KR100811740B1 - 프로브 니들용 튜브 및 그 제조 방법 - Google Patents

프로브 니들용 튜브 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 프로브 카드용 프로브 니들에 사용되는 튜브에 관한 것으로서, 특히, 프로브 니들과 분리되어 제조가 용이하며, 전자파 차폐 및 단락 방지가 가능한 프로브 니들용 튜브에 관한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는 프로브 니들용 튜브를 제조하는 방법으로서, 내부 절연 튜브를 마련하는 단계와, 상기 내부 절연 튜브 상에 중간 전도층을 형성하는 단계와, 상기 중간 도전층 상에 외부 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 니들용 튜브 제조 방법을 제공한다.
프로브 니들, 튜브, 전자파, EMI 도료, 단락

Description

프로브 니들용 튜브 및 그 제조 방법{TUBE FOR PROBE NEEDLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1a는 반도체 소자의 검사에 사용되는 프로브 카드를 도시한 도면,
도 1b는 종래 기술에 따른 전자파 차폐를 위한 프로브 니들을 설명하기 위한 도면,
도 1c는 프로브 카드의 저면을 도시한 저면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브를 중심 전도체에 끼운 프로브 니들을 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브의 제조를 위해 내부 절연 튜브를 끼운 금속 막대를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브의 외부 절연층을 전착 도장의 공정을 이용하여 형성하는 과정을 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200: 프로브 니들용 튜브 210: 내부 절연 튜브
220: 중간 전도층 230: 외부 절연층
400: 프로브 니들 410: 중심 전도체
411: 테이퍼부 412: 중앙부
413: 고정부 414: 말단부
415: 선단부
본 발명은 프로브 카드용 프로브 니들에 사용되는 튜브에 관한 것으로서, 특히, 프로브 니들과 분리되어 제조가 용이하며, 전자파 차폐 및 단락 방지가 가능한 프로브 니들용 튜브에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼(Wafer)를 구성하는 각 반도체 소자의 전기적 특성을 검사하기 위하여 이디에스(EDS: Electrical Die Sorting) 공정을 수행한다. 구체적으로, EDS 공정은 반도체 소자의 접촉 패드(pad)에 프로브 카드의 프로브 니들을 접촉시키고, 이 프로브 니들을 통해 별도의 테스트 장치로부터 전기 신호를 통과시켜 그 때 출력되는 전기 신호를 판독함으로써 수행된다. 이를 탐침 검사라고도 한다.
도 1a는 반도체 소자의 검사에 사용되는 프로브 카드를 도시한 도면이다.
일반적인 프로브 카드는 인쇄 회로 기판(PCB, 10) 및 프로브 니들(20)을 포함한다.
프로브 니들(20)은 선단부(21), 고정부(22) 및 말단부(23)로 구분된다.
인쇄 회로 기판(10)은 반도체 검사 장비로부터 전기 신호를 수신하여 프로브 니들(20)로 전달하고, 프로브 니들(20)로부터 수신한 전기 신호를 반도체 검사 장비로 전달하는 기능을 수행한다.
프로브 니들(20)의 선단부(24)는 검사하려는 반도체 소자의 전극 패드에 접촉하는 부분이다.
또한, 말단부(23)는 프로브 니들(20)을 인쇄 회로 기판(PCB, 10)에 솔더링(soldering)으로 접착되는 부분이고, 고정부(22)는 에폭시 수지 등의 고정 수단에 의해 고정 지지되는 부분이다.
최근 반도체 소자의 소형화, 집적화 및 대용량화에 따라 웨이퍼에 형성된 접촉 패드 간 간격, 즉 피치가 좁아지게 되었다. 이에 따라 프로브 카드용 프로브 니들(20) 또한 그 개수가 증가하고, 프로브 니들(20) 간의 간격이 좁아지게 되었다.
이와 같이, 프로브 니들(20) 간의 간격이 좁아지는 경우, 반도체 소자의 검사시 프로브 니들(20) 간에 서로 영향을 끼치게 된다. 즉, 반도체 소자의 검사를 위해 반도체 검사 장비로부터 전기 신호가 프로브 니들을 통과하는 경우, 프로브 니들(20) 간에 각종 전자파 및 간섭 전류(자기장, 정전기)와 같은 노이즈가 발생하여 검사의 오류를 유발한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래에는 프로브 니들(20)에 도전성 금속 튜브를 피복하여 전자파 차폐(EMI: Electromagnetic Interference) 기능을 구현하는 기술이 제안되었다.
