。図５
に示すマイナスシフトについては、もとから負電荷が存
在するものではないので、正電荷がトラップされるメカ
ニズムが対応すると考えられる。このメカニズムでは、
まず、電圧がオフのときでも、熱励起などで励起されて
いる電子−正孔の対のうち、電子はｎ＋のバリアを越え
てドレイン電極および/またはソース電極から逃げてい
く。一方、ｎ＋のバリアを越えられない正孔は、従来の
技術ではゲート電圧がオフのときでもドレイン電圧がか
かっており、ドレイン・ソース間に電位差があること
で、ソース付近で誘起された電子と対を作って消滅して
いた。本発明の実施の形態では、ゲート電圧がオフのと
きにはドレイン電圧もオフにすることで、ドレイン・ソ
ース間の電位差がなく、電子の誘起がないことから、正
孔はアモルファスシリコン内にトラップされて、スレッ
ショルド電圧(Ｖth)のマイナスシフトを招くものと考え
られる。アモルファスシリコンＴＦＴでは、初期状態か
らむしろ正孔(正電荷)がトラップされているが、上述し
たメカニズムによって、正孔は時間と共にどんどんトラ
ッピングされていく。このマイナスシフトの効果によっ
て、プラスシフトの一部が相殺され、スレッショルド電
圧(Ｖth)のシフトを小さくすることが可能である。
【００２４】したがって、マイナスシフトの効果によっ
て、プラスシフトの一部を相殺し、スレッショルド電圧
(Ｖth)のシフトを小さくするためには、ほぼ同時にオン
させる場合に限られず、例えばゲート電極へのゲート電
圧供給時に、ソース電極またはドレイン電極に対して電
圧の供給がなされていればよい。ゲート電圧がオフのと
きにドレイン・ソース間の電位差をなくすためには、ゲ
ート電圧がオフのときにソース電極またはドレイン電極
への電圧の供給をオフするように構成することが好まし
い。また、ソース電極またはドレイン電極に供給される
電圧は、前述のように、トータルの電荷量が結果として
一致するように、電流値と共にオン・オフのデューティ
が決定される。
【００２５】このように、本実施の形態では、ＯＬＥＤ
を駆動するための駆動トランジスタとして用いられるア
モルファスシリコンＴＦＴにて、ゲート電圧とドレイン
電圧(供給線電圧)とをほぼ同時にオン・オフさせるよう
に構成した。このように、供給線ドライバ１４からの供
給線信号をオン/オフさせることによって、アモルファ
スシリコンＴＦＴにおけるスレッショルド電圧(Ｖth)の
プラスシフト劣化を、ゲート電圧とドレイン電圧(供給
線電圧)との同時オン・オフによるＶthマイナスシフト
成分でキャンセルし、結果としてスレッショルド電圧
(Ｖth)のシフトを小さくすることができる。このスレッ
ショルド電圧(Ｖth)のシフトを小さくすることにより、
アモルファスシリコンＴＦＴの長寿命化、ひいては、ア
モルファスシリコンＴＦＴを用いたＯＬＥＤディスプレ
イの長寿命化を図ることができる。尚、本実施の形態で
は、アモルファスシリコンＴＦＴを例に挙げて説明した
が、一般的にスレッショルド電圧(Ｖth)のシフトの小さ
いポリシリコンＴＦＴに対しても同様な制御を施すこと
が可能である。但し、スレッショルド電圧(Ｖth)のシフ
トの問題に対しては、アモルファスシリコンＴＦＴに対
してより有効に機能することは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)にてＯＬＥＤを駆動する際、
薄膜トランジスタに生じるスレッショルド電圧(Ｖth)の
プラスシフトを軽減することが可能となり、ＴＦＴ駆動
ＯＬＥＤディスプレイの長寿命化を達成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施の形態が適用されるアクティブマトリ
クス型のＯＬＥＤディスプレイを示した図である。
【図２】 ＯＬＥＤディスプレイに用いられる駆動回路
の構成を示した図である。
【図３】 (ａ),(ｂ)は、本実施の形態における制御部
によって制御される駆動回路のタイミングチャートを示
した図である。
【図４】 駆動用ＴＦＴの５０℃におけるＶthのシフト
量を説明するための図である。
【図５】 駆動用ＴＦＴを３５℃で駆動し、活性化エネ
ルギの大きい電流による劣化成分(プラスシフト)を除い
た結果を示した図である。
【図６】 アモルファスシリコンＴＦＴを用いたときの
経時に伴うスレッショルド電圧(Ｖth)のシフト量を示し
た図である。
【符号の説明】
１０…ＯＬＥＤディスプレイ、１１…制御部、１２…走
査線ドライバ、１３…データ線ドライバ、１４…供給線
ドライバ、１５…コモン線ドライバ、２０…駆動回路、
２１…ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)、２２
…駆動用ＴＦＴ、２３…スイッチングＴＦＴ、２４…キ
ャパシタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０Ｊ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ (72)発明者 辻村 隆俊 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 三和 宏一 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 師岡 光雄 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB17 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD29 EE29 FF11 HH09 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 KK43

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
    e)と、 前記ＯＬＥＤを駆動するアモルファスシリコン薄膜トラ
    ンジスタと、 前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのゲート電
    極へのゲート電圧をオフする際にソース電極またはドレ
    イン電極への供給線電圧をオフする供給線ドライバとを
    含むディスプレイ装置。
  2. 【請求項２】 前記供給線ドライバは、前記ゲート電圧
    をオンする際には前記供給線電圧がオンの状態にあるこ
    とを特徴とする請求項１記載のディスプレイ装置。
  3. 【請求項３】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
    e)と、 前記ＯＬＥＤを駆動する駆動用トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのソース電極またはドレイン電
    極に対してオン・オフを繰り返して電圧を供給する供給
    線ドライバとを含むディスプレイ装置。
  4. 【請求項４】 前記供給線ドライバは、前記駆動用トラ
    ンジスタのゲート電圧のオン・オフと同様なタイミング
    で前記ソース電極または前記ドレイン電極への供給線電
    圧をオン・オフすることを特徴とする請求項３記載のデ
    ィスプレイ装置。
  5. 【請求項５】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
    e)を薄膜トランジスタを用いて駆動する駆動手段と、 前記駆動手段における前記薄膜トランジスタのゲート電
    極に対してゲート電圧をオン・オフするゲート電圧供給
    手段と、 前記ゲート電圧供給手段により前記ゲート電極に対する
    ゲート電圧をオフする際に、前記薄膜トランジスタにお
    けるドレイン電極とソース電極との間の電位差をなくす
    ように制御する制御手段とを含むディスプレイ装置。
  6. 【請求項６】 前記ゲート電圧供給手段は、走査線ドラ
    イバから供給される走査線信号およびデータ線ドライバ
    から供給されるデータ線信号とに基づいて前記ゲート電
    圧がオン・オフされ、 前記制御手段は、前記ゲート電圧供給手段による前記ゲ
    ート電圧のオフに同期して前記薄膜トランジスタへの供
    給線電圧をオフすることを特徴とする請求項５記載のデ
    ィスプレイ装置。
  7. 【請求項７】 画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ
    (Organic Light Emitting Diode)と、 前記ＯＬＥＤを駆動するアモルファスシリコン薄膜トラ
    ンジスタとを含み、 前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、ゲート
    電極への電圧供給がオフのときに正孔をアモルファスシ
    リコン内にトラップさせてスレッショルド電圧(Ｖth)の
    シフト量を低減するように制御されることを特徴とする
    ＯＬＥＤパネル。
  8. 【請求項８】 前記アモルファスシリコン薄膜トランジ
    スタは、前記ゲート電極への電圧供給がオフのときにド
    レイン−ソース間の電圧が０Ｖになることを特徴とする
    請求項７記載のＯＬＥＤパネル。
  9. 【請求項９】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
    e)を駆動させる薄膜トランジスタのゲート電極に対して
    ゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段と、 前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極
    に対して電圧を供給すると共に、前記ゲート電圧供給手
    段により前記ゲート電圧をオフする際に当該電圧をオフ
    する電圧供給手段とを含む薄膜トランジスタの制御装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記電圧供給手段は、前記ゲート電圧
    供給手段により前記ゲート電圧を供給する際に、前記ソ
    ース電極または前記ドレイン電極に対して供給される前
    記電圧がオンの状態にあることを特徴とする請求項９記
    載の薄膜トランジスタの制御装置。
  11. 【請求項１１】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Di
    ode)を駆動する薄膜トランジスタの制御方法であって、 前記薄膜トランジスタのゲート電極に供給されるゲート
    電圧をオンする際には当該薄膜トランジスタのソース電
    極またはドレイン電極に供給される電圧がオンの状態に
    あるように当該電圧を制御するステップと、 前記ゲート電圧をオフする際には前記ソース電極または
    前記ドレイン電極に供給される前記電圧をオフするよう
    に制御するステップとを含む薄膜トランジスタの制御方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記ゲート電圧のオンに同期して前記
    ソース電極または前記ドレイン電極へ供給される電圧を
    オンさせることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トラ
    ンジスタの制御方法。
  13. 【請求項１３】 ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Di
    ode)ディスプレイを制御する制御方法であって、 ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジスタに対してデータ信
    号に基づく電圧を供給するステップと、 所定のデューティにてオン・オフを繰り返して前記薄膜
    トランジスタに供給線電圧を供給するステップとを含む
    ＯＬＥＤディスプレイの制御方法。
  14. 【請求項１４】 前記供給線電圧を供給するステップ
    は、前記薄膜トランジスタに供給すべき全体の電荷量か
    ら前記供給線電圧の電圧値が決定されることを特徴とす
    る請求項１３記載のＯＬＥＤディスプレイの制御方法。
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