도 1b는 종래 기술에 따른 전자파 차폐를 위한 프로브 니들(100)을 도시한 도면이다.
종래 기술에 따른 프로브 니들(100)은 중심 전도체(110), 내부 절연층(120) 및 외부 전도층(130)을 포함하고, 테이퍼부(140), 중앙부(150), 말단부(160) 및 고정부(170)로 구분된다.
중심 전도체(110)는 텅스텐 등의 전도성 물질로 이루어져 있다.
중심 전도체(110)의 테이퍼부(140)는 선단부로 갈수록 직경이 점점 작아지는 부분으로서, 그 선단부는 반도체 소자의 접촉 패드와 접촉하는 기능을 수행한다.
내부 절연층(120)은 전기 절연성 재료로 이루어진 절연 튜브로서, 중심 전도체(110)의 중앙부(150)에 피복된다. 내부 절연층(120)은 접지 구조의 전자파 차폐를 위한 외부 전도층(130)을 중심 전도체(110)로부터 분리시키는 역할을 수행하는 것으로서, 추후 설명할 외부 전도층(130)과 중심 전도체(110) 사이에 형성된다.
외부 전도층(130)은 내부 절연층(120)의 표면에 피복하는 도전성 금속 튜브로서, 양 단부가 프로브 카드의 기판에 형성된 접지선에 연결되어 있기 때문에, 상기의 중심 전도체(110)에서 발생한 각종 전자파 및 간섭 전류(자기장, 정전기) 등의 노이즈가 프로브 니들(100)의 외부로 방출되는 것을 차단할 수 있다.
또한, 한국 공개특허공보 제2006-0044416호는 중심 전도체에 전기 절연성 재료로 이루어진 내부 절연 튜브를 피복하고, 상기의 내부 절연 튜브에 도전성 물질을 도포하거나 또는 도전성 미립자 막을 적층하여 전자파를 차단하는 프로브 니들을 개시하고 있다.
그러나, 종래의 전자파 차폐용 프로브 니들은 최외부에 도전성 물질이 피복 되어 있기 때문에, 프로브 니들 간의 간격이 좁아짐에 따라, 프로브 니들 간의 단락이 발생할 수 있다는 문제가 있다.
도 1c는 프로브 카드의 저면을 도시한 저면도이다.
프로브 니들(100)의 말단부(160)는 프로브 카드의 기판(20)에 솔더링에 의해 접합, 부착되어 있고, 프로브 니들(100)은 에폭시 수지 등과 같은 고정 수단(180)에 의해 프로브 카드 기판(20)에 고정되어 있다.
일반적으로 프로브 카드에 있어서 복수 개의 프로브 니들(100)은 고정부(170)로부터 선단부(140)까지의 영역(L)에서는 평행하게 배열되어 있는 반면, 프로브 카드의 기판(20)과 고정부(170) 사이의 영역(H)에서는 서로 중첩하여 배열되는 경우가 많다. 더욱이, 피치가 점점 좁아지는 상황에서는, 이와 같은 현상이 더욱 심해지는 경향이 있다.
이 경우, 프로브 니들(100)의 말단부(160)의 솔더링된 부분이 다른 프로브 니들과 단락이 되는 문제가 발생하게 된다. 즉, 프로브 니들(100)의 외부에는 전자파 차폐를 위한 도전성 물질이 도포되어 있기 때문에, 다른 프로브 니들의 말단부의 솔더링 부분과 단락이 될 경우, 검사상의 오류가 발생할 수 있다.
뿐만 아니라, 복수 개의 프로브 니들(100)을 중첩하여 배열된 영역(H)에서는, 전자파로 인한 악영향이 더욱 심해지는 경향이 있다.
이와 같이, 프로브 카드에 장착되는 프로브 니들은 그 위치에 따라 단락의 가능성 또는 전자파로 인한 악영향이 상이하므로, 단락 방지 또는 전자파 차폐를 위한 튜브의 길이 또는 위치를 가변할 필요가 있다.
한편, 종래의 전자파 차폐용 프로브 니들은 중심 전도체에 소정 길이의 내부 절연 튜브를 끼우고, 내부 절연 튜브 상에 외부 전도층을 피복하는 형태로 제조되었기 때문에, 외부 전도층의 피복시 중심 전도체에 악영향을 미친다는 문제가 있다.
다시 말해, 중심 전도체 상에서 직접 튜브를 형성하기 때문에, 특히 외부 전도층의 도포 등의 공정 수행시, 외부 전도층의 물질이 중심 전도체에 닿거나 하는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 각종 전자파 및 간섭 전류(자기장, 정전기)를 차단하면서, 프로브 니들 간의 단락을 방지할 수 있으며, 또한, 중심 전도체에 영향을 미치지 않는 프로브 니들용 튜브의 개발이 절실한 상황이다.
본 발명의 일부 실시예들은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 전자파 차폐 및 단락 방지를 도모하면서 제조 과정에서 중심 전도체에 아무런 영향을 미치지 않는 프로브 니들용 튜브를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는 프로브 니들용 튜브를 제조하는 방법으로서, 내부 절연 튜브를 마련하는 단계와, 상 기 내부 절연 튜브 상에 중간 전도층을 형성하는 단계와, 상기 중간 도전층 상에 외부 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 니들용 튜브 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 중간 전도층은 상기 내부 절연 튜브의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 분사하는 공정에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 중간 전도층은 무전해 습식 도금 공정에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 외부 절연층은 전착 도장의 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 프로브 니들용 튜브로서, 내부 절연 튜브와, 상기 내부 절연 튜브 상에 형성된 중간 전도층과, 상기 중간 전도층 상에 형성된 외부 절연층을 포함하는 프로브 니들용 튜브를 제공한다.
또한, 상기 내부 절연 튜브 및 상기 외부 절연층은 폴리미이드(polymide)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 중간 전도체는 은, 구리, 니켈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브(200)를 도시한 도면이다.
프로브 니들용 튜브(200)는 내부 절연 튜브(210), 중간 전도층(220) 및 외부 절연층(230)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 절연 튜브(200)는 종래의 프로브 니들과 같이 중심 전도체 상에 직접 형성된 형태가 아닌, 중심 전도체와 분리된 형태의 프로브 니들용 튜브(200)로서, 중심 전도체에의 피복 및 중심 전도체로부터의 분리가 자유롭다.
내부 절연 튜브(210)는 프로브 니들용 튜브(200)의 가장 내측에 형성된 것으로서, 일반적인 절연 튜브의 제조 방법에 의해 제조된다. 예컨대, 폴리미이드(polymide)를 포함할 수 있다.
중간 전도층(220)은 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포하는 공정 또는 무전해 습식 도금 공정 등에 의해 내부 절연 튜브(210) 상에 코팅된다.
외부 절연층(230)은 전착 도장(Electro-Deposition Coation)의 공정 또는 절연 용액에 침지(deeping)하는 공정 등에 의해 중간 전도층(220) 상에 코팅되며, 예 컨대, 폴리미이드를 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
중간 전도층(220) 및 외부 절연층(230)의 코팅 방법에 대해서는 추후에 보다 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 절연 튜브(200)를 중심 전도체(310)에 끼운 프로브 니들(300)을 도시한 도면이다.
중심 전도체(310)는 선단부(315), 테이퍼부(311), 중앙부(312) 및 말단부(314)로 구분되며, 텅스텐, 니켈, 레늄, 백금 중 적어도 하나 이상이 포함된 전도성 물질로 제조될 수 있다.
선단부(315)는 반도체 소자 상의 접촉 패드와 접촉하는 부분이며, 테이퍼부(311)는 프로브 니들(300)의 선단부(315)를 향해 직경이 점점 좁아지는 부분이다.
말단부(314)는 프로브 니들(300)이 솔더링에 의해 프로브 카드에 접합, 부착되는 부분이다.
튜브(200)는 내부 절연 튜브(210), 중간 전도층(220) 및 외부 절연층(230)으로 이루어져 있다.
내부 절연 튜브(210)는 전자파 차폐를 위한 중간 전도층(220)을 중심 전도체(310)로부터 분리시키는 기능을 수행한다.
중간 전도층(220)은 양 단부가 프로브 카드 기판에 형성된 접지선(도시 생략)에 연결되어 있으므로, 상기 중심 전도체(310)에서 발생한 각종 전자파 및 간섭 전류(자기장, 정전기) 등의 노이즈가 프로브 니들(300)의 외부로 방출되는 것을 차 단할 수 있다.
또한, 외부 절연층(230)은 튜브(200)의 최외부에 형성되어 프로브 니들 간의단락을 방지하는 기능을 수행한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 튜브(200)는 프로브 니들(300)의 적정 위치, 예컨대, 고정부(313)와 말단부(314) 사이에 위치할 수 있다. 이 영역은 앞서 설명한 바와 같이 중심 전도체(310)에 전류가 흐를 때 발생하는 전자파의 악영향이 특히 심한 곳으로서, 전자파 차폐 및 단락 방지를 위해, 절연 튜브(200)가 끼워지는 것이 바람직하다.
또한, 이와 달리, 본 발명의 다른 실시예에 따른 튜브(200)는 고정부(313) 상에 위치할 수도 있다. 프로브 니들(300)의 고정부(313)는 예컨대 에폭시 수지와 같은 고정 수단에 의해 프로브 카드의 기판에 고정되는 부분으로서, 프로브 니들 간의 단락이 발생할 가능성이 높은 영역이다. 따라서, 이 영역에 절연 튜브(200)를 끼움으로써 프로브 니들 간의 단락을 방지할 수 있다.
(중간 전도층의 형성)
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브의 중간 전도층(220)을 형성하기 위한 공정에 관해 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들용 튜브의 제조를 위해 내부 절연 튜브를 끼운 금속 막대를 도시한 도면이다.
먼저, 내부 절연 튜브(210)를 준비한 후, 내부 절연 튜브(210)에 금속 막대(410)를 끼운다. 금속 막대(410)는 내부 절연 튜브(210) 상에 중간 전도층(220) 을 형성하는 경우 내부 절연 튜브의 내부에 중간 전도층(220)의 물질이 들어가는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
또한, 금속 막대(410)는 중간 전도층(220)의 형성을 위한 특정 용액 및 도료가 내부 절연 튜브(210)의 내부에 스며드는 것을 막을 수 있는 세라믹 재료 등으로 대체할 수 있다.
다음에, 내부 절연 튜브(210)의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 스프레이 등으로 분사한 후, 건조시킨다.
전자파 차폐 도료는 금속체의 폐곡면에 의해 양측의 매질 공간을 전자기적으로 분리(isolation)하는 전자파 차폐 효과를 이용한 것으로, 전자파가 프로브 니들의 외부로 방사되는 것을 차단하는 역할을 하는 도료이다.
전자파 차폐 도료는 일반적인 도료에 은, 주석, 니켈, 구리 등의 금속 분말을 배합하여 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 내부 절연 튜브(210)의 표면에 전자파 차폐 도료를 도포 또는 분사함으로써, 중간 전도층(220)을 형성하였으나, 이와 달리, 무전해 습식 도금의 공정에 의해 중간 전도층(220)을 형성할 수도 있다. 예컨대, 니켈과 구리가 포함된 용액에 내부 절연 튜브가 피복된 프로브 니들을 침지하여, 내부 절연 튜브의 표면에 니켈과 구리를 석출시켜 중간 전도층(220)을 형성함으로써, 전자파 차폐의 효과를 도모할 수 있다.
이러한 무전해 습식 도금 방법은 무전해 도금인 관계로 전류 제어를 고려할 필요가 없어 작업이 매우 용이할 뿐만 아니라, 코팅층의 표면 경도가 향상되고, 산 성 용액이나 가스에서 내식성이 높기 때문에 부식 감량이 현저히 줄어드는 효과가 있다.
(외부 절연층의 형성)
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 튜브(200)의 외부 절연층(230)을 형성하기 위한 공정에 관해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜브(200)의 외부 절연층(230)을 전착 도장의 공정을 이용하여 형성하는 과정을 도시한 도면이다.
전착 도장은 전기 화학적인 반응에 의한 방법을 이용한 것으로, 전착용 수용성 도료 용액 중에 피도물을 양극 또는 음극으로 하여 피도물과 그 대극 사이에 직류 전류를 통하여, 이 때 발생하는 전기 분해(electrolysis), 전기 영동(electro-phoresis), 전기 석출(electro-deposition) 및 전기 침투(electro-osmosis) 등의 전기 현상을 이용하여 피도물 표면에 전기적으로 도막을 석출시키는 도장 방법이다.
먼저, 내부 절연 튜브(210) 및 중간 전도층(220)이 피복된 금속 막대를 외부 절연층(230)을 구성하는 물질, 예컨대, 폴리미이드(polymide)를 포함하는 용액(530)에 소정의 깊이까지 담근다. 그 후, 중간 전도층(220)과 그 대극(520)에 직류 전류를 흘리면, 전술한 바와 같은 단계적인 전기 현상에 의해 중간 전도층(220)의 표면에 외부 절연층(230)이 코팅된다.
그 후, 금속 막대(410)를 용액(530)에서 꺼내어 건조시킨 후, 금속 막대(410)를 튜브(200)로부터 빼낸다.
이와 같이 전착 도장의 공정을 이용하면 절연 물질의 손실 없이 일정한 두께의 외부 절연층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 전착 도장의 공정에 의해 외부 절연층을 형성하였으나, 이와 달리, 내부 절연 튜브 및 중간 전도층이 끼워진 금속 막대를 절연 용액에 침지하는 공정에 의해 외부 절연층을 형성할 수도 있다.
다음에, 튜브(200)를 원하는 길이로 절단한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는 내부 절연 튜브 내에 중간 전도체를 이루는 물질이 스며드는 것을 방지하기 위해, 금속 막대 등에 내부 절연 튜브를 끼운 후, 중간 전도층 및 외부 절연층을 형성하였으나, 이와 달리, 내부 절연 튜브의 양 단부에 열 등을 가하여 양 단부를 봉입한 후, 중간 전도층 및 외부 절연층을 형성함으로써, 튜브(200)를 제조할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되 는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
전술한 본 발명의 일부 실시예들에 의하면, 전자파 차폐 및 단락 방지를 도모하면서 제조 과정에서 중심 전도체에 아무런 영향을 미치지 않는 프로브 니들용 튜브를 제공할 수 있다고 하는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 프로브 카드에 사용되는 프로브 니들을 제조하는 방법으로서,
    내부 절연 튜브를 마련하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 분사하는 공정에 의해 중간 전도층을 형성하는 단계,
    상기 중간 전도층 상에 전착 도장의 공정에 의해 외부 절연층을 형성하는 단계 및
    상기 내부 절연 튜브, 상기 중간 전도층 및 상기 외부 절연층으로 이루어진 튜브에 중심 전도체를 삽입하는 단계
    를 포함하는 프로브 니들의 제조 방법.
  2. 고정 수단에 의해 프로브 카드 기판에 장착되는 프로브 니들을 제조하는 방법에 있어서,
    내부 절연 튜브를 마련하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 분사하는 공정에 의해 중간 전도층을 형성하는 단계,
    상기 중간 전도층 상에 전착 도장의 공정에 의해 외부 절연층을 형성하는 단계 및
    상기 내부 절연 튜브, 상기 중간 전도층 및 상기 외부 절연층으로 이루어진 튜브에 중심 전도체를 삽입하는 단계
    를 포함하되,
    상기 중심 전도체는 상기 튜브가 상기 중심 전도체의 전체 영역 중 상기 고정 수단과 상기 프로브 카드 기판 사이의 영역에 위치하도록 상기 튜브에 삽입되는 것인 프로브 니들의 제조 방법.
  3. 프로브 카드에 사용되는 프로브 니들을 제조하는 방법으로서,
    내부 절연 튜브를 마련하는 단계,
    막대형의 부재를 상기 내부 절연 튜브에 삽입하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 분사하는 공정에 의해 중간 전도층을 형성하는 단계,
    상기 중간 전도층 상에 전착 도장의 공정에 의해 외부 절연층을 형성하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브로부터 상기 막대형 부재를 분리시키는 단계 및
    상기 내부 절연 튜브, 상기 중간 전도층 및 상기 외부 절연층으로 이루어진 튜브에 중심 전도체를 삽입하는 단계
    를 포함하는 프로브 니들의 제조 방법.
  4. 프로브 카드에 사용되는 프로브 니들을 제조하는 방법으로서,
    내부 절연 튜브를 마련하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 양 단부를 봉입하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 표면에 전자파 차폐(EMI) 도료를 도포 또는 분사하는 공정에 의해 중간 전도층을 형성하는 단계,
    상기 중간 전도층 상에 전착 도장의 공정에 의해 외부 절연층을 형성하는 단계,
    상기 내부 절연 튜브의 양 단부를 개방하는 단계 및
    상기 내부 절연 튜브, 상기 중간 전도층 및 상기 외부 절연층으로 이루어진 튜브에 중심 전도체를 삽입하는 단계
    를 포함하는 프로브 니들의 제조 방법.
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